JP3401650B2 - 電磁波干渉抑制体 - Google Patents

電磁波干渉抑制体

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JP3401650B2 JP00486494A JP486494A JP3401650B2 JP 3401650 B2 JP3401650 B2 JP 3401650B2 JP 00486494 A JP00486494 A JP 00486494A JP 486494 A JP486494 A JP 486494A JP 3401650 B2 JP3401650 B2 JP 3401650B2
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    • H05K9/0075—Magnetic shielding materials

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電磁波干渉抑制体に関
し、特に高周波領域において不要電磁波の干渉によって
生じる電磁障害を抑制するために用いられる電磁波干渉
抑制体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、デジタル電子機器をはじめ高周波
を利用する電子機器類が普及しており、中でも準マイク
ロ波帯域を使用する通信機器類の普及がめざましい。例
えば、携帯電話に代表される移動体通信機器は、特に小
型化・軽量化の要求が顕著であり、高密度実装化が最大
の技術課題の一つとなっている。
【０００３】したがって、過密に実装された電子部品類
やプリント配線には、信号処理速度の高速化も図られて
いるため、静電及び電磁結合による線間結合の増大化や
放射ノイズによる干渉などが生じ、電子機器類の正常な
動作を妨げる事態が少なからず生じている。
【０００４】このようないわゆる電磁障害に対して、従
来は回路の出力端子毎にローパスフィルタ等を接続し、
不要な高周波電流を抑制したり、問題となる回路を遠ざ
けるような方策を講じる等で電磁障害の原因となる電磁
結合、不要輻射や伝導ノイズ等を抑制していた。
【０００５】これら高周波電子機器のさらなる小型、軽
量化を実現する具体策として、例えば、一枚のプリント
配線基板に異なる回路を混在（例えば、電力回路と小信
号回路）させたり、回路ごとに小基板化し、それらを重
ね合わせて実装するといった手段が取られることが多く
なってきている。
【０００６】しかし、特に、複数の配線基板を重ね合わ
せて実装する場合においては、部品間や配線基板間の電
磁波干渉に由来する電磁障害の起こりうる可能性が極め
て高くなり、何等かの対策が不可欠となる。これらの配
線基板間における干渉の対策手段としては、一般に、導
電性のシールド材（銅板、アルミニウム板等）を配線基
板間に挿入することが行われている。配線基板では、部
品実装密度が高くなっているために、高周波磁界波はノ
イズ源に対して低インピーダンスとなっており、配線基
板の相互間隔も接近して配置されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た配線基板では、ノイズ源となる一方の配線基板に対向
する他方の配線基板に対しての遮蔽効果は期待できるも
のの、同じ基板面に対しては、不要輻射の反射が生じて
しまい、ノイズ源側の同一配線基板内での二次的な電磁
結合が助長されるという問題がある。
【０００８】それ故に本発明の課題は、電磁波の透過に
対しては、導電性のシールド材と同等の遮蔽効果をも
ち、電磁波の反射に対しては、少なくとも反射による電
磁結合を助長させることのない電磁波干渉抑制体を提供
することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、高周波
領域に於いて不要電磁波の干渉によって生じる電磁障害
を抑制する電磁波干渉抑制体であって、導電性支持体
と、該導電性支持体の少なくとも一方面に設けられた絶
縁性軟磁性体層とを有し、該絶縁性軟磁性体層は金属軟
