JP5552821B2 - 回路モジュール - Google Patents

Description

本発明は、回路部品を覆った絶縁樹脂の表面に導電材料のシールド層が形成された回路モジュールに関する。

回路モジュールは、複数の回路部品、例えば、受動素子や能動素子等を基板に実装して、ひとまとまりの機能を持った回路部品としたものである。例えば、特許文献１には、回路部品間を仕切り、絶縁樹脂層の一部にシールド層を設けた回路モジュールが開示されている。また、特許文献２には、回路が受光、発光の光電素子を含む場合の光の通路として、回路を覆う樹脂の上面に設けられた上板を被覆する金属層に、光を透過させるための窓を設けたものが開示されている。

特開２００７−１５７８９１号公報（００３７、図１６） 特開平１１−２６６５１号公報（０００９、図２）

ところで、回路モジュールは、絶縁樹脂で基板に実装された回路部品を覆うが、回路モジュールの製造工程や保管環境によっては、絶縁樹脂に水分が浸入することがある。この水分は、回路モジュールを電子機器に実装する際のリフロー工程における加熱によって蒸発する。絶縁樹脂の表面にシールド層が形成された構造では、蒸発した水分の逃げ場がなくなり、絶縁樹脂の割れや回路モジュールを構成する部品を接合しているハンダの飛散が発生するおそれがある。

一方、シールド層は導電性を有する。このため、回路モジュールを構成する回路部品には、インダクタンス成分やキャパシタンス成分を有するものや、このような回路部品を含む回路の近傍にシールド層が配置されると、回路部品や回路の特性が変動することがあり、回路モジュールの性能が低下するおそれがある。特許文献１や特許文献２には、これらの点について何ら言及はなく、リフロー時において回路モジュールの絶縁樹脂に浸入した水分を抜けやすくすること、及びシールド層に起因する回路部品や回路の特性変動を抑制することについては改善の余地がある。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、回路モジュールの絶縁樹脂の表面をシールド層で被覆したものにおいて、絶縁樹脂に浸入した水分を抜けやすくするとともに、回路部品やこれを用いた回路の特性変動を抑制することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る回路モジュールは、回路部品が実装される基板と、前記回路部品を覆う絶縁樹脂と、当該絶縁樹脂の表面を被覆し、かつ、前記基板に実装される回路部品のうち、インダクタンス成分又はキャパシタンス成分を有する回路部品の反基板実装側における前記絶縁樹脂の厚さが２００μｍ以下の部分には、少なくとも前記絶縁樹脂が露出する開口部を有するシールド層と、を含むことを特徴とする。

この回路モジュールは、回路部品を覆った絶縁樹脂の表面をシールド層で被覆するとともに、インダクタンス成分又はキャパシタンス成分を有する回路部品の反基板実装側における絶縁樹脂の厚さが２００μｍ以下の部分のシールド層に開口部を設ける。この開口部によって、リフロー時に回路モジュールを加熱すると、絶縁樹脂中の水分が蒸発して開口部から孤立的に抜ける。また、インダクタンス成分又はキャパシタンス成分を有する回路部品と対向する部分のシールド層を取り除くことにより、前記回路部品や前記回路部品を用いた回路の特性変動を抑制し、回路モジュールの性能低下を抑制できる。このように、本発明は、回路モジュールの絶縁樹脂の表面をシールド層で被覆したものにおいて、絶縁樹脂に浸入した水分を抜けやすくするとともに、回路部品やこれを用いた回路の特性変動を抑制できる。

本発明の望ましい態様としては、前記絶縁樹脂の表面、かつ前記開口部と前記シールド層との境界部に形成される隆起部を有し、前記開口部と隣接する前記シールド層の縁部が、前記隆起部に接していることが好ましい。この回路モジュールは、シールド層の縁部が隆起部に接している。このような構成により、シールド層が隆起部と接触している部分によって、シールド層と絶縁樹脂との間への水分の浸入経路が塞がれ、かつ、前記経路が長くなる。その結果、この回路モジュールは、シールド層と絶縁樹脂との間へ水分が浸入することを抑制できる。

本発明の望ましい態様としては、前記シールド層は、複数の導電材料の層で構成されており、最も外側に配置される導電材料の層の縁部が、前記隆起部に接していることが好ましい。この回路モジュールは、複数の導電材料の層で構成されるシールド層の縁部のうち、最も外側に配置される導電材料の層（最外層）の縁部が隆起部に接している。このような構成により、絶縁樹脂と最も外側に配置される導電材料の層との間に配置される導電材料の層（内層）は、最外層と隆起部とによって包み込まれ、かつ最外層の縁部と隆起部とが接触する部分によって内層への水分の浸入経路が塞がれる。その結果、この回路モジュールは、導電材料のシールド層の縁部から水分が浸入し、シールド層と絶縁樹脂との間へ水分が浸入することをさらに効果的に抑制できる。

本発明の望ましい態様としては、前記隆起部は、前記シールド層の縁部から前記絶縁樹脂の表面に沿って遠ざかるにしたがって、前記シールド層の表面に向かって隆起する傾斜部を有し、最も外側に配置される導電材料の層の縁部が前記傾斜部に接することが好ましい。この傾斜部に最外層が接することにより、最外層と隆起部とが接触する部分の長さを大きくすることができる。その結果、導電層までの水分の浸入経路を長くすることができるので、より効果的にシールド層と絶縁樹脂との間へ水分が浸入することを抑制できる。

本発明の望ましい態様としては、前記シールド層は、前記絶縁樹脂の表面を被覆する導電層と、当該導電層を被覆する防錆層とで構成され、当該防錆層が最も外側に配置される導電材料の層であることが好ましい。このように、最も外側に配置される導電材料の層を防錆層とするとともに、この防錆層で導電層を被覆することにより、導電層に腐食しやすい材料を用いた場合でも、導電層の腐食を抑制できる。

本発明の望ましい態様としては、前記導電層は、前記絶縁樹脂の表面を被覆する第１導電層と、当該第１導電層の表面を被覆する第２導電層とで構成され、前記第１導電層の粒径は前記第２導電層の粒径よりも小さいことが好ましい。これによって、第１導電層の組織は緻密になるので、絶縁樹脂と第１導電層との密着性が強くなる。その結果、第１導電層の表面を第２導電層で被覆し、さらに第２導電層の表面を防錆層で被覆して形成されるシールド層全体としても、絶縁樹脂との密着強度が向上する。

本発明の望ましい態様としては、前記第２導電層は、前記傾斜部に接していることが好ましい。これによって、第２導電層と隆起部との接触する部分の長さを大きくすることができるので、第１導電層までの水分の浸入経路を長くすることができる。その結果、第１導電層と絶縁層との間への水分の浸入をより効果的に抑制できる。

