JP2000307287A

JP2000307287A - 電磁干渉抑制体

Info

Publication number: JP2000307287A
Application number: JP11114876A
Authority: JP
Inventors: Yoshio Awakura; 由夫粟倉; 栄▲吉▼ ▲吉▼田; Eikichi Yoshida
Original assignee: Tokin Corp
Current assignee: Tokin Corp
Priority date: 1999-04-22
Filing date: 1999-04-22
Publication date: 2000-11-02

Abstract

(57)【要約】【課題】抗菌性を付与された電磁干渉抑制体を提供す
ることにある。【解決手段】電磁波ノイズを抑止する電磁干渉抑制体
において，軟磁性粉末３と有機結合剤４とを含む複合磁
性体に，抗菌剤を含むマイクロカプセル１２を含有した
樹脂２１を塗布して抗菌層２０を形成して抗菌性を付与
した。また，複合磁性体中に抗菌剤を含有させることも
できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，高周波領域におい
て不要電磁波の干渉によって生じる電磁障害を抑制する
ために用いられる電磁干渉抑制体に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年，デジタル電子機器をはじめ高周波
を利用する電子機器類が普及しており，中でも準マイク
ロ波帯域を使用する通信機器類の普及がめざましい。例
えば，携帯電話に代表される移動体通信機器は，特に小
型化・軽量化の要求が顕著であり，高密度実装化が最大
の課題となっている。

【０００３】したがって，過密に実装された電子部品類
やプリント配線には，信号処理速度の高速化も図られて
いるため，静電及び電磁結合による線間結合の増大化や
放射ノイズによる干渉などが生じ，電子機器類の正常な
動作を妨げる事態が少なからず生じている。このような
電子機器への悪影響は，いわゆる電磁波障害と呼ばれ
る。

【０００４】従来，電磁波障害に対し，回路にローパス
フィルタを挿人したり，問題となる回路を遠ざけたり，
或いはシールディングを行うなどの手段を講じて電磁波
障害の原因となる電磁結合，不要輻射ノイズを抑制して
いる。また，能動素子自身を樹脂で封止した後に，導電
ペーストなどでシールドして不要輻射に対して能動素子
を遮蔽するという方策が考えられている。しかしなが
ら，従来の電磁波障害に対する対策は種々の欠点を備え
ており，必ずしも実用的ではなかった。

【０００５】この欠点を解決するものとして，特開平７
−２１２０７９号公報（従来技術１と呼ぶ）に開示され
た複合磁性体及び電磁干渉抑制体がある。この電磁干渉
抑制体は，軟磁性粉末と有機結合剤とを含む複合磁性体
からなり，電磁波の透過に対しては，導電性のシールド
材と同等の遮蔽効果をもち，電磁波の反射に対しては，
少なくとも反射による電磁結合を助長させることがな
く，また，フィルタ等を用いる代わりに，電子装置その
ものを改良して，容易に配線基板から外部へ放射するノ
イズや配線基板内部での部品間の相互干渉や信号線間の
電磁誘導による誤動作を抑制することができるという利
点を有している。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで，前述した電
磁干渉抑制体を構成する複合磁性体に含有される有機結
合剤の選択によっては，細菌又はカビ等によって劣化や
変色し，電磁干渉抑制体の機能を損ね，寿命を短くする
というような欠点がある。

【０００７】また，電磁干渉抑制体を使用する用途にお
いて，衛生性が必要とされるものがある。

【０００８】従って，抗菌性を付与した電磁干渉抑制体
によって，携帯移動電話等や電話器等，その他，スイッ
チやリモートコントロール部品等の人の手に接触する部
位に用いる電子機器や衛生性が必要とされる部位に使用
することによって，電子機器そのものの寿命を延ばし，
使用部位の拡大を図り，電磁干渉抑制体の需要を増大す
ることができる。

【０００９】それゆえに，本発明の技術的課題は，抗菌
性を付与された電磁干渉抑制体を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明によれば，軟磁性
粉末と有機結合剤とを含む複合磁性体を用い，電磁波ノ
イズを抑止する電磁干渉抑制体において，前記複合磁性
体に抗菌性を付与したことを特徴とする電磁干渉抑制体
が得られる。

【００１１】また，本発明によれば，前記電磁干渉抑制
体において，前記抗菌性は，前記複合磁性体の表面に形
成された抗菌層によって呈され，前記抗菌層は抗菌剤を
含むマイクロカプセルを合成樹脂にて固定したものから
実質的になることを特徴とする電磁干渉抑制体が得られ
る。

【００１２】また，本発明によれば，前記電磁干渉抑制
体において，前記抗菌性は，前記複合磁性体の内部に含
有された抗菌剤によって呈されることを特徴とする電磁
干渉抑制体が得られる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態につい
て，図面を参照して説明する。

【００１４】図１は本発明の第１の実施の形態による電
磁干渉抑制体を示す断面図である。図１を参照すると，
本発明の第１の実施の形態による電磁干渉抑制体１００
は，導電性支持体（もしくは軟磁性を有する導電性軟磁
性支持体）１と，この導電性支持体１の少なくとも一方
面（図１では両面）に設けられている絶縁性軟磁性体層
２とを有する点では，従来技術と同様である。

【００１５】本発明の実施の形態による電磁干渉抑制体
１００は，更に，表面に抗菌剤を含むマイクロカプセル
２１を含有する合成樹脂２２を塗布又は印刷形成した抗
菌層２０を有する点で，従来技術によるものとは異な
る。

【００１６】この電磁干渉抑制体１００において，絶縁
性軟磁性体層２は扁平状または針状のうちの一方の形状
を呈する軟磁性体粉末３と，軟磁性体粉末３が均一に分
散されている有機結合剤４とを含む。

