JP3439963B2 - 半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
半導体素子収納用パッケージInfo
- Publication number
- JP3439963B2 JP3439963B2 JP32679797A JP32679797A JP3439963B2 JP 3439963 B2 JP3439963 B2 JP 3439963B2 JP 32679797 A JP32679797 A JP 32679797A JP 32679797 A JP32679797 A JP 32679797A JP 3439963 B2 JP3439963 B2 JP 3439963B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- wiring layer
- magnetic
- lithium silicate
- silicate glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩ（大規模集
積回路素子）等の半導体素子を収容するための半導体素
子収納用パッケージに関するものである。
積回路素子）等の半導体素子を収容するための半導体素
子収納用パッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＳＩ（大規模集積回路素子）等
の半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージ
は、一般に酸化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料
から成り、その上面略中央部に半導体素子を収容するた
めの凹部を設けた絶縁基体と、該絶縁基体の凹部周辺か
ら下面にかけて導出されたタングステン、モリブデン、
マンガン等の高融点金属粉末から成る複数個の配線層
と、蓋体とから構成されており、絶縁基体の凹部底面に
半導体素子を搭載収容するとともに半導体素子の各電極
を配線層に接続させ、しかる後、絶縁基体の上面に蓋体
を封止用の接着材を介して接合し、絶縁基体と蓋体とか
ら成る容器内部に半導体素子を気密に収容することによ
って製品としての半導体装置が完成する。
の半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージ
は、一般に酸化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料
から成り、その上面略中央部に半導体素子を収容するた
めの凹部を設けた絶縁基体と、該絶縁基体の凹部周辺か
ら下面にかけて導出されたタングステン、モリブデン、
マンガン等の高融点金属粉末から成る複数個の配線層
と、蓋体とから構成されており、絶縁基体の凹部底面に
半導体素子を搭載収容するとともに半導体素子の各電極
を配線層に接続させ、しかる後、絶縁基体の上面に蓋体
を封止用の接着材を介して接合し、絶縁基体と蓋体とか
ら成る容器内部に半導体素子を気密に収容することによ
って製品としての半導体装置が完成する。
【０００３】かかる半導体素子収納用パッケージは配線
層の一端、即ち、絶縁基体の凹部周辺に位置する領域に
ボンディングパッドが形成されており、該ボンディング
パッドには半導体素子の電極がボンディングワイヤ等の
電気的接続手段を介して接続され、また絶縁基体の下面
に導出する領域には接続パッドが形成されており、該接
続パッドには外部電気回路基板の配線導体が電気的に接
続されるようになっている。
層の一端、即ち、絶縁基体の凹部周辺に位置する領域に
ボンディングパッドが形成されており、該ボンディング
パッドには半導体素子の電極がボンディングワイヤ等の
電気的接続手段を介して接続され、また絶縁基体の下面
に導出する領域には接続パッドが形成されており、該接
続パッドには外部電気回路基板の配線導体が電気的に接
続されるようになっている。
【０００４】また前記半導体素子収納用パッケージ内に
半導体素子を収容して成る半導体装置は絶縁基体の下面
に導出している配線層の一部を外部電気回路基板の配線
導体に接続させることによって半導体素子の各電極が外
部電気回路に接続されることとなり、外部電気回路基板
の配線導体を介して半導体素子の各電極に電気信号が出
し入れされることとなる。
半導体素子を収容して成る半導体装置は絶縁基体の下面
に導出している配線層の一部を外部電気回路基板の配線
導体に接続させることによって半導体素子の各電極が外
部電気回路に接続されることとなり、外部電気回路基板
の配線導体を介して半導体素子の各電極に電気信号が出
し入れされることとなる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
情報処理装置は高性能化が急激に進展し、これに伴っ
て、半導体素子も高速駆動が行われ、ノイズの影響を極
めて受け易いものになってきたこと、従来の半導体素子
収納用パッケージは絶縁基体に設けたタングステンやモ
リブデン等から成る配線層が高調波のノイズを伝搬させ
易いこと等から配線層に外部電気回路基板の配線導体か
ら高調波のノイズが入り込んだ場合、このノイズがその
まま配線層を伝搬して半導体素子に入り込み、半導体素
子を誤動作させてしまうという欠点を有していた。
情報処理装置は高性能化が急激に進展し、これに伴っ
て、半導体素子も高速駆動が行われ、ノイズの影響を極
めて受け易いものになってきたこと、従来の半導体素子
収納用パッケージは絶縁基体に設けたタングステンやモ
リブデン等から成る配線層が高調波のノイズを伝搬させ
易いこと等から配線層に外部電気回路基板の配線導体か
ら高調波のノイズが入り込んだ場合、このノイズがその
まま配線層を伝搬して半導体素子に入り込み、半導体素
子を誤動作させてしまうという欠点を有していた。
【０００６】本発明は、上記欠点に鑑み案出されたもの
で、その目的は、半導体素子にノイズが入り込むのを有
効に防止して半導体素子を長期間にわたり正常に作動さ
せることができる半導体素子収納用パッケージを提供す
ることにある。
で、その目的は、半導体素子にノイズが入り込むのを有
効に防止して半導体素子を長期間にわたり正常に作動さ
せることができる半導体素子収納用パッケージを提供す
ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上面に半導体
素子が搭載される搭載部を有し、該搭載部より下面にか
けて導出される複数個の配線層を有する絶縁基体と、前
記絶縁基体に取着され、搭載部に搭載される半導体素子
を封止する蓋体とから成る半導体素子収納用パッケージ
であって、前記絶縁基体は、Ｌｉ２Ｏを５〜３０重量％
含有する屈伏点が４００〜８００℃のリチウム珪酸ガラ
スを２０〜８０体積％と、クオーツ、クリストバライ
ト、トリジマイト、エンスタタイト、フォルステライト
の少なくとも１種から成るフィラー成分を２０〜８０体
積％の割合で含む形成体を焼成して得られたクオーツ、
クリストバライト、トリジマイト、エンスタタイトの少
なくとも１種の結晶相を含有する焼結体から成り、下面
の配線層周辺に前記焼結体と同時焼成によって磁性絶縁
層が被着されており、該磁性絶縁層はＬｉ２Ｏを５〜３
０重量％含有する屈伏点が４００〜８００℃のリチウム
珪酸ガラスと磁性材料とから成り、該磁性材料の含有量
が５０〜９０重量％である。
素子が搭載される搭載部を有し、該搭載部より下面にか
けて導出される複数個の配線層を有する絶縁基体と、前
記絶縁基体に取着され、搭載部に搭載される半導体素子
を封止する蓋体とから成る半導体素子収納用パッケージ
であって、前記絶縁基体は、Ｌｉ２Ｏを５〜３０重量％
含有する屈伏点が４００〜８００℃のリチウム珪酸ガラ
スを２０〜８０体積％と、クオーツ、クリストバライ
ト、トリジマイト、エンスタタイト、フォルステライト
の少なくとも１種から成るフィラー成分を２０〜８０体
積％の割合で含む形成体を焼成して得られたクオーツ、
クリストバライト、トリジマイト、エンスタタイトの少
なくとも１種の結晶相を含有する焼結体から成り、下面
の配線層周辺に前記焼結体と同時焼成によって磁性絶縁
層が被着されており、該磁性絶縁層はＬｉ２Ｏを５〜３
０重量％含有する屈伏点が４００〜８００℃のリチウム
珪酸ガラスと磁性材料とから成り、該磁性材料の含有量
が５０〜９０重量％である。
【０００８】
【０００９】更に本発明は、前記磁性絶縁層に、外添加
で１０〜４０重量部の無機物フィラーを含有させたこと
を特徴とするのである。
で１０〜４０重量部の無機物フィラーを含有させたこと
を特徴とするのである。
【００１０】本発明の半導体素子収納用パッケージによ
れば、絶縁基体の下面で配線層の周辺に磁性絶縁層を被
着させたことから外部電気回路基板の配線導体より配線
層にノイズが入り込もうとしてもそのノイズは磁性絶縁
層に含有されている磁性材料で熱エネルギーに変換され
て吸収され、その結果、ノイズが配線層に入り込んで半
導体素子に伝搬されることはなく、半導体素子を常に正
常に作動させることができる。
れば、絶縁基体の下面で配線層の周辺に磁性絶縁層を被
着させたことから外部電気回路基板の配線導体より配線
層にノイズが入り込もうとしてもそのノイズは磁性絶縁
層に含有されている磁性材料で熱エネルギーに変換され
て吸収され、その結果、ノイズが配線層に入り込んで半
導体素子に伝搬されることはなく、半導体素子を常に正
常に作動させることができる。
【００１１】また本発明の半導体素子収納用パッケージ
によれば、絶縁基体を、Ｌｉ2 Ｏを５〜３０重量％含有
する屈伏点が４００〜８００℃のリチウム珪酸ガラスを
２０〜８０体積％と、クオーツ、クリストバライト、ト
リジマイト、エンスタタイト、フォルステライトの少な
くとも１種から成るフィラー成分を２０〜８０体積％の
割合で含む形成体を焼成して得られたクオーツ、クリス
トバライト、トリジマイト、エンスタタイトの少なくと
も１種の結晶相を含有する焼結体で形成しており、該焼
結体はその焼成温度が８５０〜１０５０℃と低いことか
ら銅、銀、金等の融点が低く、導通抵抗の低い材料から
成る配線層を同時焼成によって形成することが可能とな
り、配線層を電気信号が伝搬した際、電気信号に減衰等
が生じるのを有効に防止して半導体素子を正確に作動さ
せることもできる。
によれば、絶縁基体を、Ｌｉ2 Ｏを５〜３０重量％含有
する屈伏点が４００〜８００℃のリチウム珪酸ガラスを
２０〜８０体積％と、クオーツ、クリストバライト、ト
リジマイト、エンスタタイト、フォルステライトの少な
くとも１種から成るフィラー成分を２０〜８０体積％の
割合で含む形成体を焼成して得られたクオーツ、クリス
トバライト、トリジマイト、エンスタタイトの少なくと
も１種の結晶相を含有する焼結体で形成しており、該焼
結体はその焼成温度が８５０〜１０５０℃と低いことか
ら銅、銀、金等の融点が低く、導通抵抗の低い材料から
成る配線層を同時焼成によって形成することが可能とな
り、配線層を電気信号が伝搬した際、電気信号に減衰等
が生じるのを有効に防止して半導体素子を正確に作動さ
せることもできる。
【００１２】更に本発明の半導体素子収納用パッケージ
によれば、磁性絶縁層をＬｉ2 Ｏを５〜３０重量％含有
する屈伏点が４００〜８００℃のリチウム珪酸ガラスに
磁性材料を５０〜９０重量％含有させて形成したことか
らＬｉ2 Ｏを５〜３０重量％含有する屈伏点が４００〜
８００℃のリチウム珪酸ガラスを２０〜８０体積％と、
クオーツ、クリストバライト、トリジマイト、エンスタ
タイト、フォルステライトの少なくとも１種から成るフ
ィラー成分を２０〜８０体積％の割合で含む形成体を焼
成してクオーツ、クリストバライト、トリジマイト、エ
ンスタタイトの少なくとも１種の結晶相を含有する焼結
体から成る絶縁基体を得る際、絶縁基体と同時焼成によ
って絶縁基体の下面で配線層の周辺に極めて強固に接合
させることができる。またこの時、絶縁基体の焼成温度
が８５０〜１０５０℃と低いことから磁性材料は磁性を
失うこともなく、これによって磁性絶縁層はノイズを良
好に吸収することができ、半導体素子を常に正常に作動
させることが可能となる。
によれば、磁性絶縁層をＬｉ2 Ｏを５〜３０重量％含有
する屈伏点が４００〜８００℃のリチウム珪酸ガラスに
磁性材料を５０〜９０重量％含有させて形成したことか
らＬｉ2 Ｏを５〜３０重量％含有する屈伏点が４００〜
８００℃のリチウム珪酸ガラスを２０〜８０体積％と、
クオーツ、クリストバライト、トリジマイト、エンスタ
タイト、フォルステライトの少なくとも１種から成るフ
ィラー成分を２０〜８０体積％の割合で含む形成体を焼
成してクオーツ、クリストバライト、トリジマイト、エ
ンスタタイトの少なくとも１種の結晶相を含有する焼結
体から成る絶縁基体を得る際、絶縁基体と同時焼成によ
って絶縁基体の下面で配線層の周辺に極めて強固に接合
させることができる。またこの時、絶縁基体の焼成温度
が８５０〜１０５０℃と低いことから磁性材料は磁性を
失うこともなく、これによって磁性絶縁層はノイズを良
好に吸収することができ、半導体素子を常に正常に作動
させることが可能となる。
【００１３】また更に磁性絶縁層に、外添加で１０〜４
０重量部の無機物フィラーを含有させておくと磁性絶縁
層の機械的強度が強くなり、外力印加によって破損し、
絶縁基体の下面より剥離することはなく、これによって
も磁性絶縁層がノイズを良好に吸収し、半導体素子を常
に正常に作動させることができる。
０重量部の無機物フィラーを含有させておくと磁性絶縁
層の機械的強度が強くなり、外力印加によって破損し、
絶縁基体の下面より剥離することはなく、これによって
も磁性絶縁層がノイズを良好に吸収し、半導体素子を常
に正常に作動させることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に本発明を添付図面に基づき詳
細に説明する。図１は本発明の半導体素子収納用パッケ
ージの一実施例を示し、１は絶縁基体、２は蓋体であ
る。この絶縁基体１と蓋体２とで半導体素子を内部に収
容するための容器が構成される。
細に説明する。図１は本発明の半導体素子収納用パッケ
ージの一実施例を示し、１は絶縁基体、２は蓋体であ
る。この絶縁基体１と蓋体２とで半導体素子を内部に収
容するための容器が構成される。
【００１５】前記絶縁基体１は、その上面中央部に半導
体素子３が載置収容される凹部１ａが設けてあり、該凹
部１ａ底面には半導体素子３が接着材を介して接着固定
される。
体素子３が載置収容される凹部１ａが設けてあり、該凹
部１ａ底面には半導体素子３が接着材を介して接着固定
される。
【００１６】前記絶縁基体１はＬｉ２Ｏを５〜３０重量
％含有する屈伏点が４００〜８００℃のリチウム珪酸ガ
ラスを２０〜８０体積％と、クオーツ、クリストバライ
ト、トリジマイト、エンスタタイト、フォルステライト
の少なくとも１種から成るフィラー成分を２０〜８０体
積％の割合で含む成形体を焼成することによって製作さ
れる。
％含有する屈伏点が４００〜８００℃のリチウム珪酸ガ
ラスを２０〜８０体積％と、クオーツ、クリストバライ
ト、トリジマイト、エンスタタイト、フォルステライト
の少なくとも１種から成るフィラー成分を２０〜８０体
積％の割合で含む成形体を焼成することによって製作さ
れる。
【００１７】また前記絶縁基体１は凹部１ａの周辺から
絶縁基体１に設けた貫通孔４を介して下面に導出する複
数個の配線層５が形成されており、該配線層５は内部に
収容する半導体素子３の各電極を外部電気回路に電気的
に接続する作用をなす。
絶縁基体１に設けた貫通孔４を介して下面に導出する複
数個の配線層５が形成されており、該配線層５は内部に
収容する半導体素子３の各電極を外部電気回路に電気的
に接続する作用をなす。
【００１８】前記配線層５は凹部１ａ周辺の領域にボン
ディングパッド５ａが形成されており、該ボンディング
パッド５ａに半導体素子３の各電極がボンディングワイ
ヤ等の電気的接続手段６を介して電気的に接続され、ま
た絶縁基体１の下面に導出する領域に接続パッド５ｂが
形成されており、該接続パッド５ｂに外部電気回路基板
の配線導体と接続される外部リードピン７がロウ材を介
して接合されている。
ディングパッド５ａが形成されており、該ボンディング
パッド５ａに半導体素子３の各電極がボンディングワイ
ヤ等の電気的接続手段６を介して電気的に接続され、ま
た絶縁基体１の下面に導出する領域に接続パッド５ｂが
形成されており、該接続パッド５ｂに外部電気回路基板
の配線導体と接続される外部リードピン７がロウ材を介
して接合されている。
【００１９】前記配線層５は、例えば、銅、銀、金等の
電気抵抗率が３μΩ・ｃｍ以下の金属材料から成り、該
銅や銀、金等から成る配線層５はその電気抵抗値が低い
ことから電気信号が伝搬しても電気信号に減衰や遅延を
生じることはない。
電気抵抗率が３μΩ・ｃｍ以下の金属材料から成り、該
銅や銀、金等から成る配線層５はその電気抵抗値が低い
ことから電気信号が伝搬しても電気信号に減衰や遅延を
生じることはない。
【００２０】前記配線層５は例えば、銅や銀、金等の金
属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属
ペーストを絶縁基体１となる成形体の所定位置に予めス
クリーン印刷法等により所定パターンに印刷塗布してお
くことによって絶縁基体１の凹部１ａ周辺から下面にか
けて形成される。
属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属
ペーストを絶縁基体１となる成形体の所定位置に予めス
クリーン印刷法等により所定パターンに印刷塗布してお
くことによって絶縁基体１の凹部１ａ周辺から下面にか
けて形成される。
【００２１】なお、前記配線層５は銅や銀から成る場
合、その露出表面に耐蝕性に優れる金等をメッキ法によ
り１．０〜２０．０μｍの厚みに被着させておくと配線
層５の酸化腐蝕を有効に防止することができるとともに
配線層５とボンディングワイヤ等の電気的接続手段６と
の接続及び配線層５への外部リードピン７の接合を強固
となすことができる。従って、前記配線層５は銅や銀か
ら成る場合、その露出表面に金等の耐蝕性に優れる金属
をメッキ法により１．０〜２０．０μｍの厚みに被着さ
せておくことが好ましい。
合、その露出表面に耐蝕性に優れる金等をメッキ法によ
り１．０〜２０．０μｍの厚みに被着させておくと配線
層５の酸化腐蝕を有効に防止することができるとともに
配線層５とボンディングワイヤ等の電気的接続手段６と
の接続及び配線層５への外部リードピン７の接合を強固
となすことができる。従って、前記配線層５は銅や銀か
ら成る場合、その露出表面に金等の耐蝕性に優れる金属
をメッキ法により１．０〜２０．０μｍの厚みに被着さ
せておくことが好ましい。
【００２２】また前記絶縁基体１の下面において配線層
５の接続パッド５ｂに接合されている外部リードピン７
は鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金、銅
等の金属材料から成り、半導体素子３の各電極を外部電
気回路に電気的に接続する作用をなす。
５の接続パッド５ｂに接合されている外部リードピン７
は鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金、銅
等の金属材料から成り、半導体素子３の各電極を外部電
気回路に電気的に接続する作用をなす。
【００２３】前記外部リードピン７は鉄−ニッケル−コ
バルト合金等のインゴット（塊）を圧延加工法や打ち抜
き加工法等、従来周知の金属加工法を採用することによ
って所定形状に形成される。
バルト合金等のインゴット（塊）を圧延加工法や打ち抜
き加工法等、従来周知の金属加工法を採用することによ
って所定形状に形成される。
【００２４】前記外部リードピン７は例えば、融点が５
００℃以下の金属材料からなるロウ材、具体的には１０
〜５０重量％のインジウムまたは錫と、１０〜７０重量
％の銀と、１０〜７５重量％のアンチモンと、１０重量
％以下の銅とから成る合金、１５〜２５重量％の錫と、
７５〜８５重量％の金とか成る合金、１０〜１５重量％
のゲルマニウムと８５〜９０重量％の金とから成る合
金、鉛と、錫、インジウム、アンチモン、ビスマスの少
なくとも１種との合金等を使用することによって絶縁基
体１の下面で配線層５に形成した接続パッド５ｂに接合
される。
００℃以下の金属材料からなるロウ材、具体的には１０
〜５０重量％のインジウムまたは錫と、１０〜７０重量
％の銀と、１０〜７５重量％のアンチモンと、１０重量
％以下の銅とから成る合金、１５〜２５重量％の錫と、
７５〜８５重量％の金とか成る合金、１０〜１５重量％
のゲルマニウムと８５〜９０重量％の金とから成る合
金、鉛と、錫、インジウム、アンチモン、ビスマスの少
なくとも１種との合金等を使用することによって絶縁基
体１の下面で配線層５に形成した接続パッド５ｂに接合
される。
【００２５】前記融点が５００℃以下の金属材料から成
るロウ材を使用して外部リードピン７を絶縁基体１の下
面で配線層５の接続パッド５ｂに接合させた場合、ロウ
付けの際のロウ材を加熱溶融させる温度が低く、ロウ材
の加熱溶融の熱によって絶縁基体１が大きく変形するこ
とはなく、これによって絶縁基体１に設けられている配
線層５に断線等を招来するのを有効に防止することがで
きる。
るロウ材を使用して外部リードピン７を絶縁基体１の下
面で配線層５の接続パッド５ｂに接合させた場合、ロウ
付けの際のロウ材を加熱溶融させる温度が低く、ロウ材
の加熱溶融の熱によって絶縁基体１が大きく変形するこ
とはなく、これによって絶縁基体１に設けられている配
線層５に断線等を招来するのを有効に防止することがで
きる。
【００２６】また前記絶縁基体１はその下面で配線層５
の接続パッド５ｂ周辺に磁性絶縁層８が被着されてい
る。
の接続パッド５ｂ周辺に磁性絶縁層８が被着されてい
る。
【００２７】前記磁性絶縁層８はＬｉ2 Ｏを５〜３０重
量％含有する屈伏点が４００〜８００℃のリチウム珪酸
ガラスと磁性材料とで形成されており、半導体素子３に
ノイズが入り込むのを防止する作用をなし、外部電気回
路基板の配線導体より配線層５にノイズが入り込もうと
してもそのノイズは磁性絶縁層８に含有されている磁性
材料で熱エネルギーに変換されて吸収され、その結果、
ノイズが配線層５に入り込んで半導体素子３に伝搬され
ることはなく、半導体素子３を常に正常に作動させるこ
とができる。
量％含有する屈伏点が４００〜８００℃のリチウム珪酸
ガラスと磁性材料とで形成されており、半導体素子３に
ノイズが入り込むのを防止する作用をなし、外部電気回
路基板の配線導体より配線層５にノイズが入り込もうと
してもそのノイズは磁性絶縁層８に含有されている磁性
材料で熱エネルギーに変換されて吸収され、その結果、
ノイズが配線層５に入り込んで半導体素子３に伝搬され
ることはなく、半導体素子３を常に正常に作動させるこ
とができる。
【００２８】かくして、上述の半導体素子収納用パッケ
ージによれば、絶縁基体１の凹部１ａ内に半導体素子３
を接着材を介して搭載固定するとともに半導体素子３の
