JPH1012315A - ソケット及びコネクタ - Google Patents
ソケット及びコネクタInfo
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- JPH1012315A JPH1012315A JP8185450A JP18545096A JPH1012315A JP H1012315 A JPH1012315 A JP H1012315A JP 8185450 A JP8185450 A JP 8185450A JP 18545096 A JP18545096 A JP 18545096A JP H1012315 A JPH1012315 A JP H1012315A
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- connector
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 より高い周波数帯域で信号波形の品質を維持
しつつ、効果的な対策を行い、耐衝撃・振動性に優れ、
対策のためのスペースを要さないＥＭＩ対策方法として
のソケット及びコネクタを提供すること。 【解決手段】 挿入実装型のデバイス７を基板９上の配
線パターンと接続するためのソケット２であって、前記
ソケット２のモールド４が軟磁性粉末と有機結合剤から
なる複合磁性体によるソケット。
しつつ、効果的な対策を行い、耐衝撃・振動性に優れ、
対策のためのスペースを要さないＥＭＩ対策方法として
のソケット及びコネクタを提供すること。 【解決手段】 挿入実装型のデバイス７を基板９上の配
線パターンと接続するためのソケット２であって、前記
ソケット２のモールド４が軟磁性粉末と有機結合剤から
なる複合磁性体によるソケット。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンピュータや周
辺端末機などの情報通信機器におけるＥＭＩ対策方法で
あって、特にデバイス〜基板間、基板〜基板間、機器〜
機器間をつなぐ筐体に複合磁性体を用いたソケット及び
コネクタに関する。
辺端末機などの情報通信機器におけるＥＭＩ対策方法で
あって、特にデバイス〜基板間、基板〜基板間、機器〜
機器間をつなぐ筐体に複合磁性体を用いたソケット及び
コネクタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、機器〜機器間を接続するインター
フェイス用コネクタにおいては、放射ノイズに対して
は、金属シールド板を用いてシールドすることにより対
策され、伝導ノイズがインターフェイスケーブルをアン
テナとして放射するコモンモードノイズに対しては、フ
ェライトコアや貫通コンデンサを用いることにより対策
されている。
フェイス用コネクタにおいては、放射ノイズに対して
は、金属シールド板を用いてシールドすることにより対
策され、伝導ノイズがインターフェイスケーブルをアン
テナとして放射するコモンモードノイズに対しては、フ
ェライトコアや貫通コンデンサを用いることにより対策
されている。
【０００３】一般に、従来のソケット及びコネクタは、
図９に示すように、樹脂モールド１５上に設けられた金
属シールド１４と共に基板へのフレームグランド処理を
行っており、インターフェイス接続ケーブル側のプラグ
コネクタとの表面電流をグランドさせ、シールディング
とグランディングを兼用している。
図９に示すように、樹脂モールド１５上に設けられた金
属シールド１４と共に基板へのフレームグランド処理を
行っており、インターフェイス接続ケーブル側のプラグ
コネクタとの表面電流をグランドさせ、シールディング
とグランディングを兼用している。
【０００４】又、フェライトコア１２の挿入について
は、図９（ａ）に示すように、マルチホールタイプ の
フェライトコア１２を用い、コアの孔にリード８を挿通
させている。
は、図９（ａ）に示すように、マルチホールタイプ の
フェライトコア１２を用い、コアの孔にリード８を挿通
させている。
【０００５】又、図９（ｂ）においては、貫通コンデン
サ１３を挿入した場合について示す。貫通コンデンサ１
３の挿入については、金属フレームに貫通コンデンサ１
３を嵌着し、コンデンサの貫通孔にリード８を挿通させ
てある。
サ１３を挿入した場合について示す。貫通コンデンサ１
３の挿入については、金属フレームに貫通コンデンサ１
３を嵌着し、コンデンサの貫通孔にリード８を挿通させ
てある。
【０００６】フェライトコアの場合、伝送信号波形への
影響が少ないことが非常に大きな特徴である。貫通コン
デンサの場合、減衰特性が急峻で効果が顕著であり、比
較的高い周波数帯域まで利用できることが特徴である。
影響が少ないことが非常に大きな特徴である。貫通コン
デンサの場合、減衰特性が急峻で効果が顕著であり、比
較的高い周波数帯域まで利用できることが特徴である。
【０００７】これに対して、挿入実装型のデバイスと基
板との接続部分や、基板と基板の間の接続部分では、ほ
とんど対策らしい対策はなされてこなかった。しかしな
がら、近年の情報処理の高速デジタル化や信号周波数の
高周波化等によって、これらの従来対策されてこなかっ
た部分においても、ＥＭＩ対策の必要性が生じてきてい
る。
板との接続部分や、基板と基板の間の接続部分では、ほ
とんど対策らしい対策はなされてこなかった。しかしな
がら、近年の情報処理の高速デジタル化や信号周波数の
高周波化等によって、これらの従来対策されてこなかっ
た部分においても、ＥＭＩ対策の必要性が生じてきてい
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来のコモンモードノ
イズに対してフェライトコアや貫通コンデンサを用いる
上記対策は、設計変更や原因追究などを行わずに、簡便
に、かつ効果的にできるＥＭＩ対策として広く使用され
てきている。しかし、前述したように、フェライトコア
や貫通コンデンサを用いる場合、それぞれに下記の欠点
を有する。
イズに対してフェライトコアや貫通コンデンサを用いる
上記対策は、設計変更や原因追究などを行わずに、簡便
に、かつ効果的にできるＥＭＩ対策として広く使用され
てきている。しかし、前述したように、フェライトコア
や貫通コンデンサを用いる場合、それぞれに下記の欠点
を有する。
【０００９】フェライトコアは、高い周波数帯域には対
応できず、信号周波数が高周波化している現在では、大
きな欠点となってしまう。又、セラミック体であり、重
量もある。情報通信機器が携帯化されていることを考え
ると、都合が悪い。又、貫通コンデンサは、高い周波数
帯域には対応が可能であるものの、デジタル信号波形に
対する影響が大きく、信頼性に欠ける結果となってい
る。
応できず、信号周波数が高周波化している現在では、大
きな欠点となってしまう。又、セラミック体であり、重
量もある。情報通信機器が携帯化されていることを考え
ると、都合が悪い。又、貫通コンデンサは、高い周波数
帯域には対応が可能であるものの、デジタル信号波形に
対する影響が大きく、信頼性に欠ける結果となってい
る。
【００１０】又、従来、対策をしてない部分では、新た
に従来技術での対策を採ろうとしても、スペースの確保
などの制約上、困難な場合が多い。
に従来技術での対策を採ろうとしても、スペースの確保
などの制約上、困難な場合が多い。
【００１１】本発明の課題は、より高い周波数帯域で信
号波形の品質を維持しつつ、反射及び放射ノイズを防止
し、フェライトコアやコンデンサを用いなくても、耐衝
撃・振動性に優れ、軽量で、ノイズ対策のスペースを要
さない高い信頼性を有し、安価なソケット及びコネクタ
を提供することにある。
号波形の品質を維持しつつ、反射及び放射ノイズを防止
し、フェライトコアやコンデンサを用いなくても、耐衝
撃・振動性に優れ、軽量で、ノイズ対策のスペースを要
さない高い信頼性を有し、安価なソケット及びコネクタ
を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、挿入実装型の
デバイスを基板上の配線パターンと接続するためのソケ
ットであって、前記ソケットのモールドが軟磁性粉末と
有機結合剤からなる複合磁性体によって形成されている
ことを特徴とするソケットである。
デバイスを基板上の配線パターンと接続するためのソケ
ットであって、前記ソケットのモールドが軟磁性粉末と
有機結合剤からなる複合磁性体によって形成されている
ことを特徴とするソケットである。
【００１３】又、本発明は、基板間を接続するためのコ
ネクタであって、前記コネクタのモールドが軟磁性体粉
末と有機結合剤からなる複合磁性体によって形成されて
いることを特徴とするコネクタである。
ネクタであって、前記コネクタのモールドが軟磁性体粉
末と有機結合剤からなる複合磁性体によって形成されて
いることを特徴とするコネクタである。
【００１４】又、本発明は、機器間を接続するためのイ
ンターフェイス用コネクタであって、前記コネクタのモ
ールドが軟磁性粉末と有機結合剤からなる複合磁性体に
よって形成されていることを特徴とするコネクタであ
る。
ンターフェイス用コネクタであって、前記コネクタのモ
ールドが軟磁性粉末と有機結合剤からなる複合磁性体に
よって形成されていることを特徴とするコネクタであ
る。
【００１５】又、本発明は、前記軟磁性粉末が表面に酸
化皮膜を有する金属磁性体であり、かつ、表面抵抗が１
０3Ω以上である前記複合磁性体を用いることを特徴と
する上記ソケット及びコネクタである。
化皮膜を有する金属磁性体であり、かつ、表面抵抗が１
０3Ω以上である前記複合磁性体を用いることを特徴と
する上記ソケット及びコネクタである。
【００１６】又、本発明は、互いに異なる大きさの異方
性磁界によってもたらされる磁気共鳴を少なくとも２つ
有する前記複合磁性体を用いることを特徴とする上記ソ
ケット及びコネクタである。
性磁界によってもたらされる磁気共鳴を少なくとも２つ
有する前記複合磁性体を用いることを特徴とする上記ソ
ケット及びコネクタである。
【００１７】又、本発明は、導電体層を有する前記複合
磁性体を用いることを特徴とする上記ソケット及びコネ
クタである。
磁性体を用いることを特徴とする上記ソケット及びコネ
クタである。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を用い
て説明する。
て説明する。
【００１９】本発明の第１の実施の形態を図１に示す。
本発明のソケットは、リード８を有する挿入実装型のデ
バイス７と、挿入孔２ｃを有する上層２ａ、下層２ｂ
と、複合磁性体からなるモールド４を構成したソケット
２である。複合磁性体としては、軟磁性粉末には表面に
酸化皮膜を有する金属磁性体を用い、熱可塑性の樹脂を
有機結合剤に用いた。金属磁性体と熱可塑性の樹脂とを
加熱混練し、ソケット２のモールド４として成形した。
本発明のソケットは、リード８を有する挿入実装型のデ
バイス７と、挿入孔２ｃを有する上層２ａ、下層２ｂ
と、複合磁性体からなるモールド４を構成したソケット
２である。複合磁性体としては、軟磁性粉末には表面に
酸化皮膜を有する金属磁性体を用い、熱可塑性の樹脂を
有機結合剤に用いた。金属磁性体と熱可塑性の樹脂とを
加熱混練し、ソケット２のモールド４として成形した。
【００２０】本発明のソケット２は、上下に分かれてお
り、下側の下層２ｂに接続ピンが取り付けられ、デバイ
ス７のリード８と基板９の回路パターンとをつないでい
る。
り、下側の下層２ｂに接続ピンが取り付けられ、デバイ
ス７のリード８と基板９の回路パターンとをつないでい
る。
【００２１】脇に取り付けられたレバー１８によって、
上側の上層２ａがスライドする機構となっており、デバ
イス７のリード８を所定位置の前記挿入孔２ｃに挿入
後、上側の上層２ａをスライドさせることによって、下
側の下層２ｂの接続ピン６（表示せず）とデバイス７の
リード８が圧接・固定され、電気的・機械的に確実に接
続される。この機構の場合、必要にじてデバイスの交換
が容易に行える。
上側の上層２ａがスライドする機構となっており、デバ
イス７のリード８を所定位置の前記挿入孔２ｃに挿入
後、上側の上層２ａをスライドさせることによって、下
側の下層２ｂの接続ピン６（表示せず）とデバイス７の
リード８が圧接・固定され、電気的・機械的に確実に接
続される。この機構の場合、必要にじてデバイスの交換
が容易に行える。
【００２２】本発明の第２の実施の形態を図２に示す。
本発明のコネクタは、基板と基板を接続するために設け
られたソケット２とプラグ３からなるコネクタ１であ
る。ソケット２及びプラグ３に用いられるモールド４内
部には、弾性を有する接続ピン６が取り付けられ、相互
に弾発力によって電気的・機械的に接続される。
本発明のコネクタは、基板と基板を接続するために設け
られたソケット２とプラグ３からなるコネクタ１であ
る。ソケット２及びプラグ３に用いられるモールド４内
部には、弾性を有する接続ピン６が取り付けられ、相互
に弾発力によって電気的・機械的に接続される。
【００２３】本発明のコネクタに用いられるソケット２
のようなスライド機構を用いず接続ピン６の弾発力を利
用したものを、挿入実装型デバイス４のコネクタ１とし
て利用することもできる。
のようなスライド機構を用いず接続ピン６の弾発力を利
用したものを、挿入実装型デバイス４のコネクタ１とし
て利用することもできる。
【００２４】本発明の第３の実施の形態を図３に示す。
本発明のコネクタは、複合磁性体からなるモールド４を
用いた、機器間を接続するインターフェイス用コネクタ
１である。ソケット２及びプラグ３に複合磁性体からな
るモールド４が用いられ、モールド４内部に弾性を有す
る接続ピン６が取り付けられている機構は、第２の実施
の形態と同様である。モールド４の外側は、部分的に金
属めっきによって導電体層５が施されている。
本発明のコネクタは、複合磁性体からなるモールド４を
用いた、機器間を接続するインターフェイス用コネクタ
１である。ソケット２及びプラグ３に複合磁性体からな
るモールド４が用いられ、モールド４内部に弾性を有す
る接続ピン６が取り付けられている機構は、第２の実施
の形態と同様である。モールド４の外側は、部分的に金
属めっきによって導電体層５が施されている。
【００２５】本発明のコネクタに用いられる複合磁性体
の組成を表１に示す。
の組成を表１に示す。
【００２６】
【００２７】軟磁性体粉末は、酸素分圧２０％の窒素−
酸素混合ガス雰囲気中で気相酸化し、表面に酸化皮膜が
形成されている。この複合磁性体の表面抵抗を測定した
ところ、１×１０6Ωであった。表面抵抗が高いため、
コネクタのように接続ピンを挿入するような用途であっ
ても、一般の金属磁性体粉末を樹脂に分散させたような
ものとは異なり、導通の心配はない。
酸素混合ガス雰囲気中で気相酸化し、表面に酸化皮膜が
形成されている。この複合磁性体の表面抵抗を測定した
ところ、１×１０6Ωであった。表面抵抗が高いため、
コネクタのように接続ピンを挿入するような用途であっ
ても、一般の金属磁性体粉末を樹脂に分散させたような
ものとは異なり、導通の心配はない。
【００２８】なお、本発明のソケット及びコネクタに用
いる複合磁性体の表面抵抗を種々検討したところ、図８
に示すような表面抵抗と透過減衰レベルと結合レベルと
の関係が得られた。図８より、内外部へ透過する電磁波
を防止するためには、複合磁性体の表面抵抗が１０3Ω
以上であればよい。Ａは透過減衰レベルを示し、Ｂは結
合レベルを示す。
いる複合磁性体の表面抵抗を種々検討したところ、図８
に示すような表面抵抗と透過減衰レベルと結合レベルと
の関係が得られた。図８より、内外部へ透過する電磁波
を防止するためには、複合磁性体の表面抵抗が１０3Ω
以上であればよい。Ａは透過減衰レベルを示し、Ｂは結
合レベルを示す。
【００２９】図４に、μ−ｆ特性の測定結果を示す。実
線は、アニール処理後のμ特性、点線はアニール処理前
のμ特性を示し、アニール処理前の複合磁性体は、磁気
共鳴に伴うμ”のピークが２つ現れており、磁気共鳴が
２箇所で起こっていることが伺える。これをアニール処
理すると、図４に示したように、μ”が広い範囲で高い
値を示し、μ’も高い周波数で大きな値を示すようにな
る。
線は、アニール処理後のμ特性、点線はアニール処理前
のμ特性を示し、アニール処理前の複合磁性体は、磁気
共鳴に伴うμ”のピークが２つ現れており、磁気共鳴が
２箇所で起こっていることが伺える。これをアニール処
理すると、図４に示したように、μ”が広い範囲で高い
値を示し、μ’も高い周波数で大きな値を示すようにな
る。
【００３０】この特性により、放射ノイズ、コモンモー
ドノイズの双方を効果的抑制できる優れたコネクタを得
ることができる。このような特性は、近年の信号の高速
デジタル化・高周波化に非常にマッチしており、基本周
波数のノイズをμ’の機能で除去し、その高調波成分の
放射をμ”で抑制するので、１つの対策で性質の異なっ
た複数のノイズを抑えることが可能となる。
ドノイズの双方を効果的抑制できる優れたコネクタを得
ることができる。このような特性は、近年の信号の高速
デジタル化・高周波化に非常にマッチしており、基本周
波数のノイズをμ’の機能で除去し、その高調波成分の
放射をμ”で抑制するので、１つの対策で性質の異なっ
た複数のノイズを抑えることが可能となる。
【００３１】モールド４の肉厚は、最も薄いところで
０.８ｍｍあり、その他の部分は形状に応じて適宜設定
した。
０.８ｍｍあり、その他の部分は形状に応じて適宜設定
した。
【００３２】表面に導電体層５を設ける場合、ニッケル
めっきを８μｍの厚さに施した。めっきに際しては、ア
ルカリ性溶剤によって前処理することで、均質膜の生成
が阻害されるのを防止している。
めっきを８μｍの厚さに施した。めっきに際しては、ア
ルカリ性溶剤によって前処理することで、均質膜の生成
が阻害されるのを防止している。
【００３３】評価は、図７に示すように、本発明のコネ
クタの最も薄い部分の寸法である厚さ０.８ｍｍの評価
試料２０を用いて、それぞれ透過減衰レベル及び結合レ
ベルの測定を行った。
クタの最も薄い部分の寸法である厚さ０.８ｍｍの評価
試料２０を用いて、それぞれ透過減衰レベル及び結合レ
ベルの測定を行った。
【００３４】測定装置は、図７（ａ）、図７（ｂ）に示
すように、電磁界波源用発信器２１と電磁界強度測定器
（受信用素子）２２と、それぞれループ径２ｍｍ以下の
電磁界送信用微小ループアンテナ２３及び電磁界受信用
微小ループアンテナ２４を接続した装置を用いた。
すように、電磁界波源用発信器２１と電磁界強度測定器
（受信用素子）２２と、それぞれループ径２ｍｍ以下の
電磁界送信用微小ループアンテナ２３及び電磁界受信用
微小ループアンテナ２４を接続した装置を用いた。
【００３５】透過減衰レベルの測定は、図７（ａ）に示
すように、電磁界送信用微小ループアンテナ２３と電磁
界受信用微小ループアンテナ２４との間に試料を位置さ
せた。
すように、電磁界送信用微小ループアンテナ２３と電磁
界受信用微小ループアンテナ２４との間に試料を位置さ
せた。
【００３６】結合レベルの測定では、図７（ｂ）のよう
に、試料の一面と電磁界送信用微小ループアンテナ２３
及び電磁界受信用微小ループアンテナ２４とを対向させ
た。電磁界強度測定器２２には、図示しないスペクトラ
ムアナライザが接続されており、試料が存在しない状態
での電磁界強度を基準として測定を行った。
に、試料の一面と電磁界送信用微小ループアンテナ２３
及び電磁界受信用微小ループアンテナ２４とを対向させ
た。電磁界強度測定器２２には、図示しないスペクトラ
ムアナライザが接続されており、試料が存在しない状態
での電磁界強度を基準として測定を行った。
【００３７】本発明のソケット及びコネクタに用いた複
合磁性体を前述の方法で測定した透過減衰レベルを図５
（ａ）に、結合レベルを図５（ｂ）に示す。図５に示す
は、複合磁性体のモールドのみの、は、複合磁性体
のモールドに導電体層を施した、は、厚さが０.５ｍ
ｍのＡｌ板の金属シール板を試料として各々透過減衰レ
ベル及び結合レベルを測定したものである。
合磁性体を前述の方法で測定した透過減衰レベルを図５
（ａ）に、結合レベルを図５（ｂ）に示す。図５に示す
は、複合磁性体のモールドのみの、は、複合磁性体
のモールドに導電体層を施した、は、厚さが０.５ｍ
ｍのＡｌ板の金属シール板を試料として各々透過減衰レ
ベル及び結合レベルを測定したものである。
【００３８】これによると、透過減衰レベル、結合レベ
ルは共に減少し、反射による２次放射ノイズを引き起こ
すことなく、効果的に放射ノイズを除去することができ
るのが分かる。即ち、伝導ノイズがリードをアンテナと
して放射されるのを防止することができた。
ルは共に減少し、反射による２次放射ノイズを引き起こ
すことなく、効果的に放射ノイズを除去することができ
るのが分かる。即ち、伝導ノイズがリードをアンテナと
して放射されるのを防止することができた。
【００３９】又、一般に、回路又は装置によって高速デ
ジタル信号波形をオシロスコープで観察した結果を図６
に示すが、図６（ａ）に示すように、複合磁性体のモー
ルドを使わないソケット及びコネクタ等では、デジタル
信号波形にオーバーシュートＸ及びアンダーシュートＹ
の針状のノイズが発生するが、本発明のソケット及びコ
ネクタを使用すると、図６（ｂ）に示すように、信号の
立ち上がり、立ち下がりに起因するノイズ成分を波形を
崩さずに前記針状のノイズをカットしていることが判
る。これは、クロストークノイズに対しても有効であ
り、近接するラインから伝播するノイズもカットするこ
とができるので、非常に効果的である。
ジタル信号波形をオシロスコープで観察した結果を図６
に示すが、図６（ａ）に示すように、複合磁性体のモー
ルドを使わないソケット及びコネクタ等では、デジタル
信号波形にオーバーシュートＸ及びアンダーシュートＹ
の針状のノイズが発生するが、本発明のソケット及びコ
ネクタを使用すると、図６（ｂ）に示すように、信号の
立ち上がり、立ち下がりに起因するノイズ成分を波形を
崩さずに前記針状のノイズをカットしていることが判
る。これは、クロストークノイズに対しても有効であ
り、近接するラインから伝播するノイズもカットするこ
とができるので、非常に効果的である。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高周波帯域での高いμ’、μ”特性を有する複合磁性体
をコネクタに適用したので、入口、出口のところで効果
的に放射ノイズ、反射ノイズの双方を効果的に抑制し、
樹脂成形と同様の手法で製造できるため、複雑形状であ
っても容易に加工できる。更に、フェライトコアやコン
デンサを用いなくても、軽量で耐衝撃・振動性の高い製
品が得られる。又、従来、対策の採られてこなかったデ
バイス−基板間や基板−基板間等の接続部分に、品質の
劣化を伴わずに簡便でスペースを要しない、安価なＥＭ
Ｉ対策を有するソケット及びコネクタを提供することが
可能となった。本発明が信号の高速デジタル化、高周波
化にも対応していることから、今後の情報通信機器のさ
らなる発展に寄与するものと考える。
高周波帯域での高いμ’、μ”特性を有する複合磁性体
をコネクタに適用したので、入口、出口のところで効果
的に放射ノイズ、反射ノイズの双方を効果的に抑制し、
樹脂成形と同様の手法で製造できるため、複雑形状であ
っても容易に加工できる。更に、フェライトコアやコン
デンサを用いなくても、軽量で耐衝撃・振動性の高い製
品が得られる。又、従来、対策の採られてこなかったデ
バイス−基板間や基板−基板間等の接続部分に、品質の
劣化を伴わずに簡便でスペースを要しない、安価なＥＭ
Ｉ対策を有するソケット及びコネクタを提供することが
可能となった。本発明が信号の高速デジタル化、高周波
化にも対応していることから、今後の情報通信機器のさ
らなる発展に寄与するものと考える。
【図１】本発明の第１の実施の形態を示すソケットの斜
視図。
視図。
【図２】本発明の第２の実施の形態を示すコネクタの斜
視図。
視図。
【図３】本発明の第３の実施の形態を示すコネクタの斜
視図。
視図。
【図４】本発明の実施例で適用した複合磁性体のμ−ｆ
特性を示す図。
特性を示す図。
【図５】本発明のソケット及びコネクタに用いた複合磁
性体の透過減衰レベル及び結合レベルを測定した結果を
示す図。図５（ａ）は透過減衰レベルを示す図。図５
（ｂ）は結合レベルを示す図。
性体の透過減衰レベル及び結合レベルを測定した結果を
示す図。図５（ａ）は透過減衰レベルを示す図。図５
（ｂ）は結合レベルを示す図。
【図６】本発明のソケット及びコネクタを適用したとき
の信号波形を示す図。図６（ａ）は本発明のソケット及
びコネクタを用いないときの回路又は装置等の高速デジ
タル信号波形を示す図。図６（ｂ）は本発明のコネクタ
を適用したときの高速デジタル信号波形を示す図。
の信号波形を示す図。図６（ａ）は本発明のソケット及
びコネクタを用いないときの回路又は装置等の高速デジ
タル信号波形を示す図。図６（ｂ）は本発明のコネクタ
を適用したときの高速デジタル信号波形を示す図。
【図７】本発明のソケット及びコネクタに用いる複合磁
性体の透過減衰レベル及び結合レベルを測定する装置及
び評価方法を示す説明図。図７（ａ）は透過減衰レベル
の測定方法を示す図。図７（ｂ）は結合レベルの測定方
法を示す図。
性体の透過減衰レベル及び結合レベルを測定する装置及
び評価方法を示す説明図。図７（ａ）は透過減衰レベル
の測定方法を示す図。図７（ｂ）は結合レベルの測定方
法を示す図。
【図８】本発明のソケット及びコネクタに用いる複合磁
性体の表面抵抗と透過減衰レベルと結合レベルとの関係
を示す図。
性体の表面抵抗と透過減衰レベルと結合レベルとの関係
を示す図。
【図９】従来のコネクタを示す説明図。図９（ａ）はフ
ェライトコアを適用した従来のコネクタを示す斜視図。
図９（ｂ）は貫通コンデンサを適用した従来のコネクタ
を示す斜視図。
ェライトコアを適用した従来のコネクタを示す斜視図。
図９（ｂ）は貫通コンデンサを適用した従来のコネクタ
を示す斜視図。
１ コネクタ ２ ソケット ３ プラグ ４ モールド（複合磁性体） ５ 導電体層 ６ 接続ピン ７ デバイス ８ リード ９ 基板 １０ ケーブル １１ 情報通信機器 １２ フェライトコア １３ 貫通コンデンサ １４ 金属シールド １５ 樹脂モールド １６ アースラグ １７ フード １８ レバー ２０ 評価資料 ２１ 電磁界波源用発信器 ２２ 電磁界強度測定器 ２３ 電磁界送信用微小ループアンテナ ２４ 電磁界受信用微小ループアンテナ Ｘ オーバーシュート Ｙ アンダーシュート
Claims (6)
- 【請求項１】 挿入実装型のデバイスを基板上の配線パ
ターンと接続するためのソケットであって、前記ソケッ
トのモールドが軟磁性粉末と有機結合剤からなる複合磁
性体によって形成されていることを特徴とするソケッ
ト。 - 【請求項２】 基板間を接続するためのコネクタであっ
て、前記コネクタのモールドが軟磁性体粉末と有機結合
剤からなる複合磁性体によって形成されていることを特
徴とするコネクタ。 - 【請求項３】 機器間を接続するためのインターフェイ
ス用コネクタであって、前記コネクタのモールドが軟磁
性粉末と有機結合剤からなる複合磁性体によって形成さ
れていることを特徴とするコネクタ。 - 【請求項４】 前記軟磁性粉末が表面に酸化皮膜を有す
る金属磁性体であり、かつ、表面抵抗が１０3Ω以上で
ある前記複合磁性体を用いることを特徴とする請求項１
ないし３のいずれかに記載のソケット及びコネクタ。 - 【請求項５】 互いに異なる大きさの異方性磁界によっ
てもたらされる磁気共鳴を少なくとも２つ有する複合磁
性体を用いることを特徴とする請求項１ないし４のいず
れかに記載のソケット及びコネクタ。 - 【請求項６】 導電体層を有する前記複合磁性体を用い
ることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載
のソケット及びコネクタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8185450A JPH1012315A (ja) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | ソケット及びコネクタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8185450A JPH1012315A (ja) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | ソケット及びコネクタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012315A true JPH1012315A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=16171018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8185450A Pending JPH1012315A (ja) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | ソケット及びコネクタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1012315A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011024344A1 (ja) * | 2009-08-26 | 2011-03-03 | シャープ株式会社 | コンタクトブロック |
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-
1996
- 1996-06-25 JP JP8185450A patent/JPH1012315A/ja active Pending
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