JPH0810730B2 - パッケージのシールド構造 - Google Patents
パッケージのシールド構造Info
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- JPH0810730B2 JPH0810730B2 JP5967493A JP5967493A JPH0810730B2 JP H0810730 B2 JPH0810730 B2 JP H0810730B2 JP 5967493 A JP5967493 A JP 5967493A JP 5967493 A JP5967493 A JP 5967493A JP H0810730 B2 JPH0810730 B2 JP H0810730B2
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- shield
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73253—Bump and layer connectors
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はパッケージのシールド構
造に関し、特にパッケージに実装されるLSIから放射
される電磁波を遮断するためのシールド構造に関する。
造に関し、特にパッケージに実装されるLSIから放射
される電磁波を遮断するためのシールド構造に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、LSIやこのLSIに搭載された
冷却用のヒートシンクから放射される電磁波を遮断する
ために、LSIやヒートシンクをグランドに電気的に接
続している。
冷却用のヒートシンクから放射される電磁波を遮断する
ために、LSIやヒートシンクをグランドに電気的に接
続している。
【0003】例えば、特開昭64−39100号公報に
開示された技術では、図5(a)〜(c)に示すよう
に、Dual−In−Lineと呼ばれている集積回路
パッケージ24の外周全体をアルミや銅などの圧延性の
ある導体22で被覆している。
開示された技術では、図5(a)〜(c)に示すよう
に、Dual−In−Lineと呼ばれている集積回路
パッケージ24の外周全体をアルミや銅などの圧延性の
ある導体22で被覆している。
【0004】この導体22をリード線25でグランド電
極26に接続することで、集積回路パッケージ24から
放射される電磁波が遮断されるようになっている。尚、
導体22は保護膜23によって被覆され、集積回路パッ
ケージ24のリード端子21は保護膜23を通って外部
に露出されている。
極26に接続することで、集積回路パッケージ24から
放射される電磁波が遮断されるようになっている。尚、
導体22は保護膜23によって被覆され、集積回路パッ
ケージ24のリード端子21は保護膜23を通って外部
に露出されている。
【0005】また、実開平3−32498号公報に開示
された技術では、図6(a),(b)に示すように、接
地リード35などを介して回路基板36上に搭載された
IC34に、金属板からなるシールドカバー31を覆い
被らせてIC34から放射される電磁波を遮断してい
る。尚、シールドカバー31は接着剤33によってIC
34及び回路基板36に固定されている。
された技術では、図6(a),(b)に示すように、接
地リード35などを介して回路基板36上に搭載された
IC34に、金属板からなるシールドカバー31を覆い
被らせてIC34から放射される電磁波を遮断してい
る。尚、シールドカバー31は接着剤33によってIC
34及び回路基板36に固定されている。
【0006】シールドカバー31は金属板をIC34に
覆い被らせるために一面が開口された箱体に折曲して作
られており、その箱体の縁部の一部が延伸突出されて内
側に曲げ込まれている。この曲げ込まれた部分が接続片
32であり、接続片32をIC34の接地リード35に
圧接することで、シールドカバー31をグランドに電気
的に接続している。
覆い被らせるために一面が開口された箱体に折曲して作
られており、その箱体の縁部の一部が延伸突出されて内
側に曲げ込まれている。この曲げ込まれた部分が接続片
32であり、接続片32をIC34の接地リード35に
圧接することで、シールドカバー31をグランドに電気
的に接続している。
【0007】さらに、特開平2−17659号公報に開
示された技術では、図7(a),(b)に示すように、
複数の放熱フィン50を有するヒートシンク41の外周
を電気絶縁材料からなる被膜52で被覆し、この被膜5
2の上を導電性材料からなる被膜53で被覆している。
示された技術では、図7(a),(b)に示すように、
複数の放熱フィン50を有するヒートシンク41の外周
を電気絶縁材料からなる被膜52で被覆し、この被膜5
2の上を導電性材料からなる被膜53で被覆している。
【0008】この被膜53をボルトまたはねじ54及び
