DE69727207T2 - Hoch warmeleitendes magnetisches mischmaterial - Google Patents

Hoch warmeleitendes magnetisches mischmaterial Download PDF

Info

Publication number
DE69727207T2
DE69727207T2 DE1997627207 DE69727207T DE69727207T2 DE 69727207 T2 DE69727207 T2 DE 69727207T2 DE 1997627207 DE1997627207 DE 1997627207 DE 69727207 T DE69727207 T DE 69727207T DE 69727207 T2 DE69727207 T2 DE 69727207T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
powder
heat
composite body
magnetic composite
magnetic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE1997627207
Other languages
English (en)
Other versions
DE69727207D1 (de
Inventor
Shigeyoshi Taihaku-ku YOSHIDA
Mitsuharu Taihaku-ku SATO
Norihiko Taihaku-ku ONO
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokin Corp
Original Assignee
NEC Tokin Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP23772496A external-priority patent/JP3528455B2/ja
Priority claimed from JP26543896A external-priority patent/JP3881730B2/ja
Application filed by NEC Tokin Corp filed Critical NEC Tokin Corp
Application granted granted Critical
Publication of DE69727207D1 publication Critical patent/DE69727207D1/de
Publication of DE69727207T2 publication Critical patent/DE69727207T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0073Shielding materials
    • H05K9/0081Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
    • H05K9/0083Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising electro-conductive non-fibrous particles embedded in an electrically insulating supporting structure, e.g. powder, flakes, whiskers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3733Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon having a heterogeneous or anisotropic structure, e.g. powder or fibres in a matrix, wire mesh, porous structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3737Organic materials with or without a thermoconductive filler
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29075Plural core members
    • H01L2224/29076Plural core members being mutually engaged together, e.g. through inserts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29075Plural core members
    • H01L2224/2908Plural core members being stacked
    • H01L2224/29083Three-layer arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/291Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199Material of the matrix
    • H01L2224/2929Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/2936Iron [Fe] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/29386Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29499Shape or distribution of the fillers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0201Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203Cooling of mounted components
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0213Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0216Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
    • H05K1/023Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference using auxiliary mounted passive components or auxiliary substances
    • H05K1/0233Filters, inductors or a magnetic substance
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/90Magnetic feature
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/922Static electricity metal bleed-off metallic stock
    • Y10S428/9265Special properties
    • Y10S428/928Magnetic property
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678Of metal

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Soft Magnetic Materials (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen magnetischen Verbundkörper, der weichmagnetisches Pulver enthält, das mit einem organischen Bindemittel vermischt ist, und insbesondere auf einen magnetischen Verbundkörper, der eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit aufweist.
  • TECHNISCHER HINTERGRUND
  • Ein Unterdrückungskörper für elektromagnetische Interferenzen (Wechselwirkungen, Störungen) wird verwendet, um elektromagnetische Störungen zu unterdrücken, die durch Interferenz unerwünschter elektromagnetischer Wellen bewirkt werden.
  • Herkömmlicherweise wurde zum Abblocken des Eindringens der externen unerwünschten elektromagnetischen Wellen in eine elektronische Vorrichtung das Abschirmen der elektronischen Vorrichtung durch einen Leiter durchgeführt. Da das Abblocken der elektromagnetischen Wellen durch den Leiter jedoch darauf abzielt, die elektromagnetischen Wellen zu reflektieren, können Strahlungswellen von einem bestimmten Bestandteil innerhalb der elektronischen Vorrichtung reflektiert werden, um andere Bestandteile in derselben elektronischen Vorrichtung als Sekundärstörung nachteilig zu beeinflussen. Insbesondere durch die Verringerung der Größe und die Verwendung der höheren Frequenz in elektronischen Vorrichtungen in den letzten Jahren sind die Probleme der Störung durch die externen elektromagnetischen Wellen und der Sekundärstörungen durch die internen elektromagnetischen Wellen ernst.
  • JP-A-7-212079 offenbart einen magnetischen Verbundkörper, der die Interferenzen unerwünschter elektromagnetischer Wellen un terdrücken kann, indem er die Absorption hochfrequenter Wellen durch eine komplexe Permeabilität eines weichmagnetischen Körpers einer bestimmten Art verwendet. Dieser magnetische Verbundkörper ist aus einem magnetischen Verbundbogen aufgebaut, der magnetisches Pulver enthält, das mit einem organischen Bindemittel gemischt ist.
  • Der Bogen des magnetischen Verbundkörpers kann so wie er ist verwendet werden. Durch Bilden eines mit einem leitenden Bogen gestapelten Aufbaus dagegen werden die ankommenden elektromagnetischen Wellen durch den magnetischen Verbundbogen absorbiert, und die durch den magnetischen Verbundbogen dringenden elektromagnetischen Wellen werden durch den leitenden Bogen in den magnetischen Verbundbogen reflektiert, so dass die Störung der unerwünschten elektromagnetischen Wellen unterdrückt wird.
  • Ein solcher Unterdrückungskörper für elektromagnetische Interferenzen wird z. B. auf der Oberfläche einer elektronischen Vorrichtung oder rund um einen elektronischen Bestandteil der elektronischen Vorrichtung angeordnet, der anfällig dafür ist, dass er eine Störung durch die externen elektromagnetischen Wellen erleidet. Alternativ dazu wird es so verwendet, dass es zwischen zwei Leiterplatten angeordnet ist, von denen jede mit elektronischen Komponenten bestückt ist und die einander mit einem Leerraum dazwischen gegenüberliegen.