各電極をボンディングワイヤ等の電気的接続手段６を介
して配線層５に接続し、しかる後、絶縁基体１の上面に
蓋体２をガラス、樹脂、ロウ材等の封止部材を介して接
合させ、絶縁基体１と蓋体２とから成る容器内部に半導
体素子３を気密に封止することによって製品としての半
導体装置となる。
ージによれば、絶縁基体１の凹部１ａ内に半導体素子３
を接着材を介して搭載固定するとともに半導体素子３の
各電極をボンディングワイヤ等の電気的接続手段６を介
して配線層５に接続し、しかる後、絶縁基体１の上面に
蓋体２をガラス、樹脂、ロウ材等の封止部材を介して接
合させ、絶縁基体１と蓋体２とから成る容器内部に半導
体素子３を気密に封止することによって製品としての半
導体装置となる。
【００２９】かかる半導体装置は外部リードピン７を外
部電気回路基板の配線導体（不図示）に半田等を介して
接続すれば、容器内部に収容する半導体素子３の各電極
は外部リードピン７、配線層５及び電気的接続手段６を
介して外部電気回路基板の配線導体に接続されることと
なり、半導体素子３と外部電気回路基板の配線導体との
間で電気信号の出し入れが可能となる。
部電気回路基板の配線導体（不図示）に半田等を介して
接続すれば、容器内部に収容する半導体素子３の各電極
は外部リードピン７、配線層５及び電気的接続手段６を
介して外部電気回路基板の配線導体に接続されることと
なり、半導体素子３と外部電気回路基板の配線導体との
間で電気信号の出し入れが可能となる。
【００３０】本発明の半導体素子収納用パッケージにお
いては絶縁基体１を、Ｌｉ２Ｏを５〜３０重量％含有す
る屈伏点が４００〜８００℃のリチウム珪酸ガラスを２
０〜８０体積％と、クォーツ、クリストバライト、トリ
ジマイト、エンスタタイト、フォルステライトの少なく
とも１種から成るフィラー成分を２０〜８０体積％の割
合で含む成形体を焼成し、フィラー成分であるクオー
ツ、クリストバライト、トリジマイト、エンスタタイト
の結晶相をそのまま生成させる、或いはリチウム珪酸ガ
ラスのシリカとフォルステライトとを反応させてエンス
タタイトの結晶相を生成させた焼結体により形成するこ
とが重要である。
いては絶縁基体１を、Ｌｉ２Ｏを５〜３０重量％含有す
る屈伏点が４００〜８００℃のリチウム珪酸ガラスを２
０〜８０体積％と、クォーツ、クリストバライト、トリ
ジマイト、エンスタタイト、フォルステライトの少なく
とも１種から成るフィラー成分を２０〜８０体積％の割
合で含む成形体を焼成し、フィラー成分であるクオー
ツ、クリストバライト、トリジマイト、エンスタタイト
の結晶相をそのまま生成させる、或いはリチウム珪酸ガ
ラスのシリカとフォルステライトとを反応させてエンス
タタイトの結晶相を生成させた焼結体により形成するこ
とが重要である。
【００３１】前記リチウム珪酸ガラスを２０〜８０体積
％、フィラー成分を２０〜８０体積％の割合とするの
は、リチウム珪酸ガラスの量が２０体積％より少ない、
言い換えればフィラー成分が８０体積％より多いと液相
焼結することができずに高温で焼成する必要があり、そ
の場合、配線層５を銅や銀、金等の融点が低い金属材料
で形成しようとしてもかかる金属材料は融点が低いこと
から焼成時に溶融してしまって配線層５を絶縁基体１と
同時焼成により形成することができなくなり、またリチ
ウム珪酸ガラスの量が８０体積％を超える、言い換えれ
ばフィラー成分が２０体積％より少ないと焼結体の特性
がリチウム珪酸ガラスの特性に大きく依存し、材料特性
の制御が困難となるとともに焼結開始温度が低くなるた
めに配線層５との同時焼成が困難となってしまうためで
ある。
％、フィラー成分を２０〜８０体積％の割合とするの
は、リチウム珪酸ガラスの量が２０体積％より少ない、
言い換えればフィラー成分が８０体積％より多いと液相
焼結することができずに高温で焼成する必要があり、そ
の場合、配線層５を銅や銀、金等の融点が低い金属材料
で形成しようとしてもかかる金属材料は融点が低いこと
から焼成時に溶融してしまって配線層５を絶縁基体１と
同時焼成により形成することができなくなり、またリチ
ウム珪酸ガラスの量が８０体積％を超える、言い換えれ
ばフィラー成分が２０体積％より少ないと焼結体の特性
がリチウム珪酸ガラスの特性に大きく依存し、材料特性
の制御が困難となるとともに焼結開始温度が低くなるた
めに配線層５との同時焼成が困難となってしまうためで
ある。
【００３２】また前記絶縁基体１に使用する焼結体は、
Ｌｉ2 Ｏを５〜３０重量％、好適には５〜２０重量％の
割合で含有するリチウム珪酸ガラスを用いることが重要
であり、このようなリチウム珪酸ガラスを用いることに
よりリチウム珪酸を析出させることができる。なお、Ｌ
ｉ2 Ｏの含有量が５重量％より少ないと、焼結時にリチ
ウム珪酸の結晶の生成量が少なくなって高強度化が達成
できず、３０重量％より多いと誘電正接が１００×１０
-4を超えるため半導体素子収納用パッケージ用の絶縁基
体としての特性が劣化する。
Ｌｉ2 Ｏを５〜３０重量％、好適には５〜２０重量％の
割合で含有するリチウム珪酸ガラスを用いることが重要
であり、このようなリチウム珪酸ガラスを用いることに
よりリチウム珪酸を析出させることができる。なお、Ｌ
ｉ2 Ｏの含有量が５重量％より少ないと、焼結時にリチ
ウム珪酸の結晶の生成量が少なくなって高強度化が達成
できず、３０重量％より多いと誘電正接が１００×１０
-4を超えるため半導体素子収納用パッケージ用の絶縁基
体としての特性が劣化する。
【００３３】また、この焼結体中にはＰｂを実質的に含
まないことが望ましい。これは、Ｐｂが毒性を有するた
め、Ｐｂを含有すると製造工程中での被毒を防止するた
めの格別な装置及び管理を必要とするために焼結体を安
価に製造することができないためである。なお、Ｐｂが
不純物として不可避的に混入する場合を考慮すると、Ｐ
ｂの量は０．０５重量％以下であることが望ましい。
まないことが望ましい。これは、Ｐｂが毒性を有するた
め、Ｐｂを含有すると製造工程中での被毒を防止するた
めの格別な装置及び管理を必要とするために焼結体を安
価に製造することができないためである。なお、Ｐｂが
不純物として不可避的に混入する場合を考慮すると、Ｐ
ｂの量は０．０５重量％以下であることが望ましい。
【００３４】更に前記焼結体の屈伏点が４００〜８００
℃、特に４００〜６５０℃であることも、リチウム珪酸
ガラス及びフィラー成分から成る混合物を成形する場合
に添加する有機溶媒、溶剤の焼成時における効率的な除
去及び絶縁基体１と同時に焼成される配線層５との焼成
条件のマッチングを図るために重要である。屈伏点が４
００℃より低いとリチウム珪酸ガラスが低い温度で焼結
を開始するために、例えば、銀や銅等の焼結開始温度が
６００〜８００℃の金属材料を用いた配線層５との同時
焼成ができず、また成形体の緻密化が低温で開始するた
めに有機溶剤、溶媒が分解揮散できなくなって、焼結体
中に残留し、焼結体の特性に悪影響を及ぼす結果になる
ためである。一方、屈伏点が８００℃より高いと、リチ
ウム珪酸ガラスを多くしないと焼結しにくくなるためで
あり、高価なリチウム珪酸ガラスを大量に必要とするた
めに焼結体のコストを高めることにもなるためである。
℃、特に４００〜６５０℃であることも、リチウム珪酸
ガラス及びフィラー成分から成る混合物を成形する場合
に添加する有機溶媒、溶剤の焼成時における効率的な除
去及び絶縁基体１と同時に焼成される配線層５との焼成
条件のマッチングを図るために重要である。屈伏点が４
００℃より低いとリチウム珪酸ガラスが低い温度で焼結
を開始するために、例えば、銀や銅等の焼結開始温度が
６００〜８００℃の金属材料を用いた配線層５との同時
焼成ができず、また成形体の緻密化が低温で開始するた
めに有機溶剤、溶媒が分解揮散できなくなって、焼結体
