KR100882388B1

KR100882388B1 - 과립형 자기막을 포함하는 배선기판

Info

Publication number: KR100882388B1
Application number: KR1020010017971A
Authority: KR
Inventors: 요시오 아와쿠라; 신야 와타나베; 사토시 시라토리; 히로시 오노
Original assignee: 엔이씨 도낀 가부시끼가이샤
Priority date: 2000-04-04
Filing date: 2001-04-04
Publication date: 2009-02-05
Also published as: US6919772B2; US20010037897A1; US6956173B2; CN100336423C; US20040124005A1; NO20011707L; SG100666A1; EP1143774A3; EP1143774A2; EP1143774B1; DE60101756T2; US6653573B2; KR20010095320A; MY126823A; US20040124941A1; US6953899B1; TWI268125B; CN1321059A; DE60101756D1; NO20011707D0

Abstract

고속으로 동작하는 반도체 소자 및 전자회로 등에서 스퓨리어스 방사(spurious radiation)를 억압하는데 효과적인 자기 재료를 포함하는 배선 기판을 제공하기 위하여, 배선 기판(15)은 절연성 베이스 재료(17), 그위에 형성된 도체 패턴(19a 내지 19f), 및 도체 패턴위에 형성된 자기 박막(21a 내지 21f)을 포함한다. 자기 박막은 M-X-Y로 나타내는 자기 손실 재료로 구성되며, M은 Fe, Co 및 Ni 중 적어도 하나이고, X는 M이나 Y와는 다른 적어도 하나의 원소이며, Y는 F, N 및 O중 적어도 하나이며, 상기 자기 손실 재료의 복소 투자율(complex permeability) 특성의 허수 성분인 손실 팩터 μ"의 최대값 μ"max은 100MHz 내지 10 GHz 의 주파수 범위내에 존재하며, 상대 대역폭 bwr은 200%이하이거나 150%이상이고, 상기 상대 대역폭 bwr은, μ"값이 최대값 μ"max의 50%인 두 주파수 사이의 주파수 대역폭을 추출하고 그 중심 주파수에서 주파수 대역폭을 규격화(normalizing)함으로써 얻어진다.

Description

과립형 자기막을 포함하는 배선기판{WIRING BOARD COMPRISING GRANULAR MAGNETIC FILM}

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 가요성 배선기판의 단면도.

도 2a-2e는 도 1에 도시된 가요성 배선기판을 제조하기 위한 절차를 순서대로 나타낸 단면도.

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 다층 프린트 배선기판의 단면도.

도 4는 과립형 자기박막을 형성하기 위한 장치 구성의 개략도.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 샘플 1에서 μ"의 주파수 의존성의 예를 나타낸 그래프.

도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 다층 프린트 배선기판의 단면도.

도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 다층 프린트 배선기판의 단면도.

도 8은 과립형 자기 박막을 형성하기 위한 장치 구성의 개략도.

도 9는 본 발명의 실시예에 따른 샘플 2에서 μ"의 주파수 의존성의 예를 나타낸 그래프.

도 10은 비교 샘플 2에서 μ"의 주파수 의존성의 예를 나타낸 그래프.

도 11은 본 발명에 따른 자기 손실 재료를 포함하는 고주파 전류 억제체의 억제 효과를 관찰하기 위한 측정 시스템의 사시도.

도 12a는 본 발명의 실시예에 따른 샘플1의 전송 특성(S21)의 그래프.

도 12b는 비교 샘플1인 합성 자기 시트의 전송 특성(S21)의 그래프.

도 13은 본 발명의 실시예에 따른 자성체의 등가회로도.

도 14a는 본 발명의 실시예에 따른 샘플1의 전송 특성으로부터 계산된 R값의 그래프.

도 14b는 비교 샘플인 합성 자기 시트의 전송 특성으로부터 계산된 R값의 그래프.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *

51 : 상호접속판 53,55,57,59,61 : 배선기판

63 : 그라운드 패턴 65 : 과립형 자기 박막

67 : 도체 패턴

본 발명은 고주파수에서 우수한 자기 손실 특성을 나타내는 자성체를 포함하는 배선기판에 관한 것으로, 특히 우수한 복소 투자율 특성을 나타내며 고속으로 동작하는 능동 디바이스, 고주파 전자 부품 및 그것에 장착된 전자 기기에서 문제가 되는 스퓨리어스 방사 및 전자기 간섭을 억제하는데 효과적인 자기 손실 재료가 사용되는 고주파 전류 억제체나 다층 또는 단층 배선 기판을 포함하는 가요성 평탄 케이블과 가요성 배선기판과 같은 배선기판에 관한 것이다.

최근, 고속으로 동작하는 고집적 반도체 디바이스의 확산이 두드러졌다. 예로서, 랜덤 액세스 메모리(RAM), 판독 전용 메모리(ROM), 마이크로프로세서(MPU), 중앙 처리 장치(CPU), 이미지 처리 산술 논리 유니트(IPALU), 및 다른 논리 회로 디바이스를 포함한다. 이들 능동 디바이스에서, 계산 속도 및 신호 처리 속도가 놀라운 비율로 고속화되었으며, 고속 전자회로를 통해 전파된 전기신호는 전압, 전류의 급격한 변화 때문에 유도성의 고주파 잡음의 주 원인이 된다. 한편, 전자 부품이나 전자 기기의 경량화, 박형화, 소형화의 경향이 급속하게 증가하고 있는 추세이다. 그 경향과 관련하여, 반도체 소자의 집적도 및 프린트 배선 또는 회로 기판에서 구현되는 더 높은 전자부품의 실장 밀도가 두드러진다. 따라서, 아주 조밀하게 집적되거나 실장되는 전자소자나 신호 라인은 서로 아주 밀접하게 되며, 이제 신호 처리 속도의 고속화와 관련하여, 상술한 고주파 스퓨리어스 방사 잡음이 쉽게 유발된다.

이러한 최근 전자 집적 소자 및 배선기판에서 파워 공급 라인으로부터 능동 디바이스로 진행하는 스퓨리어스 방사에서 문제가 지적되었으며, 그것에 대하여 디커플링 콘덴서나 다른 집중 정수 부품을 파워 라인에 삽입하는 것과 같은 방법이 실시되었다.

그러나, 고속화된 전자 집적소자 및 배선기판에 있어서는, 발생하는 잡음이 고조파 성분을 포함하고 있기 때문에, 신호 경로가 분포정수적인 동작을 나타내며, 상황은 종래의 집중식 정수회로를 전제한 잡음에 대한 대책이 비효율적인 것으로 된다.

유사한 문제들이 전자 기기 내에서도 배선기판 사이의 접속, 및 전자 부품에 탑재된 가요성 배선기판 또는 프린트 회로기판(FPC)이나 가요성 평탄 케이블(FFC)(둘 다 일반적인 용어인 가요성 배선 또는 프린트 회로기판(FPC)라 함)에 관하여도 발생되었다.