本発明は、回路モジュールの絶縁樹脂の表面をシールド層で被覆したものにおいて、絶縁樹脂に浸入した水分を抜けやすくするとともに、回路部品やこれを用いた回路の特性変動を抑制できる。

図１は、本実施形態に係る回路部品を基板に実装した状態を示す模式図である。 図２は、本実施形態に係る回路部品を基板に実装する過程の一部を示す斜視図である。 図３は、シールド層に開口部を設けない例を示す断面図である。 図４は、シールド層に開口部を設けた例を示す断面図である。 図５は、開口部と回路部品との大きさの関係を示す斜視図である。 図６は、図１のＡで示す部分の拡大断面図である。 図７は、隆起部を説明するための断面図である。 図８は、防錆層がその下部に配置される導電材料の層の縁部を覆わない例を示す断面図である。 図９は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第１例を示すフローチャートである。 図１０−１は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第１例を説明するための概念図である。 図１０−２は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第１例を説明するための概念図である。 図１０−３は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第１例を説明するための概念図である。 図１０−４は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第１例を説明するための概念図である。 図１０−５は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第１例を説明するための概念図である。 図１０−６は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第１例を説明するための概念図である。 図１１は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第２例を示すフローチャートである。 図１２−１は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第２例を説明するための概念図である。 図１２−２は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第２例を説明するための概念図である。 図１２−３は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第２例を説明するための概念図である。 図１２−４は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第２例を説明するための概念図である。 図１２−５は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第２例を説明するための概念図である。 図１３は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第３例を示すフローチャートである。 図１４−１は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第３例を説明するための概念図である。 図１４−２は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第３例を説明するための概念図である。 図１４−３は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第３例を説明するための概念図である。 図１４−４は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第３例を説明するための概念図である。 図１４−５は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第３例を説明するための概念図である。 図１５は、樹脂の水分の抜け性の評価方法を示す模式図である。 図１６は、透湿度と樹脂の厚さとの関係を示す評価結果である。

以下、本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の実施形態は、本発明を限定するものではない。また、下記の実施形態で開示された構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、下記実施形態で開示した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。

図１は、本実施形態に係る回路モジュールの断面図である。図２は、本実施形態に係る回路モジュールの斜視図である。図１に示すように、回路モジュール１は、複数の回路部品２を基板３に実装して、ひとまとまりの機能を持つ回路部品としたものである。本実施形態において、回路モジュール１を構成する回路部品２としては、例えば、コイル２Ｆやコンデンサ２Ｃ、あるいは抵抗２Ｒ等の受動素子があるが、ダイオードやトランジスタ等の能動素子も回路部品２として基板３上や基板３内に実装されることがある。また、回路部品２は、これらに限定されるものではない。

図１に示すように、回路モジュール１は、回路部品２が実装される基板３と、回路部品２を覆う絶縁樹脂４と、絶縁樹脂４の表面を被覆し、かつ、基板３に実装される回路部品２のうち、インダクタンス成分又はキャパシタンス成分を有する回路部品（例えば、コイル２Ｆ又はコンデンサ２Ｃ）の反基板実装側における絶縁樹脂４の厚さが２００μｍ以下の部分には、少なくとも絶縁樹脂４が露出する開口部Ｈを有するシールド層５と、を含んで構成される。回路部品２の反基板実装側とは、回路部品２が基板３に実装（回路部品２の端子電極と基板３の端子電極とがハンダによって接合される状態）されたときに回路部品２の基板３と対向する側とは反対側である。なお、本実施形態において、回路モジュール１は、絶縁樹脂４の表面、かつシールド層５の縁部５Ｅの位置に形成される隆起部６を有するが、この隆起部６は、必ずしも設ける必要はない。隆起部６については後述する。

図１に示すように、回路モジュール１は、基板３に実装された回路部品２が絶縁樹脂４で覆われる。なお、回路モジュール１は、回路部品２が実装される側の基板３の表面（部品実装面という）も同時に絶縁樹脂４で覆われる。このように、回路モジュール１は、絶縁樹脂４で複数の回路部品２及び部品実装面を覆うことで、基板３及び複数の回路部品２を一体化するとともに、強度を確保する。

複数の回路部品２を覆った絶縁樹脂４の表面には、シールド層５が形成される。本実施形態において、シールド層５は導電材料（導電性を有する材料であり、本実施形態では金属）で構成されており、導電性を有する。本実施形態では、シールド層５は単数の導電材料で構成されてもよいし、複数の導電材料の層で構成されてもよい。複数の導電材料の層でシールド層５が構成される例は後述する。シールド層５は、絶縁樹脂４の表面を被覆することにより、絶縁樹脂４の内部に封入された回路部品２を回路モジュール１の外部からの高周波ノイズや電磁波等から遮蔽したり、回路部品２から放射される高周波ノイズ等を遮蔽したりする。このように、本実施形態において、シールド層５は、電磁気シールドとして機能する。本実施形態において、シールド層５は、絶縁樹脂４の表面全体を被覆している。しかし、シールド層５は、電磁気シールドとして必要な機能を発揮できるように絶縁樹脂４を被覆すればよく、必ずしも絶縁樹脂４の表面全体を被覆する必要はない。したがって、シールド層５は、絶縁樹脂４の表面の少なくとも一部を被覆していればよい。

図１、図２に示すように、回路モジュール１は、シールド層５に開口部Ｈが形成されている。開口部Ｈは、インダクタンス成分又はキャパシタンス成分を有する回路部品２と対向する部分、すなわち、インダクタンス成分又はキャパシタンス成分を有する回路部品２の反基板実装側であって、その部分における絶縁樹脂４の厚さ（回路部品２と絶縁樹脂４の表面との距離）が２００μｍ以下の部分に形成されている。インダクタンス成分又はキャパシタンス成分を有する回路部品２としては、例えば、コイル２Ｆ、あるいはコンデンサ２Ｃがある。本実施形態では、開口部Ｈは、コイル２Ｆと対向する部分に形成されている。開口部Ｈにシールド層５は存在せず、開口部Ｈからは絶縁樹脂４が露出している。そして、シールド層５の開口部Ｈとの境界部分が、シールド層５の縁部（エッジ部）５Ｅとなる。開口部Ｈは、シールド層５の縁部５Ｅで囲まれる部分となる。次に、インダクタンス成分又はキャパシタンス成分を有する回路部品２と対向する部分に開口部Ｈを設ける理由を説明する。

