JP3466454B2 - 配線基板 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージや混成集積回路装置等
に使用される配線基板に関するものである。
する半導体素子収納用パッケージや混成集積回路装置等
に使用される配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、配線基板、例えば、半導体素子を
収容する半導体素子収納用パッケージに使用される配線
基板は、一般に酸化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁
材料から成り、その表面に半導体素子が搭載される搭載
部を有する絶縁基体と、搭載される半導体素子の信号電
極、電源電極及びグランド電極が電気的に接続されるタ
ングステン、モリブデン、マンガン等の金属材料よりな
る信号線、電源線、グランド線とで構成されており、配
線基板の絶縁基体表面に設けた搭載部に半導体素子を搭
載し、ガラス、樹脂、ロウ材等の接着材で固定するとと
もに半導体素子の信号電極、電源電極、グランド電極を
ボンディングワイヤ等の電気的接続手段を介して信号
線、電源線、グランド線に電気的に接続させ、しかる
後、絶縁基体表面に椀状の蓋体を内部に半導体素子を収
容するようにして接合し、半導体素子を配線基板と蓋体
とから成る容器の内部に気密に収容することによって製
品としての半導体装置となる。
収容する半導体素子収納用パッケージに使用される配線
基板は、一般に酸化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁
材料から成り、その表面に半導体素子が搭載される搭載
部を有する絶縁基体と、搭載される半導体素子の信号電
極、電源電極及びグランド電極が電気的に接続されるタ
ングステン、モリブデン、マンガン等の金属材料よりな
る信号線、電源線、グランド線とで構成されており、配
線基板の絶縁基体表面に設けた搭載部に半導体素子を搭
載し、ガラス、樹脂、ロウ材等の接着材で固定するとと
もに半導体素子の信号電極、電源電極、グランド電極を
ボンディングワイヤ等の電気的接続手段を介して信号
線、電源線、グランド線に電気的に接続させ、しかる
後、絶縁基体表面に椀状の蓋体を内部に半導体素子を収
容するようにして接合し、半導体素子を配線基板と蓋体
とから成る容器の内部に気密に収容することによって製
品としての半導体装置となる。
【０００３】かかる従来の配線基板を使用した半導体装
置は絶縁基体に設けた信号線、電源線、グランド線を所
定の外部電気回路基板の配線導体に接続し、半導体素子
の信号電極、電源電極及びグランド電極を外部電気回路
に電気的に接続させることによって半導体素子に対し、
外部電気回路より所定の電気信号が出し入れされること
となる。
置は絶縁基体に設けた信号線、電源線、グランド線を所
定の外部電気回路基板の配線導体に接続し、半導体素子
の信号電極、電源電極及びグランド電極を外部電気回路
に電気的に接続させることによって半導体素子に対し、
外部電気回路より所定の電気信号が出し入れされること
となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
情報処理装置は高性能化が急激に進展し、これに伴って
半導体素子等の電子部品も高速駆動が行われるようにな
りノイズの影響を極めて受け易いものになってきたこ
と、配線基板の絶縁基体を形成する酸化アルミニウム質
焼結体等はノイズに対するシールド効果が低いこと、タ
ングステンやモリブデン等から成る信号線は高調波のノ
イズを伝搬させ易いこと等から外部近接位置にノイズの
発生源があるとそのノイズが信号線に直接作用して入り
込み、これが信号線を伝搬して半導体素子に入力され、
半導体素子を誤動作させてしまうという欠点を有してい
た。
情報処理装置は高性能化が急激に進展し、これに伴って
半導体素子等の電子部品も高速駆動が行われるようにな
りノイズの影響を極めて受け易いものになってきたこ
と、配線基板の絶縁基体を形成する酸化アルミニウム質
焼結体等はノイズに対するシールド効果が低いこと、タ
ングステンやモリブデン等から成る信号線は高調波のノ
イズを伝搬させ易いこと等から外部近接位置にノイズの
発生源があるとそのノイズが信号線に直接作用して入り
込み、これが信号線を伝搬して半導体素子に入力され、
半導体素子を誤動作させてしまうという欠点を有してい
た。
【０００５】そこで上記欠点を解消するために配線基板
の信号線をグランド線と該グランド線より分岐した補助
グランド線で挟み込み、信号線をグランド線でシールド
することによって信号線に外部よりノイズが入り込むの
を有効に防止することが考えられる。
の信号線をグランド線と該グランド線より分岐した補助
グランド線で挟み込み、信号線をグランド線でシールド
することによって信号線に外部よりノイズが入り込むの
を有効に防止することが考えられる。
【０００６】しかしながら、信号線をグランド線で挟み
込んだ配線基板は信号線に外部からノイズが直接作用し
て入り込むことは有効に防止されるものの、搭載する電
子部品の作動に伴う電源電圧の変動によって電源線とグ
ランド線間に発生するノイズ、外部電気回路基板の配線
導体を伝搬する電気信号に入り込んでいるノイズ、信号
線が屈曲部を有しており、電気信号が信号線を伝搬した
際、屈曲郡において反射すること等により発生するノイ
ズの信号線への入り込みは防止できず、これらノイズは
依然として信号線を介して半導体素子等の電子部品に入
り込み、電子部品を誤動作させてしまうという解決すべ
き課題を有していた。
込んだ配線基板は信号線に外部からノイズが直接作用し
て入り込むことは有効に防止されるものの、搭載する電
子部品の作動に伴う電源電圧の変動によって電源線とグ
ランド線間に発生するノイズ、外部電気回路基板の配線
導体を伝搬する電気信号に入り込んでいるノイズ、信号
線が屈曲部を有しており、電気信号が信号線を伝搬した
際、屈曲郡において反射すること等により発生するノイ
ズの信号線への入り込みは防止できず、これらノイズは
依然として信号線を介して半導体素子等の電子部品に入
り込み、電子部品を誤動作させてしまうという解決すべ
き課題を有していた。
【０００７】本発明は、上記諸欠点に鑑み案出されたも
ので、その目的は、半導体素子等の電子部品にノイズが
入り込むのを有効に防止して電子部品を長期間にわたり
正常、かつ安定に作動させることができる配線基板を提
供することにある。
ので、その目的は、半導体素子等の電子部品にノイズが
入り込むのを有効に防止して電子部品を長期間にわたり
正常、かつ安定に作動させることができる配線基板を提
供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、表面に電子部
品が搭載される搭載部を有する絶縁基体と、該絶縁基体
の表面及び内部に形成され、前記電子部品の信号電極、
電源電極、グランド電極が電気的に接続される信号線、
電源線、グランド線とからなる配線基板であって、前記
絶縁基体をＬｉ２Ｏを５〜３０重量％含有する屈伏点が
４００〜８００℃のリチウム珪酸ガラスを２０〜８０体
積％と、クオーツ、クリストバライト、トリジマイト、
エンスタタイト、フォルステライトの少なくとも１種か
ら成るフィラー成分を２０〜８０体積％の割合で含む成
形体を焼成して得られたクオーツ、クリストバライト、
トリジマイト、エンスタタイトの少なくとも１種の結晶
相を含有する焼結体で形成するとともに、前記グランド
線より少なくとも一つの補助グランド線を分岐させ、前
記グランド線と補助グランド線とで前記信号線を挟み込
むとともに前記グランド線、補助グランド線の少なくと
も一部に磁性粉末を含有させて磁性領域を形成してお
り、前記磁性領域における磁性粉末の含有量が１０乃至
７０重量％であることを特徴とするものである。
品が搭載される搭載部を有する絶縁基体と、該絶縁基体
の表面及び内部に形成され、前記電子部品の信号電極、
電源電極、グランド電極が電気的に接続される信号線、
電源線、グランド線とからなる配線基板であって、前記
絶縁基体をＬｉ２Ｏを５〜３０重量％含有する屈伏点が
