JPH0982522A - 一軸磁気異方性膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明は、適度な大きさの一軸磁気異方性を有
し、且つ大きな電気抵抗と高い飽和磁化とを有した、透
磁率の高周波特性の優れた磁性膜を提供することを目的
とする。 【構成】本発明は、一般式（Ｃｏ１−ａＦｅａ）
_{１００−Ｘ−Ｙ}Ｍ_ＸＯ_Ｙで示され、ＭはＡｌ，Ｄｙ，Ｅ
ｒ，Ｇｄ，Ｈｆ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｎｄ，Ｓｃ，Ｓｒ，Ｔ
ｍ，Ｙ，ＹｂおよびＺｒのうちから選択される１種また
は２種以上の元素であり、その組成比ａはａ＜０．３、
_Ｘおよび_Ｙは原子％で８＜_Ｘ＜１２，２７＜_Ｙ＜３７
で、且つ ３６＜ｘ＋ｙ＜４８である組成と少量の不純
物（ａｔ．％）からなり、異方性磁界が５０Ｏｅ以上１
００Ｏｅ以下で、飽和磁束密度が８ｋＧ以上で、電気比
抵抗値が３００μΩｃｍ以上１５００μΩｃｍ以下であ
ることを特徴とする一軸磁気異方性膜に関するものであ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、大きな異方性磁界、高
電気比抵抗および高飽和磁化を有し、高周波帯域で優れ
た軟磁性を示す一軸磁気異方性膜に関するものである。
さらに、この磁性膜よりなるトランスまたはインダクタ
を提供しようとするものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の動作周波数を高める努
力が盛んに行なわれている。しかし、トランスやインダ
クタあるいは、磁気ヘッドなどに用いられてきた既知の
磁性材料には、高周波帯域で充分な特性を有するものは
なく、従って、これらの部品の高周波帯域での使用には
制限が多かった。一般に、１ＭＨｚ以上の高周波帯域に
なると、磁性材料自体を流れる渦電流により大きな損失
が発生する。金属系の磁性材料は電気抵抗が小さいため
に渦電流が大きく、高周波帯域で使用することは困難で
あった。一方、フェライトおよびガーネットなどの酸化
物系磁性材料は材料自体の電気抵抗が非常に大きいため
に、渦電流による損失は比較的発生しにくい。しかし、
透磁率の大きなものは得られにくく、かつ飽和磁束密度
が小さいために自然共鳴周波数が低く、高周波帯域での
使用には制限が多かった。

【０００３】飽和磁束密度が大きく、かつ高周波軟磁気
特性の良好な磁性材料に対する期待は大きく、これまで
に数々の金属系磁性材料の電気抵抗を高くする方法が提
案されてきた。例えば、金属とセラミックスとの同時ス
パッタリングによりセラミックスが分散した非晶質合金
膜を得る方法が特開昭６０−１５２６５１号公報により
提案され、更に、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｓ．６３（８），
１５ Ａｐｒｉｌ １９８８にＦｅ−Ｂ_４Ｃ系分散膜
が、Ｊ．Ａｐｐｌ・Ｐｈｙｓ．，６７（９），１Ｍａｙ
１９９０にＣｏ．_４Ｆｅ．_４Ｂ．_２−ＳｉＯ_２系分散
膜が高い比抵抗と軟磁性を両立するものとして示されて
いる。また、厚い単層膜では良好な軟磁気特性を示さな
いＣｏ．_９５Ｆｅ．_０５−ＢＮ系分散膜を０．１μｍ以
下の磁性層にすることで軟磁気特性が得られ、この薄い
膜を非磁性中間層で挟んで積層することにより厚い膜で
も軟磁気特性が得られることを特開平４−１４２７１０
号公報に示されている。