磁性体粉末と有機結合剤を含み、前記金属軟磁性体粉末
が扁平状及び／又は針状の粉末であって、尚且つ前記絶
縁性軟磁性体層の磁化容易軸方向若しくは磁性粒子配向
方向が、前記導電性支持体と平行であることを特徴とす
る電磁波干渉抑制体が得られる。
【００１０】本発明によれば、高周波領域に於いて不要
電磁波の干渉によって生じる電磁障害を抑制する電磁波
干渉抑制体であって、導電性支持体と、該導電性支持体
の少なくとも一方面に設けられた絶縁性軟磁性体層とを
有すると共に、該絶縁性軟磁性体層の少なくとも一方面
に設けられた誘電体層を有し、前記絶縁性軟磁性体層は
扁平状及び／又は針状の金属軟磁性体粉末と有機結合剤
とを含み、尚且つ該絶縁性軟磁性体層の磁化容易軸方向
若しくは磁性粒子配向方向が、前記導電性支持体と平行
であり、前記誘電体層は誘電体粉末と有機結合剤とを含
むことを特徴とする電磁波干渉抑制体が得られる。
【００１１】また、本発明によれば、高周波領域に於い
て不要電磁波の干渉によって生じる電磁障害を抑制する
電磁波干渉抑制体であって、導電性支持体と、該導電性
支持体の少なくとも一方面に設けられた絶縁性軟磁性体
層とを有し、該絶縁性軟磁性体層は、扁平状及び／又は
針状の金属軟磁性体粉末、誘電体粉末、及び有機結合剤
を含み、尚且つ前記絶縁性軟磁性体層の磁化容易軸方向
若しくは磁性粒子配向方向が、前記導電性支持体と平行
であることを特徴とする電磁波干渉抑制体が得られる。
【００１２】また、本発明によれば、前記導電性支持体
が、導電体板、網目状導電体板、もしくは導電性繊維の
織物であることを特徴とする電磁波干渉抑制体が得られ
る。
【００１３】また、本発明によれば、前記導電性支持体
が、絶縁基材と該絶縁基材の少なくとも一方の面に蒸着
成膜された導電性膜とからなることを特徴とする電磁波
干渉抑制体が得られる。
【００１４】また、本発明によれば、前記導電性支持体
が、絶縁基材と該絶縁基材の少なくとも一方の面に蒸着
成膜された軟磁性金属薄膜からなることを特徴とする電
磁波干渉抑制体が得られる。
【００１５】また、本発明によれば、前記絶縁基材が前
記絶縁性軟磁性体層もしくは、前記誘電体層で代用され
ていることを特徴とする電磁波干渉抑制体が得られる。
【００１６】また、本発明によれば、前記導電性支持体
が、導電性微粉末と有機結合剤とからなることを特徴と
する電磁波干渉抑制体が得られる。
【００１７】また、本発明によれば、前記導電性支持体
が、絶縁基材と、該絶縁基材の少なくとも一方の面上に
設けられた導電体層とを有し、該導電体層は導電性微粉
末と有機結合剤とを含むことを特徴とする電磁波干渉抑
制体が得られる。
【００１８】また、本発明によれば、前記導電性支持体
が、軟磁性を有する導電性軟磁性支持体であることを特
徴とする電磁波干渉抑制体が得られる。
【００１９】また、本発明によれば、前記導電性軟磁性
支持体が、軟磁性金属板、網目状軟磁性金属板、もしく
は軟磁性金属繊維の織物であることを特徴とする電磁波
干渉抑制体が得られる。
【００２０】
【作用】本発明の電磁波干渉抑制体は、導電性基材（導
電性支持体）の片面もしくは両面に絶縁性の軟磁性体層
が設けられたものを基本構成としている。即ち、複数の
配線基板が重ね合って実装されている場合においては、
電磁波干渉抑制体を配線基板間に挿入することにより、
導電性基材がノイズ源となる一方の配線基板に対向する
他方の配線基板に対して遮蔽効果が働き電磁波干渉が抑
制される。
【００２１】一方、導電性基材を配線基板間に挿入する
ことにより生じる不要輻射の反射による電磁結合の増大
化は、軟磁性体粉末と有機結合剤からなる絶縁性軟磁性
体層により抑制される。この絶縁性軟磁性体層は、本
来、導電性物質である軟磁性金属を微細粉末化し、絶縁
性の有機結合剤と混練・分散することにより絶縁層とな
っていると共に、誘電体層の存在ないし誘電体粉末の軟
磁性層への混合により空間とのインピーダンス整合が図
られるため、軟磁性層表面での不要輻射の反射が起こり
難くなる。
【００２２】また、軟磁性体粉末の形状が偏平状もしく
は針状であるために、形状磁気異方性が出現し、高周波
領域にて磁気共鳴に基づく複素透磁率の増大化が生じ、
不要輻射成分が効率的に吸収、抑制される。
【００２３】
【実施例】次に、本発明の電磁波干渉抑制体の第１実施
例を図１を参照して説明すると、電磁波干渉抑制体Ａ
は、導電性支持体（もしくは軟磁性を有する導電性軟磁
性支持体）１と、この導電性支持体１の少なくとも一方
面（図１では両面）に設けられた絶縁性軟磁性体層２と
を有している。絶縁性軟磁性体層２は偏平状または／お
よび針状の軟磁性体粉末（金属軟磁性体粉末）３と有機
結合剤４とを含む。
【００２４】この電磁波干渉抑制体Ａにおいて、導電性
支持体１を構成要素とする場合には、例えば、導電性支
持体１を導電体板、網目状導電体板、もしくは導電性繊
維の織物のうちの一つを選択して用いる。また、導電性
軟磁性支持体１を構成要素とする場合には、導電性軟磁
性支持体１を軟磁性金属板、網目状軟磁性金属板、もし
くは軟磁性金属繊維の織物のうちの一つを選択して用い
る。
【００２５】第２実施例として本発明の電磁波干渉抑制
体Ａは、図２に示すように、導電性支持体（もしくは軟
磁性を有する導電性軟磁性支持体）１が、絶縁基材５と
この絶縁基材５の少なくとも一方の面に蒸着成膜された
導電性薄膜６とを含む。図２では、絶縁基材５の一方の
面に蒸着成膜された導電性薄膜６を実施例として示した
が、絶縁基材５の両面に導電性薄膜６を蒸着成膜しても
よい。なお、図示しないが、この導電性薄膜６上には、
図１に示した絶縁性軟磁性体層２と同様な絶縁性軟磁性
体層が設けられるものである。
【００２６】第３実施例を図２に基づき本発明の電磁波
干渉抑制体Ａの例を説明すると、電磁波干渉抑制体Ａ
は、導電性支持体（もしくは軟磁性を有する導電性軟磁
性支持体）１が、絶縁基材５とこの絶縁基材５の少なく
とも一方面に蒸着成膜された軟磁性金属薄膜７とを含
む。図２では、絶縁基材５の一方面に蒸着成膜された軟
磁性金属薄膜７を実施例として示したが、絶縁基材５の
両面に軟磁性金属薄膜７を蒸着成膜してもよい。なお、
図示しないが、この軟磁性金属薄膜７上には、図１に示
した絶縁性軟磁性体層２と同様な絶縁性軟磁性体層が設
けられるものである。
【００２７】第４実施例として本発明の電磁波干渉抑制
体Ａは、図３に示すように、導電性支持体１が導電性微
粉末８と有機結合剤４とからなる。この導電性支持体１
の少なくとも一方面には、図１で示した絶縁性軟磁性体
層２と同様な絶縁性軟磁性体層が設けられるものであ
る。
【００２８】第５実施例として本発明の電磁波干渉抑制
体Ａは、図４に示すように、導電性支持体１が、絶縁基
材５とこの絶縁基材５の少なくとも一方の面上に設けら
れた導電体層９とを有している。この導電性支持体１の
少なくとも一方の面には、図１で示した絶縁性軟磁性体
層２と同様な絶縁性軟磁性体層が設けられるものであ
る。
【００２９】第６実施例として本発明の電磁波干渉抑制
体Ａは、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、導電
性支持体（もしくは軟磁性を有する導電性軟磁性支持
体）１と、導電性支持体１の少なくとも一方面に設けら
れた絶縁性軟磁性体層２と、絶縁性軟磁性体層２の少な
くとも一方面に設けられた誘電体層１０とを有してい
る。絶縁性軟磁性体層２は偏平状（もしくは針状）の軟
磁性体粉末３と有機結合剤４とを含む。誘電体層１０
は、誘電体粉末１１と有機結合剤４とを含む。即ち、図
５（ａ）の電磁波干渉抑制体Ａは、導電性支持体１と誘
電体層１０との間に絶縁性軟磁性体層２が介在されてい
る。また、図５（ｂ）の電磁波干渉抑制体Ａは、導電性
支持体１と絶縁性軟磁性体層２との間に誘電体層１０が
介在されている。
【００３０】第７実施例として本発明の電磁波干渉抑制
体Ａは、図６に示すように、導電性支持体（もしくは軟
磁性を有する導電性軟磁性支持体）と、導電性支持体１
の少なくとも一方面に設けられた絶縁性軟磁性体層２と
を有している。絶縁性軟磁性体層２は、偏平状（もしく
は針状）の軟磁性体粉末３、誘電体粉末１１、及び有機
結合剤４を含む。
【００３１】本発明の一つの構成要素である導電性支持
体（もしくは導電性軟磁性支持体）１としては、銅薄
板、ステンレス薄板、アルミニウム薄板等の金属薄板、
及びそれらに微細な穴開け加工を施したいわゆるパンチ
ングメタル、或いは薄板に微細な切れ目を施した後に、
延伸加工したいわゆるエキスパンドメタル、或いは細線
状の導体を網目状に加工した金網等を使用できる。
【００３２】同様の形態にて材質のみが軟磁性を有する
パーマロイ或いは鉄−珪素鋼等に代えれば、特に比較的
低い周波数での電磁干渉抑制効果の高まりが期待できる
ので、用途に応じて選択するのが望ましい。
【００３３】本発明の構成要素のもう一つである絶縁性
軟磁性層２の形成に用いることのできる偏平状（もしく
は針状）の軟磁性体粉末３としては、高周波透磁率の大
きな鉄アルミ珪素合金（センダスト）、鉄ニッケル合金
（パーマロイ）をその代表的素材として挙げることがで
き、粉末のアスペクト比は十分に大きい（おおよそ５：
１以上）ことが望ましい。
【００３４】絶縁性軟磁性層２の形成に用いる有機結合
剤４としては、ポリエステル系樹脂、ポリ塩化ビニル系
樹脂、ポリビニルプチラール樹脂、ポリウレタン樹脂、
セルロース系樹脂、ニトリル−ブタジエン系ゴム、スチ
レン−ブタジエン系ゴム等の熱可塑性樹脂或いはそれら
の共重合体、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミド系
樹脂、イミド系樹脂等の熱硬化性樹脂等を挙げることが
できる。
【００３５】また、絶縁基材５として例えば、ポリイミ
ド基材等の片面もしくは両面に金属、磁性金属、導電性
カーボン、有機導電体等をスパッタ法、真空蒸着法、化
学蒸着（ＣＶＤ）法等の蒸着法により成膜した導電性基
材もしくは導電性磁性基材も本発明の支持体として用い
ることができる。
【００３６】また銀粉、銅粉等の金属微粉末もしくは導
電性カーボンブラック、導電性酸化チタン等を有機結合
剤４とともに混練、分散しこれをシート化したもの、或
いは直接シート化せずにポリイミド基材等の絶縁基材５
の片面もしくは両面にドクターブレード法、グラビアコ
ート法或いはリバースコート法等の手段により成膜した
ものを導電性支持体（もしくは導電性軟磁性支持体）１
として使用できる。
【００３７】さらに、第６実施例で述べた本発明のもう
一つの構成要素である誘電体層１０、もしくは絶縁性軟
磁性体層２の形成に用いることのできる誘電体粉末１１
としては、高周波領域での誘電率が大きく、かつ誘電率
の周波数特性が比較的平坦なものが好ましい。一例とし
て、チタン酸バリウム系セラミック、チタン酸ジルコン
酸系セラミック、鉛ペロブスカイト系セラミック等を挙
げることができる。
【００３８】次に、本発明の電磁波干渉制御体Ａによる
抑制効果の測定について以下に検証する。図７は、本発
明の電磁波干渉制御体Ａの一応用例であり、電磁波干渉
制御体Ａを互いに対向して配置された２つの配線基板２
１，２３間に実装した状態をを示している。
【００３９】配線基板２１，２３には各々複数個の電子
部品２４、２５、２６が実装され、配線基板２１，２３
の電子部品２４、２５、２６同士が向かい合うように配
線基板２１，２３が対向配置されている。配線基板２
１，２３の電子部品２４、２５、２６の間隔は、おおよ
そ２ｍｍ以下である。電磁波干渉抑制体Ａは配線基板２
１，２３間に挿入される。本発明の効果を検証するにあ
たっては、図７に示した電磁環境を想定し、以下の抑制
効果評価系を準備した。
【００４０】図８（ａ）及び図８（ｂ）は電磁波干渉抑
制体Ａの特性評価系を示す。図８（ａ）は、透過レベル
［ｄＢ］を測定するための評価系であり、図８（ｂ）
は、結合レベル［ｄＢ］を測定するための評価系であ
る。各々の場合とも、電磁界波源用発振器２８及び電磁
界強度測定器（受信用素子）２９には、ループ径２ｍｍ
以下の電磁界送信用微小ループアンテナ３１，電磁界受
信用微小ループアンテナ３２を用いている。透過レベル
もしくは結合レベルの測定にはネットワークアナライザ
（図示せず）を使用した。
【００４１】［検証例１］導電性支持体１として２４メ