中に残留し、焼結体の特性に悪影響を及ぼす結果になる
ためである。一方、屈伏点が８００℃より高いと、リチ
ウム珪酸ガラスを多くしないと焼結しにくくなるためで
あり、高価なリチウム珪酸ガラスを大量に必要とするた
めに焼結体のコストを高めることにもなるためである。
【００３５】上記特性を満足するリチウム珪酸ガラスと
しては、例えば、 ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ−Ａ１２Ｏ３、 ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ−Ａ１２Ｏ３−ＭｇＯ−ＴｉＯ２、 ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ−Ａ１２Ｏ３−ＭｇＯ−Ｎａ２Ｏ−
Ｆ、 ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ−Ａ１２Ｏ３−Ｋ２Ｏ−Ｎａ２Ｏ−
ＺｎＯ、 ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ−Ａ１２Ｏ３−Ｋ２Ｏ−Ｐ２Ｏ５、 ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ−Ａ１２Ｏ３−Ｋ２Ｏ−Ｐ２Ｏ５−
ＺｎＯ−Ｎａ２Ｏ、 ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ−ＭｇＯ ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ−ＺｎＯ 等の組成物が挙げられ、このうち、ＳｉＯ２は、リチウ
ム珪酸を形成するために必須の成分であり、ガラス全量
中６０〜８５重量％の割合で存在し、ＳｉＯ２とＬｉ２
Ｏとの合量がガラス全量中６５〜９５重量％であること
がリチウム珪酸結晶を析出させる上で望ましい。
しては、例えば、 ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ−Ａ１２Ｏ３、 ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ−Ａ１２Ｏ３−ＭｇＯ−ＴｉＯ２、 ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ−Ａ１２Ｏ３−ＭｇＯ−Ｎａ２Ｏ−
Ｆ、 ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ−Ａ１２Ｏ３−Ｋ２Ｏ−Ｎａ２Ｏ−
ＺｎＯ、 ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ−Ａ１２Ｏ３−Ｋ２Ｏ−Ｐ２Ｏ５、 ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ−Ａ１２Ｏ３−Ｋ２Ｏ−Ｐ２Ｏ５−
ＺｎＯ−Ｎａ２Ｏ、 ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ−ＭｇＯ ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ−ＺｎＯ 等の組成物が挙げられ、このうち、ＳｉＯ２は、リチウ
ム珪酸を形成するために必須の成分であり、ガラス全量
中６０〜８５重量％の割合で存在し、ＳｉＯ２とＬｉ２
Ｏとの合量がガラス全量中６５〜９５重量％であること
がリチウム珪酸結晶を析出させる上で望ましい。
【００３６】一方、フィラー成分としては、クォーツ、
クリストバライト、トリジマイト、エンスタタイト、フ
ォルステライトの少なくとも１種を２０〜８０体積％、
特に３０〜７０体積％の割合で配合することが望まし
い。このようなフィラー成分の組合せにより焼結体の焼
結を促進することができ、中でもクォーツ／フォルステ
ライト比が０．４２７以上であれば、比誘電率が高いフ
ォルステライトを焼結中に比誘電率の低いエンスタタイ
トに変えることができる。
クリストバライト、トリジマイト、エンスタタイト、フ
ォルステライトの少なくとも１種を２０〜８０体積％、
特に３０〜７０体積％の割合で配合することが望まし
い。このようなフィラー成分の組合せにより焼結体の焼
結を促進することができ、中でもクォーツ／フォルステ
ライト比が０．４２７以上であれば、比誘電率が高いフ
ォルステライトを焼結中に比誘電率の低いエンスタタイ
トに変えることができる。
【００３７】上記のリチウム珪酸ガラスおよびフィラー
成分は、リチウム珪酸ガラスの屈伏点に応じ、その量を
適宜調整することが望ましい。すなわち、リチウム珪酸
ガラスの屈伏点が４００℃〜６００℃と低い場合、低温
での焼結性が高まるためフィラー成分の含有量は５０〜
８０体積％と比較的多く配合できる。これに対して、リ
チウム珪酸ガラスの屈伏点が６５０℃〜８００℃と高い
場合、焼結性が低下するためフィラー成分の含有量は２
０〜５０体積％と比較的少なく配合することが望まし
い。このリチウム珪酸ガラスの屈伏点は配線層５の焼成
条件に合わせて制御することが望ましい。
成分は、リチウム珪酸ガラスの屈伏点に応じ、その量を
適宜調整することが望ましい。すなわち、リチウム珪酸
ガラスの屈伏点が４００℃〜６００℃と低い場合、低温
での焼結性が高まるためフィラー成分の含有量は５０〜
８０体積％と比較的多く配合できる。これに対して、リ
チウム珪酸ガラスの屈伏点が６５０℃〜８００℃と高い
場合、焼結性が低下するためフィラー成分の含有量は２
０〜５０体積％と比較的少なく配合することが望まし
い。このリチウム珪酸ガラスの屈伏点は配線層５の焼成
条件に合わせて制御することが望ましい。
【００３８】さらにリチウム珪酸ガラスは、フィラー成
分無添加では収縮開始温度は７００℃以下で、８５０℃
以上では溶融してしまい、配線層５を絶縁基体１に同時
焼成により被着形成することができない。しかし、フィ
ラー成分を２０〜８０体積％の割合で混合しておくと、
焼成温度を上昇させ、結晶の析出とフィラー成分を液相
焼結させるための液相を形成させることができる。この
フィラー成分の含有量の調整により絶縁基体１と配線層
５との同時焼成条件をマッチングさせることができる。
さらに、原料コストを下げるために高価なリチウム珪酸
ガラスの含有量を減少させることができる。
分無添加では収縮開始温度は７００℃以下で、８５０℃
以上では溶融してしまい、配線層５を絶縁基体１に同時
焼成により被着形成することができない。しかし、フィ
ラー成分を２０〜８０体積％の割合で混合しておくと、
焼成温度を上昇させ、結晶の析出とフィラー成分を液相
焼結させるための液相を形成させることができる。この
フィラー成分の含有量の調整により絶縁基体１と配線層
５との同時焼成条件をマッチングさせることができる。
さらに、原料コストを下げるために高価なリチウム珪酸
ガラスの含有量を減少させることができる。
【００３９】例えば、配線層５として銅を主成分とする
金属材料により構成する場合、配線層５の焼成は６００
〜１１００℃で行なわれるため、同時焼成を行なうに
は、リチウム珪酸ガラスの屈伏点は４００℃〜６５０℃
で、フィラー成分の含有量は５０〜８０体積％であるの
が好ましい。また、このように高価なリチウム珪酸ガラ
スの配合量を低減することにより焼結体のコストも低減
できる。
金属材料により構成する場合、配線層５の焼成は６００
〜１１００℃で行なわれるため、同時焼成を行なうに
は、リチウム珪酸ガラスの屈伏点は４００℃〜６５０℃
で、フィラー成分の含有量は５０〜８０体積％であるの
が好ましい。また、このように高価なリチウム珪酸ガラ
スの配合量を低減することにより焼結体のコストも低減
できる。
【００４０】このリチウム珪酸ガラスとフィラー成分と
の混合物は、適当な成形用の有機溶剤，溶媒を添加した
