JPH11274362A - 配線基板 - Google Patents
配線基板Info
- Publication number
- JPH11274362A JPH11274362A JP7770498A JP7770498A JPH11274362A JP H11274362 A JPH11274362 A JP H11274362A JP 7770498 A JP7770498 A JP 7770498A JP 7770498 A JP7770498 A JP 7770498A JP H11274362 A JPH11274362 A JP H11274362A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- line
- ground line
- organic resin
- signal
- ground
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15312—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体素子等の電子部品に信号線を介してノイ
ズが入り込み、誤動作を起こす。 【解決手段】複数の有機樹脂絶縁層３ｂを多層に積層し
てなり、表面に電子部品７が搭載される搭載部３ａを有
する有機樹脂絶縁体３と、前記有機樹脂絶縁層３ｂ間に
配され、前記電子部品７の信号電極、電源電極、グラン
ド電極が電気的に接続される薄膜形成技術によって形成
された信号線４、電源線５、グラント線６とから成る配
線基板であって、前記グランド線６は少なくとも一つの
補助グランド線６ａが分岐しており、該グランド線６と
補助グランド線６ａとで前記信号線４を上下より挟み込
むとともに前記グランド線６及び／又は補助グランド線
６ａの少なくとも一部に磁性粉末を含有させ、磁性領域
を形成した。
ズが入り込み、誤動作を起こす。 【解決手段】複数の有機樹脂絶縁層３ｂを多層に積層し
てなり、表面に電子部品７が搭載される搭載部３ａを有
する有機樹脂絶縁体３と、前記有機樹脂絶縁層３ｂ間に
配され、前記電子部品７の信号電極、電源電極、グラン
ド電極が電気的に接続される薄膜形成技術によって形成
された信号線４、電源線５、グラント線６とから成る配
線基板であって、前記グランド線６は少なくとも一つの
補助グランド線６ａが分岐しており、該グランド線６と
補助グランド線６ａとで前記信号線４を上下より挟み込
むとともに前記グランド線６及び／又は補助グランド線
６ａの少なくとも一部に磁性粉末を含有させ、磁性領域
を形成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板に関し、
より詳細には情報処理装置等に実装される混成集積回路
装置や半導体装置等に使用される配線基板に関するもの
である。
より詳細には情報処理装置等に実装される混成集積回路
装置や半導体装置等に使用される配線基板に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、混成集積回路装置や半導体素子収
納用パッケージ等に使用される配線基板は半導体素子の
信号電極、電源電極、グランド電極が接続される信号
線、電源線、グランド線がＭｏーＭｎ法等の厚膜形成技
術によって形成されている。
納用パッケージ等に使用される配線基板は半導体素子の
信号電極、電源電極、グランド電極が接続される信号
線、電源線、グランド線がＭｏーＭｎ法等の厚膜形成技
術によって形成されている。
【０００３】このＭｏーＭｎ法は通常、タングステン、
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に有機溶剤、
溶媒を添加混合し、ペースト状となした金属ペーストを
シート状の生セラミック体の外表面にスクリーン印刷法
により所定パターンに印刷塗布し、次にこれを複数枚積
層するとともに還元雰囲気中で焼成し、高融点金属粉末
と生セラミック体とを焼結一体化させる方法である。
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末に有機溶剤、
溶媒を添加混合し、ペースト状となした金属ペーストを
シート状の生セラミック体の外表面にスクリーン印刷法
により所定パターンに印刷塗布し、次にこれを複数枚積
層するとともに還元雰囲気中で焼成し、高融点金属粉末
と生セラミック体とを焼結一体化させる方法である。
【０００４】なお、前記信号線、電源線、グランド線が
形成されるセラミック体としては、通常、酸化アルミニ
ウム質焼結体やムライト質焼結体等の酸化物系セラミッ
クス、或いは表面に酸化物膜を被着させた窒化アルミニ
ウム質焼結体や炭化珪素質焼結体等の非酸化物系セラミ
ックスが使用される。
形成されるセラミック体としては、通常、酸化アルミニ
ウム質焼結体やムライト質焼結体等の酸化物系セラミッ
クス、或いは表面に酸化物膜を被着させた窒化アルミニ
ウム質焼結体や炭化珪素質焼結体等の非酸化物系セラミ
ックスが使用される。
【０００５】しかしながら、このＭｏーＭｎ法を用いて
信号線、電源線、グランド線を形成した場合、信号線、
電源線、グランド線は金属ペーストをスクリーン印刷す
ることにより形成されることから微細化が困難で信号
線、電源線、グランド線を高密度に形成することができ
ないという欠点を有していた。
信号線、電源線、グランド線を形成した場合、信号線、
電源線、グランド線は金属ペーストをスクリーン印刷す
ることにより形成されることから微細化が困難で信号
線、電源線、グランド線を高密度に形成することができ
ないという欠点を有していた。
【０００６】そこで上記欠点を解消するために信号線、
電源線、グランド線を従来周知の厚膜形成技術により形
成するのに変えて微細化が可能な薄膜形成技術を用いて
高密度に形成した配線基板が使用されるようになってき
た。
電源線、グランド線を従来周知の厚膜形成技術により形
成するのに変えて微細化が可能な薄膜形成技術を用いて
高密度に形成した配線基板が使用されるようになってき
た。
【０００７】かかる信号線、電源線、グランド線を薄膜
形成技術により形成した配線基板は、一般にエポキシ樹
脂等から成る複数の有機樹脂絶縁層を多層に積層した表
面に電子部品が搭載される搭載部を有する有機樹脂絶縁
体と、該有機樹脂絶縁体の有機樹脂絶縁層間に配され、
電子部品の信号電極、電源電極、グランド電極が電気的
に接続される薄膜形成技術によって形成された信号線、
電源線、グラント線とから構成されており、有機樹脂絶
縁体の表面に半導体素子等の能動部品や容量素子、抵抗
器等の受動部品を実装させ、半導体素子等の信号電極、
電源電極、グランド電極をボンディングワイヤ等の電気
的接続手段を介し信号線、電源線、グランド線に電気的
に接続させることによって半導体装置や混成集積回路装
置となる。
形成技術により形成した配線基板は、一般にエポキシ樹
脂等から成る複数の有機樹脂絶縁層を多層に積層した表
面に電子部品が搭載される搭載部を有する有機樹脂絶縁
体と、該有機樹脂絶縁体の有機樹脂絶縁層間に配され、
電子部品の信号電極、電源電極、グランド電極が電気的
に接続される薄膜形成技術によって形成された信号線、
