JP2002151916A - 電磁雑音抑制体およびそれを用いた電磁雑音の抑制方法 - Google Patents
電磁雑音抑制体およびそれを用いた電磁雑音の抑制方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子内部のような微小電子回路におい
て、優れた磁気損失特性を有する導電性の磁性薄膜を用
いながらも、反射のない電磁雑音抑制を実現できる電磁
雑音抑制体とそれを用いた電磁雑音抑制方法を提供する
こと。 【解決手段】 マイクロストリップ線路ないしそれに類
する信号伝送線路の直上配置される導電性の軟磁性薄膜
からなり、伝導性の電磁雑音を抑制する電磁雑音抑制体
であって、前記導電性の軟磁性薄膜は前記マイクロスト
リップ線路ないしそれに類する信号伝送線路の線路幅と
略同等乃至それよりも狭幅な形状である。
て、優れた磁気損失特性を有する導電性の磁性薄膜を用
いながらも、反射のない電磁雑音抑制を実現できる電磁
雑音抑制体とそれを用いた電磁雑音抑制方法を提供する
こと。 【解決手段】 マイクロストリップ線路ないしそれに類
する信号伝送線路の直上配置される導電性の軟磁性薄膜
からなり、伝導性の電磁雑音を抑制する電磁雑音抑制体
であって、前記導電性の軟磁性薄膜は前記マイクロスト
リップ線路ないしそれに類する信号伝送線路の線路幅と
略同等乃至それよりも狭幅な形状である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，高周波電磁雑音の
抑制方法に関し，詳しくは，高速動作する能動素子ある
いは高周波電子部品および電子機器において問題となる
電磁雑音の抑制に有効である軟磁性薄膜を用いた高周波
電磁雑音抑制体とそれを用いた電磁雑音の抑制方法に関
する。
抑制方法に関し，詳しくは，高速動作する能動素子ある
いは高周波電子部品および電子機器において問題となる
電磁雑音の抑制に有効である軟磁性薄膜を用いた高周波
電磁雑音抑制体とそれを用いた電磁雑音の抑制方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高速動作する高集積な半導体素子
の普及が著しい。その例として，ランダムアクセスメモ
リ（ＲＡＭ），リードオンリーメモリ（ＲＯＭ），マイ
クロプロセッサ（ＭＰＵ），中央演算処理装置（ＣＰ
Ｕ）又は画像ブロセッサ算術論理演算装置（ＩＰＡＬ
Ｕ）等の論理回路素子がある。これらの能動素子におい
ては，演算速度や信号処理速度が日進月歩の勢いで高速
化されており、高速電子回路を伝播する電気信号は、電
圧，電流の急激な変化を伴うために，誘導性の高周波電
磁雑音の主要因となっている。
の普及が著しい。その例として，ランダムアクセスメモ
リ（ＲＡＭ），リードオンリーメモリ（ＲＯＭ），マイ
クロプロセッサ（ＭＰＵ），中央演算処理装置（ＣＰ
Ｕ）又は画像ブロセッサ算術論理演算装置（ＩＰＡＬ
Ｕ）等の論理回路素子がある。これらの能動素子におい
ては，演算速度や信号処理速度が日進月歩の勢いで高速
化されており、高速電子回路を伝播する電気信号は、電
圧，電流の急激な変化を伴うために，誘導性の高周波電
磁雑音の主要因となっている。
【０００３】一方，電子部品や電予機器の軽量化，薄型
化，小型化の流れも止まる事を知らぬが如く急速な勢い
で進行している。それに伴い，半導体素子の集積度や、
プリント配緑基板への電子部品実装密度の高密度化が著
しい。
化，小型化の流れも止まる事を知らぬが如く急速な勢い
で進行している。それに伴い，半導体素子の集積度や、
プリント配緑基板への電子部品実装密度の高密度化が著
しい。
【０００４】従って、過密に集積あるいは実装された電
子素子や信号線が、互いに極めて接近することになり，
前述した信号処理速度の高速化と併わせて、高周波の不
要輻射が誘発され易い状況となつている。このような近
年の電子集積素子あるいは配線基板においては、能動素
子への電源供給ライン等からの電磁雑音流入の問題が指
摘され、電源ラインにデカップリングコンデンサ等の集
中定数部品を挿入する等の対策がなされている。
子素子や信号線が、互いに極めて接近することになり，
前述した信号処理速度の高速化と併わせて、高周波の不
要輻射が誘発され易い状況となつている。このような近
年の電子集積素子あるいは配線基板においては、能動素
子への電源供給ライン等からの電磁雑音流入の問題が指
摘され、電源ラインにデカップリングコンデンサ等の集
中定数部品を挿入する等の対策がなされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、高速化
された電子集積素子あるいは配線基板においては、発生
する電磁雑音が高調波成分を含むために、信号の経路が
分布定数的な振る舞いをするようになり、従来の集中定
数回路を前提にした電磁雑音対策が効を発しない状況が
生じていた。そこで、このような高速動作する半導体素
子や電子回路などの電磁雑音対策に有効な電磁雑音抑制
体とそれを用いた電磁雑音抑制方法との開発が要求され