図３は、シールド層に開口部を設けない例を示す断面図であり、図４は、シールド層に開口部を設けた例を示す断面図である。図５は、開口部と回路部品との大きさの関係を示す斜視図である。回路モジュール１は、回路部品２を基板３に実装するときや回路モジュール１が保管されている期間や環境によって、絶縁樹脂４の内部に水分が浸入することがある。例えば、基板３が樹脂基板の場合は、基板３の表面から水分が浸入するが、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramic）を基板３に用いた場合は、絶縁樹脂４側から水分が浸入する。この問題は、特に、東南アジア等の高温多湿の地域で回路モジュール１が組み立てられたり、回路モジュール１を用いた電子機器が組み立てられたりする場合に顕著になる。

回路モジュール１を電子機器に実装する際には、リフロー時に回路モジュール１が加熱されるので、このため、回路モジュール１を構成する絶縁樹脂４に水分が含まれていると、前記リフロー時の加熱により絶縁樹脂４の水分は蒸発して抜けようとする。しかし、シールド層５が絶縁樹脂４の表面を被覆しているために、蒸発した水分が絶縁樹脂４から抜けにくくなる結果、蒸発した水分によって絶縁樹脂４にクラックが発生したり、回路部品２を基板３に接合しているハンダが飛散したりする。これを回避するために、シールド層５に開口部Ｈを設けて、前記リフロー時の加熱によって蒸発した水分を、絶縁樹脂４から抜けやすくする。これによって、前記リフロー時における絶縁樹脂４のクラックやハンダの飛散を抑制して、回路モジュール１の品質を維持することにより、回路モジュール１の機能を十分に発揮させることができる。

絶縁樹脂４に浸入した水分は、蒸発して抜けるため、上方、すなわち重力の作用方向とは反対側に開口部Ｈを設けることが好ましい。通常、基板３が重力の作用方向側（下方）に配置されるので、基板３に実装された回路部品２の反基板実装側に開口部Ｈを設けることにより、絶縁樹脂４に浸入した水分がリフロー時に抜けやすくなる。また、回路部品２と開口部Ｈに露出する絶縁樹脂４の表面との距離が２００μｍを超えると、絶縁樹脂４に浸入した水分は抜けにくくなる。このため、回路部品２と開口部Ｈに露出する絶縁樹脂４の表面との距離を２００μｍ以下とすることによって、絶縁樹脂４に浸入した水分を抜けやすくすることができる。また、回路部品２と開口部Ｈに露出する絶縁樹脂４の表面との距離が２００μｍを超えている場合、前記距離が２００μｍ以下になるまで開口部Ｈの絶縁樹脂４を除去することが好ましい。

上述した、絶縁樹脂４から水分を抜く目的の他、回路モジュール１を構成する回路部品２の特性変動を抑制するために、特定の回路部品２（インダクタンス成分又はキャパシタンス成分を有するもの）の反基板実装側に開口部Ｈを設ける。次に、この理由を説明する。図３に示すように、インダクタンスを有する回路部品２（例えばコイル）と対向する部分にシールド層５が存在し、かつその距離ｔが小さくなると、シールド層５が回路部品２の磁束を遮ってしまう。その結果、回路部品２のインダクタンス（Ｌ値）が低下する結果、回路部品２の特性が変動してしまう。

また、シールド層５と回路部品２との間で静電容量（キャパシタンス）を有し、コンデンサを形成してしまうことがある。例えば、ＬＣフィルター回路を形成する回路部品２の近傍にシールド層５が存在する場合、回路部品２とシールド層５との間で静電容量を持ち、その部分がコンデンサとなる。その結果、ＬＣフィルター回路にコンデンサが追加された状態になってしまいＬＣフィルターの特性が変動してしまう。さらに、マッチング回路を構成している回路部品２（キャパシタンスを有する回路部品であり、コンデンサ）の近傍にシールド層５が存在すると、そのような回路部品２とシールド層５との間に静電容量を持ち、コンデンサとなってしまうため、マッチングのずれが発生する場合がある。

このように、インダクタンス成分又はキャパシタンス成分を有する回路部品２と近接して導電性を有するシールド層５が設けられると、そのような回路部品２の電気的な特性が変化し、回路モジュール１の性能が低下することがある。このため、本実施形態においては、シールド層５のインダクタンス成分又はキャパシタンス成分を有する回路部品２と対向する部分に開口部Ｈを設ける。

特に、インダクタンス成分又はキャパシタンス成分を有する回路部品２とシールド層５との距離ｔが２００μｍ以下（０μｍである場合も含む）である場合に、回路部品２やそのような回路部品２を用いた回路の特性変動は顕著になる。したがって、本実施形態では、図４に示すように、インダクタンス成分又はキャパシタンス成分を有する回路部品２の反基板実装側における絶縁樹脂４の厚さが２００μｍ以下（０μｍである場合も含む）の部分において、シールド層５に開口部Ｈを形成する。これによって、インダクタンス成分又はキャパシタンス成分を有する回路部品２のシールド層５による特性変動を最小限に抑えることができるので、回路モジュール１の性能低下を抑制できる。同時に、本実施形態では、回路モジュール１のリフロー時において、絶縁樹脂４から水分を効率的に抜くことができるので、絶縁樹脂４のクラックやハンダの飛散を抑制できる。

なお、インダクタンス成分又はキャパシタンス成分を有する回路部品２とシールド層５との距離ｔが２００μよりも大きい場合、回路部品２の特性変動は無視できる程度に小さくなるので、このような場合には、シールド層５に開口部Ｈを設ける必要はない。しかしながら、絶縁樹脂４から水分を抜くという観点から、開口部Ｈを設けるとともにその部分の絶縁樹脂４を、回路部品２とシールド層５との距離ｔが２００μｍ以下になるまで取り除くことが好ましい。

また、回路部品２が複数基板３に実装されている場合、基板３からの高さが最も大きい回路部品２がインダクタンス成分又はキャパシタンス成分を有するものである場合に、そのような回路部品２と対向する部分のシールド層５に開口部Ｈを設ける。開口部Ｈによって、インダクタンス成分又はキャパシタンス成分を有する回路部品２の特性変動が抑制できるので、インダクタンス成分又はキャパシタンス成分を有する、基板３からの高さが最も大きい回路部品２を覆う絶縁樹脂４の開口部Ｈにおける厚さを小さくすることができる。その結果、回路モジュール１の高さ（基板３の板面と垂直方向の寸法）を抑制することができるとともに、開口部Ｈにおいて回路部品２を覆う絶縁樹脂４の厚さを２００μｍ以下にして、絶縁樹脂４から水分を抜けやすくすることができる。

図５に示すように、開口部Ｈを回路部品２の開口部Ｈと対向する面（開口部対向面）２Ｐに投影した場合、開口部Ｈと開口部対向面２Ｐとは同一形状かつ同一寸法であることが好ましい。開口部Ｈが開口部対向面２Ｐよりも小さいと、回路部品２の特性変動を十分に抑制できないおそれがあり、開口部Ｈが開口部対向面２Ｐよりも大幅に大きいと、シールド層５による電磁気シールドの効果が低減するからである。実際には、開口部Ｈを開口部対向面２Ｐの位置に形成する際の製造誤差があるため、これを許容する必要がある。したがって、電磁気シールド効果の低減が許容できる範囲で、開口部対向面２Ｐよりも開口部Ｈの寸法を大きくすることが好ましい。