４００〜８００℃のリチウム珪酸ガラスを２０〜８０体
積％と、クオーツ、クリストバライト、トリジマイト、
エンスタタイト、フォルステライトの少なくとも１種か
ら成るフィラー成分を２０〜８０体積％の割合で含む成
形体を焼成して得られたクオーツ、クリストバライト、
トリジマイト、エンスタタイトの少なくとも１種の結晶
相を含有する焼結体で形成するとともに、前記グランド
線より少なくとも一つの補助グランド線を分岐させ、前
記グランド線と補助グランド線とで前記信号線を挟み込
むとともに前記グランド線、補助グランド線の少なくと
も一部に磁性粉末を含有させて磁性領域を形成してお
り、前記磁性領域における磁性粉末の含有量が１０乃至
７０重量％であることを特徴とするものである。
【０００９】
【００１０】更に本発明は、前記信号線、電源線、グラ
ンド線を金、銀、銅もしくはこれらの合金を主成分と
し、かつグランド線及び／又は補助グランド線の磁性領
域に含有される磁性粉末をフェライトを主成分とする磁
性材料で形成したことを特徴とするものである。
ンド線を金、銀、銅もしくはこれらの合金を主成分と
し、かつグランド線及び／又は補助グランド線の磁性領
域に含有される磁性粉末をフェライトを主成分とする磁
性材料で形成したことを特徴とするものである。
【００１１】本発明の配線基板によれば、電子部品の信
号電極に接続される信号線をグランド電極に接続される
グランド線と該グランド線より分岐する補助グランド線
とで挟み込むとともにグランド線及び補助グランド線の
少なくとも一部に磁性粉末を１０乃至７０重量％含有さ
せ、磁性領域を形成したことから信号線に外部からノイ
ズが直接作用して入り込むことはなく、また搭載する電
子部品の作動に伴う電源電圧の変動によって電源線とグ
ランド線間に発生するノイズ、外部電気回路基板の配線
導体を伝搬する電気信号に入り込んでいるノイズ、信号
線が屈曲部を有しており、電気信号が信号線を伝搬した
際、屈曲部において反射すること等により発生するノイ
ズも電子部品に入り込む前にグランド層及び／又は補助
グランド層に含有されている磁性粉末で熱エネルギーに
変換されて吸収され、その結果、電子部品にこれらノイ
ズが入り込むことはなく、電子部品を常に正常に作動さ
せることが可能となる。
号電極に接続される信号線をグランド電極に接続される
グランド線と該グランド線より分岐する補助グランド線
とで挟み込むとともにグランド線及び補助グランド線の
少なくとも一部に磁性粉末を１０乃至７０重量％含有さ
せ、磁性領域を形成したことから信号線に外部からノイ
ズが直接作用して入り込むことはなく、また搭載する電
子部品の作動に伴う電源電圧の変動によって電源線とグ
ランド線間に発生するノイズ、外部電気回路基板の配線
導体を伝搬する電気信号に入り込んでいるノイズ、信号
線が屈曲部を有しており、電気信号が信号線を伝搬した
際、屈曲部において反射すること等により発生するノイ
ズも電子部品に入り込む前にグランド層及び／又は補助
グランド層に含有されている磁性粉末で熱エネルギーに
変換されて吸収され、その結果、電子部品にこれらノイ
ズが入り込むことはなく、電子部品を常に正常に作動さ
せることが可能となる。
【００１２】また本発明の配線基板によれば、絶縁基体
をＬｉ2 Ｏを５〜３０重量％含有する屈伏点が４００〜
８００℃のリチウム珪酸ガラスを２０〜８０体積％と、
クオーツ、クリストバライト、トリジマイト、エンスタ
タイト、フォルステライトの少なくとも１種から成るフ
ィラー成分を２０〜８０体積％の割合で含む成形体を焼
成して得られたクオーツ、クリストバライト、トリジマ
イト、エンスタタイトの少なくとも１種の結晶相を含有
する焼結体で形成しており、該焼結体はその焼成温度が
８５０〜１０５０℃と低いことから信号線、電源線、グ
ランド線のいずれも金、銀、銅等の融点が低く、導通抵
抗の低いものを使用することが可能となり、これによっ
て信号線を電気信号が伝搬した際、電気信号に減衰等が
生じるのを有効に防止して電子部品を正確に作動させる
こともできる。
をＬｉ2 Ｏを５〜３０重量％含有する屈伏点が４００〜
８００℃のリチウム珪酸ガラスを２０〜８０体積％と、
クオーツ、クリストバライト、トリジマイト、エンスタ
タイト、フォルステライトの少なくとも１種から成るフ
ィラー成分を２０〜８０体積％の割合で含む成形体を焼
成して得られたクオーツ、クリストバライト、トリジマ
イト、エンスタタイトの少なくとも１種の結晶相を含有
する焼結体で形成しており、該焼結体はその焼成温度が
８５０〜１０５０℃と低いことから信号線、電源線、グ
ランド線のいずれも金、銀、銅等の融点が低く、導通抵
抗の低いものを使用することが可能となり、これによっ
て信号線を電気信号が伝搬した際、電気信号に減衰等が
生じるのを有効に防止して電子部品を正確に作動させる
こともできる。
【００１３】同時に前記クオーツ、クリストバライト、
トリジマイト、エンスタタイトの少なくとも１種の結晶
相を含有する焼結体はその焼成温度が８５０〜１０５０
℃と低いことから金、銀、銅等の金属粉末とフェライト
等の磁性粉末とからなるグランド線（補助グランド線）
を絶縁基体と同時焼成によって形成することができ配線
基板の製作が容易となる。
トリジマイト、エンスタタイトの少なくとも１種の結晶
相を含有する焼結体はその焼成温度が８５０〜１０５０
℃と低いことから金、銀、銅等の金属粉末とフェライト
等の磁性粉末とからなるグランド線（補助グランド線）
を絶縁基体と同時焼成によって形成することができ配線
基板の製作が容易となる。
【００１４】更に絶縁基体に信号線、電源線、グランド
線（補助グランド線）を同時焼成によって形成した際、
絶縁基体の焼成温度が低いことからグランド線（補助グ
ランド線）に含有させた磁性粉末が磁性を失うことはな
く、これによって信号線を伝わるノイズを良好に吸収す
ることも可能となる。
線（補助グランド線）を同時焼成によって形成した際、
絶縁基体の焼成温度が低いことからグランド線（補助グ
ランド線）に含有させた磁性粉末が磁性を失うことはな
く、これによって信号線を伝わるノイズを良好に吸収す
ることも可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】次に本発明を添付図面に基づき詳
細に説明する。図１は本発明の配線基板を半導体素子を
収容する半導体素子収納用パッケージに適用した場合の
一実施例を示し、１は配線基板、２は蓋体である。この
配線基体１と蓋体２とで半導体素子を収容するための容
器が構成される。
細に説明する。図１は本発明の配線基板を半導体素子を
収容する半導体素子収納用パッケージに適用した場合の
一実施例を示し、１は配線基板、２は蓋体である。この
配線基体１と蓋体２とで半導体素子を収容するための容
器が構成される。
【００１６】前記配線基板１は絶縁基体３と、信号線４
と、電源線５と、グランド線６とにより形成されてお
り、絶縁基体３は、その上面中央部に半導体素子７が搭
載される搭載部３ａを有し、該搭載部３ａ上に半導体素
子７が接着材を介して接着固定される。
と、電源線５と、グランド線６とにより形成されてお
り、絶縁基体３は、その上面中央部に半導体素子７が搭
載される搭載部３ａを有し、該搭載部３ａ上に半導体素
子７が接着材を介して接着固定される。
【００１７】前記絶縁基体３はＬｉ2 Ｏを５〜３０重量
％含有する屈伏点が４００〜８００℃のリチウム珪酸ガ
ラスを２０〜８０体積％と、クオーツ、クリストバライ
ト、トリジマイト、エンスタタイト、フォルステライト
の少なくとも１種から成るフィラー成分を２０〜８０体
積％の割合で含む成形体を焼成して得られた焼結体で形
成されており、例えば、所定組成のリチウム珪酸ガラ
ス、クオーツ、クリストバライト、トリジマイト、エン
スタタイト、フォルステライト等の原料粉末に適当な有
機溶剤、溶媒、可塑剤等を添加混合して泥漿状となすと
ともに、該泥漿物をドクターブレード法やカレンダーロ
ール法等によりシー卜状に成形して複数枚のグリーンシ
ート（生シー卜）を得、しかる後、前記グリーンシート
に適当な打ち抜き加工を施すとともに所定の順に上下に
積層し、８５０〜１０５０℃の温度で焼成することによ
って製作される。
％含有する屈伏点が４００〜８００℃のリチウム珪酸ガ