【００１７】また，電磁干渉抑制体１００において，導
電性支持体１を構成要素とする場合には，例えば，導電
性支持体１を導電体板，網目状導電体板，もしくは導電
性繊維の織物のうちの一つを選択して用いる。また，導
電性軟磁性支持体１を構成要素とする場合には，導電性
軟磁性支持体１を軟磁性金属板，網目状軟磁性金属板，
もしくは軟磁性金属繊維の織物のうちの一つを選択して
用いる。

【００１８】図２は本発明の第２の実施の形態による電
磁干渉抑制体を示す断面図である。図２に示すように，
電磁干渉抑制体１００は，導電性支持体（もしくは軟磁
性を有する導電性軟磁性支持体）１が，絶縁基材５とこ
の絶縁基材５の少なくとも一方の面に蒸着成膜された導
電性薄膜６とを含む。図２では，絶縁基材５の両面に蒸
着成膜された導電性薄膜６を例として示したが，絶縁基
材５の一方面に導電性薄膜６を蒸着成膜してもよい。な
お，導電性薄膜６上には，図１に示した絶縁性軟磁性体
層２と同様な絶縁性軟磁性体層２が設けられ，その表面
に夫々抗菌層２０を有しているものである。

【００１９】第３実施の形態の電磁干渉抑制体１００を
図２に基ずき説明すると，電磁干渉抑制体１００は，導
電性支持体（もしくは軟磁性を有する導電性軟磁性支持
体）１が，絶縁基材５とこの絶縁基材５の少なくとも一
方面に蒸看成膜された軟磁性金属薄膜７とを含む。図２
では，絶縁基材５の両面に蒸着成膜された軟磁性金属薄
膜７を例として示したが，絶縁基材５の一方面に軟磁性
金属薄膜７を蒸着成膜してもよい。なお，軟磁性金属薄
膜７上には，図１に示した絶縁性軟磁性体層２と同様な
絶縁性軟磁性体層２及び芳香層２０を有しているもので
ある。

【００２０】図３は本発明の第４の実施の形態による電
磁干渉抑制体１００を示す断面図である。図３を参照す
ると，本発明の第４の実施の形態による電磁干渉抑制体
１００は，導電性支持体１が導電性粉末８と有機結合剤
４とからなる。この導電性支持体１の少なくとも一方面
には，図１で示した絶縁性軟磁性体層２と同様な絶縁性
軟磁性体層と抗菌層２０が設けられる。

【００２１】図４は本発明の第５の実施の形態による電
磁干渉抑制体１００を示す断面図である。図４に示すよ
うに，導電性支持体１が，絶縁基材５とこの絶縁基材５
の少なくとも一方の面上に設けられた導電体層９と，そ
の上に設けられた抗菌層２０を有している。この導電性
支持体１の導電体９と他の面には，図１で示した絶縁性
軟磁性体層２と同様な絶縁性軟磁性体層が設けられる。
尚，導電体９上に，絶縁性軟磁性体層２と同様な絶縁性
軟磁性体層を設けた後，抗菌層２０を絶縁基板面又は絶
縁性軟磁性体層の上に設けても良い。

【００２２】図５及び図６は，第６及び第７の実施の形
態による電磁干渉抑制体１００を夫々示す断面図であ
る。図５及び図６に示すように，電磁干渉抑制体１００
は，導電性支持体（もしくは軟磁性を有する導電性軟磁
性支持体）１と，導電性支持体１の少なくとも一方面に
設けられた絶縁性軟磁性体層２と，絶縁性軟磁性体層２
の少なくとも一方面に設けられた誘電体層１０と，その
上に設けられた抗菌層２０を有している。

【００２３】絶縁性軟磁性体層２は偏平状もしくは針状
を呈する軟磁性体粉末３と有機結合剤４とを含む。誘電
体層１０は，誘電体粉末１１と有機結合剤４とを含む。
即ち，図５に示す第６の実施の形態による電磁干渉抑制
体１００は，導電性支持体１と誘電体層１０との間に絶
縁性軟磁性体層２が介在されている。

【００２４】図６は第７の実施の形態による電磁干渉抑
制体１００を示す断面図である。図６に示す第７の実施
の形態による電磁干渉抑制体１００は，導電性支持体１
と絶縁性軟磁性体層２との間に誘電体層１０が介在され
ている。絶縁性軟磁性体層２の外側には，抗菌層２０が
設けられている。

【００２５】図７は，本発明の第８の実施の形態による
電磁干渉抑制体１００を示す図である。図７に示すよう
に，第８の実施の形態による電磁干渉抑制体１００は，
導電性支持体（もしくは軟磁性を有する導電性軟磁性支
持体）１と，この導電性支持体１の少なくとも一方面に
設けられた絶縁性軟磁性体層２と，その上に設けられた
抗菌層２０を有している。絶縁性軟磁性体層２は，偏平
状もしくは針状を呈する軟磁性体粉末３，誘電体粉末１
１，及び有機結合剤４を含む。

【００２６】上記各実施の形態において，導電性支持体
１としては，導電体板，網目状導電体板，もしくは導電
性繊維の織物のうちのーつを選択して使用できる。ま
た，導電性軟磁性支持体としては，軟磁性金属板，網目
状軟磁性金属仮，もしくは軟磁性金属繊維の織物のうち
の一つを選択して使用できる。

【００２７】導電性支持体１の具体的な例としては，銅
薄板，ステンレス薄板，アルミニウム薄板等の金属薄
板，及びそれらに微細な穴開け加工を施した，いわゆる
パンチングメタル，或いは薄．仮に微細な切れ目を施し
た後に，延伸加工した，いわゆるエキスバンドメタル，
或いは細線状の導体を網目状に加工した金網などであ
る。

