KR20050092081A - Εμι 대책부품 및 εμι대책방법 - Google Patents

Abstract

본 발명의 EMI 대책부품은, 결합제에 자석분말이 분산된 복합자석층을, 연자성분말을 유기결합제 중에 분산시켜 이루어진 복합자성체층의 적어도 일부에 배치하고 있다. 상기 복합자석체층은 상기 복합자성체층에 바이어스 자계를 인가한다.

Description

ΕΜΙ 대책부품 및 ΕΜΙ대책방법{COUNTER EMI COMPONENT AND COUNTER EMI METHOD}

본 발명은, 퍼스널 컴퓨터를 대표로 하는 CPU나 MPU를 가지고 입출력장치와의 사이에서 데이터를 교환하는 정보처리장치 또는 기기에 있어서 데이터를 교환하는 버스라인에 대한 EMI(전자간섭) 대책을 위한 부품과 EMI 대책방법에 관한 것이다.

일반적으로, 노이즈를 전파경로에 따라 분류하면 방사 노이즈와 전도 노이즈로 나뉘어진다. 방사 노이즈에 대해서는 금속 실드를 이용함으로써 EMI 대책이 이루어지고 있다. 전도 노이즈는 노멀 모드와 커먼 모드로 나눠어진다. 노멀 모드 노이즈에 대해서는 인덕터나 콘덴서, EMI 필터를 신호 라인에 삽입하는 등의 대책이 이루어져 왔다.

커먼 모드 노이즈는 접지 시스템을 통해 전파되며, 인터페이스 케이블을 안테나 대신으로 하여 공중으로 방사된다. 최근 신호의 고속 디지털화, 고주파화에 따라 상기 커먼 모드 노이즈에 대한 대책이 매우 중요해지고 있다.

종래, 커먼 모드 노이즈에 대해서는, 통상적으로 대책을 실시하고 있지 않다. 대책이 필요할 때에는 라인 속에 노이즈를 제거하기 위한 각종 필터 등을 삽입한다. 그러나, 라인 속에 필터를 삽입하는 경우, 한번 설치한 신호라인을 절단하고 필터의 삽입 공간을 만들어 접속하는 것인데, 이는 매우 힘든 작업이다. 특히, 신호라인은 회로기판 상에 형성된 도체 패턴인 경우가 많다. 따라서, 한번 잘라낸 도체패턴을 재접속하기는 곤란하다. 이 때문에, 최근들어서는 노이즈가 발생되는 것을 전제로 하여, 사전에 필터를 삽입하는 공간이나 라인을 확보해 두고 있다. 그러나, 정보처리장치 등에서 데이터를 교환하는 버스라인에서는 라인이 밀집되어 있기 때문에 이러한 대책은 매우 곤란하다.

일반적으로, EMI 대책을 실시할 경우에는 노이즈 대책에 관한 전문지식이나 경험이 필요하고, 대책에는 많은 시간을 요하게 된다. 더욱이, 사용하는 필터가 고가이고, 필터를 실장하는 공간에 제약이 있는 경우가 많고, 필터의 실장작업이 용이하지 않으며, 장치 전체의 소요 공정수가 많아져 생산 비용이 상승된다는 등의 많은 문제점이 있다. 특히, 노이즈의 발생 여부에 상관없이 사전에 공간을 확보해 두거나, 라인을 설치해 두는 것은 상당히 불필요한 작업이라고 할 수 있다.

최근 모든 기기에서 소형·박형화가 요구되고 있는 점을 고려한다면, 종래의 노이즈 대책방법을 이용하여 충분한 노이즈 대책을 실시하고, 소형화된 전자기기를 실현하기는 매우 곤란하다고 말하지 않을 수 없다.

따라서, 본 발명의 하나의 목적은, 미리 노이즈 대책용의 처치를 하지 않고, 필요한 장치를 실장하여 회로를 구성한 후에 노이즈의 발생이 발견된 경우라도, 사공간(dead space)을 이용하여 충분한 대책이 가능한 EMI 대책부품, 및 EMI 대책방법을 제공하는 데 있다.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 EMI 대책부품을, CPU의 버스라인 상에 배치하여 EMI 대책을 실시한 상태를 도시한 사시도로서, EMI 대책부품의 일부가 절단된 상태로 도시되어 있다.

도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 EMI 대책부품을 버스라인에 근접하게 배치한 상태를 도시한 단면도이다.

도 3은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 EMI 대책부품을 버스라인에 근접하게 배치한 상태를 도시한 단면도이다.

도 4는 본 발명의 EMI 대책부품을 평가하기 위한 테스트용 장치와 그 작용을 도시한 개략도이다.

도 5는 바이어스 자계가 0인 경우의 샘플의 반사전송특성(S11) 및 투과전송특성(S21)과, 입력전력에 대한 손실의 비인 전력손실특성(P(loss)/P(in))을 각각 나타낸 도면이다.

도 6은 다른 바이어스 자계를 인가했을 때의 전력손실특성을 나타낸 도면이다.

도 7은 도 4에 도시된 자계인가용 헬름홀츠코일 대신에, 샘플 상에 영구자석을 배치한 상태를 도시한 도면이다.

도 8은 도 7에 도시된 샘플의 전력손실특성을 측정한 결과를 나타낸 도면이다.

도 9 및 도 10은 각종 바이어스 자계에 있어서의 샘플의 실수부 투자율(μ'), 허수부 투자율(μ")의 주파수 특성을 각각 나타낸 도면이다.

도 11은 바이어스 자계가 없을 때의 동일한 샘플에 대한 비실수부 투자율(μ'), 비허수부 투자율(μ")의 각각의 주파수 특성을 나타낸 도면이다.

도 12는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 EMI 대책부품을 CPU의 버스라인 상에 배치하여 EMI 대책을 실시한 상태를 도시한 사시도로서, EMI 대책부품의 일부가 절단된 상태로 도시되어 있다.

본 발명은, 특히 대책을 필요로 하는 것이 인터페이스 케이블 등을 안테나로 하여 방사되는 커먼 모드 노이즈라는 점, 및 최근 신호의 고주파화에 의해 발생되는 노이즈가 비교적 높은 고주파라는 점에 착안하여, 본 발명자가 이전에 제안한 EMI 제어용 복합자성체에 바이어스 자계를 인가함으로써, 더욱 효율을 높인 EMI 대책부품을 제공하고, 이를 EMI 대책방법에 적용한 것이다.

즉, 본 발명에 따르면, 연자성분말을 유기결합제층 중에 분산시켜 이루어진 복합자성체층과, 상기 복합자성체층의 적어도 일부 상에 배치된 결합제에 자석분말이 분산된 복합자석층을 구비하며, 상기 복합자석층은 상기 복합자성체층에 바이어스 자계를 인가하는 것을 특징으로 하는 EMI 대책부품이 얻어진다.

또한, 본 발명에 따르면, 정보처리장치의 버스라인의 적어도 일부를, 연자성분말을 유기결합제층 중에 분산시켜 이루어진 복합자성체층으로 덮는 동시에, 상기 복합자성체층에 바이어스 자계를 인가하는 것을 특징으로 하는 EMI 대책방법이 얻어진다.

이하, 본 발명의 실시예에 대해 도면을 참조하여 설명한다.

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 EMI 대책부품(11)을 CPU(5)의 버스라인(6) 상에 배치하여 EMI 대책을 실시한 상태를 도시한 사시도이다. EMI 대책부품(11)은 일부가 절단된 상태로 도시되어 있다. 버스라인(6)은, CPU(5)와 외부회로(도시생략)를 연결하는 것이다.

제 1 실시예에서, 전자간섭을 억제하는 장치인 EMI 대책부품(11)은, 시트형상의 복합자성체(1)를 가지고 있다. 복합자성체(1)는 유기결합제와, 상기 유기결합제 중에 분산된 표면에 산화피막을 갖는 금속자성체 분말로 이루어진 시트형상을 구비하고 있으며, 주파수대역 상에서 2개의 다른 자기공명을 가지고 있다. 상기 복합자성체(1)의 일면에는 복합자석층(2)이 구비되어 있다. 상기 복합자석층(2)은, 유기결합제의 층내에 SmCo₅ 영구자석분말을 분산시켜 고체화한 것이다. 또한, 복합자석층(2)의 다른 면에는 점착층(3)이 형성되어 있다. 상기 점착층(3)은 폴리비닐알콜을 주성분으로 하고 있다.

전자간섭 억제장치(11)는, CPU(5)와 외부회로를 연결하는 버스라인(6)을, 점착층(3)을 통해 복합자석층(2)을 라인측으로 하여 덮은 것이다.

본 발명의 제 1 실시예에 대해, 더욱 구체적으로 설명한다.

하기 표 1은, 복합자성체에 사용된 연자성체 분말 및 유기결합제를 나타내고 있다. 연자성체 분말은 Fe-Al-Si 합금분말로 이루어지며, 산소분압 20%의 질소-산소 혼합가스 분위기 속에서 기상 산화되었다. 이에 따라, 분말입자 표면에 산화피막이 형성되어 있음이 확인되었다.

복합자석층(2)은, 결합제로서 폴리프로필렌폴리머 중에 SmCo₅형 영구자석분말을 분산시켜 시트형상으로 형성하였다.

상기 복합자석체 시트(2) 상에 다음과 같이 하여 상기 복합자성체층(1)을 형성하였다. 하기 표 1의 재료를 혼합하여 페이스트형상으로 한 것을 상기 복합자석 시트(2) 상에 스퀴지를 이용하여 도포하고, 충분히 건조시킨 후에 프레스하여, 복합자석 시트(2) 상에 복합자성체층을 형성하였다. 상기 복합자성체층의 한층의 두께는 0.1mm였다. 상기 복합자성체층 상에 추가로 상기 페이스트를 도포·건조·프레스하는 공정을 반복함으로써 복합자성체층을 적층형성하고, 전체의 두께가 1mm가 된 시점에서, 70℃로 48 시간 동안 가열경화시켜, 복합자석체 시트 상에 복합자성체층을 형성하였다. 이와 같이 하여, 복합자석체층 상에 복합자성층을 구비한 EMI 대책부품 시트를 얻었다. 상기 복합자성체층의 표면 저항을 측정한 바, 1×10⁷Ω이었다.

복합자석 시트의 타측 면에는 폴리비닐알콜을 주성분으로 하는 점착제를 도포하여 점착층(3)을 형성하였다.

연자성체 분말 Fe-Al-Si 합금 평균입경 : 10㎛ 애스팩트비 : >5	90 중량부
유기결합제 폴리우레탄수지 이소시아네이트 화합물	8 중량부2 중량부
용제 시클로헥산과 톨루엔의 화합물 에틸셀로솔브	40 중량부65 중량부

도 2는, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 EMI 대책부품(12)을 버스라인(7)에 근접하게 배치한 상태를 도시한 단면도이다. 전자간섭 억제장치인 EMI 대책부품(12)은 버스라인(7)측에 복합자성체층(1), 그 위에 복합자석층(2')이 배치된 2층 구조이다. 복합자성체층(1) 및 복합자석층(2')은, 제 1 실시예에서 이용한 것과 동일하게 제작된 것으로, 복합자성체층(1)을 라인측에 배치하여 사용한 것이다.

도 3은, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 EMI 대책부품(13)을 버스라인(7)에 근접하게 배치한 상태를 도시한 단면도이다. 상기 EMI 대책부품(13)은 복합자석층(2)을 지지체로 하여 양면에 복합자성체층(1)이 형성되어 있다.

다음으로, 본 발명의 실시예에 따른 EMI 대책부품을 평가하기 위해 다음과 같은 장치를 이용하였다.

도 4는, 본 발명의 EMI 대책부품을 평가하기 위한 테스트용 장치의 도면이다. 도 4를 참조하면, 측정되어야 할 샘플로서, 영구자석층이 형성되어 있지 않은 20mm×20mm×0.5mm의 시트형상 EMI 대책부품(20;즉, 복합자성체층으로만 이루어진 시트)을 마이크로스트립 라인(21) 상에 상기 라인을 덮도록 설치하고, 샘플인 복합자성체 시트에 도포된 점착층(3)에 의해, 라인(21)에 부착시켰다. 마이크로스트립 라인(21)의 입력(31)측 단자 및 출력(32)측 단자는 각각 리드선(22 및 23)을 통해 마이크로 분석기(24)에 접속되어 있다. 또한, 0~1kOe(0~79.6kA/m에 상당)의 바이어스 자계를 마이크로스트립 라인(21)의 입출력방향(Hz 방향)으로 인가할 수 있도록, 2점 쇄선으로 도시한 헬름홀츠코일(28) 내에 배치하였다.

이러한 테스트용 샘플(20)을 이용하여, 주파수 1MHz 내지 3GHz에서의 전송특성 및 전력손실을 측정하였다.

도 5는 바이어스 자계가 0인 경우에 있어서의, 주파수 변화에 대한 샘플의 반사전송특성(S11) 및 투과전송특성(S21)과, 입력전력(P(in))에 대한 전력손실(P(loss))의 비인 전력손실특성(P(loss)/P(in))을 각각 나타내고 있다. 단, S11=20log｜Γ｜(Γ:반사계수), S21=20log｜T｜(T:투과계수)이다.

전력손실특성은 입력에 대한 샘플의 흡수량을 의미하는 것으로서, 상기 예에서는 주파수가 상승함에 따라 완만하게 상승하고 있음이 확인되었다.

도 6은, 동일한 샘플에 대해 바이어스 자계를 인가했을 때의 전력손실특성을 나타낸 도면이다. 도 6에 도시한 바와 같이, Hz방향으로 바이어스 자계 0, 100, 500, 1000 Oe(각각 0, 7.96, 39.5, 79.6 kA/m에 상당)을 인가하면 곡선(42, 41, 43, 44)으로 나타낸 바와 같이, 주파수의 상승과 함께, 곡선의 상승이 급격해짐과 동시에, 피크가 명확해지는 것을 알 수 있다.

또한, 피크값의 반값이 되는 상하 2주파수점 사이의 주파수 폭인 반치폭은, 표 2에 도시한 바와 같이, 점점 작아지는 것이 확인되었다.

H[Oe]	반치 대역폭[MHz]
0	1150
100	900
500	350
1000	250

도 7은, 도 4에 도시된 자계인가용 코일인 헬름홀츠코일(28)을 사용하지 않고, 그 대신에 영구자석(35)을 샘플 상에 배치한 상태를 도시한 도면이다. 즉, 상기 도면에 도시한 바와 같이, 영구자석(35)은 1㎤(10^-6㎥)의 크기이며, x, y 및 z 방향의 바이어스 자계의 강도 Hx, Hy 및 Hz가 각각 1.5kOe, 3kOe, 1.5kOe(119, 239, 119kA/m에 상당)이 되도록 이용하였다.

도 8은, 도 4에 도시된 측정용 장치를 이용하여 도 7의 샘플에 있어서의 전력손실특성을 측정한 결과를 나타낸 도면이다. 상기 도면에서, 곡선(51)은 복합자성체 및 영구자석을 모두 사용하지 않은 마이크로스트립 라인만인 경우의 특성이고, 곡선(55)은 영구자석을 사용하지 않은 경우(복합자성체는 사용하고 있음)의 특성이며, 곡선(52~54)은 복합자성체와 영구자석을 사용하고 영구자석에 의한 바이어스 자계의 방향을 x, z, y 방향으로 한 경우의 특성이다. 곡선(55)에 비해, 곡선(52)의 Hx가 1.5kOe(119.4kA/m), 곡선(54)의 Hy가 3kOe(239kA/m), 곡선(53)의 Hz가 1.5kOe(119kA/m)인 경우에, 2GHz 부근에서 상승이 뚜렷하게 급격해진다는 것이 판명되었다. 또한, 곡선(51)의 경우는, 반대로 상승이 완만해져 있음을 알 수 있다.