본 발명의 목적은 상기한 바와 같이 고속으로 동작하는 전자회로 및 반도체 소자로부터 스퓨리어스 방사를 카운터하는데 효율적인 자기 재료를 포함하는 가요성 배선기판을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은, 스퓨리어스 방사에 대한 효과적인 수단이 작은 부피의 자성체로 실시가능한, 큰 자기 손실 팩터 μ"를 나타내는 자기 손실 재료를 포함하는 가요성 배선기판을 제공하는 것이며,

본 발명의 일 특징에 따르면, 절연 베이스 재료, 그것에 형성된 도체 패턴, 및 도체 패턴상에 형성된 자기 박막을 포함하는 배선기판이 제공된다.

본 발명의 특징에 있어서, 자기 박막은 M-X-Y로 나타낸 조성을 가지는 자기 손실 재료로 이루어지며(여기서 M은 Fe, Co, 및 Ni중 적어도 하나이고 X는 M 또는 Y와는 다른 적어도 하나의 원소이며 Y는 F, N 및 O중 적어도 하나이며), 자기 손실 재료는 자기 손실 재료의 복소 투자율 특성의 허수 성분인 손실 팩터 μ"의 최대값 μ"max가 100 MHz 내지 10 GHz 범위의 주파수 내에 존재하는 협대역 자기 손실 재료이며, 및 상대 대역폭 bwr은 200%이하이고, 상기 상대 대역폭 bwr은 μ"값이 최대값 μ"max의 50%인 두 주파수 사이의 주파수 대역폭을 추출하고 그 중심 주파수에서 주파수 대역폭을 규격화(normalizing)함으로써 얻어지는 것이 바람직하다.

본 발명의 특징에 있어서, 자기 박막은 M-X-Y로 나타낸 조성을 가지는 자기 손실 재료로 이루어지며(여기서 M은 Fe, Co, 및 Ni중 적어도 하나이고 X는 M 또는 Y와는 다른 적어도 하나의 원소이며 Y는 F, N 및 O중 적어도 하나이며), 자기 손실 재료는 자기 손실 재료의 복소 투자율 특성의 허수 성분인 손실 팩터 μ"의 최대값 μ"max가 100 MHz 내지 10 GHz 범위의 주파수 내에 존재하는 광대역 자기 손실 재료이며, 및 상대 대역폭 bwr은 150%이상이고, 상기 상대 대역폭 bwr은 μ"값이 최대값 μ"max의 50%인 두 주파수 사이의 주파수 대역폭을 추출하고 그 중심 주파수에서 주파수 대역폭을 규격화함으로써 얻어지는 것이 바람직하다.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 도체부를 포함하는 적어도 한 층의 기판, 및 도체부나 기판의 적어도 일부상에 배치된 자기 박막을 포함하는 배선기판이 제공되어 있다.

자기 박막은 M-X-Y로 나타낸 조성을 가지는 자기 손실 재료로 이루어지며(여기서 M은 Fe, Co, 및 Ni중 적어도 하나이고 Y는 F, N 및 O중 적어도 하나이며 X는 M 또는 Y와는 다른 적어도 하나의 원소이며), 자기 손실 재료는 자기 손실 재료의 복소 투자율 특성의 허수 성분인 손실 팩터 μ"의 최대값 μ"max가 100 MHz 내지 10 GHz 범위의 주파수 내에 존재하는 협대역 자기 손실 재료이며, 및 상대 대역폭 bwr은 200%이하이고, 상기 상대 대역폭 bwr은 μ"값이 최대값 μ"max의 50%인 두 주파수 사이의 주파수 대역폭을 추출하고 그 중심 주파수에서 주파수 대역폭을 규격화함으로써 얻어지는 것이 바람직하다.

본 발명의 히스토리에 대하여 본 발명의 실시예를 기술하기에 앞서 특별히 설명하기로 한다.

고주파수에서 큰 자기 손실을 나타내는 합성(composite) 자성체를 이전에 발명한 본 발명자는, 스퓨리어스 방사 소스의 근방에 합성 자성체를 배치함으로써 반도체 소자 및 전자회로 등으로부터 스퓨리어스 방사의 발생이 효율적으로 억제되는 방법을 발견하였다. 이러한 자기 손실을 이용하는 스퓨리어스 방사 감쇠의 능동 메카니즘에 대한 최근의 연구조사는 스퓨리어스 방사의 소스를 구성하는 전자회로에 등가 저항 성분의 부여(impartation)를 기초로 하는 것이 알려졌다. 여기에서, 등가 저항 성분의 사이즈는 자성체의 자기 손실 팩터 μ"의 사이즈에 의존한다. 특히, 전자회로에 등가적으로 삽입되는 저항 성분의 사이즈는 자성체의 영역이 일정할 때 자성체의 두께 및 μ"에 대략 비례한다. 따라서, 자성체가 작거나 얇아짐에 따라 자성체에 원하는 스퓨리어스 방사 감쇠를 얻기 위하여 보다 큰 μ"가 필요하게 된다.

예를 들면, 반도체 소자 몰드의 내부에서와 같은 아주 작은 영역(miniscule region)에 자기 손실체를 이용하여 스퓨리어스 방사에 대한 대책을 수행하기 위하여, 자기 손실 팩터 μ"에 대한 아주 큰 값이 필요하게 되며, 종래의 자기 손실 재료보다 상당히 큰 μ"를 가지는 자성체가 요구되었다.

발명자들은 스퍼터링 또는 진공증착 방법을 이용하여 연성 자기 재료에 대한 연구 과정에서, 아주 미세한 자기 금속 입자가 세라믹과 같은 비자성체에 균일하게 확산되는 과립형 자성체의 현저한 투자율을 알게 되었고, 자기 금속 입자 및 그것들을 에워싸는 비자성체의 마이크로구조에 대한 연구를 하였다. 그 결과, 발명자들은 과립형 자성체에서 자기 금속 입자의 농도가 어떤 범위내에 있을 때 현저한 자기 손실 특성이 고주파 영역에서 얻어진다는 것을 발견하였다.

이제, 많은 연구들이 행해져서 M-X-Y 조성(여기서 M은 자성 금속 원소이며, Y는 O, N 또는 F이며 X는 M 또는 Y와는 다른 적어도 하나의 원소이며)을 가지는 과립형 자성체에 대해 연구하기 시작하였으며, 이들이 저손실이며 큰 포화 자화를 나타내는 것이 알려져 있다. 이들 M-X-Y 과립형 자성체에서, 포화 자화의 크기는 M 성분에 의해 차지하는 체적비에 의존한다. 그러므로, M 성분의 비율은 큰 포화 자화를 얻기 위하여 높게 되어야 한다. 이 때문에, 고주파 유도 장치나 트랜스포머 등에서 자석 코어로서 사용되는 것과 같은 통상의 적용을 위해 M-X-Y 과립형 자성체에서 M성분의 비율은 일정 범위로 한정되었으며, 그것에 의해 약 80% 이상의 포화 자화는 M 성분으로만 이루어진 벌크 금속 자성체의 포화 자화에 대해 구현될 수 있다.