図１、図２に示すように、回路モジュール１は、絶縁樹脂４の表面、かつシールド層５の縁部５Ｅの位置に、絶縁樹脂４の表面から突出する隆起部６を有する。そして、回路モジュール１は、複数の導電材料の層で構成されるシールド層５の縁部５Ｅのうち、最も外側に配置される導電材料の層の縁部が、隆起部６に接している。このような構成により、回路モジュール１は、シールド層５の縁部５Ｅ側において、シールド層５と絶縁樹脂４との隙間に浸入する水分を低減する。次に、シールド層５の構造、及びその縁部５Ｅと隆起部６とが接する構造を説明する。

図６は、図１のＡで示す部分の拡大断面図である。図７は、隆起部を説明するための断面図である。導電層５Ｄは、第１導電層５Ａと、第１導電層５Ａの表面を被覆する第２導電層５Ｂとで構成される。また、防錆層５Ｃは、第２導電層５Ｂの表面を被覆して、その縁部５ＣＥが隆起部６に接する。導電層５Ｄ、すなわち、第１導電層５Ａ及び第２導電層５Ｂは導電材料の層であり、本実施形態ではいずれもＣｕで構成される。また防錆層５Ｃは、導電材料の層であり、本実施形態ではＮｉで構成される。

本実施形態において、シールド層５は電磁気シールドとして絶縁樹脂４を被覆するので、できる限り電気抵抗を低くすることが好ましい。また、回路モジュール１は、高さをできる限り小さくすることが求められているので、シールド層５の厚さは小さいことが好ましい。このため、導電層５Ｄに電気抵抗率の低いＣｕを用いて、導電層５Ｄの抵抗を低く維持するとともに、導電層５Ｄの厚さを小さくする。一方、Ｃｕは耐食性に欠けるので、導電層５Ｄの表面、より具体的には第２導電層５Ｂの表面を防錆層５Ｃで被覆する。本実施形態では、防錆層５Ｃとして耐食性の高いＮｉを用いる。なお、導電層５Ｄを構成する導電材料はＣｕに限定されるものではなく、また、防錆層５Ｃを構成する導電材料はＮｉに限定されるものではないが、Ｃｕは電気抵抗率が低く、かつ比較的低コストであり、また、Ｎｉは耐食性に優れ、かつ比較的低コストである点で好ましい。

図６に示すように、防錆層５Ｃの縁部５ＣＥは、隆起部６に接している。このような構造によって、導電層５Ｄ（より具体的には第２導電層５Ｂ）が防錆層５Ｃと隆起部６とによって包み込まれるので、耐食性の低いＣｕで形成された導電層５Ｄが防錆層５Ｃで確実に保護され、導電層５Ｄと水分との接触を回避できる。また、緻密な絶縁樹脂４の一部である隆起部６が防錆層５Ｃの縁部５ＣＥと接触することで、導電層５Ｄへの水分の浸入経路が塞がれる。これらの作用により、絶縁樹脂４の表面を被覆するシールド層５の縁部５Ｅから水分が浸入することが抑制される。その結果、導電層５Ｄ（より具体的には第１導電層５Ａ）と絶縁樹脂４との間に水分が浸入して導電層５Ｄが腐食することを回避できるので、導電層５Ｄが絶縁樹脂４の表面から剥離するおそれは極めて少なくなる。これによって、回路モジュール１の耐久性及び信頼性が向上する。

隆起部６の高さ（絶縁樹脂４の表面からの突出量）は、第１導電層５Ａの厚さよりも大きくすることが好ましい。これによって、第１導電層５Ａの縁部を確実に隆起部６の位置に配置できるので、第１導電層５Ａの表面に、例えば、電解めっきを用いて第２導電層５Ｂ及び防錆層５Ｃを形成する場合、確実に隆起部６の位置に両者を形成できる。その結果、防錆層５Ｃの縁部５ＣＥと隆起部６とを確実に接触させて、第１導電層５Ａと絶縁樹脂４との間への水分の浸入を抑制できる。ここで、本実施形態において、図６に示す第１導電層５Ａの厚さｔ１は０．５μｍ〜１μｍ、第２導電層５Ｂの厚さｔ２は１０μｍ程度、防錆層５Ｃの厚さｔ３は２μｍ〜３μｍである。

図７に示すように、隆起部６は、シールド層５の縁部５Ｅから絶縁樹脂４の表面に沿って遠ざかるにしたがって、シールド層５の表面、すなわち防錆層５Ｃの表面に向かって隆起する傾斜部６Ｓを有する。傾斜部６Ｓの傾斜面と絶縁樹脂４の表面とのなす角度をαとすると、防錆層５Ｃと傾斜部６Ｓとの接触長さＬ１は、Ｔ１／ｃｏｓαとなる。ここで、Ｔ１は、傾斜部６Ｓが存在しない状態で防錆層５Ｃが絶縁樹脂４の表面と接触した場合の接触長さである。ｃｏｓα＜１なので、Ｌ１＞Ｔ１となる。このように、隆起部６に傾斜部６Ｓを設けて防錆層５Ｃと接触させることにより、傾斜部６Ｓが存在しない状態で防錆層５Ｃと絶縁樹脂４との表面が接触する場合と比較して、防錆層５Ｃと絶縁樹脂４との接触長さを大きくできる。その結果、導電層５Ｄへの水分の浸入経路をより長くできるので、導電層５Ｄへの水分の浸入をより効果的に抑制できる。

第１導電層５Ａは、絶縁樹脂４の表面を被覆するので、第１導電層５Ａと絶縁樹脂４との間に水分が浸入し、第１導電層５Ａが腐食すると、シールド層５全体が絶縁樹脂４から剥離するおそれがある。したがって、シールド層５全体が絶縁樹脂４から剥離するおそれを低減するためには、第１導電層５Ａと絶縁樹脂４との間に水分が浸入することを回避することがより重要である。図６に示すように、本実施形態では、防錆層５Ｃに加え、第２導電層５Ｂも隆起部６の傾斜部６Ｓに接するので、防錆層５Ｃの表面から第１導電層５Ａまでの距離を長くできる。これによって、第１導電層５Ａまでの水分の浸入経路をより長くできるので、第１導電層５Ａと絶縁樹脂４との間に水分が浸入して第１導電層５Ａが腐食し、シールド層５全体が絶縁樹脂４から剥離するおそれを極めて低減できる。その結果、回路モジュール１の耐久性及び信頼性がさらに向上する。

また、本実施形態では、傾斜部６Ｓに第２導電層５Ｂが接しているので、第２導電層５Ｂと傾斜部６Ｓとの接触長さＬ２は、Ｔ２／ｃｏｓαとなる。ここで、Ｔ２は、傾斜部６Ｓが存在しない状態で第２導電層５Ｂが絶縁樹脂４の表面と接触した場合の接触長さである。ｃｏｓα＜１なので、Ｌ２＞Ｔ２となる。このように、防錆層５Ｃを傾斜部６Ｓに接触させることにより、傾斜部６Ｓが存在しない状態で防錆層５Ｃと絶縁樹脂４との表面が接触する場合と比較して、第２導電層５Ｂと絶縁樹脂４との接触長さを大きくできる。その結果、第１導電層５Ａまでの水分の浸入経路をより長くできるので、第１導電層５Ａへの水分の浸入をより効果的に抑制できる。

防錆層５Ｃ及び第２導電層５Ｂは、傾斜部６Ｓ、すなわち、シールド層５の縁部５Ｅから絶縁樹脂４の表面に沿って遠ざかるにしたがって、隆起部６の高さが大きくなる部分に接する。シールド層５の縁部５Ｅから絶縁樹脂４の表面に沿って遠ざかるにしたがって隆起部６の高さが小さくなる部分に、防錆層５Ｃ及び第２導電層５Ｂが接するようにすると、シールド層５は隆起部６の頂部を跨ぐことになる。すると、隆起部６の高さの分だけ回路モジュール１の高さが増加する。また、隆起部６の頂部にシールド層５が形成されていると、回路モジュール１を取り扱う際に前記頂部のシールド層５が擦れやすくなり、その結果、シールド層５が剥離するおそれがある。したがって、防錆層５Ｃ及び第２導電層５Ｂは、シールド層５の縁部５Ｅから絶縁樹脂４の表面に沿って遠ざかるにしたがって、隆起部６の高さが大きくなる部分である傾斜部６Ｓに接するようにすることが好ましい。

隆起部６の防錆層５Ｃが接する部分の表面は、できる限り滑らか、すなわち表面粗さを小さくすることが好ましい。これによって、防錆層５Ｃと隆起部６との密着性が向上するので、導電層５Ｄへの水分の浸入をより効果的に抑制できる。同様に、隆起部６の第２導電層５Ｂが接する部分は、できる限り滑らかに形成することが好ましい。これによって、第２導電層５Ｂと隆起部６との密着性が向上するので、第１導電層５Ａへの水分の浸入をより効果的に抑制できる。一方、絶縁樹脂４は、第１導電層５Ａが被覆する部分は粗く、すなわち、表面粗さを大きくすることが好ましい。このようにすれば、第１導電層５Ａと絶縁樹脂４との接触面積が増加する結果、両者の密着強度が向上するので、シールド層５の剥離が抑制される。

図８は、防錆層がその下部に配置される導電材料の層の縁部を覆わない例を示す断面図である。図８に示すシールド層１０５は、絶縁樹脂１０４の表面を被覆する第１導電層１０５Ａと、第１導電層１０５Ａを被覆する第２導電層１０５Ｂと、第２導電層１０５Ｂの表面を被覆する防錆層１０５Ｃとで構成され、防錆層１０５Ｃは、第２導電層１０５Ｂの縁部１０５ＢＥを覆っていない。このような構成の場合、第１導電層１０５Ａと絶縁樹脂１０４の表面との間や、第１導電層１０５Ａと第２導電層１０５Ｂとの間から水分が浸入して第１導電層１０５Ａや第２導電層１０５Ｂを腐食させるおそれがある。その結果、第１導電層１０５Ａが絶縁樹脂１０４から剥離したり、第１導電層１０５Ａと第２導電層１０５Ｂとが剥離したりするおそれがある。

しかし、上述したように、本実施形態では、複数の導電材料の層で構成されるシールド層５の縁部５Ｅのうち、最も外側に配置される導電材料の層の縁部、すなわち、防錆層５Ｃの縁部５ＣＥが隆起部６に接している。これによって、シールド層５を構成する導電層５Ｄが防錆層５Ｃと隆起部６とによって包み込まれ、かつ防錆層５Ｃの縁部５ＣＥと隆起部６との接触する部分によって導電層５Ｄへの水分の浸入経路が塞がれるので、絶縁樹脂４の表面を被覆するシールド層５の縁部５Ｅから水分が浸入することが抑制される。その結果、導電層５Ｄを構成する第１導電層５Ａと絶縁樹脂４との間や、第１導電層５Ａと第２導電層５Ｂとの間に水分が浸入してこれらが腐食することを回避できるので、第１導電層５Ａが絶縁樹脂４から剥離したり、第１導電層５Ａと第２導電層５Ｂとが剥離したりするおそれはほとんどない。これによって、本実施形態の構成によれば、回路モジュール１の耐久性及び信頼性を上させることができる。

上記例は、シールド層５が複数の導電材料の層で構成されている場合である。しかし、シールド層５が単一の導電材料の層で構成されている場合でも、シールド層５が隆起部６と接触している部分によって、シールド層５と絶縁樹脂４との間への水分の浸入経路が塞がれ、かつ、前記経路が長くなる。これによって、このようなシールド層５であっても、シールド層５と絶縁樹脂４との間へ水分が浸入することを抑制できる。次に、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法を説明する。次においては、回路モジュール１のシールド層５が、第１導電層５Ａと第２導電層５Ｂと防錆層５Ｃとで構成される例を説明する。

（第１例）
図９は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第１例を示すフローチャートである。図１０−１〜図１０−６は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第１例を説明するための概念図である。本実施形態に係る回路モジュールの製造方法を用いて、例えば、図１、図２に示す回路モジュール１を製造するにあたり、ステップＳＴ１０１において、まず、図１０−１に示すように、基板３に回路部品２（コンデンサ２Ｃやコイル２Ｆや抵抗２Ｒ等）を実装する。これは、例えば、回路部品実装装置が回路部品２を基板３上に載置し、その後、回路部品２が載置された基板３をリフロー炉内で加熱する。これにより、回路部品２の端子と基板３の端子との間のハンダペーストを溶解させて、両者を接合する。

次に、ステップＳＴ１０２へ進み、樹脂充填装置を用いて図１０−２に示すように、絶縁樹脂４で基板３に実装された回路部品２を覆う。そして、ステップＳＴ１０３へ進み、図１０−３に示すように絶縁樹脂４の表面に第１導電層５Ａを形成する。本実施形態において、第１導電層５ＡはＣｕであり、無電解めっきによって形成される。なお、第１導電層５Ａを形成する手法は無電解めっきに限定されるものではなく、例えば、スパッタリング、電子ビーム蒸着、分子線エピタキシー法、イオンビームデポジション等のＰＶＤ（Physical Vapor Deposition：物理気相成長）を用いてもよい。

第１導電層５Ａが形成されたら、ステップＳＴ１０４へ進み、図１０−４に示すように、絶縁樹脂４の表面に隆起部６及び開口部Ｈを形成する。例えば、第１導電層５Ａの表面の一部を加熱することにより、第１導電層５Ａの一部を開口部Ｈの輪郭形状に除去するとともに、絶縁樹脂４の表面から突出する隆起部６を絶縁樹脂４の表面に形成する。これによって、隆起部６は、開口部Ｈの輪郭形状に形成される。

本実施形態では、第１導電層５Ａの表面の一部を加熱する手段としてレーザーを用いる。そして、隆起部６を形成する部分にレーザーを照射し、第１導電層５Ａの一部を除去しながら、レーザーの熱によって絶縁樹脂４を隆起させる。このような手法によれば、第１導電層５Ａの一部を除去することにより、第１導電層５Ａの縁部５ＡＥが形成されるとともに、縁部５ＡＥの位置に隆起部６を形成できる。すなわち、第１導電層５Ａの縁部５ＡＥと隆起部６とを同時に形成できるので、効率的に回路モジュール１を製造できる。

レーザーにはＹＡＧレーザーや炭酸ガスレーザー等を用いることができる。レーザー光の波長が長いと、金属の第１導電層５Ａに覆われる絶縁樹脂４の熱負荷が大きくなり、絶縁樹脂４の変形が大きくなるおそれがある。ＹＡＧレーザーは、比較的波長が短いため（１．０６４μｍ）、絶縁樹脂４の熱負荷は過大にならない。その結果、ＹＡＧレーザーを用いると、金属（本実施形態ではＣｕ）のみを除去し、適切な高さの隆起部６を形成することができるという利点がある。また、ＹＡＧレーザーは、コンパクトで低コストであるという利点もある。なお、隆起部６を形成する手法はレーザーに限定されるものではない。

第１導電層５Ａの縁部５ＡＥで囲まれる部分が開口部Ｈとなるので、縁部５ＡＥで囲まれる部分に残存する第１導電層５Ａは、ブラストやエッチングによって除去される。これによって、絶縁樹脂４の表面、かつ第１導電層５Ａの縁部５ＡＥで囲まれる部分に開口部Ｈが形成される。開口部Ｈは、対向する位置に存在するコイル２Ｆとほぼ同一の寸法、形状で形成されることが好ましい。図１０−４に示すように、第１例では、第２導電層５Ｂ及び防錆層５Ｃを形成したときに開口部Ｈがやや小さくなることを見込んで、第１例に係る回路モジュールの製造方法では、コイル２Ｆの外縁部２ＦＥよりも第１導電層５Ａの縁部５ＡＥの方をやや外側に形成する。

隆起部６及び開口部Ｈが形成されたら、ステップＳＴ１０５へ進み、図１０−５に示すように、第１導電層５Ａの表面に第２導電層５Ｂを形成する。第１例において、第２導電層５ＢはＣｕであり、例えば、電解めっきによって形成する。その後、ステップＳＴ１０６へ進み、図１０−６に示すように、第２導電層５Ｂの表面に防錆層５Ｃを形成し、絶縁樹脂４の表面にシールド層５が形成される。第１例において、防錆層５ＣはＮｉであり、例えば、電解めっきによって形成される。電解めっきによれば、迅速に厚いめっき層を形成できるので好ましい。このように、第１例に係る回路モジュールの製造方法によって形成される第１金属層５Ａ及び第２金属層５Ｂ及び第３金属層５Ｂは、いずれもめっきやＰＶＤ等の金属膜を成膜する手法によって形成される金属膜である（以下の例でも同様）。

隆起部６に第２導電層５Ｂ及び防錆層５Ｃが接するので、防錆層５Ｃと隆起部６とが接する部分（シールド層境界）５ＣＢは、第１導電層５Ａの縁部５ＡＥよりも開口部Ｈ側に形成される。第１例では、上述したように、ステップＳＴ１０４において、第１導電層５Ａの縁部５ＡＥをコイル２Ｆの外縁部２ＦＥのやや外側に形成したので、シールド層境界５ＣＢは、コイル２Ｆの外縁部２ＦＥとほぼ同じ位置に形成される。これによって、シールド層５は、コイル２Ｆの特性変動を効果的に抑制しつつ、電磁気シールドの機能を発揮できる。

第１例では、隆起部６及び開口部Ｈを形成し、その後、第２導電層５Ｂを形成した後に防錆層５Ｃを形成する。これによって、防錆層５Ｃの縁部５ＣＥが隆起部６に接するとともに、防錆層５Ｃと隆起部６とで第２導電層５Ｂが包まれる。なお、隆起部６は、防錆層５Ｃを形成する前までに形成されていればよく、第２導電層５Ｂが形成された後に形成されてもよい。このような手順によって、図１、図２に示すような、シールド層５に開口部Ｈを有する回路モジュール１が製造される。

（第２例）
図１１は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第２例を示すフローチャートである。図１２−１〜図１２−５は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第２例を説明するための概念図である。第２例に係る回路モジュールの製造方法のステップＳＴ２０１、ステップＳＴ２０２は、第１例に係る回路モジュールの製造方法のステップＳＴ１０１、ステップＳＴ１０２と同様であるので、説明を省略する。

ステップＳＴ２０２が終了したら、ステップＳＴ２０３へ進む。ステップＳＴ２０３において、図１２−１に示すように絶縁樹脂４の表面に第１導電層５Ａを形成する。第１例と同様に、第２例においても第１導電層５ＡはＣｕであり、無電解めっきによって形成される。第１導電層５Ａが形成されたら、ステップＳＴ２０４へ進み、図１２−２に示すように、シールド層５を形成しない部分、すなわち、開口部Ｈとなる部分に存在する第１導電層５Ａを、例えば、ブラストやエッチング等によって除去する。開口部Ｈとなる部分と第１導電層５Ａとの境界が縁部５ＡＥとなる。上述したように、第２例に係る回路モジュールの製造方法でも、コイル２Ｆの外縁部２ＦＥよりも第１導電層５Ａの縁部５ＡＥの方をやや外側に形成する。これは、第２導電層５Ｂ及び防錆層５Ｃを形成したときに開口部Ｈがやや小さくなることを見込んでいるためである。