ナット55によってベース45に固定するとともに、ベ
ース45の中央に配置された導電層48に電気的に接続
することで、配線板47上面に支持パッド59を介して
搭載されたチップ46から放射される電磁波を遮断して
いる。
ナット55によってベース45に固定するとともに、ベ
ース45の中央に配置された導電層48に電気的に接続
することで、配線板47上面に支持パッド59を介して
搭載されたチップ46から放射される電磁波を遮断して
いる。
【0009】ここで、チップ46は熱伝導性をもつクッ
ション58によってヒートシンク41に係合されてお
り、チップ46で発生した熱はクッション58を通して
ヒートシンク41に伝導され、ヒートシンク41の放熱
フィン50から放熱される。
ション58によってヒートシンク41に係合されてお
り、チップ46で発生した熱はクッション58を通して
ヒートシンク41に伝導され、ヒートシンク41の放熱
フィン50から放熱される。
【0010】ベース45の配線板47上面にはフレーム
状導電金属片44が取付けられ、フレーム状導電金属片
44の上には導電片42が取付けられている。ヒートシ
ンク41のフランジ51はその導電片42に搭載され、
導電片42とフレーム状導電金属片44とベース45と
を貫通する孔43にボルトまたはねじ54を通し、ボル
トまたはねじ54をナット55で締付けることによって
ベース45に固定されている。尚、ベース45の四隅に
はブロック49が配置されている。
状導電金属片44が取付けられ、フレーム状導電金属片
44の上には導電片42が取付けられている。ヒートシ
ンク41のフランジ51はその導電片42に搭載され、
導電片42とフレーム状導電金属片44とベース45と
を貫通する孔43にボルトまたはねじ54を通し、ボル
トまたはねじ54をナット55で締付けることによって
ベース45に固定されている。尚、ベース45の四隅に
はブロック49が配置されている。
【0011】上記の孔43には導電層48に電気的に接
続された導電路56が形成されており、これらとナット
55とによって導電領域57が形成されている。したが
って、ヒートシンク41外周の被膜53と導電片42と
フレーム状導電金属片44とはボルトまたはねじ54を
介して導電領域57に接続されるので、ヒートシンク4
1外周の被膜53がグランドに電気的に接続され、チッ
プ46から放射される電磁波が遮断される。
続された導電路56が形成されており、これらとナット
55とによって導電領域57が形成されている。したが
って、ヒートシンク41外周の被膜53と導電片42と
フレーム状導電金属片44とはボルトまたはねじ54を
介して導電領域57に接続されるので、ヒートシンク4
1外周の被膜53がグランドに電気的に接続され、チッ
プ46から放射される電磁波が遮断される。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のシール
ド構造では、パッケージに搭載された集積回路を冷却す
るとともにシールドするために、それまで使用されてい
たヒートシンクをそのまま使用することができず、個々
の部品を夫々新たに加工しなければならない。
ド構造では、パッケージに搭載された集積回路を冷却す
るとともにシールドするために、それまで使用されてい
たヒートシンクをそのまま使用することができず、個々
の部品を夫々新たに加工しなければならない。
【0013】したがって、それら部品の金型を新規に製
作したり、従来の金型を変更しなければならず、形状が
異なる毎に金型などの作り直しが必要となり、これが大
幅なコストアップの要因となっている。
作したり、従来の金型を変更しなければならず、形状が
異なる毎に金型などの作り直しが必要となり、これが大
幅なコストアップの要因となっている。
【0014】そこで、本発明の目的は上記問題点を解消
し、大幅なコストアップを回避することができ、それま
で使用されていたヒートシンクをそのまま使用すること
ができるパッケージのシールド構造を提供することにあ
る。
し、大幅なコストアップを回避することができ、それま
で使用されていたヒートシンクをそのまま使用すること
ができるパッケージのシールド構造を提供することにあ
る。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明によるパッケージ
のシールド構造は、グランドスルーホールを有するプリ
ント基板と、前記プリント基板上に搭載された集積回路
と、前記集積回路上に搭載されかつ導電性を有するヒー
トシンクとからなるパッケージのシールド構造であっ
て、前記プリント基板表面に対して平行な方向に付勢さ
れて前記ヒートシンクに当接される当接部と、前記集積
回路近傍の前記グランドスルーホールに挿通されて固定
される導通部とを有しかつ前記集積回路をシールドする
遮蔽板からなる。
のシールド構造は、グランドスルーホールを有するプリ
ント基板と、前記プリント基板上に搭載された集積回路