발명자들은 넓은 범위에 걸쳐 M-X-Y 조성(여기서 M은 자성 금속 원소이며, Y는 O, N 또는 F이며 X는 M 또는 Y와는 다른 적어도 하나의 원소이며)을 가지는 과립형 자성체에서 M 성분의 비율을 연구하였으며, 그 결과, 모든 조성물 시스템에서, 자기 금속 M이 특정 농도 범위내에 존재할 경우 고주파 영역에 큰 자기 손실이 나타난다는 것을 발견하였다.

더욱이, M 성분이, M 성분만으로 이루어진 벌크 금속 자성체의 포화 자화에 비해 80% 이상 더 큰 포화 자화를 나타내는 가장 높은 영역은 한동안 널리 조사된 높은 포화 자화에서 낮은 손실을 갖는 M-X-Y 과립형 자성체 영역이다. 이 영역에서의 재료들은, 실수부(real-part) 투자율(μ') 및 포화 자화의 값이 둘 다 크지만, 전기 저항에 영향을 미치는 X-Y 성분에 의해 차지하는 비율은 작으며 그로인해 전기 저항률이 작게 되기 때문에, 상기한 고주파 인덕터와 같은 고주파 마이크로자기 디바이스(micromagnetic devices)에 사용된다. 그 때문에, 막 두께가 얇게 되면, 고주파에서의 투자율은 고주파 영역에서 와전류 손실의 전개와 관련하여 저하되며, 그런 이유로 이들 재료는 잡음을 억제하는데 사용되는 것과 같은 비교적 두꺼운 자기 막에 사용하기에 부적합하다. M 성분만으로 이루어진 벌크 금속 자성체의 포화 자화의 60% 이상 80% 이하의 포화 자화를 나타내는 M 성분비에 대한 영역에서, 전기 저항률은 대략 100 μΩ·cm 이상으로 비교적 크다. 그러므로, 재료의 두께가 수 ㎛ 정도라 할지라도, 와전류에 기인한 손실은 작으며, 거의 모든 자기 손실은 자연 공진에 기인할 것이다. 그 때문에, 자기 손실 팩터 μ"에 대한 주파수 분산 폭은 좁게 될 것이며, 따라서 이러한 재료들은 협대역 주파수 범위에서 잡음 방지 대책으로 적합하다. 여기에서, M 성분 만으로 이루어진 벌크 금속 자성체의 포화 자화의 35% 이상 60% 이하인 포화 자화를 나타내는 M 성분비에 대한 영역에서, 전기 저항률이 대략 500 마이크로오옴(μΩ)-cm 이상으로 더 크며, 그러므로 와전류에 기인한 손실은 아주 작게 되고, M 성분 사이의 자기 상호작용이 작게 되기 때문에, 스핀 열적 요란(spin thermal disturbance)이 크게 되고, 자연 공진이 발생하는 주파수에서의 진동(quivering)이 전개되게 된다. 그 결과, 자기 손실 팩터 μ"는 넓은 범위에 걸쳐 큰 값을 나타내게 될 것이다. 따라서, 이 조성 영역은 광대역 고주파 전류 억제에 적합하다.

한편, M 성분비가 본 발명의 영역에서보다 더 작은 영역에서, M 성분 사이의 자기 상호작용이 거의 나타나지 않기 때문에 통상적이 아닌 자기가 발생한다. 자기 손실 재료가 전자 회로에 직접 인접하여 배치되어 고주파 전류가 억제될 때, 재료 설계 표준은 자기 손실 팩터 μ" 와 자기 손실 재료의 두께 δ 의 곱, 즉 μ"·δ으로 주어지며, 수백 MHz의 주파수에서 고주파 전류를 효과적으로 억제하기 위하여, 대략 μ"·δ≥1000(㎛)가 요구될 것이다. 따라서, μ" = 1000을 나타내는 자기 손실 재료에 있어서, 두께 1㎛ 이상이 필요로 되며, 거기에 와전류 손실에 영향받기 쉬운 낮은 전기 저항의 물질은 적당하지 않지만, 적합한 것은 전기 저항률이 100 마이크로오옴·cm 이상으로 되는 조성, 즉 본 발명의 조성 시스템에서 M 성분 비율은 포화 자화가 M 성분만으로 이루어지는 벌크 금속 자성체의 포화보다 80% 이하인 것을 나타내며, 통상적이지 않은 자성이 명백하지 않은 영역, 즉 M 성분만으로 이루어지는 벌크 금속 자성체의 포화 자화에 비하여 35% 이상인 포화 자화를 나타내는 영역에 있는 것이다. 본 발명자들은, 이러한 자성 재료를 가요성 배선 또는 프린트 회로기판에 적용함으로써, 본 발명에 도달하게 되었다. 본원 발명의 실시예에 대하여 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 도 1을 참조하여, 이하에서는 가요성 배선 기판으로 언급될 가요성 배선 또는 프린트 회로기판(15)은 폴리이미드 등과, 베이스 재료(17)의 일 표면상에 형성된 도전체 패턴(19a, 19b, 19c, 19d, 19e 및 19f)으로 구성된 가요성 베이스 재료를 가진다. 과립형 자기 박막(21a, 21b, 21c, 21d, 21e 및 21f)은 도전체 패턴(19a, 19b, 19c, 19d, 19e 및 19f)의 상부 표면상에 형성되어, 그들 도전체 패턴의 각각과 일치하게 된다. 도 2a를 참조하여, 동박(copper foil)(19)은 롤링에 의해 형성되어 가요성 베이스 물질(17)의 하나의 전체 표면에 걸쳐 도포된다. 다른 도전체 금속박이 이 동박(19)대신에 사용되거나, 그 상단에 비전해질 도금 및 전기도금으로 만들어진 포일일 수 있다. 도 2b를 참조하여, 과립형 박막(21)이 동박(19)의 전체 표면을 덮도록 기상 증착으로 형성된다. 다음으로, 도 2c를 참조하여, UV 경화 수지를 포함하는 레지스트 재료가 과립형 자기 박막(21) 상에 도포되어, 소망하는 패턴으로 감광 노광된다. 이들 노광된 부분 이외의 부분은 용제로 제거된다. 필요에 의해, 열처리가 또한 수행될 수 있으며, 레지스트 패턴(23a, 23b, 23c, 23d, 23e 및 23f)이 경화된다. 도 2d에 나타낸 바와 같이, 레지스트 패턴(23a, 23b, 23c, 23d, 23e 및 23f)이 상부 표면에 형성되지 않은 부분에 대응하는 과립형 자기 박막(21) 및 동박(19)이, 통상의 구리 에칭에서 사용된 염화철(iron chloride)(III) 또는 염화 제2철(ferric chloride)의 용액에 레지스트가 전개된 기판을 담그거나, 또는 유사하게 레지스트 패턴(23a, 23b, 23c, 23d, 23e 및 23f)이 존재하는 측으로부터 통상적인 구리 에칭에 사용된 염화철(III) 용액을 분무함으로써 동시에 제거된다. 도전체 패턴(19a, 19b, 19c, 19d, 19e 및 19f)은 각각이 도 2e에 도시된 과립형 자기 박막(21a, 21b, 21c, 21d, 21e 및 21f)에 의해 덮여 형성된다. 이러한 상태에서, 레지스트(23a, 23b, 23c, 23d, 23e 및 23f)가 제거되면, 도 1에 도시된 바와 같은 가요성 배선 기판(15)이 완성된다. 도 3을 참조하여, 본 발명의 제2 실시예에 따르는 가요성 배선 기판(25)은 동 또는 다른 도전성 금속의 도전체 패턴(27a, 27b, 27c, 27d 및 27e)이 폴리머 등의 가요성 베이스 재료(17) 상에 전개된 종래의 가요성 배선 기판과 유사하다.

