JPH11176998A - 配線基板 - Google Patents
配線基板Info
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- JPH11176998A JPH11176998A JP33730297A JP33730297A JPH11176998A JP H11176998 A JPH11176998 A JP H11176998A JP 33730297 A JP33730297 A JP 33730297A JP 33730297 A JP33730297 A JP 33730297A JP H11176998 A JPH11176998 A JP H11176998A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体素子の外部電気回路基板よりノイズが入
り込み、半導体素子が誤動作する。 【解決手段】厚み方向に複数個の貫通孔３を有する絶縁
基体１と、前記貫通孔３内に充填され、一端が絶縁基体
１の上面に導出されて半導体素子４の電極４ａが接続さ
れる上部接続パッド２ａを形成し、他端が絶縁基体１の
下面に導出されて外部電気回路基板５の配線導体５ａが
接続される下部接続パッド２ｂを形成する複数個の配線
層２とから成る配線基板であって、前記絶縁基体１はＳ
ｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶
性ガラスから成り、かつ少なくとも貫通孔３周辺に磁性
材料が含有させた。
り込み、半導体素子が誤動作する。 【解決手段】厚み方向に複数個の貫通孔３を有する絶縁
基体１と、前記貫通孔３内に充填され、一端が絶縁基体
１の上面に導出されて半導体素子４の電極４ａが接続さ
れる上部接続パッド２ａを形成し、他端が絶縁基体１の
下面に導出されて外部電気回路基板５の配線導体５ａが
接続される下部接続パッド２ｂを形成する複数個の配線
層２とから成る配線基板であって、前記絶縁基体１はＳ
ｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶
性ガラスから成り、かつ少なくとも貫通孔３周辺に磁性
材料が含有させた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩ（大規模集
積回路素子）等の半導体素子が搭載接続される配線基板
に関するものである。
積回路素子）等の半導体素子が搭載接続される配線基板
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子が搭載接続される外部
電気回路基板は酸化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁
材料から成る絶縁基体と、該絶縁基体の表面及び内部に
形成され、タングステン、モリブデン、マンガン等の金
属材料から成る複数個の配線導体とで構成されている。
電気回路基板は酸化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁
材料から成る絶縁基体と、該絶縁基体の表面及び内部に
形成され、タングステン、モリブデン、マンガン等の金
属材料から成る複数個の配線導体とで構成されている。
【０００３】かかる外部電気回路基板は一般にＭｏーＭ
ｎ法等の厚膜形成技術を採用することによって形成さ
れ、具体的には、タングステン、モリブデン、マンガン
等の高融点金属から成る金属粉末に有機バインダー、溶
剤等を添加し、ペースト状となした金属ペーストを生も
しくは焼結セラミック体の外表面にスクリーン印刷法に
より配線導体となる所定パターンに印刷塗布し、次にこ
れを還元雰囲気中で焼成し、高融点金属とセラミック体
とを焼結一体化させることによって形成されている。
ｎ法等の厚膜形成技術を採用することによって形成さ
れ、具体的には、タングステン、モリブデン、マンガン
等の高融点金属から成る金属粉末に有機バインダー、溶
剤等を添加し、ペースト状となした金属ペーストを生も
しくは焼結セラミック体の外表面にスクリーン印刷法に
より配線導体となる所定パターンに印刷塗布し、次にこ
れを還元雰囲気中で焼成し、高融点金属とセラミック体
とを焼結一体化させることによって形成されている。
【０００４】また近時、電子機器の小型化に対応して外
部電気回路基板も小型にして、かつ配線導体を高密度に
形成することが要求されるようになってきており、これ
に対応するために配線導体を厚膜形成技術で形成するの
に変えて微細配線が可能な薄膜形成技術で形成した外部
電気回路基板も使用されるようになってきた。
部電気回路基板も小型にして、かつ配線導体を高密度に
形成することが要求されるようになってきており、これ
に対応するために配線導体を厚膜形成技術で形成するの
に変えて微細配線が可能な薄膜形成技術で形成した外部
電気回路基板も使用されるようになってきた。
【０００５】この配線導体を薄膜形成技術で形成した外
部電気回路基板は、絶縁基体上に、例えば、窒化タンタ
ルやニッケル・クロム合金等から成る接着層と、ニッケ
ル・クロム合金やチタン・タングステン合金、ニッケ
ル、パラジウム等から成る中間層と、金や銅等から成る
主導体層をイオンプレーティング法やスパッタリング
法、蒸着法、メッキ法等の薄膜形成技術を採用すること
によって順次被着させ、次に、これらの各層をフォトリ
ソグラフィー技術で所定パターンに加工し、配線導体と
することによって形成されている。
部電気回路基板は、絶縁基体上に、例えば、窒化タンタ
ルやニッケル・クロム合金等から成る接着層と、ニッケ
ル・クロム合金やチタン・タングステン合金、ニッケ
ル、パラジウム等から成る中間層と、金や銅等から成る
主導体層をイオンプレーティング法やスパッタリング
法、蒸着法、メッキ法等の薄膜形成技術を採用すること
によって順次被着させ、次に、これらの各層をフォトリ
ソグラフィー技術で所定パターンに加工し、配線導体と
することによって形成されている。
【０００６】かかる外部電気回路基板は、絶縁基体の上
面に、下面に電極を有する半導体素子が載置され、絶縁
基体上面の配線導体と半導体素子の下面の電極とを半田
等を介し接合させることによって半導体素子が搭載接続
されることとなり、配線導体を介して半導体素子に所定
の電気信号を出し入れすることによって半導体素子が駆
動する。
面に、下面に電極を有する半導体素子が載置され、絶縁
基体上面の配線導体と半導体素子の下面の電極とを半田
等を介し接合させることによって半導体素子が搭載接続
されることとなり、配線導体を介して半導体素子に所定
の電気信号を出し入れすることによって半導体素子が駆
動する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