ていた。より詳しくは、より小さな体積で効果的に電磁
雑音対策を行う方法の開発が要求されていた。
された電子集積素子あるいは配線基板においては、発生
する電磁雑音が高調波成分を含むために、信号の経路が
分布定数的な振る舞いをするようになり、従来の集中定
数回路を前提にした電磁雑音対策が効を発しない状況が
生じていた。そこで、このような高速動作する半導体素
子や電子回路などの電磁雑音対策に有効な電磁雑音抑制
体とそれを用いた電磁雑音抑制方法との開発が要求され
ていた。より詳しくは、より小さな体積で効果的に電磁
雑音対策を行う方法の開発が要求されていた。
【０００６】そこで、本発明者らは、以前に高周波での
磁気損失の大きな複合磁性体を発明し、これを電磁雑音
源あるいはその伝送線路の近傍に配置する事で、上記し
た半導体素子や電子回路などから発生する電磁雑音を効
果的に抑制する方法を見出している。
磁気損失の大きな複合磁性体を発明し、これを電磁雑音
源あるいはその伝送線路の近傍に配置する事で、上記し
た半導体素子や電子回路などから発生する電磁雑音を効
果的に抑制する方法を見出している。
【０００７】この様な磁気損失を利用した電磁雑音抑制
の作用機構については、最近の研究から、電磁雑音源あ
るいはその伝送線路となっている電子回路に対して等価
的な抵抗成分が付与される為であることが分かってい
る。ここで、等価的な抵抗成分の大きさは、磁性体の磁
気損失項μ″の大きさに依存している。より詳しくは、
電子回路に等価的に挿入される抵抗成分の大きさは、磁
性体の面積が一定の場合いにはμ″と磁性体の厚さに略
比例する。
の作用機構については、最近の研究から、電磁雑音源あ
るいはその伝送線路となっている電子回路に対して等価
的な抵抗成分が付与される為であることが分かってい
る。ここで、等価的な抵抗成分の大きさは、磁性体の磁
気損失項μ″の大きさに依存している。より詳しくは、
電子回路に等価的に挿入される抵抗成分の大きさは、磁
性体の面積が一定の場合いにはμ″と磁性体の厚さに略
比例する。
【０００８】したがって、より小さなあるいはより薄い
磁性体で所望の電磁雑音抑制効果を得るためには、より
大きなμ″が必要になつてくる。例えば、半導体素子の
モールド内部のような微小領域において磁気損失体を用
いた電磁雑音対策を行う為には、磁気損失項μ″が極め
て大きな値である必要があり、従来の磁気損失材料に比
べて格段に大きなμ″を有する磁性体が求められてい
た。
磁性体で所望の電磁雑音抑制効果を得るためには、より
大きなμ″が必要になつてくる。例えば、半導体素子の
モールド内部のような微小領域において磁気損失体を用
いた電磁雑音対策を行う為には、磁気損失項μ″が極め
て大きな値である必要があり、従来の磁気損失材料に比
べて格段に大きなμ″を有する磁性体が求められてい
た。
【０００９】このような要求を実現するための方策とし
て、本発明者らは、以前にスパッタ法あるいは蒸着法に
よる軟磁性体の研究過程において、微小な磁性金属粒子
が、セラミックスのような非磁性体中に均質に分散され
たグラニュラー磁性体の優れた透磁率特性に着目し、磁
性金属粒子とそれを囲う非磁性体の微細構造を研究した
結果、グラニュラー磁性体中に占める磁性金属粒予の濃
度が特定の範囲にある場合に、高周波領域において優れ
た磁気損失特性が得られる事を見出し、その優れた電磁
雑音抑制効果を示した（詳しくは、特願２０００−５２
５０７、参照）。
て、本発明者らは、以前にスパッタ法あるいは蒸着法に
よる軟磁性体の研究過程において、微小な磁性金属粒子
が、セラミックスのような非磁性体中に均質に分散され
たグラニュラー磁性体の優れた透磁率特性に着目し、磁
性金属粒子とそれを囲う非磁性体の微細構造を研究した
結果、グラニュラー磁性体中に占める磁性金属粒予の濃
度が特定の範囲にある場合に、高周波領域において優れ
た磁気損失特性が得られる事を見出し、その優れた電磁
雑音抑制効果を示した（詳しくは、特願２０００−５２
５０７、参照）。
【００１０】すなわち、グラニュラー磁性体は、極めて
大きな磁気損失項μ″を有するために、電磁雑音の抑制
に必要な虚数部パーミアンス（磁気損失項μ″と磁性体
体積の積）を極薄い厚さで実現することが出来るため、
半導体素子内部のような微小な領域での電磁雑音対策に
利用することができる。
大きな磁気損失項μ″を有するために、電磁雑音の抑制
に必要な虚数部パーミアンス（磁気損失項μ″と磁性体
体積の積）を極薄い厚さで実現することが出来るため、
半導体素子内部のような微小な領域での電磁雑音対策に
利用することができる。
【００１１】ところが、グラニュラー磁性体は、電気抵
抗率がおおよそ１００００μΩｃｍ以下であって電気的
には導電体として作用するため、例えば、グラニュラー
磁性体をマイクロストリップ線路のような伝送線路の直
近に配設して、線路に流れる高周波の電磁雑音を抑制す
る場合において、電磁雑音は効果的に抑制されるもの
の、その抑制機構には、磁気損失による透過損失に加え
て、グラニュラー磁性体の導電性に由来すると考えられ
