JP3085669B1 - 高周波用磁器組成物および高周波用磁器並びにその製造方法 - Google Patents
高周波用磁器組成物および高周波用磁器並びにその製造方法Info
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Abstract
【要約】
【課題】８００〜１０００℃にて焼成可能で、高周波領
域において低誘電率、低誘電損失、高強度かつＧａＡｓ
等のチップ部品やプリント基板と近似の熱膨張係数を有
し、これらに対する高信頼性の実装が可能な高周波用配
線基板の絶縁基板用の磁器組成物と磁器、並びにその製
造方法を提供する。 【解決手段】ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯおよびＣａ
Ｏを含み、ディオプサイド型酸化物結晶相を析出可能な
ガラス５０〜９５重量％と、クォーツおよび／またはア
モルファスシリカの合量で５〜４９．９重量％と、Ｍｇ
Ｏ、ＭｇＣＯ3 、Ｍｇ（ＯＨ）2 およびＭｇとＳｉとの
複合酸化物から選ばれる少なくとも１種のＭｇＯ換算量
０．１〜２０重量％との混合物を成形後、８００〜１０
００℃で焼成し、室温から４００℃における熱膨張係数
が５．５ｐｐｍ／℃以上、誘電率が７以下、６０〜７７
ＧＨｚでの誘電損失が３０×１０-4以下の磁器を得る。
域において低誘電率、低誘電損失、高強度かつＧａＡｓ
等のチップ部品やプリント基板と近似の熱膨張係数を有
し、これらに対する高信頼性の実装が可能な高周波用配
線基板の絶縁基板用の磁器組成物と磁器、並びにその製
造方法を提供する。 【解決手段】ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯおよびＣａ
Ｏを含み、ディオプサイド型酸化物結晶相を析出可能な
ガラス５０〜９５重量％と、クォーツおよび／またはア
モルファスシリカの合量で５〜４９．９重量％と、Ｍｇ
Ｏ、ＭｇＣＯ3 、Ｍｇ（ＯＨ）2 およびＭｇとＳｉとの
複合酸化物から選ばれる少なくとも１種のＭｇＯ換算量
０．１〜２０重量％との混合物を成形後、８００〜１０
００℃で焼成し、室温から４００℃における熱膨張係数
が５．５ｐｐｍ／℃以上、誘電率が７以下、６０〜７７
ＧＨｚでの誘電損失が３０×１０-4以下の磁器を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】 本発明は、半導体素子収納
用パッケージや多層配線基板等に適用される配線基板に
関するものであり、特に、銅や銀と同時焼成が可能であ
り、また、ＧａＡｓ等のチップ部品やプリント基板など
の有機樹脂からなる外部回路基板に対し、高い信頼性を
もって実装可能であり、配線基板における絶縁基板とし
て用いられる高周波用磁器組成物および高周波用磁器、
並びにその製造方法に関するものである。
用パッケージや多層配線基板等に適用される配線基板に
関するものであり、特に、銅や銀と同時焼成が可能であ
り、また、ＧａＡｓ等のチップ部品やプリント基板など
の有機樹脂からなる外部回路基板に対し、高い信頼性を
もって実装可能であり、配線基板における絶縁基板とし
て用いられる高周波用磁器組成物および高周波用磁器、
並びにその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来技術】従来より、セラミック多層配線基板として
は、アルミナ質焼結体からなる絶縁基板の表面または内
部にタングステンやモリブデンなどの高融点金属からな
る配線層が形成されたものが最も普及している。
は、アルミナ質焼結体からなる絶縁基板の表面または内
部にタングステンやモリブデンなどの高融点金属からな
る配線層が形成されたものが最も普及している。
【０００３】また、最近に至り、高度情報化時代を迎
え、使用される周波数帯域はますます高周波化に移行し
つつある。このような、高周波の信号の伝送を必要とす
る高周波配線基板においては、高周波信号を損失なく伝
送する上で、配線層を形成する導体の抵抗が小さいこ
と、また絶縁基板の高周波領域での誘電損失が小さいこ
とが要求される。
え、使用される周波数帯域はますます高周波化に移行し
つつある。このような、高周波の信号の伝送を必要とす
る高周波配線基板においては、高周波信号を損失なく伝
送する上で、配線層を形成する導体の抵抗が小さいこ
と、また絶縁基板の高周波領域での誘電損失が小さいこ
とが要求される。
【０００４】ところが、従来のタングステン（Ｗ）や、
モリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属は導体抵抗が大き
く、信号の伝搬速度が遅く、また、１ＧＨｚ以上の高周
波領域の信号伝搬も困難であることから、Ｗ、Ｍｏなど
の金属に代えて銅、銀、金などの低抵抗金属を使用する
ことが必要となっている。
モリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属は導体抵抗が大き
く、信号の伝搬速度が遅く、また、１ＧＨｚ以上の高周
波領域の信号伝搬も困難であることから、Ｗ、Ｍｏなど
の金属に代えて銅、銀、金などの低抵抗金属を使用する
ことが必要となっている。
【０００５】このような低抵抗金属からなる配線層は、
融点が低く、アルミナと同時焼成することが不可能であ
るため、最近では、ガラス、またはガラスとセラミック
スとの複合材料からなる、いわゆるガラスセラミックス
を絶縁基板として用いた配線基板が開発されつつある。
融点が低く、アルミナと同時焼成することが不可能であ
るため、最近では、ガラス、またはガラスとセラミック
スとの複合材料からなる、いわゆるガラスセラミックス
を絶縁基板として用いた配線基板が開発されつつある。
【０００６】例えば、特開昭６０−２４０１３５号のよ
うに、ホウケイ酸亜鉛系ガラスに、Ａｌ2Ｏ3、ジルコニ
ア、ムライトなどのフィラーを添加したものを低抵抗金
属と同時焼成した多層配線基板や、特開平５−２９８９
１９号のように、ムライトやコージェライトを結晶相と
して析出させたガラスセラミック材料が提案されてい
る。
うに、ホウケイ酸亜鉛系ガラスに、Ａｌ2Ｏ3、ジルコニ
ア、ムライトなどのフィラーを添加したものを低抵抗金
属と同時焼成した多層配線基板や、特開平５−２９８９
１９号のように、ムライトやコージェライトを結晶相と
して析出させたガラスセラミック材料が提案されてい
る。
【０００７】また、多層配線基板や半導体素子収納用パ
ッケージなどの配線基板にＧａＡｓなどのチップ部品を
実装したり、また配線基板をマザーボードなどの有機樹
脂を含むプリント基板に実装する上で、絶縁基板とチッ
プ部品あるいはプリント基板との熱膨張差に起因して発
生する応力により実装部分が剥離したり、クラックなど
が発生するのを防止する観点から、絶縁基板の熱膨張係
数がチップ部品やプリント基板のそれと近似しているこ
とが望まれる。
ッケージなどの配線基板にＧａＡｓなどのチップ部品を
実装したり、また配線基板をマザーボードなどの有機樹
脂を含むプリント基板に実装する上で、絶縁基板とチッ
プ部品あるいはプリント基板との熱膨張差に起因して発
生する応力により実装部分が剥離したり、クラックなど
が発生するのを防止する観点から、絶縁基板の熱膨張係
数がチップ部品やプリント基板のそれと近似しているこ
とが望まれる。
【０００８】そこで、本出願人は、先に特開平９−１７
９０４号に開示されるように、結晶化が可能なリチウム
珪酸ガラスを用いることにより、絶縁基板の熱膨張係数
を高めることができることを提案した。
９０４号に開示されるように、結晶化が可能なリチウム
珪酸ガラスを用いることにより、絶縁基板の熱膨張係数
を高めることができることを提案した。
【０００９】また、特開平１０−１２０４３６号公報に
よれば、ディオプサイド結晶相と、アルミナ、ムライ
ト、ガーナイト、ウイレマイト粉末を添加することによ
り、２ＧＨｚでの誘電率が７．３〜８．３、誘電損失が
３〜７×１０-4の高周波特性に優れた磁器が得られると
している。
よれば、ディオプサイド結晶相と、アルミナ、ムライ
ト、ガーナイト、ウイレマイト粉末を添加することによ
り、２ＧＨｚでの誘電率が７．３〜８．３、誘電損失が
３〜７×１０-4の高周波特性に優れた磁器が得られると
している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
９−１７９０４号に開示されるようにアルカリ金属を含
有するガラスを用いる方法では、長時間高温多湿雰囲気
に曝されると、アルカリ金属が大気中の水分と反応し表