情報処理装置は高性能化が急激に進展し、これに伴って
半導体素子も高速駆動が行われ、ノイズの影響を極めて
受け易いものになってきたこと、従来の外部電気回路基
板はタングステン、モリブデン等から成る配線導体が高
調波のノイズを伝搬させ易いこと等から配線基板の配線
導体に高調波のノイズが入り込んだ場合、このノイズが
そのまま配線導体を介して半導体素子に入り込み、半導
体素子を誤動作させるという欠点を有していた。
情報処理装置は高性能化が急激に進展し、これに伴って
半導体素子も高速駆動が行われ、ノイズの影響を極めて
受け易いものになってきたこと、従来の外部電気回路基
板はタングステン、モリブデン等から成る配線導体が高
調波のノイズを伝搬させ易いこと等から配線基板の配線
導体に高調波のノイズが入り込んだ場合、このノイズが
そのまま配線導体を介して半導体素子に入り込み、半導
体素子を誤動作させるという欠点を有していた。
【０００８】本発明は、上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は、半導体素子と従来の外部電気回路基板
との間に配され、外部電気回路基板の配線導体に入り込
んだノイズがそのまま半導体素子に入り込むのを有効に
防止し、半導体素子を長期間にわたり正常に作動させる
ことができる配線基板を提供することにある。
で、その目的は、半導体素子と従来の外部電気回路基板
との間に配され、外部電気回路基板の配線導体に入り込
んだノイズがそのまま半導体素子に入り込むのを有効に
防止し、半導体素子を長期間にわたり正常に作動させる
ことができる配線基板を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、厚み方向に複
数個の貫通孔を有する絶縁基体と、前記貫通孔内に充填
され、一端が絶縁基体の上面に導出されて半導体素子の
電極が接続される上部接続パッドを形成し、他端が絶縁
基体の下面に導出されて外部電気回路基板の配線導体が
接続される下部接続パッドを形成する複数個の配線層と
から成る配線基板であって、前記絶縁基体はＳｉＯ2 ー
Ａｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3系結晶性ガラス
から成り、かつ少なくとも貫通孔周辺に磁性材料が含有
されていることを特徴とするものである。
数個の貫通孔を有する絶縁基体と、前記貫通孔内に充填
され、一端が絶縁基体の上面に導出されて半導体素子の
電極が接続される上部接続パッドを形成し、他端が絶縁
基体の下面に導出されて外部電気回路基板の配線導体が
接続される下部接続パッドを形成する複数個の配線層と
から成る配線基板であって、前記絶縁基体はＳｉＯ2 ー
Ａｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3系結晶性ガラス
から成り、かつ少なくとも貫通孔周辺に磁性材料が含有
されていることを特徴とするものである。
【００１０】また本発明は前記磁性材料の含有量が５０
〜９０重量％であることを特徴とするものである。
〜９０重量％であることを特徴とするものである。
【００１１】更に本発明は、前記絶縁基体に、外添加で
１０〜４０重量部の無機物フィラーを含有させたことを
特徴とするものである。
１０〜４０重量部の無機物フィラーを含有させたことを
特徴とするものである。
【００１２】本発明の配線基板によれば、絶縁基体をＳ
ｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶
性ガラスで形成するとともに配線層が配される少なくと
も貫通孔周辺に磁性材料を含有させたことから絶縁基体
に設けた配線層にノイズが伝搬した場合、そのノイズは
磁性材料で熱エネルギーに変換されて吸収され、その結
果、ノイズが半導体素子に入り込むことはなく、半導体
素子を常に正常に作動させることが可能となる。
ｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶
性ガラスで形成するとともに配線層が配される少なくと
も貫通孔周辺に磁性材料を含有させたことから絶縁基体
に設けた配線層にノイズが伝搬した場合、そのノイズは
磁性材料で熱エネルギーに変換されて吸収され、その結
果、ノイズが半導体素子に入り込むことはなく、半導体
素子を常に正常に作動させることが可能となる。
【００１３】また本発明の配線基板によれば、絶縁基体
を形成するＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ
2 Ｏ3 系結晶性ガラスの焼成温度が８００〜１０５０℃
であり、低いことからこの結晶性ガラス中に磁性材料を
含有させて焼成しても磁性材料は磁性を失うことはな
く、ノイズを良好に吸収することが可能となる。
を形成するＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ
2 Ｏ3 系結晶性ガラスの焼成温度が８００〜１０５０℃
であり、低いことからこの結晶性ガラス中に磁性材料を
含有させて焼成しても磁性材料は磁性を失うことはな
く、ノイズを良好に吸収することが可能となる。
【００１４】同時にガラスセラミック焼結体の焼成温度
が低いことから銅、銀、金等の融点が低くく、導通抵抗
の低い材料から成る配線層を同時焼成によって形成する
ことが可能となり、配線層を電気信号が伝搬した際、電
気信号に減衰等が生じるのを有効に防止して半導体素子
を正確に作動させることもできる。
が低いことから銅、銀、金等の融点が低くく、導通抵抗
の低い材料から成る配線層を同時焼成によって形成する
ことが可能となり、配線層を電気信号が伝搬した際、電
気信号に減衰等が生じるのを有効に防止して半導体素子
を正確に作動させることもできる。
【００１５】更に絶縁基体に無機物フィラーを外添加で
１０〜４０重量部の範囲で含有させると絶縁基体の機械
的強度が強くなり、外力印加によって破損等が招来する
のを有効に防止することもできる。
１０〜４０重量部の範囲で含有させると絶縁基体の機械
的強度が強くなり、外力印加によって破損等が招来する
のを有効に防止することもできる。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に本発明を添付図面に基づき詳
細に説明する。図１は本発明の配線基板の一実施例を示
し、１は絶縁基体、２は配線層である。
細に説明する。図１は本発明の配線基板の一実施例を示
し、１は絶縁基体、２は配線層である。
【００１７】前記絶縁基体１はＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ー
ＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスから成り、そ
の厚み方向に貫通する複数個の貫通孔３が形成されてお
り、該貫通孔３内には銅、銀、金等から成る導通抵抗の
小さい金属材料から成る配線層２が形成されている。
ＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスから成り、そ
の厚み方向に貫通する複数個の貫通孔３が形成されてお
り、該貫通孔３内には銅、銀、金等から成る導通抵抗の
小さい金属材料から成る配線層２が形成されている。
【００１８】前記ＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎ
ＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスから成る絶縁基体１は、例
えば、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＺｎＯ、Ｂ2 Ｏ
3 から成るガラス成分粉末に適当な有機バインダー、溶
剤、可塑剤等を添加混合して泥漿状となすとともにこれ
を従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法
等を採用しシート状に成形することによって複数枚のグ
リーンシート（生シート）を得、次に、前記グリーンシ
ートに適当な打ち抜き加工を施すとともに所定の順に上
下に積層して生成形体となすとともに該生成形体を８０
０〜１０５０℃の温度で焼成することによって製作され
る。
ＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスから成る絶縁基体１は、例
えば、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＺｎＯ、Ｂ2 Ｏ
3 から成るガラス成分粉末に適当な有機バインダー、溶
剤、可塑剤等を添加混合して泥漿状となすとともにこれ
を従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法
等を採用しシート状に成形することによって複数枚のグ
リーンシート（生シート）を得、次に、前記グリーンシ
ートに適当な打ち抜き加工を施すとともに所定の順に上
下に積層して生成形体となすとともに該生成形体を８０
０〜１０５０℃の温度で焼成することによって製作され
る。
【００１９】また前記絶縁基体１に形成されている貫通
孔３は、焼成によって絶縁基体１となるグリーンシート
（生シート）に従来周知の金型によるパンチング孔開け
加工法を採用することによって、例えば、直径８０μｍ
〜２５０μｍに形成される。
孔３は、焼成によって絶縁基体１となるグリーンシート
（生シート）に従来周知の金型によるパンチング孔開け
加工法を採用することによって、例えば、直径８０μｍ
〜２５０μｍに形成される。
【００２０】前記絶縁基体１に形成した貫通孔３内には
配線層２が形成されており、該配線層２は外部電気回路
基板５の配線導体５ａと半導体素子４の電極４ａとを電
気的に接続する作用をなし、配線層２の一端を絶縁基体
１の上面に導出させて上部接続パッド２ａを形成すると
ともに、他端を絶縁基体１の下面に導出されて下部接続
パッド２ｂを形成し、上部接続パッド２ａに半導体素子
４の電極４ａを半田等から成る導電性接合材６を介して
接合させ、下部接続パッド２ｂに外部電気回路基板５の
配線導体５ａを半田等から成る導電性接合材７を介して
接合させれば半導体素子４の電極４ａは配線層２を介し
て外部電気回路基板５の配線導体５ａに接続されること
となり、これによって外部電気回路より半導体素子４に
電気信号が出し入れし、半導体素子４を作動させること
ができる。
配線層２が形成されており、該配線層２は外部電気回路
基板５の配線導体５ａと半導体素子４の電極４ａとを電
気的に接続する作用をなし、配線層２の一端を絶縁基体
１の上面に導出させて上部接続パッド２ａを形成すると
ともに、他端を絶縁基体１の下面に導出されて下部接続
パッド２ｂを形成し、上部接続パッド２ａに半導体素子
４の電極４ａを半田等から成る導電性接合材６を介して
接合させ、下部接続パッド２ｂに外部電気回路基板５の
配線導体５ａを半田等から成る導電性接合材７を介して
接合させれば半導体素子４の電極４ａは配線層２を介し
て外部電気回路基板５の配線導体５ａに接続されること
となり、これによって外部電気回路より半導体素子４に
電気信号が出し入れし、半導体素子４を作動させること
ができる。
【００２１】前記配線層２は銅、銀、金等の融点が低
く、導通抵抗の小さい金属材料によって形成されてお
り、銅、銀、金等の金属粉末に有機バインダー、溶剤、
可塑材等を添加混合して金属ペーストを作成し、この金
属ペーストを焼成によって絶縁基体１となるグリーンシ
ート（生シート）に設けた貫通孔内に充填しておき、グ
リーンシートの焼成と同時焼成によって絶縁基体１の貫
通孔３内に形成される。この場合、ＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ
3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスはその焼
成温度が８００〜１０５０℃と低いため、絶縁基体１の
焼成時に金属ペーストの金属粉末が気散してしまうこと
はなく、絶縁基体１と同時焼成によって絶縁基体１の貫
通孔３内に形成することができる。
く、導通抵抗の小さい金属材料によって形成されてお
り、銅、銀、金等の金属粉末に有機バインダー、溶剤、
可塑材等を添加混合して金属ペーストを作成し、この金
属ペーストを焼成によって絶縁基体１となるグリーンシ
ート（生シート）に設けた貫通孔内に充填しておき、グ
リーンシートの焼成と同時焼成によって絶縁基体１の貫
通孔３内に形成される。この場合、ＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ
3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスはその焼
成温度が８００〜１０５０℃と低いため、絶縁基体１の
焼成時に金属ペーストの金属粉末が気散してしまうこと
はなく、絶縁基体１と同時焼成によって絶縁基体１の貫
通孔３内に形成することができる。
【００２２】なお、前記配線層２は銅、銀、金等の導通
抵抗が低い金属材料で形成されていることから配線層２
を電気信号が伝搬しても電気信号に減衰等が生じるのを
有効に防止することができ、その結果、半導体素子４を
正確に作動させることができる。
抵抗が低い金属材料で形成されていることから配線層２
を電気信号が伝搬しても電気信号に減衰等が生じるのを
有効に防止することができ、その結果、半導体素子４を
正確に作動させることができる。
【００２３】また前記貫通孔３内に配線層２を有する絶
縁基体１は、その内部にＺｎＦｅ2Ｏ4 、ＭｎＦｅ2 Ｏ
4 、ＦｅＦｅ2 Ｏ4 、ＣｏＦｅ2 Ｏ4 、ＮｉＦｅ
2 Ｏ4 、ＣｕＦｅ2 Ｏ4 の少なくとも１種から成る磁性
材料が含有されており、該磁性材料は配線層２に外部電
気回路から入り込んだ高調波ノイズが伝搬した場合、そ
のノイズを熱エネルギーに変換して吸収し、ノイズが半
導体素子に入り込むのを有効に防止する作用をなし、こ
れによって半導体素子は常に正常に作動させることが可
能となる。
縁基体１は、その内部にＺｎＦｅ2Ｏ4 、ＭｎＦｅ2 Ｏ
4 、ＦｅＦｅ2 Ｏ4 、ＣｏＦｅ2 Ｏ4 、ＮｉＦｅ
2 Ｏ4 、ＣｕＦｅ2 Ｏ4 の少なくとも１種から成る磁性
材料が含有されており、該磁性材料は配線層２に外部電
気回路から入り込んだ高調波ノイズが伝搬した場合、そ
のノイズを熱エネルギーに変換して吸収し、ノイズが半
導体素子に入り込むのを有効に防止する作用をなし、こ
れによって半導体素子は常に正常に作動させることが可
能となる。
【００２４】前記磁性材料は、例えば、焼成によって絶
縁基体１となるグリーンシートに、ＺｎＦｅ2 Ｏ4 、Ｍ
ｎＦｅ2 Ｏ4 、ＦｅＦｅ2 Ｏ4 、ＣｏＦｅ2 Ｏ4 、Ｎｉ
Ｆｅ2 Ｏ4 、ＣｕＦｅ2 Ｏ4 の少なくとも１種から成る
磁性粉末を添加含有させておくことによって絶縁基体１
内に含有される。
縁基体１となるグリーンシートに、ＺｎＦｅ2 Ｏ4 、Ｍ
ｎＦｅ2 Ｏ4 、ＦｅＦｅ2 Ｏ4 、ＣｏＦｅ2 Ｏ4 、Ｎｉ
Ｆｅ2 Ｏ4 、ＣｕＦｅ2 Ｏ4 の少なくとも１種から成る
磁性粉末を添加含有させておくことによって絶縁基体１
内に含有される。
【００２５】前記磁性材料を含有する絶縁基体１、即
ち、ＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3
系結晶性ガラスと、磁性材料とより成る絶縁基体１はＳ
ｉＯ2ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶
性ガラスの量が１０重量％未満、言い換えると磁性材料
が９０重量％を超えたものとなるとＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ
3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスの焼成温
度が高いものとなって銅等の金属材料から成る配線層２
と同時に焼成するのが困難となり、またＳｉＯ2ーＡｌ
2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスの量
が５０重量％を超え、言い換えると磁性材料が５０重量
％未満となると、絶縁基体１に設けた配線層２に外部電
気回路基板５の配線導体５ａよりノイズが入り込んだ場
合、ノイズを良好に吸収することができず、半導体素子
４に誤動作を起こさせてしまう。従って、前記ＳｉＯ2
ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラ
スに磁性材料を含有させた絶縁基体１は、ＳｉＯ2 ーＡ
ｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスの
量を１０〜５０重量％の範囲に、磁性材料の量を５０〜
９０重量％の範囲にしておくことが好ましい。
ち、ＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3
系結晶性ガラスと、磁性材料とより成る絶縁基体１はＳ
ｉＯ2ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶
性ガラスの量が１０重量％未満、言い換えると磁性材料
が９０重量％を超えたものとなるとＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ
3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスの焼成温
度が高いものとなって銅等の金属材料から成る配線層２
と同時に焼成するのが困難となり、またＳｉＯ2ーＡｌ
2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスの量
が５０重量％を超え、言い換えると磁性材料が５０重量
％未満となると、絶縁基体１に設けた配線層２に外部電
気回路基板５の配線導体５ａよりノイズが入り込んだ場
合、ノイズを良好に吸収することができず、半導体素子
４に誤動作を起こさせてしまう。従って、前記ＳｉＯ2
ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラ
スに磁性材料を含有させた絶縁基体１は、ＳｉＯ2 ーＡ
ｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスの
量を１０〜５０重量％の範囲に、磁性材料の量を５０〜
９０重量％の範囲にしておくことが好ましい。
【００２６】前記磁性材料はまたその粒径が０．５μｍ
未満となると、焼成によって絶縁基体１を製作する際、
ＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結
晶性ガラスとの反応が進行し、磁性材料の残存率が低下
してノイズを効果的に吸収することができなくなり、ま
た１０μｍを超えるとＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯー
ＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスの焼成温度が高いもの
となって銅等の金属材料から成る配線層２と同時に焼成
するのが困難となる。従って、前記磁性材料はその粒径
を０．５μｍ〜１０μｍの範囲としておくことが好まし
い。
未満となると、焼成によって絶縁基体１を製作する際、
ＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結
晶性ガラスとの反応が進行し、磁性材料の残存率が低下
してノイズを効果的に吸収することができなくなり、ま
た１０μｍを超えるとＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯー
ＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスの焼成温度が高いもの
となって銅等の金属材料から成る配線層２と同時に焼成
するのが困難となる。従って、前記磁性材料はその粒径