ラスを２０〜８０体積％と、クオーツ、クリストバライ
ト、トリジマイト、エンスタタイト、フォルステライト
の少なくとも１種から成るフィラー成分を２０〜８０体
積％の割合で含む成形体を焼成して得られた焼結体で形
成されており、例えば、所定組成のリチウム珪酸ガラ
ス、クオーツ、クリストバライト、トリジマイト、エン
スタタイト、フォルステライト等の原料粉末に適当な有
機溶剤、溶媒、可塑剤等を添加混合して泥漿状となすと
ともに、該泥漿物をドクターブレード法やカレンダーロ
ール法等によりシー卜状に成形して複数枚のグリーンシ
ート（生シー卜）を得、しかる後、前記グリーンシート
に適当な打ち抜き加工を施すとともに所定の順に上下に
積層し、８５０〜１０５０℃の温度で焼成することによ
って製作される。
【００１８】また前記絶縁基体３はその内部及び上下面
に信号線４、電源線５及びグランド線６が被着形成され
ており、該信号線４、電源線５及びグランド線６の各々
には半導体素子７の信号電極、電源電極及びグランド電
極がボンディングワイヤ等の電気的接続手段８を介して
電気的に接続され、また絶縁基体３の下面部に導出する
部位には外部電気回路基板の配線導体と接続される外部
リードピン９がロウ材を介して接合されている。
に信号線４、電源線５及びグランド線６が被着形成され
ており、該信号線４、電源線５及びグランド線６の各々
には半導体素子７の信号電極、電源電極及びグランド電
極がボンディングワイヤ等の電気的接続手段８を介して
電気的に接続され、また絶縁基体３の下面部に導出する
部位には外部電気回路基板の配線導体と接続される外部
リードピン９がロウ材を介して接合されている。
【００１９】前記信号線４、電源線５及びグランド線６
は銅、銀、金等の金属粉末により形成されており、例え
ば、銅等の金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合
して得た金属ペーストを絶縁基体３となるグリーンシー
トの上面及びグリーンシートに孔開け加工により開けた
孔内に予め従来周知のスクリーン印刷法等により所定パ
ターンに印刷塗布しておくことによって絶縁基体３の内
部及び上下面に被着形成される。
は銅、銀、金等の金属粉末により形成されており、例え
ば、銅等の金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合
して得た金属ペーストを絶縁基体３となるグリーンシー
トの上面及びグリーンシートに孔開け加工により開けた
孔内に予め従来周知のスクリーン印刷法等により所定パ
ターンに印刷塗布しておくことによって絶縁基体３の内
部及び上下面に被着形成される。
【００２０】なお、前記信号線４、電源線５及びグラン
ド線６はその露出表面に耐蝕性に優れる金等をメッキ法
により１．０〜２０μｍの厚みに被着させておくと信号
線４、電源線５及びグランド線６の酸化腐蝕を有効に防
止することができるとともに信号線４、電源線５及びグ
ランド線６とボンディングワイヤ等の電気的接続手段８
との接続及び信号線４、電源線５及びグランド線６への
外部リードピン９の接合を強固となすことができる。従
って、前記信号線４、電源線５及びグランド線６はその
露出表面に金等の耐蝕性に優れる金属をメッキ法により
１．０〜２０μｍの厚みに被着させておくことが好まし
い。
ド線６はその露出表面に耐蝕性に優れる金等をメッキ法
により１．０〜２０μｍの厚みに被着させておくと信号
線４、電源線５及びグランド線６の酸化腐蝕を有効に防
止することができるとともに信号線４、電源線５及びグ
ランド線６とボンディングワイヤ等の電気的接続手段８
との接続及び信号線４、電源線５及びグランド線６への
外部リードピン９の接合を強固となすことができる。従
って、前記信号線４、電源線５及びグランド線６はその
露出表面に金等の耐蝕性に優れる金属をメッキ法により
１．０〜２０μｍの厚みに被着させておくことが好まし
い。
【００２１】また前記絶縁基体３の下面において信号線
４、電源線５及びグランド線６に接合されている外部リ
ードピン９は鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケ
ル合金、銅等の金属材料から成り、半導体素子７の信号
電極、電源電極、グランド電極を外部電気回路に電気的
に接続する作用をなす。
４、電源線５及びグランド線６に接合されている外部リ
ードピン９は鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケ
ル合金、銅等の金属材料から成り、半導体素子７の信号
電極、電源電極、グランド電極を外部電気回路に電気的
に接続する作用をなす。
【００２２】前記外部リードピン９は鉄−ニッケル−コ
バルト合金等のインゴット（塊）を圧延加工法や打ち抜
き加工法等、従来周知の金属加工法を採用することによ
って所定形状に形成される。
バルト合金等のインゴット（塊）を圧延加工法や打ち抜
き加工法等、従来周知の金属加工法を採用することによ
って所定形状に形成される。
【００２３】前記外部リードピン９は例えば、融点が５
００℃以下の金属材料からなるロウ材、具体的には、１
０〜５０重量％のインジウムまたは錫と、１０〜７０重
量％の銀と、１０〜７５重量％のアンチモンと、１０重
量％以下の銅とから成る合金、１５〜２５重量％の錫
と、７５〜８５重量％の金とから成る合金、１０〜１５
重量％のゲルマニウムと、８５〜９０重量％の金とから
成る合金、鉛と、錫、インジウム、アンチモン、ビスマ
スの少なくとも１種との合金等を使用することによって
絶縁基体３の下面で信号線４、電源線５及びグランド線
６に接合される。
００℃以下の金属材料からなるロウ材、具体的には、１
０〜５０重量％のインジウムまたは錫と、１０〜７０重
量％の銀と、１０〜７５重量％のアンチモンと、１０重
量％以下の銅とから成る合金、１５〜２５重量％の錫
と、７５〜８５重量％の金とから成る合金、１０〜１５
重量％のゲルマニウムと、８５〜９０重量％の金とから
成る合金、鉛と、錫、インジウム、アンチモン、ビスマ
スの少なくとも１種との合金等を使用することによって
絶縁基体３の下面で信号線４、電源線５及びグランド線
６に接合される。
【００２４】前記融点が５００℃以下の金属材料からな
るロウ材を使用して外部リードピン９を絶縁基体３の下
面で信号線４、電源線５及びグランド線６に接合させた
場合、ロウ付けの際のロウ材を加熱溶融させる温度が低
く、ロウ材の加熱溶融の熱によって絶縁基体３が大きく
変形することはなく、これによって絶縁基体３に設けら
れている信号線４、電源線５及びグランド線６に断線等
を招来するのを有効に防止することができる。
るロウ材を使用して外部リードピン９を絶縁基体３の下
面で信号線４、電源線５及びグランド線６に接合させた
場合、ロウ付けの際のロウ材を加熱溶融させる温度が低
く、ロウ材の加熱溶融の熱によって絶縁基体３が大きく
変形することはなく、これによって絶縁基体３に設けら
れている信号線４、電源線５及びグランド線６に断線等
を招来するのを有効に防止することができる。
【００２５】かくして、上述の配線基板によれば、絶縁
基体３の搭載部３ａに半導体素子７を接着材を介して搭
載固定するとともに半導体素子７の信号電極、電源電
極、グランド電極をボンディングワイヤ等の電気的接続
手段８を介して信号線４、電源線５及びグランド線６に
接続し、しかる後、絶縁基体３の上面に蓋体２をガラ
ス、樹脂、ロウ材等の封止部材を介して接合させ、配線
基板１の絶縁基体３と蓋体２とから成る容器内部に半導
体素子７を気密に封止することによって製品としての半
導体装置となる。
基体３の搭載部３ａに半導体素子７を接着材を介して搭
載固定するとともに半導体素子７の信号電極、電源電
極、グランド電極をボンディングワイヤ等の電気的接続
手段８を介して信号線４、電源線５及びグランド線６に
接続し、しかる後、絶縁基体３の上面に蓋体２をガラ
ス、樹脂、ロウ材等の封止部材を介して接合させ、配線
基板１の絶縁基体３と蓋体２とから成る容器内部に半導
体素子７を気密に封止することによって製品としての半
導体装置となる。
【００２６】かかる半導体装置は外部リードピン９を外
部電気回路基板の配線導体（不図示）に半田等を介して