電源線、グラント線とから構成されており、有機樹脂絶
縁体の表面に半導体素子等の能動部品や容量素子、抵抗
器等の受動部品を実装させ、半導体素子等の信号電極、
電源電極、グランド電極をボンディングワイヤ等の電気
的接続手段を介し信号線、電源線、グランド線に電気的
に接続させることによって半導体装置や混成集積回路装
置となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近時、
情報処理装置は高性能化が急激に進展し、これに伴って
情報処理装置に搭載実装される半導体装置や混成集積回
路装置も高速駆動が行われノイズの影響を極めて受け易
いものになってきたこと、有機樹脂絶縁体を形成するエ
ポキシ樹脂等はノイズに対するシールド効果が低いこと
等から外部近接位置にノイズの発生源があるとそのノイ
ズが信号線に直接作用して入り込み、これが信号線を伝
搬して半導体素子に入力され、半導体素子を誤動作させ
てしまうという欠点を有していた。
情報処理装置は高性能化が急激に進展し、これに伴って
情報処理装置に搭載実装される半導体装置や混成集積回
路装置も高速駆動が行われノイズの影響を極めて受け易
いものになってきたこと、有機樹脂絶縁体を形成するエ
ポキシ樹脂等はノイズに対するシールド効果が低いこと
等から外部近接位置にノイズの発生源があるとそのノイ
ズが信号線に直接作用して入り込み、これが信号線を伝
搬して半導体素子に入力され、半導体素子を誤動作させ
てしまうという欠点を有していた。
【０００９】そこで、上記欠点を解消するために信号線
をグランド線と該グランド線より分岐した補助グランド
線とで上下より挟み込み、信号線をグランド線及び補助
グランド線でシールドすることによって信号線に外部よ
りノイズが入り込むのを有効に防止することが考えられ
る。
をグランド線と該グランド線より分岐した補助グランド
線とで上下より挟み込み、信号線をグランド線及び補助
グランド線でシールドすることによって信号線に外部よ
りノイズが入り込むのを有効に防止することが考えられ
る。
【００１０】しかしながら、信号線をグランド線と補助
グランド線で挟み込んだ配線基板は信号線に外部からノ
イズが直接作用して入り込むことは有効に防止されるも
のの、搭載する電子部品の作動に伴う電源電圧の変動に
よって電源線とグランド線間に発生するノイズが信号線
に入り込むのは防止できず、このノイズによって電子部
品に誤動作を起こさせてしまうという解決すべき課題を
有している。
グランド線で挟み込んだ配線基板は信号線に外部からノ
イズが直接作用して入り込むことは有効に防止されるも
のの、搭載する電子部品の作動に伴う電源電圧の変動に
よって電源線とグランド線間に発生するノイズが信号線
に入り込むのは防止できず、このノイズによって電子部
品に誤動作を起こさせてしまうという解決すべき課題を
有している。
【００１１】本発明は上記諸欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は信号線、電源線、グランド線を高密度に
形成するのを可能として、かつ信号線にノイズが入り込
むのを有効に防止し、半導体素子等の電子部品を長期間
にわたり正常に作動させることができる配線基板を提供
することにある。
で、その目的は信号線、電源線、グランド線を高密度に
形成するのを可能として、かつ信号線にノイズが入り込
むのを有効に防止し、半導体素子等の電子部品を長期間
にわたり正常に作動させることができる配線基板を提供
することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、複数の有機樹
脂絶縁層を多層に積層してなり、表面に電子部品が搭載
される搭載部を有する有機樹脂絶縁体と、前記有機樹脂
絶縁層間に配され、前記電子部品の信号電極、電源電
極、グランド電極が電気的に接続される薄膜形成技術に
よって形成された信号線、電源線、グラント線とから成
る配線基板であって、前記グランド線は少なくとも一つ
の補助グランド線が分岐しており、該グランド線と補助
グランド線とで前記信号線を上下より挟み込むとともに
前記グランド線及び／又は補助グランド線の少なくとも
一部に磁性粉末を含有させ、磁性領域を形成したことを
特徴とするものである。
脂絶縁層を多層に積層してなり、表面に電子部品が搭載
される搭載部を有する有機樹脂絶縁体と、前記有機樹脂
絶縁層間に配され、前記電子部品の信号電極、電源電
極、グランド電極が電気的に接続される薄膜形成技術に
よって形成された信号線、電源線、グラント線とから成
る配線基板であって、前記グランド線は少なくとも一つ
の補助グランド線が分岐しており、該グランド線と補助
グランド線とで前記信号線を上下より挟み込むとともに
前記グランド線及び／又は補助グランド線の少なくとも
一部に磁性粉末を含有させ、磁性領域を形成したことを
特徴とするものである。
【００１３】また本発明は、前記グランド線及び／又は
補助グランド線に形成された磁性領域おける磁性粉末の
含有量が１０乃至７０重量％であることを特徴とするも
のである。
補助グランド線に形成された磁性領域おける磁性粉末の
含有量が１０乃至７０重量％であることを特徴とするも
のである。
【００１４】更に本発明は、前記信号線、電源線、グラ
ント線及び補助グランド線は金、銀、銅、アルミニウム
もしくはこれらの合金を主成分とする金属材から成り、
かつ磁性粉末がフェライトから成ることを特徴とするも
のである。
ント線及び補助グランド線は金、銀、銅、アルミニウム
もしくはこれらの合金を主成分とする金属材から成り、
かつ磁性粉末がフェライトから成ることを特徴とするも
のである。
【００１５】本発明の配線基板によれば、信号線、電源
線、グラント線等を薄膜形成技術により形成したことか
ら信号線等の線幅を極めて細いものとして高密度に形成
することが可能となる。
線、グラント線等を薄膜形成技術により形成したことか
ら信号線等の線幅を極めて細いものとして高密度に形成
することが可能となる。
【００１６】また本発明の配線基板によれば、信号線を
グランド線と該グランド線より分岐した補助グランド線
とで上下より挟み込み、信号線をグランド線及び補助グ
ランド線でシールドしたことから信号線に外部からノイ
ズが直接作用して入り込むことはなく、これよって搭載
される電子部品を正常、かつ安定に作動させることが可
能となる。
グランド線と該グランド線より分岐した補助グランド線
とで上下より挟み込み、信号線をグランド線及び補助グ
ランド線でシールドしたことから信号線に外部からノイ
ズが直接作用して入り込むことはなく、これよって搭載
される電子部品を正常、かつ安定に作動させることが可
能となる。
【００１７】更に本発明の配線基板によれば、グランド
線及び／または補助グランド線の少なくとも一部にフェ
ライト等の磁性粉末を例えば、１０乃至７０重量％含有
させ、磁性領域を形成したことから搭載する電子部品の
作動に伴う電源電圧の変動によって電源線とグランド線
間に発生したノイズはグランド線及び／または補助グラ
ンド線に含有されている磁性粉末で熱エネルギーに変換
されて吸収され、その結果、半導体素子等の電子部品に
ノイズが入り込むことはなく、半導体素子等の電子部品
