JP2555917B2 - 半導体装置用フィルムキャリア - Google Patents
半導体装置用フィルムキャリアInfo
- Publication number
- JP2555917B2 JP2555917B2 JP3162912A JP16291291A JP2555917B2 JP 2555917 B2 JP2555917 B2 JP 2555917B2 JP 3162912 A JP3162912 A JP 3162912A JP 16291291 A JP16291291 A JP 16291291A JP 2555917 B2 JP2555917 B2 JP 2555917B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- lead
- layer
- thickness
- solder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3473—Plating of solder
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置用フィルムキ
ャリア、特にリードめっきを改善したものに関する。
ャリア、特にリードめっきを改善したものに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置用フィルムキャリア（以下、
ＴＡＢテープキャリアという）は、例えば図３に示すよ
うに、チップウインド１６を四方から取り囲むように、
多数本のリード１２が絶縁ベースフィルム１５上に配列
されたものである。リード１２の内側に位置するインナ
ーリード１２ａは半導体チップ１８上に形成された半導
体素子電極（バンプ）と接合される。リード１２の外側
に位置するアウターリード１２ｂは基板にハンダ付けさ
れる。このため、リード１２の全面または一部にめっき
が施される。
ＴＡＢテープキャリアという）は、例えば図３に示すよ
うに、チップウインド１６を四方から取り囲むように、
多数本のリード１２が絶縁ベースフィルム１５上に配列
されたものである。リード１２の内側に位置するインナ
ーリード１２ａは半導体チップ１８上に形成された半導
体素子電極（バンプ）と接合される。リード１２の外側
に位置するアウターリード１２ｂは基板にハンダ付けさ
れる。このため、リード１２の全面または一部にめっき
が施される。
【０００３】従来、このリードへのめっきには、無電解
めっきや電気めっき方式が採用され、Ｓｎめっき、半田
めっき、Ａｕめっき等の単層のめっき皮膜をリード上に
形成していた。各めっきには、それぞれ表１のような特
徴がある。
めっきや電気めっき方式が採用され、Ｓｎめっき、半田
めっき、Ａｕめっき等の単層のめっき皮膜をリード上に
形成していた。各めっきには、それぞれ表１のような特
徴がある。
【０００４】
【表１】
【０００５】Ｓｎめっきは主に無電解方式で行っている
ため、リード全面において一様なめっき厚をした皮膜に
なり、ウィスカが発生しやすい。また、無電解方式のた
め差厚めっきが困難である。なお、電気めっき方式では
差厚めっきは可能であるが、無電解方式と比較して作業
が困難であり、かつウィスカが発生しやすい。これに対
して、半田めっきやＡｕめっきは主に電気めっき方式
で、マスクやリードの形状により各部の電流密度を調整
することができるため、インナーリードとアウターリー
ドのめっき厚に差がでる差厚めっき皮膜を形成すること
ができる。また、めっき面の光沢は、Ｓｎめっきよりも
半田めっきがより光沢度が高い等の特徴がある。
ため、リード全面において一様なめっき厚をした皮膜に
なり、ウィスカが発生しやすい。また、無電解方式のた
め差厚めっきが困難である。なお、電気めっき方式では
差厚めっきは可能であるが、無電解方式と比較して作業
が困難であり、かつウィスカが発生しやすい。これに対
して、半田めっきやＡｕめっきは主に電気めっき方式
で、マスクやリードの形状により各部の電流密度を調整
することができるため、インナーリードとアウターリー
ドのめっき厚に差がでる差厚めっき皮膜を形成すること
ができる。また、めっき面の光沢は、Ｓｎめっきよりも
半田めっきがより光沢度が高い等の特徴がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、最近要求さ
れているＴＡＢテープキャリアの特性は、実装時に、バ
ンプと接合するインナーリードのめっき厚は、Ａｕ−Ｓ
ｎボールや半田ボールが発生しやすいために、０．５〜
１．２μｍが最適とされている。また、基板と接合する
アウターリードのめっき厚は半田付性から１．０〜３．
０μｍが望まれている。すなわち、差厚めっきが要求さ
れている。
れているＴＡＢテープキャリアの特性は、実装時に、バ
ンプと接合するインナーリードのめっき厚は、Ａｕ−Ｓ
ｎボールや半田ボールが発生しやすいために、０．５〜
１．２μｍが最適とされている。また、基板と接合する
アウターリードのめっき厚は半田付性から１．０〜３．
０μｍが望まれている。すなわち、差厚めっきが要求さ
れている。
【０００７】また、インナーリードの位置を２値化認識
してバンプ接合の自動化を図っているが、リード表面
（めっき皮膜）の光沢度が高いと２値化できず、不都合
が生じやすい。このような不都合をなくすには、光沢度
の低いＳｎめっきが望ましい。さらに、Ａｕめっきはコ
スト高となり、民生用のＴＡＢテープキャリアとしては
好ましくない。
してバンプ接合の自動化を図っているが、リード表面
（めっき皮膜）の光沢度が高いと２値化できず、不都合
が生じやすい。このような不都合をなくすには、光沢度
の低いＳｎめっきが望ましい。さらに、Ａｕめっきはコ
スト高となり、民生用のＴＡＢテープキャリアとしては
好ましくない。
【０００８】このように、各々のめっき皮膜にはそれぞ
れ長短があるが、ウィスカが発生せず、差厚めっきがで
きて、２値化認識を可能とする光沢度をもち、さらにコ
ストも比較的安いという、全ての要求を満たすことがで
きるＴＡＢテープキャリアを実現するには、従来なされ
てきた単層めっきでは無理がある。
れ長短があるが、ウィスカが発生せず、差厚めっきがで
きて、２値化認識を可能とする光沢度をもち、さらにコ
ストも比較的安いという、全ての要求を満たすことがで
きるＴＡＢテープキャリアを実現するには、従来なされ
てきた単層めっきでは無理がある。
【０００９】そこで、本発明の目的は、、多層めっきを
導入することによって、前記した従来技術の欠点を解消
し、高品質の半導体装置用フィルムキャリアを提供する
ことにある。
導入することによって、前記した従来技術の欠点を解消
し、高品質の半導体装置用フィルムキャリアを提供する
ことにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁フィルム
上に設けた金属箔からなるリードを備えた半導体装置用
フィルムキャリアにおいて、リードに、そのインナーリ
ード部とアウターリード部とで差厚が生じるように、電
気めっき方式による半田めっき層を設け、さらにその上
に無電解方式によるＳｎめっき層を半田めっき層厚より
も薄く設けるようにしたものである。
上に設けた金属箔からなるリードを備えた半導体装置用
フィルムキャリアにおいて、リードに、そのインナーリ
ード部とアウターリード部とで差厚が生じるように、電
気めっき方式による半田めっき層を設け、さらにその上
に無電解方式によるＳｎめっき層を半田めっき層厚より
も薄く設けるようにしたものである。
【００１１】
【作用】第１層目のめっきに電気めっき方式による半田
めっきを設けることで、リード面の差厚めっきが可能と
なる。また、その上に第２層目のＳｎめっきを無電解方
式により薄く設けることで、Ｓｎめっきに起因するウィ
スカの発生を有効に防止し、かつ主めっきが半田めっき
でありながら、２値化認識の可能な光沢を得ている。こ
のように各めっきの特徴を生かした多層めっきを施した
ことにより、ＴＡＢテープキャリアの品質を大幅に向上
させることができる。
めっきを設けることで、リード面の差厚めっきが可能と
なる。また、その上に第２層目のＳｎめっきを無電解方
式により薄く設けることで、Ｓｎめっきに起因するウィ
スカの発生を有効に防止し、かつ主めっきが半田めっき
でありながら、２値化認識の可能な光沢を得ている。こ
のように各めっきの特徴を生かした多層めっきを施した
ことにより、ＴＡＢテープキャリアの品質を大幅に向上
させることができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。
る。
【００１３】本発明のＴＡＢテープキャリアは、金属箔
と絶縁ベースフィルムを貼り合わせた後、フォトエッチ
ング法等によりリードパターンを形成したＴＡＢテープ
キャリアにおいて、金属箔リードに電気めっき方式によ
る半田めっきを設けてから、さらに無電解方式によるＳ
ｎめっきを施したものである。
と絶縁ベースフィルムを貼り合わせた後、フォトエッチ
ング法等によりリードパターンを形成したＴＡＢテープ
キャリアにおいて、金属箔リードに電気めっき方式によ
る半田めっきを設けてから、さらに無電解方式によるＳ
ｎめっきを施したものである。
【００１４】図２は本実施例のＴＡＢテープキャリアの
平面図を示す。ＴＡＢテープキャリア１は、絶縁ベース
フィルム５に開口したチップウインド１６を四方から取
り囲むように、銅箔から形成された多数本のリードパタ
ーン２がベースフィルム５上に配列され、この配列がフ
ィルム５の長手方向に繰り返し形成されたものである。
全ての銅箔リードパターン２は、電気めっきを可能にす
るため、同じく銅箔より形成した電気めっき用給電リー
ドパターン６と連結されている。
平面図を示す。ＴＡＢテープキャリア１は、絶縁ベース
フィルム５に開口したチップウインド１６を四方から取
り囲むように、銅箔から形成された多数本のリードパタ
ーン２がベースフィルム５上に配列され、この配列がフ
ィルム５の長手方向に繰り返し形成されたものである。
全ての銅箔リードパターン２は、電気めっきを可能にす
るため、同じく銅箔より形成した電気めっき用給電リー
ドパターン６と連結されている。
【００１５】銅箔リードパターン２には、図１に示すよ
うに、めっきが２層設けられる。リード２表面上に直接
設けられる第１層は半田めっき層３で、この半田めっき
層３はインナーリード２ａで０．３〜０．８μｍ、アウ
ターリード２ｂで２．０〜３．０μｍとなるように差厚
をもって施される。そのあと、第２層となるＳｎめっき
層４が設けられ、これはリードパターン２全面に非常に
薄く０．０３〜０．０８μｍ施される。このように薄く
するのはＳｎめっきによるウィスカの発生を防止するた
めである。
うに、めっきが２層設けられる。リード２表面上に直接
設けられる第１層は半田めっき層３で、この半田めっき
層３はインナーリード２ａで０．３〜０．８μｍ、アウ
ターリード２ｂで２．０〜３．０μｍとなるように差厚
をもって施される。そのあと、第２層となるＳｎめっき
層４が設けられ、これはリードパターン２全面に非常に
薄く０．０３〜０．０８μｍ施される。このように薄く
するのはＳｎめっきによるウィスカの発生を防止するた
めである。
【００１６】このようなＴＡＢテープキャリア１の製造
方法は、フォトエッチング等によりリードパターン２を
形成することによりＴＡＢテープキャリア１を構成して
から、脱脂及び酸洗により前処理を行った後、まず、半
田めっきを行う。このときの半田めっきはホウフッ化浴
に光沢剤を入れた光沢半田めっきで、電流密度を調整す
ることによりインナーリード及びアウターリードめっき
厚を前述した範囲に納める。半田めっき組成は、Ｐｂ９
５％、Ｓｎ５％である。
方法は、フォトエッチング等によりリードパターン２を
形成することによりＴＡＢテープキャリア１を構成して
から、脱脂及び酸洗により前処理を行った後、まず、半
田めっきを行う。このときの半田めっきはホウフッ化浴
に光沢剤を入れた光沢半田めっきで、電流密度を調整す
ることによりインナーリード及びアウターリードめっき
厚を前述した範囲に納める。半田めっき組成は、Ｐｂ９
５％、Ｓｎ５％である。
【００１７】次いで、水洗いをしてからアルカノールス
ルホン酸浴による無電解Ｓｎめっきをリードパターン２
全面に０．０３〜０．０８μｍ施し、その後、水洗、乾
燥して製品とする。Ｓｎめっき組成はＳｎ８０〜９５
％、Ｐｂ５〜１０％である。また全めっき厚（Ｓｎめっ
き＋半田めっき）は、インナーリードで０．３３〜０．
８８μｍ、アウターリードで２．０３〜３．０８μｍに
なり、これらの値は既述した要望値の範囲に入ってい
る。
ルホン酸浴による無電解Ｓｎめっきをリードパターン２
全面に０．０３〜０．０８μｍ施し、その後、水洗、乾
燥して製品とする。Ｓｎめっき組成はＳｎ８０〜９５
％、Ｐｂ５〜１０％である。また全めっき厚（Ｓｎめっ
き＋半田めっき）は、インナーリードで０．３３〜０．
８８μｍ、アウターリードで２．０３〜３．０８μｍに
なり、これらの値は既述した要望値の範囲に入ってい
る。
【００１８】以上述べたように本実施例によれば、めっ
きを２層として、第１層目を差厚めっきの可能な電気め
っき方式による半田めっきとし、第２層目を無電解方式
で２値化認識の可能な薄層のＳｎめっきとしたので、差
厚めっきができ、ウィスカが発生せず、２値化認識を可
能とする光沢度をもち、さらにコストも比較的安いとい
う、最近要求されているＴＡＢテープキャリアの特性の
全ての要求を満たすことができる。
きを２層として、第１層目を差厚めっきの可能な電気め
っき方式による半田めっきとし、第２層目を無電解方式
で２値化認識の可能な薄層のＳｎめっきとしたので、差
厚めっきができ、ウィスカが発生せず、２値化認識を可
能とする光沢度をもち、さらにコストも比較的安いとい
う、最近要求されているＴＡＢテープキャリアの特性の
全ての要求を満たすことができる。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、電気めっき方式による
半田めっきと無電解方式によるＳｎめっきとの２層から
なるめっき層を形成するようにしたので、次のような優
れた効果を発揮する。
半田めっきと無電解方式によるＳｎめっきとの２層から
なるめっき層を形成するようにしたので、次のような優
れた効果を発揮する。
【００２０】（１）無電解方式によるＳｎめっき層が薄
いためウィスカの発生を防止できる。
いためウィスカの発生を防止できる。
【００２１】（２）電気めっき方式による半田めっきに
よりインナーリードとアウターリードのめっき厚が異な
る差厚めっきが容易に得られるため実装時の半田付性が
高い。
よりインナーリードとアウターリードのめっき厚が異な
る差厚めっきが容易に得られるため実装時の半田付性が
高い。
【００２２】（３）表面にＳｎめっきを施すため、２値
化認識の容易な光沢になる。
化認識の容易な光沢になる。
【００２３】（４）Ｓｎめっき＋半田めっきの２段階の
めっきになるがＡｕめっきよりコストを低くできる。
めっきになるがＡｕめっきよりコストを低くできる。
【図１】図１のＴＡＢテープキャリアの一部断面図。
【図２】本発明の実施例による半田めっきの上にＳｎめ
っきを施したＴＡＢテープキャリアの平面図。
っきを施したＴＡＢテープキャリアの平面図。
【図３】従来のＳｎめっきしたＴＡＢテープキャリアの
平面図。
平面図。
１ ＴＡＢテープキャリア ２ リードパターン ２ａ インナーリード ２ｂ アウターリード ３ 半田めっき ４ Ｓｎめっき ５ 絶縁ベースフィルム ６ 電気めっき用給電リード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−142644（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−152961（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−93245（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−237735（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−84449（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁フィルム上に設けた金属箔からなるリ
ードを備えた半導体装置用フィルムキャリアにおいて、
前記リードに電気めっき方式による半田めっき層を設
け、その上に無電解方式によるＳｎめっき層を前記半田
めっき層よりも薄く設けたことを特徴とする半導体装置
用フィルムキャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3162912A JP2555917B2 (ja) | 1991-07-03 | 1991-07-03 | 半導体装置用フィルムキャリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3162912A JP2555917B2 (ja) | 1991-07-03 | 1991-07-03 | 半導体装置用フィルムキャリア |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513513A JPH0513513A (ja) | 1993-01-22 |
| JP2555917B2 true JP2555917B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=15763592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3162912A Expired - Lifetime JP2555917B2 (ja) | 1991-07-03 | 1991-07-03 | 半導体装置用フィルムキャリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2555917B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100448265B1 (ko) * | 2002-04-24 | 2004-09-10 | 스템코 주식회사 | 테이프 캐리어필름 및 ｃｏｆ의 제조방법 |
-
1991
- 1991-07-03 JP JP3162912A patent/JP2555917B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0513513A (ja) | 1993-01-22 |
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