JP2014195059A - 電子装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電子装置10の配線基板11には、電源回路部31の半導体装置31a及びチップ部品31b、制御回路部32の半導体装置32a及びチップ部品32b、高周波回路部33の半導体装置33a及びチップ部品33bが実装されている。配線基板11の表面、半導体装置31a〜33aの表面、チップ部品31b〜33bの表面は磁性膜13aにより覆われている。磁性膜13aは、2つの磁性薄膜41a,42aを含む。磁性薄膜41a(Ni−Znフェライト膜)の組成は、制御回路部32,高周波回路部33に応じて設定されている。磁性薄膜42a(Mn−Znフェライト膜)の組成は、電源回路部31,高周波回路部33に応じて設定されている。
【選択図】図2
Description
なお、添付図面は、部分的に拡大して示している場合があり、寸法,比率などは実際と異なる場合がある。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部のハッチングを省略している。
図1(a)に示すように、電子装置10の配線基板11の一主面11aには、複数の電子部品12a〜12fが実装されている。電子部品12a〜12eは、配線基板11のパッド(図示略)に接続されている。電子部品12a〜12cは例えば半導体集積回路(LSI)である。電子部品12d.12eは抵抗,コンデンサ,コイル等である。電子部品12fは例えば無線通信等に用いられるアンテナである。この電子部品12fは、例えば配線基板11の一主面11a上の配線パターンである。
次に、電子装置の一例を説明する。なお、以下の説明において、図1に示す部材の一部について同じ符号を用いて説明する。
μ=μ’−jμ”
で表される。虚数成分μ”は、電磁波の吸収に必要な磁気損失項である。磁性材は、共鳴周波数に応じた周波数帯域の電磁波を磁気損失特性により熱エネルギーに変換する。フェライトの共鳴周波数は、フェライトの組成に対応する。従って、フェライトの組成を適宜変更することにより、共鳴周波数を所望の値に設定することができる。そして、その組成のフェライトを用いることにより、共鳴周波数に応じた周波数帯域において、フェライトを透過する電磁波の強度を低減することが可能となる。
本実施形態において、制御回路部32は、上記したように、CPU等のロジック回路を含む。これらの回路は、動作クロック信号に応じた周波数で回路に含むトランジスタをスイッチングする。このため、動作に応じて高周波ノイズを放射する。磁性薄膜41a,41bの組成は、この制御回路部32から放射されるノイズの周波数に応じて設定されている。従って、磁性薄膜41a,41bは、制御回路部32から外部へ放射される高周波ノイズの量を低減する。また、磁性薄膜41a,41bは、外部から制御回路部32の信号に混入する高周波の電磁波の量を低減する。
(1−1)電子装置10の配線基板11には、電源回路部31の半導体装置31a及びチップ部品31b、制御回路部32の半導体装置32a及びチップ部品32bが実装されている。配線基板11の表面、半導体装置31a,32aの表面、チップ部品31b,32bの表面は磁性膜13aにより覆われている。磁性膜13aは、2つの磁性薄膜41a,41bを含む。磁性薄膜41a(Ni−Znフェライト膜)の組成は、制御回路部32,高周波回路部33に応じて設定されている。磁性薄膜42a(Mn−Znフェライト膜)の組成は、電源回路部31,高周波回路部33に応じて設定されている。磁性薄膜41aは、制御回路部32に応じた周波数の電磁波を低減する。磁性薄膜42aは、電源回路部31に応じた周波数の電磁波を低減する。そして、磁性薄膜41a,42aは、それぞれの組成に応じた周波数帯の電磁波の透過を抑制する。従って、各磁性薄膜41a,42aを含む磁性膜13aは、電源回路部31と制御回路部32により生じ周波数帯域が異なる電磁波の放射を抑制することができる。
上記形態は、以下のように変更されてもよい。
