JP3075332B2 - 高電気比抵抗磁性薄膜 - Google Patents
高電気比抵抗磁性薄膜Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＣｏ（コバルト）、Ａｌ
（アルミニウム）およびＯ（酸素）からなり、電気比抵
抗が極めて大きく、且つ室温で大きな磁気抵抗効果を有
する磁性薄膜および磁気記録用ＭＲヘッドならびにＭＲ
センサーに関するものである。
（アルミニウム）およびＯ（酸素）からなり、電気比抵
抗が極めて大きく、且つ室温で大きな磁気抵抗効果を有
する磁性薄膜および磁気記録用ＭＲヘッドならびにＭＲ
センサーに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の発達に伴い、さらなる
磁気記録の高密度化が求められ、垂直磁気記録方式など
の様々な試みがなされている。その中にあって、磁気抵
抗効果（ＭＲ）を利用した磁気ヘッド（ＭＲヘッド）
は、高密度磁気記録用ヘッドとして注目され、現在盛ん
に研究されている。またＭＲセンサはサーボモータやロ
ーターエンコーダの磁界センサとして、すでに広く実用
化されている。このような産業上の要求に呼応するかの
ように、従来の値の１０倍以上の巨大な磁気抵抗効果
（ＧＭＲ）を示す材料が、Ｆｅ／Ｃｒ系などのいくつか
の金属人工格子膜で見いだされた（Ｍ．Ｎ．Ｂａｉｂｉ
ｃｈ ｅｔ ａｌ，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．６１
（１９８８）２４７２）。ただし、ＧＭＲを示す人工格
子膜を得るためには、高価な成膜装置が必要なうえに、
膜界面の制御などの工程がかなり複雑であるなどの問題
があった。
磁気記録の高密度化が求められ、垂直磁気記録方式など
の様々な試みがなされている。その中にあって、磁気抵
抗効果（ＭＲ）を利用した磁気ヘッド（ＭＲヘッド）
は、高密度磁気記録用ヘッドとして注目され、現在盛ん
に研究されている。またＭＲセンサはサーボモータやロ
ーターエンコーダの磁界センサとして、すでに広く実用
化されている。このような産業上の要求に呼応するかの
ように、従来の値の１０倍以上の巨大な磁気抵抗効果
（ＧＭＲ）を示す材料が、Ｆｅ／Ｃｒ系などのいくつか
の金属人工格子膜で見いだされた（Ｍ．Ｎ．Ｂａｉｂｉ
ｃｈ ｅｔ ａｌ，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．６１
（１９８８）２４７２）。ただし、ＧＭＲを示す人工格
子膜を得るためには、高価な成膜装置が必要なうえに、
膜界面の制御などの工程がかなり複雑であるなどの問題
があった。
【０００３】１９９２年にＢｅｒｋｏｗｉｔｚ等とＣｈ
ｉｅｎ等は、独立してＣｏ−Ｃｕ系グラニュラー合金が
ＧＭＲを示すことを見いだした（Ａ．Ｅ．Ｂｅｒｋｏｗ
ｉｔｚ ｅｔ ａｌ，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．６
８（１９９２）３７４５，Ｊ．Ｑ．Ｘｉａｏ ｅｔ ａ
ｌ，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．６８（１９９２）３
７４９）。その後、グラニュラー構造を有する新たなＧ
ＭＲを示す合金系が見いだされ、且つその中のいくつか
は液体急冷法などでも作製できることもわかり、多くの
研究者によって盛んに研究されている。しかし、それら
のほとんどの材料はＧＭＲを示す温度が液体Ｈｅ温度で
あり、実用的に重要な室温でのＭＲ値は高々２〜３％
で、既存の材料の磁気抵抗効果と同程度の値しか示さな
い。しかも１０ｋＯｅ以上の大きな磁場においても、Ｍ
Ｒ値はまだ飽和しない。
ｉｅｎ等は、独立してＣｏ−Ｃｕ系グラニュラー合金が
ＧＭＲを示すことを見いだした（Ａ．Ｅ．Ｂｅｒｋｏｗ
ｉｔｚ ｅｔ ａｌ，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．６
８（１９９２）３７４５，Ｊ．Ｑ．Ｘｉａｏ ｅｔ ａ
ｌ，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．６８（１９９２）３
７４９）。その後、グラニュラー構造を有する新たなＧ
ＭＲを示す合金系が見いだされ、且つその中のいくつか
は液体急冷法などでも作製できることもわかり、多くの
研究者によって盛んに研究されている。しかし、それら
のほとんどの材料はＧＭＲを示す温度が液体Ｈｅ温度で
あり、実用的に重要な室温でのＭＲ値は高々２〜３％
で、既存の材料の磁気抵抗効果と同程度の値しか示さな
い。しかも１０ｋＯｅ以上の大きな磁場においても、Ｍ
Ｒ値はまだ飽和しない。
【０００４】（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）−Ｏ系グラニュラー
膜の磁気構造などの基礎物性を知るための研究手段とし
て、磁気抵抗効果の温度変化を検討しているときに、Ｎ
ｉ−Ｓｉ−ＯおよびＣｏ−Ｓｉ−Ｏ膜が約２％の磁気抵
抗効果を示すことを見いだした（Ｓ．Ｂａｒｚｉｌａｉ
ｅｔ ａｌ，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ ２３（１９８
１）１８０９）。しかし、２％ではＮｉやパーマロイな
どの現在使用されている既存の結果とほぼ同程度であ
り、且つ、その後、系統的な研究もなされず、この分野
での進展は見られなかった。
膜の磁気構造などの基礎物性を知るための研究手段とし