接続すれば、容器内部に収容する半導体素子７の信号電
極、電源電極、グランド電極は外部リードピン９、信号
線４、電源線５、グランド線６及び電気的接続手段８を
介して外部電気回路基板の配線導体に接続されることと
なり、半導体素子７と外部電気回路基板の配線導体との
間で電気信号の出し入れが可能となる。
部電気回路基板の配線導体（不図示）に半田等を介して
接続すれば、容器内部に収容する半導体素子７の信号電
極、電源電極、グランド電極は外部リードピン９、信号
線４、電源線５、グランド線６及び電気的接続手段８を
介して外部電気回路基板の配線導体に接続されることと
なり、半導体素子７と外部電気回路基板の配線導体との
間で電気信号の出し入れが可能となる。
【００２７】本発明においては絶縁基体３をＬｉ2 Ｏを
５〜３０重量％含有する屈伏点が４００〜８００℃のリ
チウム珪酸ガラスを２０〜８０体積％と、クォーツ、ク
リストバライト、トリジマイト、エンスタタイト、フォ
ルステライトの少なくとも１種から成るフィラー成分を
２０〜８０体積％の割合で含む成形体を焼成し、フィラ
ー成分であるクオーツ、クリストバライト、トリジマイ
ト、エンスタタイトの結晶相をそのまま生成させる、或
いはリチウム珪酸ガラスのシリカとフォルステライトと
を反応させてエンスタタイトの結晶相を生成させた焼結
体で形成することが、またグランド線６より少なくとも
一つの補助グランド線６ａを分岐させ、前記クランド線
６と補助グランド線６ａとで信号線４を挟み込むととも
に該グランド線６、補助グランド線６ａの少なくとも一
部に磁性粉末を含有させ、磁性領域を形成しておくこと
が重要である。
５〜３０重量％含有する屈伏点が４００〜８００℃のリ
チウム珪酸ガラスを２０〜８０体積％と、クォーツ、ク
リストバライト、トリジマイト、エンスタタイト、フォ
ルステライトの少なくとも１種から成るフィラー成分を
２０〜８０体積％の割合で含む成形体を焼成し、フィラ
ー成分であるクオーツ、クリストバライト、トリジマイ
ト、エンスタタイトの結晶相をそのまま生成させる、或
いはリチウム珪酸ガラスのシリカとフォルステライトと
を反応させてエンスタタイトの結晶相を生成させた焼結
体で形成することが、またグランド線６より少なくとも
一つの補助グランド線６ａを分岐させ、前記クランド線
６と補助グランド線６ａとで信号線４を挟み込むととも
に該グランド線６、補助グランド線６ａの少なくとも一
部に磁性粉末を含有させ、磁性領域を形成しておくこと
が重要である。
【００２８】前記Ｌｉ2 Ｏを５〜３０重量％含有する屈
伏点が４００〜８００℃のリチウム珪酸ガラスを２０〜
８０体積％と、クォーツ、クリストバライト、トリジマ
イト、エンスタタイト、フォルステライトの少なくとも
１種から成るフィラー成分を２０〜８０体積％の割合で
含む成形体を焼成し、フィラー成分であるクオーツ、ク
リストバライト、トリジマイト、エンスタタイトの結晶
相をそのまま生成させる、或いはリチウム珪酸ガラスの
シリカとフォルステライトとを反応させてエンスタタイ
トの結晶相を生成させた焼結体はその焼成温度が８５０
〜１０５０℃と低く、そのため信号線４、電源線５、グ
ランド線６、補助グランド線６ａとして銅、銀、金等の
融点が低く、導通抵抗の低いものを使用することが可能
となり、これによって信号線４を電気信号が伝搬した
際、電気信号に減衰等が生じるのを有効に防止して半導
体素子７を正確に作動させることができる。
伏点が４００〜８００℃のリチウム珪酸ガラスを２０〜
８０体積％と、クォーツ、クリストバライト、トリジマ
イト、エンスタタイト、フォルステライトの少なくとも
１種から成るフィラー成分を２０〜８０体積％の割合で
含む成形体を焼成し、フィラー成分であるクオーツ、ク
リストバライト、トリジマイト、エンスタタイトの結晶
相をそのまま生成させる、或いはリチウム珪酸ガラスの
シリカとフォルステライトとを反応させてエンスタタイ
トの結晶相を生成させた焼結体はその焼成温度が８５０
〜１０５０℃と低く、そのため信号線４、電源線５、グ
ランド線６、補助グランド線６ａとして銅、銀、金等の
融点が低く、導通抵抗の低いものを使用することが可能
となり、これによって信号線４を電気信号が伝搬した
際、電気信号に減衰等が生じるのを有効に防止して半導
体素子７を正確に作動させることができる。
【００２９】また前記焼結体はその焼成温度が８５０〜
１０５０℃と低いことから金、銀、銅等の金属粉末やフ
ェライト等の磁性粉末とから成る信号線４、電源線５、
グランド線６及び補助グランド線６ａを絶縁基体３と同
時焼成によって形成することができ配線基板１の製作が
容易となる。
１０５０℃と低いことから金、銀、銅等の金属粉末やフ
ェライト等の磁性粉末とから成る信号線４、電源線５、
グランド線６及び補助グランド線６ａを絶縁基体３と同
時焼成によって形成することができ配線基板１の製作が
容易となる。
【００３０】同時にグランド線６及び補助グランド線６
ａを同時焼成によって形成した際、絶縁基体１を形成す
る焼結体の焼成温度が８５０〜１０５０℃と低いことか
らグランド線６及び補助グランド線６ａの少なくとも一
方の一部に含有させる磁性粉末が磁性を失うことはな
く、これによって信号線４を伝わるノイズを良好に吸収
することも可能となる。
ａを同時焼成によって形成した際、絶縁基体１を形成す
る焼結体の焼成温度が８５０〜１０５０℃と低いことか
らグランド線６及び補助グランド線６ａの少なくとも一
方の一部に含有させる磁性粉末が磁性を失うことはな
く、これによって信号線４を伝わるノイズを良好に吸収
することも可能となる。
【００３１】前記絶縁基体３となる焼結体はリチウム珪
酸ガラスを２０〜８０体積％、フィラー成分を２０〜８
０体積％とした成形体を焼成することによって形成さ
れ、リチウム珪酸ガラスを２０〜８０体積％、フィラー
成分を２０〜８０体積％の割合とするのは、リチウム珪
酸ガラスの量が２０体積％より少ない、言い換えればフ
ィラー成分が８０体積％より多いと液相焼結することが
できずに高温で焼成する必要があり、その場合、信号線
４、電源線５、グランド線６及び補助グランド線６ａを
銅や銀、金等の融点が低い金属材料で形成しようとして
もかかる金属材料は融点が低いことから焼成時に溶融し
てしまって信号線４、電源線５、グランド線６及び補助
グランド線６ａを絶縁基体３と同時焼成により形成する
ことができなくなり、またリチウム珪酸ガラスの量が８
０体積％を超える、言い換えればフィラー成分が２０体
積％より少ないと焼結体の特性がリチウム珪酸ガラスの
特性に大きく依存し、材料特性の制御が困難となるとと
もに焼結開始温度が低くなるために信号線４、電源線
５、グランド線６及び補助グランド線６ａとの同時焼成
が困難となってしまうためである。
酸ガラスを２０〜８０体積％、フィラー成分を２０〜８
０体積％とした成形体を焼成することによって形成さ
れ、リチウム珪酸ガラスを２０〜８０体積％、フィラー
成分を２０〜８０体積％の割合とするのは、リチウム珪
酸ガラスの量が２０体積％より少ない、言い換えればフ
ィラー成分が８０体積％より多いと液相焼結することが
できずに高温で焼成する必要があり、その場合、信号線
４、電源線５、グランド線６及び補助グランド線６ａを
銅や銀、金等の融点が低い金属材料で形成しようとして
もかかる金属材料は融点が低いことから焼成時に溶融し
てしまって信号線４、電源線５、グランド線６及び補助
グランド線６ａを絶縁基体３と同時焼成により形成する
ことができなくなり、またリチウム珪酸ガラスの量が８
０体積％を超える、言い換えればフィラー成分が２０体
積％より少ないと焼結体の特性がリチウム珪酸ガラスの
特性に大きく依存し、材料特性の制御が困難となるとと
もに焼結開始温度が低くなるために信号線４、電源線
５、グランド線６及び補助グランド線６ａとの同時焼成
が困難となってしまうためである。
【００３２】また前記絶縁基体３を形成する焼結体は、
Ｌｉ2 Ｏを５〜３０重量％、好適には５〜２０重量％の
割合で含有するリチウム珪酸ガラスを用いることが重要
であり、このようなリチウム珪酸ガラスを用いることに
よりリチウム珪酸を析出させることができる。なお、Ｌ
ｉ2 Ｏの含有量が５重量％より少ないと、焼結時にリチ