を０．５μｍ〜１０μｍの範囲としておくことが好まし
い。
【００２７】本発明の配線基板においては絶縁基体１を
ＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結
晶性ガラスで形成することが重要である。
ＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結
晶性ガラスで形成することが重要である。
【００２８】このＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎ
ＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスは、例えば、ＳｉＯ2 ：４
０〜４６重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ：２５〜３０重量％、Ｍｇ
Ｏ：８〜１３重量％、ＺｎＯ：６〜９重量％、Ｂ
2 Ｏ3 ：８〜１１重量％で形成されている。
ＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスは、例えば、ＳｉＯ2 ：４
０〜４６重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ：２５〜３０重量％、Ｍｇ
Ｏ：８〜１３重量％、ＺｎＯ：６〜９重量％、Ｂ
2 Ｏ3 ：８〜１１重量％で形成されている。
【００２９】前記ＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎ
ＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスは、焼成時にガーナイト
（ＺｎＯ・Ａｌ2 Ｏ3 ）、コージェライト（２ＭｇＯ・
２Ａｌ2 Ｏ3 ）、スピネル型結晶相（ＭｇＯ・Ａｌ2 Ｏ
3 、ＺｎＯ・Ａｌ2 Ｏ3 ）等の結晶相を生成するが、こ
れらの結晶相の生成により絶縁基体１の強度が向上する
という性質を持っている。
ＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスは、焼成時にガーナイト
（ＺｎＯ・Ａｌ2 Ｏ3 ）、コージェライト（２ＭｇＯ・
２Ａｌ2 Ｏ3 ）、スピネル型結晶相（ＭｇＯ・Ａｌ2 Ｏ
3 、ＺｎＯ・Ａｌ2 Ｏ3 ）等の結晶相を生成するが、こ
れらの結晶相の生成により絶縁基体１の強度が向上する
という性質を持っている。
【００３０】また前記ＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯー
ＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスはその焼成温度が８０
０〜１０５０℃と低いことから、配線層２を銅、銀、金
等の融点が低くく、導通抵抗の低い材料としても絶縁基
体１と同時焼成によって形成することが可能となり、配
線層２を電気信号が伝搬した際、電気信号に減衰等が生
じるのを有効に防止して半導体素子４を正確に作動させ
ることができる。
ＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスはその焼成温度が８０
０〜１０５０℃と低いことから、配線層２を銅、銀、金
等の融点が低くく、導通抵抗の低い材料としても絶縁基
体１と同時焼成によって形成することが可能となり、配
線層２を電気信号が伝搬した際、電気信号に減衰等が生
じるのを有効に防止して半導体素子４を正確に作動させ
ることができる。
【００３１】更に前記ＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯー
ＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスの焼成温度が８００〜
１０５０℃と低いことから焼成時に磁性材料を含有させ
ておいても磁性材料の磁性が失われることはなく、これ
によって配線層２に入り込んだノイズを良好に吸収する
ことが可能となる。
ＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスの焼成温度が８００〜
１０５０℃と低いことから焼成時に磁性材料を含有させ
ておいても磁性材料の磁性が失われることはなく、これ
によって配線層２に入り込んだノイズを良好に吸収する
ことが可能となる。
【００３２】前記ＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎ
ＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスはまたその比誘電率が約５
（室温１ＭＨｚ）と低くく、そのため絶縁基体１の貫通
孔３内に配されている配線層２に電気信号を伝搬させて
も伝搬遅延を招来することはなく、これによって配線層
２に高速で電気信号を伝搬させることが可能となる。
ＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスはまたその比誘電率が約５
（室温１ＭＨｚ）と低くく、そのため絶縁基体１の貫通
孔３内に配されている配線層２に電気信号を伝搬させて
も伝搬遅延を招来することはなく、これによって配線層
２に高速で電気信号を伝搬させることが可能となる。
【００３３】なお、前記ＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯ
ーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスは、ＳｉＯ2 の量が
４０重量％未満、或いは４６重量％を超えるとＳｉＯ2
ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラ
スの焼成温度が高いものとなって銅等の金属材料から成
る配線層２と同時に焼成するのが困難となる。従って、
ＳｉＯ2 の量は４０〜４６重量％の範囲としておくこと
が好ましい。
ーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスは、ＳｉＯ2 の量が
４０重量％未満、或いは４６重量％を超えるとＳｉＯ2
ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラ
スの焼成温度が高いものとなって銅等の金属材料から成
る配線層２と同時に焼成するのが困難となる。従って、
ＳｉＯ2 の量は４０〜４６重量％の範囲としておくこと
が好ましい。
【００３４】またＡｌ2 Ｏ3 の量が２５重量％未満、或
いは３０重量％を超えるとＳｉＯ2ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇ
ＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスの焼成温度が高い
ものとなって銅等の金属材料から成る配線層２と同時に
焼成するのが困難となる。従って、Ａｌ2 Ｏ3 の量は２
５〜３０重量％の範囲としておくことが好ましい。
いは３０重量％を超えるとＳｉＯ2ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇ
ＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスの焼成温度が高い
ものとなって銅等の金属材料から成る配線層２と同時に
焼成するのが困難となる。従って、Ａｌ2 Ｏ3 の量は２
５〜３０重量％の範囲としておくことが好ましい。
【００３５】またＭｇＯの量が８重量％未満となると焼
成によってＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ
2 Ｏ3 系結晶性ガラスから成る絶縁基体１を製作する
際、生成するコージェライト（２ＭｇＯ・２Ａｌ
2 Ｏ3 ）の量が少なくなって絶縁基体１の強度を大きく
向上させることができず、また１３重量％を超えるとＳ
ｉＯ2ーAl2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガ
ラスの焼成温度が高いものとなって銅等の金属材料から
成る配線層２と同時に焼成するのが困難となる。従っ
て、ＭｇＯの量は８〜１３重量％の範囲としておくこと
が好ましい。
成によってＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ
2 Ｏ3 系結晶性ガラスから成る絶縁基体１を製作する
際、生成するコージェライト（２ＭｇＯ・２Ａｌ
2 Ｏ3 ）の量が少なくなって絶縁基体１の強度を大きく
向上させることができず、また１３重量％を超えるとＳ
ｉＯ2ーAl2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガ
ラスの焼成温度が高いものとなって銅等の金属材料から
成る配線層２と同時に焼成するのが困難となる。従っ
て、ＭｇＯの量は８〜１３重量％の範囲としておくこと
が好ましい。
【００３６】またＺｎＯの量が６重量％未満となると焼
成によってＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ
2 Ｏ3 系結晶性ガラスから成る絶縁基体１を製作する
際、生成するガーナイト（ＺｎＯ・Ａｌ2 Ｏ3 ）の量が
少なくなって絶縁基体１の強度を大きく向上させること
ができず、また９重量％を超えるとＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ
3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスの焼成温
度が高いものとなって銅等の金属材料から成る配線層２
と同時に焼成するのが困難となる。従って、ＺｎＯの量
は６〜９重量％の範囲としておくことが好ましい。
成によってＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ
2 Ｏ3 系結晶性ガラスから成る絶縁基体１を製作する
際、生成するガーナイト（ＺｎＯ・Ａｌ2 Ｏ3 ）の量が
少なくなって絶縁基体１の強度を大きく向上させること
ができず、また９重量％を超えるとＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ
3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスの焼成温
度が高いものとなって銅等の金属材料から成る配線層２
と同時に焼成するのが困難となる。従って、ＺｎＯの量
は６〜９重量％の範囲としておくことが好ましい。
【００３７】またＢ2 Ｏ3 の量が８重量％未満となると
焼成によってＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3ーＭｇＯーＺｎＯー
Ｂ2 Ｏ3 系結晶性ガラスから成る絶縁基体１を製作する
際、ガーナイト（ＺｎＯ・Ａｌ2 Ｏ3 ）、コージェライ
ト（２ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3）、スピネル型結晶相（Ｍ
ｇＯ・Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｎＯ・Ａｌ2 Ｏ3 ）等の結晶相が
過剰に生成され、絶縁基体１が多孔質のものとなって配
線基板として不向きとなり、また１１重量％を超えると
耐薬品性が大きく劣化して配線基板としての信頼性が大
きく低下してしまう。従って、Ｂ2 Ｏ3 の量は８〜１１
重量％の範囲としておくことが好ましい。
焼成によってＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3ーＭｇＯーＺｎＯー
Ｂ2 Ｏ3 系結晶性ガラスから成る絶縁基体１を製作する
際、ガーナイト（ＺｎＯ・Ａｌ2 Ｏ3 ）、コージェライ
ト（２ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3）、スピネル型結晶相（Ｍ
ｇＯ・Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｎＯ・Ａｌ2 Ｏ3 ）等の結晶相が
過剰に生成され、絶縁基体１が多孔質のものとなって配
線基板として不向きとなり、また１１重量％を超えると
耐薬品性が大きく劣化して配線基板としての信頼性が大
きく低下してしまう。従って、Ｂ2 Ｏ3 の量は８〜１１
重量％の範囲としておくことが好ましい。
【００３８】更に前記ＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯー
ＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスはその内部に無機物フ
ィラー，具体的にはアルミナ、シリカ、窒化珪素、窒化
アルミニウム等の粉末を外添加で１０〜４０重量部添加
含有させておくと機械的強度が大幅に向上し、外力印加
によって破損等を招来するのが有効に防止される。従っ
て、絶縁基体１の機械的強度を向上させ、外力印加によ
って破損等を招来しないようにするのは前記ＳｉＯ2 ー
Ａｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラス
に無機物フィラーを外添加で１０〜４０重量部添加含有
させて絶縁基体１を形成することが好ましい。
ＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラスはその内部に無機物フ
ィラー，具体的にはアルミナ、シリカ、窒化珪素、窒化
アルミニウム等の粉末を外添加で１０〜４０重量部添加
含有させておくと機械的強度が大幅に向上し、外力印加
によって破損等を招来するのが有効に防止される。従っ
て、絶縁基体１の機械的強度を向上させ、外力印加によ
って破損等を招来しないようにするのは前記ＳｉＯ2 ー
Ａｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラス
に無機物フィラーを外添加で１０〜４０重量部添加含有
させて絶縁基体１を形成することが好ましい。
【００３９】前記無機物フィラーは更にその粒径を０．
５〜５μｍの範囲としておくとガラスセラミック焼結体
中に均一に分散含有させて絶縁基体１の機械的強度を均
一に向上させることができる。従って、前記無機物フィ
ラーはその粒径を０．５〜５μｍの範囲としておくこと
が好ましい。
５〜５μｍの範囲としておくとガラスセラミック焼結体
中に均一に分散含有させて絶縁基体１の機械的強度を均
一に向上させることができる。従って、前記無機物フィ
ラーはその粒径を０．５〜５μｍの範囲としておくこと
が好ましい。
【００４０】なお、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例におい
ては絶縁基体１の全体に磁性材料を含有させたが、磁性
材料を絶縁基体１の貫通孔３周辺のみに含有させてもよ
い。この場合、磁性材料が含有される領域のＳｉＯ2ー
Ａｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラス
の量を１０〜５０の範囲とし、磁性材料の量を５０〜９
０重量％の範囲としておけばよい。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例におい
ては絶縁基体１の全体に磁性材料を含有させたが、磁性
材料を絶縁基体１の貫通孔３周辺のみに含有させてもよ
い。この場合、磁性材料が含有される領域のＳｉＯ2ー
Ａｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性ガラス
の量を１０〜５０の範囲とし、磁性材料の量を５０〜９
０重量％の範囲としておけばよい。
【００４１】また上述の実施例では複数のグリーンシー
トを積層した成形体を焼成して絶縁基体１を作成した
が、これをプレス成形等によって成形した１つの成形体
を焼成して作成してもよい。また同時に複数のグリーン
シートを積層した成形体を焼成して絶縁基体１を作成す
る際、ＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ
3 系結晶性ガラスに磁性材料を含有させたものと、Ｓｉ
Ｏ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性
ガラスに無機物フィラーを含有させたものとを多層に配
して作成してもよい。
トを積層した成形体を焼成して絶縁基体１を作成した
が、これをプレス成形等によって成形した１つの成形体
を焼成して作成してもよい。また同時に複数のグリーン
シートを積層した成形体を焼成して絶縁基体１を作成す
る際、ＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ
3 系結晶性ガラスに磁性材料を含有させたものと、Ｓｉ
Ｏ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結晶性
ガラスに無機物フィラーを含有させたものとを多層に配
して作成してもよい。
【００４２】
【発明の効果】本発明の配線基板によれば、絶縁基体を
ＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結
晶性ガラスで形成するとともに配線層が配される少なく
とも貫通孔周辺に磁性材料を含有させたことから絶縁基
体に設けた配線層にノイズが伝搬した場合、そのノイズ
は磁性材料で熱エネルギーに変換されて吸収され、その
結果、ノイズが半導体素子に入り込むことはなく、半導
体素子を常に正常に作動させることが可能となる。
ＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ2 Ｏ3 系結
晶性ガラスで形成するとともに配線層が配される少なく
とも貫通孔周辺に磁性材料を含有させたことから絶縁基
体に設けた配線層にノイズが伝搬した場合、そのノイズ
は磁性材料で熱エネルギーに変換されて吸収され、その
結果、ノイズが半導体素子に入り込むことはなく、半導
体素子を常に正常に作動させることが可能となる。
【００４３】また本発明の配線基板によれば、絶縁基体
を形成するＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ
2 Ｏ3 系結晶性ガラスの焼成温度が８００〜１０５０℃
であり、低いことからこの結晶性ガラス中に磁性材料を
含有させて焼成しても磁性材料は磁性を失うことはな
く、ノイズを良好に吸収することが可能となる。
を形成するＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯーＢ
2 Ｏ3 系結晶性ガラスの焼成温度が８００〜１０５０℃
であり、低いことからこの結晶性ガラス中に磁性材料を
含有させて焼成しても磁性材料は磁性を失うことはな
く、ノイズを良好に吸収することが可能となる。
【００４４】同時にガラスセラミック焼結体の焼成温度
が低いことから銅、銀、金等の融点が低くく、導通抵抗
の低い材料から成る配線層を同時焼成によって形成する
ことが可能となり、配線層を電気信号が伝搬した際、電
気信号に減衰等が生じるのを有効に防止して半導体素子
を正確に作動させることもできる。
が低いことから銅、銀、金等の融点が低くく、導通抵抗
の低い材料から成る配線層を同時焼成によって形成する
ことが可能となり、配線層を電気信号が伝搬した際、電
気信号に減衰等が生じるのを有効に防止して半導体素子
を正確に作動させることもできる。
【００４５】更に絶縁基体に無機物フィラーを外添加で
１０〜４０重量部の範囲で含有させると絶縁基体の機械
的強度が強くなり、外力印加によって破損等が招来する
のを有効に防止することもできる。
１０〜４０重量部の範囲で含有させると絶縁基体の機械
的強度が強くなり、外力印加によって破損等が招来する
のを有効に防止することもできる。
【図１】本発明の配線基板の一実施例を示す断面図であ
る。
る。