て、磁気抵抗効果の温度変化を検討しているときに、Ｎ
ｉ−Ｓｉ−ＯおよびＣｏ−Ｓｉ−Ｏ膜が約２％の磁気抵
抗効果を示すことを見いだした（Ｓ．Ｂａｒｚｉｌａｉ
ｅｔ ａｌ，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ ２３（１９８
１）１８０９）。しかし、２％ではＮｉやパーマロイな
どの現在使用されている既存の結果とほぼ同程度であ
り、且つ、その後、系統的な研究もなされず、この分野
での進展は見られなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】成膜方法の簡便さ、ま
た材料や発想のユニークさの故に、多くのＧＭＲを示す
グラニュラー合金の研究が基礎、応用の双方で盛んにな
されてきているが、そのほとんどＸｉａｏやＢｅｒｋｏ
ｗｉｔｚ等と類似のＣｏ−Ｃｕ，Ｃｏ−ＡｇやＮｉＦｅ
−Ｃｕ等の金属−金属系グラニュラー膜ばかりであるば
かりでなく、彼らの材料学上の問題点は未だに解決して
いない。すなわち、人工格子膜のＧＭＲと比較してグラ
ニュラー合金ＧＭＲは、１）小さな磁場では飽和しな
い、２）Ｈｅ温度ではＧＭＲが観察されるが、室温では
小さい、しかも３）ＧＭＲを発現させるためには、材料
に熱処理を施さなければならない、４）電気比抵抗値が
１００μΩｃｍ以下で小さい、などである。
た材料や発想のユニークさの故に、多くのＧＭＲを示す
グラニュラー合金の研究が基礎、応用の双方で盛んにな
されてきているが、そのほとんどＸｉａｏやＢｅｒｋｏ
ｗｉｔｚ等と類似のＣｏ−Ｃｕ，Ｃｏ−ＡｇやＮｉＦｅ
−Ｃｕ等の金属−金属系グラニュラー膜ばかりであるば
かりでなく、彼らの材料学上の問題点は未だに解決して
いない。すなわち、人工格子膜のＧＭＲと比較してグラ
ニュラー合金ＧＭＲは、１）小さな磁場では飽和しな
い、２）Ｈｅ温度ではＧＭＲが観察されるが、室温では
小さい、しかも３）ＧＭＲを発現させるためには、材料
に熱処理を施さなければならない、４）電気比抵抗値が
１００μΩｃｍ以下で小さい、などである。
【０００６】特に、従来の磁気抵抗膜の電気比抵抗の値
が１００μΩｃｍ以下であるために、ＭＲヘッドなどに
組み込む場合に、十分な出力を得るための磁性層の膜厚
を２００〜５００Å程度の薄さにしなければならない。
一般に、膜の磁気特性はその膜厚が１０００Å以下にな
ると劣化することが知られており、それを避けるために
は基板や膜のトライポロジーを始めとする、様々な事項
について配慮しなければならない。
が１００μΩｃｍ以下であるために、ＭＲヘッドなどに
組み込む場合に、十分な出力を得るための磁性層の膜厚
を２００〜５００Å程度の薄さにしなければならない。
一般に、膜の磁気特性はその膜厚が１０００Å以下にな
ると劣化することが知られており、それを避けるために
は基板や膜のトライポロジーを始めとする、様々な事項
について配慮しなければならない。
【０００７】本発明は上記の事情を鑑みてなされたもの
で、大きな電気比抵抗値を有し、且つ小さな磁場でもＭ
Ｒの飽和値に近い値を室温で示す新しい磁性薄膜を提供
することを目的とする。
で、大きな電気比抵抗値を有し、且つ小さな磁場でもＭ
Ｒの飽和値に近い値を室温で示す新しい磁性薄膜を提供
することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の事情を
鑑みて鋭意努力した結果であり、本発明のＣｏ１００−
ｘ−ｙＡｌｘＯｙで表わされる高電気比抵抗膜は合金タ
ーゲットを反応スパッタ法により作製することが望まし
いが、ターゲット形状に出来る合金組成は限られてしま
う。このために、本発明では合金ターゲットの他にも、
次の２つの方法で作製したターゲットを用いた。１つは
ＣｏもしくはＣｏ−Ａｌ合金円板に、所望の組成の膜が
得られるように、５ｘ５ｍｍ角以下のＡｌもしくはＡｌ
−Ｏチップを貼り付けた複合ターゲットを用いる方法で
ある。もう一つの方法は、ＣｏとＡｌとの微粉末を所望
の組成比に混合し、ターゲット状にプレス成型し、焼き
固めた焼結体をターゲットとして用いることである。こ
の２つの方法により、合金ターゲットでは不可能な広い
合金組成範囲で、室温で３％以上の磁気抵抗効果を示す
膜を得ることができる。３％以下の磁気抵抗効果しか示
さない膜でも、基板温度を１００〜５００℃望ましくは
２００℃前後に保ちながら成膜することにより、また成
膜後の膜を１００〜５００℃の温度で熱処理することに
より、３％以上に改善することが出来る。同様の改善効
果が、絶縁物質（例えばＡｌＮ等）や非磁性物質（例え
ばＣｒ等）で多層膜化することにより見いだされる。
鑑みて鋭意努力した結果であり、本発明のＣｏ１００−
ｘ−ｙＡｌｘＯｙで表わされる高電気比抵抗膜は合金タ
ーゲットを反応スパッタ法により作製することが望まし
いが、ターゲット形状に出来る合金組成は限られてしま
う。このために、本発明では合金ターゲットの他にも、
次の２つの方法で作製したターゲットを用いた。１つは
ＣｏもしくはＣｏ−Ａｌ合金円板に、所望の組成の膜が
得られるように、５ｘ５ｍｍ角以下のＡｌもしくはＡｌ
−Ｏチップを貼り付けた複合ターゲットを用いる方法で
ある。もう一つの方法は、ＣｏとＡｌとの微粉末を所望
の組成比に混合し、ターゲット状にプレス成型し、焼き
固めた焼結体をターゲットとして用いることである。こ
の２つの方法により、合金ターゲットでは不可能な広い
合金組成範囲で、室温で３％以上の磁気抵抗効果を示す
膜を得ることができる。３％以下の磁気抵抗効果しか示
