JPH03120890A

JPH03120890A - 磁性合金層被覆回路基板

Info

Publication number: JPH03120890A
Application number: JP25967689A
Authority: JP
Inventors: Akihiro Demura; 彰浩出村; Kazuyuki Otsuki; 大槻　一行
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 1989-10-04
Filing date: 1989-10-04
Publication date: 1991-05-23
Anticipated expiration: 2013-09-17
Also published as: JP2799465B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、電磁波シールド処理が施された回路基板に関
し、特にニッケル及び鉄を主成分とする磁性合金層によ
り耐電磁波性が付加された回路基板に関する。

（従来の技術）従来の回路基板は、銅あるいは銀などからなる導電体パ
ターンを印刷あるいはケミカルエツチングなどの方法に
より形成し、この導電体パターンのうち、抵抗体、コン
デンサ等の電子部品あるいは半導体素子等を接合する部
分に必要に応して半田、Ｎ　ｉ　／　Ａ　ｕ等のめっき
処理を施し、その他の部分をソルダーレジストインクに
より被覆して形成されている。

ところで、近年においては、他の電子機器等がらの電磁
波ノイズの影響による電子機器の誤動作が問題となって
おり、このため、ケースのみならず電子部品及び回路基
板に関しても耐電磁波ノイズ特性を向上させるよう工夫
されている。電磁波低減方法には、大別して反射効果を
利用する方法と吸収効果を利用する方法とがあるが、回
路基板の場合には、反射効果を狙って、基板を多層化し
てグランドパターンの配置を検討する方法、あるいは導
電ペーストにより導電体パターンを被覆する方法等によ
り、電磁波ノイズ反射遮断層を新たに形成する方法が採
られている。そして、この電磁波ノイズ反射遮断層は、
回路基板の最外層に配置することが最も効果的であると
考えられている。

（発明が解決しようとする課題）しかしながら、近年では、表面実装技術および高密度化
配線技術の発達により、導電体パターンにおける非被覆
部の面積は非常に大きくなっており、この導電体パター
ンの間隙から電磁波ノイズが出入りし、この電磁波ノイ
ズによる影響には目をつむったものにならざるを得なか
った。

本発明は、以上の様な実情に鑑みてなされたものであり
、その目的とするところは、導電体パターンの透磁率を
高め、電磁波吸収効果をも兼ね備えることによって、さ
らに優れた電磁波シールド効果を有する回路基板を提供
することにある。

（課題を解決するための手段）以上のような課題を解決するために本発明が採った手段
は、「導電体パターン（１０）の表層がニッケル及び鉄
を主成分とする磁性合金層（２０）により覆われたこと
を特徴とする磁性合金層被覆回路基板（１００）　Ｊで
ある。

つまり、この回路基板（１００）は、印刷あるいはケミ
カルエツチング等の方法により形成した銅あるいは銀な
どの導電体パターン（１ｏ）を、ニッケル及び鉄を主成
分とする磁性合金層（２ｏ）で覆って、この導電体パタ
ーン（１０）の透磁率を高めたものである。ここで、導
電体パターン（１ｏ）とは、導体回路（１１）、ポンデ
ィング端子（１３）、又はグランド層（１４）、あるい
は半導体素子（７ｏ）を搭載する半導体素子搭載部（１
２）などを言う。

なお、合金層（２０）は、ニッケル及び鉄を主成分とし
たものであれば所定の透磁率が得られるが、Ｎｉ：Ｆｅ
＝８０：２０程度で透磁率が最大となることは周知の事
実であり、特公昭５１−１８３７０号公報等に開示され
ているＮｉ−Ｆｅ−Ｍ。

（モリブテン）合金や、特公昭５８−５７５１９号公報
等に開示されているＮ１−Ｆｅ−Ｂ（ホウ素）合金でも
高透磁率が得られる。また、この合金層（２０）を形成
するには、Ｎ　ｉ　−Ｆ　ｅ合金箔を貼着する方法、め
っきにより形成する方法、あるいは蒸着により形成する
方法等種々あるが、いずれの方法によっても良いことは
勿論である。

（発明の作用）本発明は、上記のような手段を採ることによって、次の
ような作用がある。すなわち、ＮｊおよびＦｅを主成分
とする高透磁率磁性体たる合金層（２０）で、導電体パ
ターン（１０）を覆うことにより、自らの放射磁気ノイ
ズおよび外界からの磁気ノイズによる影響を、反射と吸
収の両効果により著しく低減することが可能となるので
ある。この合金層（２０）の透磁率は、ＮｉとＦｅの含
有率により、又は、合金層（２０）の厚みによって、変
化するものであり、その変化の度合いの一例として、特
公昭５２−２１２３１号公報に開示されているものを表
に示す。

表（以下余白）この表から解るように、Ｎｉの含有率が８５％である場
合に、合金層（２０）における縦方向の透磁率が最も高
くなり、また、Ｎｉの含有率が８０％である場合に、合
金層（２０）における横方向の透磁率が最も高くなる。

また、この表から解るように、合金層（２０）の透磁率
は、必ずしも厚みに比例して大きくなるものではなく、
その組成比と厚みとによって変化し、厚みが１０ミクロ
ンであって、組成割合が８０　：　２０である場合が最
適である。