る現象により生じる反射損失が含まれる。
抗率がおおよそ１００００μΩｃｍ以下であって電気的
には導電体として作用するため、例えば、グラニュラー
磁性体をマイクロストリップ線路のような伝送線路の直
近に配設して、線路に流れる高周波の電磁雑音を抑制す
る場合において、電磁雑音は効果的に抑制されるもの
の、その抑制機構には、磁気損失による透過損失に加え
て、グラニュラー磁性体の導電性に由来すると考えられ
る現象により生じる反射損失が含まれる。
【００１２】従って、グラニュラー磁性体の配設による
電磁雑音の流出は効果的に抑制されるものの、電磁雑音
成分の一部が反射されて信号源に戻ってしまうことが起
こるので、信号源での二次障害が発生する場合があっ
た。
電磁雑音の流出は効果的に抑制されるものの、電磁雑音
成分の一部が反射されて信号源に戻ってしまうことが起
こるので、信号源での二次障害が発生する場合があっ
た。
【００１３】そこで、本発明は、かかる現状に鑑みてな
されたものであって、半導体素子内部のような微小電子
回路において、優れた磁気損失特性を有する導電性の磁
性薄膜を用いながらも、反射のない電磁雑音抑制を実現
できる電磁雑音抑制体とそれを用いた電磁雑音抑制方法
を提供することを技術的課題とする。
されたものであって、半導体素子内部のような微小電子
回路において、優れた磁気損失特性を有する導電性の磁
性薄膜を用いながらも、反射のない電磁雑音抑制を実現
できる電磁雑音抑制体とそれを用いた電磁雑音抑制方法
を提供することを技術的課題とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上述の反
射損失が磁性体の導電性に由来するスタブ効果によるも
のと考え、導電性の軟磁性薄膜を電磁雑音を含む電気信
号の伝送線路の幅と同程度ないしそれ以下の幅とするこ
とで、優れた磁気損失特性を維持しつつスタブ効果を抑
制し、電磁雑音の反射が抑制できることを見出し本発明
をなすに至った。
射損失が磁性体の導電性に由来するスタブ効果によるも
のと考え、導電性の軟磁性薄膜を電磁雑音を含む電気信
号の伝送線路の幅と同程度ないしそれ以下の幅とするこ
とで、優れた磁気損失特性を維持しつつスタブ効果を抑
制し、電磁雑音の反射が抑制できることを見出し本発明
をなすに至った。
【００１５】即ち、本発明によれば、マイクロストリッ
プ線路ないしそれに類する信号伝送線路の直上配置され
る導電性の軟磁性薄膜からなり、伝導性の電磁雑音を抑
制する電磁雑音抑制体であって、前記導電性の軟磁性薄
膜は前記マイクロストリップ線路ないしそれに類する信
号伝送線路の線路幅と略同等乃至それよりも狭幅な形状
であることを特徴とする電磁雑音抑制体が得られる。
プ線路ないしそれに類する信号伝送線路の直上配置され
る導電性の軟磁性薄膜からなり、伝導性の電磁雑音を抑
制する電磁雑音抑制体であって、前記導電性の軟磁性薄
膜は前記マイクロストリップ線路ないしそれに類する信
号伝送線路の線路幅と略同等乃至それよりも狭幅な形状
であることを特徴とする電磁雑音抑制体が得られる。
【００１６】また、本発明によれば、前記電磁雑音抑制
体において、磁化困難軸方向が、前記マイクロストリッ
プ線路ないしそれに類する信号伝送線路の幅方向に対し
て略平行となるように配置されていることを特徴とする
電磁雑音抑制体が得られる。
体において、磁化困難軸方向が、前記マイクロストリッ
プ線路ないしそれに類する信号伝送線路の幅方向に対し
て略平行となるように配置されていることを特徴とする
電磁雑音抑制体が得られる。
【００１７】また、本発明によれば、前記いずれかの電
磁雑音抑制体において、前記マイクロストリップ線路な
いしそれに類する信号伝送線路の線路幅と略同等乃至そ
れよりも狭幅な形状の前記軟磁性薄膜の幅方向のアスペ
クト比（即ち、軟磁性薄膜の幅方向の長さを厚さで除し
た比率）が１０以上であることを特徴とする電磁雑音抑
制体が得られる。
磁雑音抑制体において、前記マイクロストリップ線路な
いしそれに類する信号伝送線路の線路幅と略同等乃至そ
れよりも狭幅な形状の前記軟磁性薄膜の幅方向のアスペ
クト比（即ち、軟磁性薄膜の幅方向の長さを厚さで除し
た比率）が１０以上であることを特徴とする電磁雑音抑
制体が得られる。
【００１８】また、本発明によれば、前記いずれか一つ
の電磁雑音抑制体において、前記軟磁性薄膜は、Ｍ（Ｍ
は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのいずれか、もしくはそれらの混
在物）−Ｘ（Ｘは、ＭおよびＹ以外の元素、もしくはそ
れらの泪在物）−Ｙ（Ｙは、Ｆ，Ｎ，Ｏのいずれか、も
しくはそれらの混在物）組成からなりグラニュラー構造
を有することを特徴とする電磁雑音抑制体が得られる。
の電磁雑音抑制体において、前記軟磁性薄膜は、Ｍ（Ｍ
は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのいずれか、もしくはそれらの混
在物）−Ｘ（Ｘは、ＭおよびＹ以外の元素、もしくはそ