を常に正常に作動させることが可能となる。
線及び／または補助グランド線の少なくとも一部にフェ
ライト等の磁性粉末を例えば、１０乃至７０重量％含有
させ、磁性領域を形成したことから搭載する電子部品の
作動に伴う電源電圧の変動によって電源線とグランド線
間に発生したノイズはグランド線及び／または補助グラ
ンド線に含有されている磁性粉末で熱エネルギーに変換
されて吸収され、その結果、半導体素子等の電子部品に
ノイズが入り込むことはなく、半導体素子等の電子部品
を常に正常に作動させることが可能となる。
【００１８】また更に本発明の配線基板によれば有機樹
脂絶縁体を構成するエポキシ樹脂等の有機樹脂材の熱硬
化処理温度が８０〜２００℃と低いことから信号線、電
源線及びグランド線に導電率が高く、融点の低い金、
銀、銅、アルミニウム等を使用することが可能となり、
信号線等を金、銀、銅、アルミニウムで形成すると信号
線を伝わる電気信号は大きな減衰を受けることなく正確
に半導体素子等に伝搬され、これによって半導体素子等
を正常に作動させることができる。
脂絶縁体を構成するエポキシ樹脂等の有機樹脂材の熱硬
化処理温度が８０〜２００℃と低いことから信号線、電
源線及びグランド線に導電率が高く、融点の低い金、
銀、銅、アルミニウム等を使用することが可能となり、
信号線等を金、銀、銅、アルミニウムで形成すると信号
線を伝わる電気信号は大きな減衰を受けることなく正確
に半導体素子等に伝搬され、これによって半導体素子等
を正常に作動させることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図１は、本発明の配線基板を半導体素
子を収容する半導体素子収納用パッケージに適用した場
合の一実施例を示し、１は配線基板、２は蓋体である。
この配線基板１と蓋体２とで半導体素子を収容するため
の容器が構成される。
詳細に説明する。図１は、本発明の配線基板を半導体素
子を収容する半導体素子収納用パッケージに適用した場
合の一実施例を示し、１は配線基板、２は蓋体である。
この配線基板１と蓋体２とで半導体素子を収容するため
の容器が構成される。
【００２０】前記配線基板１は有機樹脂絶縁体３と、信
号線４と、電源線５と、グランド線６とにより形成され
ており、有機樹脂絶縁体３は、その上面中央部に半導体
素子７が搭載される搭載部３ａを有し、該搭載部３ａ上
に半導体素子７が接着材を介して接着固定される。
号線４と、電源線５と、グランド線６とにより形成され
ており、有機樹脂絶縁体３は、その上面中央部に半導体
素子７が搭載される搭載部３ａを有し、該搭載部３ａ上
に半導体素子７が接着材を介して接着固定される。
【００２１】前記有機樹脂絶縁体３は複数の有機樹脂絶
縁層３ｂを多層に積層して形成されており、該各有機樹
脂絶縁層３ｂはエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジ
ン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ふっ素樹脂等の
有機樹脂、或いはガラス繊維を織り込んだ布にエポキシ
樹脂を含浸させたガラスエポキシ樹脂やガラス繊維を織
り込んだ布にビスマレイミドトリアジン樹脂を含浸させ
たガラスビスマレイミドトリアジン樹脂等の電気絶縁材
料から成り、例えば、エポキシ樹脂で形成されている場
合にはビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型
エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等に
アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬
化剤歳の硬化剤を添加混合してペースト状のエポキシ樹
脂前駆体を得るとともに該エポキシ樹脂前駆体をスピン
コート法等により所定厚みに成形し、しかる後、これを
８０〜２００℃の熱で０．５〜３時間熱処理し、熱硬化
させることによって形成され、またガラスエポキシ樹脂
から成る場合は、ガラス繊維を織り込んだ布にエポキシ
樹脂の前駆体を含浸させるとともに該エポキシ樹脂前駆
体を所定温度で熱硬化させることによって形成される。
縁層３ｂを多層に積層して形成されており、該各有機樹
脂絶縁層３ｂはエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジ
ン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ふっ素樹脂等の
有機樹脂、或いはガラス繊維を織り込んだ布にエポキシ
樹脂を含浸させたガラスエポキシ樹脂やガラス繊維を織
り込んだ布にビスマレイミドトリアジン樹脂を含浸させ
たガラスビスマレイミドトリアジン樹脂等の電気絶縁材
料から成り、例えば、エポキシ樹脂で形成されている場
合にはビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型
エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等に
アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬
化剤歳の硬化剤を添加混合してペースト状のエポキシ樹
脂前駆体を得るとともに該エポキシ樹脂前駆体をスピン
コート法等により所定厚みに成形し、しかる後、これを
８０〜２００℃の熱で０．５〜３時間熱処理し、熱硬化
させることによって形成され、またガラスエポキシ樹脂
から成る場合は、ガラス繊維を織り込んだ布にエポキシ
樹脂の前駆体を含浸させるとともに該エポキシ樹脂前駆
体を所定温度で熱硬化させることによって形成される。
【００２２】前記エポキシ樹脂等から成る各有機樹脂絶
縁層３ｂはその複数個を上下に積層し、接着により一体
化することによって有機樹脂絶縁体３となる。
縁層３ｂはその複数個を上下に積層し、接着により一体
化することによって有機樹脂絶縁体３となる。
【００２３】また前記有機樹脂絶縁体３はその内部及び
上下両面に信号線４、電源線５及びグランド線６が被着
形成されており、該信号線４、電源線５及びグランド線
６の各々には半導体素子７の信号電極、電源電極及びグ
ランド電極がボンディングワイヤ等の電気的接続手段８
を介して電気的に接続され、また有機樹脂絶縁体３の下
面部に導出する部位には外部電気回路基板の配線導体と
接続される外部リードピン９がロウ材を介して接合され
ている。
上下両面に信号線４、電源線５及びグランド線６が被着
形成されており、該信号線４、電源線５及びグランド線
６の各々には半導体素子７の信号電極、電源電極及びグ
ランド電極がボンディングワイヤ等の電気的接続手段８
を介して電気的に接続され、また有機樹脂絶縁体３の下
面部に導出する部位には外部電気回路基板の配線導体と
接続される外部リードピン９がロウ材を介して接合され
ている。
【００２４】前記信号線４、電源線５及びグランド線６
は銅、金、銀、アルミニウムの金属材料を無電解メッキ
法や蒸着法、スパッタリング法等の薄膜形成技術及びフ
ォトリソグラフィー技術を採用することによって形成さ
れ、例えば、銅で形成されている場合には、各有機樹脂