面にシリケート結晶相が析出して表面が変質してしまう
場合があった。
９−１７９０４号に開示されるようにアルカリ金属を含
有するガラスを用いる方法では、長時間高温多湿雰囲気
に曝されると、アルカリ金属が大気中の水分と反応し表
面にシリケート結晶相が析出して表面が変質してしまう
場合があった。
【００１１】また、特開平１０−１２０４３６号公報の
ガラスセラミック材料によれば、２ＧＨｚ以下の高周波
帯での誘電損失を低減できるものの、誘電率や熱膨張係
数等の特性を制御できるには至っていないものであっ
た。
ガラスセラミック材料によれば、２ＧＨｚ以下の高周波
帯での誘電損失を低減できるものの、誘電率や熱膨張係
数等の特性を制御できるには至っていないものであっ
た。
【００１２】従って、本発明は、金、銀、銅を配線導体
として多層化が可能な８００〜１０００℃での焼成が可
能であるとともに、ＧａＡｓ等のチップ部品やプリント
基板の熱膨張係数と近似した熱膨張係数に制御可能であ
り、高周波領域においても低誘電率でかつ誘電損失が低
い磁器およびその製造方法並びにそれを作製可能な高周
波用磁器組成物を提供することを目的とする。
として多層化が可能な８００〜１０００℃での焼成が可
能であるとともに、ＧａＡｓ等のチップ部品やプリント
基板の熱膨張係数と近似した熱膨張係数に制御可能であ
り、高周波領域においても低誘電率でかつ誘電損失が低
い磁器およびその製造方法並びにそれを作製可能な高周
波用磁器組成物を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記課題
を鋭意検討した結果、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯおよ
びＣａＯを含むか、または、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｍｇ
Ｏ、ＳｒＯおよびＣａＯを含み、ディオプサイド型酸化
物結晶相を析出可能なガラスに対して、クォーツおよび
／またはアモルファスシリカおよびＭｇを含有する特定
の成分をを特定の比率で配合した組成物を用い、これを
成形後、８００〜１０００℃の温度で焼成することによ
って、低誘電率で、かつＧａＡｓ等のチップ部品やプリ
ント基板の熱膨張係数と近似した熱膨張係数に制御で
き、１ＧＨｚ以上の高周波領域においても低誘電損失を
有する磁器が得られることを知見し、本発明に至った。
を鋭意検討した結果、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯおよ
びＣａＯを含むか、または、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｍｇ
Ｏ、ＳｒＯおよびＣａＯを含み、ディオプサイド型酸化
物結晶相を析出可能なガラスに対して、クォーツおよび
／またはアモルファスシリカおよびＭｇを含有する特定
の成分をを特定の比率で配合した組成物を用い、これを
成形後、８００〜１０００℃の温度で焼成することによ
って、低誘電率で、かつＧａＡｓ等のチップ部品やプリ
ント基板の熱膨張係数と近似した熱膨張係数に制御で
き、１ＧＨｚ以上の高周波領域においても低誘電損失を
有する磁器が得られることを知見し、本発明に至った。
【００１４】即ち、本発明の高周波用磁器組成物は、Ｓ
ｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯおよびＣａＯを含み、ディオ
プサイド型酸化物結晶相を析出可能なガラスを５０〜９
５重量％と、クォーツおよび／またはアモルファスシリ
カを合量で５〜４９．９重量％と、ＭｇＯ、ＭｇＣ
Ｏ3、Ｍｇ（ＯＨ）2およびＭｇとＳｉとの複合酸化物か
ら選ばれる少なくとも１種をＭｇＯ換算量で０．１〜２
０重量％との割合で含有することを特徴とするものであ
る。
ｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯおよびＣａＯを含み、ディオ
プサイド型酸化物結晶相を析出可能なガラスを５０〜９
５重量％と、クォーツおよび／またはアモルファスシリ
カを合量で５〜４９．９重量％と、ＭｇＯ、ＭｇＣ
Ｏ3、Ｍｇ（ＯＨ）2およびＭｇとＳｉとの複合酸化物か
ら選ばれる少なくとも１種をＭｇＯ換算量で０．１〜２
０重量％との割合で含有することを特徴とするものであ
る。
【００１５】なお、前記ガラスは、ＳｉＯ2４５〜５５
重量％と、Ａｌ2Ｏ3３〜１０重量％と、ＭｇＯ１３〜２
４重量％と、ＣａＯ２０〜３０重量％と、からなること
が望ましい。
重量％と、Ａｌ2Ｏ3３〜１０重量％と、ＭｇＯ１３〜２
４重量％と、ＣａＯ２０〜３０重量％と、からなること
が望ましい。
【００１６】また、本発明の他の高周波用磁器組成物
は、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＳｒＯおよびＣａＯ
を含み、ディオプサイド型酸化物結晶相を析出可能なガ
ラスを５０〜９５重量％と、クォーツおよび／またはア
モルファスシリカを合量で５〜４９．９重量％と、Ｍｇ
Ｏ、ＭｇＣＯ3、Ｍｇ（ＯＨ）2およびＭｇとＳｉとの複
合酸化物から選ばれる少なくとも１種をＭｇＯ換算量で
０．１〜２０重量％との割合で含有することを特徴とす
るものである。
は、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＳｒＯおよびＣａＯ
を含み、ディオプサイド型酸化物結晶相を析出可能なガ
ラスを５０〜９５重量％と、クォーツおよび／またはア
モルファスシリカを合量で５〜４９．９重量％と、Ｍｇ
Ｏ、ＭｇＣＯ3、Ｍｇ（ＯＨ）2およびＭｇとＳｉとの複
合酸化物から選ばれる少なくとも１種をＭｇＯ換算量で
０．１〜２０重量％との割合で含有することを特徴とす
るものである。
【００１７】また、前記ガラスは、ＳｉＯ2４５〜５５
重量％と、Ａｌ2Ｏ3３〜１０重量％と、ＭｇＯ１３〜２
４重量％と、ＳｒＯ１０〜２４重量％と、ＣａＯ８〜２
０重量％と、からなることが望ましい。
重量％と、Ａｌ2Ｏ3３〜１０重量％と、ＭｇＯ１３〜２
４重量％と、ＳｒＯ１０〜２４重量％と、ＣａＯ８〜２
０重量％と、からなることが望ましい。
【００１８】また、本発明の高周波用磁器は、少なくと
もＳｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａを含むディオプサイド型酸化
物結晶相を主結晶相とし、ＳｉＯ2相と、ＭｇＳｉＯ3結
晶相および／またはＭｇ2ＳｉＯ4結晶相とを含有し、且
つ室温から４００℃における熱膨張係数が５．５ｐｐｍ
／℃以上、誘電率が７以下、６０〜７７ＧＨｚでの誘電
損失が２０×１０-4以下であることを特徴とするもので
ある。
もＳｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａを含むディオプサイド型酸化
物結晶相を主結晶相とし、ＳｉＯ2相と、ＭｇＳｉＯ3結
晶相および／またはＭｇ2ＳｉＯ4結晶相とを含有し、且
つ室温から４００℃における熱膨張係数が５．５ｐｐｍ
／℃以上、誘電率が７以下、６０〜７７ＧＨｚでの誘電
損失が２０×１０-4以下であることを特徴とするもので
ある。
【００１９】さらに、上記の高周波用磁器としては、前
記ＳｉＯ2相として、クォーツ結晶相を含有し、かつ室
温から４００℃における熱膨張係数が８．５ｐｐｍ／℃
以上であること、または、前記ＳｉＯ2相として、アモ
ルファスシリカ相を含有し、誘電率が５．９以下である
ことが望ましい。
記ＳｉＯ2相として、クォーツ結晶相を含有し、かつ室
温から４００℃における熱膨張係数が８．５ｐｐｍ／℃
以上であること、または、前記ＳｉＯ2相として、アモ
ルファスシリカ相を含有し、誘電率が５．９以下である
ことが望ましい。
【００２０】また、本発明の高周波用磁器の製造方法
は、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯおよびＣａＯを含み、
ディオプサイド型酸化物結晶相を析出可能なガラス５０
〜９５重量％と、クォーツおよび／またはアモルファス
シリカの合量で５〜４９．９重量％と、ＭｇＯ、ＭｇＣ
Ｏ3、Ｍｇ（ＯＨ）2およびＭｇとＳｉとの複合酸化物か
ら選ばれる少なくとも１種のＭｇＯ換算量０．１〜２０
重量％との割合で含有する混合物を成形後、８００〜１
０００℃の温度で焼成してディオプサイド型酸化物結晶
相を主結晶相として析出させるものである。
は、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯおよびＣａＯを含み、