도 9 및 도 10은, 복합자성체의 바이어스 자계의 강도를 0~400Oe의 범위에서 바꾸어 측정한, 실수부 투자율(μ'), 허수부 투자율(μ")의 주파수 특성을 나타낸 도면이다. 도 9에 도시한 바와 같이, 실수부 투자율(μ')은 주파수의 상승에 따라 완만히 상승하다가, 1GHz 부근부터는 주파수의 상승과 함께 저하된다. 한편, 도 10에 도시한 바와 같이, 허수부 투자율(μ")은 주파수가 0.5GHz 부근부터 상승함과 동시에 급격히 증가됨이 인정되었다.

또, 도 11은 복합자성체만의 비실수부 투자율(μ'), 비허수부 투자율(μ")의 주파수 변화를 나타낸 도면이다.

도 9, 도 10 및 도 11의 비교로부터, 복합자성체에 바이어스 자계를 인가함으로써, 전자간섭을 억제하는데 기여하는 μ"의 상승이 급격해지고, 또한 효과적으로 특정(예컨대, 2GHz 이상) 주파수에 관해 효율을 높일 수 있음을 알 수 있다.

도 12는, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 EMI 대책부품을 이용한 대책방법을 설명하기 위한 장치의 일부를 절단한 사시도이다. 도 12에 도시한 바와 같이, 제 4 실시예에 따른 전자간섭 억제장치인 EMI 대책부품(15)을 버스라인(6) 상에 배치함으로써 이루어져 있다. 전자간섭 억제장치(15)는 대략 'コ'자형으로 성형된 복합자성체 성형체(1')를 구비하고 있다. 복합자성체 성형체(1')는 표면에 산화피막을 갖는 금속자성체 분말을 유기결합제 중에 분산시켜 이루어지며, 주파수 상에서 2개의 자기공명을 한다. 또한, 전자간섭 억제장치(15)에는, 복합자성체 성형체(1')의 외측에 해당하는 면에 복합자석체층(2)이 형성되어 있다.

하기 표 3에는, 전자간섭 억제장치(15)의 복합자성체 성형체(1')에 사용한 Fe-Al-Si 합금의 금속자성체 분말인 연자성체 분말 및 유기결합제를 각각 나타내었다. 하기 표 3에서, 연자성체 분말은 산소분압 20%의 질소-산소 혼합가스 분위기 속에서 기상 산화되어, 표면에 산화피막이 형성되어 있다.

본 발명의 상기 제 4 실시예에서는, 복합자성체 성형체(1')를 하기와 같이, 건식법으로 제조하였다. 하기 표 3에 나타낸 재료를 가열하고 혼합반족하여 압출성형에 의해 두께가 1mm인 대략 'コ'자형으로 성형함으로써, 복합자성체 성형체를 제조하였다. 상기 복합자성체 성형체(1')의 표면 저항을 측정한 결과, 1×10⁶Ω였다. 또한, 상기 복합자성체의 표면 상에, SmCo₅ 영구자석분말을 결합제 중에 분산시켜 이루어진 복합자석체층(2)을 형성하였다. 상기 복합자석체층(2)에 의해, 상술한 바와 마찬가지로 복합자성체 성형체(1')에 바이어스 자계를 인가할 수 있어, 동일한 작용효과를 얻을 수 있다.

연자성체 분말 Fe-Al-Si합금 평균입경 : 45㎛ 애스팩트비 : >5 어닐링처리 : Ar 분위기 650℃×2Hr	80 중량부
유기결합제 ABS 수지	20 중량부

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 매우 용이하고, 불필요한 공간을 차지하지 않으면서 버스라인의 효과적인 EMI 대책이 가능하다. 특히, 최근 신호 주파수의 고주파수화에 대응하여 고주파·광대역에서 2차 방사를 일으키지 않고 방사 노이즈를 감소시킬 수 있는 EMI 대책부품과 EMI 대책방법을 제공할 수 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 이용한 전자간섭 억제장치는 인덕턴스(L) 소자로서의 기능도 기대할 수 있기 때문에, 하나의 대책으로 성질이 다른 복수의 노이즈를 제거할 수 있어, 매우 효율적인 EMI 대책부품과 EMI 대책방법을 제공할 수 있다.