絶縁層３ｂの上面に、硫酸銅０．０６モル／リットル、
ホルマリン０．３モル／リットル、水酸化ナトリウム
０．３５モル／リットル、エチレンジアミン四酢酸０．
３５モル／リットルから成る無電解銅メッキ浴を用いて
厚さ１μｍ乃至４０μｍの銅を被着させ、しかる後、前
記銅層をフォトリソグラフィー技術により所定パターン
に加工することによって各有機樹脂絶縁層３ｂの上面に
形成される。この場合、信号線４、電源線５及びグラン
ド線６は薄膜形成技術により形成されることから配線の
微細化が可能であり、これによって信号線４、電源線５
及びグランド線６を極めて高密度に形成することが可能
となる。また前記信号線４、電源線５及びグランド線６
を銅、金、銀、アルミニウムもしくはこれらを主成分と
する金属で形成しておくと該銅、金等はその電気抵抗率
が３μΩ・ｃｍ以下と低いことから信号線４、電源線５
及びグランド線６を電気信号が伝搬しても電気信号に大
きな減衰等が生じることはなく、また駆動電力が流れた
場合、その駆動電力に大きな減衰を生じることがなく、
これによって信号線４、電源線５及びグランド線６を介
し搭載実装される半導体素子７に対し電気信号、電力を
確実に入力することができる。更に前記信号線４、電源
線５及びグランド線６はそれを銅、金、銀、アルミニウ
ムもしくはこれらを主成分とする金属で形成した場合、
該銅、金等の融点は６６０〜１０８０℃程度であり、多
少低いものの有機樹脂絶縁体３を構成する化有機樹脂絶
縁層３ｂの熱硬化温度は８０〜２００℃と極めて低いこ
とから各有機樹脂絶縁層３ｂを熱硬化処理によって形成
する際、信号線４、電源線５及びグランド線６が気散す
ることはなく、各有機樹脂絶縁層３ｂ間に所定パターン
の信号線４、電源線５及びグランド線６を形成すること
ができる。
は銅、金、銀、アルミニウムの金属材料を無電解メッキ
法や蒸着法、スパッタリング法等の薄膜形成技術及びフ
ォトリソグラフィー技術を採用することによって形成さ
れ、例えば、銅で形成されている場合には、各有機樹脂
絶縁層３ｂの上面に、硫酸銅０．０６モル／リットル、
ホルマリン０．３モル／リットル、水酸化ナトリウム
０．３５モル／リットル、エチレンジアミン四酢酸０．
３５モル／リットルから成る無電解銅メッキ浴を用いて
厚さ１μｍ乃至４０μｍの銅を被着させ、しかる後、前
記銅層をフォトリソグラフィー技術により所定パターン
に加工することによって各有機樹脂絶縁層３ｂの上面に
形成される。この場合、信号線４、電源線５及びグラン
ド線６は薄膜形成技術により形成されることから配線の
微細化が可能であり、これによって信号線４、電源線５
及びグランド線６を極めて高密度に形成することが可能
となる。また前記信号線４、電源線５及びグランド線６
を銅、金、銀、アルミニウムもしくはこれらを主成分と
する金属で形成しておくと該銅、金等はその電気抵抗率
が３μΩ・ｃｍ以下と低いことから信号線４、電源線５
及びグランド線６を電気信号が伝搬しても電気信号に大
きな減衰等が生じることはなく、また駆動電力が流れた
場合、その駆動電力に大きな減衰を生じることがなく、
これによって信号線４、電源線５及びグランド線６を介
し搭載実装される半導体素子７に対し電気信号、電力を
確実に入力することができる。更に前記信号線４、電源
線５及びグランド線６はそれを銅、金、銀、アルミニウ
ムもしくはこれらを主成分とする金属で形成した場合、
該銅、金等の融点は６６０〜１０８０℃程度であり、多
少低いものの有機樹脂絶縁体３を構成する化有機樹脂絶
縁層３ｂの熱硬化温度は８０〜２００℃と極めて低いこ
とから各有機樹脂絶縁層３ｂを熱硬化処理によって形成
する際、信号線４、電源線５及びグランド線６が気散す
ることはなく、各有機樹脂絶縁層３ｂ間に所定パターン
の信号線４、電源線５及びグランド線６を形成すること
ができる。
【００２５】なお、前記有機樹脂絶縁層３ｂを多層に積
層して形成される有機樹脂絶縁体３は各有機樹脂絶縁層
３ｂの上面を中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦
Ｒａ≦５μｍの粗面としておくと有機樹脂絶縁層３ｂと
信号線４、電源線５及びグランド線６との接合及び上下
に位置する有機樹脂絶縁層３ｂ同士の接合を強固となす
ことができる。従って、前記有機樹脂絶縁体３を構成す
る各有機樹脂絶縁層３ｂはその上面をエッチング加工法
等によって粗し、中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μ
ｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面としておくことが好ましい。
層して形成される有機樹脂絶縁体３は各有機樹脂絶縁層
３ｂの上面を中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ≦
Ｒａ≦５μｍの粗面としておくと有機樹脂絶縁層３ｂと
信号線４、電源線５及びグランド線６との接合及び上下
に位置する有機樹脂絶縁層３ｂ同士の接合を強固となす
ことができる。従って、前記有機樹脂絶縁体３を構成す
る各有機樹脂絶縁層３ｂはその上面をエッチング加工法
等によって粗し、中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μ
ｍ≦Ｒａ≦５μｍの粗面としておくことが好ましい。
【００２６】また前記有機樹脂絶縁層３ｂはその表面の
２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウン
ト値を、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５００個以上、０．
１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５００個以上、０．０１μｍ
≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５００個以上としておくと有
機樹脂絶縁層３ｂと信号線４、電源線５及びグランド線
６との接合及び上下に位置する有機樹脂絶縁層３ｂ同士
の接合がより強固となる。従って、前記有機樹脂絶縁層
３ｂはその表面の２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ
（Ｐｃ）のカウント値を、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５
００個以上、０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５００個以
上、０．０１μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５００個以
上としておくことが好ましい。
２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ（Ｐｃ）のカウン
ト値を、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５００個以上、０．