ウム珪酸の結晶の生成量が少なくなって高強度化が達成
できず、３０重量％より多いと誘電正接が１００×１０
-4を超えるため配線導体の絶縁基体３としての特性が劣
化する。
Ｌｉ2 Ｏを５〜３０重量％、好適には５〜２０重量％の
割合で含有するリチウム珪酸ガラスを用いることが重要
であり、このようなリチウム珪酸ガラスを用いることに
よりリチウム珪酸を析出させることができる。なお、Ｌ
ｉ2 Ｏの含有量が５重量％より少ないと、焼結時にリチ
ウム珪酸の結晶の生成量が少なくなって高強度化が達成
できず、３０重量％より多いと誘電正接が１００×１０
-4を超えるため配線導体の絶縁基体３としての特性が劣
化する。
【００３３】また、この焼結体中にはＰｂを実質的に含
まないことが望ましい。これは、Ｐｂが毒性を有するた
め、Ｐｂを含有すると製造工程中での被毒を防止するた
めの格別な装置及び管理を必要とするために焼結体を安
価に製造することができないためである。なお、Ｐｂが
不純物として不可避的に混入する場合を考慮すると、Ｐ
ｂの量は０．０５重量％以下であることが望ましい。
まないことが望ましい。これは、Ｐｂが毒性を有するた
め、Ｐｂを含有すると製造工程中での被毒を防止するた
めの格別な装置及び管理を必要とするために焼結体を安
価に製造することができないためである。なお、Ｐｂが
不純物として不可避的に混入する場合を考慮すると、Ｐ
ｂの量は０．０５重量％以下であることが望ましい。
【００３４】更に前記焼結体の屈伏点が４００〜８００
℃、特に４００〜６５０℃であることも、リチウム珪酸
ガラス及びフィラー成分から成る混合物を成形する場合
に添加する有機溶媒、溶剤の焼成時における効率的な除
去及び絶縁基体３と同時に焼成される信号線４、電源線
５、グランド線６及び補助グランド線６ａとの焼成条件
のマッチングを図るために重要である。屈伏点が４００
℃より低いとリチウム珪酸ガラスが低い温度で焼結を開
始するために、例えば、銀や銅等の焼結開始温度が６０
０〜８００℃の金属材料を用いた信号線４、電源線５、
グランド線６及び補助グランド線６ａとの同時焼成がで
きず、また成形体の緻密化が低温で開始するために有機
溶剤、溶媒が分解揮散できなくなって、焼結体中に残留
し、焼結体の特性に悪影響を及ぼす結果になるためであ
る。一方、屈伏点が８００℃より高いと、リチウム珪酸
ガラスを多くしないと焼結しにくくなるためであり、高
価なリチウム珪酸ガラスを大量に必要とするために焼結
体のコストを高めることにもなるためである。
℃、特に４００〜６５０℃であることも、リチウム珪酸
ガラス及びフィラー成分から成る混合物を成形する場合
に添加する有機溶媒、溶剤の焼成時における効率的な除
去及び絶縁基体３と同時に焼成される信号線４、電源線
５、グランド線６及び補助グランド線６ａとの焼成条件
のマッチングを図るために重要である。屈伏点が４００
℃より低いとリチウム珪酸ガラスが低い温度で焼結を開
始するために、例えば、銀や銅等の焼結開始温度が６０
０〜８００℃の金属材料を用いた信号線４、電源線５、
グランド線６及び補助グランド線６ａとの同時焼成がで
きず、また成形体の緻密化が低温で開始するために有機
溶剤、溶媒が分解揮散できなくなって、焼結体中に残留
し、焼結体の特性に悪影響を及ぼす結果になるためであ
る。一方、屈伏点が８００℃より高いと、リチウム珪酸
ガラスを多くしないと焼結しにくくなるためであり、高
価なリチウム珪酸ガラスを大量に必要とするために焼結
体のコストを高めることにもなるためである。
【００３５】上記特性を満足するリチウム珪酸ガラスと
しては、例えば、ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ−Ａ１２Ｏ３、Ｓ
ｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ−Ａ１２Ｏ３−ＭｇＯ−ＴｉＯ２、Ｓ
ｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ−Ａ１２Ｏ３−ＭｇＯ−Ｎａ２Ｏ−
Ｆ、ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ−Ａ１２Ｏ３−Ｋ２Ｏ−Ｎａ２
Ｏ−ＺｎＯ、ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ−Ａ１２Ｏ３−Ｋ２Ｏ
−Ｐ２Ｏ５、ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ−Ａ１２Ｏ３−Ｋ２Ｏ
−Ｐ２Ｏ５−ＺｎＯ−Ｎａ２Ｏ、ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ−
ＭｇＯ、ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ−ＺｎＯ等の組成物が挙げ
られ、このうち、ＳｉＯ２は、リチウム珪酸を形成する
ために必須の成分であり、ガラス全量中６０〜８５重量
％の割合で存在し、ＳｉＯ２とＬｉ２Ｏとの合量がガラ
ス全量中６５〜９５重量％であることがリチウム珪酸結
晶を析出させる上で望ましい。
しては、例えば、ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ−Ａ１２Ｏ３、Ｓ
ｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ−Ａ１２Ｏ３−ＭｇＯ−ＴｉＯ２、Ｓ
ｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ−Ａ１２Ｏ３−ＭｇＯ−Ｎａ２Ｏ−
Ｆ、ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ−Ａ１２Ｏ３−Ｋ２Ｏ−Ｎａ２
Ｏ−ＺｎＯ、ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ−Ａ１２Ｏ３−Ｋ２Ｏ
−Ｐ２Ｏ５、ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ−Ａ１２Ｏ３−Ｋ２Ｏ
−Ｐ２Ｏ５−ＺｎＯ−Ｎａ２Ｏ、ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ−
ＭｇＯ、ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ−ＺｎＯ等の組成物が挙げ
られ、このうち、ＳｉＯ２は、リチウム珪酸を形成する
ために必須の成分であり、ガラス全量中６０〜８５重量
％の割合で存在し、ＳｉＯ２とＬｉ２Ｏとの合量がガラ
ス全量中６５〜９５重量％であることがリチウム珪酸結
晶を析出させる上で望ましい。
【００３６】一方、フィラー成分としては、クォーツ、
クリストバライト、トリジマイト、エンスタタイト、フ
ォルステライトの少なくとも１種を２０〜８０体積％、
特に３０〜７０体積％の割合で配合することが望まし
い。このようなフィラー成分の組合せにより焼結体の焼
結を促進することができ、中でもクォーツ／フォルステ
ライト比が０．４２７以上であれば、比誘電率が高いフ
ォルステライトを焼結中に比誘電率の低いエンスタタイ
トに変えることができる。
クリストバライト、トリジマイト、エンスタタイト、フ
ォルステライトの少なくとも１種を２０〜８０体積％、
特に３０〜７０体積％の割合で配合することが望まし
い。このようなフィラー成分の組合せにより焼結体の焼
結を促進することができ、中でもクォーツ／フォルステ
ライト比が０．４２７以上であれば、比誘電率が高いフ
ォルステライトを焼結中に比誘電率の低いエンスタタイ
トに変えることができる。
【００３７】上記のリチウム珪酸ガラスおよびフィラー
成分は、リチウム珪酸ガラスの屈伏点に応じ、その量を
適宜調整することが望ましい。すなわち、リチウム珪酸
ガラスの屈伏点が４００℃〜６００℃と低い場合、低温
での焼結性が高まるためフィラー成分の含有量は５０〜
８０体積％と比較的多く配合できる。これに対して、リ
チウム珪酸ガラスの屈伏点が６５０℃〜８００℃と高い
場合、焼結性が低下するためフィラー成分の含有量は２
０〜５０体積％と比較的少なく配合することが望まし
い。このリチウム珪酸ガラスの屈伏点は信号線４、電源