・図4に示すように、電子装置50の磁性膜51aは、磁性薄膜41a,42aと絶縁膜52aを含む。磁性薄膜41a、絶縁膜52a、磁性薄膜42aは、配線基板11の第1の主面(各回路部31〜33の電子部品を実装した面)及び電子部品(半導体装置31a〜33a及びチップ部品31b〜33b)の表面からこの順番で形成されている。
絶縁膜52a,52bは、例えば密着性のよいエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂である。なお、絶縁膜52a,52bとしてポリイミド系樹脂などの樹脂を用いることができる。また、絶縁膜52a,52bの材料としては、例えば粘着性を有するB−ステージ状態(半硬化状態)のシート状の絶縁性樹脂(例えば、NCF(Non Conductive Film))やペースト状の絶縁性樹脂(例えば、NCP(Non Conductive Paste))を用いることができる。なお、絶縁膜52a,52bの材料を互いに異なるものとしてもよい。
絶縁膜62a,62bは、例えば、密着性のよいエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂である。なお、絶縁膜62a,62bとしてポリイミド系樹脂などの樹脂を用いることができる。また、絶縁膜62a,62bの材料としては、例えば粘着性を有するB−ステージ状態(半硬化状態)のシート状の絶縁性樹脂(例えば、NCF)やペースト状の絶縁性樹脂(例えば、NCP)を用いることができる。なお、絶縁膜62a,62bの材料を互いに異なるものとしてもよい。
図6に示すように、電子装置10は、複数(図6において3つ)の半導体パッケージ100,200,300を有している。半導体パッケージ100は、はんだボール71を介して半導体パッケージ200に接続され、半導体パッケージ200は、はんだボール72を介して半導体パッケージ300に接続されている。はんだボール71,72は接続部材の一例である。はんだボール71,72は、例えば金属コアはんだボールであり、この金属は例えば銅である。なお、はんだボール71,72を、樹脂コアを含むもの、又はコアを含まないものとしてもよい。
電子装置70に含まれる半導体パッケージ100〜300は、配線基板110,210,310の表面、半導体装置131,231,232,332を覆う磁性膜150,250,350を有している。磁性膜150,250,350は、制御回路部、高周波回路部、電源回路部に応じて、複素透磁率の虚数成分μ”の周波数帯域が設定された磁性薄膜151,152,251,252,351,352を含む。従って、制御回路部(半導体装置131)と高周波回路部(半導体装置131)において発生する高周波ノイズの外部への放射量が低減する。また、電源回路部(半導体装置131)において発生する低周波ノイズの外部への放射量が低減する。また、外部から各回路部へ進入する電磁ノイズが低減する。
(2−1)半導体パッケージ100〜300は、配線基板110,210,310の表面、半導体装置131,231,232,332を覆う磁性膜150,250,350を有している。磁性膜150,250,350は、制御回路部、高周波回路部、電源回路部に応じて、複素透磁率の虚数成分μ”の周波数帯域が設定された磁性薄膜151,152,251,252,351,352を含む。従って、制御回路部(半導体装置131)と高周波回路部(半導体装置131)において発生する高周波ノイズの外部への放射を抑制することができる。また、電源回路部(半導体装置131)において発生する低周波ノイズの外部への放射を抑制することができる。また、外部から各回路部へ進入する電磁ノイズを抑制することができる。
上記形態は、以下のように変更されてもよい。
・図7に示すように、電子装置80は半導体パッケージ100a,200a,300aを有している。半導体パッケージ100aの磁性膜150aは、磁性薄膜151,152と絶縁膜153とを含む。絶縁膜153、磁性薄膜152,151は、配線基板110の表面からこの順番で形成されている。同様に、半導体パッケージ200aの磁性膜250aは、磁性薄膜251,252と絶縁膜253とを含み、半導体パッケージ300aの磁性膜350aは、磁性薄膜351,352と絶縁膜353とを含む。このように、配線基板110〜310等を絶縁膜150a〜350aにより覆うことにより、磁性薄膜151,152〜351,352の特性による制限を無くし、工程の自由度を高くすることができる。