【０００４】一方、Ｎ_２やＯ_２ガスによる反応性スパッ
タリングによる電気比抵抗の高い非晶質合金膜を得る方
法が特開昭５４−９４４２８号公報に開示されている。
また薄膜の作製時にＮ_２ガスを添加すると、軟磁気特性
の改善に効果があることが多くの合金系で見いだされて
おり、例えばＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳ．ｏｎ ＭＡＧ−Ｍ
ＡＧ−２０ １４５１（１９８４）に開示されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】高周波帯域で用いられ
る磁性材料には、電気抵抗と飽和磁束密度がともに大き
く、かつ適度の大きさの異方性磁界を有することが求め
られる。また、加工歪みなどによる軟磁気特性の劣化を
最小限にするために素材の磁歪定数が出来るだけ零に近
いことが望ましい。しかし、従来から報告されている高
電気抵抗を有するＦｅ／Ｂ_４Ｃ系分散膜、Ｃｏ．_４Ｆ
ｅ．_４Ｂ．_２／ＳｉＯ_２系分散膜等はいずれも非晶質相
の場合に軟磁気特性が優れていることが示されている
が、１０^−５以上の大きな正磁歪を有していた。一方、
零磁歪と高電気抵抗を両立させる目的でＣｏ．_９５Ｆ
ｅ．_０５／ＢＮ系分散膜が開発されたが、この系は０．
１μｍ以上の厚い単層膜では、飽和磁化と保磁力が大き
く軟磁気特性を示さなかった。そこで、非磁性層を介し
て積層することにより軟磁気特性が得られることを示し
ているが、このことは反面で、膜全体の飽和磁化を減少
させることになり、また工程も複雑になるといった問題
点を含んでいた。また、従来の軟磁性材料には、高電気
抵抗値と同等に重要な特性である異方性磁界への配慮が
全くなされていなかった。

【０００６】極く最近、グラニュラー構造を有するＣｏ
−Ａｌ−Ｎ合金膜が零磁歪と高電気抵抗と適度の大きさ
の異方性磁界（３０〜４０ Ｏｅ）を併せ持つことを見
いだされた（日本応用磁気学会誌、１８、３０３（１９
９４））。但し、膜の飽和磁束密度が８ｋＧ前後とそれ
ほど大きくないために、自然共鳴周波数は１ＧＨｚ前後
となる。またＣｏ−Ｏ系グラニュラー膜はＰｄを約１０
ａｔ．％以上を含むと軟磁気特性が改善するとともに、
２００ Ｏｅ前後の大きな異方性磁界（Ｈｋ）を示すこ
とが見いだされた（日本金属学会講演概要集、１９９３
年秋期大会、２３４）。大きなＨｋは透磁率の自然共鳴
周波数を高くするが、Ｂｓがほぼ一定であるために、Ｈ
ｋが大きすぎると、透磁率が小さくなり過ぎて、実用に
適さなくなる。この膜のＨｋの大きさを制御し、任意の
値の透磁率を示す膜を得るためには複数のプロセスの熱
処理を行なう必要があった。

【０００７】本発明は上記の事情を鑑みてなされたもの
で、大きな電気抵抗と飽和磁化および適度の大きさの異
方性磁界を有し、かつ低磁歪である軟磁性膜を提供する
ことを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者等は上記の事情
を鑑みて鋭意努力した結果、２種類以上の元素からなる
合金ターゲットを、Ａｒ＋Ｏ_２の混合ガス中でのＲＦマ
グネトロンスパッタ装置を用いた、反応性スパッタ法に
より成膜することにより、１μｍの厚い単層膜でも良好
な軟磁性膜が得られることを見いだし、本発明に到達し
た。本発明の特徴とするところは次の通りである。第一
発明として、一般式（Ｃｏ１−ａＦｅａ）
_{１００−Ｘ−Ｙ}Ｍ_ＸＯ_Ｙで示され、ＭはＡｌ，Ｄｙ，Ｅ
ｒ，Ｇｄ，Ｈｆ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｎｄ，Ｓｃ，Ｓｒ，Ｔ
ｍ，Ｙ，ＹｂおよびＺｒのうちから選択される１種また
は２種以上の元素であり、その組成比ａはａ＜０．３、
_Ｘおよび_Ｙは原子％で８＜_Ｘ＜１２，２７＜_Ｙ＜３７
で、且つ３６＜ｘ＋ｙ＜４８である組成と少量の不純物
からなり、異方性磁界が３０Ｏｅ以上１００ Ｏｅ以
下、電気比抵抗値が３００μΩｃｍ以上１５００μΩｃ
ｍ以下および飽和磁束密度が８ｋＧ以上を有することを
特徴とする一軸磁気異方性膜。

【０００９】第２発明として、一般式Ｃｏ
_{１００−Ｘ−Ｙ}Ｍ_ＸＯ_Ｙで示され、ＭはＡｌ，Ｄｙ，Ｅ
ｒ，Ｇｄ，Ｈｆ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｎｄ，Ｓｃ，Ｓｒ，Ｔ
ｍ，Ｙ，ＹｂおよびＺｒのうちから選択される１種また
は２種以上の元素であり、その組成比_Ｘおよび_Ｙは原子
％で８＜_Ｘ＜１２，２７＜_Ｙ＜３７で、且つ３６＜ｘ＋
ｙ＜４８である組成と少量の不純物からなり、異方性磁
界が３０Ｏｅ以上１００ Ｏｅ以下、電気比抵抗値が３
００μΩｃｍ以上１５００μΩｃｍ以下および飽和磁束
密度が８ｋＧ以上を有することを特徴とする一軸磁気異
方性膜。

【００１０】第３発明として、（Ｃｏ１−ａＦｅａ）
_{１００−Ｘ−Ｙ}Ｍ_ＸＯ_Ｙ膜またはＣｏ_{１００−Ｘ−Ｙ}Ｍ
_ＸＯ_Ｙ膜において、Ｍ−Ｏ化合物の生成熱の大きさの絶
対値が１０００ｋＪよりも大きいＭ元素であることを特
徴とする請求項１または請求項２記載の一軸磁気異方性
膜を見いだした。

【００１１】第４発明として、上記の膜が１００Å以下
のナノグラニュラー構造を有することを特徴とする請求
項１ないし３のいずれか１項に記載の一軸磁気異方性膜
を見いだした。

【００１２】第５発明として、上記の膜を回転磁界中、
もしくは静磁界中熱処理を行なうことにより、膜の異方
性磁界のの大きさを３０ Ｏｅ以上、１００ Ｏｅ以下
の範囲で制御できることを特徴とする請求項１ないし３
のいずれか１項に記載の一軸磁気異方性膜を見いだし
た。

【００１３】第６発明として、基板ホールダに一対の永
久磁石を配置し、成膜することを特徴とする請求項１な
いし３のいずれか１項に記載の一軸磁気異方性膜を見い
だした。

【００１４】第７発明として、発明の１ないし６のいず
れか１項に記載の一軸磁気異方性膜よりなるトランスを
見いだした。

【００１５】第８発明として、発明の１ないし６のいず
れか１項に記載の一軸磁気異方性膜よりなるインダクタ
を見いだした。

【００１６】

【作用】本発明の磁性膜は、ナノサイズの金属微粒子と
それを囲む薄い粒界からなっているグラニュラー構造で
あることが必要である。磁気特性は、その構造と強く関
わっている。すなわち、磁性粒子が大きな異方性エネル
ギーを有していても、その大きさがナノサイズであれ
ば、個々の粒子の磁化方向がバラバラな方位を持ってい
るために、ある領域での全体としての磁性体のエネルギ
ーは零に近づき、軟磁性になる。但し、Ｃｏ合金の場
合、粒径が１００Å以上になると膜には垂直磁気異方性
が生じ始め、軟磁性が得られなくなる。軟磁性化のもう
１つの鍵となる粒界は薄く、かつ明瞭に形成されること
が望まれる。粒界が厚い場合には粒子間の磁気的相互作
用が小さくなり、軟磁性が得られなくなる。そのために
は、粒界を形成する元素の濃度が８ａｔ．％以上１２ａ
ｔ．％以下であること、かつその酸化物の生成熱がＣｏ
の酸化物の生成熱と比較して著しく大きいことが必要に
なる。具体的には生成熱の絶対値が１０００ｋＪ以上で
あることが望ましい。１０００ｋＪ以下の場合には、粒
界の形成が明瞭には出来ない。上記の粒界に寄与するも
う１つの元素が酸素である。酸素濃度が２７ａｔ．％以
下では、化学量論比のＭ元素の酸化物を生成し、粒界を
形成するのに十分な量ではない。一方、その濃度が３７
％を越えるとＭ元素のみならずＣｏ元素への酸化も始ま
り、膜の磁化が小さくなり、かつ軟磁性が発現しなくな
る。

【００１７】一方、本発明の一軸磁気異方性膜の透磁率
の自然共鳴周波数を１ＧＨｚ以上にするために、膜の異
方性磁界の大きさは３０ Ｏｅ以上であることが望まし
い。但し、１００ Ｏｅ以上になると共鳴周波数は高く
はなるが、透磁率が小さくなり過ぎ、電気的出力が小さ
くなるために実用上問題となる。３０ａｔ．％以上のＦ
ｅを含む合金では、その磁歪が１０^−５以上になり、微
細加工などでは、発生する歪みのために膜の軟磁気特性
は劣化する。飽和磁化の大きさが８ｋＧ以下の場合は、
透磁率の値が小さくなり、適当でない。一方、１３ｋＧ
以上のＢｓを有するためめには膜中のＭ元素濃度を低く
しなければならず、グラニュラー構造が得られにくくな
る。結果として膜の電気抵抗が低く、かつ軟磁性も得ら
れにくくなる。透磁率の周波数依存性に劣化させるもう
ひとつの定数が渦電流損失である。これは膜の電気抵抗
に関係しており、電気抵抗が大きければ大きいほど、渦
電流損失は小さくなる。また、膜の電気抵抗が３００μ
Ωｃｍ以上であれば、渦電流損失は従来の材料のそれの
約１／２以下になる。電気抵抗は大きければ大きいほど
望ましいが、１５００μΩｃｍ以上になると膜中に常磁
性成分が出現し、それが磁化回転を妨げる原因となり、
透磁率の周波数依存性を劣化させる。

【００１８】次に本発明の実施例につき説明する。

【実施例１】ＲＦマグネトロンスパッタリング装置を用
いて、直径４インチのターゲットをスパッタリングし
て、厚さ約２μｍの薄膜を作製した。尚、このときのタ
ーゲット組成はＣｏ_８５Ａｌ_１５であり、基板には約
０．５ｍｍ厚のコーニング社製＃７０５９ガラスを用い
た。成膜時のスパッタ圧力は１〜１０ｍＴｏｒｒで、ア
ルゴンガスに対する酸素の流量比は０〜３％であった。
また、成膜中の基板には一軸磁気異方性が付与されるよ
うに、一対の永久磁石によって約１３０Ｏｅの磁場が印
加されている。なお、スパッタ投入電力は２００Ｗ一定
とした。

【００１９】出来た試料の構造をＸ線回折装置（ＸＲ
Ｄ）により検討した。図１には酸素量を変えて作製した
膜のＸＲＤの結果を示す。酸素濃度の増加とともに４６
度付近に現われるメインピークがブロードになり、微細
化が起きていることがわかる。この件について、さらな
る知見を得るために、電子顕微鏡による組織の観察を行
なった。その結果を図２に示す。ＸＲＤの結果と同様
に、膜は酸素濃度の増加とともに微細化し、粒径が５０
Å以下の微粒子と厚さが約１０Åの粒界からなるネット
ワーク状の組織からなっていることが認められた。これ
らの２相をエネルギー分散型Ｘ線分光分析（ＥＤＸ）と
電子エネルギー損失分光分析（ＥＥＬＳ）により分析し
た結果、微粒子は主にＣｏ相から、粒界はＡｌ−Ｏのセ
ラミックス相からなっていることがわかった。なお、Ａ
ｌの選択的な酸化および酸化相の存在についてはＸ線分
光分析装置（ＥＳＣＡ）によっても確認した。

【００２０】次に、膜の直流磁気特性を振動型磁力計に
より、測定した（図３）。図中の２ した結果を表わす。試料は成膜時の印加磁場方向と平行
な一軸磁気異方性を有しており、その異方性磁界（Ｈ
ｋ）の大きさは８３Ｏｅであった。困難方向の保磁力
（Ｈｃ）は２．２Ｏｅであり、また、飽和磁束密度（Ｂ
ｓ）も約１１ｋＧと大きく、Ｃｏ−Ａｌ−Ｏ膜が良好な
軟磁性膜であることを示している。この膜の電気比抵抗
（ρ）を直流４端子法により測定した結果、９８０μΩ
ｃｍという大きな値を示した。次に、困難軸方向の透磁
率の周波数依存性をパラレルライン法により、測定し
た。同方法については日本応用磁気学会誌、ｖｏｌ．１
７，ｐ４９７（１９９３）に開示されている。結果を図
４に示す。図中の各点は実測値であり、実線は日本応用
磁気学会誌、ｖｏｌ．１５，ｐ３２７（１９９１）に開
示されている方法で求めた理論値である。Ｈｋが大きい
ために、透磁率の実数部はそれほど大きくないが、５０
０ＭＨｚまで劣化しない良好な周波数特性を示した。こ
れは本発明の薄膜が、飽和磁束密度と異方性磁界とが大
きいために自然共鳴周波数が非常に高いこと、電気比抵
抗が高いために渦電流損失が小さいこと、異方性に乱れ
が少なく、均質であることから得られたものであり、理
論値に近い結果となった。

【００２１】比較例として、Ｃｏ_７５Ａｌ_２５の組成の
ターゲットを用いて、実施例１と同じ条件でＣｏ−Ａｌ
−Ｏ薄膜を作製した。得られた膜のＢ−ＨループのＨｃ
は小さいが、磁化曲線は超常磁性のそれが主となってい
るような形状になり、また一軸磁気異方性を示さないた
め、μ−ｆ特性は劣化する。

【００２２】

【実施例２】実施例１と同じ装置でＣｏ−Ｙ−Ｏ膜を作
製した。成膜条件及び評価方法で実施例と異なる点は、
ターゲットとしてＣｏターゲットの上にＹ_２Ｏ_３チップ
（５_ｘ５ｍｍ^２）を貼り付けた複合ターゲットを用いた
点である。得られる膜のＸＲＤやＴＥＭの結果も実施例
１の結果と同じような２相のネットワーク状の微細な組
織からなっていた。実施例１と構造上での異なる点はＣ
ｏ−Ｙ−Ｏ膜の粒子及び粒界とともにアモルファス相に
なっていることである。

【００２３】得られた膜の磁気特性の結果を図５に示
す。Ｃｏ−Ｙ−Ｏ膜もＣｏ−Ａｌ−Ｏ膜と同様に、成膜
時に印加した磁界方向と平行な一軸磁気異方性を有して
おり、そのＨｋは８０Ｏｅであり、その困難方向のＢ−
Ｈループの直線性の良いことから、膜の異方性分散がほ
とんどないものと推察される。Ｂｓは１１．６ｋＧと大
きく、かつＨｃは１．４Ｏｅと小さく、膜は良好な軟磁
気特性を示した。但し、ρは３０５μΩｃｍとＣｏ−Ａ
ｌ−Ｏ膜のそれと比較して小さいが、異方性に乱れがほ
とんどないために、図６に示すように実測したμ−ｆ特
性は理論値のそれと一致し、良好な高周波磁気特性を示
す。

【００２４】

【実施例３】Ｃｏ円盤上に均等にＳｍ_２Ｏ_３チップを被
覆率が５０％になるように設置した複合ターゲットを高
周波スパッタリングすることによりＣｏ−Ｓｍ−Ｏ膜を
作製した。その他の成膜条件と評価方法は実施例１と同
様にした。得られた試料は、ＸＲＤによりアモルファス
セラミックス相とアモルファス金属相の微細な２相から
なっていることが確認された。図７において、試料は成
膜時に印加した磁界方向に磁化されており、その異方性
磁界は７１Ｏｅである。またＢｓは１０．４ｋＧで、困
難方向の保磁力Ｈｃ＝４．５Ｏｅと小さく良好な軟磁気
特性を示す。また電気比抵抗は１０６０μΩｃｍと十分
に大きな値を示す。これらの結果を反映して、Ｃｏ−Ｓ
ｍ−Ｏ膜は図８に示すような良好な高周波軟磁気特性を
示す。

【００２５】

【実施例４】実施例１と同様な方法で作製したＣｏ_６０
Ａｌ_１１Ｏ_２９膜を真空中もしくは不活性ガス中で磁場
中熱処理したＨｋの結果を図９に示す。静磁界中処理
（ＵＦＡ）を施した場合のＨｋは構造緩和が始まる温度
の２００℃付近から少々大きくなる。一方、回転磁界中
処理（ＲＦＡ）した膜のＨｋは１５０℃付近から減少し
始め、２５０℃以上で零になる。これらの結果から、Ｕ
ＦＡとＲＦＡとを組み合わせた熱処理を行なうことによ
り、０〜１００Ｏｅの範囲で、任意の大きさのＨｋを有
する一軸磁気異方性膜を得ることができる。一例として
図１０には２５０℃でＲＦＡを施した後、１５０℃でＵ
ＦＡを施した膜のμ−ｆ特性の結果を示す。図から明ら
かなように、得られた膜は理論値に近い、優れた透磁率
の高周波依存性を示す。

【００２６】酸素量の少ない試料、すなわち、電気抵抗
の値が〜１００μΩｃｍの小さな試料は膜面に対して垂
直な方向に容易磁化成分を持つような磁化挙動を示す。
しかも膜の保磁力は２０ Ｏｅ以上と大きい。また、こ
れらの膜にはどのような熱処理を施しても、その特性は
ほとんど改善されない。

【００２７】尚、本発明の代表的な膜の組成とその特性
値を表 １に示す。

【００２８】

【表１】

【００２９】

【発明の効果】本発明は、輻広い組成の合金系膜で、適
度な大きさの異方性磁界を有し、かつ電気抵抗が大き
く、飽和磁化が大きい、高周波特性の優れた、一軸磁気
異方性を有する軟磁性薄膜を提供することができる。ま
た、本発明の薄膜は、特に多層膜とする必要もないこと
から、特別な工程や装置を必要としないために、高周波
帯域で動作するトランスやインダクタ用として適してお
り、その工業的意義は大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、（Ｃｏ．_８５Ａｌ．_１５）_{１００−Ｙ}
Ｏ_Ｙ膜の結晶構造を示すＸ線回折図である（Ｙ＝０〜６
０）。

【図２】図２は、（Ｃｏ．_８５Ａｌ．_１５）_{１００−Ｙ}
Ｏ_Ｙ膜の透過電子顕微鏡による観察写真である（Ｙ＝０
〜６０）。

【図３】図３は、Ｃｏ_６０Ａｌ_１１Ｏ_２９膜の直流磁気
履歴曲線を示す特性図である。

【図４】図４は、Ｃｏ_６０Ａｌ_１１Ｏ_２９膜の透磁率の
周波数特性を示す特性図である。

【図５】図５は、Ｃｏ_７０Ｙ_７Ｏ_２３膜の直流磁気履歴
曲線を示す特性図である。

【図６】図６は、Ｃｏ_７０Ｙ_７Ｏ_２３膜の透磁率の周波
数特性を示す特性図である。

【図７】図７は、Ｃｏ_６６Ｓｍ_９．５Ｏ_２４．５膜の直
流磁気履歴曲線を示す特性図である。

【図８】図８は、Ｃｏ_６６Ｓｍ_９．５Ｏ_２４．５膜の透
磁率の周波数特性とを示す特性図である。

【図９】図９は、Ｃｏ_６０Ａｌ_１１Ｏ_２９膜の異方性磁
界（Ｈｋ）の磁場中熱処理温度変化を示す特性図であ
る。

【図１０】図１０は、Ｃｏ_６０Ａｌ_１１Ｏ_２９膜に回転
磁界中熱処理を施した後、静磁界中熱処理を施した膜の
透磁率の周波数特性とを示す特性図である。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（Ｃｏ１−ａＦｅａ）
   _{１００−Ｘ−Ｙ}Ｍ_ＸＯ_Ｙで示され、ＭはＡｌ，Ｄｙ，Ｅ
   ｒ，Ｇｄ，Ｈｆ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｎｄ，Ｓｃ，Ｓｒ，Ｔ
   ｍ，Ｙ，ＹｂおよびＺｒのうちから選択される１種また
   は２種以上の元素であり、その組成比ａはａ＜０．３、
   _Ｘおよび_Ｙは原子％で８＜_Ｘ＜１２，２７＜_Ｙ＜３７
   で、且つ３６＜ｘ＋ｙ＜４８である組成と少量の不純物
   からなり、異方性磁界が３０Ｏｅ以上１００ Ｏｅ以
   下、電気比抵抗値３００μΩｃｍ以上１５００μΩｃｍ
   以下および飽和磁束密度が８ｋＧ以上を有することを特
   徴とする一軸磁気異方性膜。
2. 【請求項２】 一般式Ｃｏ_{１００−Ｘ−Ｙ}Ｍ_ＸＯ_Ｙで示
   され、ＭはＡｌ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｇｄ，Ｈｆ，Ｌｉ，Ｍ
   ｇ，Ｎｄ，Ｓｃ，Ｓｒ，Ｔｍ，Ｙ，ＹｂおよびＺｒのう
   ちから選択される１種または２種以上の元素であり、そ
   の組成比_Ｘおよび_Ｙは原子％で８＜_Ｘ＜１２，２７＜_Ｙ
   ＜３７で，且つ６＜ｘ＋ｙ＜４８である組成と少量の不
   純物からなり、異方性磁界が３０Ｏｅ以上１００Ｏｅ以
   下、電気比抵抗値が３００μΩｃｍ以上１５００μΩｃ
   ｍ以下および飽和磁束密度が８ｋＧ以上を有することを
   特徴とする一軸磁気異方性膜。
3. 【請求項３】 一般式（Ｃｏ１−ａＦｅａ）
   _{１００−Ｘ−Ｙ}Ｍ_ＸＯ_Ｙ膜またはＣｏ_{１００−Ｘ−Ｙ}Ｍ
   _ＸＯ_Ｙ膜において、Ｍ−Ｏ化合物の生成熱の大きさの絶
   対値が１０００ｋＪよりも大きいＭ元素であることを特
   徴とする請求項１または請求項２記載の一軸磁気異方性
   膜。
4. 【請求項４】 Ｃｏ相の微粒子とその粒界がＭ元素の酸
   化物相からなる１００Å以下のナノグラニュラー構造を
   有することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１
   項に記載の一軸磁気異方性膜。
5. 【請求項５】 回転磁界中、もしくは静磁界中熱処理を
   行なうことにより、膜の異方性磁界の大きさを３０ Ｏ
   ｅ以上，１００ Ｏｅ以下の範囲で制御できることを特
   徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の一軸
   磁気異方性膜。
6. 【請求項６】 基板ホールダーに一対の永久磁石を配置
   し、成膜することを特徴とする請求項１ないし３のいず
   れか１項に記載の一軸磁気異方性膜。
7. 【請求項７】 請求項１ないし６のいずれか１項に記載
   の一軸磁気異方性膜よりなるトランス。
8. 【請求項８】 請求項１ないし６のいずれか１項に記載
   の一軸磁気異方性膜よりなるインダクタ。