線５、グランド線６及び補助グランド線６ａの焼成条件
に合わせて制御することが望ましい。
成分は、リチウム珪酸ガラスの屈伏点に応じ、その量を
適宜調整することが望ましい。すなわち、リチウム珪酸
ガラスの屈伏点が４００℃〜６００℃と低い場合、低温
での焼結性が高まるためフィラー成分の含有量は５０〜
８０体積％と比較的多く配合できる。これに対して、リ
チウム珪酸ガラスの屈伏点が６５０℃〜８００℃と高い
場合、焼結性が低下するためフィラー成分の含有量は２
０〜５０体積％と比較的少なく配合することが望まし
い。このリチウム珪酸ガラスの屈伏点は信号線４、電源
線５、グランド線６及び補助グランド線６ａの焼成条件
に合わせて制御することが望ましい。
【００３８】さらにリチウム珪酸ガラスは、フィラー成
分無添加では収縮開始温度は７００℃以下で、８５０℃
以上では溶融してしまい、信号線４、電源線５、グラン
ド線６及び補助グランド線６ａを絶縁基体３に同時焼成
により被着形成することができない。しかし、フィラー
成分を２０〜８０体積％の割合で混合しておくと、焼成
温度を上昇させ、結晶の析出とフィラー成分を液相焼結
させるための液相を形成させることができる。このフィ
ラー成分の含有量の調整により絶縁基体３と信号線４、
電源線５、グランド線６及び補助グランド線６ａとの同
時焼成条件をマッチングさせることができる。さらに、
原料コストを下げるために高価なリチウム珪酸ガラスの
含有量を減少させることができる。
分無添加では収縮開始温度は７００℃以下で、８５０℃
以上では溶融してしまい、信号線４、電源線５、グラン
ド線６及び補助グランド線６ａを絶縁基体３に同時焼成
により被着形成することができない。しかし、フィラー
成分を２０〜８０体積％の割合で混合しておくと、焼成
温度を上昇させ、結晶の析出とフィラー成分を液相焼結
させるための液相を形成させることができる。このフィ
ラー成分の含有量の調整により絶縁基体３と信号線４、
電源線５、グランド線６及び補助グランド線６ａとの同
時焼成条件をマッチングさせることができる。さらに、
原料コストを下げるために高価なリチウム珪酸ガラスの
含有量を減少させることができる。
【００３９】例えば、信号線４、電源線５、グランド線
６及び補助グランド線６ａの金属粉末として銅を主成分
とする金属材料により構成する場合、信号線４、電源線
５、グランド線６及び補助グランド線６ａの焼成は６０
０〜１１００℃で行なわれるため、同時焼成を行なうに
は、リチウム珪酸ガラスの屈伏点は４００℃〜６５０℃
で、フィラー成分の含有量は５０〜８０体積％であるの
が好ましい。また、このように高価なリチウム珪酸ガラ
スの配合量を低減することにより焼結体のコストも低減
できる。
６及び補助グランド線６ａの金属粉末として銅を主成分
とする金属材料により構成する場合、信号線４、電源線
５、グランド線６及び補助グランド線６ａの焼成は６０
０〜１１００℃で行なわれるため、同時焼成を行なうに
は、リチウム珪酸ガラスの屈伏点は４００℃〜６５０℃
で、フィラー成分の含有量は５０〜８０体積％であるの
が好ましい。また、このように高価なリチウム珪酸ガラ
スの配合量を低減することにより焼結体のコストも低減
できる。
【００４０】このリチウム珪酸ガラスとフィラー成分と
の混合物は、適当な成形用の有機溶剤、溶媒を添加した
後、所望の成形手段、例えばドクターブレード法、圧延
法、金型プレス法等によりシー卜状等の任意の形状に成
形後、焼成する。
の混合物は、適当な成形用の有機溶剤、溶媒を添加した
後、所望の成形手段、例えばドクターブレード法、圧延
法、金型プレス法等によりシー卜状等の任意の形状に成
形後、焼成する。
【００４１】焼成に当たっては、まず、成形のために添
加した有機溶剤、溶媒成分を除去する。有機溶剤、溶媒
成分の除去は通常７００℃前後の大気雰囲気中で行なわ
れるが、信号線４、電源線５、グランド線６及び補助グ
ランド線６ａとして銅を用いる場合には、水蒸気を含有
する１００〜７００℃の窒素雰囲気中で行なわれる。
加した有機溶剤、溶媒成分を除去する。有機溶剤、溶媒
成分の除去は通常７００℃前後の大気雰囲気中で行なわ
れるが、信号線４、電源線５、グランド線６及び補助グ
ランド線６ａとして銅を用いる場合には、水蒸気を含有
する１００〜７００℃の窒素雰囲気中で行なわれる。
【００４２】このとき、成形体の収縮開始温度は７００
〜８５０℃程度であることが望ましく、かかる収縮開始
温度がこれより低いと有機溶剤、溶媒成分の除去が困難
となるため、成形体中のリチウム珪酸ガラスの特性、特
に屈伏点を前述したように制御することが必要となる。
〜８５０℃程度であることが望ましく、かかる収縮開始
温度がこれより低いと有機溶剤、溶媒成分の除去が困難
となるため、成形体中のリチウム珪酸ガラスの特性、特
に屈伏点を前述したように制御することが必要となる。
【００４３】焼成は、８５０℃〜１３００℃の酸化性雰
囲気中で、あるいは信号線４、電源線５、グランド線６
及び補助グランド線６ａと同時焼成する場合には非酸化
性雰囲気中で行なわれ、これにより相対密度９０％以上
まで緻密化される。この時の焼成温度が８５０℃より低
いと緻密化することができず、一方、１３００℃を超え
ると信号線４、電源線５、グランド線６及び補助グラン
ド線６ａとの同時焼成で信号線４、電源線５、グランド
線６及び補助グランド線６ａが溶融してしまう。なお、
信号線４、電源線５、グランド線６及び補助グランド線
６ａの金属材料として銅を用いる場合には、８５０〜１
０５０℃の非酸化性雰囲気中で行なわれる。
囲気中で、あるいは信号線４、電源線５、グランド線６
及び補助グランド線６ａと同時焼成する場合には非酸化
性雰囲気中で行なわれ、これにより相対密度９０％以上
まで緻密化される。この時の焼成温度が８５０℃より低
いと緻密化することができず、一方、１３００℃を超え
ると信号線４、電源線５、グランド線６及び補助グラン
ド線６ａとの同時焼成で信号線４、電源線５、グランド
線６及び補助グランド線６ａが溶融してしまう。なお、
信号線４、電源線５、グランド線６及び補助グランド線
６ａの金属材料として銅を用いる場合には、８５０〜１
０５０℃の非酸化性雰囲気中で行なわれる。
【００４４】また本発明においては、グランド線６より
少なくとも一つの補助グランド線６ａを分岐させ、前記
グランド線６と補助グランド線６ａとで信号線４を挟み
込んでおくことが重要である。信号線４をグランド線６
と補助グランド線６ａとで挟み込むと、外部近接位置に
ノイズの発生源があったとしてもそのノイズはグランド
線６及び補助グランド線６ａにより遮断されて信号線４
に直接作用し、入り込むことはなく、その結果、信号線
４に直接入り込んだ外部ノイズによって半導体素子７が
誤動作することはなく、半導体素子７を正常に作動させ
ることができる。
少なくとも一つの補助グランド線６ａを分岐させ、前記
グランド線６と補助グランド線６ａとで信号線４を挟み
込んでおくことが重要である。信号線４をグランド線６
と補助グランド線６ａとで挟み込むと、外部近接位置に
ノイズの発生源があったとしてもそのノイズはグランド
線６及び補助グランド線６ａにより遮断されて信号線４
に直接作用し、入り込むことはなく、その結果、信号線
４に直接入り込んだ外部ノイズによって半導体素子７が
誤動作することはなく、半導体素子７を正常に作動させ
ることができる。
【００４５】更に本発明においては、前記絶縁基体３に
形成した信号線４、電源線５、グランド線６及び補助グ
ランド線６ａを金、銀、銅等の電気砥抗率が３μΩ・ｃ
ｍ以下の金属粉末で形成し、更にグランド線６及び補助
グランド線６ａの少なくとも一方で、少なくとも一部に
磁性粉末を含有させ磁性領域を形成しておくことが重要
である。
形成した信号線４、電源線５、グランド線６及び補助グ
ランド線６ａを金、銀、銅等の電気砥抗率が３μΩ・ｃ
ｍ以下の金属粉末で形成し、更にグランド線６及び補助
グランド線６ａの少なくとも一方で、少なくとも一部に
磁性粉末を含有させ磁性領域を形成しておくことが重要
である。
【００４６】前記信号線４、電源線５、グランド線６及
び補助グランド線６ａを金、銀、銅等の電気抵抗率が３
μΩ・ｃｍ以下の金属粉末を使用するとこれら金属粉末