【００２８】また，導電性軟磁性支持体１の具体的な例
としては，同様の形態にて材質のみが軟磁性を呈するパ
ーマロイ或いは鉄−珪素鋼等に代えればよい。この場
合，比較的低い周波数での高い電磁干渉抑制効果を期待
できる。いずれにしても，用途に応じて選択するのが望
ましい。

【００２９】軟磁性体粉末３としては，高周波透磁率の
大きな鉄アルミ珪素合金（センダスト），鉄ニッケル合
金（パーマロイ）をその代表的素材として挙げることか
できる。軟磁性体粉末３は，微細粉末化され表面部分を
酸化して使用される。なお，軟磁性体粉末Ｂのアスペク
ト比は十分に大きい（おおよそ５：１以上）ことか望ま
しい。

【００３０】有機結合剤４としては，ポリエステル系樹
脂，ポリ塩化ビニル系樹脂，ポリビニルブチラール樹
脂，ポリウレタン樹脂，セルロース系樹脂，ニトリル−
ブタジエン系ゴム，スチレン−ブタジエン系ゴム等の熱
可塑性樹脂或いはそれらの共重合体，エポキシ樹脂，フ
ェノール樹脂，アミド系樹脂，イミド系樹脂等の熱硬化
性樹脂等を挙げることができる。

【００３１】また，絶縁基材５として例えば，ポリイミ
ド基材等の片面もしくは両面に金属，磁性金属，導電性
カーボン，有機導電体等をスパッタ法，真空蒸看法，化
学蒸着（ＣＶＤ）法等の蒸着法により成膜した導電性基
材もしくは導電性磁性基材も本発明に用いる導電性支持
体として用いることができる。

【００３２】また銀粉，銅粉等の金属微粉末もしくは導
電性カーボンブラック，導電性酸化チタン等を有機結合
剤４とともに混練，分散しこれをシート化したもの，或
いは直接シート化せずにポリイミド基材等の絶縁基材５
の片面もしくは両面にドクターブレード法，グラビアコ
ート法或いはリバースコート法等の手段により成膜した
ものを導電性支持体（もしくは導電性軟磁性支持体）１
として使用できる。

【００３３】さらに，第６の実施の形態で述べた本発明
のもう一つの構成要素である誘電体層１０，もしくは絶
縁性軟磁性体層２に用いる誘電体粉末１１としては，高
周波領域での誘電率が大ぎく，かつ誘電率の周波数特性
が比較的平坦なものが好ましい。一例として，チタン酸
バリウム系セラミック，チタン酸ジルコン酸系セラミッ
ク，チ夕ン酸ジルコン酸系セラミック，鉛ペロブスカイ
ト系セラミック等を挙げることができる。

【００３４】また，抗菌層２０を構成するマイクロカプ
セル２１とこれらを含有する合成樹脂からなる。マイク
ロカプセル２１は，特開平８−２９９４２２号公報に示
されているように，揮散性を有する抗菌剤のシクロデキ
ストリン包接化合物からなるか，あるいは，揮散性を有
する抗菌剤のシクロデキストリン包接化合物とＡＣＰと
からなる。このマイクロカプセルに用いられる抗菌剤と
しては，イソチオシアニン酸アリル，ヒノキチオール，
ヒバオイル，月桃オイル，ペニーローヤル，レモングラ
ス，レモン，スパイクラベンダー，ナツメグ，オレガ
ノ，セージ，ジンジャー，セーボリー，タイム，オール
スパイス，シダーウッド，シナモンバーク，クローブバ
ッズ，カユブテ，パイン，ティートゥリー，テルペン類
などが挙げられる。

【００３５】これらのマイクロカプセル２１は，高分子
樹脂，例えば，紫外線硬化性樹脂に含有させて，電磁干
渉抑制表面に塗布または印刷され，硬化させることによ
って，抗菌層２０が形成される。

【００３６】図８は本発明の第９の実施の形態による電
磁干渉抑制体を示す断面図である。図８を参照すると，
本発明の第９の実施の形態による電磁干渉抑制体１００
は，導電性支持体（もしくは軟磁性を有する導電性軟磁
性支持体）１と，この導電性支持体１の少なくとも一方
面（図１では両面）に設けられている絶縁性軟磁性体層
２５とを有する点では，従来技術と同様である。しか
し，本発明の第９の実施の形態による電磁干渉抑制体１
００は，絶縁軟磁性体層２中に抗菌剤３０を含んだ絶縁
軟磁性体層２５を構成している点で，従来技術によるも
のとは異なる。

【００３７】この電磁干渉抑制体１００において，絶縁
性軟磁性体層２５は，扁平状または針状のうちの一方の
形状を呈する軟磁性体粉末３と，軟磁性体粉末３が均一
に分散されている有機結合剤４と，抗菌剤３０とを含
む。

【００３８】また，電磁干渉抑制体１００において，導
電性支持体１を構成要素とする場合には，例えば，導電
性支持体１を導電体板，網目状導電体板，もしくは導電
性繊維の織物のうちの一つを選択して用いる。また，導
電性軟磁性支持体１を構成要素とする場合には，導電性
軟磁性支持体１を軟磁性金属板，網目状軟磁性金属板，
もしくは軟磁性金属繊維の織物のうちの一つを選択して
用いる。

【００３９】図９は本発明の第１０の実施の形態による
電磁干渉抑制体を示す断面図である。図９に示すよう
に，電磁干渉抑制体１００は，導電性支持体（もしくは
軟磁性を有する導電性軟磁性支持体）１が，絶縁基材５
とこの絶縁基材５の少なくとも一方の面に蒸着成膜され
た導電性薄膜６とを含む。図９では，絶縁基材５の両面
に蒸着成膜された導電性薄膜６を例として示したが，絶
縁基材５の一方面に導電性薄膜６を蒸着成膜してもよ
い。なお，導電性薄膜６上には，図８に示した絶縁性軟
磁性体層２５と同様な絶縁性軟磁性体層２５が設けら
れ，その夫々抗菌性が付与されているものである。

【００４０】第１１の実施の形態の電磁干渉抑制体１０
０を図９に基ずき説明すると，電磁干渉抑制体１００
は，導電性支持体（もしくは軟磁性を有する導電性軟磁
性支持体）１が，絶縁基材５とこの絶縁基材５の少なく
とも一方面に蒸看成膜された軟磁性金属薄膜７とを含
む。図９では，絶縁基材５の両面に蒸着成膜された軟磁
性金属薄膜７を例として示したが，絶縁基材５の一方面
に軟磁性金属薄膜７を蒸着成膜してもよい。なお，軟磁
性金属薄膜７上には，図８に示した絶縁性軟磁性体層２
５と同様な抗菌剤３０を含む絶縁性軟磁性体層２５を有
しているものである。

【００４１】図１０は本発明の第１２の実施の形態によ
る電磁干渉抑制体１００を示す断面図である。図１０を
参照すると，本発明の第１２の実施の形態による電磁干
渉抑制体１００は，導電性支持体１が導電性粉末８と有
機結合剤４とからなる。この導電性支持体１の少なくと
も一方面には，図８で示した絶縁性軟磁性体層２５と同
様な抗菌剤を含む絶縁性軟磁性体層２５が設けられる。

【００４２】図１１は本発明の第１３の実施の形態によ
る電磁干渉抑制体１００を示す断面図である。図１１に
示すように，導電性支持体１が，絶縁基材５とこの絶縁
基材５の少なくとも一方の面上に設けられた導電体層９
とを有している。この導電性支持体１又は導電体９の少
なくとも一方の面には，図８で示した絶縁性軟磁性体層
２５と同様な絶縁性軟磁性体層が設けられる。

【００４３】図１２及び図１３は，第１４及び第１５の
実施の形態による電磁干渉抑制体１００を夫々示す断面
図である。図１２及び図１５に示すように，電磁干渉抑
制体１００は，導電性支持体（もしくは軟磁性を有する
導電性軟磁性支持体）１と，導電性支持体１の少なくと
も一方の面に設けられた絶縁性軟磁性体層２５と，絶縁
性軟磁性体層２５の少なくとも一方の面に設けられた誘
電体層２６とを有している。

【００４４】絶縁性軟磁性体層２５は，偏平状もしくは
針状を呈する軟磁性体粉末３と有機結合剤４と，抗菌剤
３０とを含む。誘電体層２６は，誘電体粉末１１と有機
結合剤４と抗菌剤３０とを含む。即ち，図１２に示す第
１４の実施の形態による電磁干渉抑制体１００は，導電
性支持体１と誘電体層２６との間に絶縁性軟磁性体層２
５が介在されている。

【００４５】図１３は第１５の実施の形態による電磁干
渉抑制体１００を示す断面図である。図１３に示す第１
５の実施の形態による電磁干渉抑制体１００は，導電性
支持体１と絶縁性軟磁性体層２５との間に誘電体層２６
が介在されている。

【００４６】図１４は，本発明の第１６の実施の形態に
よる電磁干渉抑制体１００を示す図である。図１４に示
すように，第１６の実施の形態による電磁干渉抑制体１
００は，導電性支持体（もしくは軟磁性を有する導電性
軟磁性支持体）１と，この導電性支持体１の少なくとも
一方面に設けられた絶縁性軟磁性体層２５とを有してい
る。絶縁性軟磁性体層２５は，偏平状もしくは針状を呈
する軟磁性体粉末３，誘電体粉末１１，有機結合剤４，
及び抗菌剤３０を含む。

【００４７】上記各実施の形態において，導電性支持体
１としては，導電体板，網目状導電体板，もしくは導電
性繊維の織物のうちのーつを選択して使用できる。ま
た，導電性軟磁性支持体としては，軟磁性金属板，網目
状軟磁性金属仮，もしくは軟磁性金属繊維の織物のうち
の一つを選択して使用できる。

【００４８】導電性支持体１の具体的な例としては，銅
薄板，ステンレス薄板，アルミニウム薄板等の金属薄
板，及びそれらに微細な穴開け加工を施した，いわゆる
パンチングメタル，或いは薄．仮に微細な切れ目を施し
た後に，延伸加工した，いわゆるエキスバンドメタル，
或いは細線状の導体を網目状に加工した金網などであ
る。

【００４９】また，導電性軟磁性支持体１の具体的な例
としては，同様の形態にて材質のみが軟磁性を呈するパ
ーマロイ或いは鉄−珪素鋼等に代えればよい。この場
合，比較的低い周波数での高い電磁干渉抑制効果を期待
できる。いずれにしても，用途に応じて選択するのが望
ましい。

【００５０】軟磁性体粉末３としては，高周波透磁率の
大きな鉄アルミ珪素合金（センダスト），鉄ニッケル合
金（パーマロイ）をその代表的素材として挙げることか
できる。軟磁性体粉末３は，微細粉末化され表面部分を
酸化して使用される。なお，軟磁性体粉末Ｂのアスペク
ト比は十分に大きい（おおよそ５：１以上）ことか望ま
しい。

【００５１】有機結合剤４としては，ポリエステル系樹
脂，ポリ塩化ビニル系樹脂，ポリビニルブチラール樹
脂，ポリウレタン樹脂，セルロース系樹脂，ニトリル−
ブタジエン系ゴム，スチレン−ブタジエン系ゴム等の熱
可塑性樹脂或いはそれらの共重合体，エポキシ樹脂，フ
ェノール樹脂，アミド系樹脂，イミド系樹脂等の熱硬化
性樹脂等を挙げることができる。

【００５２】また，絶縁基材５として例えば，ポリイミ
ド基材等の片面もしくは両面に金属，磁性金属，導電性
カーボン，有機導電体等をスパッタ法，真空蒸看法，化
学蒸着（ＣＶＤ）法等の蒸着法により成膜した導電性基
材もしくは導電性磁性基材も本発明に用いる導電性支持
体として用いることができる。

【００５３】また銀粉，銅粉等の金属微粉末もしくは導
電性カーボンブラック，導電性酸化チタン等を有機結合
剤４とともに混練，分散しこれをシート化したもの，或
いは直接シート化せずにポリイミド基材等の絶縁基材５
の片面もしくは両面にドクターブレード法，グラビアコ
ート法或いはリバースコート法等の手段により成膜した
ものを導電性支持体（もしくは導電性軟磁性支持体）１
として使用できる。

【００５４】さらに，第６の実施の形態で述べた本発明
のもう一つの構成要素である誘電体層１０，もしくは絶
縁性軟磁性体層２に用いる誘電体粉末１１としては，高
周波領域での誘電率が大ぎく，かつ誘電率の周波数特性
が比較的平坦なものが好ましい。一例として，チタン酸
バリウム系セラミック，チタン酸ジルコン酸系セラミッ
ク，チ夕ン酸ジルコン酸系セラミック，鉛ペロブスカイ
ト系セラミック等を挙げることができる。

【００５５】また，抗菌剤３０としては，リン酸ジルコ
ニウム，セオライト，ヒドロキシアパタイト，シリカア
ルミナ，シリカゲル等を単体とした銀系無機抗菌剤を用
いることができるが，その他にＣｕ系やＺｎ系の無機抗
菌剤又は必要に応じて有機系抗菌剤を用いることもでき
る。

【００５６】次に，電磁干渉抑制体１００による抑制効
果の測定について以下に検証する。

【００５７】本発明の実施の形態による電磁干渉抑制体
１００の効果を検証するにあたっては，以下の抑制効果
の評価系を準備した。

【００５８】図１５及び図１６は本発明の実施の形態に
よる電磁干渉抑制体１００の効果を検証するための電磁
干渉抑制体１００の特性評価系である。図８は，透過レ
ベル［ｄＢ］を測定するための評価系であり，図１５
は，結合レベル［ｄＢ］を測定するための評価系であ
る。各々の場合とも，電磁界波源用発振器２８及び電磁
界強度測定器（受信用素子）２９には，ループ径２ｍｍ
以下の電磁界送信用微小ループアンテナ３１，電磁界受
信用微小ループアンテナ３２を用いている。透過レベル
もしくは結合レベルの測定にはスペクトラムアナライザ
（図示せず）を使用した。

【００５９】［第１の試料］導電性支持体１として２４
メッシュのステンレス網を用い，この導電性支持体１の
両面に乾燥，硬化後の全厚寸法が１．２ｍｍとなるよう
に下記表１に示す第１の組成の配合からなる軟磁性体ペ
ーストをドクターブレード法により塗工し，８５゜Ｃに
て２４時間キュアリングを行い，更に，抗菌剤含有マイ
クロカプセルを紫外線硬化型樹脂に含有させてその表面
に塗布し，紫外線照射して乾燥させた第１の試料を得
た。なお，得られた第１の試料を振動型磁力計並びに走
査型電子顕微鏡を用いて解析したところ，磁化容易軸及
び磁性粒子配向方向は試料面内方向であった。

【００６０】

【表１】

【００６１】［第２の試料］図１の構成を有する導電性
支持体１として，第１の試料のステンレス網を用いる代
わりに軟磁性を有する２４メッシュのパーマロイ（５２
Ｎｉ−Ｆｅ）を用いた以外は，第１の試料と同様にして
第２の試料を得た。

【００６２】［第３の試料］図２の構成を有する導電性
支持体１として７５μｍのポリイミドフィルムの両面に
厚さが３μｍのアルミニウムをスパッタ成膜したものを
用いた以外は，試料１と同様にして，第３の試料を得
た。

【００６３】［第４の試料］図２の構成を有する導電性
支持体１として７５μｍのポリイミドフィルムの両面に
下記表２の組成の銀ペーストを乾燥，硬化後の厚さが６
μｍとなるようにドクターブレード方にて成膜したもの
を用いた以外は，第１の試料と同様にして第４の試料を
得た。

【００６４】

【表２】

【００６５】［第５の試料］導電性支持体として２５メ
ッシュのステンレス網を用い，この両面に乾燥，硬化後
の全厚が１．０ｍｍとなるように，以下表３に示す第３
の組成からなる軟磁性体ペーストをドクターブレード法
により塗工し，８５℃にて２４時間キュアリングを行っ
た。その後，得られた軟磁性体層上に以下の表４に示す
第４の組成からなる誘電体ペーストを乾燥，硬化後の厚
さが片面当たり１００μｍとなるように，ドクターブレ
ード法により塗工し，８５゜Ｃにて２４時間キュアリン
グを行い，さらに，表面に抗菌剤含有マイクロカプセル
を紫外線硬化型樹脂に含有させ，表面に塗布し，紫外線
照射して硬化させた第５の試料を得た。

【００６６】なお，得られた第５の試料を振動型磁力計
並びに走査型電子顕微鏡を用いて解折したところ，磁化
容易軸及び磁性粒子配向方向は試料面内方向であった。

【００６７】

【表３】

【００６８】

【表４】

【００６９】［第６の試料］導電性支持体１として，２
４メッシュのステンレス網を用い，この両面に乾燥，硬
化後の全厚が１．２ｍｍとなるように以下の表５に示す
第５の組成からなる誘電体粉末含有軟磁性体ペーストを
ドクターブレード法により塗工し，８５℃にて２４時間
キュアリングを行った後，抗菌剤含有マイクロカプセル
を紫外線硬化型樹脂に含有させて，表面に塗布し，紫外
線照射して硬化させた第６の試料を得た。