그러나, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 가요성 배선기판(25)에서, 절연층(25)이 전개되며 이 절연층은, 도체 패턴(27a, 27b, 27c, 27d 및 27e)을 포함하여, 도체 패턴(27a, 27b, 27c, 27d 및 27e)이 전개되는 측상의 전체 표면을 덮기 위하여 합성 수지등으로 이루어지며, 절연층(25)의 표면상에는 그 전체를 가로질러 진공 증착에 의해 과립형 자기 박막(31)이 형성되어 있다. 필요하다면, 이러한 것은 일부분에만 형성될 수 있다.

이들과 같은 구성을 가지는 제1 및 제2 실시예에 따른 가요성 배선기판(15,25)에서, 과립형 자기 박막(1)은 도체 패턴으로부터 스퓨어리스 방사된 전자기파를 흡수하여 열로 전환하여, 이들 가요성 배선기판(15 및 25)으로부터 외부로 고주파 잡음의 방사가 억제될 수 있다.

폴리이미드와는 다른 수지등이 절연성 및 가요성을 나타내는 합성 수지인 한 배선기판의 베이스 재료에 대해 사용될 수 있다.

다음, 도 4를 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 과립형 자기박막(자성체 M-X-Y)의 특정 예가 기술된다.

도 4를 참조하면, 과립형 자기 박막 제조장치(33)는 진공 챔버(35)를 포함한다. 진공 챔버(35)는 공기를 배출하기 위한 진공 펌프(37) 및 가스 공급 유닛(39)을 포함한다. 진공 챔버(35) 내부에는 도가니(41) 및 도가니 위에 있는 보드(43)가 포함되어 있다. 셔터(45)는 도가니(41) 및 보드(43) 사이에 배치되어 있다.

다음, 도 4에 도시된 과립형 자기박막 기상 증착 장치를 이용하여 과립형 자기박막을 제조하는 예가 기술된다.

(샘플 1)

과립형 자기 박막은 도 4에 도시된 과립형 자기박막 기상 증착 장치(33)를 이용하여, 아래의 표 1에 도시된 조건하에서, 기상 증착에 의해, 유리 보드(43)로 이루어진 베이스 재료상에 제조되었으며, 열처리가 샘플 1을 생성하기 위하여 진공 자계에서 2시간동안 300℃에서 수행되었다.

이렇게 얻어진 샘플 1이 형광 투시(fluoroscopic) x-레이 분석을 받았을 때, 막의 조성물은 Fe₇₂Al₁₁O₁₇로 판명되었다.

샘플 1에서의 막 두께는 2.0㎛였으며, DC 저항률은 530 마이크로오옴-cm이고, 이방성 자계는 Hk 180e(1422A/m)이며, Ms는 16800 가우스(1.68T)이고, 상대 대역폭 bwr은 148%이고, 상대 대역폭은 μ"값이 최대값 μ"max의 50%인 두 주파수 사이의 주파수 대역폭을 추출하고 그 중심 주파수에서 주파수 대역폭을 규격화함으로써 얻어진다. 샘플1의 포화 자화와 M 성분만으로 이루어진 금속 자성체의 포화 자화 사이의 비율 값은 72.2%였다.

표 1

증착 전의 진공도	< 1×10^-6 토르(=1.33×10^-4 Pa)
증착시의 산소 흐름속도	3.0 sccm
재료	Fe₇₀Al₃₀ 합금

얻어진 샘플 1의 자기 손실 특성을 검증하기 위하여, μ- f 특성이 조사되었다. μ- f 특성의 측정은 장방형으로 이루어진 검출 코일내에 샘플을 삽입함으로써 행해졌으며, 임피던스의 측정은 바이어스 자계를 인가하면서 행해졌다. 그러므로 자기 손실 팩터 μ"의 주파수 특성이 얻어졌다.

(비교 샘플 1)

비교 샘플 1은 Al₂O₃ 칩 수가 90이라는 것을 제외하고는 샘플 1과 동일한 조건하에서 동일한 방법으로 얻어졌다.

이렇게 얻어진 비교 샘플 1이 형광 투시 x-레이 분석을 받았을 때, 막의 조성물은 Fe₈₆Al₆O₈로 판명되었다. 비교 샘플 1에서의 막 두께는 1.2㎛였고, DC 저항률은 74 마이크로오옴·cm이고, 이방성 자계는 22 Oe(1738 A/m)이며 Ms는 18800 가우스(1.88T)였다. 비교 샘플 1의 포화 자화와 M 성분만으로 이루어진 금속 자성체의 포화 자화 사이의 비율, 즉 {Ms(M-X-Y)/Ms(M)}×100의 값은 85.7%였다.

본 발명의 샘플1의 μ"- f 특성은 도 5에 도시되어 있다. 도 5를 참조하면, 피크는 아주 크고, 분산은 첨예하며, 700MHz 근방에서 공진 주파수는 하이(high)라는 것을 알 수 있다.

비교 샘플 1의 μ"- f 특성이 비교를 위해 조사되었을 때, 포화 자화(Ms)가 큰 것을 반영하여 큰 μ"가 나타났지만, 또한 와전류 손실이 샘플의 낮은 저항값에 기인하여 주파수의 상승과 함께 발생되었고, 그 때문에, 자기 손실 특성이나 투자율의 저하는 저주파 영역으로부터 발생하고, 투자율 특성은 고주파수에서 양호하지 않게 된다는 것이 판명되었다.

이들 결과로부터, 본 발명의 샘플 1에서 자성체는 고주파 영역에서 아주 큰 자기 손실 특성을 나타내는 것을 알 수 있을 것이다.

상기 기술된 본 발명의 제1 및 제2 실시예에서, FPC 보드가 사용되었으나, 본 발명은 유사한 구성을 가지는 가요성 평탄 케이블(FFC)에도 적용될 수 있다.

도 6을 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따라 이하에서 다층 배선기판으로서 언급되는 다층 프린트 배선기판 또는 상호접속판(51)은 적층 구조를 가지며, 제1 내지 제5 프린트 배선기판(53, 55, 57, 59 및 61)이 스택되어 있다(stacked). 과립형 자기 박막(65)은 유리 에폭시 재료로 이루어지는 제1 프린트 배선기판(55)의 일 표면상에 전개되는 그라운드 패턴(63)의 전체표면에 걸쳐 형성되어 있다. 한편, 도체 패턴(67)은 프린트 배선기판 상에 그라운드 패턴(63)으로부터 반대측상에 있는 표면상에 형성된다. 또한, 도체 패턴(67) 상에는 과립형 자기 박막(65)이 형성되어 있다. 그 표면상에는 유리 에폭시 재료로 만들어진 제2 프린트 배선기판(53)이 형성되어 있다. 이 제2 프린트 배선기판(53)은 도체 패턴을 가지지 않는 절연 보드이다. 제2 프린트 배선기판(53)은 도체 패턴(67)을 가지지 않지만, 그 전체 외부 표면에 걸쳐 형성된 과립형 자기 박막을 갖는다.

한편, 제1 프린트 배선기판(55)의 표면상에는 그 일 표면상에 도체 패턴을 포함하는 제3 프린트 배선기판(57)의 다른 표면이 스택되어 있다. 제3 프린트 배선기판(57)의 도체 패턴(67) 상에는 과립형 자기 박막(65)이 형성되어 있다. 제3 프린트 배선기판(57)에는 유리 에폭시 재료로 이루어진 제4 프린트 배선기판(59)이 형성되어 있다. 제3 프린트 배선기판(57)으로부터 반대측상에 있는 제4 프린트 배선기판(59)의 표면상에는 도체 패턴(67)이 형성되어 있으며, 그 상부에는 과립형 자기박막(65)이 형성되어 있다.

제4 프린트 배선기판(59) 상에는 유리 에폭시 재료로 이루어진 제5 프린트 배선기판(61)이 형성되어 있다. 제4 프린트 배선기판(57)으로부터 반대측에 있는 제5 프린트 배선기판(61)의 표면상에는 도체 패턴(67)이 형성되어 있으며, 그 상부에는 과립형 자기박막(65)이 형성되어 있다. 더욱이, 도체 패턴(67)이 형성되어 있지 않은 표면상에는 과립형 자기 박막(65)이 도체 패턴(67)과의 일정 간격으로 형성되어 있다. 도체 패턴들 사이에 배치된 과립형 자기 박막(65)은 도체 패턴(67)과 접촉하도록 배치되지 않을 경우에도 도체로서 사용되며 절연 보드 상에 직접 배치될 수 있다.

이러한 구성을 가지는 제3 실시예에 따른 다층 배선기판에 있어서, 과립형 자기 박막(65)은 도체 패턴(67)으로부터 방사되는 고주파를 흡수하여 이를 열로 전환시킨다. 그러므로, 다층 배선기판으로부터 외부로 고주파 잡음의 방사는 억제될 수 있다.

제3 실시예에 따른 다층 배선기판은 제1 및 제3 프린트 배선기판(55, 57)을 인가한 후에, 제2, 제4 및 제 5 프린트 배선기판이나 절연층이 차례로 형성되도록 구성되어 있다. 그러나, 보드로서 유리 에폭시 재료를 가지는 다층 프린트 배선기판이 초기에 준비되어, 에폭시 수지등과 같은 접착제를 이용하여 인가될 수도 있다.

예를 들면, 폴리이미드등은 절연성질을 나타내는 합성수지인 한 보드에 사용될 수 있다.

더욱이, 과립형 자기 박막(1)은 도체 패턴(2) 상에 배치되지 않아도, 도체로서 사용되며 절연 보드상에 직접 배치될 수 있다.

도 7을 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 다층 배선기판(69)은 적층 방식으로 형성된 베이스 재료로서 폴리이미드를 가지는 제1 내지 제5 프린트 배선기판(55, 53, 57, 59 및 61)을 가진다. 제1 프린트 배선기판(55) 아래에 전개된 제2 프린트 배선기판(53)은 그 일 표면상의 그라운드 패턴(63)과 그 다른 표면상의 도체 패턴(67)을 포함한다. 제2 프린트 배선기판(53)의 그라운드 패턴에는 그 전체 표면을 가로질러 과립형 자기 박막(65)이 형성되어 있다. 한편, 제2 프린트 배선기판(53)의 다른 표면상의 도체 패턴에는 과립형 자기 박막(65)이 형성되어 있으며, 그 위에 제1 프린트 배선기판(55)의 일 표면이 스택되어 있다. 제1 프린트 배선기판(55)의 다른 표면측 상에는 제3 및 제4 프린트 배선기판(57, 59)이 형성되어 있으며, 각각 그 일측상에 도체 패턴(67)을 가진다. 이들 도체 패턴(67) 상에는 과립형 자기 박막(65)이 형성되어 있다.

도체 패턴(67)이 형성되어 있는 제4 프린트 배선기판(59)의 표면상에는 제5 프린트 배선기판(61)이 형성되어 있다. 절연막(71)은 제5 프린트 배선기판(61)의 외부 표면상의 도체 패턴(67)이 형성되어 있는 표면의 전체 표면을 덮도록 형성되어 있으며, 과립형 자기박막(65)은 그위에 전체 표면을 덮기 위하여 형성되어 있다.

이러한 구성을 가지는 제2 실시예에 따른 다층 배선기판(69)에 있어서, 도체 패턴(67)으로부터 방사된 고주파는 과립형 자기 박막(65)에 의해 흡수되어 그것을 열로 전환하며, 그로인해 다층 배선기판으로부터 외부로 고주파 잡음의 방사가 억제될 수 있다.

과립형 자기 박막(65)은 도전성을 나타내며 금속 자성체를 포함하며, 그러므로 그것은 도체로서 직접 사용될 수 있다.

더욱이, 제2 실시예에 따른 다층 배선기판은, 제1, 제3, 제 4 및 제 5 프린트 배선기판이 제2 프린트 배선기판(55) 상에 연속으로 형성되도록 구성되어 있다. 그러나, 도체 패턴을 가지며 보드로서 폴리이미드를 사용하는 복수의 프린트 배선기판들은 초기에 준비될 수 있으며, 그들은 에폭시 수지등과 같은 접착제를 이용하여 인가될 수 있다.

다음, 본 발명의 실시예에서 사용되는 과립형 자성체 M-X-Y 구조 및 그것을 제조하기 위한 방법의 특정 예가 도 8을 참조로 다음에 기술된다.

도 8을 참조하면, 스퍼터링 장치(73)는 공기가 진공 펌프(37)에 의해 배출될 수 있는 진공 챔버(35) 내부의 보드(77) 및 타겟 샘플 테이블 플랫폼(75)을 포함한다. 타겟 샘플 플랫폼(75)은 외부로부터 RF 파워 서플라이(79)에 접속되어 있다. 타겟 샘플 플랫폼(75) 상에는 타겟(81)과 그 위에 놓인 팁(83)이 있다. 타겟 샘플 플랫폼(75)과 보드(77) 사이에는 보드(77)를 덮기 위하여 셔터(45)가 배치되어 있다. 부호 39는 가스를 쳄버 내부로 공급하기 위한 가스 공급 유닛을 지시하며, 부호 85는 보드(77)를 지지하기 위한 지지 플랫폼을 지시한다.

제조 예는 다음에 기술된다.

(샘플 2)

도 8에 도시된 장치를 이용하여, 과립형 자기 박막이 아래의 표2에 도시된 조건하에서 스퍼터링에 의해 유리 보드(77)상에서 제조되었다. 그것에 의해 얻어진 스퍼터링된 막은 샘플 2를 생성하기 위하여 300℃에서 2시간 동안 진공 자계의 열처리를 받았다. 이 샘플 2가 형광 투시 x-레이 분석을 받은 경우, 막의 조성은 Fe₇₂Al₁₁O₁₇로 판명되었다. 샘플 2에서의 막 두께는 2.0㎛이고, DC 저항률은 530 마이크로오옴-cm이고, Hk는 18 Oe(1422 A/m)이고, Ms는 16800 가우스(1.68T)이며, 상대 대역폭 bwr은 148%였다. 샘플 2의 포화 자화 및 M 성분만으로 이루어진 금속 자성체의 포화 자화 사이의 비율의 값은 72.2%였다.

표 2

증착전의 진공도	<1×10^-6토르(≒1.33×10^-4Pa)
증착시의 분위기	Ar
파워 서플라이	RF
타겟	Fe(φ100mm) + Al₂O₃ 칩(120 피스)(칩 사이즈 : 5mm×5mm×2mmt)

샘플의 자기 손실 특성을 검증하기 위하여, μ- f 특성이 조사되었다. μ- f 특성의 측정은 장방형으로 구성된 검출 코일내에 샘플을 삽입함으로써 행해지며, 임피던스 측정은 바이어스 자계를 인가하여 행해진다. 그러므로, 자기 손실 팩터 μ"의 주파수 특성이 얻어진다.

(비교 샘플 2)

비교 샘플 2는 Al₂O₃칩의 수가 90인 것을 제외하고는 샘플 2와 동일한 조건하에서 동일한 방법으로 얻어졌다.

이렇게 얻어진 비교 샘플 2가 형광 투시 x-레이 분석을 받은 경우, 막의 조성은 Fe₈₆Al₆O₈로 판명되었다. 막 두께는 1.2㎛이고, 비교 샘플 2에서의 DC 저항률은 74 마이크로오옴-cm이고, 이방성 자계는 22 Oe(1738 A/m)이며, Ms는 18800 가우스(1.88T)였다. 비교 샘플 2의 포화 자화 및 M 성분만으로 이루어진 금속 자성체의 포화 자화 사이의 비, 즉 {Ms(M-X-Y)/Ms(M)}×100은 85.7%였다.

도 9를 참조하면, 본 발명의 샘플 2의 μ"- f 특성에 있어서, 피크는 아주 높고, 분산은 첨예하며 공진 주파수는 700MHz 근방에서 높다.

도 10을 참조하면, μ"- f 특성에서 비교 샘플 2는 포화 자화(Ms)가 크다는 사실을 반영하여, 큰 μ"를 나타낸다. 그러나, 비교 샘플 2의 저항값은 낮기 때문에, 와전류 손실은 주파수가 상승할 때 발생된다. 그러므로 투자율(자기 손실 특성)의 저하는 저주파 영역으로부터 전개되며, 그 투자율 특성은 고주파에서 좋지 않다는 것이 명백하다.

이들 결과로부터 본 발명의 샘플 2에서 자성체는 고주파 영역에서 아주 높은 자기 손실 특성을 나타낸다는 것을 알 수 있다.

다음은 본 발명의 실시예들에서 얻어진 샘플 1 및 2를 이용하여 잡음 억제 유효성을 검증하기 위하여 행해진 테스트를 기술한다. 이들 테스트는 샘플 1 및 2에 대하여 동일하였으며, 그러므로 샘플 1에 대해서만 기술된다.

잡음 억제 유효성을 검증하기 위하여, 도 11에 도시된 측정 시스템(91)을 이용하고, 또한 도 5에 도시한 투자율 특성을 가지며, 일측이 20mm의 정방형으로 이루어지고, 막두께가 2.0㎛인 과립형 자기 박막의 샘플 1을 구비한 전자기 간섭 억제체를 이용하여, 이것을 75mm의 라인 길이 및 50오옴의 특성 임피던스를 가지는 마이크로스트립 라인 바로 위에 배치하고, 네트워크 분석기(HP 8753D)를 이용하여 2포트간의 전송 특성을 결정하였다. 부호 93은 마이크로스트립 라인과 네트워크 분석기를 연결하는 동축라인을 지시한다. 그 결과는 아래의 표 3에 제공되어 있다.

표 3

투자율 특성

	과립형 자기박막	합성 자기 시트
μ"/700 MHz	약 1800	약 3.0
bwr	148	196

상기 표 3에서, 과립형 자기박막 샘플 1의 전자기 간섭 억제 시트에 대한 투자율 특성은 비교 샘플로서 사용된 중합체와 플랫 센더스트(Sendust) 파우더로 이루어진 동일 영역의 합성 자기 시트에 대한 특성과 함께 주어진다. 과립형 자기 박막 샘플1의 μ"은 서브-마이크로파 대역에서의 분산을 나타내며, 크기는 μ"max는 700MHz 근방에서 약 1800이다. 이것은 동일 대역에서 μ" 분산을 나타내는 비교 샘플의 μ"보다 600배 정도 더 크다. 더욱이, 상대 대역폭 bwr은 비교 샘플의 것과 비교하여 작다. 고주파 전류가 잡음 전송 경로 바로 다음에 자기 손실 재료를 전개하고 전송 경로에 등가 저항 성분을 가함으로써 억제될 때, 억제 효과의 레벨은 μ" 의 크기와 자성체의 두께의 곱(μ" ·δ)에 대략 비례할 것이며, 그로 인해, 억제 효과를 비교할 때, μ" ·δ의 값이 동일한 정도가 되도록 μ"≒3에서 δ=1.0mm인 합성 자기 시트가 비교 샘플로서 사용되었다.

특히, 도 11에서 도시된 바와 같이, 전자기 간섭 억제체 시트(89)는 점선 89'로 지시된 바와 같이 마이크로스트립 라인(87) 위에 직접 전개되었으며, 전송 특성 S₂₁의 변화가 결정되었다. 도 12a 및 12b에서, S₂₁ 특성은 각각 과립형 자기 박막 샘플1의 전자기 간섭 억제체 시트와 합성 자기 시트를 전개한 경우를 도시한다. 과립형 자기 박막 샘플 1의 전개시에, S₂₁ 특성은 100 MHz 이상에서 감소하며, 2 GHz 근방의 -10dB의 아주 작은 값을 나타낸 후에 증가한다. 한편, 합성 자기 시트의 경우에 있어서, 단지 S₂₁ 특성이 수백 MHz로부터 감소하여 3GHz에서 대략 -10 dB을 나타낸다. 이들 결과는 S₂₁ 전송 특성이 자성체의 μ" 분산에 의존하고 억제 효과의 레벨이 μ" ·δ곱에 의존하는 것을 지시한다. 그래서, 자성체는 도 13에 도시한 바와 같은 치수 λ분포 정수 라인이 될 것으로 추측되었으며, 전송 특성 S₁₁ 및 S₂₁ 로부터 단위길이(Δλ)당 등가회로 상수를 알아낸 후에, 샘플 치수(λ)로 변환된 등가회로 상수가 계산되었다. 이 연구에서와 같이 자성체가 마이크로스트립 라인 위에 놓일 때, 전송 특성의 변화가 직렬로 부가된 등가 저항 성분에 주로 기인하기 때문에, 등가 저항 R이 발견되었으며, 그 주파수 의존성이 조사되었다. 도 14a 및 14b에서, 본 발명에서의 등가 저항 R 및 비교 샘플인 합성 자기 시트의 등가 저항 R의 주파수 변화가 도시되어 있다. 두 경우에 있어서, 등가 저항 R은 서브 마이크로 대역에서 단순히 증가하여, 3GHz에서 수십 오옴이 된다. 등가 저항 R의 주파수 의존성은 1GHz 근방에서 아주 크게 되는 μ"의 주파수 분산의 것과 다른 경향을 갖는 것으로 나타났으나, 두 경우에 있어서, 이것은 전술한 μ" ·δ 곱에 더하여 파장에 대한 샘플 치수의 비가 단순히 증가하는 사실을 반영한 결과일 것이다.

본 발명의 실시예에서, 제조 예들은 스퍼터링이나 진공 기상 증착 공정을 기초로 하여 나타내고 있지만, 이온 빔 기상 증착이나 가스 증착과 같은 제조 방법이 사용될 수도 있으며, 그것으로 본 발명의 자기 손실 재료가 균일하게 실행될 수 있는한, 어느 한가지 방법으로 제한되지는 않는다.

더욱이, 본 발명의 실시예에서, 그것은 증착 막으로서이지만, 성능 및 특성은 진공 자계에서 열처리를 수행함으로써 막 제조후에 향상될 수 있다.

상기한 내용을 기초로하여, 서브 마이크로파 대역에서 μ" 분산을 나타내는 본 발명의 샘플은 약 500배 더 큰 두께를 가지는 합성 자기 시트의 것에 등가인 고주파 전류 억제 효과를 나타내고, 이러한 것은 고주파를 사용하는 전자부품 및 회로장치 등에서 1GHz 근방에서 주행하는 고속 클록으로 동작하는 반도체 집적 장치등을 포함하는 전자 부품과 상호 간섭받기 쉬운 전자 부품들 사이에서 EMI를 최소화하는데 사용되는 재료로 될 것이 명백하다.

상기한 과립형 자기 박막은 단지 Fe₈₆Al₆O₈에 관한 것이지만, 본 발명의 과립형 자기 박막은 그 대신에 일반 공식 M-X-Y를 갖는 자성체의 성분이 M은 Ni, Fe, 또는 Co이고, X 성분은 C, B, Si, Al, Mg, Ti, Zn, Hf, Sr, Nb, Ta 또는 희토류(rare earth) 또는 택일적으로 그 혼합물이며, Y 성분은 F, N, 또는 O 또는 택일적으로 그들의 혼합물일지라도 동일한 효과를 끌어낼 수 있다.

상기 기술된 실시예들에 사용된 막 형성 방법은 스퍼터링이지만, 진공 기상 증착 등과 같은 다른 방법들이 사용될 수도 있다. 그외에도, 이온 빔 증착이나 가스 증착과 같은 제조 방법이 사용될 수도 있다. 본 발명의 과립형 자기 박막은 균일하게 구현될 수 있는 한, 어느 한 방법에 한정되는 것은 아니다.

상기한 바와 같이, 본 발명을 기초로 하여, 고주파를 사용하는 가요성 배선기판에서 스퓨리어스 전자기 방사 또는 전자기 잡음에 의해 초래된 간섭을 제거하는데 아주 유용한 현저한 고주파 자기 손실 특성을 나타내는 자기 박막을 가지는 배선기판이 제공될 수 있다.

더욱이, 본 발명을 기초로하여, 고주파를 사용하는 단일층 또는 다층 배선기판에서 스퓨어리스 전자기 방사 또는 전자기 잡음에 의해 초래된 간섭을 제거하는데 아주 유용한 현저한 고주파 자기 손실 특성을 나타내는 자기 박막을 가지는 단일층 또는 다층 배선기판이 제공될 수 있다.

본 발명에 따르면, 고속에서 동작하는 전자회로 및 반도체 디바이스로부터 스퓨리어스 방사를 카운터하는데 효율적인 자기 재료를 포함하는 가요성 배선기판을 제공할 수 있으며, 또한 큰 자기 손실 팩터 μ"를 나타내는 자기 손실 재료를 포함하는 가요성 배선기판을 제공할 수 있으며, 그것에 의해 스퓨리어스 방사에 대한 효과적인 방법이 작은 부피의 자성체로 실시될 수 있다.

Claims

절연 베이스 재료;

그위에 형성된 도체 패턴; 및

상기 도체 패턴상에 형성된 자기 박막을 포함하는 배선 기판으로서,

상기 자기 박막은 M-X-Y로 나타낸 조성을 가지는 자기 손실 재료로 구성되며, M은 Fe,Co 및 Ni 중 적어도 하나이고, X는 M 또는 Y와는 다른 적어도 하나의 원소이며, Y는 F, N 및 O 중 적어도 하나이며,

상기 자기 손실 재료는 상기 자기 손실 재료의 복소 투자율 특성의 허수 성분인 손실 팩터 μ"의 최대값 μ"max가 100MHz 내지 10 GHz의 주파수 범위 내에 존재하는 것을 특징으로 하는 배선 기판.
제 1항에 있어서, 상기 자기 박막은 상기 도체 패턴의 외부면을 따라 상기 도체 패턴상에 형성되는 것을 특징으로 하는 배선 기판.
제 1항에 있어서, 상기 자기 박막은, 상기 도체 패턴이 형성되어 있는 상기 배선기판의 전체 면을 덮는 절연층이 사이에 삽입되어 형성되는 것을 특징으로 하는 배선 기판.
제 2항에 있어서, 상기 베이스 재료는 가요성 재료로 구성되는 것을 특징으로 하는 배선 기판.
제 4항에 있어서, 상기 가요성 재료는 폴리이미드인 것을 특징으로 하는 배선 기판.
제 1항에 있어서, 상기 자기 박막은 스퍼터링 및 기상 증착 중 적어도 하나에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 배선 기판.
제 1항에 있어서, 상기 자기 박막의 두께는 0.3 내지 20 ㎛의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 배선 기판.
제 1항에 있어서,

상기 자기 손실 재료는 협대역 자기 손실 재료이며, 및

상대 대역폭 bwr은 0보다 크고 200%이하이고, 상기 상대 대역폭 bwr은 μ"값이 최대값 μ"max의 50%인 두 주파수 사이의 주파수 대역폭을 추출하고 그 중심 주파수에서 주파수 대역폭을 규격화(normalizing)함으로써 얻어지는 것을 특징으로 하는 배선 기판.
제 8항에 있어서, 상기 자기 손실 재료의 X 성분은 C, B, Si, Al, Mg, Ti, Zn, Hf, Sr, Nb, Ta 및 희토류 원소 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 배선 기판.
제 8항에 있어서, 상기 자기 손실 재료에서, 상기 M은 상기 X-Y 화합물의 매트릭스중에 분산된 과립형태(granular form)로 존재하는 것을 특징으로 하는 배선 기판.
제 8항에 있어서, 상기 과립형상을 가지는 입자 M의 평균 입자 직경은 1 내지 40 nm의 범위내인 것을 특징으로 하는 배선 기판.
제 8항에 있어서, 상기 자기 손실 재료는 0보다 크고 600 Oe(4.74×10⁴A/m) 이하의 이방성 자계 Hk를 나타내는 것을 특징으로 하는 배선 기판.
제 8항에 있어서, 상기 자기 손실 재료는 Fe_α-Al_β-O_ｒ및 Fe_α-Si_β-O_ｒ로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 배선 기판.
제 8항에 있어서, 상기 자기 손실 재료의 포화 자화의 크기는 M 성분만으로 이루어진 금속 자성체의 포화 자화의 80 내지 60% 범위내인 것을 특징으로 하는 배선 기판.
제 8항에 있어서, 상기 자기 손실 재료는 100 내지 700 마이크로오옴(μΩ)·cm의 범위내의 DC 전기 저항률(electrical resistivity)을 나타내는 것을 특징으로 하는 배선 기판.
삭제
제 1항에 있어서, 상기 자기 손실 재료의 포화 자화의 크기는 M 성분만으로 이루어진 금속 자성체의 포화 자화의 60 내지 35% 범위 내인 것을 특징으로 하는 배선 기판.
삭제
삭제
도체부를 포함하는 적어도 일층의 보드; 및

적어도 상기 보드 부분이나 도체부상에 배치된 자기 박막을 포함하는 배선 기판으로서,

상기 자기 박막은 M-X-Y로 나타낸 조성을 가지는 자기 손실 재료로 구성되며, M은 Fe,Co 및 Ni 중 적어도 하나이고, X는 M 또는 Y와는 다른 적어도 하나의 원소이며, Y는 F, N 및 O 중 적어도 하나이며,

상기 자기 손실 재료는 상기 자기 손실 재료의 복소 투자율 특성의 허수 성분인 손실 팩터 μ"의 최대값 μ"max가 100MHz 내지 10GHz 의 주파수 범위 내에 존재하는 것을 특징으로 하는 배선 기판.
제 20 항에 있어서, 상기 도체부는 그라운드 표면이거나 상기 보드의 일면에 배치된 그라운드 패턴을 포함하는 그라운드부를 가지며, 상기 그라운드부의 전체면은 자기 박막으로 덮이는 것을 특징으로 하는 배선 기판.
제 20 항에 있어서, 상기 도체부는 상기 보드의 일면상에 배치된 그라운드 패턴이나 도체 패턴 중 적어도 하나를 포함하거나, 상기 보드의 일면의 전체에 걸쳐 배치된 그라운드면을 포함하며, 상기 도체부의 적어도 일부는 전기 도전성 자기 박막에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 배선 기판.
제 20 항에 있어서, 상기 도체부는 신호 라인 도체 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 배선 기판.
제 23항에 있어서, 상기 자기 박막은 상기 신호 라인 도체 패턴상에 형성되는 것을 특징으로 하는 배선 기판.
제 23항에 있어서, 상기 자기 박막은 상기 신호 라인 도체 패턴이 형성되지 않는 부분에 신호 라인 도체 패턴으로부터 분리되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 배선 기판.
제 23항에 있어서, 상기 자기 박막에는 상기 도체 패턴을 덮도록 그 사이에 놓인 절연층이 배치되는 것을 특징으로 하는 배선 기판.
제 23항에 있어서, 상기 자기 박막은 스퍼터링 및 기상 증착중 적어도 하나의 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 배선 기판.
제 23항에 있어서, 상기 자기 박막은 0.3 내지 20㎛의 범위내의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 배선 기판.
제 23항에 있어서, 상기 배선 기판은 적어도 3층의 구조를 포함하는 다층 프린트 배선 기판인 것을 특징으로 하는 배선 기판.
삭제
제 23항에 있어서, 상기 자기 손실 재료의 포화 자화의 크기는 M 성분만으로 이루어진 금속 자성체의 포화 자화의 60 내지 35% 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 배선 기판.
삭제
제 23항에 있어서,

상기 자기 손실 재료는 협대역 자기 손실 재료이며, 및

상대 대역폭 bwr은 0보다 크고 200%이하이고, 상기 상대 대역폭 bwr은 μ"값이 최대값 μ"max의 50%인 두 주파수 사이의 주파수 대역폭을 추출하고 그 중심 주파수에서 주파수 대역폭을 규격화함으로써 얻어지는 것을 특징으로 하는 배선 기판.
제 33항에 있어서, 상기 자기 손실 재료의 포화 자화의 크기는 M 성분만으로 이루어진 금속 자성체의 포화 자화의 80 내지 60% 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 배선 기판.
제 33항에 있어서, 상기 자기 손실 재료는 100 내지 700 마이크로오옴·cm의 범위 내의 DC 전기 저항률을 나타내는 것을 특징으로 하는 배선 기판.
제 33항에 있어서, 상기 자기 박막의 X 성분은 C, B, Si, Al, Mg, Ti, Zn, Hf, Sr, Nb, Ta 및 희토류 원소 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 배선 기판.
제 33항에 있어서, 상기 자기 손실 재료에서, 상기 M은 상기 X-Y 화합물의 매트릭스중에 분산된 과립 형태로 존재하는 것을 특징으로 하는 배선 기판.
제 33항에 있어서, 상기 과립 형태를 가지는 입자 M의 평균 입자 직경은 1 내지 40 nm의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 배선 기판.
제 33항에 있어서, 상기 자기 손실 재료는 0보다 크고 600 Oe(5.34×10⁴ A/m) 이하의 이방성 자계 Hk를 나타내는 것을 특징으로 하는 배선 기판.
제 33항에 있어서, 상기 자기 손실 재료는 Fe_α-Al_β-O_ｒ및 Fe_α-Si_β-O_ｒ로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 배선 기판.