JPH10229292A - 電磁波干渉抑制体 - Google Patents
電磁波干渉抑制体Info
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- JPH10229292A JPH10229292A JP9032139A JP3213997A JPH10229292A JP H10229292 A JPH10229292 A JP H10229292A JP 9032139 A JP9032139 A JP 9032139A JP 3213997 A JP3213997 A JP 3213997A JP H10229292 A JPH10229292 A JP H10229292A
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- interference suppressor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、電磁波透過に対し、導電性のシール
ド材と同等の遮蔽効果を持っと共に、電磁波の反射によ
る電磁結合を助長させない電磁波干渉抑制体を提供する
ことを目的とする。 【解決手段】導電性支持体２と、この導電性支持体２の
少なくとも一方面に設けた絶縁性軟磁性体層３を有し、
絶縁性軟磁性体層３は軟磁性体粉末５と有機結合剤４と
を含む。絶縁性軟磁性体層３の上面もしくは下面に誘電
体層６を有している。前記導電性支持体２が軟磁性を有
する導電性軟磁性支持体である。
ド材と同等の遮蔽効果を持っと共に、電磁波の反射によ
る電磁結合を助長させない電磁波干渉抑制体を提供する
ことを目的とする。 【解決手段】導電性支持体２と、この導電性支持体２の
少なくとも一方面に設けた絶縁性軟磁性体層３を有し、
絶縁性軟磁性体層３は軟磁性体粉末５と有機結合剤４と
を含む。絶縁性軟磁性体層３の上面もしくは下面に誘電
体層６を有している。前記導電性支持体２が軟磁性を有
する導電性軟磁性支持体である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電磁波干渉抑制体
に関し、特に高周波領域において不要電磁波の干渉によ
って生ずる電磁障害を抑制するために用いられる電磁波
干渉抑制体に係わる。
に関し、特に高周波領域において不要電磁波の干渉によ
って生ずる電磁障害を抑制するために用いられる電磁波
干渉抑制体に係わる。
【０００２】
【従来の技術】従来から、デジタル電子機器等の高周波
を利用する電子機器類（電子装置）が用いられている
が、中でも準マイクロ波を使用する通信機器類の普及が
めざましい。例えば、携帯電話に代表される移動体通信
機器は、特に小型化並びに軽量化の要求が強く、高密度
実装化が技術課題とされている。
を利用する電子機器類（電子装置）が用いられている
が、中でも準マイクロ波を使用する通信機器類の普及が
めざましい。例えば、携帯電話に代表される移動体通信
機器は、特に小型化並びに軽量化の要求が強く、高密度
実装化が技術課題とされている。
【０００３】従って、過密に実装された電子部品類やプ
リント配線には、信号処理の高速化が図られているた
め、静電及び電磁結合による線間結合の増大化や放射ノ
イズによる干渉などが生じ、電子機器の正常な動作を妨
げている。このような電磁障害に対して、従来は回路の
出力端子毎にローパスフィルタ等を接続し、不要な高周
波電流を抑制したり、問題となる回路を遠ざけるような
方策を講じたりして電磁障害の原因となる電磁結合や不
要輻射或は導電ノイズ等を抑制している。
リント配線には、信号処理の高速化が図られているた
め、静電及び電磁結合による線間結合の増大化や放射ノ
イズによる干渉などが生じ、電子機器の正常な動作を妨
げている。このような電磁障害に対して、従来は回路の
出力端子毎にローパスフィルタ等を接続し、不要な高周
波電流を抑制したり、問題となる回路を遠ざけるような
方策を講じたりして電磁障害の原因となる電磁結合や不
要輻射或は導電ノイズ等を抑制している。
【０００４】これら高周波電子機器は、さらに小型化並
びに軽量化され、その具体策として、例えば、１枚のプ
リント配線基板に電力回路と小信号回路を混在させた
り、回路毎に小基板化し、それらを重ね合わせて実装す
るといった手段が多くとられている。
びに軽量化され、その具体策として、例えば、１枚のプ
リント配線基板に電力回路と小信号回路を混在させた
り、回路毎に小基板化し、それらを重ね合わせて実装す
るといった手段が多くとられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、複数の配線基
板を重ね合わせて実装すると、部品間や配線基板間の電
磁波干渉に起因する電磁障害の起こる可能性が高くなり
対策が必要となる。これらの配線基板間の電磁波干渉対
策手段として、一般的に、銅板又はアルミニウム板等の
導電性のシールド材を配線基板間に挿入することが行わ
れている。配線基板では、部品実装密度が高くなってい
るために、高周波磁界波はノイズ源に対して低インピー
ダンスとなっており、配線基板の相互間隔も接近して配
置されている。
板を重ね合わせて実装すると、部品間や配線基板間の電
磁波干渉に起因する電磁障害の起こる可能性が高くなり
対策が必要となる。これらの配線基板間の電磁波干渉対
策手段として、一般的に、銅板又はアルミニウム板等の
導電性のシールド材を配線基板間に挿入することが行わ
れている。配線基板では、部品実装密度が高くなってい
るために、高周波磁界波はノイズ源に対して低インピー
ダンスとなっており、配線基板の相互間隔も接近して配
置されている。
【０００６】従って、ノイズ源となる一方の配線基板に
対向する他方の配線基板に対する遮蔽効果は期待できる
ものの、同じ基板面に対しては、不要輻射の反射が生じ
てしまい、ノイズ源側の同一配線基板内で二次的な電磁
結合が助長されるという問題がある。
対向する他方の配線基板に対する遮蔽効果は期待できる
ものの、同じ基板面に対しては、不要輻射の反射が生じ
てしまい、ノイズ源側の同一配線基板内で二次的な電磁
結合が助長されるという問題がある。
【０００７】そこで、本発明は、電磁波の透過に対し、
導電性のシールド材と同等の遮蔽効果を持つと共に、電
磁波の反射による電磁結合を助長させない電磁波干渉抑
制体を提供することを目的とする。
導電性のシールド材と同等の遮蔽効果を持つと共に、電
磁波の反射による電磁結合を助長させない電磁波干渉抑
制体を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段、発明の実施の形態及び発
明の効果】上記目的を達成するためになされた本発明
は、請求項１記載のように電磁障害を抑制する電磁波干
渉抑制体の導電性支持体と、該導電性支持体の少なくと
も一方面に設けられた絶縁性軟磁性体層とを有し、該絶
縁性軟磁性体層は軟磁性体粉末と有機結合剤とを含む電
磁波干渉抑制体において、前記軟磁性体粉末は純鉄であ
ることを特徴とする。
明の効果】上記目的を達成するためになされた本発明
は、請求項１記載のように電磁障害を抑制する電磁波干
渉抑制体の導電性支持体と、該導電性支持体の少なくと
も一方面に設けられた絶縁性軟磁性体層とを有し、該絶
縁性軟磁性体層は軟磁性体粉末と有機結合剤とを含む電
磁波干渉抑制体において、前記軟磁性体粉末は純鉄であ
ることを特徴とする。
【０００９】請求項２記載の発明は、電磁障害を抑制す
る電磁波干渉抑制体の導電性支持体と、該導電性支持体
の少なくとも一方面に設けられた絶縁性軟磁性体層とを
有し、該絶縁性軟磁性体層は軟磁性体粉末と有機結合剤
とを含む電磁波干渉抑制体において、前記軟磁性体粉末
は最大透磁率４５００００（μｍ）以上のパーマロイで
あることを特徴とする。
る電磁波干渉抑制体の導電性支持体と、該導電性支持体
の少なくとも一方面に設けられた絶縁性軟磁性体層とを
有し、該絶縁性軟磁性体層は軟磁性体粉末と有機結合剤
とを含む電磁波干渉抑制体において、前記軟磁性体粉末
は最大透磁率４５００００（μｍ）以上のパーマロイで
あることを特徴とする。
【００１０】ここで、従来のパーマロイはＰＢパーマロ
イの最大透磁率３００００（μｍ）以上、ＰＣパーマロ
イの最大透磁率１２００００（μｍ）以上である。従っ
て、パーマロイの中でも最大透磁率の特に大きいものを
用いる。請求項３記載の発明は、電磁障害を抑制する電
磁波干渉抑制体の導電性支持体と、該導電性支持体の少
なくとも一方面に設けられた絶縁性軟磁性体層とを有
し、該絶縁性軟磁性体層は軟磁性体粉末と有機結合剤と
を含む電磁波干渉抑制体において、前記軟磁性体粉末は
最大透磁率１５００００（μｍ）以上のＰＢパーマロイ
であることを特徴とする。
イの最大透磁率３００００（μｍ）以上、ＰＣパーマロ
イの最大透磁率１２００００（μｍ）以上である。従っ
て、パーマロイの中でも最大透磁率の特に大きいものを
用いる。請求項３記載の発明は、電磁障害を抑制する電
磁波干渉抑制体の導電性支持体と、該導電性支持体の少
なくとも一方面に設けられた絶縁性軟磁性体層とを有
し、該絶縁性軟磁性体層は軟磁性体粉末と有機結合剤と
を含む電磁波干渉抑制体において、前記軟磁性体粉末は
最大透磁率１５００００（μｍ）以上のＰＢパーマロイ
であることを特徴とする。
【００１１】ここで、従来のＰＢパーマロイは最大透磁
率３００００（μｍ）以上である。従って、ＰＢパーマ
ロイの中でも最大透磁率の特に大きいものを用いる。請
求項４記載の発明は、電磁障害を抑制する電磁波干渉抑
制体の導電性支持体と、該導電性支持体の少なくとも一
方面に設けられた絶縁性軟磁性体層とを有し、該絶縁性
軟磁性体層は軟磁性体粉末と有機結合剤とを含む電磁波
干渉抑制体において、前記軟磁性体粉末は最大透磁率１
５００００（μｍ）以上、初透磁率８０００（μｉ）以
上、保磁力０．０５（Ｏｅ）以下のＰＢパーマロイであ
ることを特徴とする。
率３００００（μｍ）以上である。従って、ＰＢパーマ
ロイの中でも最大透磁率の特に大きいものを用いる。請
求項４記載の発明は、電磁障害を抑制する電磁波干渉抑
制体の導電性支持体と、該導電性支持体の少なくとも一
方面に設けられた絶縁性軟磁性体層とを有し、該絶縁性
軟磁性体層は軟磁性体粉末と有機結合剤とを含む電磁波
干渉抑制体において、前記軟磁性体粉末は最大透磁率１
５００００（μｍ）以上、初透磁率８０００（μｉ）以
上、保磁力０．０５（Ｏｅ）以下のＰＢパーマロイであ
ることを特徴とする。
【００１２】ここで、従来のＰＢパーマロイは最大透磁
率３００００（μｍ）以上、初透磁率３０００（μｉ）
以上、保磁力０．１７（Ｏｅ）以下である。従って、Ｐ
Ｂパーマロイの中ても最大透磁率と初透磁率の特に大き
いもので、しかも保磁力の低いものを用いる。
率３００００（μｍ）以上、初透磁率３０００（μｉ）
以上、保磁力０．１７（Ｏｅ）以下である。従って、Ｐ
Ｂパーマロイの中ても最大透磁率と初透磁率の特に大き
いもので、しかも保磁力の低いものを用いる。
【００１３】請求項５記載の発明は、電磁障害を抑制す
る電磁波干渉抑制体の導電性支持体と、該導電性支持体
の少なくとも一方面に設けられた絶縁性軟磁性体層とを
有し、該絶縁性軟磁性体層は軟磁性体粉末と有機結合剤
とを含む電磁波干渉抑制体において、前記軟磁性体粉末
は最大透磁率４５００００（μｍ）以上、初透磁率３０
０００（μｉ）以上、保磁力０．０１５（Ｏｅ）以下の
ＰＣパーマロイであることを特徴とする。
る電磁波干渉抑制体の導電性支持体と、該導電性支持体
の少なくとも一方面に設けられた絶縁性軟磁性体層とを
有し、該絶縁性軟磁性体層は軟磁性体粉末と有機結合剤
とを含む電磁波干渉抑制体において、前記軟磁性体粉末
は最大透磁率４５００００（μｍ）以上、初透磁率３０
０００（μｉ）以上、保磁力０．０１５（Ｏｅ）以下の
ＰＣパーマロイであることを特徴とする。
【００１４】ここで、従来のＰＣパーマロイは最大透磁
率１２００００（μｍ）以上、初透磁率３００００（μ
ｉ）以上、保磁力０．０２０（Ｏｅ）以下である。従っ
て、ＰＣパーマロイの中でも最大透磁率と初透磁率の特
に大きいもので、しかも保磁力の低いものを用いる。
率１２００００（μｍ）以上、初透磁率３００００（μ
ｉ）以上、保磁力０．０２０（Ｏｅ）以下である。従っ
て、ＰＣパーマロイの中でも最大透磁率と初透磁率の特
に大きいもので、しかも保磁力の低いものを用いる。
【００１５】請求項６記載の発明は、請求項１〜５のい
ずれか記載の電磁波干渉抑制体において、前記絶縁性軟
磁性体層の少なくとも一方面に、誘電体粉末と有機結合
剤とを含む誘電体層を設けたことを特徴とする。本発明
によると、電磁波干渉抑制体は、導電性基材（導電性支
持体）の片側もしくは両面に絶縁性軟磁性体層が設けら
れたものを基本構成としている。即ち、複数の配線基板
が重ね合って実装されている場合においては、電磁波干
渉抑制体を配線基板間に挿入することにより、導電性基
材がノイズ源となる一方の配線基板に対向する他の配線
基板に対して遮蔽効果が働き電磁波干渉が抑制される。
ずれか記載の電磁波干渉抑制体において、前記絶縁性軟
磁性体層の少なくとも一方面に、誘電体粉末と有機結合
剤とを含む誘電体層を設けたことを特徴とする。本発明
によると、電磁波干渉抑制体は、導電性基材（導電性支
持体）の片側もしくは両面に絶縁性軟磁性体層が設けら
れたものを基本構成としている。即ち、複数の配線基板
が重ね合って実装されている場合においては、電磁波干
渉抑制体を配線基板間に挿入することにより、導電性基
材がノイズ源となる一方の配線基板に対向する他の配線
基板に対して遮蔽効果が働き電磁波干渉が抑制される。
【００１６】一方、導電性基材を配線基板間に挿入する
ことにより生じる不要輻射の反射による電磁結合の増大
化は、軟磁性体粉末と有機結合剤からなる絶縁性軟磁性
体層により抑制される。この絶縁性軟磁性体層は、本
来、導電性物質である軟磁性金属を微細粉末化し、絶縁
性の有機結合剤と混練・分散することにより絶縁層とな
っていると共に、誘電体層の存在しない誘電体粉末の軟
磁性層への混合により空間とのインピーダンス整合が図
られるため、軟磁性層表面での不要輻射の反射が起こり
難くなる。
ことにより生じる不要輻射の反射による電磁結合の増大
化は、軟磁性体粉末と有機結合剤からなる絶縁性軟磁性
体層により抑制される。この絶縁性軟磁性体層は、本
来、導電性物質である軟磁性金属を微細粉末化し、絶縁
性の有機結合剤と混練・分散することにより絶縁層とな
っていると共に、誘電体層の存在しない誘電体粉末の軟
磁性層への混合により空間とのインピーダンス整合が図
られるため、軟磁性層表面での不要輻射の反射が起こり
難くなる。
【００１７】この電磁波干渉抑制体において、導電性支
持体としては、銅薄板、ステンレス薄板、アルミニウム
薄板等の金属薄板、及びそれらに微細な穴開け加工を施
したパンチングメタル、或は薄板に微細な切れ目を施し
た後に、延伸加工したいわゆるエキスバンドメタル、或
は細線状の導体を網目状に加工した金網等を使用でき
る。
持体としては、銅薄板、ステンレス薄板、アルミニウム
薄板等の金属薄板、及びそれらに微細な穴開け加工を施
したパンチングメタル、或は薄板に微細な切れ目を施し
た後に、延伸加工したいわゆるエキスバンドメタル、或
は細線状の導体を網目状に加工した金網等を使用でき
る。
【００１８】同様の形態にて材質のみが軟磁性を有する
パーマロイ或は鉄−珪素鋼等に代えれば、特に比較的低
い周波数での電磁干渉抑制効果の高まりが期待できるの
で、用途に応じて選択するのが望ましい。絶縁性軟磁性
層の構成に用いることのできる偏平状（もしくは針状）
の軟磁性体粉末としては、高周波透磁率の大きなパーマ
ロイをその代表的素材として挙げることができ、粉末の
アスペクト比は十分に大きい（おおよそ５：１以上）こ
とが望ましい。
パーマロイ或は鉄−珪素鋼等に代えれば、特に比較的低
い周波数での電磁干渉抑制効果の高まりが期待できるの
で、用途に応じて選択するのが望ましい。絶縁性軟磁性
層の構成に用いることのできる偏平状（もしくは針状）
の軟磁性体粉末としては、高周波透磁率の大きなパーマ
ロイをその代表的素材として挙げることができ、粉末の
アスペクト比は十分に大きい（おおよそ５：１以上）こ
とが望ましい。
【００１９】絶縁性軟磁性層の形成に用いる有機結合剤
としては、ポリエステル系樹脂、ポリ塩化ビニール系樹
脂，ポリビニルプチラール樹脂，ポリウレタン樹脂，セ
ルロース系樹脂，ニトリルーブタジェン系ゴム，スチレ
ンーブタジェン系ゴム等の熱可塑性樹脂或はそれらの共
重合体や、エポシキ樹脂，フェノール樹脂，アミド系樹
脂，イミド系樹脂等の熱硬化性樹脂等を挙げることがで
きる。
としては、ポリエステル系樹脂、ポリ塩化ビニール系樹
脂，ポリビニルプチラール樹脂，ポリウレタン樹脂，セ
ルロース系樹脂，ニトリルーブタジェン系ゴム，スチレ
ンーブタジェン系ゴム等の熱可塑性樹脂或はそれらの共
重合体や、エポシキ樹脂，フェノール樹脂，アミド系樹
脂，イミド系樹脂等の熱硬化性樹脂等を挙げることがで
きる。
【００２０】誘電体層の形成に用いる誘電体粉末は、高
周波領域での誘電率が大く、かつ誘電率の周波数特性が
比較的平坦なものが好ましい。例えば、チタン酸バリウ
ム系セラミック、チタン酸ジルコン酸系セラミック、鉛
ペロブスカイト系セラミック等を挙げることができる。
周波領域での誘電率が大く、かつ誘電率の周波数特性が
比較的平坦なものが好ましい。例えば、チタン酸バリウ
ム系セラミック、チタン酸ジルコン酸系セラミック、鉛
ペロブスカイト系セラミック等を挙げることができる。
【００２１】
【実施例】本発明の電磁波干渉抑制体の実施例を図に基
づいて説明する。第１実施例は、図１に示すように、電
磁波干渉抑制体１は、導電性支持体（もしくは軟磁性を
有する導電性軟磁性支持体）２と、この導電性支持体２
の両面に設けられた絶縁性軟磁性体層３を有している。
又、絶縁性軟磁性体層３は偏平状又は針状の軟磁性体粉
末５と有機結合剤４とを含む。
づいて説明する。第１実施例は、図１に示すように、電
磁波干渉抑制体１は、導電性支持体（もしくは軟磁性を
有する導電性軟磁性支持体）２と、この導電性支持体２
の両面に設けられた絶縁性軟磁性体層３を有している。
又、絶縁性軟磁性体層３は偏平状又は針状の軟磁性体粉
末５と有機結合剤４とを含む。
【００２２】ここで、軟磁性体粉末５に純鉄を用いた。
第２実施例は、軟磁性体粉末５を物質特性が最大透磁率
４５００００（μｍ）以上、初透磁率：３００００（μ
ｉ）以上、保磁力：０．０１５（Ｏｅ）以下のＰＣパー
マロイを用いた。他は実施例１と同じである。
第２実施例は、軟磁性体粉末５を物質特性が最大透磁率
４５００００（μｍ）以上、初透磁率：３００００（μ
ｉ）以上、保磁力：０．０１５（Ｏｅ）以下のＰＣパー
マロイを用いた。他は実施例１と同じである。
【００２３】第３実施例は、軟磁性体粉末５を物質特性
が最大透磁率１５００００（μｍ）以上、初透磁率：８
０００（μｉ）以上、保磁力：０．０５（Ｏｅ）以下の
ＰＢパーマロイを用いた。他は実施例１と同じである。
第４実施例は、図２（ａ）に示すように、電磁波干渉抑
制体１は、導電性支持体２と誘電体層６との間に絶縁性
軟磁性体層３が介在している。絶縁性軟磁性体層３は偏
平もしくは針状の最大透磁率１５００００（μｍ）以上
のパーマロイからなる軟磁性体粉末５と有機結合剤４と
を含んでいる。誘電体層６は、誘電体粉末７と有機結合
剤４とからなっている。
が最大透磁率１５００００（μｍ）以上、初透磁率：８
０００（μｉ）以上、保磁力：０．０５（Ｏｅ）以下の
ＰＢパーマロイを用いた。他は実施例１と同じである。
第４実施例は、図２（ａ）に示すように、電磁波干渉抑
制体１は、導電性支持体２と誘電体層６との間に絶縁性
軟磁性体層３が介在している。絶縁性軟磁性体層３は偏
平もしくは針状の最大透磁率１５００００（μｍ）以上
のパーマロイからなる軟磁性体粉末５と有機結合剤４と
を含んでいる。誘電体層６は、誘電体粉末７と有機結合
剤４とからなっている。
【００２４】又、第５実施例は、図２（ｂ）に示すよう
に、電磁波干渉抑制体１は、導電性支持体２と絶縁性軟
磁性体層３との間に誘電体層６が介在している。尚、こ
れら各部導電性支持体２，絶縁性軟磁性体層３，誘電体
層６は、第４実施例と同じ構成している。
に、電磁波干渉抑制体１は、導電性支持体２と絶縁性軟
磁性体層３との間に誘電体層６が介在している。尚、こ
れら各部導電性支持体２，絶縁性軟磁性体層３，誘電体
層６は、第４実施例と同じ構成している。
【００２５】第２〜第４実施例の軟磁性体粉末５はＭＡ
ＧＮＥＴＥＩＣ ＳＨＩＥＬＤ社製の焼鈍後のものを用
いた。第１実施例のさらに具体的な例として電磁波干渉
抑制体１は、導電性支持体（もしくは軟磁性を有する導
電性軟磁性支持体）２として２４メッシュのステンレス
網を用い、この両面に乾燥、硬化後の全厚が１．０ｍｍ
となるように以下の組成からなる軟磁性体ペーストをド
クターブレード法により塗工し、８５℃にて２４時間キ
ュアリングを行った。この導電性支持体２の両面に設け
られた絶縁性軟磁性体層３の組成は次の通りである。
ＧＮＥＴＥＩＣ ＳＨＩＥＬＤ社製の焼鈍後のものを用
いた。第１実施例のさらに具体的な例として電磁波干渉
抑制体１は、導電性支持体（もしくは軟磁性を有する導
電性軟磁性支持体）２として２４メッシュのステンレス
網を用い、この両面に乾燥、硬化後の全厚が１．０ｍｍ
となるように以下の組成からなる軟磁性体ペーストをド
クターブレード法により塗工し、８５℃にて２４時間キ
ュアリングを行った。この導電性支持体２の両面に設け
られた絶縁性軟磁性体層３の組成は次の通りである。
【００２６】 偏平状軟磁性体微粉末 ……９０重量部 材質：純鉄 平均粒径：１０μｍ アスペクト比：＞５ 有機結合剤４は、 ポリウレタン樹脂 ………８重量部 硬化剤（イソシアネート化合物） ………２重量部 溶剤（シクロヘキサノンとトルエンとの混合物）……４０重量部 第２実施例のさらに具体的な例としての軟磁性体粉末５
の組成は次の通りである。
の組成は次の通りである。
【００２７】 偏平状軟磁性体微粉末 ……９０重量部 材質：ＰＣパーマロイ 物質特性 最大透磁率：４５００００（μｍ）以上 初透磁率：３００００（μｉ）以上、 保磁力：０．０１５（Ｏｅ）以下 他は実施例１と同じである。
【００２８】第３実施例のさらに具体的な例としての軟
磁性体粉末５の組成は次の通りである。 偏平状軟磁性体微粉末 ……９０重量部 材質：ＰＢパーマロイ 物質特性 最大透磁率：１５００００（μｍ）以上 初透磁率：８０００（μｉ）以上 保磁力：０．０５（Ｏｅ）以下 他は実施例１と同じである。
磁性体粉末５の組成は次の通りである。 偏平状軟磁性体微粉末 ……９０重量部 材質：ＰＢパーマロイ 物質特性 最大透磁率：１５００００（μｍ）以上 初透磁率：８０００（μｉ）以上 保磁力：０．０５（Ｏｅ）以下 他は実施例１と同じである。
【００２９】第４，第５実施例のさらに具体的な例とし
て、導電層支持体又は絶縁性軟磁性体層の表面に厚さが
１００μｍとなるように軟磁性体ペーストをドクターブ
レード法により塗工し、８５℃にて２４時間キュアリン
グを行った。誘電体層４の組成は次の通りである。
て、導電層支持体又は絶縁性軟磁性体層の表面に厚さが
１００μｍとなるように軟磁性体ペーストをドクターブ
レード法により塗工し、８５℃にて２４時間キュアリン
グを行った。誘電体層４の組成は次の通りである。
【００３０】 誘電体粉末 ……９０重量部 材質：チタン酸バリウム 平均粒径：７μｍ 有機結合剤 ポリウレタン樹脂 …… ８重量部 硬化剤（イソシアネート化合物） …… ２重量部 溶剤（シクロヘキサノンとトルエンとの混合物）……４５重量部 尚、絶縁性軟磁性層３を構成する軟磁性体ペーストは、
実施例２又は３の具体例と同じである。
実施例２又は３の具体例と同じである。
【００３１】上述の実施例１〜５のものを、ネットワー
クアナライザを用いて検査したところ透過レベルも結合
レベルも従来のものよりよい結果が得られた。
クアナライザを用いて検査したところ透過レベルも結合
レベルも従来のものよりよい結果が得られた。
【図１】 第１〜３実施例の電磁波干渉抑制体の要部を
表す説明図。
表す説明図。
【図２】 第４，５実施例の電磁波干渉抑制体の要部を
表す説明図。
表す説明図。
１…電磁波干渉抑制体、２…導電性支持体、３…絶縁性
軟磁性体層、４…有機結合剤、５…軟磁性体粉末、６…
誘電体層、７…誘電体粉末。
軟磁性体層、４…有機結合剤、５…軟磁性体粉末、６…
誘電体層、７…誘電体粉末。
Claims (6)
- 【請求項１】 電磁障害を抑制する電磁波干渉抑制体の
導電性支持体と、該導電性支持体の少なくとも一方面に
設けられた絶縁性軟磁性体層とを有し、該絶縁性軟磁性
体層は軟磁性体粉末と有機結合剤とを含む電磁波干渉抑
制体において、前記軟磁性体粉末は純鉄であることを特
徴とする電磁波干渉抑制体。 - 【請求項２】 電磁障害を抑制する電磁波干渉抑制体の
導電性支持体と、該導電性支持体の少なくとも一方面に
設けられた絶縁性軟磁性体層とを有し、該絶縁性軟磁性
体層は軟磁性体粉末と有機結合剤とを含む電磁波干渉抑
制体において、前記軟磁性体粉末は最大透磁率４５００
００（μｍ）以上のパーマロイであることを特徴とする
電磁波干渉抑制体。 - 【請求項３】 電磁障害を抑制する電磁波干渉抑制体の
導電性支持体と、該導電性支持体の少なくとも一方面に
設けられた絶縁性軟磁性体層とを有し、該絶縁性軟磁性
体層は軟磁性体粉末と有機結合剤とを含む電磁波干渉抑
制体において、前記軟磁性体粉末は最大透磁率１５００
００（μｍ）以上のＰＢパーマロイであることを特徴と
する電磁波干渉抑制体。 - 【請求項４】 電磁障害を抑制する電磁波干渉抑制体の
導電性支持体と、該導電性支持体の少なくとも一方面に
設けられた絶縁性軟磁性体層とを有し、該絶縁性軟磁性
体層は軟磁性体粉末と有機結合剤とを含む電磁波干渉抑
制体において、前記軟磁性体粉末は最大透磁率１５００
００（μｍ）以上、初透磁率８０００（μｉ）以上、保
磁力０．０５（Ｏｅ）以下のＰＢパーマロイであること
を特徴とする電磁波干渉抑制体。 - 【請求項５】 電磁障害を抑制する電磁波干渉抑制体の
導電性支持体と、該導電性支持体の少なくとも一方面に
設けられた絶縁性軟磁性体層とを有し、該絶縁性軟磁性
体層は軟磁性体粉末と有機結合剤とを含む電磁波干渉抑
制体において、前記軟磁性体粉末は最大透磁率４５００
００（μｍ）以上、初透磁率３００００（μｉ）以上、
保磁力０．０１５（Ｏｅ）以下のＰＣパーマロイである
ことを特徴とする電磁波干渉抑制体。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか記載の電磁波干
渉抑制体において、 前記絶縁性軟磁性体層の少なくとも一方面に、誘電体粉
末と有機結合剤とを含む誘電体層を設けたことを特徴と
する電磁波干渉抑制体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9032139A JPH10229292A (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | 電磁波干渉抑制体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9032139A JPH10229292A (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | 電磁波干渉抑制体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10229292A true JPH10229292A (ja) | 1998-08-25 |
Family
ID=12350574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9032139A Pending JPH10229292A (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | 電磁波干渉抑制体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10229292A (ja) |
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- 1997-02-17 JP JP9032139A patent/JPH10229292A/ja active Pending
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