はその電気抵抗率が３μΩ・ｃｍ以下と低いことから、
例えば、信号線４を電気信号が伝搬しても電気信号に大
きな減衰等が生じることはなく、これによって半導体素
子７に対し電気信号を確実に出し入れすることができ
る。
び補助グランド線６ａを金、銀、銅等の電気抵抗率が３
μΩ・ｃｍ以下の金属粉末を使用するとこれら金属粉末
はその電気抵抗率が３μΩ・ｃｍ以下と低いことから、
例えば、信号線４を電気信号が伝搬しても電気信号に大
きな減衰等が生じることはなく、これによって半導体素
子７に対し電気信号を確実に出し入れすることができ
る。
【００４７】また前記金、銀、銅等の金属粉末はその融
点が９６０〜１０８０℃程度と低いものの絶縁基体３を
形成する焼結体の焼成温度が低いことから絶縁基体３を
焼成する際の温度で気散することはなく、絶縁基体３と
同時焼成によって所定位置に形成することができる。
点が９６０〜１０８０℃程度と低いものの絶縁基体３を
形成する焼結体の焼成温度が低いことから絶縁基体３を
焼成する際の温度で気散することはなく、絶縁基体３と
同時焼成によって所定位置に形成することができる。
【００４８】更に前記グランド線６及び補助グランド線
６ａはその少なくとも一方で、少なくとも一部に磁性粉
末が含有されて磁性領域を形成しており、該磁性粉末に
よって搭載する半導体素子７の作動に伴う電源電圧の変
動によって電源線５とグランド線６間に発生するノイ
ズ、外部電気回路基板の配線導体を伝搬する電気信号に
入り込んでいるノイズ、信号線４が屈曲部を有してお
り、電気信号が信号線４を伝搬した際、屈曲部において
反射すること等により発生するノイズも半導体素子７に
入り込む前にグランド層６または補助グランド層６ａに
含有されている磁性粉末で熱エネルギーに変換されて吸
収され、その結果、半導体素子７にこれらノイズが入り
込むことはなく、半導体素子７を常に正常に作動させる
ことが可能となる。
６ａはその少なくとも一方で、少なくとも一部に磁性粉
末が含有されて磁性領域を形成しており、該磁性粉末に
よって搭載する半導体素子７の作動に伴う電源電圧の変
動によって電源線５とグランド線６間に発生するノイ
ズ、外部電気回路基板の配線導体を伝搬する電気信号に
入り込んでいるノイズ、信号線４が屈曲部を有してお
り、電気信号が信号線４を伝搬した際、屈曲部において
反射すること等により発生するノイズも半導体素子７に
入り込む前にグランド層６または補助グランド層６ａに
含有されている磁性粉末で熱エネルギーに変換されて吸
収され、その結果、半導体素子７にこれらノイズが入り
込むことはなく、半導体素子７を常に正常に作動させる
ことが可能となる。
【００４９】前記グランド線６及び補助グランド線６ａ
に含有される磁性粉末としてはＺｎＦｅ2 Ｏ4 、ＭｎＦ
ｅ2 Ｏ4 、ＦｅＦｅ2 ０4 、ＣｏＦｅ2 Ｏ4 、ＮｉＦｅ
2 Ｏ4 、ＣｕＦｅ2 Ｏ4 の少なくとも１種が好適に使用
される。
に含有される磁性粉末としてはＺｎＦｅ2 Ｏ4 、ＭｎＦ
ｅ2 Ｏ4 、ＦｅＦｅ2 ０4 、ＣｏＦｅ2 Ｏ4 、ＮｉＦｅ
2 Ｏ4 、ＣｕＦｅ2 Ｏ4 の少なくとも１種が好適に使用
される。
【００５０】また前記ＺｎＦｅ2 Ｏ4 、ＭｎＦｅ2 Ｏ4
等から成る磁性粉末は中性または還元雰囲気にて１２０
０℃の温度で磁性を失うが、絶縁基体３を形成する焼結
体の焼成温度は８５０〜１０５０℃と低いことからグラ
ンド線６及び補助グランド線６ａを絶縁基体３と同時焼
成によって形成しても磁性粉末が磁性を失うことはな
く、これによって信号線４に入り込み信号線４を伝搬す
るノイズを確実に熱エネルギーに変換して吸収すること
ができる。
等から成る磁性粉末は中性または還元雰囲気にて１２０
０℃の温度で磁性を失うが、絶縁基体３を形成する焼結
体の焼成温度は８５０〜１０５０℃と低いことからグラ
ンド線６及び補助グランド線６ａを絶縁基体３と同時焼
成によって形成しても磁性粉末が磁性を失うことはな
く、これによって信号線４に入り込み信号線４を伝搬す
るノイズを確実に熱エネルギーに変換して吸収すること
ができる。
【００５１】更に前記グランド線６及び補助グランド線
６ａの内部に含有される磁性粉末はその量が１０重量％
未満であると信号線４に入り込み信号線４を伝搬するノ
イズを良好に吸収することができず、また７０重量％を
越えるとグランド線６及び補助グランド線６ａの導通抵
抗が高くなり、電流を遅延なく供給することが困難とな
る。従って、前記グランド線６及び補助グランド線６ａ
に含有させる磁性粉末はその量を１０乃至７０重量％の
範囲とする。
６ａの内部に含有される磁性粉末はその量が１０重量％
未満であると信号線４に入り込み信号線４を伝搬するノ
イズを良好に吸収することができず、また７０重量％を
越えるとグランド線６及び補助グランド線６ａの導通抵
抗が高くなり、電流を遅延なく供給することが困難とな
る。従って、前記グランド線６及び補助グランド線６ａ
に含有させる磁性粉末はその量を１０乃至７０重量％の
範囲とする。
【００５２】また更にグランド線６及び補助グランド線
６ａに含有される磁性粉末はその粒径が０．５μｍ未満
となるとリチウム珪酸ガラスとの反応性が高くなって分
解し、磁性材料としての機能が失われる危険性があり、
また１０μｍを超えるとグランド線６及び補助グランド
線６ａの焼結性が低下し、グランド線６及び補助グラン
ド線６ａを絶縁基体１と同時焼成によって形成すること
が困難となる。従って、前記磁性粉末はその粒径を０．
５〜１０μｍの範囲としておくことが好ましい。
６ａに含有される磁性粉末はその粒径が０．５μｍ未満
となるとリチウム珪酸ガラスとの反応性が高くなって分
解し、磁性材料としての機能が失われる危険性があり、
また１０μｍを超えるとグランド線６及び補助グランド
線６ａの焼結性が低下し、グランド線６及び補助グラン
ド線６ａを絶縁基体１と同時焼成によって形成すること
が困難となる。従って、前記磁性粉末はその粒径を０．
５〜１０μｍの範囲としておくことが好ましい。
【００５３】なお、本発明は上述の実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例におい
ては本発明の配線基板を半導体素子を収容する半導体素
子収納用パッケージに適用した場合の例で説明したが、
これを混成集積回路装置等、他の電子部品が搭載される
配線基板にも適用可能である。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば
種々の変更は可能であり、例えば、上述の実施例におい
ては本発明の配線基板を半導体素子を収容する半導体素
子収納用パッケージに適用した場合の例で説明したが、
これを混成集積回路装置等、他の電子部品が搭載される
配線基板にも適用可能である。
【００５４】また上述の実施例において、蓋体２を金属
材で形成するか、或いは金属膜を被着させた絶縁体と
し、金属製蓋体あるいは絶縁体からなる蓋体の金属膜を
配線基板１のグランド線６に電気的に接続させておけ
ば、半導体素子７を金属製蓋体（或いは、絶縁体からな
る蓋体の金属膜）とグランド線６とで完全にシールド
し、半導体素子７に外部より直接ノイズが作用して半導
体素子７に誤動作を起こさせるのを有効に防止すること
ができる。従って、前記蓋体２は金属材で形成するか、
或いは金属膜を被着させた絶縁体とし、金属製蓋体ある
いは絶縁体からなる蓋体の金属膜を配線基板１のグラン
ド線６に電気的に接続させておくことが好ましい。
材で形成するか、或いは金属膜を被着させた絶縁体と
し、金属製蓋体あるいは絶縁体からなる蓋体の金属膜を
配線基板１のグランド線６に電気的に接続させておけ
ば、半導体素子７を金属製蓋体（或いは、絶縁体からな
る蓋体の金属膜）とグランド線６とで完全にシールド
し、半導体素子７に外部より直接ノイズが作用して半導
体素子７に誤動作を起こさせるのを有効に防止すること
ができる。従って、前記蓋体２は金属材で形成するか、
或いは金属膜を被着させた絶縁体とし、金属製蓋体ある
いは絶縁体からなる蓋体の金属膜を配線基板１のグラン
ド線６に電気的に接続させておくことが好ましい。
【００５５】
【発明の効果】本発明の配線基板によれば、電子部品の
信号電極に接続される信号線をグランド電極に接続され