ッシュのステンレス網を用い、この導電性支持体１の両
面に乾燥、硬化後の全厚寸法が１．２ｍｍとなるように
下記の＜組成１＞の配合からなる軟磁性体ペーストをド
クターブレード法により塗工し、８５℃にて２４時間キ
ュアリングを行い評価用試料を得た。なお、得られた
評価用試料を振動型磁力計並びに走査型電子顕微鏡を
用いて解析したところ、磁化容易軸及び磁性粒子配向方
向は試料面内方向であった。
【００４２】 ＜組成１＞ 偏平状軟磁性体微粉末 …… ９０重量部 組 成：Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金 平均粒径：１０μｍ アスペクト比：＞５ 有機結合剤 ポリウレタン樹脂 …… ８重量部 硬化剤（イソシアネート化合物） …… ２重量部 溶剤（シクロヘキサノンとトルエンとの混合物） …… ４０重量部 ［検証例２］導電性支持体１として［検証例１］のステ
ンレス網を用いる代わりに、軟磁性を有する２４メッシ
ュのパーマロイ網（５２Ｎｉ−Ｆｅ）を用いた以外は、
［検証例１］と同様にして評価用試料を得た。
【００４３】［検証例３］導電性支持体１として７５μ
ｍのポリイミドフィルムの両面に厚さが３μｍのアルミ
ニウムをスパッタ成膜したものを用いた以外は、［検証
例１］と同様にして評価用試料を得た。
【００４４】［検証例４］導電性支持体１として７５μ
ｍのポリイミドフィルムの両面に下記の＜組成２＞の銀
ペーストを乾燥、硬化後の厚さが６μｍとなるようにド
クターブレード法にて成膜したものを用いた以外は、
［検証例１］と同様にして評価用試料を得た。
【００４５】 ＜組成２＞ 銀微粉末 …… ９５重量部 平均粒径：３μｍ 有機結合剤 ポリビニルブチラール樹脂 …… ４重量部 硬化剤（イソシアネート化合物） …… １重量部 溶剤（エチルセルソルブ） …… ３５重量部 ［検証例５］導電性支持体として、２４メッシュのステ
ンレス網を用い、この両面に乾燥、硬化後の全厚が１．
０ｍｍとなるように以下の＜組成３＞からなる軟磁性体
ペーストをドクターブレード法により塗工し、８５℃に
て２４時間キュアリングを行った。その後、得られた軟
磁性体層上に以下の＜組成４＞からなる誘電体ペースト
を乾燥、硬化後の厚さが片面当たり１００μｍとなるよ
うにドクターブレード法により塗工し、８５℃にて２４
時間キュアリングを行い、評価用試料を得た。
【００４６】なお、得られた評価用試料を振動型磁力
計並びに走査型電子顕微鏡を用いて解析したところ、磁
化容易軸及び磁性粒子配向方向は試料面内方向であっ
た。
【００４７】 ＜組成３＞ 偏平状軟磁性体微粉末 …… ９０重量部 組 成：Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金 平均粒径：１０μｍ アスペクト比：＞５ 有機結合剤 ポリウレタン樹脂 …… ８重量部 硬化剤（イソシアネート化合物） …… ２重量部 溶剤（シクロヘキサノンとトルエンとの混合物） …… ４０重量部 ＜組成４＞ チタン酸バリウム粉末 …… ９０重量部 平均粒径：７μｍ 有機結合剤 ポリウレタン樹脂 …… ８重量部 硬化剤（イソシアネート化合物） …… ２重量部 溶剤（シクロヘキサノンとトルエンとの混合物） …… ４５重量部 ［検証例６］導電性支持体１として、２４メッシュのス
テンレス網を用い、この両面に乾燥、硬化後の全厚が
１．２ｍｍとなるように以下の＜組成５＞からなる誘電
体粉末含有軟磁性体ペーストをドクターブレード法によ
り塗工し、８５℃にて２４時間キュアリングを行い評価
用試料を得た。
【００４８】 ＜組成５＞ 偏平状軟磁性体微粉末 …… ７０重量部 組 成：Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金 平均粒径：１０μｍ アスペクト比：＞５ チタン酸バリウム粉末 …… ２０重量部 平均粒径：７μｍ 有機結合剤 ポリウレタン樹脂 …… ８重量部 硬化剤（イソシアネート化合物） …… ２重量部 溶剤（シクロヘキサノンとトルエンとの混合物） …… ４５重量部 ［比較例１］厚さが１００μｍの銅板を比較用試料と
した。
【００４９】［比較例２］略球状の形状を有し、平均粒
径が３０μｍの鉄粉８０重量部をニトリルゴム２０重量
部に練り込み、厚さ１．２ｍｍのシート状を形成し、こ
れを比較用試料とした。
【００５０】評価用試料〜及び比較用試料及び
の透過レベル及び結合レベルを図８（ａ）及び図８
（ｂ）に示す評価系にて測定した結果を図９（ａ）及び
図９（ｂ）、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示す。図
９（ａ）及び図９（ｂ）は、比較用試料及びの電磁
波干渉抑制効果の周波数特性を示し、図９（ａ）は透過
レベル［ｄＢ］の周波数ｆ［ＧＨｚ］特性である。ここ
で、透過レベルの基準は、電磁波干渉抑制体Ａがない状
態の電磁界強度とした。図９（ｂ）は結合レベル［ｄ
Ｂ］の周波数ｆ［ＧＨｚ］特性である。ここで、結合レ
ベルの基準は、電磁波干渉抑制体Ａがない状態の電磁界
強度とした。
【００５１】図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、評価用
試料、、及びの電磁波干渉抑制効果の周波数特
性を示し、図１０（ａ）は透過レベル［ｄＢ］の周波数
ｆ［ＧＨｚ］特性である。ここで、透過レベルの基準
は、電磁波干渉抑制体Ａがない状態の電磁界強度とし
た。図１０（ｂ）は結合レベル［ｄＢ］の周波数ｆ［Ｇ
Ｈｚ］特性である。ここで、結合レベルの基準は、電磁
波干渉抑制体Ａがない状態の電磁界強度とした。図１１
には、評価用試料〜及び比較用試料及びの周波
数８００ＭＨｚにおける透過レベル及び結合レベルを示
した。
【００５２】図９（ａ）及び図９（ｂ）からも判るよう
に、導体（銅箔板）のみの場合［比較例１］では、透過
レベルは大幅に低下するものの、結合レベルが増大して
しまい問題である。
【００５３】一方、比較例２の軟磁性で形状異方性のほ
とんどない球状鉄粉をゴムに分散させたものでは、結合
レベルが低下する傾向を示しているものの、透過減衰が
ほとんどなく干渉抑制の効果は極めて薄い。
【００５４】これら従来の電磁波干渉抑制体の結果に対
して、本発明の電磁波干渉抑制体Ａ（［検証例１］〜
［検証例６］）においては、図１０（ａ）、図１０
（ｂ）及び図１１からも明白なように、透過レベルが十
分低くなっているとともに、結合レベルも増大すること
がない。
【００５５】したがって、たとえば、図７に示したよう
な複数の電子部品２４、２５、２６を実装する配線基板
２１、２３が重ね合わされるように存在する電子機器等
において、各々の配線基板２１、２３間に挿入すること
で同一配線基板２１、２３の電磁波干渉を抑制すること
が可能となる。
【００５６】
【発明の効果】以上、実施例により説明したように、導
電性支持体もしくは導電性軟磁性支持体の少なくとも一
方面に、偏平もしくは針状の軟磁性体粉末と有機結合剤
からなる絶縁性軟磁性体層を設けてなる電磁波干渉抑制
体は、導体を挿入したことにより生じる不要輻射の反射
を増大化させることなく透過減衰を大きく確保すること
ができ、移動体通信機器をはじめとする高周波電子機器
類内での電磁波干渉を抑止することが可能となる。
【００５７】なお、本発明の電磁波干渉抑制体は、その
構成要素からわかるように容易に可撓性を付与すること
が可能であり、複雑な形状への対応や厳しい耐振動、衝
撃要求への対応が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電磁波干渉抑制体の第１実施例を示す
一部断面図である。
【図２】本発明の電磁波干渉抑制体における導電性支持
体の第２実施例、及び第３実施例を共通の構成で示す一
部断面図である。
【図３】本発明の電磁波干渉抑制体における導電性支持
体の第４実施例を示す一部断面図である。
【図４】本発明の電磁波干渉抑制体における導電性支持
体の第５実施例を示す一部断面図である。
【図５】本発明の電磁波干渉抑制体の第６実施例を示
し、（ａ）及び（ｂ）は導電性支持体上に設けられる２
つの層が互いに逆の関係になるように設けられた状態の
例を示す各一部断面図である。
【図６】本発明の電磁波干渉抑制体の第７実施例を示す
一部断面図である。
【図７】本発明の電磁波干渉抑制体を配線基板間に実装
した状態の応用例を示す概略断面図である。
【図８】電磁波干渉抑制体の特性評価に用いた評価系を
示し、（ａ）は透過レベルを測定するための評価系概略
図、（ｂ）は結合レベルを測定するための評価系概略図
である。
【図９】比較用試料を図８（ａ）及び図８（ｂ）の評価
系にて測定した電磁波干渉抑制効果の周波数依存性を示
し、（ａ）は透過レベルの周波数特性グラフ、（ｂ）は
結合レベルの周波数特性グラフである。
【図１０】評価用試料を図８（ａ）及び図８（ｂ）の評
価系にて測定した電磁波干渉抑制効果の周波数依存性を
示し、（ａ）は透過レベルの周波数特性グラフ、（ｂ）
は結合レベルの周波数特性グラフである。
【図１１】評価用試料及び比較用試料について、周波数
８００ＭＨｚにおける各試料の透過レベル及び結合レベ
ルを示すグラフである。
【符号の説明】
１ 導電性支持体（導電性軟磁性支持体） ２ 絶縁性軟磁性体層 ３ 軟磁性体粉末 ４ 有機結合剤 ５ 絶縁基材 ６ 導電性薄膜 ７ 軟磁性金属薄膜 ８ 導電性微粉末 ９ 導電体層 １０ 誘電体層 １１ 誘電体粉末 ２１、２３ 配線基板 ２４、２５、２６ 電子部品 ２８ 電磁界波源用発振器 ２９ 電磁界強度測定器 ３１ 電磁界送信用微小ループアンテナ ３２ 電磁界受信用微小ループアンテナ Ａ 電磁波干渉抑制体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 稲部 敏久 宮城県仙台市太白区郡山六丁目７番１号 株式会社トーキン内 (72)発明者 戸川 斉 神奈川県川崎市高津区子母口398番地 株式会社トーキン内 (56)参考文献 特開 平５−27059（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−340299（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−89461（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−246900（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−101499（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−47796（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−158593（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−82799（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−150098（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−137057（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−77684（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−169198（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−217082（ＪＰ，Ａ) 実開 平３−20498（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭61−47626（ＪＰ，Ｕ) 特公 昭56−20720（ＪＰ，Ｂ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 9/00 H01F 1/12 - 1/375

Claims (11)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 高周波領域に於いて不要電磁波の干渉に