次に、ＮｉとＦｅとの含有率を変化させると、この合金
層（ｚＯ）の熱膨張率が変化するが、例えばＮｉの含有
率を４２％にすると、この合金層（２０）の熱膨張率は
、７，０ＸＩＯ−’／’Ｃとなり、アルミナセラミック
と同じ熱膨張率となる。また、周知の通り、Ｎｉの含有
率を３６％にすると、この合金層（２０）の熱膨張率は
、４．　　ＯＸ　１０−’／’Ｃとなり、ＡＮＣ窒化ア
ルミ）およびシリコンチップの熱膨張率と同じとなる。

このように、ＧａＡｓ（ガリウム・ひ素）の熱膨張率（
５，，７Ｘ１０＝／’Ｃ）と同じとすることも可能であ
る。

以上の様に、本発明によれば、ＮｉとＦｅの含有率を適
宜変化させることによって、高透磁率であって各種基板
あるいは半導体素子（７０）と熱膨張がほぼ同じである
導電体パターン（１０）および半導体素子搭載部（１２
）を有する回路基板（１００）を得ることが可能となる
のである。

（実施例）次に、本発明に係わる回路基板（１００）を実施例に従
って説明する。

大」１例】２第１図から第４図には、第一実施例に係わる回路基板（
１００）の形成方法が工程順に示してあり、この回路基
板（１００）は次の様にして形成される。

すなわち、第１図に示すように、銅箔（３１）が張り付
けられたガラストリアジン基板（３０）に、めっきレジ
スト膜（４０）を形成する。

次に、第２図に示すように、銅箔（３１）の表面に電解
法によりＮ　ｉ　／　Ｆ　ｅめっき（２０）を施す。

次いで、第３図に示すように、めっきレジスト膜（４０
）を剥膜した後、アルカリ溶液浸漬により露出している
銅箔（３１）部分をエツチングし、第４図に示すような
Ｎ　ｉ　／　Ｆ　ｅめっき（２０）の磁性合金層（２０
）で覆われた導体回路（１１）あるいはグランド層（１
４）を有する磁性合金層被覆回路基板（１００）を形成
する。

このように形成された磁性合金層被覆回路基板（１００
）は、従来の半田剥離法による回路パターン形成と同様
の工程数で製造できる上に、この回路パターンは磁気の
反射及び吸収効果によるところの高磁気シールド能力を
有している。

及ＪＬｆｌλ 第５図に第二実施例に係わる磁性合金層被覆回路基板（
１００）の一部省略断面図が示してあり、この回路基板
（１００）は次の様にして形成′される。すなわち、Ａ
Ｎ基板（３０）の表面に印刷法により鋼材からなる導体
回路（１１）及び半導体素子搭載部（１２）を形成し、
次いで、これらの部分にＮ　ｉ　／　Ｆ　ｅめっき（２
０）を施し、その後めっきレジストを兼ねたソルダーレ
ジスト膜（５０）を被覆すると共に、ボンディング端子
（１３）面にＡｕめっき（６０）を施す。

このように形成された磁性合金層被覆回路基板（１００
）は、従来のＮ　ｉ　／　Ａ　ｕめっき付き回路パター
ン形成と同様の工程数で製造できる上に、この回路パタ
ーンは磁気の反射および吸入効果によるところの高磁気
シールド能力を有したグイボンデングパッドを兼ね備え
ることにより、この回路基板（１００）に半導体素子（
７０）を搭載しボンディングワイヤー（８０）で電気的
接続を行った半導体素子（７０）搭載装置における半導
体素子（７０）への磁気ノイズを大幅に低減出来る。

（発明の効果）以上のように、本発明に係る回路基板は、［導電体パタ
ーンの表層かニッケル及び鉄を主成分とする磁性合金層
により覆われたこと」をその構成上の特徴としている。

従って、この回路基板によれば、ニッケルおよび鉄を主
成分とする高透磁率磁性体たる磁性合金層で導電体パタ
ーンを覆うことにより、外部および基板内部からの磁気
ノイズによる影響を著しく低減することが可能となると
共に、半導体素子単位での磁気シールドを行うことかで
き、この基板を使用した電子部品（半導体素子を含む）
搭載装置の電磁波に対する信頼性を高めることができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図から第４図は第一実施例に係る回路基板の形成方
法を工程順に示す一部省略断面図、第５図は第二実施例
に係る回路基板を示す一部省略断面工程図である。符号の説明１００・・・磁性合金層被覆回路基板、１０・・・導電
体パターン、１１・・・導体回路、１２・・・半導体素
子搭載部、１３・・・ボンディング端子、１４・・・グ
ランド層、２ｏ・・・磁性合金層（Ｎｉ／Ｆｅめっき）
、３ｏ・・・基板、３１・・・銅箔、４０・めっきレジ
スト膜、５０・・ソルダーレジスト膜、６０・・・Ａｕ
めっき、７０・・・半導体素子、８ｏ・・・ボンディン
グワイヤー以　　北

Claims

【特許請求の範囲】

　導電体パターンの表層がニッケル及び鉄を主成分とす
る磁性合金層により覆われたことを特徴とする磁性合金
層被覆回路基板。