・各形態において、磁性膜に含まれる磁性薄膜の数を3つ以上適宜変更してもよい。
・各形態において、第1の主面側(例えば、図2において上面側)の磁性膜に含まれる膜の数と、第2の主面側(例えば図2において下面側)の磁性膜に含まれる膜の数を互いに異なるようにしてもよい。例えば、図2において、上面側の磁性膜を、3つ以上の磁性薄膜を含むもの、2つの磁性膜と1つの絶縁膜を含むもの、2つの磁性膜と2つの絶縁膜を含むものの何れかとしてもよい。
11 配線基板
31 電源回路部
32 制御回路部
33 高周波回路部
31a〜33a 半導体装置
31b〜33b チップ部品
41a,41b 磁性薄膜
42a,42b 磁性薄膜
52a,62a 絶縁膜
70,80 電子装置
71,72 はんだボール
100,200,300 半導体パッケージ
110,210,310 配線基板
131,231,232,232 半導体装置
μ 複素透磁率
Claims (10)
- 電子部品が実装された配線基板と、
前記配線基板及び前記電子部品を覆う複数の磁性薄膜と、
を有し、
前記複数の磁性薄膜は、前記電子部品に応じて互いに異なる組成であること、
を特徴とする電子装置。 - 前記複数の磁性薄膜は、前記配線基板及び前記電子部品を覆う絶縁膜上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の電子装置。
- 前記複数の磁性薄膜同士は、絶縁膜を介して積層されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子装置。
- 前記複数の磁性薄膜は、前記配線基板及び前記電子部品を被覆する第1の磁性薄膜と、前記第1の磁性薄膜を被覆する第2の磁性薄膜とを含み、
前記第1の磁性薄膜の抵抗率は、前記第2の磁性薄膜の抵抗率よりも大きいこと、
を特徴とする請求項1に記載の電子装置。 - 前記複数の磁性薄膜の組成は、前記複数の磁性薄膜の複素透磁率の虚数成分の周波数特性を前記電子部品に応じた値とするように設定されること、
を特徴とする請求項1〜4のうちの何れか一項に記載の電子装置。 - 前記複数の磁性薄膜の組成は、前記複数の磁性薄膜の複素透磁率の実数成分の共鳴周波数を前記電子部品に応じた値とするように設定され、前記複数の磁性薄膜の複素透磁率の虚数成分の周波数帯域は前記共鳴周波数に対応すること、
を特徴とする請求項1〜5のうちの何れか一項に記載の電子装置。 - 前記複数の磁性薄膜の組成は、前記電子部品を含む複数の回路部それぞれの動作に基づく周波数に応じて設定されること、
を特徴とする請求項1〜6のうちの何れか一項に記載の電子装置。 - 接続部材を介して互いに積層され、前記接続部材を介して電気的に接続され、それぞれに電子部品が実装された複数の配線基板と、
前記複数の配線基板及び前記配線基板に実装された電子部品を覆う複数の磁性薄膜と、
を有し、
前記複数の磁性薄膜は、前記電子部品に応じて互いに異なる組成であること、
を特徴とする電子装置。 - 配線基板と、
前記配線基板に実装され、第1の周波数帯の電磁波を発生する第1の電子部品と、
前記配線基板に実装され、第2の周波数帯の電磁波を発生する第2の電子部品と、
前記配線基板と前記第1及び前記第2の電子部品を覆う第1の磁性薄膜と、
前記第1の磁性薄膜を覆う第2の磁性薄膜と、
を有し、
前記第1の磁性薄膜は、前記第1の周波数帯に応じた組成を有し、
前記第2の磁性薄膜は、前記第2の周波数帯に応じた組成を有すること、
を特徴とする電子装置。 - 前記配線基板に実装され、電磁波を受信又は送信するための第3の電子部品を有し、
前記第1の磁性薄膜及び前記第2の磁性薄膜のうちの少なくとも一方の磁性薄膜は前記第3の電子部品を覆わないよう形成されること、
を特徴とする請求項9に記載の電子装置。
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