【００７０】

【表５】

【００７１】［第１の比較試料］厚さが１００μｍの銅
板の表面に抗菌剤含有マイクロカプセルを紫外線硬化型
樹脂に含有させて塗布し，硬化させて第１の比較試料と
した。

【００７２】［第７の試料］導電性支持体１として，厚
さが３５μｍの銅板を用い，この両面に全厚が１ｍｍと
なるように上記第１の組成の配合からなる軟磁性体ペー
ストをドクターブレード法により塗工し，８５℃にて２
４時間キュアリングを行い，さらに，抗菌剤含有マイク
ロカプセルを紫外線硬化型樹脂に含有させて表面に塗布
し，紫外線照射して硬化させた第７の試料を得た。な
お，得られた第７の試料を振動型磁力計並びに走査型電
子顕微鏡を用いて解析したところ，磁化容易軸及び磁性
粒子配向方向は試料面方向であった。

【００７３】［第８の試料］導電性支持体１として，第
１の試料の２４メッシュのステンレス網を用いる代わり
に１２０メッシュのステンレス網を用いた以外は，第１
の試料と同じにして全厚が１ｍｍの第８の試料を得た。

【００７４】［第２の比較試料］略球状の形状を有し，
平均粒径が３０μｍの鉄粉８０重量部をニトリルゴム２
０重量部に練り込み，厚さ１．２ｍｍのシート状を形成
し，抗菌剤含有マイクロカプセルを紫外線硬化型樹脂に
含有させて表面に塗布し，紫外線照射して硬化させて，
第２の比較試料とした。

【００７５】第１乃至第８の試料，第１及び第２の比較
試料の透過レベル及び結合レベルを図１５及び図１６に
示す評価系にて測定した結果を図１７及び図１８，図１
９及び図２０に夫々示す。図１７及び図１８は，第１及
び第２の比較試料の電磁干渉抑制効果の周波数特性を示
し，図１７は透過レベル［ｄＢ］の周波数ｆ［ＧＨｚ］
特性である。ここで，透過レベルの基準は，電磁干渉抑
制体１００がない状態の電磁界強度とした。図１８は結
合レベル［ｄＢ］の周波数ｆ［ＧＨｚ］特性である。こ
こで，結合レベルの基準は，電磁干渉抑制体１００がな
い状態の電磁界強度とした。

【００７６】図１９及び図２０は，第１乃至第８の試料
の電磁干渉抑制効果の周波数特性を示し，図１９は透過
レベル［ｄＢ］の周波数ｆ［ＧＨｚ］特性である。ここ
で，透過レベルの基準は，電磁干渉抑制体１００がない
状態の電磁界強度とした。

【００７７】図２０は結合レベル［ｄＢ］の周波数ｆ
［ＧＨｚ］特性である。ここで，結合レベルの基準は，
電磁干渉抑制体１００がない状態の電磁界強度とした。

【００７８】図２１には，第１乃至第８の試料，第１及
び第２の比較試料の周波数８００ＭＨｚにおける透過レ
ベル及び結合レベルを夫々示した。

【００７９】図１７及び図１８からも判るように，導体
（銅箔板）のみの場合（第１の比較試料）では，透過レ
ベルは大幅に低下するものの，結合レベルが増大してし
まい問題である。

【００８０】一方，第２の比較試料の軟磁性で形状異方
性のほとんどない球状鉄粉をゴムに分散させたもので
は，結合レベルが低下する傾向を示しているものの，透
過減衰がほとんどなく干渉抑制の効果は極めて薄い。

【００８１】これら従来の電磁干渉抑制体の結果に対し
て，本発明の電磁干渉抑制体１００（第１乃至第８の試
料）においては，図１９，図２０，及び図２１からも明
白なように，透過レベルが十分低くなっているととも
に，結合レベルも増大することがない。

【００８２】したがって，例えば，複数の電子部品を実
装する２つの配線基板が重ね合わされるように存在する
電子機器等において，各々の配線基板間に電磁干渉抑制
体１００を挿入することで同一の２つの配線基板の電磁
干渉を抑制することが可能となる。

【００８３】電磁干渉抑制体１００は，不要輻射の反射
を増大化させることなく透過減衰を大きく確保すること
ができ，移動体通信機器をはじめとする高周波電子機器
類内での電磁干渉を抑止することが可能となる。

【００８４】なお，上記実施の形態で示した電磁干渉抑
制体１００は，その構成要素からわかるように容易に可
撓性を付与することが可能であり，複雑な形状への対応
や厳しい耐振動，衝撃要求への対応が可能である。

【００８５】この電子装置への電磁干渉抑制体の効果の
検証する為に，上記と同様に，図１５及び図１６に示し
た特性評価系を用いた。

【００８６】［第９の試料］電磁干渉抑制体１００は，
図１に示した電磁干渉抑制体１００と同じ構成であっ
て，導電性支持体１として１２０メッシュのステンレス
網を用い，この導電性支持体１の両面に乾燥，硬化後の
全厚寸法が０．５ｍｍとなるように上記表１に示す第１
の組成の配合に抗菌剤を含有した軟磁性体ペーストをド
クターブレード法により塗工し，８５℃にて２４時間キ
ュアリングを行い第９の試料を得た。なお，得られた試
料を振動型磁力計並びに走査型電子顕微鏡を用いて解析
したところ，磁化容易軸及び磁性粒子配向方向は試料面
内方向であった。