  • Dabei tritt ein Problem auf, dass das organische Bindemittel, das bei der Bildung des magnetischen Verbundkörpers verwendet wird, da es dazu neigt, durch Hitze so beeinflusst zu werden, dass es eine Verformung, Beeinträchtigung oder dergleichen bewirkt, nicht in Kontakt mit einer elektronischen Komponente verwendet werden kann, die viel Wärme erzeugt.
  • Weiterhin tritt ein Problem auf, dass das organische Bindemittel, da es eine schlechte Wärmeleitfähigkeit aufweist, die Hitzeabfuhr von einer elektronischen Komponente verhindert, die einen hohen Heizeffekt aufweist.
  • Daher besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, einen magnetischen Verbundkörper, der eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweist und durch Wärme kaum beeinflusst wird, und einen Unterdrückungskörper für elektromagnetische Störungen, der den magnetischen Verbundkörper verwendet, bereitzustellen.
  • Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, einen Wärmeverteilungsbogen und einen Kühlkörper bereitzustellen, die beide einen magnetischen Verbundkörper mit einer hohen Wärmeleitfähigkeit verwenden.
  • OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
  • Die Aufgabe wird erfüllt durch einen magnetischen Verbundkörper nach Anspruch 1.
  • Als bevorzugtes wärmeleitendes Pulver kann wie in Anspruch 2 angegeben zumindest eine Sorte von Pulver angegeben werden, die aus der Gruppe von Aluminiumoxidpulver (Al2O3), Aluminiumnitridpulver (AlN), kubischem Bornitridpulver (BN), isolierendem Siliziumcarbidpulver (SiC) und einem wärmeleitenden Verstärkungspulver (Capton) ausgewählt ist.
  • Als organisches Bindemittel wird wie in Anspruch 3 angegeben ein thermoplastisches Harz mit einer Glasumwandlungstemperatur von nicht weniger als 120°C bevorzugt, und typischerweise kann wie in Anspruch 4 angegeben ein thermoplastischeses Polyimid oder ein Flüssigkristallpolymer angegeben werden.
  • Wie in Anspruch 5 angegeben, kann so ein magnetischer Verbundkörper mit hoher Wärmeleitfähigkeit mit einem elektrisch leitenden Träger beschichtet sein, um als Unterdrückungskörper für elektromagnetische Störungen verwendet zu werden.
  • Weiterhin kann so ein magnetischer Verbundkörper mit hoher Wärmeleitfähigkeit auch wie in Anspruch 6 angegeben als Wärmeverteilungsbogen für eine elektronische Vorrichtung verwendet werden, oder er kann wie in Anspruch 7 angegeben einen Kühlkörper bilden, der auch zur Unterdrückung elektromagnetischer Störungen dient.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine schematische Schnittdarstellung, die eine Ausführungsform eines magnetischen Verbundkörpers nach der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 2 ist eine schematische Schnittdarstellung, die einen Unterdrückungskörper für elektromagnetische Störungen zeigt, der den magnetischen Verbundkörper von 1 verwendet.
  • 3 ist eine Seitenansicht einer elektronischen Vorrichtung, bei der der in 1 gezeigte magnetische Verbundkörper als Wärmeverteilungsbogen verwendet wird und zusammen mit einem Kühlkörper an einem IC-Gehäuse angebracht ist.
  • 4 zeigt ein IC-Gehäuse, an dem ein Wärmeverteilungsbogen aus dem in 1 gezeigten magnetischen Verbundkörper zusammen mit einem Kühlkörper angebracht ist, wobei (a) eine Seitenansicht und (b) eine Draufsicht auf den Wärmeverteilungsbogen ist.
  • 5 ist eine Seitenansicht, die ein IC-Gehäuse zeigt, an dem ein Wärmeverteilungsbogen aus dem in 1 gezeigten magnetischen Verbundkörper zusammen mit einem Abstrahler angebracht ist, der ein Wärmerohr verwendet.
  • 6 ist eine perspektivische Darstellung einer Schaltvorrichtung, an der ein Wärmeverteilungsbogen aus dem in 1 gezeigten magnetischen Verbundkörper zusammen mit einem Kühlkörper angebracht ist.
  • 7 ist eine perspektivische Darstellung einer Schaltvorrichtung, an der ein Kühlkörper aus dem in 1 gezeigten magnetischen Verbundkörper angebracht ist.
  • 8(a), (b) und (c) sind perspektivische Darstellungen, die verschiedene Strukturen von als Kühlkörper für IC-Gehäuse dienenden Kühlkörpern zeigen, die den in 1 gezeigten magnetischen Verbundkörper verwenden.
  • 9 ist eine Seitenansicht eines IC-Gehäuses, an dem der Kühlkörper nach 8(c) angebracht ist.
  • 10(a) und (b) sind jeweils eine Seitenansicht eines IC-Gehäuses, an dem ein Kühlkörper eines anderen Typs angebracht ist, und eine Draufsicht auf den Kühlkörper.
  • 11 zeigt Schnittansichten von Mustern, die zum Bewerten einer elektrischen Eigenschaft, einer Unterdrückungseigenschaft für elektromagnetische Störungen und einer Wärmeableitungseigenschaft eines magnetischen Verbundkörpers nach der vorliegenden Erfindung verwendet werden, wobei (a), (b) und (c) jeweils ein Muster, das nur aus dem magnetischen Verbundkörper besteht, ein geschichtetes Muster aus dem magnetischen Verbundkörper und einem elektrischen Leiter und ein Vergleichsmuster, das den magnetischen Verbundkörper nicht verwendet, zeigen.
  • 12 ist eine schematische Darstellung eines Bewertungssystems zum Messen eines Durchlaßwerts für jedes Muster nach 11.
  • 13 ist eine schematische Darstellung eines Bewertungssystems zum Messen eines elektromagnetischen Koppelwerts für jedes Muster nach 11.
  • BESTE ART ZUM AUSFÜHREN DER ERFINDUNG
  • Mit Bezug auf 1 ist in einem magnetischen Verbundkörper 1 nach der vorliegenden Erfindung ein flaches (oder nadelförmiges) weichmagnetisches Pulver 3 zum Absorbieren von elektromagnetischen Wellen in einem organischen Bindemittel 2 verteilt, und auch ein wärmeleitendes Pulver 4 ist darin verteilt.
  • Als organisches Bindemittel 2 kann ein thermoplastisches Harz wie z. B. ein Polyethylenharz, ein Polyesterharz, ein Polystyrolharz, ein Polyvinylchloridharz, ein Polyvinylbutyralharz, ein Polyurethanharz, ein Celluloseharz oder Nitril-Butadien-Gummi, ein Copolymer davon, ein Epoxyharz, ein Phenolharz, ein Amidharz oder ein Imidharz verwendet werden.
  • Zum Erzielen einer hohen Wärmebeständigkeit (oder Widerstandsfähigkeit gegen Heizeffekte) des magnetischen Verbundkörpers 1 ist es vorteilhaft, ein thermoplastisches Harz zu verwenden, das eine Glasumwandlungstemperatur von nicht weniger als 120°C aufweist. Es ist z. B. vorteilhaft, von thermoplastischem Polyimid und Flüssigkristallpolymer zumindest ein ausgewähltes zu verwenden.
  • Als weichmagnetisches Pulver 3 kann eine Fe-Al-Si-Legierung (Marke: Sendust) oder eine Fe-Ni-Legierung (Permalloy) verwendet werden. Es ist vorteilhaft, dass ein Seitenverhältnis des Pulvers hinreichend groß ist (ungefähr nicht weniger als 10 : 1).
  • Als wärmeleitendes Pulver 4 kann dagegen Aluminiumoxid (Al2O3), Aluminiumnitrid (AlN), kubisches Bornitrid (BN), Berilliumoxid (BeO), isolierendes Siliziumcarbid (SiC), ein wärmeleitendes Verstärkungspulver (Capton) oder dergleichen verwendet werden.
  • Wenn das thermoplastische Harz mit der Glasumwandlungstemperatur von nicht weniger als 120°C ohne Verwendung des wärmeleitenden Pulvers verwendet wird, hat ein gewonnener magnetischer Körper eine schlechte Wärmeleitfähigkeit, aber eine hervorragende Wärmebeständigkeit (oder Widerstandsfähigkeit gegen Heizeffekte) und kann somit zum Entfernen und Absorbieren unerwünschter elektromagnetischer Wellen direkt nahe einer Komponente mit hoher Wärmeerzeugung bereitgestellt oder angeordnet sein. Das ist jedoch keine Ausführungsform der Erfindung. Natürlich wird durch Schichten des magnetischen Verbundkörpers mit einem elektrischen Leiter auch eine Reflexion der elektromagnetischen Wellen erzielt, und die Wärmeleitfähigkeit wird verbessert.
  • Mit Bezug auf 2 ist ein Unterdrückungskörper für elektromagnetische Störungen 10 gezeigt, der die magnetischen Verbundkörper 1 von 1 verwendet.
  • Der Unterdrückungskörper für elektromagnetische Störungen 10 hat einen geschichteten Aufbau, bei dem die magnetischen Verbundkörper 1 auf beiden Seiten eines elektrisch leitenden Trägers 5 geschichtet sind. Auch wenn in der Zeichnung ein Beispiel gezeigt ist, bei dem ein elektrisch leitender Träger 5 verwendet wird, der aus einem Gewebe elektrisch leitender Fasern gebildet ist, kann er auch aus einer dünnen Platte eines elektrischen Leiters, einer Gitterplatte eines elektrischen Leiters, einer weichmagnetischen Metallplatte, einer weichmag netischen Metallgitterplatte, oder einem Gewebe aus weichmagnetischen Metallfasern aufgebaut sein. Er kann auch so angeordnet sein, dass nur auf einer Seite des elektrisch leitenden Trägers 5 eine Schicht des magnetischen Verbundkörpers 1 bereitgestellt ist.
  • Da ein Aufbau des Unterdrückungskörpers für elektromagnetische Störungen selbst und sein Betrieb zum Unterdrücken magnetischer Störungen detailliert in JP-A-7-212079 offenbart sind, unterbleibt deren Erklärung im Hinblick auf die vorliegende Erfindung.
  • Mit Bezug auf 3 ist ein IC-Gehäuse 12 auf einer Leiterplatte 11 als eine elektrische Komponente eines aktiven Elements angebracht. Zum Verbessern der Ableitung der erzeugten Hitze von dem IC-Gehäuse 12 ist über den magnetischen Verbundkörper 1 ein Kühlkörper 13 bereitgestellt. In diesem Aufbau wird die Wärme von dem IC-Gehäuse 12 durch den magnetischen Verbundkörper 1, der eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit aufweist, zu dem Kühlkörper 13 geleitet und von diesem abgestrahlt. Demzufolge wird eine Wärmeableitung von dem IC-Gehäuse 12 wirkungsvoll ausgeführt.
  • Insbesondere wird der magnetische Verbundkörper 1 als Wärmeverteilungsbogen (Wärmeableitungsbogen) verwendet. Da die elektromagnetischen Wellen von außerhalb und innerhalb des IC-Gehäuses 12 von dem magnetischen Verbundkörper 1 absorbiert werden, kann natürlich ein Einfluss durch äußere elektromagnetische Wellen oder ein Abstrahlen von elektromagnetischen Störungen nach draußen verhindert werden.
  • Als Wärmeverteilungsbogen kann anstelle des magnetischen Verbundkörpers 1 der Unterdrückungskörper 10 für elektromagnetische Störungen nach 2 verwendet werden. Um das anzudeuten, ist in 3 das Bezugszeichen 10, das den Unterdrückungskörper für elektromagnetische Störungen bezeichnet, in Klammern neben dem Bezugszeichen 1 dargestellt, das den magnetischen Verbundkörper bezeichnet.
  • 4 ist eine Abwandlung von 3. Ein Wärmeverteilungsbogen 20 aus dem magnetischen Verbundkörper 1 nach 1 ist mit Durchgangslöchern 21 ausgebildet, wie bei 21 in (b) derselben Zeichnung gezeigt. Eine Mehrzahl von Stiften 15, die sich von einem bei 15 in (a) derselben Zeichnung gezeigten Kühlkörper aus nach unten erstrecken, führen durch die Durchgangslöcher 21. Als Wärmeverteilungsbogen kann der Unterdrückungskörper für elektromagnetische Störungen 10 nach 2 verwendet werden.
  • Mit Bezug auf 5 ist ein Aufbau dargestellt, in dem ein Wärmeverteilungsbogen oder ein Block 22 auf dem IC-Gehäuse 12, der aus dem magnetischen Verbundkörper 1 nach 1 besteht, mit einem Loch ausgebildet ist, in den ein Wärmerohr 17 eines Abstrahlers 16 eingeführt ist. In diesem Aufbau wird Wärme von dem IC-Gehäuse über den Wärmeverteilungsbogen 22 und das Wärmerohr 17 zu dem Abstrahler 16 übertragen und von diesem abgestrahlt.
  • Mit Bezug auf 6 ist eine Vorrichtung gezeigt, bei der ein Kühlkörper 19 mit Rippen über einen Wärmeverteilungsbogen 23 aus dem magnetischen Verbundkörper 1 nach 1 an einem Schaltelement 18 angebracht ist.
  • Ein Kühlkörper kann selbst aus dem magnetischen Verbundkörper 1 gebildet sein. 7 zeigt dieses Beispiel. In derselben Zeichnung ist ein aus dem magnetischen Grundkörper 1 aufgebauter Kühlkörper 30 direkt mit dem Schaltelement 18 verbunden.
  • 8 zeigt verschiedene Formen von Kühlkörpern, die aus dem magnetischen Verbundkörper 1 gebildet sind. In der Zeichnung zeigt (a) einen Kühlkörper 31, der eine einfache Plattenform aufweist, (b) zeigt einen U-förmigen Kühlkörper 32, bei dem Flansche an beiden Enden einer Platte angebracht sind, und (c) zeigt einen Kühlkörper 33, der eine Schüsselform aufweist. Die Kühlkörper sind nicht nur aus dem magnetischen Verbundkörper 1 gebildet, sondern sie können auch unter Verwendung des Unterdrückungskörpers für elektromagnetische Störungen nach 2 ausgebildet sein.
  • 9 ist eine Seitenansicht, die den Zustand zeigt, in dem der Kühlkörper 33 nach 8(c) mit einem Kleber 40 an dem IC-Gehäuse 12 angebracht ist. Auch bei diesem Aufbau kann die erzeugte Wärme des IC-Gehäuses 12 wirkungsvoll abgestrahlt werden, und das Abstrahlen unter Eindringen der unerwünschten elektromagnetischen Wellen kann verhindert werden.
  • 10 ist eine Darstellung eines weiteren Aufbaus einer Wärmesenke, die den magnetischen Verbundkörper 1 nach 1 oder den Unterdrückungskörper für elektromagnetische Störungen 10 nach 2 verwendet.
  • Wie in (b) derselben Zeichnung dargestellt hat der Kühlkörper 34 einen solchen Aufbau, dass er einen U-förmigen Querschnitt hat und mit vielen Durchgangslöchern 35 versehen ist, die sich von seiner Vorderseite zu seiner Rückseite erstrecken. Bei diesem Aufbau wird die Ableitung der erzeugten Hitze von dem IC-Gehäuse 12 durch die Durchgangslöcher 35 gefördert.
  • Im folgenden werden Eigenschaften angegeben über Beispiele eines magnetischen Verbundkörpers nach der vorliegenden Erfindung und einen geschichteten Aufbau aus dem magnetischen Verbundkörper und einem Leiter.
  • Zunächst wurde ein unter (a) in 11 gezeigtes Plattenmuster 1 hergerichtet, das aus einem magnetischen Verbundkörper gebildet ist, der ein weichmagnetisches Pulver, ein organisches Bindemittel und ein wärmeleitendes Pulver mit einem in Tabelle 1 dargestellten Zusammensetzungsverhältnis umfasst. Die Größe wurde auf 3,8 cm × 10,2 cm eingestellt.
  • Insbesondere wurden ein weichmagnetisches Pulver, ein organisches Bindemittel und ein wärmeleitendes Pulver, die dem Verbindungsvorgang unterzogen wurden, zuerst in einem Kneter geknetet und von parallel angeordneten Walzen gewalzt, um einen magnetischen Verbundbogen mit einer Dicke von 0,5 mm herzustellen. Dann wurden zwei gewonnene Bögen zusammengefügt, um das Muster I mit einer Dicke von 1 mm zu gewinnen, das einen Aufbau hat wie unter (a) in 11 dargestellt.
  • Tabelle 1
    Figure 00110001
  • Das gewonnene Muster I wurde unter Verwendung eines Vibrationsmagnetometers und eines Rasterelektronenmikroskops analysiert, und es wurde herausgefunden, dass eine leicht zu magnetisierende Richtung und die Orientierung der magnetischen Partikel beide in einer Richtung in der Oberfläche dieser Schicht liegen.
  • Das dabei verwendete magnetische Pulver wurde in einer Atmosphäre eines aus N2 und O2 gemischten Gases mit 20% O2-Partialdruck gasphasenoxidiert, für zwei Stunden einer Wärmebehand lung in einer Atmosphäre von Ar bei 650°C unterworfen und mit Oxidschichten auf seinen Oberflächen überzogen.
  • Die Bögen I des oben erzielten magnetischen Verbundkörpers und eine dünne Kupferplatte 50 wurden zusammen geschichtet, um ein Muster II mit einem unter (b) in 11 gezeigten Aufbau herzustellen. Insbesondere wurde die extrem dünne Kupferplatte mit einer Dicke von 0,18 mm auf ihren beiden Seiten durch Bögen aus dem magnetischen Verbundkörper 1 eingefasst und zusammengeschichtet und dann durch die Walzen gewalzt, um die Gesamtdicke von 1 mm zu erzielen.
  • Weiterhin wurde als Vergleichsbeispiel ein Muster III mit einem Aufbau nach 11(c) hergerichtet. Insbesondere wurden Bögen eines Isolators 51 aus Polyvinylfluorid auf beiden Seiten einer extrem dünnen Kupferplatte 50 mit einer Dicke von 0,18 mm geschichtet, um die Gesamtdicke von 0,3 mm zu erzielen.
  • Dann wurden von den Mustern I bis III der Oberflächenwiderstand, die Durchgangsdämpfung, die Koppeldämpfung und der Wärmeableitungsbetrag bestimmt.
  • Zum Messen der Durchgangsdämpfung und der Koppeldämpfung wurde eine Vorrichtung wie in 12 und 13 dargestellt verwendet, bei der eine eine elektromagnetische Welle abstrahlende Mikroschleifenantenne 63 und eine ein elektromagnetisches Feld empfangende Mikroschleifenantenne 64 jeweils mit einem elektromagnetischen Signalgenerator 61 bzw. einer elektromagnetischen Feldstärkenmessvorrichtung 62 verbunden sind. Wie in 12 dargestellt, wurde die Durchgangsdämpfung gemessen, indem ein Muster 65 zwischen der die elektromagnetische Welle abstrahlenden Mikroschleifenantenne 63 und der das elektromagnetische Feld empfangenden Mikroschleifenantenne 64 angeordnet ist. Die Kupplungsdämpfung wurde. dagegen wie in 13 dargestellt gemessen, indem die die elektromagnetische Welle übertragende Mikroschleifenantenne 63 und die das elektromagnetische Feld empfangende Mikroschleifenantenne 64 gegen dieselbe Seite des Musters 65 gerichtet wurden.
  • An die elektromagnetische Feldstärkenmessvorrichtung 62 wurde ein nicht dargestellter Spektrumanalysator angeschlossen. Die Messung wurde bei Frequenzen von 100 bis 1.000 MHz durchgeführt, wobei als Referenz eine elektromagnetische Feldstärke in dem Zustand verwendet wurde, in dem das Muster 65 nicht vorhanden war.
  • Unter Verwendung eines wärmeleitenden Silikonklebebands (TERM ATTACH von Tayo Kanami Co., Ltd.) wurden die Muster 1 bis 3 auf eine Halbleitervorrichtung geklebt. Unter Verwendung eines Zustands, in dem kein Muster vorhanden war, als Referenz wurde der Wärmeableitungsbetrag durch einen Temperaturunterschied (ΔT) relativ zu der Mustertemperatur ausgedrückt. Der höhere Zahlenwert des Temperaturunterschieds stellt den höheren Ableitungseffekt dar. Die Messbedingung war so, dass kein Luftstrom auftrat, und die Umgebungstemperatur war 21 bis 24°C.
  • Die Messergebnisse sind in Tabelle 2 dargestellt.
  • Tabelle 2
    Figure 00130001
  • Aus Tabelle 2 ist ersichtlich, dass der magnetische Verbundkörper nach der vorliegenden Erfindung und der mit dem geschichteten Aufbau aus dem magnetischen Grundkörper und dem elektrischen Leiter (die Muster I und II) Eigenschaften mit mehr als Gleichheit aufweisen verglichen mit dem Vergleichsmuster (Muster III). Im Vergleich zwischen den Mustern I und II ist weiterhin ersichtlich, dass das Muster 1 eine ausgezeichnete Koppeldämpfung ausweist, während das Muster 2 einen ausgezeichneten Wärmeableitungswert aufweist.
  • INDUSTRIELLE ANWENDBARKEIT
  • Da nach der vorliegenden Erfindung ein magnetischer Verbundkörper gewonnen werden kann, der eine hervorragende Wärmebeständigkeit und Wärmeleitfähigkeit aufweist und Absorptionseigenschaften für elektromagnetische Wellen aufweist, kann er als Wärmeableitungsbogen und/oder Kühlkörper für eine elektronische Komponente oder Vorrichtung verwendet werden, so dass er die Wärmeableitung durchführt, während er das Abstrahlen oder Eindringen unerwünschter elektromagnetischer Wellen verhindert.

Claims (7)

  1. Magnetischer Verbundkörper, bei dem weichmagnetisches Pulver in einem organischen Bindemittel verteilt ist, dadurch gekennzeichnet, dass wärmeleitfähiges aber elektrisch isolierendes Pulver zusätzlich in dem organischen Bindemittel verteilt ist, wodurch der magnetische Verbundkörper eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweist.
  2. Magnetischer Verbundkörper nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das wärmeleitfähige aber elektrisch isolierende Pulver zumindest eine Sorte von Pulver ist, die aus der Gruppe von Aluminiumoxidpulver (Al2O3), Aluminiumnitridpulver (AlN), kubischem Bornitridpulver (BN), Berylliumoxidpulver (BeO), isolierendem Siliziumkarbidpulver (SiC) und einem wärmeleitenden Verstärkungspulver ausgewählt ist.
  3. Magnetischer Verbundkörper nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das organische Bindemittel ein thermoplastisches Harz mit einer Glasumwandlungstemperatur von nicht weniger als 120°C ist.
  4. Magnetischer Verbundkörper nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das organische Bindemittel zumindest eine Art von thermoplastischem Polyimid und Flüssigkristallpolymer ist.
  5. Ein Unterdrückungskörper für elektromagnetische Störungen, dadurch gekennzeichnet, dass Bögen aus einem magnetischen Verbundkörper nach einem der Ansprüche 1 bis 4 an beiden Seiten eines elektrisch leitenden Trägers geschichtet sind.
  6. Wärmeverteilungsbogen mit einem magnetischen Verbundkörper nach einem der Ansprüche 1 bis 4.
  7. Kühlkörper mit einem magnetischen Verbundkörper nach einem der Ansprüche 1 bis 4.
DE1997627207 1996-09-09 1997-09-09 Hoch warmeleitendes magnetisches mischmaterial Expired - Lifetime DE69727207T2 (de)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23772496 1996-09-09
JP23772496A JP3528455B2 (ja) 1996-09-09 1996-09-09 電磁干渉抑制体
JP26543896A JP3881730B2 (ja) 1996-09-12 1996-09-12 ヒートシンク及び放熱シート
JP26543896 1996-09-12
PCT/JP1997/003175 WO1998010632A1 (en) 1996-09-09 1997-09-09 Highly heat-conductive composite magnetic material

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69727207D1 DE69727207D1 (de) 2004-02-19
DE69727207T2 true DE69727207T2 (de) 2004-11-25

Family

ID=26533335

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1997627207 Expired - Lifetime DE69727207T2 (de) 1996-09-09 1997-09-09 Hoch warmeleitendes magnetisches mischmaterial

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6962753B1 (de)
EP (1) EP0866649B1 (de)
KR (1) KR100510921B1 (de)
CN (1) CN1179619C (de)
DE (1) DE69727207T2 (de)
TW (1) TW345667B (de)
WO (1) WO1998010632A1 (de)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001069693A (ja) * 1999-08-26 2001-03-16 Honda Motor Co Ltd 回転電機
JP2001126910A (ja) * 1999-10-25 2001-05-11 Tokin Corp 複合磁性体、複合磁性体シートおよびそれらの製造方法
BR0105555A (pt) 2000-03-03 2002-03-19 Sony Computer Entertainment Inc Dispositivo eletrônico blindado
JP4165045B2 (ja) * 2000-09-19 2008-10-15 松下電器産業株式会社 電子機器
US6498558B1 (en) * 2001-05-08 2002-12-24 Kelsey-Hayes Company Solenoid valve coil having an integrated bobbin and flux ring assembly
JP2002374092A (ja) 2001-06-15 2002-12-26 Polymatech Co Ltd 放熱性電波吸収体
US7323214B2 (en) * 2001-11-09 2008-01-29 Tdk Corporation Composite magnetic material electromagnetic wave absorbing sheet method for manufacturing sheet-like product and method for manufacturing electromagnetic wave absorbing sheet
GB2382469A (en) * 2001-11-23 2003-05-28 Marconi Optical Components Ltd Shielding for electromagnetic interference
US6903647B2 (en) 2002-05-08 2005-06-07 Kelsey-Hayes Company Solenoid valve coil having an integrated bobbin and flux ring assembly
JP2004079824A (ja) * 2002-08-20 2004-03-11 Fuji Xerox Co Ltd 磁心および磁場遮蔽部材、並びにこれらを用いた励磁コイル、トランス、電気機器、および電子写真装置
KR100704063B1 (ko) * 2003-07-07 2007-04-09 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 수지도장금속판(樹脂塗裝金屬板)
US7371471B2 (en) * 2004-03-08 2008-05-13 Nec Tokin Corporation Electromagnetic noise suppressing thin film
US20080012103A1 (en) * 2006-07-13 2008-01-17 Foster Robert H Emi absorbing gap filling material
JP5140302B2 (ja) * 2007-03-29 2013-02-06 ポリマテック株式会社 熱伝導性シート
JP5324105B2 (ja) * 2008-01-29 2013-10-23 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 構造化表面を有する感圧接着層を含む電磁干渉抑制シート
US20110245413A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Sumitomo Chemical Company, Limited Liquid-crystalline polymer composition and molded article thereof
JP2013115083A (ja) * 2011-11-25 2013-06-10 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体装置及びその製造方法
KR101503967B1 (ko) * 2011-12-08 2015-03-19 삼성전기주식회사 적층형 인덕터 및 그 제조방법
KR20130090121A (ko) * 2012-02-03 2013-08-13 삼성전자주식회사 기능성 시트
CN104694086A (zh) * 2013-12-04 2015-06-10 苏州环明电子科技有限公司 一种新型散热材料的配方及其制备方法
KR101878352B1 (ko) * 2013-12-31 2018-07-16 주식회사 아모그린텍 복합 시트 및 그를 구비한 휴대용 단말
KR101755327B1 (ko) * 2013-12-31 2017-07-10 주식회사 아모그린텍 복합 시트 및 그를 구비한 휴대용 단말
KR20150111469A (ko) * 2014-03-25 2015-10-06 (주)엘지하우시스 전자기파 차폐시트, 및 이의 제조방법
US9948150B2 (en) * 2014-09-08 2018-04-17 Baker Hughes Incorporated Systems and methods for constructing laminations for electric motors
US11229147B2 (en) 2015-02-06 2022-01-18 Laird Technologies, Inc. Thermally-conductive electromagnetic interference (EMI) absorbers with silicon carbide
CN105989988B (zh) * 2015-02-11 2018-10-30 华为技术有限公司 一种一体成型电感
KR101681409B1 (ko) * 2015-04-16 2016-12-12 삼성전기주식회사 코일 전자부품
CN107484400A (zh) * 2017-03-03 2017-12-15 倪进焕 一种具有高导热散热及吸波功能的复合材料及其制备方法和用途
JP6645487B2 (ja) 2017-10-30 2020-02-14 セイコーエプソン株式会社 プリント回路板
CN108242312B (zh) * 2017-12-15 2020-11-06 郑州轻工业学院 一种铁基软磁复合材料及其制备方法
JP2020009974A (ja) * 2018-07-11 2020-01-16 北川工業株式会社 熱伝導組成物
CN109550668B (zh) * 2018-10-19 2021-12-28 苏州铂韬新材料科技有限公司 一种导热吸波屏蔽三合一功能的复合薄膜及其制备方法
CN110911114B (zh) * 2019-11-29 2020-12-22 横店集团东磁股份有限公司 一种高导热无线充电接收端用复合隔磁片及其制备方法
KR102542423B1 (ko) 2020-09-23 2023-06-12 라이르드 테크놀로지스, 아이엔씨 열전도성 전자파 장해(emi) 흡수체

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4538151A (en) 1982-03-31 1985-08-27 Nippon Electric Co., Ltd. Electro-magnetic wave absorbing material
JPS5927596A (ja) * 1982-08-04 1984-02-14 日本特殊陶業株式会社 マイクロ波吸収体
US4543208A (en) * 1982-12-27 1985-09-24 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Magnetic core and method of producing the same
JPS59132196A (ja) 1983-01-18 1984-07-30 日立金属株式会社 電子回路
US4548862A (en) * 1984-09-04 1985-10-22 Minnesota Mining And Manufacturing Company Flexible tape having bridges of electrically conductive particles extending across its pressure-sensitive adhesive layer
JPS61284089A (ja) * 1985-06-07 1986-12-15 内藤 喜之 マイクロ波加熱装置用電磁波漏洩防止装置
JPH0640382B2 (ja) * 1986-10-20 1994-05-25 富士写真フイルム株式会社 磁気記録媒体
JPH0210800A (ja) 1988-06-29 1990-01-16 Fujitsu Ltd 放熱体
US5275880A (en) * 1989-05-17 1994-01-04 Minnesota Mining And Manufacturing Company Microwave absorber for direct surface application
DE3932882A1 (de) 1989-10-02 1991-04-11 Siemens Ag Gut waermeleitender verbundwerkstoff
JPH03292625A (ja) * 1990-04-10 1991-12-24 Fuji Photo Film Co Ltd 磁気記録媒体の製造方法
JPH04188861A (ja) 1990-11-22 1992-07-07 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 電子回路パッケージ
US5188907A (en) * 1991-01-03 1993-02-23 Konica Corporation Magnetic recording medium
JPH04266658A (ja) 1991-02-21 1992-09-22 Nissan Motor Co Ltd 自動変速機の変速制御装置
JPH056851U (ja) 1991-07-10 1993-01-29 沖電気工業株式会社 ヒートシンク
JPH0531294U (ja) 1991-09-30 1993-04-23 日本電気株式会社 プリント基板用ヒートシンク