後、所望の成形手段、例えばドクターブレード法・圧延
法・金型プレス法等によりシー卜状等の任意の形状に成
形後、焼成する。
の混合物は、適当な成形用の有機溶剤，溶媒を添加した
後、所望の成形手段、例えばドクターブレード法・圧延
法・金型プレス法等によりシー卜状等の任意の形状に成
形後、焼成する。
【００４１】焼成に当たっては、まず、成形のために添
加した有機溶剤、溶媒成分を除去ずる。有機溶剤、溶媒
成分の除去は通常７００℃前後の大気雰囲気中で行なわ
れるが、配線層５として銅を用いる場合には、水蒸気を
含有する１００〜７００℃の窒素雰囲気中で行なわれ
る。このとき、成形体の収縮開始温度は７００〜８５０
℃程度であることが望ましく、かかる収縮開始温度がこ
れより低いと有機溶剤、溶媒成分の除去が困難となるた
め、成形体中のリチウム珪酸ガラスの特性、特に屈伏点
を前述したように制御することが必要となる。
加した有機溶剤、溶媒成分を除去ずる。有機溶剤、溶媒
成分の除去は通常７００℃前後の大気雰囲気中で行なわ
れるが、配線層５として銅を用いる場合には、水蒸気を
含有する１００〜７００℃の窒素雰囲気中で行なわれ
る。このとき、成形体の収縮開始温度は７００〜８５０
℃程度であることが望ましく、かかる収縮開始温度がこ
れより低いと有機溶剤、溶媒成分の除去が困難となるた
め、成形体中のリチウム珪酸ガラスの特性、特に屈伏点
を前述したように制御することが必要となる。
【００４２】焼成は、８５０℃〜１３００℃の酸化性雰
囲気中で、あるいは配線層５と同時焼成する場合には非
酸化性雰囲気中で行なわれ、これにより相対密度９０％
以上まで緻密化される。この時の焼成温度が８５０℃よ
り低いと緻密化することができず、一方、１３００℃を
超えると配線層５との同時焼成で配線層５が溶融してし
まう。なお、配線層５として銅を用いる場合には、８５
０〜１０５０℃の非酸化性雰囲気中で行なわれる。
囲気中で、あるいは配線層５と同時焼成する場合には非
酸化性雰囲気中で行なわれ、これにより相対密度９０％
以上まで緻密化される。この時の焼成温度が８５０℃よ
り低いと緻密化することができず、一方、１３００℃を
超えると配線層５との同時焼成で配線層５が溶融してし
まう。なお、配線層５として銅を用いる場合には、８５
０〜１０５０℃の非酸化性雰囲気中で行なわれる。
【００４３】また本発明の半導体素子収納用パッケージ
においては、絶縁基体１の下面で配線層５の接続パッド
５ｂ周辺に磁性絶縁層８が被着されており、該磁性絶縁
層８をＬｉ2 Ｏを５〜３０重量％含有する屈伏点が４０
０〜８００℃のリチウム珪酸ガラスと磁性材料とで形成
しておくことが重要である。
においては、絶縁基体１の下面で配線層５の接続パッド
５ｂ周辺に磁性絶縁層８が被着されており、該磁性絶縁
層８をＬｉ2 Ｏを５〜３０重量％含有する屈伏点が４０
０〜８００℃のリチウム珪酸ガラスと磁性材料とで形成
しておくことが重要である。
【００４４】前記磁性絶縁層８にＬｉ2 Ｏを５〜３０重
量％含有する屈伏点が４００〜８００℃のリチウム珪酸
ガラスを使用するのは配線層５が形成されている絶縁基
体１に磁性絶縁層８を強固に接合させるとともに配線層
５が形成された絶縁基体１と同時焼成によって磁性絶縁
層８を形成するためである。
量％含有する屈伏点が４００〜８００℃のリチウム珪酸
ガラスを使用するのは配線層５が形成されている絶縁基
体１に磁性絶縁層８を強固に接合させるとともに配線層
５が形成された絶縁基体１と同時焼成によって磁性絶縁
層８を形成するためである。
【００４５】また前記磁性絶縁層８には磁性材料が含有
されており、該磁性材料は外部電気回路基板の配線導体
より配線層５にノイズが入り込むのを熱エネルギーに変
換して吸収し、配線層５を介して半導体素子３にノイズ
が入り込むのを防止する作用をなす。
されており、該磁性材料は外部電気回路基板の配線導体
より配線層５にノイズが入り込むのを熱エネルギーに変
換して吸収し、配線層５を介して半導体素子３にノイズ
が入り込むのを防止する作用をなす。
【００４６】前記磁性絶縁層８に含有される磁性材料と
してはＺｎＦｅ2 Ｏ4 、ＭｎＦｅ2Ｏ4 、ＦｅＦｅ2 Ｏ
4 、ＣｏＦｅ2 Ｏ4 、ＮｉＦｅ2 Ｏ4 、ＣｕＦｅ2 Ｏ4
の少なくとも１種が好適に使用され、その量が９０重量
％を超えるとリチウム珪酸ガラスの量が少なくなって配
線層５が形成された絶縁基体１と同時焼成することが困
難となり、また５０重量％未満となると半導体素子３に
ノイズが入り込むのを磁性絶縁層８で良好に防止するの
が困難となる。従って、前記磁性絶縁層８に含有される
磁性材料はその量を５０乃至９０重量％の範囲としてお
くことが好ましい。
してはＺｎＦｅ2 Ｏ4 、ＭｎＦｅ2Ｏ4 、ＦｅＦｅ2 Ｏ
4 、ＣｏＦｅ2 Ｏ4 、ＮｉＦｅ2 Ｏ4 、ＣｕＦｅ2 Ｏ4
の少なくとも１種が好適に使用され、その量が９０重量
％を超えるとリチウム珪酸ガラスの量が少なくなって配
線層５が形成された絶縁基体１と同時焼成することが困
難となり、また５０重量％未満となると半導体素子３に
ノイズが入り込むのを磁性絶縁層８で良好に防止するの
が困難となる。従って、前記磁性絶縁層８に含有される
磁性材料はその量を５０乃至９０重量％の範囲としてお
くことが好ましい。
【００４７】また前記磁性絶縁層８に含有される磁性材
料はその粒径が０．５μｍ未満となるとリチウム珪酸ガ
ラスとの反応性が高くなって分解し、磁性材料としての
機能が失われる危険性があり、また１０μｍを超えると
磁性絶縁層８の焼結性が低下し、配線層５が形成された
絶縁基体１と同時焼成によって形成することが困難とな
る。従って、前記磁性絶縁層８に含有される磁性材料は
その粒径を０．５〜１０μｍの範囲としておくことが好
ましい。
料はその粒径が０．５μｍ未満となるとリチウム珪酸ガ
ラスとの反応性が高くなって分解し、磁性材料としての
機能が失われる危険性があり、また１０μｍを超えると
磁性絶縁層８の焼結性が低下し、配線層５が形成された
絶縁基体１と同時焼成によって形成することが困難とな
る。従って、前記磁性絶縁層８に含有される磁性材料は
その粒径を０．５〜１０μｍの範囲としておくことが好
ましい。
【００４８】更に前記磁性絶縁層８は、Ｌｉ2 Ｏを５〜
３０重量％含有する屈伏点が４００〜８００℃のリチウ
ム珪酸ガラスと磁性材料とに有機溶剤、溶媒、可塑剤と
を添加混合して磁性材料ペーストを作成し、これを配線
層５となる金属ペーストが印刷塗布された絶縁基体１と
なる成形体の所定位置に予めスクリーン印刷法等により
所定パターンに印刷塗布しておき、焼成により配線層５
を有する絶縁基体１を形成する際に同時焼成によって絶
縁基体１の下面で配線層５の接続パッド５ｂ周辺に被着
形成される。この場合、Ｌｉ2 Ｏを５〜３０重量％含有
する屈伏点が４００〜８００℃のリチウム珪酸ガラスは
その焼成温度が８５０〜１０５０℃と低いため焼成時に
磁性材料が磁性を失なうことはなく、これによって磁性
絶縁層８は外部電気回路基板の配線導体より配線層５に
ノイズが入り込もうとするのを有効に阻止し、半導体素
子３に配線層５を介してノイズが入り込み半導体素子３
に誤動作が生じるのを有効に防止することができる。
３０重量％含有する屈伏点が４００〜８００℃のリチウ
ム珪酸ガラスと磁性材料とに有機溶剤、溶媒、可塑剤と
を添加混合して磁性材料ペーストを作成し、これを配線
層５となる金属ペーストが印刷塗布された絶縁基体１と
なる成形体の所定位置に予めスクリーン印刷法等により
所定パターンに印刷塗布しておき、焼成により配線層５
を有する絶縁基体１を形成する際に同時焼成によって絶
縁基体１の下面で配線層５の接続パッド５ｂ周辺に被着
形成される。この場合、Ｌｉ2 Ｏを５〜３０重量％含有
する屈伏点が４００〜８００℃のリチウム珪酸ガラスは