れらの泪在物）−Ｙ（Ｙは、Ｆ，Ｎ，Ｏのいずれか、も
しくはそれらの混在物）組成からなりグラニュラー構造
を有することを特徴とする電磁雑音抑制体が得られる。
【００１９】また、本発明によれば、マイクロストリッ
プ線路ないしそれに類する信号伝送線路の直上に導電性
の軟磁性薄膜からなる電磁雑音抑制体を配設して、伝導
性の電磁雑音を抑制する伝導性雑音の抑制方法であっ
て、前記導電性の軟磁性薄膜は前記マイクロストリップ
線路ないしそれに類する信丹伝送線路の線路幅と略同等
乃至それよりも狭幅な形状であることを特徴とする電磁
雑音の抑制方法が得られる。
プ線路ないしそれに類する信号伝送線路の直上に導電性
の軟磁性薄膜からなる電磁雑音抑制体を配設して、伝導
性の電磁雑音を抑制する伝導性雑音の抑制方法であっ
て、前記導電性の軟磁性薄膜は前記マイクロストリップ
線路ないしそれに類する信丹伝送線路の線路幅と略同等
乃至それよりも狭幅な形状であることを特徴とする電磁
雑音の抑制方法が得られる。
【００２０】また、本発明によれば、前記電磁雑音の抑
制方法において、前記電磁雑音抑制体の磁化困難軸方向
が、前記マイクロストリップ線路ないしそれに類する信
号伝送線路の幅方向に対して略平行となるように配置さ
れることを特徴とする電磁雑音の抑制方法が得られる。
制方法において、前記電磁雑音抑制体の磁化困難軸方向
が、前記マイクロストリップ線路ないしそれに類する信
号伝送線路の幅方向に対して略平行となるように配置さ
れることを特徴とする電磁雑音の抑制方法が得られる。
【００２１】また、本発明によれば、前記いずれかの電
磁雑音の抑制方法において、前記マイクロストリップ線
路ないしそれに類する信号伝送線路の線路幅と略同等乃
至それよりも狭幅な形状の前記軟磁性薄膜の幅方向のア
スペクト比（軟磁性薄膜の幅方向の長さを厚さで除した
比率）が１０以上であることを特徴とする電磁雑音の抑
制方法が得られる。
磁雑音の抑制方法において、前記マイクロストリップ線
路ないしそれに類する信号伝送線路の線路幅と略同等乃
至それよりも狭幅な形状の前記軟磁性薄膜の幅方向のア
スペクト比（軟磁性薄膜の幅方向の長さを厚さで除した
比率）が１０以上であることを特徴とする電磁雑音の抑
制方法が得られる。
【００２２】さらに、本発明によれば、前記いずれか一
つの電磁雑音の抑制方法において、前記軟磁性薄膜は、
Ｍ（Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのいずれか、もしくはそれ
らの混在物）−Ｘ（Ｘは、ＭおよびＹ以外の元素、もし
くはそれらの泪在物）−Ｙ（Ｙは、Ｆ，Ｎ，Ｏの内のい
ずれか、もしくはそれらの混在物）組成からなりグラニ
ュラー構造を有することを特徴とする電磁雑音の抑制方
法が得られる。
つの電磁雑音の抑制方法において、前記軟磁性薄膜は、
Ｍ（Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのいずれか、もしくはそれ
らの混在物）−Ｘ（Ｘは、ＭおよびＹ以外の元素、もし
くはそれらの泪在物）−Ｙ（Ｙは、Ｆ，Ｎ，Ｏの内のい
ずれか、もしくはそれらの混在物）組成からなりグラニ
ュラー構造を有することを特徴とする電磁雑音の抑制方
法が得られる。
【００２３】本発明の上記構成によれば、半導体素子内
部のような微小電子回路において、電磁雑音成分の反射
を生じさせることなく不要輻射の原因となる伝導電磁雑
音を抑制することが可能になる。
部のような微小電子回路において、電磁雑音成分の反射
を生じさせることなく不要輻射の原因となる伝導電磁雑
音を抑制することが可能になる。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００２５】はじめに，本発明において用いることので
きるＭ（Ｍは、Ｆｅ．Ｃｏ、Ｎｉのいずれか、もしくは
それらの混在物）−Ｘ（Ｘは、ＭおよびＹ以外の元索、
もしくはそれらの混在物）ーＹ（Ｙは、Ｆ，Ｎ，Ｏの内
のいずれか、もしくはそれらの混在物）組成からなるグ
ラニュラ一構造の導電性磁性薄膜の製造方法の一例につ
いて説明する。
きるＭ（Ｍは、Ｆｅ．Ｃｏ、Ｎｉのいずれか、もしくは
それらの混在物）−Ｘ（Ｘは、ＭおよびＹ以外の元索、
もしくはそれらの混在物）ーＹ（Ｙは、Ｆ，Ｎ，Ｏの内
のいずれか、もしくはそれらの混在物）組成からなるグ
ラニュラ一構造の導電性磁性薄膜の製造方法の一例につ
いて説明する。
【００２６】本発明の検証に用いるグラニュラー磁性薄
膜を、下記表１に示す条件にてスパッタ法でガラス基板
上に作製した。得られたスパッタ膜を３００℃にて２時
間真空磁場中熱処理を施し、電磁雑音評価用試料を得
た。
膜を、下記表１に示す条件にてスパッタ法でガラス基板
上に作製した。得られたスパッタ膜を３００℃にて２時
間真空磁場中熱処理を施し、電磁雑音評価用試料を得
た。
【００２７】得られた試料を蛍光Ｘ線分析分析したとこ
ろ膜の組成は、Ｆｅ７０Ａｌ１２Ｏ １８であった。
ろ膜の組成は、Ｆｅ７０Ａｌ１２Ｏ １８であった。
