JP2014195059A5 - - Google Patents

Description

本発明の一観点によれば、複数の電子部品が実装された配線基板と、前記配線基板及び前記複数の電子部品を連続的に覆う磁性膜と、を有し、前記複数の磁性薄膜は、前記複数の電子部品に応じて互いに異なる組成であり、前記複数の磁性薄膜の組成は、前記複数の電子部品が発生する電磁波の周波数帯に応じて設定される。

１０，５０，６０ 電子装置
１１ 配線基板
３１ 電源回路部
３２ 制御回路部
３３ 高周波回路部
３１ａ〜３３ａ 半導体装置
３１ｂ〜３３ｂ チップ部品
４１ａ，４１ｂ 磁性薄膜
４２ａ，４２ｂ 磁性薄膜
５２ａ，６２ａ 絶縁膜
７０，８０ 電子装置
７１，７２ はんだボール
１００，２００，３００ 半導体パッケージ
１１０，２１０，３１０ 配線基板
１３１，２３１，２３２，３３２ 半導体装置
μ 複素透磁率

Claims (10)

1. 複数の電子部品が実装された配線基板と、
   前記配線基板及び前記複数の電子部品を連続的に覆う磁性膜と、
   を有し、
   前記磁性膜は、積層された複数の磁性薄膜からなり、
   前記複数の磁性薄膜は、前記複数の電子部品に応じて互いに異なる組成であり、
   前記複数の磁性薄膜の組成は、前記複数の電子部品が発生する電磁波の周波数帯に応じて設定されること、
   を特徴とする電子装置。
2. 前記複数の磁性薄膜は、前記配線基板及び前記複数の電子部品を覆う絶縁膜上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
3. 前記複数の磁性薄膜同士は、絶縁膜を介して積層されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子装置。
4. 前記複数の磁性薄膜は、前記配線基板及び前記複数の電子部品を被覆する第１の磁性薄膜と、前記第１の磁性薄膜を被覆する第２の磁性薄膜とを含み、
   前記第１の磁性薄膜の抵抗率は、前記第２の磁性薄膜の抵抗率よりも大きいこと、
   を特徴とする請求項１に記載の電子装置。
5. 前記複数の磁性薄膜の組成は、前記複数の磁性薄膜の複素透磁率の虚数成分の周波数特性を前記複数の電子部品に応じた値とするように設定されること、
   を特徴とする請求項１〜４のうちの何れか一項に記載の電子装置。
6. 前記複数の磁性薄膜の組成は、前記複数の磁性薄膜の複素透磁率の実数成分の共鳴周波数を前記複数の電子部品に応じた値とするように設定され、前記複数の磁性薄膜の複素透磁率の虚数成分の周波数帯域は前記共鳴周波数に対応すること、
   を特徴とする請求項１〜５のうちの何れか一項に記載の電子装置。
7. 前記複数の磁性薄膜の組成は、前記複数の電子部品を含む複数の回路部それぞれの動作に基づく周波数に応じて設定されること、
   を特徴とする請求項１〜６のうちの何れか一項に記載の電子装置。
8. 接続部材を介して互いに積層され、前記接続部材を介して電気的に接続され、それぞれに複数の電子部品が実装された複数の配線基板と、
   前記複数の配線基板及び前記配線基板に実装された前記複数の電子部品を連続的にそれぞれ覆う複数の磁性膜と、を有し、
   前記複数の磁性膜はそれぞれ積層された複数の磁性薄膜からなり、
   前記複数の磁性薄膜は、前記各磁性膜が覆う前記複数の電子部品に応じて互いに異なる組成であり、
   前記複数の磁性薄膜の組成は、前記各磁性膜が覆う前記複数の電子部品が発生する電磁波の周波数帯に応じて設定されること、
   を特徴とする電子装置。
9. 配線基板と、
   前記配線基板に実装され、第１の周波数帯の電磁波を発生する第１の電子部品と、
   前記配線基板に実装され、第２の周波数帯の電磁波を発生する第２の電子部品と、
   前記配線基板と前記第１及び前記第２の電子部品を覆う第１の磁性薄膜と、
   前記第１の磁性薄膜を覆う第２の磁性薄膜と、
   を有し、
   前記第１の磁性薄膜は、前記第１の周波数帯に応じた組成を有し、
   前記第２の磁性薄膜は、前記第２の周波数帯に応じた組成を有すること、
   を特徴とする電子装置。
10. 前記配線基板に実装され、電磁波を受信又は送信するための第３の電子部品を有し、
    前記第１の磁性薄膜及び前記第２の磁性薄膜のうちの少なくとも一方の磁性薄膜は前記第３の電子部品を覆わないよう形成されること、
    を特徴とする請求項９に記載の電子装置。