その焼成温度が８５０〜１０５０℃と低いため焼成時に
磁性材料が磁性を失なうことはなく、これによって磁性
絶縁層８は外部電気回路基板の配線導体より配線層５に
ノイズが入り込もうとするのを有効に阻止し、半導体素
子３に配線層５を介してノイズが入り込み半導体素子３
に誤動作が生じるのを有効に防止することができる。
【００４９】また更に前記磁性絶縁層８に、外添加でア
ルミナ、クォーツ、クリストバライト、エンスタタイ
ト、スピネル、コージェライト等の無機物フィラーを１
０〜４０重量部添加含有させておくと磁性絶縁層８の機
械的強度が強くなり、外力印加によって破損することは
なく、磁性絶縁層８を絶縁基体１の下面で配線層５の接
続パッド５ｂ周辺に強固に接合させることができる。
ルミナ、クォーツ、クリストバライト、エンスタタイ
ト、スピネル、コージェライト等の無機物フィラーを１
０〜４０重量部添加含有させておくと磁性絶縁層８の機
械的強度が強くなり、外力印加によって破損することは
なく、磁性絶縁層８を絶縁基体１の下面で配線層５の接
続パッド５ｂ周辺に強固に接合させることができる。
【００５０】なお、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれ
ば、種々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例に
おいては外部リードピン７を外部電気回路基板の配線導
体に接続させることによって半導体素子３の各電極が外
部電気回路に接続されるようになっているが、外部リー
ドピン７を設けず、絶縁基体１の下面に導出する配線層
５の接続パッド５ｂをそのまま外部電気回路基板の配線
導体に接続させるようにしてもよい。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれ
ば、種々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例に
おいては外部リードピン７を外部電気回路基板の配線導
体に接続させることによって半導体素子３の各電極が外
部電気回路に接続されるようになっているが、外部リー
ドピン７を設けず、絶縁基体１の下面に導出する配線層
５の接続パッド５ｂをそのまま外部電気回路基板の配線
導体に接続させるようにしてもよい。
【００５１】
【発明の効果】本発明の半導体素子収納用パッケージに
よれば、絶縁基体の下面で配線層の周辺に磁性絶縁層を
被着させたことから外部電気回路基板の配線導体より配
線層にノイズが入り込もうとしてもそのノイズは磁性絶
縁層に含有されている磁性材料で熱エネルギーに変換さ
れて吸収され、その結果、ノイズが配線層に入り込んで
半導体素子に伝搬されることはなく、半導体素子を常に
正常に作動させることができる。
よれば、絶縁基体の下面で配線層の周辺に磁性絶縁層を
被着させたことから外部電気回路基板の配線導体より配
線層にノイズが入り込もうとしてもそのノイズは磁性絶
縁層に含有されている磁性材料で熱エネルギーに変換さ
れて吸収され、その結果、ノイズが配線層に入り込んで
半導体素子に伝搬されることはなく、半導体素子を常に
正常に作動させることができる。
【００５２】また本発明の半導体素子収納用パッケージ
によれば、絶縁基体を、Ｌｉ2 Ｏを５〜３０重量％含有
する屈伏点が４００〜８００℃のリチウム珪酸ガラスを
２０〜８０体積％と、クオーツ、クリストバライト、ト
リジマイト、エンスタタイト、フォルステライトの少な
くとも１種から成るフィラー成分を２０〜８０体積％の
割合で含む形成体を焼成して得られたクオーツ、クリス
トバライト、トリジマイト、エンスタタイトの少なくと
も１種の結晶相を含有する焼結体で形成しており、該焼
結体はその焼成温度が８５０〜１０５０℃と低いことか
ら銅、銀、金等の融点が低く、導通抵抗の低い材料から
成る配線層を同時焼成によって形成することが可能とな
り、配線層を電気信号が伝搬した際、電気信号に減衰等
が生じるのを有効に防止して半導体素子を正確に作動さ
せることもできる。
によれば、絶縁基体を、Ｌｉ2 Ｏを５〜３０重量％含有
する屈伏点が４００〜８００℃のリチウム珪酸ガラスを
２０〜８０体積％と、クオーツ、クリストバライト、ト
リジマイト、エンスタタイト、フォルステライトの少な
くとも１種から成るフィラー成分を２０〜８０体積％の
割合で含む形成体を焼成して得られたクオーツ、クリス
トバライト、トリジマイト、エンスタタイトの少なくと
も１種の結晶相を含有する焼結体で形成しており、該焼
結体はその焼成温度が８５０〜１０５０℃と低いことか
ら銅、銀、金等の融点が低く、導通抵抗の低い材料から
成る配線層を同時焼成によって形成することが可能とな
り、配線層を電気信号が伝搬した際、電気信号に減衰等
が生じるのを有効に防止して半導体素子を正確に作動さ
せることもできる。
【００５３】更に本発明の半導体素子収納用パッケージ
によれば、磁性絶縁層をＬｉ2 Ｏを５〜３０重量％含有
する屈伏点が４００〜８００℃のリチウム珪酸ガラスに
磁性材料を５０〜９０重量％含有させて形成したことか
らＬｉ2 Ｏを５〜３０重量％含有する屈伏点が４００〜
８００℃のリチウム珪酸ガラスを２０〜８０体積％と、
クオーツ、クリストバライト、トリジマイト、エンスタ
タイト、フォルステライトの少なくとも１種から成るフ
ィラー成分を２０〜８０体積％の割合で含む形成体を焼
成してクオーツ、クリストバライト、トリジマイト、エ
ンスタタイトの少なくとも１種の結晶相を含有する焼結
体から成る絶縁基体を得る際、絶縁基体と同時焼成によ
って絶縁基体の下面で配線層の周辺に極めて強固に接合
させることができる。またこの時、絶縁基体の焼成温度
が８５０〜１０５０℃と低いことから磁性材料は磁性を
失うこともなく、これによって磁性絶縁層はノイズを良
好に吸収することができ、半導体素子を常に正常に作動
させることが可能となる。
によれば、磁性絶縁層をＬｉ2 Ｏを５〜３０重量％含有
する屈伏点が４００〜８００℃のリチウム珪酸ガラスに
磁性材料を５０〜９０重量％含有させて形成したことか
らＬｉ2 Ｏを５〜３０重量％含有する屈伏点が４００〜
８００℃のリチウム珪酸ガラスを２０〜８０体積％と、
クオーツ、クリストバライト、トリジマイト、エンスタ
タイト、フォルステライトの少なくとも１種から成るフ
ィラー成分を２０〜８０体積％の割合で含む形成体を焼
成してクオーツ、クリストバライト、トリジマイト、エ
ンスタタイトの少なくとも１種の結晶相を含有する焼結
体から成る絶縁基体を得る際、絶縁基体と同時焼成によ
って絶縁基体の下面で配線層の周辺に極めて強固に接合
させることができる。またこの時、絶縁基体の焼成温度
が８５０〜１０５０℃と低いことから磁性材料は磁性を
失うこともなく、これによって磁性絶縁層はノイズを良
好に吸収することができ、半導体素子を常に正常に作動
させることが可能となる。
【００５４】また更に磁性絶縁層に、外添加で１０〜４
０重量部の無機物フィラーを含有させておくと磁性絶縁
層の機械的強度が強くなり、外力印加によって破損し、
絶縁基体の下面より剥離することはなく、これによって
も磁性絶縁層がノイズを良好に吸収し、半導体素子を常
に正常に作動させることができる。
０重量部の無機物フィラーを含有させておくと磁性絶縁
層の機械的強度が強くなり、外力印加によって破損し、
絶縁基体の下面より剥離することはなく、これによって
も磁性絶縁層がノイズを良好に吸収し、半導体素子を常
に正常に作動させることができる。
【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージの一実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