次に、ステップＳＴ２０５へ進み、図１２−３に示すように、絶縁樹脂４の表面に隆起部６を形成する。例えば、溶融した樹脂を第１導電層５Ａの縁部５ＡＥに沿って滴下して隆起部６を形成してもよいし、縁部５ＡＥに沿ってレーザーを照射し、その熱によって絶縁樹脂４を隆起させることによって隆起部６を形成してもよい。隆起部６が形成されたら、ステップＳＴ２０６へ進み、図１２−４に示すように、第１導電層５Ａの表面に第２導電層５Ｂを形成する。第１例と同様に、第２例においても第２導電層５ＢはＣｕであり、例えば、電解めっきによって形成される。

その後、ステップＳＴ２０７へ進み、図１２−５に示すように、第２導電層５Ｂの表面に防錆層５Ｃを形成し、絶縁樹脂４の表面にシールド層５が形成される。第２例においても、第１例と同様に防錆層５ＣはＮｉであり、例えば、電解めっきによって形成される。第２例では、隆起部６を形成した後に、第２導電層５Ｂを形成し、その後に第２導電層５Ｂの表面に防錆層５Ｃを形成する。これによって、防錆層５Ｃの縁部５ＣＥが隆起部６に接するとともに、防錆層５Ｃと隆起部６とで第２導電層５Ｂが包まれる。このような手順によって、図１、図２に示す回路モジュール１が製造される。

隆起部６に第２導電層５Ｂ及び防錆層５Ｃが接するので、シールド層境界５ＣＢは、第１導電層５Ａの縁部５ＡＥよりも開口部Ｈ側に形成される。ステップＳＴ２０３においては、第１導電層５Ａの縁部５ＡＥを、コイル２Ｆの外縁部２ＦＥのやや外側に形成した。これによって、シールド層境界５ＣＢは、コイル２Ｆの外縁部２ＦＥとほぼ同じ位置に形成される。その結果、シールド層５は、コイル２Ｆの特性変動を効果的に抑制しつつ、電磁気シールドの機能を発揮できる。

（第３例）
図１３は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第３例を示すフローチャートである。図１４−１〜図１４−５は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第３例を説明するための概念図である。第３例に係る回路モジュールの製造方法のステップＳＴ３０１、ステップＳＴ３０２は、第１例に係る回路モジュールの製造方法のステップＳＴ１０１、ステップＳＴ１０２と同様であるので、説明を省略する。

ステップＳＴ３０２が終了したら、ステップＳＴ３０３へ進む。ステップＳＴ３０３において、図１４−１に示すように、絶縁樹脂４の表面に隆起部６を形成する。例えば、溶融した樹脂を絶縁樹脂４の所定領域へ滴下して隆起部６を形成してもよいし、絶縁樹脂４の表面の所定領域にレーザーを照射し、その熱によって絶縁樹脂４を隆起させることによって隆起部６を形成してもよい。

隆起部６は、コイル２Ｆの外縁部２ＦＥに沿って、かつ外縁部２ＦＥと重なるように形成される。これは、第２導電層５Ｂ及び防錆層５Ｃは隆起部６に接するように形成されるので、シールド層５の境界とコイル２Ｆの外縁部２ＦＥとを合わせるようにするためである。隆起部６が形成されたら、ステップＳＴ３０４へ進み、図１４−２に示すように、例えば、レジスト７によって開口部形成部ＰＨを被覆する。開口部形成部ＰＨは、コイル２Ｆと対向する部分であり、この部分にはシールド層５を形成しない。

次に、ステップＳＴ３０５へ進み、図１４−３に示すように、絶縁樹脂４の表面に第１導電層５Ａを形成する。第１例と同様に、第３例においても第１導電層５ＡはＣｕであり、無電解めっきによって形成される。第１導電層５Ａが形成されたら、ステップＳＴ３０６へ進み、図１４−４に示すように、開口部形成部ＰＨを被覆していたレジスト７を除去した後、第１導電層５Ａの表面に第２導電層５Ｂを形成する。第１例と同様に、第３例においても第２導電層５ＢはＣｕであり、例えば、電解めっきによって形成される。

その後、ステップＳＴ３０７へ進み、図１４−５に示すように、第２導電層５Ｂの表面に防錆層５Ｃを形成し、絶縁樹脂４の表面にシールド層５が形成される。第３例においても、第１例と同様に防錆層５ＣはＮｉであり、例えば、電解めっきによって形成される。第３例では、隆起部６を形成した後に、第１導電層５Ａ及び第２導電層５Ｂを形成し、その後に第２導電層５Ｂの表面に防錆層５Ｃを形成する。これによって、防錆層５Ｃの縁部５ＣＥが隆起部６に接するとともに、防錆層５Ｃと隆起部６とで第２導電層５Ｂが包まれる。このような手順によって、図１、図２に示す回路モジュール１が製造される。

第２導電層５Ｂ及び防錆層５Ｃは隆起部６に接するので、防錆層５Ｃと隆起部６とが接する部分（シールド層境界）５ＣＢは、第１導電層５Ａの縁部５ＡＥよりも開口部Ｈ側に形成される。これによって、シールド層境界５ＣＢは、コイル２Ｆの外縁部２ＦＥとほぼ同じ位置に形成されるので、シールド層５は、コイル２Ｆの特性変動を効果的に抑制しつつ、電磁気シールドの機能を発揮できる。

本実施形態に係る回路モジュールの製造方法において、第１導電層５Ａを無電解めっきで形成し、第２導電層５Ｂを電解めっきで形成すると、第１導電層５Ａの組織の粒径は第２導電層５Ｂの組織の粒径よりも小さくなる。これによって、第１導電層５Ａの組織は緻密になるので、絶縁樹脂４と第１導電層５Ａとの密着性が強くなる。その結果、第１導電層５Ａの表面を第２導電層５Ｂで被覆し、さらに第２導電層５Ｂの表面を防錆層５Ｃで被覆して形成されるシールド層５は、絶縁樹脂４との密着強度が向上するので好ましい。

また、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法において、第１導電層５Ａを無電解めっきで形成することにより、比較的簡単な設備で絶縁樹脂４の表面に金属（具体的にはＣｕ）の第１導電層５Ａを形成できる。そして、第１導電層５Ａがある程度形成されたら、めっき層の形成速度が速い電解めっきで第２導電層５Ｂを形成する。このように、無電解めっきと電解めっきとを使い分けることによって、絶縁樹脂４の表面に、比較的早く金属のシールド層５を形成することができる。

上述した第１例〜第３例に係る回路モジュールの製造方法によって製造される回路モジュール１は、シールド層５を複数の導電材料の層で構成し、かつ絶縁樹脂４の表面に隆起部６を設けたものである。これに限定されず、回路モジュール１は、シールド層５を単一の導電材料の層で形成したり、導電材料の層に防錆層５Ｃを被覆して形成したり、隆起部６を設けないでシールド層５に開口部Ｈを設けたりしてもよい。例えば、隆起部６を設けない場合、上記第１例〜第３例において、隆起部６を形成する工程を省略すればよい。