さない膜でも、基板温度を１００〜５００℃望ましくは
２００℃前後に保ちながら成膜することにより、また成
膜後の膜を１００〜５００℃の温度で熱処理することに
より、３％以上に改善することが出来る。同様の改善効
果が、絶縁物質（例えばＡｌＮ等）や非磁性物質（例え
ばＣｒ等）で多層膜化することにより見いだされる。
【０００９】本発明の特徴とするところは次の通りであ
る。第１発明は、一般式Ｃｏ１００−ｘ−ｙＡｌｘＯｙ
で表わされ、その組成比ｘおよびｙは、原子比で１０＜
ｘ＜３０，２０＜ｙ＜５０で、且つ３０＜ｘ＋ｙ＜７０
である組成と少量の不純物からなり、室温で３％以上の
磁気抵抗効果を有することを特徴とする高電気比抵抗磁
性薄膜。
る。第１発明は、一般式Ｃｏ１００−ｘ−ｙＡｌｘＯｙ
で表わされ、その組成比ｘおよびｙは、原子比で１０＜
ｘ＜３０，２０＜ｙ＜５０で、且つ３０＜ｘ＋ｙ＜７０
である組成と少量の不純物からなり、室温で３％以上の
磁気抵抗効果を有することを特徴とする高電気比抵抗磁
性薄膜。
【００１０】第２発明は、一般式Ｃｏ１００−ｘ−ｙＡ
ｌｘＯｙで表わされ、その組成比ｘおよびｙは、原子比
で１０＜ｘ＜３０，２０＜ｙ＜５０，且つ３０＜ｘ＋ｙ
＜７０である組成と少量の不純物からなる高電気比抵抗
磁性薄膜と、絶縁物あるいは非磁性物質からなる薄膜を
交互に積層して作製された多層膜で、室温で３％以上の
磁気抵抗効果を有する高電気比抵抗磁性薄膜。
ｌｘＯｙで表わされ、その組成比ｘおよびｙは、原子比
で１０＜ｘ＜３０，２０＜ｙ＜５０，且つ３０＜ｘ＋ｙ
＜７０である組成と少量の不純物からなる高電気比抵抗
磁性薄膜と、絶縁物あるいは非磁性物質からなる薄膜を
交互に積層して作製された多層膜で、室温で３％以上の
磁気抵抗効果を有する高電気比抵抗磁性薄膜。
【００１１】 第３発明は、電気比抵抗の大きさが１０
4 以上１０8 μΩｃｍ以下の範囲であることを特徴とす
る、室温で３％以上の磁気抵抗効果を有する第１または
第２発明に係る高電気比抵抗磁性薄膜である。
4 以上１０8 μΩｃｍ以下の範囲であることを特徴とす
る、室温で３％以上の磁気抵抗効果を有する第１または
第２発明に係る高電気比抵抗磁性薄膜である。
【００１２】 第４発明は、膜の構造がグラニュラー構
造になっており、膜中に超常磁性成分が存在しているこ
とを特徴とする第１または第２発明に係る高電気比抵抗
磁性薄膜である。
造になっており、膜中に超常磁性成分が存在しているこ
とを特徴とする第１または第２発明に係る高電気比抵抗
磁性薄膜である。
【００１３】 第５発明は、膜の保磁力が１０Ｏｅ以下
で、且つ１ｋＯｅ以上の磁場でも飽和しない形状の磁化
曲線を有することを特徴とする第１または第２発明に係
る高電気比抵抗磁性薄膜である。
で、且つ１ｋＯｅ以上の磁場でも飽和しない形状の磁化
曲線を有することを特徴とする第１または第２発明に係
る高電気比抵抗磁性薄膜である。
【００１４】 第６発明は、磁性薄膜を磁場中もしくは
無磁場中において、１００℃以上５００℃以下の温度で
焼鈍したことを特徴とする第１または第２発明に係る高
電気比抵抗磁性薄膜である。
無磁場中において、１００℃以上５００℃以下の温度で
焼鈍したことを特徴とする第１または第２発明に係る高
電気比抵抗磁性薄膜である。
【００１５】 第７発明は、基板の温度を１００℃以上
５００℃以下の温度に設定して作製することを特徴とす
る第１または第２発明に係る高電気比抵抗磁性薄膜であ
る。
５００℃以下の温度に設定して作製することを特徴とす
る第１または第２発明に係る高電気比抵抗磁性薄膜であ
る。
【００１６】第８発明は、一般式Ｃｏ１００−ｘ−ｙＡ
ｌｘＯｙで表わされ、その組成比ｘおよびｙは、原子比
で１０＜ｘ＜３０，２０＜ｙ＜５０で、且つ３０＜ｘ＋
ｙ＜７０である組成と少量の不純物からなり、室温で３
％以上の磁気抵抗効果を有する高電気比抵抗磁性薄膜よ
りなる磁気記録用ＭＲヘッド。
ｌｘＯｙで表わされ、その組成比ｘおよびｙは、原子比
で１０＜ｘ＜３０，２０＜ｙ＜５０で、且つ３０＜ｘ＋
ｙ＜７０である組成と少量の不純物からなり、室温で３
％以上の磁気抵抗効果を有する高電気比抵抗磁性薄膜よ
りなる磁気記録用ＭＲヘッド。
【００１７】第９発明は、一般式Ｃｏ１００−ｘ−ｙＡ
ｌｘＯｙで表わされ、その組成比ｘおよびｙは、原子比
で１０＜ｘ＜３０，２０＜ｙ＜５０で、且つ３０＜ｘ＋
ｙ＜７０である組成と少量の不純物からなり、室温で３
％以上の磁気抵抗効果を有する高電気比抵抗磁性薄膜よ
りなるＭＲセンサー。
ｌｘＯｙで表わされ、その組成比ｘおよびｙは、原子比
で１０＜ｘ＜３０，２０＜ｙ＜５０で、且つ３０＜ｘ＋
ｙ＜７０である組成と少量の不純物からなり、室温で３
％以上の磁気抵抗効果を有する高電気比抵抗磁性薄膜よ
りなるＭＲセンサー。
【００１８】
【作用】本発明の磁性薄膜はナノサイズの金属微粒子
（グラニュール）と、それを囲む非磁性の薄い粒界から
なるグラニュラー構造をとっていることが必要である。
磁気特性はその構造と強く関わっている。すなわち、グ
ラニュラー磁性体のような磁性−非磁性界面を有する不
均一な物質では、界面でのスピン依存不純物散乱が磁気
抵抗に重要な役割を果たしている。グラニュールの粒径
が大きくなり、界面が薄ければ、粒子間の磁気的相互作
用が強くなり、膜は軟磁性を示す。特に、膜の電気比抵
抗値が１０４μΩｃｍ以下の膜では、電子は金属粒子間
をかなり自由に流れうることを意味し、磁気抵抗効果
（ＭＲ）は発現しない。本実施例の磁性薄膜の磁気抵抗
はその電気比抵抗値の大きさから、電子のトンネル効果
が強く寄与していることが考えられる。膜の電気比抵抗
値が１０８μΩｃｍ以上の膜では、粒径が小さすぎ、且
つ粒界が厚くなり過ぎるために、トンネル伝導が起きな
くなり、また膜全体が超常磁性体になり、ＭＲは生じな
い。
（グラニュール）と、それを囲む非磁性の薄い粒界から
なるグラニュラー構造をとっていることが必要である。
磁気特性はその構造と強く関わっている。すなわち、グ
ラニュラー磁性体のような磁性−非磁性界面を有する不
均一な物質では、界面でのスピン依存不純物散乱が磁気
抵抗に重要な役割を果たしている。グラニュールの粒径
が大きくなり、界面が薄ければ、粒子間の磁気的相互作
用が強くなり、膜は軟磁性を示す。特に、膜の電気比抵
抗値が１０４μΩｃｍ以下の膜では、電子は金属粒子間
をかなり自由に流れうることを意味し、磁気抵抗効果
（ＭＲ）は発現しない。本実施例の磁性薄膜の磁気抵抗
はその電気比抵抗値の大きさから、電子のトンネル効果
が強く寄与していることが考えられる。膜の電気比抵抗
値が１０８μΩｃｍ以上の膜では、粒径が小さすぎ、且
つ粒界が厚くなり過ぎるために、トンネル伝導が起きな
くなり、また膜全体が超常磁性体になり、ＭＲは生じな
い。
【００１９】磁化曲線とＭＲの磁場依存性が対応するた
めに、本発明の高電気比抵抗磁性薄膜の磁化曲線の保磁
力は、１０Ｏｅ以下であることが望ましい。１０Ｏｅ以
上では、低磁場での磁気抵抗の磁場依存性が小さくな
り、適切でない。上記に述べたように、磁気抵抗効果が
現われる磁性薄膜の形態は、かなりの強磁性金属微粒子
が磁気的に孤立している。また粒子のサイズがナノスケ
ールであるために、超常磁性を示す粒子もかなり含んで
いることが考えられる。そのため、得られる磁化曲線は
１ｋＯｅ以上の大きさの外部磁場でもまだ飽和しない形
状となる。１ｋＯｅ以下の低磁場で飽和してしまう磁化
曲線を示す磁性薄膜では、磁性粒子同士が磁気的に強い
相互作用を持っているために、磁気抵抗効果は発現しな
い。
めに、本発明の高電気比抵抗磁性薄膜の磁化曲線の保磁
力は、１０Ｏｅ以下であることが望ましい。１０Ｏｅ以
上では、低磁場での磁気抵抗の磁場依存性が小さくな
り、適切でない。上記に述べたように、磁気抵抗効果が
現われる磁性薄膜の形態は、かなりの強磁性金属微粒子
が磁気的に孤立している。また粒子のサイズがナノスケ
ールであるために、超常磁性を示す粒子もかなり含んで
いることが考えられる。そのため、得られる磁化曲線は
１ｋＯｅ以上の大きさの外部磁場でもまだ飽和しない形
状となる。１ｋＯｅ以下の低磁場で飽和してしまう磁化
曲線を示す磁性薄膜では、磁性粒子同士が磁気的に強い
相互作用を持っているために、磁気抵抗効果は発現しな
い。
【００２０】一方、本発明の磁性薄膜は単層の厚い膜で
も充分磁気抵抗効果を示すが、他の絶縁物（例えばＡｌ
Ｎ等）あるいは非磁性物質（例えばＣｒ等）からなる層
と交互に積層してもよい。積層する中間層の物質や膜厚
の組み合わせによって、膜応力の軽減、柱状構造の発達
の抑制、磁性薄膜間の静磁結合により軟磁性の改善と、
それに基ずく磁気抵抗の磁場依存性の急峻化などの様々
な効果が現われる。同様な特性の改善が熱処理を施すこ
とにより行われる。具体的には５００℃以下、好ましく
は１００℃以上３００℃以下で熱処理することにより、
内部応力の緩和と相分離の促進がおき、特性の改善がな
される。また成膜時の基板温度を５００℃以下、好まし
くは１００℃以上３００℃以下に設定して成膜すると、
熱処理効果と同様の効果が膜に作用し、特性が改善す
る。
も充分磁気抵抗効果を示すが、他の絶縁物（例えばＡｌ
Ｎ等）あるいは非磁性物質（例えばＣｒ等）からなる層
と交互に積層してもよい。積層する中間層の物質や膜厚
の組み合わせによって、膜応力の軽減、柱状構造の発達
の抑制、磁性薄膜間の静磁結合により軟磁性の改善と、
それに基ずく磁気抵抗の磁場依存性の急峻化などの様々
な効果が現われる。同様な特性の改善が熱処理を施すこ
とにより行われる。具体的には５００℃以下、好ましく
は１００℃以上３００℃以下で熱処理することにより、
内部応力の緩和と相分離の促進がおき、特性の改善がな
される。また成膜時の基板温度を５００℃以下、好まし
くは１００℃以上３００℃以下に設定して成膜すると、
熱処理効果と同様の効果が膜に作用し、特性が改善す
る。
【００２１】
【実施例】次に本発明の実施例につき図面で説明する。 実施例１、Ｃｏ−Ａｌ−Ｏ薄膜の成膜と評価 原料は純度９９．９％の電解コバルトおよびアルミニュ
ウムを用いた。コバルト８０％およびアルミニュウム２
０％の組成比からなる原料をＡｒ雰囲気中で高周波誘導
電気炉で溶解した後、よく攪拌して均質な溶融合金とし
た。ついで、これをアーク溶解炉で、直径約１２０ｍ
ｍ、高さ約１０ｍｍの円盤状に成形し、得られた鋳塊を
切削し直径１００ｍｍ，厚さ２．５ｍｍのターゲットを
製造した。成膜には、このターゲットを用いてＲＦマグ
ネトロンスパッタリング装置により、厚さ約２μｍの薄
膜を作製した。基板には約０．５ｍｍ厚のコーニング社
製＃７０５９ガラスを用いた。成膜時のスパッタ圧力は
１〜１０ｍＴｏｒｒで、スパッタ電力は２００Ｗ一定と
した。そのときのアルゴンに対る酸素の流量比を１〜１
０％の範囲で種々選択し、膜中の酸素濃度を変えた。
ウムを用いた。コバルト８０％およびアルミニュウム２
０％の組成比からなる原料をＡｒ雰囲気中で高周波誘導
電気炉で溶解した後、よく攪拌して均質な溶融合金とし
た。ついで、これをアーク溶解炉で、直径約１２０ｍ
ｍ、高さ約１０ｍｍの円盤状に成形し、得られた鋳塊を
切削し直径１００ｍｍ，厚さ２．５ｍｍのターゲットを
製造した。成膜には、このターゲットを用いてＲＦマグ
ネトロンスパッタリング装置により、厚さ約２μｍの薄
膜を作製した。基板には約０．５ｍｍ厚のコーニング社
製＃７０５９ガラスを用いた。成膜時のスパッタ圧力は
１〜１０ｍＴｏｒｒで、スパッタ電力は２００Ｗ一定と
した。そのときのアルゴンに対る酸素の流量比を１〜１
０％の範囲で種々選択し、膜中の酸素濃度を変えた。
【００２２】作製した薄膜試料を直流４端子法を基本と
する電気比抵抗の測定装置を用いて、電気比抵抗値
（ρ）と０〜１５ｋＯｅの磁場中での磁気抵抗効果（Ｍ
Ｒ比）を測定した。図１には酸素量を変えて作製した電
気比抵抗の異なる膜のＭＲ比の室温での磁場依存性を示
す。酸素流量比が１．０％以下の膜は電気比抵抗も１，
０００μΩｃｍ以下であり、ＭＲ比は殆ど観察されな
い。酸素流量比の増加と共に電気比抵抗、ＭＲ比ともに
大きくなり、酸素流量比が１．８％で作製された膜の電
気比抵抗値は１．４ｘ１０５μΩｃｍとなり、ＭＲ比は
室温で４％以上になる。なお、この膜のＭＲ比の磁場依
存性は他のグラニュラーＭＲ膜のそれと比較して小さ
く、約２ｋＯｅでＭＲ比＝３％が得られる。
する電気比抵抗の測定装置を用いて、電気比抵抗値
（ρ）と０〜１５ｋＯｅの磁場中での磁気抵抗効果（Ｍ
Ｒ比）を測定した。図１には酸素量を変えて作製した電
気比抵抗の異なる膜のＭＲ比の室温での磁場依存性を示
す。酸素流量比が１．０％以下の膜は電気比抵抗も１，
０００μΩｃｍ以下であり、ＭＲ比は殆ど観察されな
い。酸素流量比の増加と共に電気比抵抗、ＭＲ比ともに
大きくなり、酸素流量比が１．８％で作製された膜の電
気比抵抗値は１．４ｘ１０５μΩｃｍとなり、ＭＲ比は
室温で４％以上になる。なお、この膜のＭＲ比の磁場依
存性は他のグラニュラーＭＲ膜のそれと比較して小さ
く、約２ｋＯｅでＭＲ比＝３％が得られる。
【００２３】４％のＭＲ比を示した膜を、Ｘ線回折法に
より測定した構造の結果を図２に示す。２Θが４５度付
近にｆｃｃ−Ｃｏの（１１０）面に対応すると思われる
ブロードな回折ピークが観察され、膜は非常に微細な結
晶粒から成り立っていることがわかる。次に、酸素量を
変えて作製したＣｏ−Ａｌ−Ｏ膜の電子顕微鏡による微
細構造と形態との結果を図３に示す。Ｏを含まない膜で
は粒界は殆ど見られないが、図から明らかなように、酸
素量の増加と共に膜は微細化し、４％のＭＲ比を示す組
成の膜は粒径が５０Ａ前後のグラニュールと、厚さが約
５Ａの粒界からなるネットワーク状の組織（グラニュラ
ー構造）からなっていることを見いだした。図から明ら
かなように、粒界がかなりしっかりしていることから、
グラニュールは磁気的にかなり孤立していることが考え
られる。すなわち、超常磁性粒子が多数膜中に存在して
いることを示唆している。さらに酸素が多い膜ではグラ
ニュールの粒径は２０〜３０Ａとさらに小さくなり、膜
は非磁性高電気比抵抗物質となる。
より測定した構造の結果を図２に示す。２Θが４５度付
近にｆｃｃ−Ｃｏの（１１０）面に対応すると思われる
ブロードな回折ピークが観察され、膜は非常に微細な結
晶粒から成り立っていることがわかる。次に、酸素量を
変えて作製したＣｏ−Ａｌ−Ｏ膜の電子顕微鏡による微
細構造と形態との結果を図３に示す。Ｏを含まない膜で
は粒界は殆ど見られないが、図から明らかなように、酸
素量の増加と共に膜は微細化し、４％のＭＲ比を示す組
成の膜は粒径が５０Ａ前後のグラニュールと、厚さが約
５Ａの粒界からなるネットワーク状の組織（グラニュラ
ー構造）からなっていることを見いだした。図から明ら
かなように、粒界がかなりしっかりしていることから、
グラニュールは磁気的にかなり孤立していることが考え
られる。すなわち、超常磁性粒子が多数膜中に存在して
いることを示唆している。さらに酸素が多い膜ではグラ
ニュールの粒径は２０〜３０Ａとさらに小さくなり、膜
は非磁性高電気比抵抗物質となる。
【００２４】次に試料振動型磁化測定装置により４％の
ＭＲ比を示した試料の直流磁気特性（Ｂ−Ｈ曲線）を測
定した結果を図４に示す。得られたＢ−Ｈ曲線から、大
きなＭＲ比を示す膜は５Ｏｅ以下の小さなＨｃを示すと
共に、その磁化は５ｋＯｅの磁場でもまだ飽和しない。
このことからも、膜は磁気的に孤立している超常磁性粒
子と磁気的相互作用により軟磁性を示す強磁性粒子群と
が共存していることが明らかである。図５および図６に
は、スパッタ圧力が５ｍＴｏｒｒおよびスパッタ電力が
２００Ｗ一定の条件で成膜した場合の、電気比抵抗ρと
ＭＲ比（ΔρΔρ）をそれぞれ示した。
ＭＲ比を示した試料の直流磁気特性（Ｂ−Ｈ曲線）を測
定した結果を図４に示す。得られたＢ−Ｈ曲線から、大
きなＭＲ比を示す膜は５Ｏｅ以下の小さなＨｃを示すと
共に、その磁化は５ｋＯｅの磁場でもまだ飽和しない。
このことからも、膜は磁気的に孤立している超常磁性粒
子と磁気的相互作用により軟磁性を示す強磁性粒子群と
が共存していることが明らかである。図５および図６に
は、スパッタ圧力が５ｍＴｏｒｒおよびスパッタ電力が
２００Ｗ一定の条件で成膜した場合の、電気比抵抗ρと
ＭＲ比（ΔρΔρ）をそれぞれ示した。
【００２５】実施例２ 実施例１と同じ成膜条件で、組成がＣｏ７５Ａｌ２５の
ターゲットを用いて作製した膜の結果を示す。図７には
Ｃｏ７５Ａｌ２５−Ｏ系膜で最大のＭＲ比を示した、ス
パッタガス圧が３ｍＴｏｒｒ、酸素流量比１．４％の条
件下で作製した膜のＭＲ比の磁場依存性を示す。図１の
結果と同様に零磁場近傍でのＭＲ比の立ち上がりは既知
の組成系グラニュラー膜のそれと比較して急峻であると
ともに、ＭＲ比に異方性が見られない。しかもそのとき
のＭＲ比は室温で約８％の大きな値を得ることができ
る。
ターゲットを用いて作製した膜の結果を示す。図７には
Ｃｏ７５Ａｌ２５−Ｏ系膜で最大のＭＲ比を示した、ス
パッタガス圧が３ｍＴｏｒｒ、酸素流量比１．４％の条
件下で作製した膜のＭＲ比の磁場依存性を示す。図１の
結果と同様に零磁場近傍でのＭＲ比の立ち上がりは既知
の組成系グラニュラー膜のそれと比較して急峻であると
ともに、ＭＲ比に異方性が見られない。しかもそのとき
のＭＲ比は室温で約８％の大きな値を得ることができ
る。
【００２６】実施例３ 次に、図８はＭＲ比が８％を示した膜を無磁場中で熱処
理を施した場合の、熱処理温度とＢ−Ｈ曲線との関係を
示す。図から明らかなようにＢ−Ｈ曲線は２５０℃付近
からゼロ磁場付近での立ち上がりが急峻になる。しか
し、３００℃を越えると保磁力が大きくなる。一方、Ｍ
Ｒ比は温度と共に増大し、約３００℃で約１０％の値を
示したのち減少する。特筆すべきことはＭＲ比の磁場依
存性である。熱処理前の結果と比較すると、ＭＲ比の磁
場依存性は熱処理温度の増大と共に急峻になり、改善す
る。その一例として図９には３００℃で熱処理した結果
を示す。図８の熱処理なしの結果と比較すると明らかな
ように、最大ＭＲ比が大きくなると共に、低磁場でのＭ
Ｒ比の磁場依存性が大きく改善されることがわかる。な
お、ＭＲ比が小さくなる３００℃以上の温度でも、低磁
場でのＭＲ比の磁場依存性の改善は若干進行する。
理を施した場合の、熱処理温度とＢ−Ｈ曲線との関係を
示す。図から明らかなようにＢ−Ｈ曲線は２５０℃付近
からゼロ磁場付近での立ち上がりが急峻になる。しか
し、３００℃を越えると保磁力が大きくなる。一方、Ｍ
Ｒ比は温度と共に増大し、約３００℃で約１０％の値を
示したのち減少する。特筆すべきことはＭＲ比の磁場依
存性である。熱処理前の結果と比較すると、ＭＲ比の磁
場依存性は熱処理温度の増大と共に急峻になり、改善す
る。その一例として図９には３００℃で熱処理した結果
を示す。図８の熱処理なしの結果と比較すると明らかな
ように、最大ＭＲ比が大きくなると共に、低磁場でのＭ
Ｒ比の磁場依存性が大きく改善されることがわかる。な
お、ＭＲ比が小さくなる３００℃以上の温度でも、低磁
場でのＭＲ比の磁場依存性の改善は若干進行する。
【００２７】実施例４ ２元同時スパッタ成膜が可能な装置を用いて、実施例１
とほぼ同じ成膜条件で、膜厚および層数を変えて種々な
ＣｏＡｌＯ／ＡｌＮ多層膜を作製した。ＣｏＡｌＯ膜の
ためのターゲットの組成はＣｏ７５Ａｌ２５で、ＡｌＮ
膜のためのターゲットはＡｌＮ焼結体を用いた。なお、
ＡｌＮ膜はＡｒ＋Ｎ２混合ガス中で作製した。得られた
結果を表１に示す。
とほぼ同じ成膜条件で、膜厚および層数を変えて種々な
ＣｏＡｌＯ／ＡｌＮ多層膜を作製した。ＣｏＡｌＯ膜の
ためのターゲットの組成はＣｏ７５Ａｌ２５で、ＡｌＮ
膜のためのターゲットはＡｌＮ焼結体を用いた。なお、
ＡｌＮ膜はＡｒ＋Ｎ２混合ガス中で作製した。得られた
結果を表１に示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】表から明らかなように、多層膜化すること
によりＭＲ特性が改善されていることがわかる。なお、
走査電子顕微鏡観察の結果、大きなＭＲ特性を示した多
層膜はいずれもＡｌＮ膜により、膜厚方向で分断され、
ＣｏＡｌＯ粒子の成長がほとんど観察されなかった。
によりＭＲ特性が改善されていることがわかる。なお、
走査電子顕微鏡観察の結果、大きなＭＲ特性を示した多
層膜はいずれもＡｌＮ膜により、膜厚方向で分断され、
ＣｏＡｌＯ粒子の成長がほとんど観察されなかった。
【００３０】実施例５ 実施例１の同じ成膜条件で成膜する際に、基板温度を１
００〜３００℃に設定した結果を示す。図１０に示すよ
うに、基板温度の上昇と共にＭＲ値は大きくなり、２２
０〜２４０℃で最大値を示す。ＭＲ値の増加に対応して
ＭＲの磁場勾配も大きくなる。これらの変化は成膜後に
熱処理を施した実施例３の結果と類似しており、同様の
原因で向上しているものと思われる。
００〜３００℃に設定した結果を示す。図１０に示すよ
うに、基板温度の上昇と共にＭＲ値は大きくなり、２２
０〜２４０℃で最大値を示す。ＭＲ値の増加に対応して
ＭＲの磁場勾配も大きくなる。これらの変化は成膜後に
熱処理を施した実施例３の結果と類似しており、同様の
原因で向上しているものと思われる。
【００３１】本発明の磁性薄膜の特性は、同一ターゲッ
トでも成膜時のスパッタガス種の混合比、スパッタガス
圧の変化によっても大きく変えることが出来る。具体的
にはスパッタガス中に含まれるＯの比率により、軟磁気
特性、電気比抵抗、飽和磁化が変化する。このことを利
用して膜厚方向での組成の変調した構造を有する膜を容
易に得ることができる。すなわち、成膜中のスパッタガ
ス中のＯの比率を周期的に変化させることにより電気比
抵抗値の異なる膜が交互に積層した膜を得ることがで
き、磁気抵抗効果の磁場依存性が改善される。
トでも成膜時のスパッタガス種の混合比、スパッタガス
圧の変化によっても大きく変えることが出来る。具体的
にはスパッタガス中に含まれるＯの比率により、軟磁気
特性、電気比抵抗、飽和磁化が変化する。このことを利
用して膜厚方向での組成の変調した構造を有する膜を容
易に得ることができる。すなわち、成膜中のスパッタガ
ス中のＯの比率を周期的に変化させることにより電気比
抵抗値の異なる膜が交互に積層した膜を得ることがで
き、磁気抵抗効果の磁場依存性が改善される。
【００３２】本発明のＣｏ−Ａｌ−Ｏ磁性薄膜の組成
を、Ａｌの原子比率が１０％以上３０％以下で、Ｏの原
子比率が２０％以上５０％以下であって、ＡｌとＯの合
計の原子比率が３０％以上７０％以下と限定した。図面
から明らかなように、Ａｌの原子比率が１０％以下では
高い飽和磁化が得られるが、高い電気比抵抗値が得られ
ないため本発明の目的に適切ではない。一方、３０％を
越えた場合は、電気比抵抗値は高くなり過ぎ、且つ飽和
磁化が小さく、また保磁力も大きくなるために充分な磁
気抵抗効果を示しえず、本発明の目的に適さない。他
方、本実施例の磁性薄膜はＯを含む雰囲気中で成膜する
反応性スパッタ法により作製される。Ｏの原子比率は２
０％以上５０％以下でなければならない。２０％未満で
は電気比抵抗値を大きくする効果が小さく、且つ膜は垂
直磁気異方性を示す。逆に５０％を越えると飽和磁化が
小さくなりすぎ、且つ電気比抵抗値が大きすぎてしまう
ため適当でないからである。
を、Ａｌの原子比率が１０％以上３０％以下で、Ｏの原
子比率が２０％以上５０％以下であって、ＡｌとＯの合
計の原子比率が３０％以上７０％以下と限定した。図面
から明らかなように、Ａｌの原子比率が１０％以下では
高い飽和磁化が得られるが、高い電気比抵抗値が得られ
ないため本発明の目的に適切ではない。一方、３０％を
越えた場合は、電気比抵抗値は高くなり過ぎ、且つ飽和
磁化が小さく、また保磁力も大きくなるために充分な磁
気抵抗効果を示しえず、本発明の目的に適さない。他
方、本実施例の磁性薄膜はＯを含む雰囲気中で成膜する
反応性スパッタ法により作製される。Ｏの原子比率は２
０％以上５０％以下でなければならない。２０％未満で
は電気比抵抗値を大きくする効果が小さく、且つ膜は垂
直磁気異方性を示す。逆に５０％を越えると飽和磁化が
小さくなりすぎ、且つ電気比抵抗値が大きすぎてしまう
ため適当でないからである。
【００３３】上記のように本発明のＣｏ−Ａｌ−Ｏ磁性
薄膜およびその多層膜は、グラニュラー構造からなる組
織を形成して、高い電気比抵抗を示し、且つ室温で３％
以上の高い磁気抵抗効果を有するので、高密度磁気記録
用のＭＲヘッドとして、またサーボモーターやロータリ
ーエンコーダーの磁界センサーとして用いられるＭＲセ
ンサー等に好適である。
薄膜およびその多層膜は、グラニュラー構造からなる組
織を形成して、高い電気比抵抗を示し、且つ室温で３％
以上の高い磁気抵抗効果を有するので、高密度磁気記録
用のＭＲヘッドとして、またサーボモーターやロータリ
ーエンコーダーの磁界センサーとして用いられるＭＲセ
ンサー等に好適である。
【００３４】
【発明の効果】本発明の高電気比抵抗磁性薄膜は高い電
気比抵抗と大きな磁気抵抗効果を併せ持つ軟磁性薄膜
で、且つ磁気抵抗効果の磁場依存性の小さいことを特徴
とする。そのため、小さな電流変化も大きな電圧変化と
して取り出すことができ、且つ材料の障原が多少厚くと
も、大きな電圧出力を得ることができる。さらに、それ
らの特性はターゲット組成や成膜条件を変えることによ
って容易にコントロールすることができるため、高密度
磁気記録用ＭＲヘッドおよびＭＲセンサ等に好適であ
り、その工業的意義は大きい。
気比抵抗と大きな磁気抵抗効果を併せ持つ軟磁性薄膜
で、且つ磁気抵抗効果の磁場依存性の小さいことを特徴
とする。そのため、小さな電流変化も大きな電圧変化と
して取り出すことができ、且つ材料の障原が多少厚くと
も、大きな電圧出力を得ることができる。さらに、それ
らの特性はターゲット組成や成膜条件を変えることによ
って容易にコントロールすることができるため、高密度
磁気記録用ＭＲヘッドおよびＭＲセンサ等に好適であ
り、その工業的意義は大きい。
【図１】酸素量を変えて作製したＣｏ−Ａｌ−Ｏ合金膜
の電気比抵抗および磁気抵抗（ＭＲ）比と測定磁場との
関係を示す特性図である。
の電気比抵抗および磁気抵抗（ＭＲ）比と測定磁場との
関係を示す特性図である。
【図２】Ｃｏ５５Ａｌ１４Ｏ３１合金膜の結晶構造を示
すＸ線回折図である。
すＸ線回折図である。
【図３】酸素量を変えて作製したＣｏ−Ａｌ−Ｏ合金膜
の微細構造を示す透過電子顕微鏡の明視野像図である。
の微細構造を示す透過電子顕微鏡の明視野像図である。
【図４】Ｃｏ６２Ａｌ１６Ｏ２２合金膜の直流磁気（Ｂ
−Ｈ）特性を示す特性図である。
−Ｈ）特性を示す特性図である。
【図５】Ｃｏ−Ａｌ−Ｏ合金膜の電気比抵抗と組成との
関係を示す特性図である。
関係を示す特性図である。
【図６】Ｃｏ−Ａｌ−Ｏ合金膜の磁気抵抗（ＭＲ）比と
組成との関係を示す特性図である。
組成との関係を示す特性図である。
【図７】Ｃｏ４７Ａｌ１６Ｏ３７合金膜の電気比抵抗お
よび磁気抵抗（ＭＲ）比と測定磁場との関係を示す特性
図である。
よび磁気抵抗（ＭＲ）比と測定磁場との関係を示す特性
図である。
【図８】Ｃｏ６２Ａｌ１６Ｏ２２合金膜の熱処理温度を
変えた場合のＢ−Ｈ特性図である。
変えた場合のＢ−Ｈ特性図である。
【図９】Ｃｏ４７Ａｌ１６Ｏ３７合金膜を３００℃で熱
処理を施した場合の磁気抵抗（ＭＲ）比と測定磁場との
関係を示す特性図である。
処理を施した場合の磁気抵抗（ＭＲ）比と測定磁場との
関係を示す特性図である。
【図１０】基板温度を変化させて作製したＣｏ５４Ａｌ
１８Ｏ２８膜の磁気抵抗（ＭＲ）比と基板温度との関係
を示す特性図である。
１８Ｏ２８膜の磁気抵抗（ＭＲ）比と基板温度との関係
を示す特性図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き 特許法第30条第１項適用申請有り 日本応用磁気学会 誌、第19巻、第１号（平成７年２月１日）社団法人日本 応用磁気学会発行、第４−12頁に発表 (72)発明者 藤森 啓安 宮城県仙台市青葉区吉成２丁目20番３号 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01F 10/16
Claims (9)
- 【請求項１】 一般式Ｃｏ100-x-y Ａｌx Ｏy で表わさ
れ、その組成比ｘおよびｙは、原子比で１０＜ｘ＜３
０，２０＜ｙ＜５０で、且つ３０＜ｘ＋ｙ＜７０である
組成と少量の不純物からなり、室温で３％以上の磁気抵
抗効果を有することを特徴とする高電気比抵抗磁性薄
膜。 - 【請求項２】一般式Ｃｏ１００−ｘ−ｙＡｌｘＯｙで表
わされ、その組成比ｘおよびｙは、原子比で１０＜ｘ＜
３０，２０＜ｙ＜５０，且つ３０＜ｘ＋ｙ＜７０である
組成と少量の不純物からなる高電気比抵抗磁性薄膜と、
絶縁物あるいは非磁性物質からなる薄膜を交互に積層し
て作製された多層膜で、室温で３％以上の磁気抵抗効果
を有する高電気比抵抗磁性薄膜。 - 【請求項３】 電気比抵抗の大きさが１０4 以上１０8
μΩｃｍ以下の範囲であることを特徴とする、室温で３
％以上の磁気抵抗効果を有する請求項１または請求項２
に記載の高電気比抵抗磁性薄膜。 - 【請求項４】 膜の構造がグラニュラー構造になってお
り、膜中に超常磁性成分が存在していることを特徴とす
る、請求項１または請求項２に記載の高電気比抵抗磁性
薄膜。 - 【請求項５】 膜の保磁力が１０Ｏｅ以下で、且つ１ｋ
Ｏｅ以上の磁場でも飽和しない形状の磁化曲線を有する
ことを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の高
電気比抵抗磁性薄膜。 - 【請求項６】 磁性薄膜を磁場中もしくは無磁場中にお
いて、１００℃以上５００℃以下の温度で焼鈍したこと
を特徴とする、請求項１または請求項２に記載の高電気
比抵抗磁性薄膜。 - 【請求項７】 基板の温度を１００℃以上５００℃以下
の温度に設定して作製することを特徴とする、請求項１
または請求項２に記載の高電気比抵抗磁性薄膜。 - 【請求項８】一般式Ｃｏ１００−ｘ−ｙＡｌｘＯｙで表
わされ、その組成比ｘおよびｙは、原子で１０＜ｘ＜３
０，２０＜ｙ＜５０で、且つ３０＜ｘ＋ｙ＜７０である
組成と少量の不純物からなり、室温で３％以上の磁気抵
抗効果を有する高電気比抵抗磁性薄膜よりなる磁気記録
用ＭＲヘッド。 - 【請求項９】一般式Ｃｏ１００−ｘ−ｙＡｌｘＯｙで表
わされ、その組成比ｘおよびｙは、原子比で１０＜ｘ＜
３０，２０＜ｙ＜５０で、且つ３０＜ｘ＋ｙ＜７０であ
る組成と少量の不純物からなり、室温で３％以上の磁気
抵抗効果を有する高電気比抵抗磁性薄膜よりなるＭＲセ
ンサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07088565A JP3075332B2 (ja) | 1995-03-09 | 1995-03-09 | 高電気比抵抗磁性薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07088565A JP3075332B2 (ja) | 1995-03-09 | 1995-03-09 | 高電気比抵抗磁性薄膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08250330A JPH08250330A (ja) | 1996-09-27 |
| JP3075332B2 true JP3075332B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=13946394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07088565A Expired - Fee Related JP3075332B2 (ja) | 1995-03-09 | 1995-03-09 | 高電気比抵抗磁性薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3075332B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100348920B1 (ko) * | 1998-09-03 | 2002-08-14 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 자성막과 그 제조 방법 |
| JP5162339B2 (ja) * | 2008-06-09 | 2013-03-13 | アルプス電気株式会社 | 磁性基体及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-03-09 JP JP07088565A patent/JP3075332B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH08250330A (ja) | 1996-09-27 |
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