と、前記集積回路上に搭載されかつ導電性を有するヒー
トシンクとからなるパッケージのシールド構造であっ
て、前記プリント基板表面に対して平行な方向に付勢さ
れて前記ヒートシンクに当接される当接部と、前記集積
回路近傍の前記グランドスルーホールに挿通されて固定
される導通部とを有しかつ前記集積回路をシールドする
遮蔽板からなる。
【0016】本発明による他のパッケージのシールド構
造は、グランドスルーホールを有するプリント基板と、
前記プリント基板上に搭載された集積回路と、前記集積
回路上に搭載されかつ導電性を有するヒートシンクとか
らなるパッケージのシールド構造であって、前記プリン
ト基板表面に対して垂直な方向に付勢されて前記ヒート
シンクに当接される当接部と、前記集積回路近傍の前記
グランドスルーホールに挿通されて固定される導通部と
を有しかつ前記集積回路をシールドする遮蔽板からな
る。
造は、グランドスルーホールを有するプリント基板と、
前記プリント基板上に搭載された集積回路と、前記集積
回路上に搭載されかつ導電性を有するヒートシンクとか
らなるパッケージのシールド構造であって、前記プリン
ト基板表面に対して垂直な方向に付勢されて前記ヒート
シンクに当接される当接部と、前記集積回路近傍の前記
グランドスルーホールに挿通されて固定される導通部と
を有しかつ前記集積回路をシールドする遮蔽板からな
る。
【0017】本発明による別のパッケージのシールド構
造は、グランドスルーホールを有するプリント基板と、
前記プリント基板上に搭載された集積回路と、前記集積
回路上に搭載されかつ導電性を有するヒートシンクとか
らなるパッケージのシールド構造であって、前記ヒート
シンク側面に当接可能な第1の当接部と、前記ヒートシ
ンク底面に当接可能な第2の当接部と、前記第1の当接
部を前記プリント基板表面に対して平行な方向に付勢す
る第1の付勢部と、前記第2の当接部を前記プリント基
板表面に対して垂直な方向に付勢する第2の付勢部と、
前記集積回路近傍の前記グランドスルーホールに挿通さ
れて固定される導通部とを有しかつ前記集積回路をシー
ルドする遮蔽板からなる。
造は、グランドスルーホールを有するプリント基板と、
前記プリント基板上に搭載された集積回路と、前記集積
回路上に搭載されかつ導電性を有するヒートシンクとか
らなるパッケージのシールド構造であって、前記ヒート
シンク側面に当接可能な第1の当接部と、前記ヒートシ
ンク底面に当接可能な第2の当接部と、前記第1の当接
部を前記プリント基板表面に対して平行な方向に付勢す
る第1の付勢部と、前記第2の当接部を前記プリント基
板表面に対して垂直な方向に付勢する第2の付勢部と、
前記集積回路近傍の前記グランドスルーホールに挿通さ
れて固定される導通部とを有しかつ前記集積回路をシー
ルドする遮蔽板からなる。
【0018】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【0019】図1は本発明の一実施例によるシールドフ
ェンスを示す図である。図1(a)は本発明の一実施例
によるシールドフェンスの断面図であり、図1(b)は
本発明の一実施例によるシールドフェンスの正面図であ
る。
ェンスを示す図である。図1(a)は本発明の一実施例
によるシールドフェンスの断面図であり、図1(b)は
本発明の一実施例によるシールドフェンスの正面図であ
る。
【0020】これらの図において、シールドフェンス1
はアルミニウムや銅などの導体の板からなり、水平方向
に対して弾性を持つように上端部1aを折り曲げてフィ
ンガーストリップ状にするとともに、縦方向に複数のス
リット4を入れてある。これによって、複数のフィンガ
ーストリップコンタクト部2が形成され、多点接触が可
能となっている。
はアルミニウムや銅などの導体の板からなり、水平方向
に対して弾性を持つように上端部1aを折り曲げてフィ
ンガーストリップ状にするとともに、縦方向に複数のス
リット4を入れてある。これによって、複数のフィンガ
ーストリップコンタクト部2が形成され、多点接触が可
能となっている。
【0021】また、シールドフェンス1の下端部1bは
縁部の一部を延伸突出させ、複数の接地リード3を形成
している。この接地リード3の径はプリント基板(図示
せず)に設けたグランドに接続されているスルーホール
(図示せず)に差し込める程度の径となっている。
縁部の一部を延伸突出させ、複数の接地リード3を形成
している。この接地リード3の径はプリント基板(図示
せず)に設けたグランドに接続されているスルーホール
(図示せず)に差し込める程度の径となっている。
【0022】図2は図1のシールドフェンス1の取付け
例を示す図である。図において、プリント基板5にはソ
ケット6を介してLSI7が搭載され、LSI7の上面
にはヒートシンク8が取付けられている。
例を示す図である。図において、プリント基板5にはソ
ケット6を介してLSI7が搭載され、LSI7の上面
にはヒートシンク8が取付けられている。
【0023】LSI7から放射される電磁波を遮断しよ
うとする場合、プリント基板5上のLSI7近傍のグラ
ンドスルーホール5aにシールドフェンス1の接地リー
ド3を差し込み、シールドフェンス1のフィンガースト
リップコンタクト部2がヒートシンク8側面に多点接触
して押圧された状態で、接地リード3を半田付けなどに
よって固定する。
うとする場合、プリント基板5上のLSI7近傍のグラ
ンドスルーホール5aにシールドフェンス1の接地リー
ド3を差し込み、シールドフェンス1のフィンガースト
リップコンタクト部2がヒートシンク8側面に多点接触
して押圧された状態で、接地リード3を半田付けなどに
よって固定する。
【0024】LSI7の周囲を囲むようにシールドフェ
ンス1を設置することによって、ヒートシンク8の周囲
もシールドフェンス1で囲まれる。この場合、ヒートシ
ンク8として導電性を有するものを使用することで、L
SI7の周囲はグランドに接続されたシールドフェンス
1及びヒートシンク8によって囲まれることとなる。こ
れにより、LSI7から放射される電磁波はシールドフ
ェンス1及びヒートシンク8によって遮断される。
ンス1を設置することによって、ヒートシンク8の周囲
もシールドフェンス1で囲まれる。この場合、ヒートシ
ンク8として導電性を有するものを使用することで、L
SI7の周囲はグランドに接続されたシールドフェンス
1及びヒートシンク8によって囲まれることとなる。こ
れにより、LSI7から放射される電磁波はシールドフ
ェンス1及びヒートシンク8によって遮断される。
【0025】図3は本発明の他の実施例によるシールド
フェンスを示す図である。図3(a)は本発明の他の実
施例によるシールドフェンスの断面図であり、図3
(b)は本発明の他の実施例によるシールドフェンスの
正面図である。
フェンスを示す図である。図3(a)は本発明の他の実
施例によるシールドフェンスの断面図であり、図3
(b)は本発明の他の実施例によるシールドフェンスの
正面図である。
【0026】これらの図において、シールドフェンス1
0はアルミニウムや銅などの導体の板からなり、水平方
向に対して弾性を持つように上端部10aを折り曲げて
フィンガーストリップ状にするとともに、縦方向に複数
のスリット13を入れてある。これによって、複数のフ
ィンガーストリップコンタクト部11が形成され、多点
接触が可能となっている。
0はアルミニウムや銅などの導体の板からなり、水平方
向に対して弾性を持つように上端部10aを折り曲げて
フィンガーストリップ状にするとともに、縦方向に複数
のスリット13を入れてある。これによって、複数のフ
ィンガーストリップコンタクト部11が形成され、多点
接触が可能となっている。
【0027】また、シールドフェンス10は垂直方向に
対して弾性を持つように中央部10bをばね状に折り曲
げてある。これによって、複数のフィンガーストリップ
コンタクト部11がヒートシンク(図示せず)の底面に
多点接触できるようになっている。
対して弾性を持つように中央部10bをばね状に折り曲
げてある。これによって、複数のフィンガーストリップ
コンタクト部11がヒートシンク(図示せず)の底面に
多点接触できるようになっている。
【0028】さらに、シールドフェンス10の下端部1
0cは縁部の一部を延伸突出させ、複数の接地リード1
2を形成している。この接地リード12の径はプリント
基板(図示せず)に設けたグランドに接続されているス
ルーホール(図示せず)に差し込める程度の径となって
いる。
0cは縁部の一部を延伸突出させ、複数の接地リード1
2を形成している。この接地リード12の径はプリント
基板(図示せず)に設けたグランドに接続されているス
ルーホール(図示せず)に差し込める程度の径となって
いる。
【0029】図4は図3のシールドフェンス10の取付
け例を示す図である。図において、プリント基板14に
はソケット15を介してLSI16が搭載され、LSI
16の上面にはヒートシンク17が取付けられている。
け例を示す図である。図において、プリント基板14に
はソケット15を介してLSI16が搭載され、LSI
16の上面にはヒートシンク17が取付けられている。
【0030】LSI16から放射される電磁波を遮断し
ようとする場合、プリント基板14上のLSI16近傍
のグランドスルーホール14aにシールドフェンス10
の接地リード12を差し込み、シールドフェンス10の
フィンガーストリップコンタクト部11がヒートシンク
17の底面に多点接触して押圧された状態で、接地リー
ド12を半田付けなどによって固定する。
ようとする場合、プリント基板14上のLSI16近傍
のグランドスルーホール14aにシールドフェンス10
の接地リード12を差し込み、シールドフェンス10の
フィンガーストリップコンタクト部11がヒートシンク
17の底面に多点接触して押圧された状態で、接地リー
ド12を半田付けなどによって固定する。
【0031】LSI16の周囲を囲むようにシールドフ
ェンス10を設置することによって、ヒートシンク17
の周囲もシールドフェンス10で囲まれる。この場合、
ヒートシンク17として導電性を有するものを使用する
ことで、LSI16の周囲はグランドに接続されたシー
ルドフェンス10及びヒートシンク17によって囲まれ
ることとなる。これにより、LSI16から放射される
電磁波はシールドフェンス10及びヒートシンク17に
よって遮断される。
ェンス10を設置することによって、ヒートシンク17
の周囲もシールドフェンス10で囲まれる。この場合、
ヒートシンク17として導電性を有するものを使用する
ことで、LSI16の周囲はグランドに接続されたシー
ルドフェンス10及びヒートシンク17によって囲まれ
ることとなる。これにより、LSI16から放射される
電磁波はシールドフェンス10及びヒートシンク17に
よって遮断される。
【0032】このように、シールドフェンス1,10の
構造を水平方向または垂直方向に対して弾性を持つよう
にし、シールドフェンス1,10のフィンガーストリッ
プコンタクト部2,11がヒートシンク8の側面または
ヒートシンク17の底面に多点接触して押圧された状態
で、接地リード3,12を半田付けなどで固定すること
によって、LSI7,16から放射される電磁波ノイズ
を遮断することができるとともに、他の部品などから放
射される電磁波ノイズからLSI7,16を保護するこ
とができる。
構造を水平方向または垂直方向に対して弾性を持つよう
にし、シールドフェンス1,10のフィンガーストリッ
プコンタクト部2,11がヒートシンク8の側面または
ヒートシンク17の底面に多点接触して押圧された状態
で、接地リード3,12を半田付けなどで固定すること
によって、LSI7,16から放射される電磁波ノイズ
を遮断することができるとともに、他の部品などから放
射される電磁波ノイズからLSI7,16を保護するこ
とができる。
【0033】また、シールドフェンス1,10を上記の
ように構成することによって、LSI7,16に搭載さ
れている従来のヒートシンク8,17をそのまま使用す
ることが可能となるので、大幅なコストアップを回避す
ることができ、シールドフェンス1,10を共用化する
ことで、部品コストを低減することができる。
ように構成することによって、LSI7,16に搭載さ
れている従来のヒートシンク8,17をそのまま使用す
ることが可能となるので、大幅なコストアップを回避す
ることができ、シールドフェンス1,10を共用化する
ことで、部品コストを低減することができる。
【0034】さらに、シールドフェンス1,10のフィ
ンガーストリップコンタクト部2,11をヒートシンク
8の側面またはヒートシンク17の底面に多点接触可能
とすることで、安定した接地が可能となる。
ンガーストリップコンタクト部2,11をヒートシンク
8の側面またはヒートシンク17の底面に多点接触可能
とすることで、安定した接地が可能となる。
【0035】尚、本発明の一実施例及び他の実施例では
スリット4,13を入れてフィンガーストリップコンタ
クト部2,11をヒートシンク8の側面またはヒートシ
ンク17の底面に多点接触可能としているが、スリット
を入れずにシールドフェンス1,10の上端部1a,1
0aを折り曲げるだけでもよく、これに限定されない。
その場合、上端部1a,10aがヒートシンク8の側面
またはヒートシンク17の底面に均一に接触できるよう
にする必要がある。
スリット4,13を入れてフィンガーストリップコンタ
クト部2,11をヒートシンク8の側面またはヒートシ
ンク17の底面に多点接触可能としているが、スリット
を入れずにシールドフェンス1,10の上端部1a,1
0aを折り曲げるだけでもよく、これに限定されない。
その場合、上端部1a,10aがヒートシンク8の側面
またはヒートシンク17の底面に均一に接触できるよう
にする必要がある。
【0036】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、プ
リント基板上に搭載された集積回路をシールドする遮蔽
板に、プリント基板表面に対して平行な方向または垂直
な方向に付勢されてヒートシンクに当接される当接部
と、集積回路近傍のグランドスルーホールに挿通されて
固定される導通部とを設けることによって、大幅なコス
トアップを回避することができ、それまで使用されてい
たヒートシンクをそのまま使用することができるという
効果がある。
リント基板上に搭載された集積回路をシールドする遮蔽
板に、プリント基板表面に対して平行な方向または垂直
な方向に付勢されてヒートシンクに当接される当接部
と、集積回路近傍のグランドスルーホールに挿通されて
固定される導通部とを設けることによって、大幅なコス
トアップを回避することができ、それまで使用されてい
たヒートシンクをそのまま使用することができるという
効果がある。
【図1】(a)は本発明の一実施例によるシールドフェ