    よって生じる電磁障害を抑制する電磁波干渉抑制体であ
    って、導電性支持体と、該導電性支持体の少なくとも一
    方面に設けられた絶縁性軟磁性体層とを有し、該絶縁性
    軟磁性体層は金属軟磁性体粉末と有機結合剤を含み、前
    記金属軟磁性体粉末が扁平状及び／又は針状の粉末であ
    って、尚且つ前記絶縁性軟磁性体層の磁化容易軸方向若
    しくは磁性粒子配向方向が、前記導電性支持体と平行で
    あることを特徴とする電磁波干渉抑制体。
  2. 【請求項２】 高周波領域に於いて不要電磁波の干渉に
    よって生じる電磁障害を抑制する電磁波干渉抑制体であ
    って、導電性支持体と、該導電性支持体の少なくとも一
    方面に設けられた絶縁性軟磁性体層とを有すると共に、
    該絶縁性軟磁性体層の少なくとも一方面に設けられた誘
    電体層を有し、前記絶縁性軟磁性体層は扁平状及び／又
    は針状の金属軟磁性体粉末と有機結合剤とを含み、尚且
    つ該絶縁性軟磁性体層の磁化容易軸方向若しくは磁性粒
    子配向方向が、前記導電性支持体と平行であり、前記誘
    電体層は誘電体粉末と有機結合剤とを含むことを特徴と
    する電磁波干渉抑制体。
  3. 【請求項３】 高周波領域に於いて不要電磁波の干渉に
    よって生じる電磁障害を抑制する電磁波干渉抑制体であ
    って、導電性支持体と、該導電性支持体の少なくとも一
    方面に設けられた絶縁性軟磁性体層とを有し、該絶縁性
    軟磁性体層は、扁平状及び／又は針状の金属軟磁性体粉
    末、誘電体粉末、及び有機結合剤を含み、尚且つ前記絶
    縁性軟磁性体層の磁化容易軸方向若しくは磁性粒子配向
    方向が、前記導電性支持体と平行であることを特徴とす
    る電磁波干渉抑制体。
  4. 【請求項４】 請求項１，２又は３記載の電磁波干渉抑
    制体であって、前記導電性支持体が、導電体板、網目状
    導電体板、もしくは導電性繊維の織物であることを特徴
    とする電磁波干渉抑制体。
  5. 【請求項５】 請求項１，２又は３記載の電磁波干渉抑
    制体であって、前記導電性支持体が、絶縁基材と該絶縁
    基材の少なくとも一方面に蒸着成膜された導電性膜とか
    らなることを特徴とする電磁波干渉抑制体。
  6. 【請求項６】 請求項１，２又は３記載の電磁波干渉抑
    制体であって、前記 導電性支持体が、絶縁基材と該絶縁
    基材の少なくとも一方の面に蒸着成膜された軟磁性金属
    薄膜からなることを特徴とする電磁波干渉抑制体。
  7. 【請求項７】 請求項５又は６記載の電磁波干渉抑制体
    であって、前記絶縁基材が請求項１、２又は３記載の前
    記絶縁性軟磁性体層もしくは、請求項２記載の前記誘電
    体層で代用されていることを特徴とする電磁波干渉抑制
    体。
  8. 【請求項８】 請求項１，２又は３記載の電磁波干渉抑
    制体であって、前記導電性支持体が、導電性微粉末と有
    機結合剤とからなることを特徴とする電磁波干渉抑制
    体。
  9. 【請求項９】 請求項１，２又は３記載の電磁波干渉抑
    制体であって、前記導電性支持体が、絶縁基材と、該絶
    縁基材の少なくとも一方の面上に設けられた導電体層と
    を有し、該導電体層は導電性微粉末と有機結合剤とを含
    むことを特徴とする電磁波干渉抑制体。
  10. 【請求項１０】 請求項１，２又は３記載の電磁波干渉
    抑制体であって、前記導電性支持体が、軟磁性を有する
    導電性軟磁性支持体であることを特徴とする電磁波干渉
    抑制体。
  11. 【請求項１１】 請求項１０記載の電磁波干渉抑制体で
    あって、前記導電性軟磁性支持体が、軟磁性金属板、網
    目状軟磁性金属板、もしくは軟磁性金属繊維の織物であ
    ることを特徴とする電磁波干渉抑制体。
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