더욱이, 본 발명에 따르면, 사전대책을 필요로 하지 않고, 대책에 시간이나 전문지식을 사용하지 않아도 되며, 특별한 공간이 없어도 대책이 가능하고, 부품 그 자체도 필터 등에 비해 염가라는 등의, 많은 장점을 가지며, 결과적으로 전자기기의 소형화, 저가격화에 기여하는 EMI 대책부품과 EMI 대책방법을 제공할 수 있다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 관한 EMI 대책부품 및 EMI 대책방법은 전자기기나 전기기기의 전자 노이즈 등을 억제하는 전자간섭 억제대책에 매우 유용하다.

Claims (18)

1. 연자성분말을 유기결합제 중에 분산시켜 이루어진 복합자성체층과, 상기 복합자성체층의 적어도 일부에 배치된 결합제에 자석분말을 분산시켜 이루어진 복합자석체층을 구비하며, 상기 복합자석체층은 상기 복합자성체층에 바이어스 자계를 인가하는 것을 특징으로 하는 EMI 대책부품.
2. 제 1항에 있어서, 정보처리장치의 버스라인의 적어도 일부를 덮는 것을 특징으로 하는 EMI 대책부품.
3. 제 1항에 있어서, 상기 자석분말은 SmCo계 영구자석분말인 것을 특징으로 하는 EMI 대책부품.
4. 제 1항에 있어서, 상기 연자성분말은 표면에 산화피막을 갖는 금속자성체 입자로 이루어지며, 또한 상기 복합자성체층의 표면저항이 적어도 10³Ω 이상인 것을 특징으로 하는 EMI 대책부품.
5. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복합자성체는 크기가 서로 다른 이방성 자계에 의해 초래되는 적어도 2개의 자기공명을 갖는 것을 특징으로 하는 EMI 대책부품.
6. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복합자성체는 추가로 고무, 덱스트린 및 폴리비닐알콜 중 어느 것을 주성분으로 하는 점착층을 갖는 것을 특징으로 하는 EMI 대책부품.
7. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복합자성체는 시트형상인 것을 특징으로 하는 EMI 대책부품.
8. 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복합자성체는 대략 'コ'자형된 성형체인 것을 특징으로 하는 EMI 대책부품.
9. 제 8항에 있어서, 상기 복합자성체 성형체의 외부 표면을 덮도록, 상기 복합자석층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 EMI 대책부품.
10. 정보처리장치의 버스라인의 적어도 일부를, 연자성분말을 유기결합제 중에 분산시켜 이루어진 복합자성체층으로 덮는 동시에, 상기 복합자성체층에 바이어스 자계를 인가하는 것을 특징으로 하는 EMI 대책방법.
11. 제 10항에 있어서, 상기 바이어스 자계는, 상기 복합자성체층의 일부에 형성된 결합제 중에 자석분말이 분산되어 이루어진 복합자석층에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 EMI 대책방법.
12. 제 11항에 있어서, 상기 자석분말은 SmCo계 영구자석분말인 것을 특징으로 하는 EMI 대책방법.
13. 제 10항에 있어서, 상기 연자성분말은 표면에 산화피막을 갖는 금속자성체 입자로 이루어지며, 상기 복합자성체층의 표면저항이 적어도 10³Ω 이상인 것을 특징으로 하는 EMI 대책방법.
14. 제 10항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복합자성체층은 크기가 서로 다른 이방성 자계에 의해 초래되는 적어도 2개의 자기공명을 갖는 것을 특징으로 하는 EMI 대책방법.
15. 제 10항 내지 제 14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복합자성체층은 추가로 고무, 덱스트린 및 폴리비닐알콜 중 어느 것을 주성분으로 하는 점착층을 갖는 것을 특징으로 하는 EMI 대책방법.
16. 제 11항에 있어서, 상기 복합자성체층 및 복합자석체층은 적층된 시트형상인 것을 특징으로 하는 EMI 대책방법.
17. 제 10항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복합자성체층은 대략 'コ'자형으로 성형된 성형체인 것을 특징으로 하는 EMI 대책방법.
18. 제 17항에 있어서, 상기 복합자성체의 성형체의 외부 표면을 덮도록, 상기 복합자석층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 EMI 대책방법.