ディオプサイド型酸化物結晶相を析出可能なガラス５０
〜９５重量％と、クォーツおよび／またはアモルファス
シリカの合量で５〜４９．９重量％と、ＭｇＯ、ＭｇＣ
Ｏ3、Ｍｇ（ＯＨ）2およびＭｇとＳｉとの複合酸化物か
ら選ばれる少なくとも１種のＭｇＯ換算量０．１〜２０
重量％との割合で含有する混合物を成形後、８００〜１
０００℃の温度で焼成してディオプサイド型酸化物結晶
相を主結晶相として析出させるものである。
【００２１】さらに、本発明の高周波用磁器の他の製造
方法は、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＳｒＯおよびＣ
ａＯを含み、ディオプサイド型酸化物結晶相を析出可能
なガラス５０〜９５重量％と、クォーツおよび／または
アモルファスシリカの合量で５〜４９．９重量％と、Ｍ
ｇＯ、ＭｇＣＯ3、Ｍｇ（ＯＨ）2およびＭｇとＳｉとの
複合酸化物から選ばれる少なくとも１種のＭｇＯ換算量
０．１〜２０重量％との割合で含有する混合物を成形
後、８００〜１０００℃の温度で焼成してディオプサイ
ド型酸化物結晶相を主結晶相として析出させるものであ
る。
方法は、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＳｒＯおよびＣ
ａＯを含み、ディオプサイド型酸化物結晶相を析出可能
なガラス５０〜９５重量％と、クォーツおよび／または
アモルファスシリカの合量で５〜４９．９重量％と、Ｍ
ｇＯ、ＭｇＣＯ3、Ｍｇ（ＯＨ）2およびＭｇとＳｉとの
複合酸化物から選ばれる少なくとも１種のＭｇＯ換算量
０．１〜２０重量％との割合で含有する混合物を成形
後、８００〜１０００℃の温度で焼成してディオプサイ
ド型酸化物結晶相を主結晶相として析出させるものであ
る。
【００２２】本発明のチップ部品実装用パッケージは、
少なくともＳｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａを含むディオプサイ
ド型酸化物結晶相を主結晶とし、かつＳｉＯ2相と、Ｍ
ｇＳｉＯ3結晶相および／またはＭｇ2ＳｉＯ4結晶相と
を含有し、且つ室温から４００℃における熱膨張係数が
５．５ｐｐｍ／℃以上、誘電率が７以下、６０〜７７Ｇ
Ｈｚでの誘電損失が２０×１０-4以下である高周波用磁
器からなる絶縁基板の表面および内部に配線層を形成す
るとともに、前記絶縁基板の表面にＧａＡｓ系のチップ
部品を実装したことを特徴とするものである。
少なくともＳｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａを含むディオプサイ
ド型酸化物結晶相を主結晶とし、かつＳｉＯ2相と、Ｍ
ｇＳｉＯ3結晶相および／またはＭｇ2ＳｉＯ4結晶相と
を含有し、且つ室温から４００℃における熱膨張係数が
５．５ｐｐｍ／℃以上、誘電率が７以下、６０〜７７Ｇ
Ｈｚでの誘電損失が２０×１０-4以下である高周波用磁
器からなる絶縁基板の表面および内部に配線層を形成す
るとともに、前記絶縁基板の表面にＧａＡｓ系のチップ
部品を実装したことを特徴とするものである。
【００２３】ここで、前記配線層がストリップ線路、マ
イクロストリップ線路、コプレーナ線路、誘電体導波管
のうちの少なくとも１種からなることが望ましい。
イクロストリップ線路、コプレーナ線路、誘電体導波管
のうちの少なくとも１種からなることが望ましい。
【００２４】
【発明の実施の形態】本発明の高周波用磁器組成物は、
ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯおよびＣａＯを含むか、ま
たは、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＳｒＯおよびＣａ
Ｏを含み、ディオプサイド型酸化物結晶相を析出可能な
ガラス５０〜９５重量％と、クォーツおよび／またはア
モルファスシリカの総量で５〜４９．９重量％と、Ｍｇ
Ｏ、ＭｇＣＯ3、Ｍｇ（ＯＨ）2およびＭｇとＳｉとの複
合酸化物から選ばれる少なくとも１種のＭｇＯ換算量
０．１〜２０重量％との割合で含有するものである。
ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯおよびＣａＯを含むか、ま
たは、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＳｒＯおよびＣａ
Ｏを含み、ディオプサイド型酸化物結晶相を析出可能な
ガラス５０〜９５重量％と、クォーツおよび／またはア
モルファスシリカの総量で５〜４９．９重量％と、Ｍｇ
Ｏ、ＭｇＣＯ3、Ｍｇ（ＯＨ）2およびＭｇとＳｉとの複
合酸化物から選ばれる少なくとも１種のＭｇＯ換算量
０．１〜２０重量％との割合で含有するものである。
【００２５】各成分組成を上記の範囲に限定したのは、
上記ガラスが５０重量％よりも少ないと、１０００℃以
下の温度での焼成により磁器を緻密化させることが困難
であり、９５重量％よりも多いと、ガラスの結晶化が不
十分となり、誘電損失の大きなガラス相が残留し、磁器
の高周波での誘電損失が増大するためである。ガラスの
特に望ましい範囲は、６０〜８５重量％である。
上記ガラスが５０重量％よりも少ないと、１０００℃以
下の温度での焼成により磁器を緻密化させることが困難
であり、９５重量％よりも多いと、ガラスの結晶化が不
十分となり、誘電損失の大きなガラス相が残留し、磁器
の高周波での誘電損失が増大するためである。ガラスの
特に望ましい範囲は、６０〜８５重量％である。
【００２６】クォーツおよび／またはアモルファスシリ
カの総量が５重量％よりも少ないと、ガラスの残存率が
高くなり、誘電損失が大きくなる。逆に、４９．９重量
％を越えると、難焼結性となり、１０００℃以下の焼成
温度で緻密化することができない。クォーツおよび／ま
たはアモルファスシリカの総量の望ましい範囲は、１５
〜４０重量％である。
カの総量が５重量％よりも少ないと、ガラスの残存率が
高くなり、誘電損失が大きくなる。逆に、４９．９重量
％を越えると、難焼結性となり、１０００℃以下の焼成
温度で緻密化することができない。クォーツおよび／ま
たはアモルファスシリカの総量の望ましい範囲は、１５
〜４０重量％である。
【００２７】さらに、ＭｇＯ、ＭｇＣＯ3 、Ｍｇ（Ｏ
Ｈ）2 およびＭｇとＳｉとの複合酸化物から選ばれる少
なくとも１種のＭｇＯ換算量が０．１重量％より少ない
と、誘電損失を下げる効果が小さく、２０重量％より多
いと、１０００℃にて磁器を緻密化させることが困難と
なり上述した低抵抗金属との同時焼成ができないためで
ある。
Ｈ）2 およびＭｇとＳｉとの複合酸化物から選ばれる少
なくとも１種のＭｇＯ換算量が０．１重量％より少ない
と、誘電損失を下げる効果が小さく、２０重量％より多
いと、１０００℃にて磁器を緻密化させることが困難と
なり上述した低抵抗金属との同時焼成ができないためで
ある。
【００２８】ここで、前記ディオプサイド型酸化物結晶
相を析出可能なガラスは、ガラスの軟化点が５００〜８
００℃であることが望ましく、その組成はＳｉＯ2４５
〜５５重量％、Ａｌ2Ｏ3３〜１０重量％、ＭｇＯ１３〜
２４重量％、ＣａＯ２０〜３０重量％の割合であるこ
と、またはＳｉＯ2４５〜５５重量％、Ａｌ2Ｏ3３〜１
０重量％、ＭｇＯ１３〜２４重量％、ＳｒＯ１０〜２４
重量％、ＣａＯ８〜２０重量％の割合であることが望ま
しい。
相を析出可能なガラスは、ガラスの軟化点が５００〜８
００℃であることが望ましく、その組成はＳｉＯ2４５
〜５５重量％、Ａｌ2Ｏ3３〜１０重量％、ＭｇＯ１３〜
２４重量％、ＣａＯ２０〜３０重量％の割合であるこ
と、またはＳｉＯ2４５〜５５重量％、Ａｌ2Ｏ3３〜１
０重量％、ＭｇＯ１３〜２４重量％、ＳｒＯ１０〜２４
重量％、ＣａＯ８〜２０重量％の割合であることが望ま
しい。
【００２９】上記２種類のガラスのうち、Ｓｒを含むガ
ラスについては、焼成温度を低める効果がある。
ラスについては、焼成温度を低める効果がある。
【００３０】また、上記のガラスからのディオプサイド
型酸化物結晶相の析出割合を高める上では、ガラス中に
おけるＣａＯとＭｇＯの合計量が３５〜４４重量％であ
ることが望ましい。
型酸化物結晶相の析出割合を高める上では、ガラス中に
おけるＣａＯとＭｇＯの合計量が３５〜４４重量％であ
ることが望ましい。
【００３１】本発明の高周波用磁器組成物を用い、磁器
を製造するには、上述したＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ
およびＣａＯを含むか、またはＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｍ
ｇＯ、ＳｒＯおよびＣａＯを含み、ディオプサイド型酸
化物結晶相を析出可能な結晶化ガラスと、クォーツおよ
び／またはアモルファスシリカと、ＭｇＯ、ＭｇＣ
Ｏ3、Ｍｇ（ＯＨ）2およびＭｇとＳｉとの複合酸化物か
ら選ばれる少なくとも１種とからなる上記組成物の混合
粉末を用いて、ドクターブレード法やカレンダーロール
法、あるいは圧延法、プレス成形法の周知の成型法によ
り所定形状の成形体を作製した後、該成形体を８００〜
１０００℃の酸化性雰囲気または非酸化性雰囲気中で焼
成してディオプサイド型酸化物結晶相を主結晶相として
析出させることにより作製することができる。
を製造するには、上述したＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ
およびＣａＯを含むか、またはＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｍ
ｇＯ、ＳｒＯおよびＣａＯを含み、ディオプサイド型酸
化物結晶相を析出可能な結晶化ガラスと、クォーツおよ
び／またはアモルファスシリカと、ＭｇＯ、ＭｇＣ
Ｏ3、Ｍｇ（ＯＨ）2およびＭｇとＳｉとの複合酸化物か
ら選ばれる少なくとも１種とからなる上記組成物の混合
粉末を用いて、ドクターブレード法やカレンダーロール
法、あるいは圧延法、プレス成形法の周知の成型法によ
り所定形状の成形体を作製した後、該成形体を８００〜
１０００℃の酸化性雰囲気または非酸化性雰囲気中で焼
成してディオプサイド型酸化物結晶相を主結晶相として
析出させることにより作製することができる。
【００３２】本発明によれば、上記のガラス組成物を用
いることによって、フィラーとしてＳｉＯ2のような高
融点化物質を含有するにもかかわらず、１０００℃以
下、特に９５０℃以下、さらには９３０℃以下での焼成
が可能であることから、後述するように高周波用配線基
板の配線層として多用されている銅および／または銀と
の同時焼成が可能である。
いることによって、フィラーとしてＳｉＯ2のような高
融点化物質を含有するにもかかわらず、１０００℃以
下、特に９５０℃以下、さらには９３０℃以下での焼成
が可能であることから、後述するように高周波用配線基
板の配線層として多用されている銅および／または銀と
の同時焼成が可能である。
【００３３】ここで、クォーツを添加する場合には、焼
成によりクォーツの他にクリストバライト、トリジマイ
トなどに相変態してもよいが、クリストバライトは、２
００℃付近に熱膨張係数の屈曲点を有することから熱膨
張挙動、誘電特性の点でクォーツとして残存することが
望ましい。
成によりクォーツの他にクリストバライト、トリジマイ
トなどに相変態してもよいが、クリストバライトは、２
００℃付近に熱膨張係数の屈曲点を有することから熱膨
張挙動、誘電特性の点でクォーツとして残存することが
望ましい。
【００３４】上記の態様の磁器組成物は、８００〜１０
００℃の温度範囲での焼成によって相対密度９７％以上
まで緻密化することができ、これによって形成される磁
器の全体組成としては、Ｓｉ、Ａｌ、ＭｇおよびＣａの
各金属元素の酸化物換算による合量を１００重量％とし
た時、ＳｉＯ2を５５〜７５重量％、Ａｌ2Ｏ3を３〜５
重量％、ＭｇＯを１０〜１４重量％、ＣａＯ１５〜２１
重量％、またはＳｉＯ2を５５〜７５重量％、Ａｌ2Ｏ3
を３〜５重量％、ＭｇＯを１０〜１４重量％、ＳｒＯを
１５〜２３重量％、ＣａＯ１４〜１９重量％の割合から
構成されることが望ましい。
００℃の温度範囲での焼成によって相対密度９７％以上
まで緻密化することができ、これによって形成される磁
器の全体組成としては、Ｓｉ、Ａｌ、ＭｇおよびＣａの
各金属元素の酸化物換算による合量を１００重量％とし
た時、ＳｉＯ2を５５〜７５重量％、Ａｌ2Ｏ3を３〜５
重量％、ＭｇＯを１０〜１４重量％、ＣａＯ１５〜２１
重量％、またはＳｉＯ2を５５〜７５重量％、Ａｌ2Ｏ3
を３〜５重量％、ＭｇＯを１０〜１４重量％、ＳｒＯを
１５〜２３重量％、ＣａＯ１４〜１９重量％の割合から
構成されることが望ましい。
【００３５】一般に、Ａｌ2Ｏ3やＳｉＯ2を含むガラス
相の熱膨張係数は４〜５ｐｐｍ／℃と低い。これに対
し、Ｃａ（Ｍｇ，Ａｌ）（Ｓｉ，Ａｌ）2 Ｏ6 のディオ
プサイド型酸化物結晶相は、約８〜９ｐｐｍ／℃の高熱
膨張特性を有することから、上記組成のガラスよりディ
オプサイド型酸化物結晶相を析出させることにより、高
熱膨張化することができる。また、ディオプサイド型酸
化物結晶相は、６〜８の誘電率を有し、かつ高周波帯で
の誘電損失が小さい材料である。
相の熱膨張係数は４〜５ｐｐｍ／℃と低い。これに対
し、Ｃａ（Ｍｇ，Ａｌ）（Ｓｉ，Ａｌ）2 Ｏ6 のディオ
プサイド型酸化物結晶相は、約８〜９ｐｐｍ／℃の高熱
膨張特性を有することから、上記組成のガラスよりディ
オプサイド型酸化物結晶相を析出させることにより、高
熱膨張化することができる。また、ディオプサイド型酸
化物結晶相は、６〜８の誘電率を有し、かつ高周波帯で
の誘電損失が小さい材料である。
【００３６】本発明の磁器組成物によれば、ガラス、ク
ォーツおよびアモルファスシリカ（熱膨張係数２〜５ｐ
ｐｍ／℃）量を制御することによって、熱膨張係数や誘
電率等を任意に調整することができる。
ォーツおよびアモルファスシリカ（熱膨張係数２〜５ｐ
ｐｍ／℃）量を制御することによって、熱膨張係数や誘
電率等を任意に調整することができる。
【００３７】本発明によれば、上記組成のガラスに対し
て、フィラーとしてクォーツを添加することにより、磁
器中にディオプサイド型酸化物結晶相を主結晶相として
析出させるとともに、１３〜２０ｐｐｍ／℃の高熱膨張
係数を有するクォーツ結晶相を含有させることにより、
磁器の熱膨張係数を８．５ｐｐｍ／℃以上に高めること
ができる。その結果、磁器とＧａＡｓ等のチップ部品お
よびプリント基板等の有機樹脂からなる外部回路基板と
の熱膨張係数差を小さくできることから、本発明の磁器
を配線基板の絶縁基板として用いる場合、実装の信頼性
を高めることができる。
て、フィラーとしてクォーツを添加することにより、磁
器中にディオプサイド型酸化物結晶相を主結晶相として
析出させるとともに、１３〜２０ｐｐｍ／℃の高熱膨張
係数を有するクォーツ結晶相を含有させることにより、
磁器の熱膨張係数を８．５ｐｐｍ／℃以上に高めること
ができる。その結果、磁器とＧａＡｓ等のチップ部品お
よびプリント基板等の有機樹脂からなる外部回路基板と
の熱膨張係数差を小さくできることから、本発明の磁器
を配線基板の絶縁基板として用いる場合、実装の信頼性
を高めることができる。
【００３８】また、クォーツの誘電率が４〜４．５であ
ることから、磁器の誘電率を７以下とすることができ、
基板の高周波信号への影響を小さくできるとともに、ク
ォーツはミリ波帯での誘電損失が小さい材料であること
から、磁器の高周波帯での誘電損失を小さくすることが
できることから、高周波帯、特にミリ波帯での信号の伝
送特性が向上する。
ることから、磁器の誘電率を７以下とすることができ、
基板の高周波信号への影響を小さくできるとともに、ク
ォーツはミリ波帯での誘電損失が小さい材料であること
から、磁器の高周波帯での誘電損失を小さくすることが
できることから、高周波帯、特にミリ波帯での信号の伝
送特性が向上する。
【００３９】さらに、本発明によれば、上記組成のガラ
スに対して、フィラーとしてアモルファスシリカを主と
して添加することにより、磁器中ディオプサイド型酸化
物結晶相を析出させるとともに、その粒界をアモルファ
スシリカ相により主として形成することにより、アモル
ファスシリカの誘電率が３．８〜４．２と低いことか
ら、磁器の誘電率を５．９以下とすることができ、高周
波用配線基板等に用いる場合、高周波信号の伝送特性へ
の基板の影響が小さくすることが可能となる。さらに、
アモルファスシリカはミリ波帯での誘電損失が小さい材
料であることから、磁器の高周波帯での誘電損失を小さ
くすることができる。
スに対して、フィラーとしてアモルファスシリカを主と
して添加することにより、磁器中ディオプサイド型酸化
物結晶相を析出させるとともに、その粒界をアモルファ
スシリカ相により主として形成することにより、アモル
ファスシリカの誘電率が３．８〜４．２と低いことか
ら、磁器の誘電率を５．９以下とすることができ、高周
波用配線基板等に用いる場合、高周波信号の伝送特性へ
の基板の影響が小さくすることが可能となる。さらに、
アモルファスシリカはミリ波帯での誘電損失が小さい材
料であることから、磁器の高周波帯での誘電損失を小さ
くすることができる。
【００４０】また、ＭｇＳｉＯ3 結晶相およびＭｇ2Ｓ
ｉＯ4結晶相は、それぞれ、誘電率５〜６、５〜６、熱
膨張係数７〜８ｐｐｍ／℃、８〜９ｐｐｍ／℃であり、
特に高周波領域での誘電損失が小さい材料であることか
ら、磁器の誘電損失を低減する働きをなす。
ｉＯ4結晶相は、それぞれ、誘電率５〜６、５〜６、熱
膨張係数７〜８ｐｐｍ／℃、８〜９ｐｐｍ／℃であり、
特に高周波領域での誘電損失が小さい材料であることか
ら、磁器の誘電損失を低減する働きをなす。
【００４１】したがって、上述した高周波用磁器中にク
ォーツ結晶相および／またはアモルファスシリカ相およ
びＭｇＳｉＯ3 結晶相および／またはＭｇ2 ＳｉＯ4 結
晶相を存在させることによって、室温から４００℃にお
ける熱膨張係数が５．５ｐｐｍ／℃以上、誘電率が７以
下、６０〜７７ＧＨｚでの誘電損失が２０×１０-4以下
の特性に制御可能である。
ォーツ結晶相および／またはアモルファスシリカ相およ
びＭｇＳｉＯ3 結晶相および／またはＭｇ2 ＳｉＯ4 結
晶相を存在させることによって、室温から４００℃にお
ける熱膨張係数が５．５ｐｐｍ／℃以上、誘電率が７以
下、６０〜７７ＧＨｚでの誘電損失が２０×１０-4以下
の特性に制御可能である。
【００４２】また、上記のようにして作製された磁器
は、図１の磁器組織の概略図に示すように、結晶相とし
て、ガラスから析出する少なくともＭｇとＣａとＳｉと
Ａｌとを含むディオプサイド型酸化物結晶相Ｃａ（Ｍ
ｇ，Ａｌ）（Ｓｉ，Ａｌ）2Ｏ6（ＤＩ）を主結晶相と
し、それ以外に、ＳｉＯ2系相としてクォーツ（Ｓｉ）
および／またはアモルファスシリカ（ＡＭ）、およびＭ
ｇＳｉＯ3 で表されるエンスタタイト型結晶相（ＭＳ）
および／またはＭｇ2ＳｉＯ4で表されるフォルステライ
ト型結晶相（Ｍ2Ｓ）を含有するものであり、それ以外
にも、Ｃａ2ＭｇＳｉ2Ｏ7（ａｋｅｒｍａｎｉｔｅ）、
ＣａＭｇＳｉＯ4（ｍｏｎｔｉｃｅｌｌｉｔｅ）、Ｃａ3
ＭｇＳｉ2Ｏ8（ｍｅｒｗｉｎｉｔｅ）等高熱膨張を有す
る類似の相が析出してもよい。さらに、磁器中にはＭｇ
Ｏが残存してもよい。
は、図１の磁器組織の概略図に示すように、結晶相とし
て、ガラスから析出する少なくともＭｇとＣａとＳｉと
Ａｌとを含むディオプサイド型酸化物結晶相Ｃａ（Ｍ
ｇ，Ａｌ）（Ｓｉ，Ａｌ）2Ｏ6（ＤＩ）を主結晶相と
し、それ以外に、ＳｉＯ2系相としてクォーツ（Ｓｉ）
および／またはアモルファスシリカ（ＡＭ）、およびＭ
ｇＳｉＯ3 で表されるエンスタタイト型結晶相（ＭＳ）
および／またはＭｇ2ＳｉＯ4で表されるフォルステライ
ト型結晶相（Ｍ2Ｓ）を含有するものであり、それ以外
にも、Ｃａ2ＭｇＳｉ2Ｏ7（ａｋｅｒｍａｎｉｔｅ）、
ＣａＭｇＳｉＯ4（ｍｏｎｔｉｃｅｌｌｉｔｅ）、Ｃａ3
ＭｇＳｉ2Ｏ8（ｍｅｒｗｉｎｉｔｅ）等高熱膨張を有す
る類似の相が析出してもよい。さらに、磁器中にはＭｇ
Ｏが残存してもよい。
【００４３】本発明の磁器組成物は、高周波帯での誘電
損失が低いことから１ＧＨｚ以上、特に２０ＧＨｚ以
上、さらには５０ＧＨｚ以上、またさらには７０ＧＨｚ
以上の高周波用配線基板の絶縁層を形成するのに好適で
ある。本発明の磁器を配線基板の絶縁基板として用いる
場合、高周波信号の伝送特性への影響を低減するため、
誘電率が７以下、特に５．９以下と低いことが望まし
い。
損失が低いことから１ＧＨｚ以上、特に２０ＧＨｚ以
上、さらには５０ＧＨｚ以上、またさらには７０ＧＨｚ
以上の高周波用配線基板の絶縁層を形成するのに好適で
ある。本発明の磁器を配線基板の絶縁基板として用いる
場合、高周波信号の伝送特性への影響を低減するため、
誘電率が７以下、特に５．９以下と低いことが望まし
い。
【００４４】その場合、絶縁基板の室温から４００℃に
おける熱膨張係数は、実装するチップ部品等やプリント
基板等の熱膨張係数に近似するように前述したように、
基板を構成する磁器の組成、組織を制御して、適宜調整
することが望ましい。
おける熱膨張係数は、実装するチップ部品等やプリント
基板等の熱膨張係数に近似するように前述したように、
基板を構成する磁器の組成、組織を制御して、適宜調整
することが望ましい。
【００４５】これは、上記の絶縁基板の熱膨張係数が実
装されるチップ部品等やプリント基板のそれと差がある
場合、半田実装時や半導体素子の作動停止による繰り返
し温度サイクルによって、チップ部品等やプリント基板
とパッケージとの実装部に熱膨張差に起因する応力が発
生し、実装部にクラック等が発生し、実装構造の信頼性
を損ねてしまうためである。
装されるチップ部品等やプリント基板のそれと差がある
場合、半田実装時や半導体素子の作動停止による繰り返
し温度サイクルによって、チップ部品等やプリント基板
とパッケージとの実装部に熱膨張差に起因する応力が発
生し、実装部にクラック等が発生し、実装構造の信頼性
を損ねてしまうためである。
【００４６】具体的には、ＧａＡｓ系のチップ部品との
整合を図る上ではＧａＡｓ系のチップ部品との熱膨張係
数の差が２ｐｐｍ／℃以下であり、一方、プリント基板
との整合を図る上ではプリント基板との熱膨張係数の差
が２ｐｐｍ／℃以下であることが望ましい。
整合を図る上ではＧａＡｓ系のチップ部品との熱膨張係
数の差が２ｐｐｍ／℃以下であり、一方、プリント基板
との整合を図る上ではプリント基板との熱膨張係数の差
が２ｐｐｍ／℃以下であることが望ましい。
【００４７】具体的に、本発明における高周波用磁器組
成物を用いて、配線層を具備する配線基板を製造する方
法について説明する。上述した組成物からなる混合粉末
に、適当な有機溶剤、溶媒を用い混合してスラリーを調
製し、これを従来周知のドクターブレード法やカレンダ
ーロール法、あるいは圧延法、プレス成形法により、シ
ート状に成形する。そして、このシート状成形体に所望
によりスルーホールを形成した後、スルーホール内に、
銅、金、銀のうちの少なくとも１種を含む金属ペースト
を充填する。そして、シート状成形体表面には、高周波
信号が伝送可能な高周波線路パターン等に前記金属ペー
ストを用いてスクリーン印刷法、グラビア印刷法などに
よって配線層の厚みが５〜３０μｍとなるように、印刷
塗布する。
成物を用いて、配線層を具備する配線基板を製造する方
法について説明する。上述した組成物からなる混合粉末
に、適当な有機溶剤、溶媒を用い混合してスラリーを調
製し、これを従来周知のドクターブレード法やカレンダ
ーロール法、あるいは圧延法、プレス成形法により、シ
ート状に成形する。そして、このシート状成形体に所望
によりスルーホールを形成した後、スルーホール内に、
銅、金、銀のうちの少なくとも１種を含む金属ペースト
を充填する。そして、シート状成形体表面には、高周波
信号が伝送可能な高周波線路パターン等に前記金属ペー
ストを用いてスクリーン印刷法、グラビア印刷法などに
よって配線層の厚みが５〜３０μｍとなるように、印刷
塗布する。
【００４８】その後、複数のシート状成形体を位置合わ
せして積層圧着し、８００〜１０００℃の窒素ガスや窒
素−酸素混合ガス等の非酸化性雰囲気で焼成することに
より、配線基板を作製することができる。そして、この
配線基板の表面に、適宜、半導体素子等のチップ部品を
搭載し、配線層と信号の伝達が可能なように接続する。
せして積層圧着し、８００〜１０００℃の窒素ガスや窒
素−酸素混合ガス等の非酸化性雰囲気で焼成することに
より、配線基板を作製することができる。そして、この
配線基板の表面に、適宜、半導体素子等のチップ部品を
搭載し、配線層と信号の伝達が可能なように接続する。
【００４９】接続方法としては、配線層上に直接搭載さ
せて接続させたり、あるいは５０μｍ程度の樹脂、Ａｇ
−エポキシ、Ａｇ−ガラス、Ａｕ−Ｓｉ等の樹脂、金
属、セラミックス等の接着剤によりチップ部品を絶縁基
板表面に固着し、ワイヤーボンディングや、ＴＡＢテー
プなどにより配線層と半導体素子とを接続する。
せて接続させたり、あるいは５０μｍ程度の樹脂、Ａｇ
−エポキシ、Ａｇ−ガラス、Ａｕ−Ｓｉ等の樹脂、金
属、セラミックス等の接着剤によりチップ部品を絶縁基
板表面に固着し、ワイヤーボンディングや、ＴＡＢテー
プなどにより配線層と半導体素子とを接続する。
【００５０】なお、この半導体素子としては、Ｓｉ系や
ＧａＡｓ系等のチップ部品が使用できるが、特に熱膨張
係数の近似性の点では、最もＧａＡｓ系のチップ部品の
実装に有効である。
ＧａＡｓ系等のチップ部品が使用できるが、特に熱膨張
係数の近似性の点では、最もＧａＡｓ系のチップ部品の
実装に有効である。
【００５１】さらに、半導体素子が搭載された配線基板
表面に、絶縁基板と同種の絶縁材料や、その他の絶縁材
料、あるいは放熱性が良好な金属等からなり、電磁波遮
蔽性を有するキャップをガラス、樹脂、ロウ材等の接着
剤により接合してもよく、これにより半導体素子を気密
に封止することができる。
表面に、絶縁基板と同種の絶縁材料や、その他の絶縁材
料、あるいは放熱性が良好な金属等からなり、電磁波遮
蔽性を有するキャップをガラス、樹脂、ロウ材等の接着
剤により接合してもよく、これにより半導体素子を気密
に封止することができる。
【００５２】本発明の磁器組成物を好適に使用しうる高
周波用配線基板の一例である半導体素子収納用パッケー
ジの具体的な構造とその実装構造について図２をもとに
説明する。図２は、半導体収納用パッケージ、特に、接
続端子がボール状端子からなるボールグリッドアレイ
（ＢＧＡ）型パッケージの概略断面図である。
周波用配線基板の一例である半導体素子収納用パッケー
ジの具体的な構造とその実装構造について図２をもとに
説明する。図２は、半導体収納用パッケージ、特に、接
続端子がボール状端子からなるボールグリッドアレイ
（ＢＧＡ）型パッケージの概略断面図である。
【００５３】図２によれば、パッケージＡは、絶縁材料
からなる絶縁基板１と蓋体２によりキャビティ３が形成
されており、そのキャビティ３内には、ＧａＡｓ等のチ
ップ部品４が前述の接着剤により実装されている。
からなる絶縁基板１と蓋体２によりキャビティ３が形成
されており、そのキャビティ３内には、ＧａＡｓ等のチ
ップ部品４が前述の接着剤により実装されている。
【００５４】また、絶縁基板１の表面および内部には、
チップ部品４と電気的に接続された配線層５が形成され
ている。この配線層５は、高周波信号の伝送時に導体損
失を極力低減するために、銅、銀あるいは金などの低抵
抗金属からなることが望ましい。また、この配線層５に
１ＧＨｚ以上の高周波信号を伝送する場合には、高周波
信号が損失なく伝送されることが必要となるため、配線
層５は周知のストリップ線路、マイクロストリップ線
路、コプレーナ線路、誘電体導波管線路のうちの少なく
とも１種から構成される。
チップ部品４と電気的に接続された配線層５が形成され
ている。この配線層５は、高周波信号の伝送時に導体損
失を極力低減するために、銅、銀あるいは金などの低抵
抗金属からなることが望ましい。また、この配線層５に
１ＧＨｚ以上の高周波信号を伝送する場合には、高周波
信号が損失なく伝送されることが必要となるため、配線
層５は周知のストリップ線路、マイクロストリップ線
路、コプレーナ線路、誘電体導波管線路のうちの少なく
とも１種から構成される。
【００５５】また、図２のパッケージＡにおいて、絶縁
基板１の底面には、接続用電極層６が被着形成されてお
り、パッケージＡ内の配線層５と接続されている。そし
て、接続用電極層６には、半田などのロウ材７によりボ
ール状端子８が被着形成されている。
基板１の底面には、接続用電極層６が被着形成されてお
り、パッケージＡ内の配線層５と接続されている。そし
て、接続用電極層６には、半田などのロウ材７によりボ
ール状端子８が被着形成されている。
【００５６】また、上記パッケージＡを外部回路基板に
実装するには、図２に示すように、ポリイミド樹脂、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂などの有機樹脂を含む絶縁
材料からなる絶縁基板９の表面に配線導体１０が形成さ
れた外部回路基板Ｂに対して、ロウ材を介して実装され
る。具体的には、パッケージＡにおける絶縁基板１の底
面に取付けられているボール状端子８と、外部回路基板
Ｂの配線導体１０とを当接させてＰｂ−Ｓｎなどの半田
等のロウ材１１によりロウ付けして実装される。また、
ボール状端子８自体を溶融させて配線導体１０と接続さ
せてもよい。
実装するには、図２に示すように、ポリイミド樹脂、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂などの有機樹脂を含む絶縁
材料からなる絶縁基板９の表面に配線導体１０が形成さ
れた外部回路基板Ｂに対して、ロウ材を介して実装され
る。具体的には、パッケージＡにおける絶縁基板１の底
面に取付けられているボール状端子８と、外部回路基板
Ｂの配線導体１０とを当接させてＰｂ−Ｓｎなどの半田
等のロウ材１１によりロウ付けして実装される。また、
ボール状端子８自体を溶融させて配線導体１０と接続さ
せてもよい。
【００５７】本発明によれば、ＧａＡｓ等のチップ部品
４をロウ付けや接着剤により実装したり、このようなボ
ール状端子８を介在したロウ付けによりプリント基板等
の外部回路基板に実装されるような表面実装型のパッケ
ージにおいて、ＧａＡｓ等のチップ部品や外部回路基板
の絶縁基板との熱膨張差を従来のセラミック材料よりも
小さくできることから、かかる実装構造に対して、熱サ
イクルが印加された場合においても、実装部での応力の
発生を抑制することができる結果、実装構造の長期信頼
性を高めることができる。
４をロウ付けや接着剤により実装したり、このようなボ
ール状端子８を介在したロウ付けによりプリント基板等
の外部回路基板に実装されるような表面実装型のパッケ
ージにおいて、ＧａＡｓ等のチップ部品や外部回路基板
の絶縁基板との熱膨張差を従来のセラミック材料よりも
小さくできることから、かかる実装構造に対して、熱サ
イクルが印加された場合においても、実装部での応力の
発生を抑制することができる結果、実装構造の長期信頼
性を高めることができる。
【００５８】
【実施例】（実施例１） 下記の組成からなる２種のディオプサイド型酸化物結晶
相を析出可能な結晶化ガラスを準備した。 ガラスＡ：ＳｉＯ2５０重量％−Ａｌ2Ｏ3５．５重量％ −ＭｇＯ１８．５重量％−ＣａＯ２６重量％ ガラスＢ：ＳｉＯ2５２重量％−Ａｌ2Ｏ3５重量％ −ＭｇＯ１８重量％−ＣａＯ２５重量％
相を析出可能な結晶化ガラスを準備した。 ガラスＡ：ＳｉＯ2５０重量％−Ａｌ2Ｏ3５．５重量％ −ＭｇＯ１８．５重量％−ＣａＯ２６重量％ ガラスＢ：ＳｉＯ2５２重量％−Ａｌ2Ｏ3５重量％ −ＭｇＯ１８重量％−ＣａＯ２５重量％
【００５９】そして、この結晶化ガラス粉末に対して、
平均粒径が５μｍのクオーツあるいは平均粒径が２μｍ
のアモルファスシリカ粉末を用いて、表１、表２の組成
となるように混合した。そして、この混合物に有機バイ
ンダ、可塑剤、トルエンを添加し、スラリーを調製した
後、このスラリーを用いてドクターブレード法により厚
さ３００μｍのグリーンシートを作製した。そして、こ
のグリーンシートを１０〜１５枚積層し、５０℃の温度
で１００ｋｇ／ｃｍ2の圧力を加えて熱圧着した。得ら
れた積層体を水蒸気含有／窒素雰囲気中、７００℃で脱
バインダ処理を行った後、乾燥窒素中で表１、表２の条
件で焼成し絶縁基板用磁器を得た。
平均粒径が５μｍのクオーツあるいは平均粒径が２μｍ
のアモルファスシリカ粉末を用いて、表１、表２の組成
となるように混合した。そして、この混合物に有機バイ
ンダ、可塑剤、トルエンを添加し、スラリーを調製した
後、このスラリーを用いてドクターブレード法により厚
さ３００μｍのグリーンシートを作製した。そして、こ
のグリーンシートを１０〜１５枚積層し、５０℃の温度
で１００ｋｇ／ｃｍ2の圧力を加えて熱圧着した。得ら
れた積層体を水蒸気含有／窒素雰囲気中、７００℃で脱
バインダ処理を行った後、乾燥窒素中で表１、表２の条
件で焼成し絶縁基板用磁器を得た。
【００６０】得られた磁器について誘電率、誘電損失を
以下の方法で評価した。測定は形状、直径２〜７ｍｍ、
厚み１．５〜２．５ｍｍの形状に切り出し、６０ＧＨｚ
にてネットワークアナライザー、シンセサイズドスイー
パーを用いて誘電体円柱共振器法により行った。測定で
は、ＮＲＤガイド（非放射性誘電体線路）で、誘電体共
振器の励起を行い、ＴＥ021、ＴＥ031モードの共振特性
より、誘電率、誘電損失を算出した。
以下の方法で評価した。測定は形状、直径２〜７ｍｍ、
厚み１．５〜２．５ｍｍの形状に切り出し、６０ＧＨｚ
にてネットワークアナライザー、シンセサイズドスイー
パーを用いて誘電体円柱共振器法により行った。測定で
は、ＮＲＤガイド（非放射性誘電体線路）で、誘電体共
振器の励起を行い、ＴＥ021、ＴＥ031モードの共振特性
より、誘電率、誘電損失を算出した。
【００６１】また、室温から４００℃における熱膨張曲
線をとり、熱膨張係数を算出した。さらに、焼結体中に
おける主たる結晶相をＸ線回折チャートから同定した。
結果は表１、表２に示した。
線をとり、熱膨張係数を算出した。さらに、焼結体中に
おける主たる結晶相をＸ線回折チャートから同定した。
結果は表１、表２に示した。
【００６２】また、一部の試料については、フィラー成
分として、クォーツおよび／またはアモルファスシリカ
に代わり、ＺｒＯ2粉末、ＣａＺｒＯ3粉末を用いて同様
に磁器を作製し評価した（試料Ｎo.１１〜１３、３１〜
３３）。また、上記結晶化ガラスＡ、Ｂに代わり、以下
の組成からなるガラスＣを用いて同様に評価を行った
（試料Ｎo.３４、３５）。
分として、クォーツおよび／またはアモルファスシリカ
に代わり、ＺｒＯ2粉末、ＣａＺｒＯ3粉末を用いて同様
に磁器を作製し評価した（試料Ｎo.１１〜１３、３１〜
３３）。また、上記結晶化ガラスＡ、Ｂに代わり、以下
の組成からなるガラスＣを用いて同様に評価を行った
（試料Ｎo.３４、３５）。
【００６３】ガラスＣ：ＳｉＯ2 １０．４重量％−Ａｌ
2 Ｏ3 ２．５重量％ −Ｂ2 Ｏ3 ４５．３重量％−ＣａＯ３５．２重量％ −Ｎａ2 Ｏ６．６重量％
2 Ｏ3 ２．５重量％ −Ｂ2 Ｏ3 ４５．３重量％−ＣａＯ３５．２重量％ −Ｎａ2 Ｏ６．６重量％
【００６４】
【表１】
【００６５】
【表２】
【００６６】表１、２の結果から明らかなように、Ｓｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯおよびＣａＯを含むガラス量
が、９５重量％を越える試料Ｎｏ．１、２１では、誘電
損失が２０×１０-4を越えてしまい、フィラーであるク
ォーツ、アモルファスシリカ、ＭｇとＳｉとの複合酸化
物のいずれかの量が所定量を超える試料Ｎｏ．１４〜１
６、２７では、低温で焼結することが困難であり、緻密
化しなかった。
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯおよびＣａＯを含むガラス量
が、９５重量％を越える試料Ｎｏ．１、２１では、誘電
損失が２０×１０-4を越えてしまい、フィラーであるク
ォーツ、アモルファスシリカ、ＭｇとＳｉとの複合酸化
物のいずれかの量が所定量を超える試料Ｎｏ．１４〜１
６、２７では、低温で焼結することが困難であり、緻密
化しなかった。
【００６７】試料Ｎｏ．１１〜１３、３１〜３３は、ガ
ラスへの添加成分として、ＺｒＯ2やＣａＺｒＯ3を配合
したものであるが、焼結体中にＺｒＯ2やＣａＺｒＯ3な
どが析出し、誘電損失が増大した。また、ガラスとし
て、Ｂ2Ｏ3を多く含むガラスＣを用いた試料Ｎｏ．３４
では溶融してしまい、また、試料Ｎｏ．３５では、Ｂを
含むガラスが多く残留し、誘電損失が大きくなる傾向に
あった。
ラスへの添加成分として、ＺｒＯ2やＣａＺｒＯ3を配合
したものであるが、焼結体中にＺｒＯ2やＣａＺｒＯ3な
どが析出し、誘電損失が増大した。また、ガラスとし
て、Ｂ2Ｏ3を多く含むガラスＣを用いた試料Ｎｏ．３４
では溶融してしまい、また、試料Ｎｏ．３５では、Ｂを
含むガラスが多く残留し、誘電損失が大きくなる傾向に
あった。
【００６８】これに対して、本発明に従い、特定量のク
ォーツ粉末を主として添加した試料Ｎｏ．２〜１０、２
０、２２〜２６、２８〜３０では、磁器中にクォーツ相
の析出が見られ、また、いずれも熱膨張係数が８．５ｐ
ｐｍ／℃以上、６０ＧＨｚの測定周波数にて、誘電率７
以下、誘電損失が２０×１０-4以下の優れた特性を有す
るものであった。
ォーツ粉末を主として添加した試料Ｎｏ．２〜１０、２
０、２２〜２６、２８〜３０では、磁器中にクォーツ相
の析出が見られ、また、いずれも熱膨張係数が８．５ｐ
ｐｍ／℃以上、６０ＧＨｚの測定周波数にて、誘電率７
以下、誘電損失が２０×１０-4以下の優れた特性を有す
るものであった。
【００６９】また、本発明に従い、特定量のアモルファ
スシリカ粉末を主として添加した試料Ｎｏ．１７〜１９
では、磁器中にアモルファスシリカ相が存在し、また、
いずれも熱膨張係数が５．５ｐｐｍ／℃以上、６０ＧＨ
ｚの測定周波数にて、誘電率５．９以下、誘電損失が２
０×１０-4以下、特に１０×１０-4以下の優れた特性を
有するものであった。
スシリカ粉末を主として添加した試料Ｎｏ．１７〜１９
では、磁器中にアモルファスシリカ相が存在し、また、
いずれも熱膨張係数が５．５ｐｐｍ／℃以上、６０ＧＨ
ｚの測定周波数にて、誘電率５．９以下、誘電損失が２
０×１０-4以下、特に１０×１０-4以下の優れた特性を
有するものであった。
【００７０】（実施例２） 下記の組成からなる２種のディオプサイド型酸化物結晶
相を析出可能な結晶化ガラスＤおよびＥに対して、平均
粒径が２μｍの表３、４に示す添加物粉末を用いて、焼
成後の磁器が表３、４の組成となるように混合し、実施
例１と同様に磁器を作製し、同様に評価した。結果は、
表３、４に示した。
相を析出可能な結晶化ガラスＤおよびＥに対して、平均
粒径が２μｍの表３、４に示す添加物粉末を用いて、焼
成後の磁器が表３、４の組成となるように混合し、実施
例１と同様に磁器を作製し、同様に評価した。結果は、
表３、４に示した。
【００７１】ガラスＤ：ＳｉＯ2５０．２重量％−Ａｌ2
Ｏ3５．０重量％ −ＭｇＯ１６．１重量％−ＳｒＯ１３．６重量％ −ＣａＯ１５．１重量％ ガラスＥ：ＳｉＯ2４７．５重量％−Ａｌ2Ｏ3４．９重
量％ −ＭｇＯ１６．１重量％−ＳｒＯ２０重量％ −ＣａＯ１１．５重量％
Ｏ3５．０重量％ −ＭｇＯ１６．１重量％−ＳｒＯ１３．６重量％ −ＣａＯ１５．１重量％ ガラスＥ：ＳｉＯ2４７．５重量％−Ａｌ2Ｏ3４．９重
量％ −ＭｇＯ１６．１重量％−ＳｒＯ２０重量％ −ＣａＯ１１．５重量％
【００７２】
【表３】
【００７３】
【表４】
【００７４】表３、４の結果から明らかなように、Ｓｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＳｒＯ、ＣａＯを含むガラス
量が、９５重量％を越える試料Ｎｏ．３６、５６では、
誘電損失が２０×１０-4を越えてしまい、フィラーであ
るクォーツ、アモルファスシリカ、ＭｇとＳｉとの複合
酸化物のいずれかの量が所定量を超える試料Ｎｏ．４９
〜５１、６３では、低温で焼結することが困難であり、
緻密化しなかった。
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＳｒＯ、ＣａＯを含むガラス
量が、９５重量％を越える試料Ｎｏ．３６、５６では、
誘電損失が２０×１０-4を越えてしまい、フィラーであ
るクォーツ、アモルファスシリカ、ＭｇとＳｉとの複合
酸化物のいずれかの量が所定量を超える試料Ｎｏ．４９
〜５１、６３では、低温で焼結することが困難であり、
緻密化しなかった。
【００７５】試料Ｎｏ．４６〜４８、６７〜６９は、ガ
ラスへの添加成分として、ＺｒＯ2やＣａＺｒＯ3を配合
したものであるが、焼結体中にＺｒＯ2やＣａＺｒＯ3な
どが析出し、誘電損失が増大した。
ラスへの添加成分として、ＺｒＯ2やＣａＺｒＯ3を配合
したものであるが、焼結体中にＺｒＯ2やＣａＺｒＯ3な
どが析出し、誘電損失が増大した。
【００７６】これに対して、本発明に従い、特定量のク
ォーツ粉末を主として添加した試料Ｎｏ．３７〜４５、
５５、５７〜６２、６４〜６６では、磁器中にクォーツ
相の析出が見られ、また、いずれも熱膨張係数が８．５
ｐｐｍ／℃以上、６０ＧＨｚの測定周波数にて、誘電率
７以下、誘電損失が２０×１０-4以下の優れた特性を有
するものであった。
ォーツ粉末を主として添加した試料Ｎｏ．３７〜４５、
５５、５７〜６２、６４〜６６では、磁器中にクォーツ
相の析出が見られ、また、いずれも熱膨張係数が８．５
ｐｐｍ／℃以上、６０ＧＨｚの測定周波数にて、誘電率
７以下、誘電損失が２０×１０-4以下の優れた特性を有
するものであった。
【００７７】また、本発明に従い、特定量のアモルファ
スシリカ粉末を主として添加した試料Ｎｏ．５２〜５４
では、磁器中にアモルファスシリカ相が存在し、また、
いずれも熱膨張係数が５．５ｐｐｍ／℃以上、６０ＧＨ
ｚの測定周波数にて、誘電率５．９以下、誘電損失が２
０×１０-4以下、特に１０×１０-4以下の優れた特性を
有するものであった。
スシリカ粉末を主として添加した試料Ｎｏ．５２〜５４
では、磁器中にアモルファスシリカ相が存在し、また、
いずれも熱膨張係数が５．５ｐｐｍ／℃以上、６０ＧＨ
ｚの測定周波数にて、誘電率５．９以下、誘電損失が２
０×１０-4以下、特に１０×１０-4以下の優れた特性を
有するものであった。
【００７８】
【発明の効果】 以上詳述した通り、本発明の高周波用