【００８７】［第１０の試料］導電性支持体１として７
５μｍのポリイミドフィルムの両面に厚さが３μｍのア
ルミニウムをスパッタ成膜したものを用いた以外は，第
９の試料と同様にして第１０の試料を得た。

【００８８】［第１１の試料］導電性支持体１として７
５μｍのポリイミドフィルムの両面に上記第２の組成の
銀ペーストを乾燥，硬化後の厚さが６μｍとなるように
ドクターブレード法にて成膜したものを用いた以外は，
第９の試料と同様にして第１１の試料を得た。

【００８９】比較試料としては，上記したように，厚さ
が１００μｍの銅板からなる第３の比較試料と，略球状
の形状を有し，平均粒径が３０μｍの鉄粉８０重量部を
ニトリルゴム２０重量部に練り込み，厚さ１．２ｍｍの
シート状に形成した第４の比較試料を用いた。

【００９０】第９乃至第１１の試料，第３及び第４の比
較試料の透過レベル及び結合レベルを図１５及び図１６
に示し評価系にて測定した結果を図２２，図２３，図２
４及び図２５に夫々示す。

【００９１】図２２及び図２３は，第１及び第２の比較
試料の電磁干渉抑制効果の周波数特性を示している。図
２２は透過レベル［ｄＢ］の周波数ｆ［ＧＨｚ］特性で
ある。ここで，透過レベルの基準は，電磁干渉抑制体１
００がない状態の電磁界強度とした。図２３は結合レベ
ル［ｄＢ］の周波数ｆ［ＧＨｚ］特性である。ここで，
結合レベルの基準は，電磁干渉抑制体１００がない状態
の電磁界強度とした。

【００９２】図２４及び図２５は，第９乃至第１１の試
料の電磁干渉抑制効果の周波数特性を示し，図１７は透
過レベル［ｄＢ］の周波数ｆ［ＧＨｚ］特性である。こ
こで，透過レベルの基準は，電磁干渉抑制体１００がな
い状態の電磁界強度とした。図２５は結合レベル［ｄ
Ｂ］の周波数ｆ［ＧＨｚ］特性である。ここで，結合レ
ベルの基準は，電磁干渉抑制体１００がない状態の電磁
界強度とした。

【００９３】図２２及び図２３からも判るように，導体
（銅箔板）のみの場合（第３の比較試料）では，透過レ
ベルは大幅に低下（−５０ｄＢ以下）するものの，結合
レベルが増大（＋７ｄＢ）してしまい問題である。

【００９４】一方，第４の比較試料の軟磁性で形状異方
性のほとんどない球状鉄粉をゴムに分散させたもので
は，結合レベルが低下（−０ｄＢ）する傾向を示してい
るものの，透過減衰がほとんどなく（透過レベルが約−
１ｄＢ），干渉抑制の効果がほとんどない。

【００９５】第３及び第４の比較試料の電磁干渉抑制体
の結果に対して，本発明の電磁干渉抑制体１００（第９
乃至第１１の試料）においては，図２４，図２５からも
明白なように，透過レベルが十分低く（−３９ｄＢ以
下）なっているとともに，結合レベルも増大することが
ない（＋１ｄＢ以下）。

【００９６】これは，たとえば，電子部品をプリント配
線基板等に実装する電子機器等において，電子部品の下
面とプリント配線基板との間に，電磁干渉抑制体を配置
することによって，不要輻射による反射の影響を受ける
ことなく，電磁干渉を効果的に抑制することが可能とな
る。

【００９７】したがって，電磁干渉抑制体１００は不要
電磁波の反射を増大させることなく，相互干渉の抑制の
制御が可能となる。また，電磁干渉抑制体１００は薄板
であるため，ノイズを抑制ずるための部品を含めた電子
装置全体として考えると，従来より小形かつ軽量で，安
価な電子装置が得られる。なお，電磁干渉抑制体１００
は，その構成要素からわかるように，容易に可撓性をも
たせることが可能であり，複雑な形状への対応や厳し耐
振動や衝撃要求への対応が可能である。

【００９８】次に，本発明の電磁干渉抑制体１００を能
動素子及び受動素子等の実装部品の周囲を覆った場合を
想定した混成集積回路素子への電磁干渉抑制効果につい
て説明する。

【００９９】［第１２の試料］下記表６に示すの第６の
組成を有する第１の絶縁性軟磁性体層及び第２の絶縁性
軟磁性体層を下記表７に示す第７の組成を導電性支持体
１の両側に前記スラリー浸漬後に付着させて得た。

【０１００】

【表６】

【０１０１】

【表７】

【０１０２】［第５の比較試料］また，厚さ７５μｍの
ポリイミドフィルムの両面に，導電性支持体１と同じ組
成の銀ペーストをスラリー含浸法によりコーティング
し，乾燥，硬化して，厚さ１００μｍの第５の比較試料
を得た。

【０１０３】これらの第１２の試料及び第５の比較試料
に対して，上記したように，能動素子及び受動素子等の
実装部品の周囲を覆った電磁環境を想定した電磁干渉抑
制体１００の特性評価系（図１５及び図１６に示す試験
装置）を用いて試料が存在しない状態での電磁界強度を
基準として測定をおこなった。

【０１０４】図２６及び図２７にそれぞれ，透過レベル
測定，及び結合レベル測定の結果（周波数特性）を示
す。図２６，図２７から明かなように，第５の比較試料
では，透過レベルについて，大幅な低下が見られるもの
の，結合レベルについては増大する。これに対し，第１
２の試料では透過レベルが大幅に低下し，しかも結合レ
ベルの増大も見られない。このことから，本実施の形態
の混成集積回路素子は従来の銀ペースとをコーティング
した素子と同様に，十分に電磁波に対する遮蔽効果を有
するとともに，従来の素子に見られたような電磁波の反
射が見られないことがわかる。

【０１０５】

【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
電磁干渉抑制効果に更に抗菌性を備えた電磁干渉抑制体
を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態による電磁干渉抑制
体を示す一部断面図である。

【図２】本発明の第２及び第３の実施の形態による電磁
干渉抑制体における導電性支持体の共通の構成を示す一
部断面図である。

【図３】本発明の第４の実施の形態による電磁干渉抑制
体における導電性支持体を示す一部断面図である。

【図４】本発明の第５の実施の形態による電磁干渉抑制
体における導電性支持体を示す一部断面図である。

【図５】本発明の第６の実施の形態による電磁干渉抑制
体を示す一部断面図である。

【図６】本発明の第７の実施の形態による電磁干渉抑制
体を示す一部断面図である。

【図７】図７は本発明の第８の実施の形態による電磁干
渉抑制体を示す一部断面図である。

【図８】本発明の第９の実施の形態による電磁干渉抑制
体を示す一部断面図である。

【図９】本発明の第１０及び第１１の実施の形態による
電磁干渉抑制体における導電性支持体の共通の構成を示
す一部断面図である。

【図１０】本発明の第１２の実施の形態による電磁干渉
抑制体における導電性支持体を示す一部断面図である。

【図１１】本発明の第１３の実施の形態による電磁干渉
抑制体における導電性支持体を示す一部断面図である。

【図１２】本発明の第１４の実施の形態による電磁干渉
抑制体を示す一部断面図である。

【図１３】本発明の第１５の実施の形態による電磁干渉
抑制体を示す一部断面図である。

【図１４】図７は本発明の第１６の実施の形態による電
磁干渉抑制体を示す一部断面図である。

【図１５】本発明の実施の形態による電磁干渉抑制体の
効果を検証するための電磁干渉抑制体の特性評価系であ
る。

【図１６】本発明の実施の形態による電磁干渉抑制体の
効果を検証するための電磁干渉抑制体の特性評価系であ
る。

【図１７】第１及び第２の比較試料の電磁干渉抑制効果
の周波数特性の内の透過レベル［ｄＢ］の周波数ｆ［Ｇ
Ｈｚ］特性である。

【図１８】第１及び第２の比較試料の電磁干渉抑制効果
の周波数特性の内の透過レベル［ｄＢ］の周波数ｆ［Ｇ
Ｈｚ］特性の内の結合レベル［ｄＢ］の周波数ｆ［ＧＨ
ｚ］特性を示す図である。

【図１９】第１乃至第８の試料の電磁干渉抑制効果の周
波数特性の内で透過レベル［ｄＢ］の周波数ｆ［ＧＨ
ｚ］特性を示す図である。

【図２０】第１乃至第８の試料の電磁干渉抑制効果の周
波数特性の内で結合レベル［ｄＢ］の周波数ｆ［ＧＨ
ｚ］特性を示す図である。

【図２１】第１乃至第８の試料，第１及び第２の比較試
料の周波数８００ＭＨｚにおける透過レベル及び結合レ
ベルを夫々示す図である。

【図２２】第１及び第２の比較試料の電磁干渉抑制効果
の周波数特性の内で透過レベル［ｄＢ］の周波数ｆ［Ｇ
Ｈｚ］特性を示す図である。

【図２３】第１及び第２の比較試料の電磁干渉抑制効果
の周波数特性の内で結合レベル［ｄＢ］の周波数ｆ［Ｇ
Ｈｚ］特性を示す図である。

【図２４】第９乃至第１１の試料の電磁干渉抑制効果の
周波数特性の内の透過レベル［ｄＢ］の周波数ｆ［ＧＨ
ｚ］特性を示す図である。

【図２５】第９乃至第１１の試料の電磁干渉抑制効果の
周波数特性の内で結合レベル［ｄＢ］の周波数ｆ［ＧＨ
ｚ］特性を示す図である。

【図２６】第１２の試料及び第５の比較試料の電磁干渉
抑制効果の周波数特性の内の透過レベル［ｄＢ］の周波
数ｆ［ＧＨｚ］特性である。

【図２７】第１２の試料及び第５の比較試料の電磁干渉
抑制効果の周波数特性の内で結合レベル［ｄＢ］の周波
数ｆ［ＧＨｚ］特性を示す図である。

【符号の説明】

１導電性支持体２絶縁性軟磁性体層３軟磁性体粉末４有機結合剤５絶縁基材６導電性薄膜７軟磁性金属薄膜８導電性粉末９導電体層１０誘電体層１１誘電体粉末２０抗菌層２１マイクロカプセル２２合成樹脂２８電磁界波源用発振器２９電磁界強度測定器（受信用素子）３０抗菌剤３１電磁界送信用微小ループアンテナ３２電磁界受信用微小ループアンテナ１００電磁干渉抑制体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5E041 AA04 AA07 BB03 CA01 5E058 AA40 5E321 BB21 BB23 BB32 BB41 BB51 BB53 BB60 GG05 GG11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】軟磁性粉末と有機結合剤とを含む複合磁
性体を用い，電磁波ノイズを抑止する電磁干渉抑制体に
おいて，前記複合磁性体に抗菌性を付与したことを特徴
とする電磁干渉抑制体。
【請求項２】請求項１記載の電磁干渉抑制体におい
て，前記抗菌性は，前記複合磁性体の表面に形成された
抗菌層によって呈され，前記抗菌層は抗菌剤を含むマイ
クロカプセルを合成樹脂にて固定したものから実質的に
なることを特徴とする電磁干渉抑制体。
【請求項３】請求項１記載の電磁干渉抑制体におい
て，前記抗菌性は，前記複合磁性体の内部に含有された
抗菌剤によって呈されることを特徴とする電磁干渉抑制
体。