（樹脂の水分の抜け性の評価例）
図１５は、樹脂の水分の抜け性の評価方法を示す模式図である。図１６は、透湿度と樹脂の厚さとの関係を示す評価結果である。本実施形態で用いた絶縁樹脂４の水分の抜け性を評価した。樹脂の水分の抜け性とは、単位時間、単位厚さ当たりにおいて樹脂を透過する水分の質量であり、透湿度と等価である。単位はｍｇ／ｍｍ・ｈである。

樹脂の水分の抜け性の評価方法を説明する。樹脂の水分の抜け性は、樹脂の透湿度で評価する。図４に示すように、絶縁樹脂４の試験片４Ｅを用意する。試験片４Ｅは、異なる厚さのものを複数用意する。試験片４Ｅを底付き容器（容量は５０ｃｍ^３、以下、保持容器という）１０の開口部に載置し、試験片４Ｅと保持容器１０との間に封止材１２（例えば、ワックス）を充填する。これによって、試験片４Ｅを保持容器１０に固定し、かつ両者の隙間を封止する。保持容器１０内には、吸湿剤（本例では塩化カルシウム１０ｇ）１１が保持されている。

試験片４Ｅが取り付けられ、かつ内部に吸湿剤１１を保持した保持容器１０（以下、評価サンプルという）を、温度４０℃、相対湿度９０％から９５％の環境の恒温恒湿槽内に配置する。すると、恒温恒湿槽内の水分が、試験片４Ｅを透過して保持容器１０内の吸湿剤１１に吸収されるので、吸湿剤１１の質量が増加する。その結果、評価サンプル全体の質量も増加する。評価においては、配置開始から所定の経過時間毎に評価サンプルの質量を計測し、その結果から、単位時間（この例では１時間）内に試験片４Ｅを透過した水分質量（単位時間当たりの水分質量という）を算出する。そして、その結果を単位厚さ（この例では１ｍｍ）当たりの値（単位厚さ・時間当たりの水分質量という）に規格化して透湿度を求め、試験片４Ｅの厚さ毎に透湿度を比較する。単位時間当たりの水分質量を、単位厚さ・時間当たりの水分質量に規格化するためには、単位時間当たりの水分質量×（試験片４Ｅの厚さ／単位厚さ）の関係式を用いる。結果は、図１６に示すようになった。

図１６の結果から、試験片４Ｅの厚さが小さくなるにしたがって、透湿度が大きくなり（水分が透過しやすくなる）、ある値を超えると、急激に透湿度が大きくなることが分かる。この結果から、同じ種類の樹脂であっても、水分透過量は単に樹脂の厚さを小さくした以上に大きくなることが分かる。例えば、樹脂の厚さが１．０ｍｍのときにおける１時間当たりの水分透過量は、透過率が約２．３ｍｇ／ｍｍ・ｈであるため、約２．３ｍｇとなる。また、樹脂の厚さが０．５ｍｍのときにおける１時間当たりの水分透過量は、透過率が約３．５ｍｇ／ｍｍ・ｈであるため、約７．０ｍｇとなる。このように、樹脂の厚さが１．０ｍｍから０．５ｍｍになると、水分透過量は３倍強になる。

図１６の結果から、絶縁樹脂４を用いた試験片４Ｅの厚さが０．２ｍｍ以下において、急激に透湿度が上昇することから、絶縁樹脂４は、樹脂の厚さが０．２ｍｍ、すなわち２００μｍ以下で、水分を逃がす効果が急激に増加するといえる。したがって、上述した回路モジュール１において、回路部品２と開口部Ｈに露出する絶縁樹脂４の表面との距離を２００μｍ以下とすることにより、絶縁樹脂４に浸入した水分を開口部Ｈから効果的に抜くことができる。

以上のように、本発明に係る回路モジュールは、回路部品を覆った絶縁樹脂の表面にシールド層が形成される回路モジュールにおいて、絶縁樹脂の水分を抜きつつ、回路部品の特性変動を抑制することに有用である。

１ 回路モジュール
２ 回路部品
２Ｃ コンデンサ
２Ｆ コイル
２ＦＥ 外縁部
２Ｐ 開口部対向面
２Ｒ 抵抗
３ 基板
４、１０４ 絶縁樹脂
４Ｅ 試験片
５、１０５ シールド層
５ＣＢ シールド層境界
５ＡＥ、５ＣＥ、５Ｅ、１０５ＢＥ 縁部
５Ａ、１０５Ａ 第１導電層
５Ｂ、１０５Ｂ 第２導電層
５Ｃ、１０５Ｃ 防錆層
５Ｄ 導電層
６ 隆起部
６Ｓ 傾斜部
７ レジスト
１０ 保持容器（底付き容器）
１１ 吸湿剤
１２ 封止材

Claims (6)

1. 回路部品が実装される基板と、
   前記回路部品を覆う絶縁樹脂と、
   当該絶縁樹脂の表面を被覆し、かつ、前記基板に実装される回路部品のうち、インダクタンス成分又はキャパシタンス成分を有する回路部品の反基板実装側における前記絶縁樹脂の厚さが２００μｍ以下の部分には、少なくとも前記絶縁樹脂が露出する開口部を有するシールド層と、
   を含み、
   前記絶縁樹脂の表面、かつ前記開口部と前記シールド層との境界部に形成される隆起部を有し、前記開口部と隣接する前記シールド層の縁部が、前記隆起部に接していることを特徴とする回路モジュール。
2. 前記シールド層は、複数の導電材料の層で構成されており、最も外側に配置される導電材料の層の縁部が、前記隆起部に接している請求項１に記載の回路モジュール。
3. 前記隆起部は、前記シールド層の縁部から前記絶縁樹脂の表面に沿って遠ざかるにしたがって、前記シールド層の表面に向かって隆起する傾斜部を有し、最も外側に配置される導電材料の層の縁部が前記傾斜部に接する請求項１又は２に記載の回路モジュール。
4. 前記シールド層は、前記絶縁樹脂の表面を被覆する導電層と、当該導電層を被覆する防錆層とで構成され、当該防錆層が最も外側に配置される導電材料の層である請求項２又は３に記載の回路モジュール。
5. 前記導電層は、前記絶縁樹脂の表面を被覆する第１導電層と、当該第１導電層の表面を被覆する第２導電層とで構成され、前記第１導電層の粒径は前記第２導電層の粒径よりも小さい請求項４に記載の回路モジュール。
6. 前記第２導電層は、前記シールド層の縁部から前記絶縁樹脂の表面に沿って遠ざかるにしたがって、前記シールド層の表面に向かって隆起する傾斜部に接している請求項５に記載の回路モジュール。
   

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