１・・・・絶縁基体
２・・・・蓋体
３・・・・半導体素子
５・・・・配線層
５ａ・・・ボンディングパッド
５ｂ・・・接続パッド
６・・・・電気的接続手段
８・・・・磁性絶縁層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０１Ｌ 23/14 Ｈ０１Ｌ 23/14 Ｃ
23/15 Ｘ
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 23/08
C03C 3/076
C03C 4/00
C03C 10/14
C03C 14/00
H01L 23/14
H01L 23/15
Claims (2)
- 【請求項１】 上面に半導体素子が搭載される搭載部を
有し、該搭載部より下面にかけて導出される複数個の配
線層を有する絶縁基体と、前記絶縁基体に取着され、搭
載部に搭載される半導体素子を封止する蓋体とから成る
半導体素子収納用パッケージであって、前記絶縁基体
は、Ｌｉ２Ｏを５〜３０重量％含有する屈伏点が４００
〜８００℃のリチウム珪酸ガラスを２０〜８０体積％
と、クオーツ、クリストバライト、トリジマイト、エン
スタタイト、フォルステライトの少なくとも１種から成
るフィラー成分を２０〜８０体積％の割合で含む形成体
を焼成して得られたクオーツ、クリストバライト、トリ
ジマイト、エンスタタイトの少なくとも１種の結晶相を
含有する焼結体から成り、下面の配線層周辺に前記焼結
体と同時焼成によって磁性絶縁層が被着されており、該
磁性絶縁層はＬｉ ２ Ｏを５〜３０重量％含有する屈伏点
が４００〜８００℃のリチウム珪酸ガラスと磁性材料と
から成り、該磁性材料の含有量が５０〜９０重量％であ
ることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。 - 【請求項２】 前記磁性絶縁層に、外添加で１０〜４０
重量部の無機物フィラーを含有させたことを特徴とする
請求項１記載の半導体素子収納用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32679797A JP3439963B2 (ja) | 1997-11-27 | 1997-11-27 | 半導体素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32679797A JP3439963B2 (ja) | 1997-11-27 | 1997-11-27 | 半導体素子収納用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11163187A JPH11163187A (ja) | 1999-06-18 |
| JP3439963B2 true JP3439963B2 (ja) | 2003-08-25 |
Family
ID=18191821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32679797A Expired - Fee Related JP3439963B2 (ja) | 1997-11-27 | 1997-11-27 | 半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3439963B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101488451B1 (ko) * | 2008-03-31 | 2015-02-02 | 서울반도체 주식회사 | 멀티칩 ｌｅｄ 패키지 |
-
1997
- 1997-11-27 JP JP32679797A patent/JP3439963B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11163187A (ja) | 1999-06-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3439963B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3439964B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3470035B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3526526B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3466454B2 (ja) | 配線基板 | |
| JP3582975B2 (ja) | 配線基板 | |
| JP3339999B2 (ja) | 配線基板とそれを用いた半導体素子収納用パッケージおよびその実装構造 | |
| JP3470034B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3457867B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3323074B2 (ja) | 配線基板、半導体素子収納用パッケージおよびその実装構造 | |
| JP3450998B2 (ja) | 配線基板およびその実装構造 | |
| JP3420450B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP2000252385A (ja) | 半導体素子収納用パッケ−ジ | |
| JP3450167B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3193275B2 (ja) | 配線基板とそれを用いた半導体素子収納用パッケージおよびその実装構造 | |
| JPH10256730A (ja) | 多層セラミック基板 | |
| JP2002198646A (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| JP3439962B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3210837B2 (ja) | 配線基板とそれを用いた半導体素子収納用パッケージおよびその実装構造 | |
| JP3784221B2 (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
| JP3847236B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージおよびこれを用いた半導体装置 | |
| JP3305579B2 (ja) | 配線基板、半導体素子収納用パッケージおよび実装構造 | |
| JP3748315B2 (ja) | 配線基板、半導体素子収納用パッケージおよび実装構造 | |
| JP3352344B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
| JP3085669B1 (ja) | 高周波用磁器組成物および高周波用磁器並びにその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090613 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090613 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100613 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |