KR100329677B1 - 전자기파간섭억제체 - Google Patents

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Abstract

전자기 간섭 억제체는 바람직하지 않은 전자기파에 의한 전저자기파 간섭을 억제하기 위해 제공된다. 본체는 적어도 하나의 표면상에 제공된 전도지지체 및 부전도 연질 자기층을 포함한다. 상기 전자기파 간섭 억제체는 회로기판 및 회로기판상에 장착된 능동소자를 포함하는 전자장치에서 사용될 수 있으며, 그리고 능동소자에서 발생된 유도잡음에 의한 간섭을 억제하기 위해서 회로기판 및 능동소자사이에 삽입된다. 상기 전자기파 간섭 억제체는 회로기판상에 장착된 능동소자 및 수동소자를 가진 하이브리드 집적회로 소자에서 또한 사용될 수 있다. 상기 하이브리드 집적회로 소자는 부전도층 및 상기 부전도층의 외부표면상에 놓인 전자기파 간섭 억제체에 의해 입혀져서 밀봉된다.

Description

전자기파 간섭 억제체
본 발명은 어떤 쓸모없는 또는 바람직하지 않은 전자기파 또는 파에 대한 전자기 간섭을 억제하기 위한 전자기파 간섭 억제체에 관한 것이며, 또한 전자기파 간섭 억제체를 사용한 전기회로장치에 관한 것이다.
디지탈 및 고주파수 전기회로장치에 있어서, 작은 크기 및 가벼운 무게는 매우 바람직하며, 전자부품을 고밀도를 가진 전기회로장치는 물론 인쇄회로기판상에 장착하는 것은 필요하다.
전자부품 및 전도선이 회로기판상에 장착될때, 전자기파 간섭은 전자부품 및 배선전도 사이에 정전기결합 및 자기결합에 의해 발생한다. 더욱이, 만일 다수의 회로기판이 서로에 인접하여 배열된다면, 전자기파 간섭은 인접회로 기판 사이에서 발생된다. 특히, 전자기 간섭은 바람직하지 않은 전자기파 또는 유도잡음 때문에 반도체 장치가 회로기판 또는 기판상에 장착된 것과 같은 능동요소일 때 크다.
종래의 기술에 있어서, 전자기파 간섭의 억제는 회로기판 각각의 출력단자에서 저역필터 또는 잡음필터에 의해서, 또는 간격을 두어 문제의 회로를 억제함으로써 해결됐다. 그러나, 이같은 것은 상기 필터 또는 필터를 배열한 공간 및 간격을제공한 공간을 필요로 한다. 결과적으로, 상기 장치는 크기 및 무게를 크게 만든다.
인접 회로기판 사이에 전자기파 결합을 억제하기 위해서, 전도차페부재가 회로기판 사이에 배열된다. 그러나, 차폐부재는 하나의 기판으로부터 바람직하지 않은 방사의 반사를 막을 수 없다. 그러므로, 상기 반사는 회로기판의 부품 사이의 자기결합을 증가시킨다.
하리브리드 집적회로 소자는 고밀도 및 작은크기의 전자회로소자로 공지되며, 일반적으로 전기회로장치의 모기판(mother board) 및 기판에 장착된다. 본 조건에 있어서, 하이브리드 집적회로요소는 전자기파 간섭으로 또한 나빠진다.
부품 또는 회로기판 사이의 넓은 간격없이, 그리고 저역필터 또는 잡음필터의 사용없이, 동일한 회로기판의 부품 사이에 결합을 억제하기 위한 본체에 의해 바람직하지 않은 방사에 의한 반사를 억제하는 것 뿐만 아니라, 그곳에 인접한 다른 회로기판으로부터 회로기판을 차단할 수 있는 저전자기 투명성 및 저 전자기 반사를 가진 전자기파 간섭 억제체를 제공하는 것이 본 발명의 목적이다.
회로기판상에 확장한 회로부품 및 배선 사이의 결합을 억제하기 위한 전자회로부품 및 회로기판 사이의 공간에 배열된 저 전자기파 간섭과 저 전자기파 반사를 가진 전자기파 간섭 억제체를 가진 전기회로장치를 제공하는 것이 본 발명의 다른 목적이다.
더욱이, 어느 외부요소 및 어느 내부요소에 의해 발생된 전자기파 간섭을 억제할 수 있는 저전자기파 투명성 및 저 전자기파 반사를 가진 전자기파 간섭억제체에 의해 보호된 하이브리스 집적회로 소자를 제공하는 것이 본 발명의 목적이다.
본 발명에 따르면, 바람직하지 않은 전자기파에 의한 전자기파 간섭을 억제하기 위한 전자기파 간섭 억제체는 전도지지요소의 적어도 하나의 표면상에 놓인 전도지지체 및 부전도 연질 자기층을 포함한 것에 의해 얻어질 수 있다.
더욱이, 본 발명에 따르면, 전자장치는 유도잡음을 발생시키는 능동소자를 가진 회로기판을 포함하는 것에 의해 얻어지며, 전자기파 간섭 억제체는 회로기판 및 능동소자 사이에 삽입되며, 전도지지체의 적어도 하나의 표면상에 놓인 전도지지체 및 부전도 연질 자기층을 포함한다.
더 상세히, 본 발명에 따르면, 하리브리드 집적회로는 회로기판, 회로 기판상에 장착된 능동소자 및 수동소자를 가진것에 의해 얻어지며, 그리고 능동소자, 수동소자, 그리고 회로기판은 절연층에 의해 씌워져서 밀봉되며, 부전도 연질 자기층은 연질 자기 전력 및 유기결합제를 포함하며, 절연층의 외부표면상에 놓이는 것을 특징으로 한다.
제 1도를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전자기파 간섭 억제체는 아래에 기술된다. 도시된 전자기파 간섭 억제체(100)는 전도지지체(1) 및 적어도 하나의 표면상에 장착된 부전도 연질 지지층(2)(두개의 층(2)은 제 1도에서 양쪽에 도시된다)을 포함한다. 부전도 연질 자기층(2)은 평판모양 또는 바늘 같은 모양을 가진 각각의 입자의 연질 자기 파우더(3)와 연질 자기 파우더(3)가 일정하게 분산된 유기결합제(4)를 포함한다.
전도지지체(1)를 사용하기 위해서, 전도지지체는, 예를들어, 전도판, 전도메시판, 그리고 방직전도섬유로 선택된다. 연질 자기 특성을 가진 전도 지지체(1)를 사용하기 위해서, 상기 요소는, 예를들어 연질 자기 금속 네팅(netting)판, 그리고 직물 연질 자기금속 섬유로 또한 선택된다.
제 2도에서 도시된 본 발명의 제 2 실시예에 따른 전자기파 간섭 억제체(100)에 있어서, 연질 자기 특성을 가진 또는 가지지 않은 전도지지체(1)는 부전도 또는 절연대 부재(5) 및 부전도대 부재(5)의 적어도 하나의 표면상에서 증발에 의해 형성된 얇은 전도층(6)을 포함한다. 비록 얇은 두 전도층(6)이 제 2도의 양쪽 표면에 도시될지라도, 상기 얇은 전도층(6)은 부전도 부재(5)중의 하나의 표면상에 형성된다. 제 1도에서 도시된 상기 층(2)와 유사한 부전도 연질 자기층(2)은 얇은 전도층(6)상에 놓여 제공된다.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 얇은 연질 자기 금속층(7)은 제 2도에서 전도층(6)을 대신해서 사용될 수 있다. 비록 얇은 연질 자기 금속층(7)은 부전도대 부재(5)의 각각의 양쪽 표면상에서 증발에 의해 형성될지라도, 얇은 단일 연질 자기금속층(7)은 그것의 한쪽 표면상에 형성될 수 있다.
제 3도에서 도시된 본 발명의 제 4실시예에 따른 전자기파 간섭 억제체(100)에 있어서, 전도지지체(1)는 그곳에서 분산된 유기결합제(4) 및 전도파우더(8)를 포함한다. 제 1도에서 도시된 상기층(2)과 유사한 부전도 연질 자기층(2)은 전도지지체(1)의 적어도 하나의 표면상에 놓인다.
제 4도에서 도시된 본 발명의 제 5 실시예에 따른 전자기파 간섭 억제체(100)에 있어서, 전도지지체(1)는 부전도대 부재(5) 및 전도층(9)의 적어도하나의 표면상에 놓인 전도층(9)을 포함한다. 제 1도에서 도시된 상기층(2)과 유사한 부전도 연질자기층은 전도지지체(1)의 적어도 하나의 표면상에 놓여 형성된다.
제 5도를 참조하면, 제 6 및 제 7 실시예의 전자기파 간섭 억제체(100)는 전도지지요소(1), 전도지지체(1)의 적어도 하나의 표면상에 놓인 부전도 연질자기층(2) 및 부전도 연질 자기층(2)의 표면상에 놓인 유전체층(10)을 포함한다. 부전도 연질 자기층(2)은 평판모양 또는 바늘같은 모양을 가진 입자의 연질 자기파우더(5), 그리고 유기결합제(4)를 포함한다. 유전체층(10)은 유전체 파우더 및 유기결합제(4)를 포함한다.
제 6도에서 제 6 실시예를 도시한 전자기파 간섭 억제체(100)는 제 5 도의 제 6 실시예와 유사하나, 유전체층(10)이 전도지지체(1) 및 부전도 연질 자기층(2) 사이에 삽입되는 점이 다르다.
제 7도를 참조하면, 제 8 실시예의 도시된 전자기파 간섭 억제체(100)는, 전도지지체(1) 및 전도지지체(1)의 적어도 하나의 표면상에 놓인 부전도 연질자기층(2)을 포함한다. 부전도 연질자기층(2)은 평판모양 또는 바늘같은 모양을 가진 각각의 입자의 연질 자기파우더(2), 그리고 유기결합제를 포함한다.
앞서 기술된 실시예에 있어서, 전도지지체(1)는 전도판, 전도메시판, 그리고 직물 전도 섬유로 선택된다. 더욱이, 전도지지체(1)는 연질 자기특성을 가질 수 있으며, 연질 자기 금속판, 연질 자기 금속 메시판, 그리고 직물연질 자기 금속 섬유로 선택될 수 있다.
전도지지체(1)에 대해 사용된 예는 다음과 같다; 얇은 구리판, 얇은 스테인레스판, 그리고 얇은 금속판과 같은 얇은 금속판에 있어서, 펀치금속은 구멍이 뚫린 곳을 통해 얇은 금속판을 만들며, 확장금속판은 구멍을 형성하여 확장된 곳을 통해서 상기 얇은 금속판을 만들며, 그리고 금속 그리드(grid) 또는 네팅(netting)은 그리드 또는 네트에서 섬유전도체로 만든다.
전도지지체는 연질 자기 특성을 가질 수 있으며 피어말로이 또는 실리콘 철과 같은 물질로 만들어지며, 앞에서 기술된 모양과 유사하게 만들어진다. 본 전도지지체(1)의 사용에 있어서, 전도지지체는 상대적인 주파수 법칙에서 전자기파 간섭에 반대하여 높은 억제효과를 얻는 것이 기대된다.
연질 자기 파우더(3)의 전형적인 물질은 고주파수 범위 및 철-니켈합금(피어말로이)에서 높은 투자율을 가진 "SENDUST"(상표)로서 언급된 철-알루미늄-니켈 합금이다. 연질 자기파우더(3)는, 정밀파우더에 의해 감소되며 그것의 표면에 산화된 상태로 사용된다. 더욱이, 연질 자기파우더(3)의 영상비가, 예를들어 약 5:1 이상 층분히 높은 것은 바람직하다.
전도지지체(1)는 은 파우더, 그리고 구리 파우더, 전도 탄소 파우더, 또는 유기결합제와 혼합하여 분산된 전도티타늄 산화물과 같은 금속 파이더로 형성된 시이트(sheet)로 만들어진다.
게다가, 표면중의 적어도 하나에서 증발에 의해 형성된, 예를들어, 금속, 자기금속, 전도탄소, 기관전도물질 및 다른 것의 전도막 및 플리이미드(polyimide)대 부재로 만든 부전도대 부재(5)를 포함한 전도지지체를 사용하는 것은 가능하다.
전도지지체 요소(1)는, 독터(doctor blade)방법, 그라비야 코팅(gravurecoating) 방법, 역 코팅방법, 또는 이와 동등한 방법을 사용하여, 금속파이더, 전도 카아본블랙, 또는 전도티타늄 산화물 및 유기결합제(4)를 혼합한 폴리이미드를 코팅함으로써 형성된 시이트로 만들어진다.
폴리에스테르수지, 폴리염화비닐수지, 폴리비닐부틸수지, 폴리우레탄수지, 셀룰로오스수지, 질화물-부타디엔고무, 스틸렌-부타디엔고무 등과 같은 열가소성 플라스틱 수지, 상기 열가소성수지 또는 에폭시수지, 페놀수지, 아미드수지, 이미드수지 등과 같은 열경화성수지는 유기결합제로서 사용된다.
부전도대 부재(5)는, 예를들어, 금속, 자기금속, 전도탄소, 유기전도체 또는 그와 동등한 것이 스퍼터링(sputtering), 진공증착, 화학기상증착(CVD)으로서 상기 증착방법을 사용하여 얇은 층을 형성하기 위해 증착된 하나 또는 양측상의 폴리이미드 부재로 만들어진다.
게다가, 제 6 실시예의 기술된 본 발명의 다른 요소인 유전체층(10) 또는 부전도 연질 자기층(2)에 대해서 사용된 유전체 파우더(11)는 고주파수 범위에서 고유전상수를 가지며 상대적인 평판주파수 특성곡선을 가진다. 예를들어, 바륨 티타내이트 직렬 세라믹, 티타늄 산화 지르코늄 산화물 직렬세라믹, 유도도선 페로브스카이(perovskite) 직렬 세라믹, 또는 그와 동등한 것은 추전된다.
본 기술은 본 발명에 따른 전자기파 간섭 억제체(100)의 특성을 평가하기 위한 검사로서 기술될 것이다.
제 8도를 참조하면, 전자기파 간섭 억제체(100)의 적용예는 검사에 의해 추측되는 것이다. 추측된 적용에 있어서, 두 회로기판(21) 및 (22)는 서로 그리고 그사이의 왼쪽공간에 병렬로 배열되며, 그리고 전자기파 간섭억제체(100)는 각각의 회로기판(21) 및 (22)로부터 미리 결정된 간격을 가진 공간에 배열된다.
회로기판(21) 및 (22)는 상기 회로기판의 장착 표면상에 장착된(24), (25) 및 (26)에서 도시된 것처럼 다수의 전자부품을 각각 제공하며, 서로 맞선 장착표면으로 배열된다. 하나의 회로 기판상의 전자부품(24),(25) 또는 (26) 및 다른 회로기판상의 전자부품(24)-(26)중의 하나와 맞선 간격은 약 2 mm이다.
제 9도 및 10도는, 제 8도에서 도시된 것처럼, 추측된 적용에서 본 발명의 전자기파 간섭 억제체(100)의 특성을 평가하기 위한 다른 시스템을 도시한다. 제 9도는 전자기파 간섭 억제체(100)의 전자기 투명레벨[dB]을 측정하기 위한 측정 시스템을 도시하며, 제 10도는 전자기파 간섭 억제체(100)의 전자기파 결합레벨[dB]을 측정하기 위한 다른 평가 시스템을 도시한다. 각각의 시스템은 2mm 이하의 루프 직경을 가진 전자기장을 방사하기 위한 작은 루프안테나 및 전자기장을 수신하기 위한 작은 루프 안테나를 각각 사용한 전자기파 발생기(28) 및 전자기장 측정장치(수신요소)(29)가 제공된다. 스펙트럼 해석기(도시안됨)는 투명 및 결합레벨의 값을 측정하기 위해서 사용된다.
다음은 평가검사에 영향을 미친 본 발명의 전자기파 간섭 억제체(100)의 샘플에 대한 상세한 기술이다.
[제 1 샘플]
제 1도의 구조를 가진 제 1 샘플은 전도지지체(1)처럼 24 메시의 스테인레스 와이어 네팅을 사용함으로서 얻어지며, 제 1 혼합물을 가진 연질자기폐이스트(soft magnetic paste)을 가진 금속 네팅의 양쪽을 코팅하는 것은 건조 가공된 전체 두께 1.2mm를 가지기 위한 독터방법에 의해 아래에 기술되며, 24시간 동안 85℃에서 가공을 실행한다. 이와같이, 제 1 샘플을 진동자계 및 주사형 전자현미경을 사용함로서 해석되며, 자화축 및 자기입자의 일직선 방향이 샘플의 표면에 놓이는 것은 확인된다.
[제 2 샘플]
제 1도의 구조를 가진 제 2 샘플은, 연질자기특성을 가진 24메시의 피어말로이(52Ni-Fe) 와이어 네팅이 제 1 샘플에서 스테인레스 와이어 네팅을 사용하는 대신에 전도지지체(1)로 사용되는 것을 제외하고, 제 1 샘플을 얻는 방법과 유사한 방법으로 얻어진다.
[제 3 샘플]
제 2도의 구조를 가진 제 3 샘플은, 전도지지체요소(1)가 스퍼터링에 의해 막의 양쪽 표면상에 형성된 75㎛ 두께의 폴리이미드막 및 3㎛ 두께의 알루미늄층을 포함한 것이 사용되는 것을 제외하고, 제 1 샘플을 얻는 것과 유사한 방법으로 얻어진다.
[제 4 샘플]
제 2도의 구조를 가진 제 4 샘플은, 전도지지체(1)가 75㎛ 두께의 폴리이미드 막, 그리고 건조되어 6㎛ 두께를 가지기 위한 독터방법에 의해 아래에 기술된 제 2 혼합물을 가진 은 페이스트와 함께 폴리이미드 막의 양쪽표면을 코팅함으로써 형성된 은 막을 포함하는 것에 의해 사용되는 것을 제외하고, 제 1 샘플을 얻는 것과 유사한 방법으로 얻어진다.
[제 5 샘플]
24 메시의 스테인레스 와이어 네팅은 전도지지체(1)로서 사용된다. 스테인레스 와이어네팅의 양측상에 있어서, 아래에 기술된 제 3 혼합물을 가진 연질자기 페이스트는 독터 방법에 의해 코팅되며, 상기 코팅은 건조가공된 후 1.0mm의 전체 두께를 가질 수 있다. 그후, 24시간 동안 85℃에서 가공을 실행한다. 연질 자기층상에 있어서, 아래에 기술된 제 4의 혼합물을 가진 유전체 페이스트는 건조가공된 후 100㎛의 두께를 가지기 위해서 독터방법에 의해 코팅된다. 제 5도의 구조를 가진 제 4 샘플은 이와 같이 얻어진다.
진동자기계 및 주사형 전자 현미경을 사용한 제 4 샘플의 해석은 샘플의 표면에 있는 자계축 및 자기입자의 일직선 방향을 발견했다.
[제 6 샘플]
제 7도의 구조를 가진 제 6 샘플은 전도지지체(1)처럼 24메시의 스테인레스 와이어 네팅을 사용함으로서 얻어지며, 건조가공된 후 1.2mm의 전체 두께를 가지기 위한 독터방법에 의해 아래에 기술된 제 5 혼합물을 가진 연질자기 페이스트와 함께 와이어 네팅의 양측표면에 코팅되며, 24시간 동안 85℃에서 가공된다.
[제 1 비교샘플]
100㎛의 두께를 가진 구리판은 제 1 비교샘플로 사용된다.
[제 7 샘플]
제 1도의 구조를 가진 제 7 샘플은 전도지지체(1)처럼 35㎛ 두께의 구리판을 사용함으로서 얻어지며, 1mm의 전체 두께를 가지기 위한 독터방법에 의해 제 1 혼합물을 가진 연질 자기 페이스트와 함께 구리판의 양측표면을 코팅되며, 그리고 24시간 동안 85℃에서 가공한다. 진동전자계 및 주사형 전자현미경을 사용한 제 7 샘플의 해석은 샘플의 표면에서 자계측 및 자기입자의 일직선 방향을 발견한다.
[제 8 샘플]
제 1도의 구조를 가진 제 8 샘플은, 120메시의 스테인레스 와이어 네팅이 제 1 샘플에서 24메시의 스테인레스 와이어 네팅을 사용하는 대신에 전도지지체(1)로사용되는 것을 제외하고, 제 1 샘플을 얻는 것과 유사한 방법으로 얻어진다.
[제 2 비교샘플]
제 2 비교샘플은 질화물 고무의 20 부분에서 30㎛의 평균 입자 직경을 가진 입자들처럼 철 파우더볼의 80중량부를 포함함으로서 얻어지며, 1.2 mm의 두께를 가진 시이트에서 혼합물을 혼합하여 형성한다.
제 1 내지 제 8 샘플 및 제 1 내지 제 2 비교샘플에 대한 전자기파 투명레벨과 전자기파 결합레벨을 제 9도 및 제 10도에서 도시된 평가 시스템을 사용함으로써 측정된다. 측정된 데이타는 제 11,12,13 및 14도에서 도시된다. 제 11도는 제 1 및 제 2 비교샘플에 대한 전자기파 투명레벨의 주파수 특성을 도시한다. 여기서, 투명레벨의 기준은, 전자기파 간섭 억제체(100)가 제 9도에서 사용되지 않을때 제 9도에서 (2a)에 의해 측정된 전자기장의 힘으로 선택된다.
제 13도는 제 1 내지 제 8 샘플에 대한 투명레벨의 주파수 특성을 도시한다. 여기서 투명레벨의 기준은 전자기파 간섭 억제체(100)가 제 9도에서 사용되지 않을 때, 제 9도의 (29)에 의해 측정된 전자기장의 힘에 의해 측정된다. 여기서 결합레벨의 기준은, 전자기파 간섭 억제체(100)가 제 10도에서 존재하지 않을때 제 10도의 (29)에 의해 측정된 전자기장의 힘에 의해 선택된다.
제 15도는 800MHz의 주파수에서 제 1 내지 제 8 샘플 및 제 1 내지 제 2 비교샘플에 대한 투명 및 결합레벨을 도시한다. 제 (11),(12) 그리고 (15)에서 도시된 것처럼, 제 1 비교샘플의 전도체(구리판)는 결합레벨을 증가시키나, 투명레벨을 감소시킨다. 제 2 비교샘플은, 비록 그것이 낮은 결합레벨의 경향을 가질지라도,전자기파의 투명레벨을 감소시키지 않는다. 다시말해서, 제 2 비교샘플은 전자기파 간섭 억제 특성에서 상당히 낮아진다.
반면에, 본 발명에 따른 제 8 샘플에서 제 1의 전자기파 간섭 억제체(100)는 제 (13),(14) 그리고 (15)에서 도시된 것처럼 투명레벨 및 결합레벨의 충분히 낮아진다. 따라서, 두개의 회로기판(21) 및 (23)은, 다수의 전자부품(24),(25),(26)를 장착하며, 두개의 회로기판(21) 및 (23) 사이의 공간에 배열된 전자기파 간섭 억제체(100)에 의해 서로 그리고 각각의 기판에서 전자기파 간섭으로부터 보호된다.
전자기파 간섭 억제체(100)는 바람직하지 않는 방사에 의한 반사를 증가시키지 않고 투명전자기파 방사를 크게 감쇄시키기 때문에, 이동통신장치를 포함한 다양한 고주파수 전자장비의 전자기파 간섭을 억제할 수 있다.
더욱이, 본 실시예에서 도시된 전자기파 간섭 억제체(100)는 그것의 구조에서 도시된 것처럼 유연성을 가지게 만들 수 있다. 그러므로 그것은 복잡한 모양, 무진동 또는 무충격의 요구를 따를 수 있다.
제 16도는 전자기파 간섭 억제체(100)을 사용하는 다른 실시예에 따른 전자장치를 도시한다. 상기 전자장치는 기판(41)의 다른 측에 인쇄된 회로기판(41) 및 배선전도기(43)상에 장착된 능동소자의 LSI(42)를 가된다. LSI(42)의 동일한 크기와 절반의 두께를 가진 전자기파 간섭 억제체(100)는 LSI(42) 및 회로기판(41) 사이에 장착된다.
전자기파 간섭 억제체(100)는 LSI(42)가 기판(41)상에 장착되기 전에 LSI(42) 및 회로기판(41)중의 하나에 고정된다. 전자기파 간섭 억제체(100)는LSI(42)에 의해 발생된 고주파수 전자기파 방사의 자속을 흡수하기 때문에 LSI(42) 및 회로전도체(43) 사이에 방사연결을 감소시킴으로서 배선전도체(43)에서 발생된 전압을 효과적으로 억제한다.
제 16도의 전자장치를 추측하면, 전자기파 간섭 억제체(100)의 특성은 제 9 및 10도에서 도시된 시스템을 사용함으로서 평가된다.
평가검사에 종속된 샘플들은 아래에 기술된 제 9 내지 11 샘플이다.
[제 9 샘플]
제 9 샘플은 제 1도에서 도시된 것처럼 동일한 구조를 가지며, 전도 지지체(1)처럼 120메시의 스테인레스 와이어 네팅을 사용함으로서 얻어지며, 건조가공된 후 0.5mm의 전체 두께를 가지기 위해서 독터방법에 의해 앞서 기술된 제 1 혼합물을 가진 연질 자기 페이스트와 함께 네팅의 양측을 코팅하며, 그리고 24시간 동안 85℃에서 가공을 실행한다. 제 9 샘플을 진동자기계 및 주사형 전자 현미경을 사용함으로서 해석된다. 이와같이, 샘플의 표면상에 놓인 자계측 및 자기입자의 일직선 방향이 확인된다.
[제 10 샘플]
제 2도의 구조를 가진 제 10 샘플은, 스퍼터링에 의해 양쪽 표면상에 형성된 3㎛ 두꺼운 알루미늄층을 가지는 75㎛ 두께의 폴리이미드 막이 전도지지체(1)로 사용되는 것을 제외하고, 제 9 샘플을 얻는 것과 유사한 방법으로 얻어진다.
[제 11 샘플]
제 2도의 구조를 가진 제 11 샘플은, 전도지지체(1)가 앞서 기술된 제 2 혼합물을 가진 은 폐이스트가 가공건조된 후 6㎛ 두께를 가지기 위해서 독터방법에 의해 코팅된 양쪽표면상의 75㎛ 두께의 폴리아미드 막인 것을 제외하고, 제 9 샘플을 얻는 방법과 유사한 방법으로 얻어진다.
제 1 및 제 2 비교샘플은 또한 평가된다.
제 9 내지 제 11 샘플 및 제 1 내지 제 2 비교샘플의 전자기파 투명레벨 및 전자기파 결합레벨은 제 9 및 제 10도에서 도시된 평가시스템을 사용함으로써 측정된다. 측정된 데이타는 제 17-20도에서 도시된다. 제 17도는 제 1 및 제 2 비교샘플에 대한 전자기파 투명레벨의 주파수 특성을 도시한다. 여기서, 투명레벨의 기준은, 전자기파 간섭 억제체(100)가 제 9도에서 사용되지 않을때 제 9도의 (29)에 의해 측정된 전자기장의 힘으로 선택된다. 제 18도는 제 1 및 제 2 비교샘플에 대한 결합레벨의 주파수 특성을 도시한다. 여기서, 결합레벨의 기준은, 전자기파 간섭 억압체(100)가 제 10도에서 사용되지 않을때 제 10도의(29)에 의해 측정된 전자기장의 힘으로 선택된다.
제 19도는 제 9 내지 제 11 샘플에 대한 전자기파 투명레벨의 주파수 특성을 도시한다. 여기서, 투명레벨의 기준은, 전자기파 간섭 억제체(100)가 제 9도에서 사용되지 않을 때 제 9도의 (29)에 의해 측정된 전자지장의 힘에 의해 선택된다. 제 20도는 제 9 내지 11 샘플에 대한 결합레벨의 주파수 특성을 도시한다. 여기서, 결합레벨의 기준은 전자기파 간섭 억제체(100)가 제 10도에서 존재하지 않을 때 제 10도의 (29)에서 측정된 전자기장의 힘으로 선택된다.
제 17 및 18도에서 도시된 것처럼, 제 1 비교샘플의 전도체(구리판)는 +7dB의 값까지 결합레벨을 증가시키나, -50dB까지 투명레벨을 감소시킨다. 제 2 비교샘플은, 비록 그것이 0dB의 결합레벨로 낮아지는 경향을 가질지라도, 약 -1dB의 투명레벨을 가지며 투명 전자기파를 감쇄시키지 않는다.
반면에, 본 발명에 따른 전자기파 간섭 억제체(100)의 제 9 내지 제 11 샘플은, 제 19 및 20도에서 도시된 것처럼, 약 39dB의 투명레벨 및 +1dB의 결합레벨로 충분히 감소된다.
전자기파 간섭 억제체(100)는 전자부품이, 제 16도에서 도시된 것처럼, 인쇄회로기판상에 장착된 다양한 전자장치에서 바람직하지 않는 방사의 반사에 영향없이, 전자기파 간섭을 억제할 수 있다. 더욱이, 전자기파 간섭 억제체(100)가 얇은 판형으로 생산되기 때문에, 전자장치는, 비록 그것이 전자기파 간섭에 반대하는 억제특성을 가질지라도, 보다 작고, 보다 가벼우며, 그리고 보다 적은 비용으로 만들 수 있다.
제 21도는 전자기파 간섭 억제체(100)를 사용한 하이브리드 집적회로소자의 실시예를 도시한다. 하이브리드 집적회로는 능동소자, 수동소자와 같은 회로기판(51), 부품(52), 또는 외부장치에 상기 부품(52)을 연결하기 위한 회로기판(51), 그리고 결합유도선(53)상에 장착된 것을 포함한다. 하이브리드 집적회로소자의 외부표면은 수지 또는 그와 동등한 것과 같은 유전체 코팅층(54)과 동시에 코팅된다. 하이브리드 집적회로소자에 있어서, 유전체 코팅층(54)의 외부표면은 유도선과 접촉하지 않고 제 3도에서 도시된 전자기파 간섭 억제체(100)에 의해 입혀진다. 전자기파 간섭 억제체(100)는 그것의 양측상에 제 1 부전도 연질 자기층(2a)및 제 2 부전도 연질 자기층(2b)에 의해 각각 코팅된 전도지지체(1)를 포함한다.
제 1 유전체 연질 자기층(2a), 전도지지체(1) 및 제 (2)부전도 연질자기층(26)은, 하이브리드 집적회로소자가 연질 자기 슬러리 및 전도 슬러리로 선택적으로 침투된, 소위 슬러지 함침방법으로 불리는 방법에 의해 형성된다. 연질자기 슬러리 및 전도 슬러리는 혼합물로 형성된 유기 결합제와 함께 연질 자기파우더(3) 및 전도파우더(8)을 혼합함으로서, 결합제로 파우더를 분산시킨 혼합물을 혼합함으로써 만들어진다. 여기서, 연질 자기파우더(3)는 제 1 및 제 2 부전도 연질 자기층(2a) 및 (26)를 포함하기 때문에, "Sendust"(상표)로 공지된 철-알루미늄-실리콘 합금, 철-니켈합금(피어말로이)은 사용될 수 있다. 더욱이, 연질 자기파우더(3)는 정밀파우더 및 산화표면으로 접지된 후 사용된다. 상기 파우더의 영상비가 충분히 크면 바람직하다(약 5:1 이상). 더욱이, 전도파우더(8)가 전도지지체(1)를 포함하기 때문에, 구리파우더 및 은파우더, 전도탄소파우더 또는 전도티타늄 산화물 파우더와 같은 금속 정밀 파우더는 사용될 수 있다.
게다가, 부전도 연질 자기층(2a) 및 (2b)와 전도지지체(1) 및 구성물질의 두께는 하이브리드 집적회로소자의 회로조건, 즉 장착된 전자부품의 배열과 바람직하지 않는 전자기장의 강도를 고려하는 최적의 전자기파 조건을 실현하기 위해서 결정된다.
제 21도의 하이브리지 집적회로소자를 참조하면, 전자기파 간섭 억제체(100)의 특성은 제 9 및 10도에서 도시된 시스템을 사용함으로서 평가된다. 다음의 제 12 샘플 및 제 3 비교샘플은 평가검사에 종속된다.
[제 12 샘플]
아래에 기술된 것처럼, 제 6 혼합물을 가진 제 1 및 제 2 부전도 연질자기층(2a) 및 (2b)는 제 3도의 구조를 가진 제 12 샘플을 생산하기 위한 슬러리 디핑(dipping) 방법에 의해 아래에 기술된 제 7 혼합물을 가지는 전도지지체(1)의 양측 표면상에 형성된다.
[제 3 비교샘플]
제 3 비교샘플은, 제 7 혼합물을 가진 은 페이스트에 대해 15㎛ 두께의 폴리이미드 막에 대한 양측을 코팅함으로서, 슬러리 디핑방법을 사용함으로써 그리고 페이스트를 건조 경화함으로서 100㎛ 두께로 얻어진다.
제 22 및 23도는, 측정된 것처럼, 전자기파 투명레벨 및 전자기파 결합레벨의 결과를 도시한다.
제 3 비교샘플이 투명레벨에서 매우 낮으나, 결합레벨에서 높은 것은 제 22 및 23도에서 명백히 도시된다. 반면에, 제 12 샘플에 있어서, 투명레벨은 매우 낮으며 결합레벨은 증가되지 않으므로 낮다. 이것은 본 실시예에 따른 하이브리드 직접회로소자가 은 페이스트와 함께 코팅된 종래의 소자처럼 전자기파에 반대하여 충분한 차폐효과를 가지며, 종래의 소자에서 공지된 전자기파의 어떤 반사도 가지지 않는 것을 의미한다.
본 기술은 실제 사용에서 하이브리드 집적회로소자의 전자기파 억제특성을 평가하기 위한 검사를 위해서 만들어질 것이다. 검사에 있어서, 수지에 의해 밀봉된 하이드리드 집적회로 소자의 외부표면은 슬러리 디핑방법의 명령대로 각각 엷은판 모양으로 만들어진 제 1 부전도 연질자기층(2a), 전도지지체(1) 및 제 2 부전도 연질 자기층(2b)으로 코팅된다. 상기 층이 건조경화된 후, 상기 세 개의 층에 대한 두께는 0.7mm로 측정된다. 상기 제 1 및 제 2 연질 자기층(2a) 및 (2b)는 진동자계 및 주사형 전자현미경에 의해 해석된다. 자계축 및 자기입자의 일직선 양쪽방향은 상기 샘플의 표면에 나타난다.
게다가, 하이브리드 집적회로소자는 모기판상에 장착되며, 전기회로의 동작은 측정된다. 효과에 반하는 어느 것도 확립되지 않는다.
앞서 기술된 것처럼, 하이브리드 집적회로소자는, 상기 소자가 모기판상에 장착될 때 유전체 연질자기층으로 코팅되며, 전도지지체는 바람직하지 않은 방사에 의해 또는 반사에 의한 전자기 결합에 의해 영향을 받지 않는다.
수지에 의해 밀봉된 하이브리드 집적회로소자의 외부표면이 제 1 부전도 연질 자기층에 의해 제공된 본 발명에 따르면, 하이브리드 집적회로소자는 모기판, 또는 내부부품 사이에 또는 모기판상에 장착된 부품 사이에 전자기 결합을 증가시키지 않고, 그리고 모기판 자신의 작동을 간섭하지 않는 모기판상에 장착된 다른 부품으로부터 방사전자기파에 반대하여 충분한 차폐효과를 가짐으로서 얻어진다. 특히, 부전도 연질 자기층(2a),(2b) 및 전도지지체(1)를 결합하는 것은 상당한 이점을 가진다.
비록 본 발명의 여러 실시예에 대해 기술될지라도, 본 발명이 위의 실시예에 제한되지 않으며, 다양한 변형이 본 발명의 목적으로 부터 벗어남이 없이 가능한 것은 말할 필요도 없다.
제 1도는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 전자기파 간섭 억제체를 도시한 단면도이다.
제 2도는 일반적인 구조에서, 본 발명의 제 2 및 제 3 실시예에 따른 전자기파 간섭 억제체에서 전도 지지체를 부분적으로 도시한 단면도이다.
제 3도는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 전자기파 간섭 억제체에서 전도지지체를 부분적으로 도시한 단면도이다.
제 4도는 본 발명의 제 5 실시예에 따른 전자기파 간섭 억압체에서 전도지지체를 부분적으로 도시한 단면도이다.
제 5도는 본 발명의 제 6 실시예에 따른 전자기파 간섭 억제체를 부분적으로 도시한 단면도이다.
제 6도는 본 발명의 제 7 실시예에 따른 전자기파 간섭 억제체를 부분적으로 도시한 단면도이다.
제 7도는 본 발명의 제 8 실시예에 따른 전자기파 간섭 억제체를 부분적으로 도시한 단면도이다.
제 8도는 회로기판 사이에 삽입된 본 발명에 따른 전자기파 간섭 억제체 적용예를 개략적으로 도시한 단면도이다.
제 9도는 전자기파 간섭 억제체의 특성에 대한 평가로 사용하기 위해, 그리고 특히 그곳을 통해 전자기파 투명레벨을 측정하기 위한 평가 시스템의 개략도이다.
제 10도는 전자기파 간섭 억제체의 특성에 대해 그리고 특히 전자기파 결합레벨을 측정하기 위한 평가 시스템의 개략도이다.
제 11도는 제 9도에서 도시된 평가시스템을 사용함으로서 비교샘플을 측정에 의해 얻은 전자기파 투명레벨의 주파수 특성을 도시한 그래프이다.
제 12도는 제 10도에서 도시된 평가 시스템을 사용함으로서 비교 샘플을 측정에 의해 얻은 전자기파 결합레벨의 주파수 특성을 도시한 그래프이다.
제 13도는 제 9도에서 도시된 평가 시스템을 사용함으로서 본 발명의 샘플을 측정에 의해 얻은 전자기파 결합레벨의 주파수 특성을 도시한 그래프이다.
제 14도는 제 10도에서 도시된 평가 시스템을 사용함으로서 본 발명의 샘플을 측정에 의해 얻은 전자기파 결합레벨의 주파수 특성을 도시한 그래프이다.
제 15도는 300MHz의 주파수에서 투명레벨 및 비교샘플의 결합레벨과 본 발명의 샘플을 도시한 그래프이다.
제 16도는 전자기파 간섭 억제체를 사용한 전자장치의 단면도이다.
제 17도는 제 9도에서 도시된 평가시스템을 사용함으로서 비교샘플을 측정에 의해 얻은 투명레벨의 주파수 특성을 도시한 그래프이다.
제 18도는 제 10도에서 도시된 평가시스템을 사용함으로서 비교샘플을 측정에 의해 얻은 결합레벨의 주파수 특성을 도시한 그래프이다.
제 19도는 제 9도에서 도시된 평가레벨을 사용함으로서 본 발명의 샘플을 측정에 의해 얻은 투명레벨의 주파수 특성을 도시한 그래프이다.
제 20도는 제 10도에서 도시된 평가시스템을 사용함으로서 본 발명의 샘플을 측정에 의해 얻은 결합레벨의 주파수 특성을 도시한 그래프이다.
제 21도는 전자기파 간섭 억제체를 사용한 하이브리드 집적회로의 단면도이다.
제 22도는 제 9도에서 도시된 평가 시스템을 사용함으로서 비교샘플 및 본 발명의 샘플을 측정에 의해 얻은 투명레벨의 주파수 특성을 도시한 그래프이다.
제 23도는 제 10도에서 도시된 평가시스템을 사용함으로서 비교샘플과 본 발명의 샘플을 측정에 의해 얻은 결합레벨의 주파수 특성을 도시한 그래프이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
1 : 전도지지체 2 : 부전도 연질 자기층
2a : 제 1 부전도 연질 자기층 2b : 제 2 부전도 연질 자기층
3 : 연질 자기 파우더 4 :유기결합제
5 : 절연대 부재 6,7 : 얇은 전도층
8 : 전도파우더 9 : 전도층
10 : 유전체층 11 : 유전체 파우더
21,23 : 회로기판 24,25,26 : 전자부품
28 : 전자기파 발생기 29 : 전자기장 측정장치
41 : 전자 장치 기판 42 : LSI
43 : 배선전도기 51 : 회로기판
52 : 부품 54 :유전체 코팅층
100 : 전자기파 간섭 억제체

Claims (35)

  1. 바람직하지 않은 전자기파에 의한 전자기파 간섭을 억제하기 위한 전자기파 간섭 억제체에 있어서, 전도지지체와 상기 전도지지체의 적어도 하나의 표면상에 놓인 부전도 연질자기층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기파 간섭 억제체.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 부전도 연질 자기층상에 놓여진 유전체층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기파 간섭 억제체.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 전도지지체 및 상기 부전도 연질 자기층 사이에 삽입된 유전체층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기파 간섭 억제체.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 부전도 연질 자기층이 연질 자기파우더, 유전체 파우더 및 유기결합제를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기파 간섭 억제체.
  5. 제 1,2 또는 3항에 있어서, 상기 부전도 연질자기층이 연질 자기파우더 및 유기결합제를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기파 간섭 억제체.
  6. 제 2항 또는 3항에 있어서, 상기 유전체층은 유기체 파우더 및 유기결합제를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기파 간섭 억제체.
  7. 제 4항에 있어서, 상기 연질 자기파우더가 상기 유기결합제에 분산된 평판 및/또는 바늘같은 모양의 파우더인 것을 특징으로 하는 전자기파 간섭 억제체.
  8. 제 1항에 있어서, 전도지지체가 전도평판, 와이어 네팅 전도평판, 그리고 전도섬유로 만든 섬유제품으로 선택된 것을 특징으로 하는 전자기파 간섭 억제체.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 전도지지체는 부전도대 부재 및 부전도대 부재의 적어도 하나의 표면상에 놓인 전도층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기파 간섭 억제체.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 전도지지체가 부전도대 부재 및 상기 부전도대 부재의 적어도 하나의 표면상에 놓인 얇은 연질 자기 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기파 간섭 억제체.
  11. 제 9항 또는 10항에 있어서, 상기 부전도대 부재가 제 1항에 따른 상기 부전도 연질 자기층 및 제 2 또는 3항에 따른 상기 유전체층 중의 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 전자기파 간섭 억제체.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 전도지지체가 전도 정밀파우더 및 유기 결합제를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기파 간섭 억제체.
  13. 제 1항에 있어서, 상기 전도지지체가 부전도대 부재 및 상기 부전도대 부재의 적어도 하나의 표면상에 놓인 전도층을 포함하며, 상기 전도층이 전도 정밀파우더 및 유기결합제를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기파 간섭 억제체.
  14. 제 1항에 있어서, 상기 전도지지체가 연질 자기 특성을 가진 전도 연질 자기 지지체를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기파 간섭 억제체.
  15. 제 14항에 있어서, 상기전도 연질 자기 지지체가 연질 자기 금속판, 와이어 네팅 금속판, 그리고 연질 자기 금속섬유로 만든 제품으로 선택된 것을 특징으로 하는 전자기파 간섭 억제체.
  16. 유도잡음을 발생시키는 능동소자를 가진 회로기판을 포함하는 전자장치에 있어서, 전자기파 간섭 억제체는 상기 회로기판 및 상기 능동소자 사이에 삽입되며, 상기 전자기파 간섭 억제체가 전도지지체 및 상기 전도 지지체의 적어도 하나의 표면상에 놓인 부전도 연질 자기층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자장치.
  17. 제 16항에 있어서, 상기 전자기파 간섭 억제체가 상기 부전도 연질자기층상에 놓인 유전체층를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자장치.
  18. 제 16항에 있어서, 상기 전자기파 간섭 억제체가 상기 전도지지체 및 부전도 연질자기층 사이에 삽입된 유전체층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자장치.
  19. 제 16항에 있어서, 상기 부전도 연질자기층에 연질 자기파우더, 유전체 파우더, 그리고 유기결합제를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자장치.
  20. 제 16,17 또는 18항에 있어서, 상기 부전도 연질자기층이 연질파우더 및 유기결합제를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자장치.
  21. 제 17 또는 18항에 있어서, 상기 유전체층이 유전체 파우더 및 유기결합제를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자장치.
  22. 제 19항에 있어서, 상기 연질 자기파우더가 상기 유기결합제에 분산된 평판 및/또는 바늘같은 모양의 파우더인 것을 특징으로 하는 전자장치.
  23. 제 16항에 있어서, 전도지지체가 전도판 와이퍼 네핑 전도판, 그리고 전도섬유로 만든 섬유제품으로 선택된 것을 특징으로 하는 하는 전자장치.
  24. 제 16항에 있어서, 상기 전도지지체가 부전도대 부재 및 상기 부전도대 부재의 적어도 하나의 표면상에 놓인 전도층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자장치.
  25. 제 16항에 있어서, 상기 전도지지체는 부전도대 부재 및 상기 부전도대 부재의 적어도 하나의 표면상에 놓인 얇은 연질 자기금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자장치.
  26. 제 24 또는 25항에 있어서, 상기 부전도대 부재가 제 16항에 따른 상기 부전도대 연질자기층 및 제 17 항에 따른 상기 유전체층 중의 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 전자장치.
  27. 제 16항에 있어서, 상기 전도지지체가 전도 정밀파우더 및 유기 결합제를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자장치.
  28. 제 16항에 있어서, 상기 전도지지체가 부전도대 부재 및 상기 부전도대 부재의 적어도 하나의 표면상에 놓인 전도층을 포함하며, 전도층이 전도 정밀파우더 및 유기결합제를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자장치.
  29. 제 16항에 있어서, 상기 전도지지체가 연질자기 특성을 가진 전도 연질 자기 지지체인 것을 특징으로 하는 전자장치.
  30. 제 16항에 있어서, 상기 전도 연질 자기지지체가 연질 자기금속판, 와이어 네팅 금속판, 그리고 연질 자기 금속섬유로 만든 섬유제품으로 선택된 것을 특징으로 하는 전자장치.
  31. 능동소자 및 수동소자가 장착된 회로기판을 가진 하이브리드 집적 회로에 있어서, 상기 능동소자, 상기 수동소자, 그리고 상기 회로기판이 절연층에 입혀져 밀봉되며, 부전도 연질자기층이 연질 자기파우더 및 유기결합제를 포함하며, 상기 절연층의 외부표면상에 놓이는 것을 특징으로 하는 하이브리드 집직회로소자.
  32. 제 31항에 있어서, 상기 부전도 연질자기층이 제 1 및 제 2 부전도 연질 자기층 부분 및 그 사이에 삽입된 전도층 부분을 포함하며, 상기 전도층이 전도파우더 및 유기결합제를 포함하는 것을 특징으로 하는 하이브리드 집적회로소자.
  33. 제 31항에 있어서, 상기 연질 자기파우더가 평판 또는 바늘같은 모양을 가진 연질 자기입자를 포함하며, 상기 파우더가 상기 유기결합제에 분산된 것을 특징으로 하는 하이브리드 집적회로소자.
  34. 능동소자 및 수동소자가 회로 기판상에 장착되며, 부전도층이 상기 능동 및 수동소자를 밀봉하며, 부전도 연질자기층이 상기 부전도층의 외부표면상에 형성되는 회로기판을 가진 히이브리드 집적회로소자를 제조하는 방법에 있어서, 상기 부전도 연질자기층이 상기 회로기판상에 장착되고 연질 자기슬러리로 상기 부전도층에 의해 밀봉되는 상기 능동 및 수동소자를 디핑함으로서 형성되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 집적회로소자를 제조하는 방법.
  35. 부전도층이 상기 능동 및 수동소자를 밀봉하며, 부전도연질 자기층 및 전도층이 상기 부전도층의 외부표면상에 형성되는 회로기판상에 장착된 능동 및 수동소자를 가진 하이브리드 집적회로소자를 제조하는 방법에 있어서, 상기 부전도 연질자기층 및 상기 전도층이 상기 회로기판상에 장착되며, 연질 자기 슬러리 및 전도 슬러리로 부전도층에 의해 각각 밀봉되는 것을 특징으로 하는 하이브리드 집적회로소자를 제조하는 방법.
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