ンスの断面図、(b)は本発明の一実施例によるシール
ドフェンスの正面図である。
ンスの断面図、(b)は本発明の一実施例によるシール
ドフェンスの正面図である。
【図2】図1のシールドフェンスの取付け例を示す図で
ある。
ある。
【図3】(a)は本発明の他の実施例によるシールドフ
ェンスの断面図、(b)は本発明の他の実施例によるシ
ールドフェンスの正面図である。
ェンスの断面図、(b)は本発明の他の実施例によるシ
ールドフェンスの正面図である。
【図4】図3のシールドフェンスの取付け例を示す図で
ある。
ある。
【図5】(a)は従来例の斜視図、(b)は従来例の側
面図、(c)は従来例の断面図である。
面図、(c)は従来例の断面図である。
【図6】(a)は従来例の斜視図、(b)は従来例の断
面図である。
面図である。
【図7】(a)は従来例の展開図、(b)は従来例の断
面図である。
面図である。
1,10 シールドフェンス 2,11 フィンガーストリップコンタクト部 3,12 接地リード 4,13 スリット 5a,14a グランドスルーホール 8,17 ヒートシンク
Claims (3)
- 【請求項1】 グランドスルーホールを有するプリント
基板と、前記プリント基板上に搭載された集積回路と、
前記集積回路上に搭載されかつ導電性を有するヒートシ
ンクとからなるパッケージのシールド構造であって、前
記プリント基板表面に対して平行な方向に付勢されて前
記ヒートシンクに当接される当接部と、前記集積回路近
傍の前記グランドスルーホールに挿通されて固定される
導通部とを有しかつ前記集積回路をシールドする遮蔽板
からなることを特徴とするシールド構造。 - 【請求項2】 グランドスルーホールを有するプリント
基板と、前記プリント基板上に搭載された集積回路と、
前記集積回路上に搭載されかつ導電性を有するヒートシ
ンクとからなるパッケージのシールド構造であって、前
記プリント基板表面に対して垂直な方向に付勢されて前
記ヒートシンクに当接される当接部と、前記集積回路近
傍の前記グランドスルーホールに挿通されて固定される
導通部とを有しかつ前記集積回路をシールドする遮蔽板
からなることを特徴とするシールド構造。 - 【請求項3】 グランドスルーホールを有するプリント
基板と、前記プリント基板上に搭載された集積回路と、
前記集積回路上に搭載されかつ導電性を有するヒートシ
ンクとからなるパッケージのシールド構造であって、前
記ヒートシンク側面に当接可能な第1の当接部と、前記
ヒートシンク底面に当接可能な第2の当接部と、前記第
1の当接部を前記プリント基板表面に対して平行な方向
に付勢する第1の付勢部と、前記第2の当接部を前記プ
リント基板表面に対して垂直な方向に付勢する第2の付
勢部と、前記集積回路近傍の前記グランドスルーホール
に挿通されて固定される導通部とを有しかつ前記集積回
路をシールドする遮蔽板からなることを特徴とするシー
ルド構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5967493A JPH0810730B2 (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | パッケージのシールド構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5967493A JPH0810730B2 (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | パッケージのシールド構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06252282A JPH06252282A (ja) | 1994-09-09 |
JPH0810730B2 true JPH0810730B2 (ja) | 1996-01-31 |
Family
ID=13119982
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5967493A Expired - Fee Related JPH0810730B2 (ja) | 1993-02-24 | 1993-02-24 | パッケージのシールド構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPH0810730B2 (ja) |
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-
1993
- 1993-02-24 JP JP5967493A patent/JPH0810730B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JPH06252282A (ja) | 1994-09-09 |
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