１・・・絶縁基体 ２・・・配線層 ２ａ・・上部接続パッド ２ｂ・・下部接続パッド ３・・・貫通孔 ４・・・半導体素子 ４ａ・・半導体素子の電極 ５・・・外部電気回路基板 ５ａ・・外部電気回路基板の配線導体
Claims (3)
- 【請求項１】厚み方向に複数個の貫通孔を有する絶縁基
体と、前記貫通孔内に充填され、一端が絶縁基体の上面
に導出されて半導体素子の電極が接続される上部接続パ
ッドを形成し、他端が絶縁基体の下面に導出されて外部
電気回路基板の配線導体が接続される下部接続パッドを
形成する複数個の配線層とから成る配線基板であって、
前記絶縁基体はＳｉＯ2 ーＡｌ2 Ｏ3 ーＭｇＯーＺｎＯ
ーＢ2 Ｏ3系結晶性ガラスから成り、かつ少なくとも貫
通孔周辺に磁性材料が含有されていることを特徴とする
配線基板。 - 【請求項２】前記磁性材料の含有量が５０〜９０重量％
であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。 - 【請求項３】前記絶縁基体に、外添加で１０〜４０重量
部の無機物フィラーを含有させたことを特徴とする請求
項１又は２に記載の配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33730297A JP3716088B2 (ja) | 1997-12-08 | 1997-12-08 | 配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33730297A JP3716088B2 (ja) | 1997-12-08 | 1997-12-08 | 配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11176998A true JPH11176998A (ja) | 1999-07-02 |
| JP3716088B2 JP3716088B2 (ja) | 2005-11-16 |
Family
ID=18307353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33730297A Expired - Fee Related JP3716088B2 (ja) | 1997-12-08 | 1997-12-08 | 配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3716088B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005029581A1 (ja) * | 2003-09-24 | 2005-03-31 | Ibiden Co.,Ltd. | インターポーザ、多層プリント配線板 |
| JP2005317790A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Ibiden Co Ltd | インターポーザ |
| JP2007525858A (ja) * | 2003-04-15 | 2007-09-06 | センサーズ・フォー・メデセン・アンド・サイエンス・インコーポレーテッド | 一体化されたアンテナを備えたプリント回路装置及びプリント集積回路基板アンテナを備えた埋め込み可能なセンサー処理装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0720049B1 (en) | 1990-05-09 | 1999-08-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Photographic processing composition and processing method using the same |
| US7611829B2 (en) | 2004-01-30 | 2009-11-03 | Fujifilm Corporation | Silver halide color photographic light-sensitive material and color image-forming method |
-
1997
- 1997-12-08 JP JP33730297A patent/JP3716088B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007525858A (ja) * | 2003-04-15 | 2007-09-06 | センサーズ・フォー・メデセン・アンド・サイエンス・インコーポレーテッド | 一体化されたアンテナを備えたプリント回路装置及びプリント集積回路基板アンテナを備えた埋め込み可能なセンサー処理装置 |
| US7800078B2 (en) | 2003-04-15 | 2010-09-21 | Sensors For Medicine And Science, Inc. | Printed circuit board with integrated antenna and implantable sensor processing system with integrated printed circuit board antenna |
| JP2011004427A (ja) * | 2003-04-15 | 2011-01-06 | Sensors For Medicine & Science Inc | 一体化されたアンテナを備えたプリント回路装置及びプリント集積回路基板アンテナを備えた埋め込み可能なセンサー処理装置 |
| WO2005029581A1 (ja) * | 2003-09-24 | 2005-03-31 | Ibiden Co.,Ltd. | インターポーザ、多層プリント配線板 |
| JPWO2005029581A1 (ja) * | 2003-09-24 | 2007-11-15 | イビデン株式会社 | インターポーザ、多層プリント配線板 |
| JP4771808B2 (ja) * | 2003-09-24 | 2011-09-14 | イビデン株式会社 | 半導体装置 |
| JP2005317790A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Ibiden Co Ltd | インターポーザ |
| JP4489491B2 (ja) * | 2004-04-28 | 2010-06-23 | イビデン株式会社 | インターポーザ |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3716088B2 (ja) | 2005-11-16 |
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