【００２８】また、本試料の直流抵抗は、３３０μΩ・
ｃｍ、Ｈｋは２１Ｏｅ（１．６６ｋＡ／ｍ）であり、Ｍ
ｓは１４３００Ｇａｕｓｓ（１．４３Ｔ）であった。本
試料の膜厚は、ＳＥＭによる断面観察の結果、２μｍで
あった。試料の磁気損失特性を検証するためにμ−ｆ特
性を調べた。
ｃｍ、Ｈｋは２１Ｏｅ（１．６６ｋＡ／ｍ）であり、Ｍ
ｓは１４３００Ｇａｕｓｓ（１．４３Ｔ）であった。本
試料の膜厚は、ＳＥＭによる断面観察の結果、２μｍで
あった。試料の磁気損失特性を検証するためにμ−ｆ特
性を調べた。
【００２９】μ−ｆ特性の測定は、短冊状に加工した検
出コイルに挿入して、バイアス磁場を印加しながらイン
ピーダンスを測定することにより行い、磁気損失項μ″
の周波数特性を得た。磁気損失項μ″は、周波数が９３
０ＭＨｚで最大値をとり、その値は９４５であった。こ
の試料から、下記表２に示す同一面積で形の異なる４種
類の矩形状試料を切り出し、図１に示すような試料１〜
４とした。尚、図１中の矢印は、各試料の磁化困難軸方
向を示している。
出コイルに挿入して、バイアス磁場を印加しながらイン
ピーダンスを測定することにより行い、磁気損失項μ″
の周波数特性を得た。磁気損失項μ″は、周波数が９３
０ＭＨｚで最大値をとり、その値は９４５であった。こ
の試料から、下記表２に示す同一面積で形の異なる４種
類の矩形状試料を切り出し、図１に示すような試料１〜
４とした。尚、図１中の矢印は、各試料の磁化困難軸方
向を示している。
【００３０】得られた検証用の試料１〜４の電磁雑音抑
制効果を、図２に示す伝導電磁雑音評価系を用いて調べ
た。図２を参照すると、伝導電磁雑音評価系は、裏面が
全面地導体である誘電体基板５上に形成されたマイクロ
ストリップ線路６の両端が同軸ケーブル８、９を介して
ネットワークアナライザ１０に接続されており、試料は
マイクロストリップ線路６上の符号７に示される部分に
配置される。ここで評価系に用いたマイクロストリップ
線路６の線路幅は３ｍｍであり、試料１は、マイクロス
トリップ線路に対して充分に広い幅となっている。一
方，試料２はマイクロストリップ線路６の幅と略同じ幅
であり、試料３はマイクロストリップ線路幅よりも狭い
幅である。
制効果を、図２に示す伝導電磁雑音評価系を用いて調べ
た。図２を参照すると、伝導電磁雑音評価系は、裏面が
全面地導体である誘電体基板５上に形成されたマイクロ
ストリップ線路６の両端が同軸ケーブル８、９を介して
ネットワークアナライザ１０に接続されており、試料は
マイクロストリップ線路６上の符号７に示される部分に
配置される。ここで評価系に用いたマイクロストリップ
線路６の線路幅は３ｍｍであり、試料１は、マイクロス
トリップ線路に対して充分に広い幅となっている。一
方，試料２はマイクロストリップ線路６の幅と略同じ幅
であり、試料３はマイクロストリップ線路幅よりも狭い
幅である。
【００３１】また、検証用の試料４は、マイクロストリ
ップ線路６の幅よりも狭い幅を有する３つの小片からな
るものである。試料１を除き、いずれの試料についても
マイクロストリップ線路からはみ出さぬ様に配置したと
共に、試料１〜４の全ての試料についてマイクロストリ
ップ線路の長さ方向に対して、試料の磁化困難軸が直交
するように配置した。ここで、試料のマイクロストリッ
プ線路６の幅方向のアスペクト比は、全ての試料におい
て１０以上となっている。また、スタブ効果を確認する
ための比較試料として、厚さが１８μｍで本発明の試料
１および試料２と各々同じ形状を有する銅箔（基材はガ
ラス板）を用意し、各々を比較用試料１および比較用試
料２とし、これらを本発明の試料と共に測定に供した。
電磁雑音抑制効果の測定結果を図３および図４に示す。
ここで、図３は試料を評価系に配設することによって生
じる反射特性（Ｓ１１）を示しており、図４は、同様に
伝送特性（Ｓ２１）を示している。
ップ線路６の幅よりも狭い幅を有する３つの小片からな
るものである。試料１を除き、いずれの試料についても
マイクロストリップ線路からはみ出さぬ様に配置したと
共に、試料１〜４の全ての試料についてマイクロストリ
ップ線路の長さ方向に対して、試料の磁化困難軸が直交
するように配置した。ここで、試料のマイクロストリッ
プ線路６の幅方向のアスペクト比は、全ての試料におい
て１０以上となっている。また、スタブ効果を確認する
ための比較試料として、厚さが１８μｍで本発明の試料
１および試料２と各々同じ形状を有する銅箔（基材はガ
ラス板）を用意し、各々を比較用試料１および比較用試
料２とし、これらを本発明の試料と共に測定に供した。
電磁雑音抑制効果の測定結果を図３および図４に示す。
ここで、図３は試料を評価系に配設することによって生
じる反射特性（Ｓ１１）を示しており、図４は、同様に
伝送特性（Ｓ２１）を示している。
【００３２】図３を参照すると、本発明の試料１と比較
試料１については、いずれも反射特性（Ｓ１１）が、Ｇ
Ｈｚ帯の領域で−１０ｄＢ以上となっており、試料をマ
イクロストリップ線路６の直上に配設したことで反射が