CA2080177C (en) * 1992-01-02 1997-02-25 Edward Allan Highum Electro-magnetic shield and method for making the same
US5512363A (en) * 1992-02-13 1996-04-30 Konica Corporation Magnetic recording medium having a magnetic layer containing magnetic powder and an underlayer containing two kinds of non magnetic powder
JPH069195U (ja) 1992-07-03 1994-02-04 富士通株式会社 放熱構造
JPH0722600U (ja) 1992-12-11 1995-04-21 日本ケミコン株式会社 シールドケース
JPH0810730B2 (ja) 1993-02-24 1996-01-31 日本電気株式会社 パッケージのシールド構造
JPH0745758A (ja) 1993-08-03 1995-02-14 Akuteii:Kk ヒートシンクおよびその製造方法
DE4329155A1 (de) * 1993-08-30 1995-03-02 Bloesch W Ag Magnetfeldkathode
JPH07122824A (ja) 1993-10-22 1995-05-12 Mitsui Toatsu Chem Inc 電子回路パッケージ
JPH07153877A (ja) 1993-11-29 1995-06-16 Hitachi Ltd 発熱体の冷却装置
JP3528255B2 (ja) 1994-08-16 2004-05-17 Necトーキン株式会社 混成集積回路素子及びその製造方法
JP3401650B2 (ja) * 1994-01-20 2003-04-28 エヌイーシートーキン株式会社 電磁波干渉抑制体
FI117224B (fi) 1994-01-20 2006-07-31 Nec Tokin Corp Sähkömagneettinen häiriönpoistokappale, ja sitä soveltavat elektroninen laite ja hybridimikropiirielementti
JPH07335793A (ja) 1994-06-06 1995-12-22 Fuji Electric Co Ltd ヒートシンク
JP3505825B2 (ja) 1994-11-28 2004-03-15 三菱アルミニウム株式会社 ろう付け後に高い疲労強度を保持するAl合金製熱交換器フィン材
JP3401107B2 (ja) 1995-01-23 2003-04-28 松下電器産業株式会社 パッケージicのモジュール
JPH0951190A (ja) 1995-08-07 1997-02-18 Nippon Paint Co Ltd 広帯域電磁波吸収材

Also Published As

Publication number Publication date
TW345667B (en) 1998-11-21
CN1200867A (zh) 1998-12-02
KR20000064349A (ko) 2000-11-06
WO1998010632A1 (en) 1998-03-12
CN1179619C (zh) 2004-12-08
EP0866649A1 (de) 1998-09-23
DE69727207D1 (de) 2004-02-19
EP0866649A4 (de) 1999-12-15
US6962753B1 (en) 2005-11-08
KR100510921B1 (ko) 2005-10-25
EP0866649B1 (de) 2004-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69727207T2 (de) Hoch warmeleitendes magnetisches mischmaterial
DE69504377T2 (de) Mittel mit geringer elektromagnetischer Transparenz und Reflexion zur Unterdrückung von elektromagnetischen Interferenzen und damit versehene elektronische Vorrichtung
DE69608933T2 (de) Magnetisches Kompositartikel zur Unterdrückung von elektromagnetischen Interferenzen
DE69812022T2 (de) EMV-Belüftungseinsatz
DE69719950T2 (de) Emi schutzteil und vorrichtung damit
DE69934344T2 (de) Elektromagnetische Wellen, absorbierende wärmeleitende geformte Silikongel-Platte und deren Herstellungsverfahren
KR100267358B1 (ko) 복합자성체,이복합자성체를이용하는전자파간섭억제체,인쇄배선기판및전자장치와복합자성체를제조하기위한방법
DE69211518T2 (de) Elektromagnetische Abschirmstruktur und Verfahren zu deren Herstellung
DE69727373T2 (de) Halbleitervorrichtung
DE60100124T2 (de) Signalübertragungskabel mit auf dem Kabelmantel befindlichem geräuschabsorbierenden Magnetfilm hohen Verlustfaktors
DE69732290T2 (de) Produkt zur unterdrückung von elektromagnetischen interferenzen
DE102017127487A1 (de) Kabelloses-Batterie-Aufladen-Modul
DE69731730T2 (de) Magnetisches prepreg, verfahren zu dessen herstellung und diese prepreg verwendende leiterplatte
DE60106123T2 (de) HF-Strom-Abschirmung aus weichmagnetischem Werkstoff mit ausserordentlich komplexen Permeabilitätseigenschaften
DE112017001771T5 (de) Halbleitergehäuse mit EMI-Abschirmschicht
DE69814500T2 (de) Elektromagnetische Abschirmung Schicht zur Dämpfung der Wellen und deren Herstellung
JPH07212079A (ja) 電磁波干渉抑制体
DE102019118382A1 (de) Elektromagnetische Wellen absorbierende Verbundfolie
DE69737349T2 (de) Verbundmagnetband
DE60101756T2 (de) Leiterplatte mit körnigem magnetischem Film
DE102017123407A1 (de) Elektromagnetische Wellen absorbierender Körper und Verfahren zur Herstellung eines elektromagnetische Wellen absorbierenden Körpers
DE60218905T2 (de) Gegen-emi-komponente und gegen-emi-verfahren
DE202016008742U1 (de) Frequenzselektive Strukturen zur EMI - Abschwächung
DE19909569C2 (de) Zusammengesetzes Magnetband zur Sperrung von Strahlungsrauschen und Komponente zur Sperrung von Strahlungsrauschen
DE112017005682T5 (de) Halbleitereinheit und verfahren zur herstellung derselben sowie drahtlose datenübertragungsvorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition