JP3528455B2 - 電磁干渉抑制体 - Google Patents
電磁干渉抑制体Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は主に高耐熱性、高熱
伝導性を要求される電子部品に用いられる電磁干渉抑制
体に属し、さらには、高周波領域において不要電磁波の
干渉によって生じる電磁障害を抑制するために用いられ
る電磁干渉抑制体に属する。
伝導性を要求される電子部品に用いられる電磁干渉抑制
体に属し、さらには、高周波領域において不要電磁波の
干渉によって生じる電磁障害を抑制するために用いられ
る電磁干渉抑制体に属する。
【０００２】
【従来の技術】従来、過密に実装された電子部品類やプ
リント配線には、信号処理速度の高速化が図られている
ため、静電及び電磁結合による線間結合の増大化や放射
ノイズによる干渉が生じ、電子機器類の正常な動作を妨
げる事態が少なからず生じている。
リント配線には、信号処理速度の高速化が図られている
ため、静電及び電磁結合による線間結合の増大化や放射
ノイズによる干渉が生じ、電子機器類の正常な動作を妨
げる事態が少なからず生じている。
【０００３】このようないわゆる電磁障害に対して、従
来は回路の出力端子毎にローバスフィルタ等を接続し、
不要な高周波電流を抑制したり、問題となる回路を遠ざ
けるような方策を講じる等で電磁障害の原因となる電磁
結合、不要輻射や伝導ノイズ等を抑制していた。
来は回路の出力端子毎にローバスフィルタ等を接続し、
不要な高周波電流を抑制したり、問題となる回路を遠ざ
けるような方策を講じる等で電磁障害の原因となる電磁
結合、不要輻射や伝導ノイズ等を抑制していた。
【０００４】これら高周波電子機器のさらなる小型、軽
量化を実現する具体策として、例えば、一枚のプリント
配線基板に異なる回路を混在（例えば、電力回路と小信
号回路）させたり、回路ごとに小基板化し、それらを重
ね合わせて実装するといった手段が取られることが多く
なってきている。
量化を実現する具体策として、例えば、一枚のプリント
配線基板に異なる回路を混在（例えば、電力回路と小信
号回路）させたり、回路ごとに小基板化し、それらを重
ね合わせて実装するといった手段が取られることが多く
なってきている。
【０００５】しかし、特に、複数の配線基板を重ね合わ
せて実装する場合においては、部品間や配線基板間の電
磁干渉に由来する電磁障害の起こりうる可能性が極めて
高くなり、何等かの対策が不可欠となる。これらの配線
基板間における干渉の対策手段としては、一般に、導電
性のシールド材（銅、アルミニウム等）を配線基板間に
挿入することが行われている。上記した配線基板では、
部品実装密度が高くなっているために、高周波磁界波は
ノイズ源に対して低インピーダンスとなっている。
せて実装する場合においては、部品間や配線基板間の電
磁干渉に由来する電磁障害の起こりうる可能性が極めて
高くなり、何等かの対策が不可欠となる。これらの配線
基板間における干渉の対策手段としては、一般に、導電
性のシールド材（銅、アルミニウム等）を配線基板間に
挿入することが行われている。上記した配線基板では、
部品実装密度が高くなっているために、高周波磁界波は
ノイズ源に対して低インピーダンスとなっている。
【０００６】しかし、上述した配線基板では、ノイズ源
となる一方の配線基板に対向する他方の配線基板に対し
ての遮蔽効果は期待できるものの、同じ基板面に対して
は、不要輻射の反射が生じてしまい、ノイズ源側の同一
配線基板内での二次的な電磁結合が助長される。
となる一方の配線基板に対向する他方の配線基板に対し
ての遮蔽効果は期待できるものの、同じ基板面に対して
は、不要輻射の反射が生じてしまい、ノイズ源側の同一
配線基板内での二次的な電磁結合が助長される。
【０００７】そこで、電磁波の透過に対しては、導電性
のシールド材と同等の遮蔽効果をもち、電磁波の反射に
対しては、少なくとも反射による電磁結合を助長させる
ことのない電磁干渉抑制構造体が特開平７−２１２０７
９号公報によって提案されている。
のシールド材と同等の遮蔽効果をもち、電磁波の反射に
対しては、少なくとも反射による電磁結合を助長させる
ことのない電磁干渉抑制構造体が特開平７−２１２０７
９号公報によって提案されている。
【０００８】以下、特開平７−２１２０７９号公報によ
って開示されている従来の電磁干渉抑制構造体の一例を
説明する。図４に示すように、電磁干渉抑制構造体１
は、導電性支持体１０と、この導電性支持体１０に設け
られた電磁干渉抑制体２とを有している。電磁干渉抑制
構造体１は扁平状（もしくは針状）の軟磁性粉末３と、
有機結合剤４とを含む。
って開示されている従来の電磁干渉抑制構造体の一例を
説明する。図４に示すように、電磁干渉抑制構造体１
は、導電性支持体１０と、この導電性支持体１０に設け
られた電磁干渉抑制体２とを有している。電磁干渉抑制
構造体１は扁平状（もしくは針状）の軟磁性粉末３と、
有機結合剤４とを含む。
【０００９】導電性支持体１０は導電体薄板、網目状導
電体板、もしくは導電性繊維の織物により構成ほか、軟
磁性金属板、網目状軟磁性金属板、もしくは軟磁性金属
繊維の織物により構成される。
電体板、もしくは導電性繊維の織物により構成ほか、軟
磁性金属板、網目状軟磁性金属板、もしくは軟磁性金属
繊維の織物により構成される。
【００１０】電磁干渉抑制構造体１の形成に用いられる
有機結合溶剤４としては、ポリエステル系樹脂、ポリ塩
化ビニル系樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリウレ
タン樹脂、セルロース系樹脂、ニトリル−ブタジエン系
ゴム、スチレン−ブタジエン系ゴム等の熱可塑性樹脂或
いはそれらの共重合体、エポキシ樹脂、フェノール樹
脂、アミド系樹脂、イミド系樹脂等の熱硬化性樹脂等を
採用している。
有機結合溶剤４としては、ポリエステル系樹脂、ポリ塩
化ビニル系樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリウレ
タン樹脂、セルロース系樹脂、ニトリル−ブタジエン系
ゴム、スチレン−ブタジエン系ゴム等の熱可塑性樹脂或
いはそれらの共重合体、エポキシ樹脂、フェノール樹
脂、アミド系樹脂、イミド系樹脂等の熱硬化性樹脂等を
採用している。
【００１１】軟磁性粉末３としては、高周波透磁率の大
きな鉄アルミ珪素合金（センダスト）、鉄ニッケル合金
（パーマロイ）をその代表的素材として挙げることがで
き、粉末のアスペクト比は十分に大きい（おおよそ１
０：１以上）ことが望ましい。
きな鉄アルミ珪素合金（センダスト）、鉄ニッケル合金
（パーマロイ）をその代表的素材として挙げることがで
き、粉末のアスペクト比は十分に大きい（おおよそ１
０：１以上）ことが望ましい。
【００１２】図５は、電磁干渉抑制構造体１の応用例を
示しており、電磁干渉抑制構造体１を互いに対向して配
置された２つの配線基板２１、２３間に実装した状態を
示している。
示しており、電磁干渉抑制構造体１を互いに対向して配
置された２つの配線基板２１、２３間に実装した状態を
示している。
【００１３】配線基板２１，２３には各々複数個の電子
部品２４、２５、２６が実装され、配線基板２１，２３
の電子部品２４、２５、２６同士が向かい合うように配
線基板２１，２３同士が対向配置されている。電磁干渉
抑制構造体１は、配線基板２１，２３の間に挿入され
る。
部品２４、２５、２６が実装され、配線基板２１，２３
の電子部品２４、２５、２６同士が向かい合うように配
線基板２１，２３同士が対向配置されている。電磁干渉
抑制構造体１は、配線基板２１，２３の間に挿入され
る。
【００１４】図６（ａ）及び図６（ｂ）に電磁干渉抑制
構造体１の特性評価系を示している。図６（ａ）は、透
過レベルの評価系であり、図６（ｂ）は、結合レベルの
評価系である。各々の場合とも、電磁界波源用発振器２
８及び電磁界強度測定器（受信用素子）２９には、電磁
界送信用微小ループアンテナ３１，電磁界受信用微小ル
ープアンテナ３２を用いている。透過もしくは結合レベ
ルの測定にはネットワークアナライザ（図示せず）を使
用している。
構造体１の特性評価系を示している。図６（ａ）は、透
過レベルの評価系であり、図６（ｂ）は、結合レベルの
評価系である。各々の場合とも、電磁界波源用発振器２
８及び電磁界強度測定器（受信用素子）２９には、電磁
界送信用微小ループアンテナ３１，電磁界受信用微小ル
ープアンテナ３２を用いている。透過もしくは結合レベ
ルの測定にはネットワークアナライザ（図示せず）を使
用している。
【００１５】導電性支持体１０として、１２０メッシュ
のステンレス網を用い、この導電性支持体１０の両面に
乾燥、硬化後の全厚が１．２ｍｍとなるように下記の＜
組成１＞の配合からなる軟磁性体ペーストをドクターブ
レード法により塗工し、８５℃にて２４時間キュアリン
グを行い評価用試料を得る。ここで、得られた評価用試
料は振動型磁力径並びに走査型電子顕微鏡を用いた解析
により、磁化容易軸及び磁性粒子の配向方向が試料面内
方向であることが確認されている。
のステンレス網を用い、この導電性支持体１０の両面に
乾燥、硬化後の全厚が１．２ｍｍとなるように下記の＜
組成１＞の配合からなる軟磁性体ペーストをドクターブ
レード法により塗工し、８５℃にて２４時間キュアリン
グを行い評価用試料を得る。ここで、得られた評価用試
料は振動型磁力径並びに走査型電子顕微鏡を用いた解析
により、磁化容易軸及び磁性粒子の配向方向が試料面内
方向であることが確認されている。
【００１６】＜組成＞
したがって、例えば図５に示したような複数の電子部品
２４、２５、２６を実装する配線基板２１、２３が重ね
合わされるように存在する電子機器等において、各々の
配線基板２１、２３間に電磁干渉抑制構造体１を挿入す
ることで同一配線基板２１、２３内の結合（クロストー
ク）を増大化させることなく配線基板２１、２３間の電
磁干渉を抑制することが可能となる。
２４、２５、２６を実装する配線基板２１、２３が重ね
合わされるように存在する電子機器等において、各々の
配線基板２１、２３間に電磁干渉抑制構造体１を挿入す
ることで同一配線基板２１、２３内の結合（クロストー
ク）を増大化させることなく配線基板２１、２３間の電
磁干渉を抑制することが可能となる。
【００１７】その他の従来技術としては、特開平８−１
８２７１号公報、特開平８−５６０９２号公報に、電磁
干渉抑制構造体１の応用例が開示されている。
８２７１号公報、特開平８−５６０９２号公報に、電磁
干渉抑制構造体１の応用例が開示されている。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、電磁干
渉抑制体２の形成に用いる有機結合剤４は、熱によって
影響されやすく、変形、劣化等が発生することから発熱
が大きな電子部品２４、２５、２６に密着させて用いる
ことができないという問題がある。
渉抑制体２の形成に用いる有機結合剤４は、熱によって
影響されやすく、変形、劣化等が発生することから発熱
が大きな電子部品２４、２５、２６に密着させて用いる
ことができないという問題がある。
【００１９】また、有機結合剤４は熱伝導性の劣ること
から、発熱量の大きな電子部品２４、２５、２６からの
放熱を妨げるという問題がある。
から、発熱量の大きな電子部品２４、２５、２６からの
放熱を妨げるという問題がある。
【００２０】それ故に本発明の課題は、熱による影響を
受けにくく、熱放熱性を向上することができる電磁干渉
抑制体を提供することにある。
受けにくく、熱放熱性を向上することができる電磁干渉
抑制体を提供することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、軟磁性
粉末及び有機結合剤を含み電磁障害を抑制する電磁干渉
抑制体であって、前記軟磁性粉末は偏平もしくは針状の
金属軟磁性体であり、前記軟磁性粉末が配向配列されて
おり、前記有機結合剤はガラス転移温度１２０℃以上の
熱可塑性ポリイミド、液晶ポリマーのうちの１種類であ
ることを特徴とする電磁干渉抑制体が得られる。
粉末及び有機結合剤を含み電磁障害を抑制する電磁干渉
抑制体であって、前記軟磁性粉末は偏平もしくは針状の
金属軟磁性体であり、前記軟磁性粉末が配向配列されて
おり、前記有機結合剤はガラス転移温度１２０℃以上の
熱可塑性ポリイミド、液晶ポリマーのうちの１種類であ
ることを特徴とする電磁干渉抑制体が得られる。
【００２２】また、本発明によれば、窒化アルミニウム
粉末を含むことを特徴とする電磁干渉抑制体が得られ
る。
粉末を含むことを特徴とする電磁干渉抑制体が得られ
る。
【００２３】また、本発明によれば、前記軟磁性体が鉄
アルミ珪素合金もしくは鉄ニッケル合金であることを特
徴とする電磁干渉抑制体が得られる。
アルミ珪素合金もしくは鉄ニッケル合金であることを特
徴とする電磁干渉抑制体が得られる。
【００２４】また、本発明によれば、導電性支持体の少
なくとも一方の面に設けられていることを特徴とする電
磁干渉抑制体が得られる。
なくとも一方の面に設けられていることを特徴とする電
磁干渉抑制体が得られる。
【００２５】
【作用】本発明の電磁干渉抑制体は、例えば、発熱の大
きな電子部品の熱放出のためにヒートシンクを使用する
場合において、電磁干渉抑制体に高い耐熱性を付与でき
る。
きな電子部品の熱放出のためにヒートシンクを使用する
場合において、電磁干渉抑制体に高い耐熱性を付与でき
る。
【００２６】さらに、窒化アルムニウム粉体を添加する
ことで、熱伝導性が良好となることから、発熱性の大き
な電子部品に密着させて発熱性の大きな電子部品の熱放
出の効率を改善することが可能となる。
ことで、熱伝導性が良好となることから、発熱性の大き
な電子部品に密着させて発熱性の大きな電子部品の熱放
出の効率を改善することが可能となる。
【００２７】また、導電性基材を配線基板間に挿入する
ことにより生じる不要輻射の反射による電磁結合の増大
化は、軟磁性粉末と有機結合剤からなる軟磁性層により
抑制される。この軟磁性層は、本来、導電性物質である
軟磁性金属を微細粉末化し、絶縁性の有機結合剤と混練
分散されることにより絶縁層としており、軟磁性層面で
の不要輻射の反射が起こり難い。
ことにより生じる不要輻射の反射による電磁結合の増大
化は、軟磁性粉末と有機結合剤からなる軟磁性層により
抑制される。この軟磁性層は、本来、導電性物質である
軟磁性金属を微細粉末化し、絶縁性の有機結合剤と混練
分散されることにより絶縁層としており、軟磁性層面で
の不要輻射の反射が起こり難い。
【００２８】
【発明の実施の形態】次に、本発明に係る電磁干渉抑制
体の一実施の形態例を、図１を参照して説明する。な
お、図４及び図５によって説明した部分と同じ部分につ
いては同じ符号を付して説明する。
体の一実施の形態例を、図１を参照して説明する。な
お、図４及び図５によって説明した部分と同じ部分につ
いては同じ符号を付して説明する。
【００２９】図１を参照して、電磁干渉抑制体２は、電
磁障害を抑制するための扁平状（もしくは針状）の軟磁
性粉末３、及びガラス転移温度１２０℃以上の熱可塑性
樹脂である有機結合剤４を含む。
磁障害を抑制するための扁平状（もしくは針状）の軟磁
性粉末３、及びガラス転移温度１２０℃以上の熱可塑性
樹脂である有機結合剤４を含む。
【００３０】なお、電磁干渉抑制体２の他の例として
は、熱可塑性樹脂に加えて微粉化した窒化アルミニウム
粉末１１を含む。さらに、有機結合剤４の例としては、
熱可塑性ポリイミド、液晶ポリマーのうち少なくとも１
種類を選択して採用することが好ましい。
は、熱可塑性樹脂に加えて微粉化した窒化アルミニウム
粉末１１を含む。さらに、有機結合剤４の例としては、
熱可塑性ポリイミド、液晶ポリマーのうち少なくとも１
種類を選択して採用することが好ましい。
【００３１】軟磁性粉末３としては、高周波透磁率の大
きな鉄アルミ珪素合金（センダスト）、鉄ニッケル合金
（パーマロイ）をその代表的素材として挙げることがで
き、粉末のアスペクト比は十分に大きい（おおよそ１
０：１以上）ことが望ましい。上記熱可塑性樹脂、及び
窒化アルミニウム粉末１１を併用すると、高耐熱性を有
する電磁干渉抑制体２が得られる。
きな鉄アルミ珪素合金（センダスト）、鉄ニッケル合金
（パーマロイ）をその代表的素材として挙げることがで
き、粉末のアスペクト比は十分に大きい（おおよそ１
０：１以上）ことが望ましい。上記熱可塑性樹脂、及び
窒化アルミニウム粉末１１を併用すると、高耐熱性を有
する電磁干渉抑制体２が得られる。
【００３２】図２は、配線基板２３上に能動素子として
の電子部品２４を搭載し、この熱発生の大きい電子部品
２４の熱放出を高めるために、電磁干渉抑制体２、及び
電子部品２４上にヒートシンク８を設けた応用例を示し
ている。このような電子部品２４では、熱伝導性に優れ
た電磁干渉抑制体２によって熱放出が高まりヒートシン
ク８へと熱伝導され放出される。
の電子部品２４を搭載し、この熱発生の大きい電子部品
２４の熱放出を高めるために、電磁干渉抑制体２、及び
電子部品２４上にヒートシンク８を設けた応用例を示し
ている。このような電子部品２４では、熱伝導性に優れ
た電磁干渉抑制体２によって熱放出が高まりヒートシン
ク８へと熱伝導され放出される。
【００３３】次に、図３を参照して、上記電磁干渉抑制
体２を用いた電磁干渉抑制構造体１の実施例について説
明する。電磁干渉抑制構造体１は、導電性支持体（もし
くは軟磁性を有する導電性軟磁性支持体）１０と、導電
性支持体１０の少なくとも一方面に設けた電磁障害を抑
制するための電磁干渉抑制体２とを有している。電磁干
渉抑制体２は、上述した構成の電磁干渉抑制体２を採用
している。
体２を用いた電磁干渉抑制構造体１の実施例について説
明する。電磁干渉抑制構造体１は、導電性支持体（もし
くは軟磁性を有する導電性軟磁性支持体）１０と、導電
性支持体１０の少なくとも一方面に設けた電磁障害を抑
制するための電磁干渉抑制体２とを有している。電磁干
渉抑制体２は、上述した構成の電磁干渉抑制体２を採用
している。
【００３４】電磁干渉抑制構造体１においては、導電性
支持体１０を導電体薄板、網目状導電体板、もしくは導
電性繊維の織物により構成したり、軟磁性金属板、網目
状軟磁性金属板、もしくは軟磁性金属繊維の織物により
構成する。
支持体１０を導電体薄板、網目状導電体板、もしくは導
電性繊維の織物により構成したり、軟磁性金属板、網目
状軟磁性金属板、もしくは軟磁性金属繊維の織物により
構成する。
【００３５】その他の電磁干渉抑制構造体１の構成につ
いては、特開平７−２１２０７９号公報に詳細に開示さ
れているため本発明では説明を省略する。
いては、特開平７−２１２０７９号公報に詳細に開示さ
れているため本発明では説明を省略する。
【００３６】本発明の電磁干渉抑制体２を用いた場合に
は、図５に示したような複数の電子部品２４、２５、２
６を実装する配線基板２１、２３が重ね合わされるよう
に存在する電子機器等において、各々の配線基板２１、
２３間に電磁干渉抑制体１を挿入することで同一配線基
板２１、２３内の結合（クロストーク）を増大化させる
ことなく配線基板２１、２３間の電磁干渉を抑制するこ
とが可能となる。
は、図５に示したような複数の電子部品２４、２５、２
６を実装する配線基板２１、２３が重ね合わされるよう
に存在する電子機器等において、各々の配線基板２１、
２３間に電磁干渉抑制体１を挿入することで同一配線基
板２１、２３内の結合（クロストーク）を増大化させる
ことなく配線基板２１、２３間の電磁干渉を抑制するこ
とが可能となる。
【００３７】したがって、本発明の電磁干渉抑制体２を
ヒートシンク８と能動素子（電子部品２４）との間に配
設することで、導電体であり電気的にはシールド効果を
有するヒートシンク８をＣＰＵ等の能動素子に密着させ
た場合に生じる能動素子内部での電磁干渉を抑制でき
る。
ヒートシンク８と能動素子（電子部品２４）との間に配
設することで、導電体であり電気的にはシールド効果を
有するヒートシンク８をＣＰＵ等の能動素子に密着させ
た場合に生じる能動素子内部での電磁干渉を抑制でき
る。
【００３８】
【発明の効果】以上、実施例により説明したように、本
発明の電磁干渉抑制体によれば、電子部品の熱放出のた
めのヒートシンクに使用する場合において、電磁干渉抑
制体に高い耐熱性を付与できると共に、窒化アルムニウ
ムの粉体を添加することで、熱伝導性が良好となること
から、発熱の大きな電子部品に密着させて電子部品の熱
放出を良好になすことが可能となる。
発明の電磁干渉抑制体によれば、電子部品の熱放出のた
めのヒートシンクに使用する場合において、電磁干渉抑
制体に高い耐熱性を付与できると共に、窒化アルムニウ
ムの粉体を添加することで、熱伝導性が良好となること
から、発熱の大きな電子部品に密着させて電子部品の熱
放出を良好になすことが可能となる。
【００３９】また、ヒートシンク等の導電体を電子部品
に密着させることにより生じる不要輻射の反射による電
磁結合の増大化は、軟磁性粉末と有機結合剤からなる電
磁干渉抑制体の磁気損失により抑制される。
に密着させることにより生じる不要輻射の反射による電
磁結合の増大化は、軟磁性粉末と有機結合剤からなる電
磁干渉抑制体の磁気損失により抑制される。
【００４０】また、軟磁性粉末の粉末形状が扁平状もし
くは針状であり、それが電磁干渉抑制体中で配向配列さ
れているために、形状磁気異方性が出現し、高周波領域
にて磁気共鳴に基づく複素透磁率の増大化が生じ、不要
輻射成分が効率的に吸収、抑制される。
くは針状であり、それが電磁干渉抑制体中で配向配列さ
れているために、形状磁気異方性が出現し、高周波領域
にて磁気共鳴に基づく複素透磁率の増大化が生じ、不要
輻射成分が効率的に吸収、抑制される。
【００４１】さらに、導電性支持体上の少なくとも一方
の面上に扁平もしくは針状の軟磁性粉末と有機結合剤か
らなる本発明の電磁干渉抑制体は、導体を挿入したこと
により生じる不要輻射の反射を増大化させることなく透
過減衰を大きく確保することができ、移動体通信機器を
はじめとする高周波電子機器類内、及びそれらに用いら
れるＣＰＵ等の能動素子内部での電磁干渉を抑止するこ
とが可能となる。
の面上に扁平もしくは針状の軟磁性粉末と有機結合剤か
らなる本発明の電磁干渉抑制体は、導体を挿入したこと
により生じる不要輻射の反射を増大化させることなく透
過減衰を大きく確保することができ、移動体通信機器を
はじめとする高周波電子機器類内、及びそれらに用いら
れるＣＰＵ等の能動素子内部での電磁干渉を抑止するこ
とが可能となる。
【００４２】なお、本発明の電磁干渉抑制体は、その構
成要素からわかるように容易に製造でき、可撓性を付与
することが可能であり、複雑な形状への対応や厳しい耐
振動、衝撃要求への対応も可能である。
成要素からわかるように容易に製造でき、可撓性を付与
することが可能であり、複雑な形状への対応や厳しい耐
振動、衝撃要求への対応も可能である。
【図１】本発明の電磁干渉抑制体の一実施の形態例を示
す概略断面図である。
す概略断面図である。
【図２】図１に示した電磁干渉抑制体の適応例を示す側
面図である。
面図である。
【図３】図１に示した電磁干渉抑制体の他の実施例を示
す概略断面図である。
す概略断面図である。
【図４】従来の電磁干渉抑制構造体を示す概略断面図で
ある。
ある。
【図５】従来の電磁干渉抑制構造体を配線基板に実装し
た状態を示す概略断面図である。
た状態を示す概略断面図である。
【図６】電磁干渉抑制構造体の特性評価に用いる評価系
を示し、（ａ）は透過レベルを測定するための評価系概
略図、（ｂ）は結合レベルを測定するための評価系概略
図である。
を示し、（ａ）は透過レベルを測定するための評価系概
略図、（ｂ）は結合レベルを測定するための評価系概略
図である。
１ 電磁干渉抑制構造体
２ 電磁干渉抑制体
３ 軟磁性粉末
４ 有機結合剤
８ ヒートシンク
１０ 導電性支持体
１１ 窒化アルミニウム
２３ 配線基板
２４、２５、２６ 電子部品
─────────────────────────────────────────────────────
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(56)参考文献 特開 平３−126765（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−206658（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−204069（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−212079（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−122824（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−132196（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−51190（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−153988（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−129897（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H05K 9/00
H01F 1/00 - 1/375
H05K 7/20
H01L 23/36 - 23/473
Claims (4)
- 【請求項１】 軟磁性粉末及び有機結合剤を含み電磁障
害を抑制する電磁干渉抑制体であって、前記軟磁性粉末
は偏平もしくは針状の金属軟磁性体であり、前記軟磁性
粉末が配向配列されており、前記有機結合剤はガラス転
移温度１２０℃以上の熱可塑性ポリイミド、液晶ポリマ
ーのうちの１種類であることを特徴とする電磁干渉抑制
体。 - 【請求項２】 窒化アルミニウム粉末を含むことを特徴
とする請求項１記載の電磁干渉抑制体。 - 【請求項３】 前記軟磁性体が鉄アルミ珪素合金もしく
は鉄ニッケル合金であることを特徴とする請求項１又は
２に記載の電磁干渉抑制体。 - 【請求項４】 導電性支持体の少なくとも一方の面に設
けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれ
か１項に記載の電磁干渉抑制体。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23772496A JP3528455B2 (ja) | 1996-09-09 | 1996-09-09 | 電磁干渉抑制体 |
| US09/074,012 US6962753B1 (en) | 1996-09-09 | 1997-09-09 | Highly heat-conductive composite magnetic material |
| EP97939237A EP0866649B1 (en) | 1996-09-09 | 1997-09-09 | Highly heat-conductive composite magnetic material |
| KR10-1998-0703424A KR100510921B1 (ko) | 1996-09-09 | 1997-09-09 | 고열전도성복합자성체 |
| CNB97191222XA CN1179619C (zh) | 1996-09-09 | 1997-09-09 | 高导热性复合磁体 |
| TW086113017A TW345667B (en) | 1996-09-09 | 1997-09-09 | High thermal conductivity composite magnetic substance |
| DE1997627207 DE69727207T2 (de) | 1996-09-09 | 1997-09-09 | Hoch warmeleitendes magnetisches mischmaterial |
| PCT/JP1997/003175 WO1998010632A1 (en) | 1996-09-09 | 1997-09-09 | Highly heat-conductive composite magnetic material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23772496A JP3528455B2 (ja) | 1996-09-09 | 1996-09-09 | 電磁干渉抑制体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1084195A JPH1084195A (ja) | 1998-03-31 |
| JP3528455B2 true JP3528455B2 (ja) | 2004-05-17 |
Family
ID=17019561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23772496A Expired - Lifetime JP3528455B2 (ja) | 1996-09-09 | 1996-09-09 | 電磁干渉抑制体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3528455B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000133986A (ja) | 1998-10-27 | 2000-05-12 | Murata Mfg Co Ltd | 放射ノイズ抑制部品の取付構造 |
| JP4623244B2 (ja) * | 2000-04-11 | 2011-02-02 | 信越化学工業株式会社 | 電磁波吸収性熱伝導性シリコーンゴム組成物 |
| DE10057973A1 (de) * | 2000-11-22 | 2002-05-23 | Mannesmann Vdo Ag | Vorrichtung für einen getakteten Halbleiterchip |
| JP2002164689A (ja) * | 2000-11-28 | 2002-06-07 | Polymatech Co Ltd | 高熱伝導性電波吸収体 |
| JPWO2003081973A1 (ja) * | 2002-03-27 | 2005-08-04 | 東洋サービス株式会社 | 電磁波遮蔽用シート、電磁波遮蔽伝送用ケーブル及び電磁波遮蔽ｌｓｉ |
| JP4700905B2 (ja) * | 2003-12-10 | 2011-06-15 | 三井化学株式会社 | 多層板 |
| KR100755775B1 (ko) | 2006-05-10 | 2007-09-05 | (주)창성 | 전자기파 노이즈 억제 필름 및 그의 제조방법 |
| KR20140067660A (ko) * | 2012-11-27 | 2014-06-05 | 삼성전기주식회사 | 무접점 전력 전송 장치의 자성체 시트 |
| KR101740749B1 (ko) * | 2012-12-21 | 2017-05-26 | 삼성전기주식회사 | 자성체 복합 시트 및 전자기 유도 모듈 |
| KR101401542B1 (ko) * | 2013-05-06 | 2014-06-03 | 한국기계연구원 | 그래핀 옥사이드를 포함하는 전자파 흡수용 필름 및 이의 제조방법 |
| JP6303440B2 (ja) * | 2013-11-27 | 2018-04-04 | 株式会社村田製作所 | インダクタ素子 |
-
1996
- 1996-09-09 JP JP23772496A patent/JP3528455B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1084195A (ja) | 1998-03-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040113 |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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