生じていることがわかる。
試料１については、いずれも反射特性（Ｓ１１）が、Ｇ
Ｈｚ帯の領域で−１０ｄＢ以上となっており、試料をマ
イクロストリップ線路６の直上に配設したことで反射が
生じていることがわかる。
【００３３】一方、マイクロストリップ線路６の幅と同
等ないしそれよりも狭幅な本発明の試料２、試料３と試
料４、および非磁性の比較用試料２については、ＧＨｚ
帯の領域においても無反射とみなせる−２０ｄＢ程度あ
るいはそれ以下の反射特性を示しており、軟磁性薄膜の
幅をマイクロストリップ線路と同等あるいはそれよりも
狭い幅とすることで、軟磁性薄膜の導電性に由来するス
タブ効果を抑止できていることがわかる。
等ないしそれよりも狭幅な本発明の試料２、試料３と試
料４、および非磁性の比較用試料２については、ＧＨｚ
帯の領域においても無反射とみなせる−２０ｄＢ程度あ
るいはそれ以下の反射特性を示しており、軟磁性薄膜の
幅をマイクロストリップ線路と同等あるいはそれよりも
狭い幅とすることで、軟磁性薄膜の導電性に由来するス
タブ効果を抑止できていることがわかる。
【００３４】図４を参照すると、非磁性の比較試料２で
は減衰がみられないが、マイクロストリップ線路の幅と
同等ないしそれよりも狭幅な試料２と試料３、マイクロ
ストリップ線路幅よりも狭幅の３つの小片からなる試料
４、および非磁性の比較用試料２については、磁気損失
によると思われるＧＨｚ帯での透過損夫が認められてお
り、本発明の効果である反射のない電磁雑音の抑制効果
を示していることが理解できる。
は減衰がみられないが、マイクロストリップ線路の幅と
同等ないしそれよりも狭幅な試料２と試料３、マイクロ
ストリップ線路幅よりも狭幅の３つの小片からなる試料
４、および非磁性の比較用試料２については、磁気損失
によると思われるＧＨｚ帯での透過損夫が認められてお
り、本発明の効果である反射のない電磁雑音の抑制効果
を示していることが理解できる。
【００３５】
【表１】
【００３６】
【表２】
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において用
いられるグラニュラー構造を有する軟磁性薄膜は、厚さ
が２μｍと極めて薄いものであり、本発明を用いること
で半導体集積素子内部のような微小な領域において、伝
導性の電磁雑音を反射なしで抑制することが可能にな
り、その工業的価値は極めて大きいと言える。
いられるグラニュラー構造を有する軟磁性薄膜は、厚さ
が２μｍと極めて薄いものであり、本発明を用いること
で半導体集積素子内部のような微小な領域において、伝
導性の電磁雑音を反射なしで抑制することが可能にな
り、その工業的価値は極めて大きいと言える。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態による電磁雑音抑制体の試
料の説明に供せられる図である。
料の説明に供せられる図である。
【図２】本発明の実施の形態による電磁雑音抑制体の伝
導電磁雑音評価系の概略構成を示す図である。
導電磁雑音評価系の概略構成を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態による電磁雑音抑制体の試
料の電磁雑音抑制効果を示す図であり、反射特性（Ｓ１
１）を示している。
料の電磁雑音抑制効果を示す図であり、反射特性（Ｓ１
１）を示している。
【図４】本発明の実施の形態による電磁雑音抑制体の試
料の電磁雑音抑制効果を示す図であり、伝送特性（Ｓ２
１）を示している。
料の電磁雑音抑制効果を示す図であり、伝送特性（Ｓ２
１）を示している。
５ 誘電体基板 ６ マイクロストリップ線路 ７ 試料配置部分 ８，９ 同軸ケーブル １０ ネットワークアナライザ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 9/00 Ｈ０１Ｆ 1/00 Ｃ (72)発明者 島田 寛 宮城県仙台市青葉区桜ヶ丘七丁目37−10 Ｆターム(参考） 5E040 AA11 AA14 AA19 CA13 5E049 AA01 AA04 AA07 AA09 BA27 GC01 5E321 AA14 AA17 AA23 BB23 CC16 GG05 GG07 GG09 5J014 CA23
Claims (8)
- 【請求項１】 マイクロストリップ線路ないしそれに類
する信号伝送線路の直上配置される導電性の軟磁性薄膜
からなり、伝導性の電磁雑音を抑制する電磁雑音抑制体
であって、前記導電性の軟磁性薄膜は前記マイクロスト
リップ線路ないしそれに類する信号伝送線路の線路幅と
略同等乃至それよりも狭幅な形状であることを特徴とす
る電磁雑音抑制体。 - 【請求項２】 請求項１記載の電磁雑音抑制体におい
て、磁化困難軸方向が、前記マイクロストリップ線路な
いしそれに類する信号伝送線路の幅方向に対して略平行
となるように配置されていることを特徴とする電磁雑音
抑制体。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の電磁雑音抑制体に