磁器組成物によれば、１０００℃以下の低温にて焼成で
きることから、銅などの低抵抗金属による配線層を形成
でき、しかも１ＧＨｚ以上の高周波領域において、低誘
電率、低誘電損失を有することから、高周波信号を極め
て良好に損失なく伝送することができる。
磁器組成物によれば、１０００℃以下の低温にて焼成で
きることから、銅などの低抵抗金属による配線層を形成
でき、しかも１ＧＨｚ以上の高周波領域において、低誘
電率、低誘電損失を有することから、高周波信号を極め
て良好に損失なく伝送することができる。
【００７９】しかも、この組成物を用いて得られる磁器
は、ＧａＡｓチップあるいはプリント基板と近似した熱
膨張特性に制御できることから、ＧａＡｓチップを実装
した場合、あるいは有機樹脂を含む絶縁基板を具備する
プリント基板などのマザーボードに対してロウ材等によ
り実装した場合において優れた耐熱サイクル性を有し、
高信頼性の実装構造を提供できる。
は、ＧａＡｓチップあるいはプリント基板と近似した熱
膨張特性に制御できることから、ＧａＡｓチップを実装
した場合、あるいは有機樹脂を含む絶縁基板を具備する
プリント基板などのマザーボードに対してロウ材等によ
り実装した場合において優れた耐熱サイクル性を有し、
高信頼性の実装構造を提供できる。
【図１】本発明の組成物を焼成して得られる磁器の組織
を説明するための概略図である。
を説明するための概略図である。
【図２】本発明の組成物を焼成した磁器を用いた高周波
用配線基板の一例である半導体素子収納用パッケージの
実装構造の一例を説明するための概略断面図である。
用配線基板の一例である半導体素子収納用パッケージの
実装構造の一例を説明するための概略断面図である。
ＤＩ ディオプサイド型酸化物結晶相 Ｓｉ ＳｉＯ2結晶相 ＡＭ アモルファスシリカ相 Ｇ 非晶質（ガラス）相 ＭＳ ＭｇＳｉＯ3（エンスタタイト）結晶相 Ｍ2Ｓ Ｍｇ2ＳｉＯ4（フォルステライト）結晶相 Ａ 半導体素子収納用パッケージ Ｂ 外部回路基板 １ 絶縁基板 ２ 蓋体 ３ キャビティ ４ チップ部品 ５ 配線層 ６ 接続用電極層 ７ ロウ材 ８ ボール状端子 ９ 絶縁基板 １０ 配線導体 １１ ロウ材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/15 Ｈ０１Ｌ 23/14 Ｃ
Claims (13)
- 【請求項１】ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯおよびＣａＯ
を含み、ディオプサイド型酸化物結晶相を析出可能なガ
ラスを５０〜９５重量％と、クォーツおよび／またはア
モルファスシリカを合量で５〜４９．９重量％と、Ｍｇ
Ｏ、ＭｇＣＯ3、Ｍｇ（ＯＨ）2およびＭｇとＳｉとの複
合酸化物の群から選ばれる少なくとも１種をＭｇＯ換算
量で０．１〜２０重量％との割合で含有することを特徴
とする高周波用磁器組成物。 - 【請求項２】前記ガラスが、ＳｉＯ2４５〜５５重量％
と、Ａｌ2Ｏ3３〜１０重量％と、ＭｇＯ１３〜２４重量
％と、ＣａＯ２０〜３０重量％と、からなることを特徴
とする請求項１記載の高周波用磁器組成物。 - 【請求項３】ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＳｒＯおよ
びＣａＯを含み、ディオプサイド型酸化物結晶相を析出
可能なガラスを５０〜９５重量％と、クォーツおよび／
またはアモルファスシリカを合量で５〜４９．９重量％
と、ＭｇＯ、ＭｇＣＯ3、Ｍｇ（ＯＨ）2およびＭｇとＳ
ｉとの複合酸化物から選ばれる少なくとも１種をＭｇＯ
換算量で０．１〜２０重量％との割合で含有することを
特徴とする高周波用磁器組成物。 - 【請求項４】前記ガラスが、ＳｉＯ2４５〜５５重量％
と、Ａｌ2Ｏ3３〜１０重量％と、ＭｇＯ１３〜２４重量
％と、ＳｒＯ１０〜２４重量％と、ＣａＯ８〜２０重量
％と、からなることを特徴とする請求項３記載の高周波
用磁器組成物。 - 【請求項５】少なくともＳｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａを含む
ディオプサイド型酸化物結晶相を主結晶相として、Ｓｉ
Ｏ2相と、ＭｇＳｉＯ3結晶相および／またはＭｇ2Ｓｉ
Ｏ4結晶相とを含有し、且つ室温から４００℃における
熱膨張係数が５．５ｐｐｍ／℃以上、誘電率が７以下、
６０〜７７ＧＨｚでの誘電損失が２０×１０-4以下であ
ることを特徴とする高周波用磁器。 - 【請求項６】前記ＳｉＯ2相として、クォーツ結晶相を
含有し、室温から４００℃における熱膨張係数が８．５
ｐｐｍ／℃以上であることを特徴とする請求項５記載の
高周波用磁器。 - 【請求項７】前記ＳｉＯ2相として、アモルファスシリ
カ相を含有し、誘電率が５．９以下であることを特徴と
する請求項５記載の高周波用磁器。 - 【請求項８】ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯおよびＣａＯ
を含み、ディオプサイド型酸化物結晶相を析出可能なガ
ラスを５０〜９５重量％と、クォーツおよび／またはア
モルファスシリカを合量で５〜４９．９重量％と、Ｍｇ
Ｏ、ＭｇＣＯ3、Ｍｇ（ＯＨ）2およびＭｇとＳｉとの複
合酸化物から選ばれる少なくとも１種をＭｇＯ換算量で
０．１〜２０重量％とからなる混合物を成形後、８００
〜１０００℃の温度で焼成してディオプサイド型酸化物
結晶相を主結晶相として析出させることを特徴とする高
周波用磁器の製造方法。 - 【請求項９】前記ガラスが、ＳｉＯ2４５〜５５重量％
と、Ａｌ2Ｏ3３〜１０重量％と、ＭｇＯ１３〜２４重量
％と、ＣａＯ２０〜３０重量％と、からなることを特徴
とする請求項８記載の高周波用磁器の製造方法。 - 【請求項１０】ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＳｒＯお
よびＣａＯを含むディオプサイド型酸化物結晶相を析出
可能なガラス５０〜９５重量％と、クォーツおよび／ま
たはアモルファスシリカを合量で５〜４９．９重量％
と、ＭｇＯ、ＭｇＣＯ3、Ｍｇ（ＯＨ）2およびＭｇとＳ
ｉとの複合酸化物から選ばれる少なくとも１種のＭｇＯ
換算量０．１〜２０重量％とからなる混合物を成形後、
８００〜１０００℃の温度で焼成してディオプサイド型
酸化物結晶相を主結晶相として析出させることを特徴と
する高周波用磁器の製造方法。 - 【請求項１１】前記ガラスが、ＳｉＯ2４５〜５５重量
％と、Ａｌ2Ｏ3３〜１０重量％と、ＭｇＯ１３〜２４重
量％と、ＳｒＯ１０〜２４重量％と、ＣａＯ８〜２０重
量％と、からなることを特徴とする請求項１０記載の高
周波用磁器の製造方法。 - 【請求項１２】少なくともＳｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａを含
むディオプサイド型酸化物結晶相を主結晶とし、かつＳ
ｉＯ2相と、ＭｇＳｉＯ3結晶相および／またはＭｇ2Ｓ
ｉＯ4結晶相とを含有し、且つ室温から４００℃におけ
る熱膨張係数が５．５ｐｐｍ／℃以上、誘電率が７以
下、６０〜７７ＧＨｚでの誘電損失が２０×１０-4以下
である高周波用磁器からなる絶縁基板の表面および内部
に配線層を形成するとともに、前記絶縁基板の表面にＧ
ａＡｓ系のチップ部品を実装したことを特徴とするチッ
プ部品実装用パッケージ。 - 【請求項１３】前記配線層がストリップ線路、マイクロ
ストリップ線路、コプレーナ線路、誘電体導波管のうち
の少なくとも１種からなることを特徴とする請求項１２
記載のチップ部品実装用パッケージ。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| JP11050311A JP3085669B1 (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | 高周波用磁器組成物および高周波用磁器並びにその製造方法 |
| US09/408,888 US6232251B1 (en) | 1998-09-29 | 1999-09-29 | Dielectric ceramics |
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| JP11050311A JP3085669B1 (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | 高周波用磁器組成物および高周波用磁器並びにその製造方法 |
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