１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５００個以上、０．０１μｍ
≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５００個以上としておくと有
機樹脂絶縁層３ｂと信号線４、電源線５及びグランド線
６との接合及び上下に位置する有機樹脂絶縁層３ｂ同士
の接合がより強固となる。従って、前記有機樹脂絶縁層
３ｂはその表面の２．５ｍｍの長さにおける凹凸の高さ
（Ｐｃ）のカウント値を、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μｍが５
００個以上、０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５００個以
上、０．０１μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５００個以
上としておくことが好ましい。
【００２７】なお、前記各有機樹脂絶縁層３ｂ上面の中
心線平均粗さ（Ｒａ）及び２．５ｍｍの長さにおける凹
凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値は、有機樹脂絶縁層３ｂ
の表面を原子間力顕微鏡（Digital Instruments Inc.製
のDimension 3000-Nano Scope III ）で５０μｍ角の対
角（７０μｍ）に走査させてその表面状態を検査測定
し、その測定結果より各々の数値を出した。
心線平均粗さ（Ｒａ）及び２．５ｍｍの長さにおける凹
凸の高さ（Ｐｃ）のカウント値は、有機樹脂絶縁層３ｂ
の表面を原子間力顕微鏡（Digital Instruments Inc.製
のDimension 3000-Nano Scope III ）で５０μｍ角の対
角（７０μｍ）に走査させてその表面状態を検査測定
し、その測定結果より各々の数値を出した。
【００２８】また前記中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．０
５μｍ≦Ｒａ≦５μｍ、２．５ｍｍの長さにおける凹凸
の高さ（Ｐｃ）のカウント値が、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μ
ｍが５００個以上、０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５０
０個以上、０．０１μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５０
０個以上の有機樹脂絶縁層３ｂは、該有機樹脂絶縁層３
ｂの上面にＣＨＦ3 、ＣＦ4 、Ａｒ等のガスを吹きつけ
たりアクティブイオンエッチング処理をすることによっ
て表面が所定の粗さに粗される。
５μｍ≦Ｒａ≦５μｍ、２．５ｍｍの長さにおける凹凸
の高さ（Ｐｃ）のカウント値が、１μｍ≦Ｐｃ≦１０μ
ｍが５００個以上、０．１μｍ≦Ｐｃ≦１μｍが２５０
０個以上、０．０１μｍ≦Ｐｃ≦０．１μｍが１２５０
０個以上の有機樹脂絶縁層３ｂは、該有機樹脂絶縁層３
ｂの上面にＣＨＦ3 、ＣＦ4 、Ａｒ等のガスを吹きつけ
たりアクティブイオンエッチング処理をすることによっ
て表面が所定の粗さに粗される。
【００２９】更に前記信号線４、電源線５及びグランド
線６はその厚みが１μｍ未満であると信号線４、電源線
５及びグランド線６の電気抵抗値が大きなものとなって
信号線４、電源線５及びグランド線に所定の電気信号、
駆動電力を伝達させることが困難となり、また４０μｍ
を超えると信号線４、電源線５及びグランド線６を有機
樹脂絶縁層３ｂに被着させる際に信号線４、電源線５及
びグランド線６の内部に大きな応力が内在し、該大きな
内在応力によって信号線４、電源線５及びグランド線６
が有機樹脂絶縁層３ｂより剥離し易いものとなる。従っ
て、前記信号線４、電源線５及びグランド線６の厚みは
１μｍ乃至４０μｍの範囲としておくことが好ましい。
線６はその厚みが１μｍ未満であると信号線４、電源線
５及びグランド線６の電気抵抗値が大きなものとなって
信号線４、電源線５及びグランド線に所定の電気信号、
駆動電力を伝達させることが困難となり、また４０μｍ
を超えると信号線４、電源線５及びグランド線６を有機
樹脂絶縁層３ｂに被着させる際に信号線４、電源線５及
びグランド線６の内部に大きな応力が内在し、該大きな
内在応力によって信号線４、電源線５及びグランド線６
が有機樹脂絶縁層３ｂより剥離し易いものとなる。従っ
て、前記信号線４、電源線５及びグランド線６の厚みは
１μｍ乃至４０μｍの範囲としておくことが好ましい。
【００３０】前記信号線４、電源線５及びグランド線６
はまた有機樹脂絶縁体３の下面において外部リードピン
９がロウ付けにより接合されており、該外部リードピン
９によって信号線４、電源線５及びグランド線６が外部
電気回路基板の配線導体に電気的に接続されるようにな
っている。
はまた有機樹脂絶縁体３の下面において外部リードピン
９がロウ付けにより接合されており、該外部リードピン
９によって信号線４、電源線５及びグランド線６が外部
電気回路基板の配線導体に電気的に接続されるようにな
っている。
【００３１】前記外部リードピン９は鉄ーニッケルーコ
パルト合金や鉄ーニッケル合金、銅等の金属材料から成
り、半導体素子７の信号電極、電源電極、グランド電極
を外部電気回路に電気的に接続する作用をなす。
パルト合金や鉄ーニッケル合金、銅等の金属材料から成
り、半導体素子７の信号電極、電源電極、グランド電極
を外部電気回路に電気的に接続する作用をなす。
【００３２】前記外部リードピン９は、例えば、鉄ーニ
ッケルーコバルト合金等のインゴット（塊）を圧延加工
法や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を採用す
ることによって所定形状に形成される。
ッケルーコバルト合金等のインゴット（塊）を圧延加工
法や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を採用す
ることによって所定形状に形成される。
【００３３】前記外部リードピン９は例えば、融点が２
３０℃以下の金属材料から成るロウ材、具体的にはＳ
ｎ：９１重量％ーＺｎ：９重量％、Ｓｎ：８９重量％ー
Ｚｎ：８重量％ーＢｉ：３重量％、Ｓｎ：７０重量％ー
Ｂｉ：２０重量％ーＩｎ１０重量％、Ｓｎ：９８重量％
ーＡｇ：２重量％、Ｓｎ：９９．３重量％ーＣｕ：０．
７重量％等を使用することによって有機樹脂絶縁体２の
下面で信号線４、電源線５及びグランド線６に接合され
る。
３０℃以下の金属材料から成るロウ材、具体的にはＳ
ｎ：９１重量％ーＺｎ：９重量％、Ｓｎ：８９重量％ー
Ｚｎ：８重量％ーＢｉ：３重量％、Ｓｎ：７０重量％ー
Ｂｉ：２０重量％ーＩｎ１０重量％、Ｓｎ：９８重量％
ーＡｇ：２重量％、Ｓｎ：９９．３重量％ーＣｕ：０．
７重量％等を使用することによって有機樹脂絶縁体２の
下面で信号線４、電源線５及びグランド線６に接合され
る。
【００３４】前記融点が２３０℃以下の金属材料から成
るロウ材を使用して外部リードピン９を有機樹脂絶縁体
３の下面で信号線４、電源線５及びグランド線６に接合
させた場合、ロウ付けの際のロウ材を加熱溶融させる温
度が低く、ロウ材の加熱溶融の熱によって有機樹脂絶縁
体３が大きく変形することはなく、これによって有機樹
脂絶縁体３に設けられている信号線４、電源線５及びグ
ランド線６に断線等を招来するのを有効に防止すること
ができる。
るロウ材を使用して外部リードピン９を有機樹脂絶縁体
３の下面で信号線４、電源線５及びグランド線６に接合
させた場合、ロウ付けの際のロウ材を加熱溶融させる温
度が低く、ロウ材の加熱溶融の熱によって有機樹脂絶縁
体３が大きく変形することはなく、これによって有機樹
脂絶縁体３に設けられている信号線４、電源線５及びグ
ランド線６に断線等を招来するのを有効に防止すること
ができる。
【００３５】かくして、上述の配線基板によれば、有機
樹脂絶縁体３の搭載部３ａに半導体素子７を接着材を介
して搭載固定するとともに半導体素子７の信号電極、電
源電極、グランド電極をボンディングワイヤ等の電気的
接続手段８を介して信号線４、電源線５及びグランド線
６に接続し、しかる後、有機樹脂絶縁体３の上面に蓋体
２を樹脂製封止材を介して接合させ、配線基板１の有機
樹脂絶縁体３と蓋体２とから成る容器内部に半導体素子
７を気密に封止することによって製品としての半導体装
置となる。
樹脂絶縁体３の搭載部３ａに半導体素子７を接着材を介
して搭載固定するとともに半導体素子７の信号電極、電
源電極、グランド電極をボンディングワイヤ等の電気的
接続手段８を介して信号線４、電源線５及びグランド線
６に接続し、しかる後、有機樹脂絶縁体３の上面に蓋体
２を樹脂製封止材を介して接合させ、配線基板１の有機
樹脂絶縁体３と蓋体２とから成る容器内部に半導体素子
７を気密に封止することによって製品としての半導体装
置となる。
【００３６】かかる半導体装置は外部リードピン９を外
部電気回路基板の配線導体（不図示）に半田等を介して
接続すれば、容器内部に収容する半導体素子７の信号電
極、電源電極、グランド電極は外部リードピン９、信号
線４、電源線５、グランド線６及びボンディングワイヤ
等の電気的接続手段８を介して外部電気回路基板の配線
導体に接続されることとなり、半導体素子７と外部電気
回路基板の配線導体との間で電気信号の出し入れ及び駆
動電力の供給が可能となる。
部電気回路基板の配線導体（不図示）に半田等を介して
接続すれば、容器内部に収容する半導体素子７の信号電
極、電源電極、グランド電極は外部リードピン９、信号
線４、電源線５、グランド線６及びボンディングワイヤ
等の電気的接続手段８を介して外部電気回路基板の配線
導体に接続されることとなり、半導体素子７と外部電気
回路基板の配線導体との間で電気信号の出し入れ及び駆
動電力の供給が可能となる。
【００３７】本発明においては、有機樹脂絶縁体３内に
形成されているグランド線６より少なくとも一つの補助
グランド線６ａを分岐させ、前記グランド線６と補助グ
ランド線６ａとで信号線４を上下より挟み込むことが重
要である。
形成されているグランド線６より少なくとも一つの補助
グランド線６ａを分岐させ、前記グランド線６と補助グ
ランド線６ａとで信号線４を上下より挟み込むことが重
要である。
【００３８】そのため前述の実施例においては信号線４
の上下に間に有機樹脂絶縁層３ｂを挟んで広面積のグラ
ンド線６と補助グランド線６ａを形成し、かつ該グラン
ド線６と補助グランド線６ａとを有機樹脂絶縁層３ｂに
設けたスルーホール導体を介して電気的に接続してい
る。
の上下に間に有機樹脂絶縁層３ｂを挟んで広面積のグラ
ンド線６と補助グランド線６ａを形成し、かつ該グラン
ド線６と補助グランド線６ａとを有機樹脂絶縁層３ｂに
設けたスルーホール導体を介して電気的に接続してい
る。
【００３９】このようにグランド線６と補助グランド線
６ａとで信号線４を上下より挟み込むと信号線４がグラ
ンド線６と補助グランド線６ａとでシールドされること
となり、その結果、外部近接位置にノイズの発生源があ
ったとしてもそのノイズは信号線４に入り込むことはな
く、これによって半導体素子７を常に正常に作動せるこ
とが可能となる。
６ａとで信号線４を上下より挟み込むと信号線４がグラ
ンド線６と補助グランド線６ａとでシールドされること
となり、その結果、外部近接位置にノイズの発生源があ
ったとしてもそのノイズは信号線４に入り込むことはな
く、これによって半導体素子７を常に正常に作動せるこ
とが可能となる。
【００４０】また本発明においては、前記グランド線６
及び該グランド線６より分岐する補助グランド線６ａの
少なくとも一方に磁性粉末を含有させて磁性領域を形成
しておくことが重要である。
及び該グランド線６より分岐する補助グランド線６ａの
少なくとも一方に磁性粉末を含有させて磁性領域を形成
しておくことが重要である。
【００４１】前記グランド線６及び補助グランド線６ａ
の少なくとも一方に磁性領域を形成しておくと搭載する
半導体素子７の作動に伴う電源電圧の変動によって電源
線５とグランド線６間にノイズが発生したとしてもその
ノイズは磁性領域の磁性粉末で熱エネルギーに変換され
て吸収され、その結果、このノイズが半導体素子７に入
り込むことはなく、半導体素子７を常に正常に作動させ
ることができる。
の少なくとも一方に磁性領域を形成しておくと搭載する
半導体素子７の作動に伴う電源電圧の変動によって電源
線５とグランド線６間にノイズが発生したとしてもその
ノイズは磁性領域の磁性粉末で熱エネルギーに変換され
て吸収され、その結果、このノイズが半導体素子７に入
り込むことはなく、半導体素子７を常に正常に作動させ
ることができる。
【００４２】前記グランド線６及び補助グランド線６ａ
の少なくとも一方に含有される磁性粉末としてはＺｎＦ
ｅ2 Ｏ4 、ＭｎＦｅ2 Ｏ4 、ＦｅＦｅ2 Ｏ4 、ＣｏＦｅ
2 Ｏ4 、ＮｉＦｅ2 Ｏ4 、ＣｕＦｅ2 Ｏ4 等のフェライ
トが好適に使用される。
の少なくとも一方に含有される磁性粉末としてはＺｎＦ
ｅ2 Ｏ4 、ＭｎＦｅ2 Ｏ4 、ＦｅＦｅ2 Ｏ4 、ＣｏＦｅ
2 Ｏ4 、ＮｉＦｅ2 Ｏ4 、ＣｕＦｅ2 Ｏ4 等のフェライ
トが好適に使用される。
【００４３】また前記ＺｎＦｅ2 Ｏ4 、ＭｎＦｅ2 Ｏ4
等のフェライトは中性または還元雰囲気中にて１２００
℃の温度で磁性を失うが、有機樹脂絶縁層３ｂの熱硬化
温度は８０〜２００℃と極めて低いことから有機樹脂絶
縁層３ｂを熱硬化処理によって形成する際、グランド線
６及び補助グランド線６ａに含有させた磁性粉末が磁性
を失うことはなく、これによって電源線５とグランド線
６間に発生したノイズは確実に熱エネルギーに変換され
て吸収することができる。
等のフェライトは中性または還元雰囲気中にて１２００
℃の温度で磁性を失うが、有機樹脂絶縁層３ｂの熱硬化
温度は８０〜２００℃と極めて低いことから有機樹脂絶
縁層３ｂを熱硬化処理によって形成する際、グランド線
６及び補助グランド線６ａに含有させた磁性粉末が磁性
を失うことはなく、これによって電源線５とグランド線
６間に発生したノイズは確実に熱エネルギーに変換され
て吸収することができる。
【００４４】更に前記グランド線６及び補助グランド線
６ａの少なくとも一方に含有される磁性粉末はその量が
１０重量％未満であると電源線５とグランド線６間に発
生したノイズを良好に吸収することができず、また７０
重量％を超えるとグランド線６及び補助グランド線６ａ
の導通抵抗が高くなり、半導体素子７に所定の駆動電力
を遅延なく供給することが困難となる。従って、前記グ
ランド線６及び補助グランド線６ａの少なくとも一方に
含有される磁性粉末はその量を１０乃至７０重量％の範
囲としておくことが好ましい。
６ａの少なくとも一方に含有される磁性粉末はその量が
１０重量％未満であると電源線５とグランド線６間に発
生したノイズを良好に吸収することができず、また７０
重量％を超えるとグランド線６及び補助グランド線６ａ
の導通抵抗が高くなり、半導体素子７に所定の駆動電力
を遅延なく供給することが困難となる。従って、前記グ
ランド線６及び補助グランド線６ａの少なくとも一方に
含有される磁性粉末はその量を１０乃至７０重量％の範
囲としておくことが好ましい。
【００４５】前記磁性粉末のグランド線６及び補助グラ
ンド線６ａへの含有は、例えば、グランド線６及び補助
グランド線６ａをメッキ法によって形成する場合、予め
メッキ浴中に磁性粉末を添加含有させておくことによっ
て行われる。
ンド線６ａへの含有は、例えば、グランド線６及び補助
グランド線６ａをメッキ法によって形成する場合、予め
メッキ浴中に磁性粉末を添加含有させておくことによっ
て行われる。
【００４６】なお、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例におい
ては本発明の配線基板を半導体素子を収容する半導体素
子収納用パッケージに適用した場合の例で説明したが、
これを混成集積回路装置等、他の電子部品が搭載される
配線基板にも適用可能である。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例におい
ては本発明の配線基板を半導体素子を収容する半導体素
子収納用パッケージに適用した場合の例で説明したが、
これを混成集積回路装置等、他の電子部品が搭載される
配線基板にも適用可能である。
【００４７】また上述の実施例において、蓋体２を金属
材で形成するか、或いは金属膜を被着させた絶縁体と
し、金属製蓋体あるいは絶縁体から成る蓋体に被着させ
た金属膜を有機樹脂絶縁体３に設けたグランド線６に電
気的に接続させておけば、半導体素子７を金属製蓋体
（あるいは、絶縁体から成る蓋体に設けた金属膜）とグ
ランド線６とで完全にシールドし、半導体素子７に外部
より直接ノイズが作用して半導体素子７に誤動作を起こ
させるのを有効に防止することができる。従って、前記
蓋体２は金属材で形成するか、あるいは金属膜を被着さ
せた絶縁体とし、金属製蓋体或いは絶縁体から成る蓋体
に被着させた金属膜をグランド線６に電気的に接続させ
ておくことが好ましい。
材で形成するか、或いは金属膜を被着させた絶縁体と
し、金属製蓋体あるいは絶縁体から成る蓋体に被着させ
た金属膜を有機樹脂絶縁体３に設けたグランド線６に電
気的に接続させておけば、半導体素子７を金属製蓋体
（あるいは、絶縁体から成る蓋体に設けた金属膜）とグ
ランド線６とで完全にシールドし、半導体素子７に外部
より直接ノイズが作用して半導体素子７に誤動作を起こ
させるのを有効に防止することができる。従って、前記
蓋体２は金属材で形成するか、あるいは金属膜を被着さ
せた絶縁体とし、金属製蓋体或いは絶縁体から成る蓋体
に被着させた金属膜をグランド線６に電気的に接続させ
ておくことが好ましい。
【００４８】
【発明の効果】本発明の配線基板によれば、信号線、電
源線、グラント線等を薄膜形成技術により形成したこと
から信号線等の線幅を極めて細いものとして高密度に形
成することが可能となる。
源線、グラント線等を薄膜形成技術により形成したこと
から信号線等の線幅を極めて細いものとして高密度に形
成することが可能となる。
【００４９】また本発明の配線基板によれば、信号線を
グランド線と該グランド線より分岐した補助グランド線
とで上下より挟み込み、信号線をグランド線及び補助グ
ランド線でシールドしたことから信号線に外部からノイ
ズが直接作用して入り込むことはなく、これよって搭載
される電子部品を正常、かつ安定に作動させることが可
能となる。
グランド線と該グランド線より分岐した補助グランド線
とで上下より挟み込み、信号線をグランド線及び補助グ
ランド線でシールドしたことから信号線に外部からノイ
ズが直接作用して入り込むことはなく、これよって搭載
される電子部品を正常、かつ安定に作動させることが可
能となる。
【００５０】更に本発明の配線基板によれば、グランド
線及び／または補助グランド線の少なくとも一部にフェ
ライト等の磁性粉末を例えば、１０乃至７０重量％含有
させ、磁性領域を形成したことから搭載する電子部品の
作動に伴う電源電圧の変動によって電源線とグランド線
間に発生したノイズはグランド線及び／または補助グラ
ンド線に含有されている磁性粉末で熱エネルギーに変換
されて吸収され、その結果、半導体素子等の電子部品に
ノイズが入り込むことはなく、半導体素子等の電子部品
を常に正常に作動させることが可能となる。
線及び／または補助グランド線の少なくとも一部にフェ
ライト等の磁性粉末を例えば、１０乃至７０重量％含有
させ、磁性領域を形成したことから搭載する電子部品の
作動に伴う電源電圧の変動によって電源線とグランド線
間に発生したノイズはグランド線及び／または補助グラ
ンド線に含有されている磁性粉末で熱エネルギーに変換
されて吸収され、その結果、半導体素子等の電子部品に
ノイズが入り込むことはなく、半導体素子等の電子部品
を常に正常に作動させることが可能となる。
【００５１】また更に本発明の配線基板によれば有機樹
脂絶縁体を構成するエポキシ樹脂等の有機樹脂材の熱硬
化処理温度が８０〜２００℃と低いことから信号線、電
源線及びグランド線に導電率が高く、融点の低い金、
銀、銅、アルミニウム等を使用することが可能となり、
信号線等を金、銀、銅、アルミニウムで形成すると信号
線を伝わる電気信号は大きな減衰を受けることなく正確
に半導体素子等に伝搬され、これによって半導体素子等
を正常に作動させることができる。
脂絶縁体を構成するエポキシ樹脂等の有機樹脂材の熱硬
化処理温度が８０〜２００℃と低いことから信号線、電
源線及びグランド線に導電率が高く、融点の低い金、
銀、銅、アルミニウム等を使用することが可能となり、
信号線等を金、銀、銅、アルミニウムで形成すると信号
線を伝わる電気信号は大きな減衰を受けることなく正確
に半導体素子等に伝搬され、これによって半導体素子等
を正常に作動させることができる。
【図１】本発明の配線基板を半導体素子を収容する半導
体素子収納用パッケージに適用した場合の一実施例を示
す断面図である。
体素子収納用パッケージに適用した場合の一実施例を示
す断面図である。
１・・・配線基板 ３・・・有機樹脂絶縁体 ３ａ・・有機樹脂絶縁膜 ３ｂ・・搭載部 ４・・・信号線 ５・・・電源線 ６・・・グランド線 ６ａ・・補助グランド線
Claims (3)
- 【請求項１】複数の有機樹脂絶縁層を多層に積層してな
り、表面に電子部品が搭載される搭載部を有する有機樹
脂絶縁体と、前記有機樹脂絶縁層間に配され、前記電子
部品の信号電極、電源電極、グランド電極が電気的に接
続される薄膜形成技術によって形成された信号線、電源
線、グラント線とから成る配線基板であって、前記グラ
ンド線は少なくとも一つの補助グランド線が分岐してお
り、該グランド線と補助グランド線とで前記信号線を上
下より挟み込むとともに前記グランド線及び／又は補助
グランド線の少なくとも一部に磁性粉末を含有させ、磁
性領域を形成したことを特徴とする配線基板。 - 【請求項２】前記グランド線及び／又は補助グランド線
に形成された磁性領域おける磁性粉末の含有量が１０乃
至７０重量％であることを特徴とする請求項１に記載の
配線基板。 - 【請求項３】前記信号線、電源線、グラント線及び補助
グランド線は金、銀、銅、アルミニウムもしくはこれら
の合金を主成分とする金属材から成り、かつ磁性粉末が
フェライトから成ることを特徴とする請求項１に記載の
配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7770498A JPH11274362A (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | 配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7770498A JPH11274362A (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | 配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11274362A true JPH11274362A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=13641298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7770498A Pending JPH11274362A (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | 配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11274362A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1143774A2 (en) * | 2000-04-04 | 2001-10-10 | Tokin Corporation | Wiring board comprising granular magnetic film |
-
1998
- 1998-03-25 JP JP7770498A patent/JPH11274362A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1143774A2 (en) * | 2000-04-04 | 2001-10-10 | Tokin Corporation | Wiring board comprising granular magnetic film |
| EP1143774A3 (en) * | 2000-04-04 | 2002-02-27 | Tokin Corporation | Wiring board comprising granular magnetic film |
| US6653573B2 (en) | 2000-04-04 | 2003-11-25 | Nec Tokin Corporation | Wiring board comprising granular magnetic film |
| US6919772B2 (en) | 2000-04-04 | 2005-07-19 | Nec Tokin Corporation | Wiring board comprising granular magnetic film |
| US6953899B1 (en) | 2000-04-04 | 2005-10-11 | Nec Tokin Corporation | Wiring board comprising granular magnetic film |
| US6956173B2 (en) | 2000-04-04 | 2005-10-18 | Nec Tokin Corporation | Wiring board comprising granular magnetic film |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6370013B1 (en) | Electric element incorporating wiring board | |
| US7025607B1 (en) | Capacitor material with metal component for use in circuitized substrates, circuitized substrate utilizing same, method of making said circuitized substrate, and information handling system utilizing said circuitized substrate | |
| JP3554310B2 (ja) | 電子回路モジュール | |
| JPH11274362A (ja) | 配線基板 | |
| JP3940537B2 (ja) | 多層配線基板 | |
| JPH11233909A (ja) | 配線基板 | |
| JP3085616B2 (ja) | 多層配線基板 | |
| JP3825293B2 (ja) | 多層配線基板 | |
| JP2007200971A (ja) | 多層配線基板 | |
| JP2676107B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
| JPH10215042A (ja) | 多層配線基板 | |
| JP3752409B2 (ja) | 多層配線基板 | |
| JPH11176998A (ja) | 配線基板 | |
| JP2003101239A (ja) | 多層配線基板 | |
| JP2003283148A (ja) | 配線基板 | |
| JPH10322030A (ja) | 多層配線基板 | |
| JP2003197810A (ja) | 電子部品 | |
| JP2001015930A (ja) | 多層配線基板およびその製造方法 | |
| JP2002043762A (ja) | 多層配線基板 | |
| JP2003078103A (ja) | 回路基板 | |
| JPH11238992A (ja) | 配線基板 | |
| JP3615236B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP3232002B2 (ja) | 配線基板 | |
| JPH11233679A (ja) | 多層配線基板 | |
| JPH11238967A (ja) | 配線基板 |