おいて、前記マイクロストリップ線路ないしそれに類す
る信号伝送線路の線路幅と略同等乃至それよりも狭幅な
形状の前記軟磁性薄膜の幅方向のアスペクト比が１０以
上であることを特徴とする電磁雑音抑制体。 - 【請求項４】 請求項１乃至３の内のいずれか一つに記
載の電磁雑音抑制体において、前記軟磁性薄膜は、Ｍ
（Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのいずれか、もしくはそれら
の混在物）−Ｘ（Ｘは、ＭおよびＹ以外の元素、もしく
はそれらの泪在物）−Ｙ（Ｙは、Ｆ，Ｎ，Ｏの内のいず
れか、もしくはそれらの混在物）組成からなりグラニュ
ラー構造を有することを特徴とする電磁雑音抑制体。 - 【請求項５】 マイクロストリップ線路ないしそれに類
する信号伝送線路の直上に導電性の軟磁性薄膜からなる
電磁雑音抑制体を配設して、伝導性の電磁雑音を抑制す
る伝導性雑音の抑制方法であって、前記導電性の軟磁性
薄膜は前記マイクロストリップ線路ないしそれに類する
信丹伝送線路の線路幅と略同等乃至それよりも狭幅な形
状であることを特徴とする電磁雑音の抑制方法。 - 【請求項６】 請求項５記載の電磁雑音の抑制方法にお
いて、前記電磁雑音抑制体の磁化困難軸方向が、前記マ
イクロストリップ線路ないしそれに類する信号伝送線路
の幅方向に対して略平行となるように配置されることを
特徴とする電磁雑音の抑制方法。 - 【請求項７】 請求項５又は６記載の電磁雑音の抑制方
法において、前記マイクロストリップ線路ないしそれに
類する信号伝送線路の線路幅と略同等乃至それよりも狭
幅な形状の前記軟磁性薄膜の幅方向のアスペクト比が１
０以上であることを特徴とする電磁雑音の抑制方法。 - 【請求項８】 請求項５乃至７の内のいずれか一つに記
載の電磁雑音の抑制方法において、前記軟磁性薄膜は、
Ｍ（Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのいずれか、もしくはそれ
らの混在物）−Ｘ（Ｘは、ＭおよびＹ以外の元素、もし
くはそれらの泪在物）−Ｙ（Ｙは、Ｆ，Ｎ，Ｏの内のい
ずれか、もしくはそれらの混在物）組成からなりグラニ
ュラー構造を有することを特徴とする電磁雑音の抑制方
法。
Priority Applications (12)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000342835A JP4191888B2 (ja) | 2000-11-10 | 2000-11-10 | 電磁雑音抑制体およびそれを用いた電磁雑音の抑制方法 |
| DE60137881T DE60137881D1 (de) | 2000-04-04 | 2001-04-04 | Halbleiterbaustein mit einem elektromagnetischen Geräuschunterdrücker und Verfahren zur Herstellung |
| US09/826,383 US7075163B2 (en) | 2000-04-04 | 2001-04-04 | Electromagnetic noise suppressor, semiconductor device using the same, and method of manufacturing the same |
| MYPI20011617A MY131112A (en) | 2000-04-04 | 2001-04-04 | Electromagnetic noise suppressor, semiconductor device using the same, and method of manufacturing the same |
| EP08011372A EP2028690A3 (en) | 2000-04-04 | 2001-04-04 | Electromagnetic noise suppressor, semiconductor device using the same, and method of manufacturing the same |
| NO20011705A NO20011705L (no) | 2000-04-04 | 2001-04-04 | Elektromagnetisk stöydemper, halvlederanordning omfattende en slik demper, og fremgangsmåte for fremstilling |
| CNB011190329A CN1288753C (zh) | 2000-04-04 | 2001-04-04 | 电磁噪声抑制器、使用该抑制器的半导体器件及其制造方法 |
| TW090108095A TW561607B (en) | 2000-04-04 | 2001-04-04 | Electromagnetic noise suppressor, semiconductor device using the same, and method of manufacturing said semiconductor device |