るグランド線と該グランド線より分岐する補助グランド
線とで挟み込むとともにグランド線及び補助グランド線
の少なくとも一部に磁性粉末を１０乃至７０重量％含有
させ、磁性領域を形成したことから信号線に外部からノ
イズが直接作用して入り込むことはなく、また搭載する
電子部品の作動に伴う電源電圧の変動によって電源線と
グランド線間に発生するノイズ、外部電気回路基板の配
線導体を伝搬する電気信号に入り込んでいるノイズ、信
号線が屈曲部を有しており、電気信号が信号線を伝搬し
た際、屈曲部において反射すること等により発生するノ
イズも電子部品に入り込む前にグランド層及び／又は補
助グランド層に含有されている磁性粉末で熱エネルギー
に変換されて吸収され、その結果、電子部品にこれらノ
イズが入り込むことはなく、電子部品を常に正常に作動
させることが可能となる。
信号電極に接続される信号線をグランド電極に接続され
るグランド線と該グランド線より分岐する補助グランド
線とで挟み込むとともにグランド線及び補助グランド線
の少なくとも一部に磁性粉末を１０乃至７０重量％含有
させ、磁性領域を形成したことから信号線に外部からノ
イズが直接作用して入り込むことはなく、また搭載する
電子部品の作動に伴う電源電圧の変動によって電源線と
グランド線間に発生するノイズ、外部電気回路基板の配
線導体を伝搬する電気信号に入り込んでいるノイズ、信
号線が屈曲部を有しており、電気信号が信号線を伝搬し
た際、屈曲部において反射すること等により発生するノ
イズも電子部品に入り込む前にグランド層及び／又は補
助グランド層に含有されている磁性粉末で熱エネルギー
に変換されて吸収され、その結果、電子部品にこれらノ
イズが入り込むことはなく、電子部品を常に正常に作動
させることが可能となる。
【００５６】また本発明の配線基板によれば、絶縁基体
をＬｉ2 Ｏを５〜３０重量％含有する屈伏点が４００〜
８００℃のリチウム珪酸ガラスを２０〜８０体積％と、
クオーツ、クリストバライト、トリジマイト、エンスタ
タイト、フォルステライトの少なくとも１種から成るフ
ィラー成分を２０〜８０体積％の割合で含む成形体を焼
成して得られたクオーツ、クリストバライト、トリジマ
イト、エンスタタイトの少なくとも１種の結晶相を含有
する焼結体で形成しており、該焼結体はその焼成温度が
８５０〜１０５０℃と低いことから信号線、電源線、グ
ランド線のいずれも金、銀、銅等の融点が低く、導通抵
抗の低いものを使用することが可能となり、これによっ
て信号線を電気信号が伝搬した際、電気信号に減衰等が
生じるのを有効に防止して電子部品を正確に作動させる
こともできる。
をＬｉ2 Ｏを５〜３０重量％含有する屈伏点が４００〜
８００℃のリチウム珪酸ガラスを２０〜８０体積％と、
クオーツ、クリストバライト、トリジマイト、エンスタ
タイト、フォルステライトの少なくとも１種から成るフ
ィラー成分を２０〜８０体積％の割合で含む成形体を焼
成して得られたクオーツ、クリストバライト、トリジマ
イト、エンスタタイトの少なくとも１種の結晶相を含有
する焼結体で形成しており、該焼結体はその焼成温度が
８５０〜１０５０℃と低いことから信号線、電源線、グ
ランド線のいずれも金、銀、銅等の融点が低く、導通抵
抗の低いものを使用することが可能となり、これによっ
て信号線を電気信号が伝搬した際、電気信号に減衰等が
生じるのを有効に防止して電子部品を正確に作動させる
こともできる。
【００５７】同時に前記クオーツ、クリストバライト、
トリジマイト、エンスタタイトの少なくとも１種の結晶
相を含有する焼結体はその焼成温度が８５０〜１０５０
℃と低いことから金、銀、銅等の金属粉末とフェライト
等の磁性粉末とからなるグランド線（補助グランド線）
を絶縁基体と同時焼成によって形成することができ配線
基板の製作が容易となる。
トリジマイト、エンスタタイトの少なくとも１種の結晶
相を含有する焼結体はその焼成温度が８５０〜１０５０
℃と低いことから金、銀、銅等の金属粉末とフェライト
等の磁性粉末とからなるグランド線（補助グランド線）
を絶縁基体と同時焼成によって形成することができ配線
基板の製作が容易となる。
【００５８】更に絶縁基体に信号線、電源線、グランド
線（補助グランド線）を同時焼成によって形成した際、
絶縁基体の焼成温度が低いことからグランド線（補助グ
ランド線）に含有させた磁性粉末が磁性を失うことはな
く、これによって信号線を伝わるノイズを良好に吸収す
ることも可能となる。
線（補助グランド線）を同時焼成によって形成した際、
絶縁基体の焼成温度が低いことからグランド線（補助グ
ランド線）に含有させた磁性粉末が磁性を失うことはな
く、これによって信号線を伝わるノイズを良好に吸収す
ることも可能となる。
【図１】本発明の配線基板を半導体素子収納用パッケー
ジに適用した場合の一実施例を示す断面図である。
ジに適用した場合の一実施例を示す断面図である。
１・・・・配線基板
２・・・・蓋体
３・・・・絶縁基体
３ａ・・・搭載部
４・・・・信号線
５・・・・電源線
６・・・・グランド線
６ａ・・・補助グランド線
７・・・・半導体素子（電子部品）
Claims (2)
- 【請求項１】 表面に電子部品が搭載される搭載部を有
する絶縁基体と、該絶縁基体の表面及び内部に形成さ
れ、前記電子部品の信号電極、電源電極、グランド電極
が電気的に接続される信号線、電源線、グランド線とか
らなる配線基板であって、前記絶縁基体をＬｉ２Ｏを５
〜３０重量％含有する屈伏点が４００〜８００℃のリチ
ウム珪酸ガラスを２０〜８０体積％と、クオーツ、クリ
ストバライト、トリジマイト、エンスタタイト、フォル
ステライトの少なくとも１種から成るフィラー成分を２
０〜８０体積％の割合で含む成形体を焼成して得られた
クオーツ、クリストバライト、トリジマイト、エンスタ
タイトの少なくとも１種の結晶相を含有する焼結体で形
成するとともに、前記グランド線より少なくとも一つの
補助グランド線を分岐させ、前記グランド線と補助グラ
ンド線とで前記信号線を挟み込むとともに前記グランド
線、補助グランド線の少なくとも一部に磁性粉末を含有
させて磁性領域を形成しており、前記磁性領域における
磁性粉末の含有量が１０乃至７０重量％であることを特
徴とする配線基板。 - 【請求項２】 前記信号線、電源線、グランド線を金、
銀、銅もしくはこれらの合金を主成分とし、かつグラン
ド線及び／又は補助グランド線の磁性領域に含有される
磁性粉末をフェライトを主成分とする磁性材料で形成し
たことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01277498A JP3466454B2 (ja) | 1998-01-26 | 1998-01-26 | 配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01277498A JP3466454B2 (ja) | 1998-01-26 | 1998-01-26 | 配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11214567A JPH11214567A (ja) | 1999-08-06 |
| JP3466454B2 true JP3466454B2 (ja) | 2003-11-10 |
Family
ID=11814762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01277498A Expired - Fee Related JP3466454B2 (ja) | 1998-01-26 | 1998-01-26 | 配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3466454B2 (ja) |
-
1998
- 1998-01-26 JP JP01277498A patent/JP3466454B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11214567A (ja) | 1999-08-06 |
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