| CN 200810149062 CN101388378B (zh) | 2000-04-04 | 2001-04-04 | 电磁噪声抑制体和电磁噪声抑制方法 |
| EP01108484A EP1143516B1 (en) | 2000-04-04 | 2001-04-04 | Semiconductor device using an electromagnetic noise suppressor and method of manufacturing the same |
| KR1020010017977A KR100844612B1 (ko) | 2000-04-04 | 2001-04-04 | 반도체 소자와 전자기 노이즈 억제체 |
| KR1020070137439A KR100908356B1 (ko) | 2000-04-04 | 2007-12-26 | 전자기 노이즈 억제체 및 그것을 이용한 전자기 노이즈 억제방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000342835A JP4191888B2 (ja) | 2000-11-10 | 2000-11-10 | 電磁雑音抑制体およびそれを用いた電磁雑音の抑制方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002151916A true JP2002151916A (ja) | 2002-05-24 |
| JP4191888B2 JP4191888B2 (ja) | 2008-12-03 |
Family
ID=18817311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000342835A Expired - Lifetime JP4191888B2 (ja) | 2000-04-04 | 2000-11-10 | 電磁雑音抑制体およびそれを用いた電磁雑音の抑制方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4191888B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005332994A (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Kyocera Corp | 電波吸収体の特性評価方法および特性評価装置 |
| EP2048919A1 (en) * | 2006-06-30 | 2009-04-15 | Shin-Etsu Polymer Co. Ltd. | Noise suppressing wiring member and printed wiring board |
-
2000
- 2000-11-10 JP JP2000342835A patent/JP4191888B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005332994A (ja) * | 2004-05-20 | 2005-12-02 | Kyocera Corp | 電波吸収体の特性評価方法および特性評価装置 |
| EP2048919A1 (en) * | 2006-06-30 | 2009-04-15 | Shin-Etsu Polymer Co. Ltd. | Noise suppressing wiring member and printed wiring board |
| EP2048919A4 (en) * | 2006-06-30 | 2010-01-06 | Shinetsu Polymer Co | NOISE REDUCTION WIRE STRUCTURE AND CONDUCTOR PLATE |
| EP2222144A3 (en) * | 2006-06-30 | 2011-04-20 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | Noise suppressing structure and printed wiring board |
| US8134084B2 (en) | 2006-06-30 | 2012-03-13 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | Noise-suppressing wiring-member and printed wiring board |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4191888B2 (ja) | 2008-12-03 |
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