JP2586389B2 - Ｌｓｉケースのシールド構造 - Google Patents
Ｌｓｉケースのシールド構造Info
- Publication number
- JP2586389B2 JP2586389B2 JP5231499A JP23149993A JP2586389B2 JP 2586389 B2 JP2586389 B2 JP 2586389B2 JP 5231499 A JP5231499 A JP 5231499A JP 23149993 A JP23149993 A JP 23149993A JP 2586389 B2 JP2586389 B2 JP 2586389B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shield
- lsi
- wiring board
- fence
- case
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73253—Bump and layer connectors
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子から放射され
る電磁波を遮断するＬＳＩケースのシールド構造に関す
る。
る電磁波を遮断するＬＳＩケースのシールド構造に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術として特開昭５９−２２５５
９１号公報に図４に示すような電気・電子部品の取付、
収納用箱形ケースが提案されている。この提案では、放
熱板を兼ねた金属性箱形ケース３１に電子部品３２が収
納されることにより、電磁波ノイズが遮断されていた。
また、特開平２−１７６５９号公報には、図５に示すよ
うな回路チップを電磁障害（ＥＭＩ），静電気放電（Ｅ
ＳＤ），熱および機械的衝撃から保護するためのパッケ
ージが提案されており、プリント配線基板４１とボック
ス型ヒートシンク４２とで集積回路４３が覆われること
により、集積回路の冷却と電磁障害（ＥＭＩ）の遮蔽と
が行なわれていた。また、実開平３−１４９８号公報に
は、図６に示すように放熱板と電磁遮蔽用導体とを兼ね
備えた放熱併用形遮蔽板６３が提案されていた。
９１号公報に図４に示すような電気・電子部品の取付、
収納用箱形ケースが提案されている。この提案では、放
熱板を兼ねた金属性箱形ケース３１に電子部品３２が収
納されることにより、電磁波ノイズが遮断されていた。
また、特開平２−１７６５９号公報には、図５に示すよ
うな回路チップを電磁障害（ＥＭＩ），静電気放電（Ｅ
ＳＤ），熱および機械的衝撃から保護するためのパッケ
ージが提案されており、プリント配線基板４１とボック
ス型ヒートシンク４２とで集積回路４３が覆われること
により、集積回路の冷却と電磁障害（ＥＭＩ）の遮蔽と
が行なわれていた。また、実開平３−１４９８号公報に
は、図６に示すように放熱板と電磁遮蔽用導体とを兼ね
備えた放熱併用形遮蔽板６３が提案されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】特開昭５９−２２５５
９１号公報や特開平３−１４９８号公報で提案された構
造では、放熱用部材が電磁遮蔽用部材を兼ねており、ヒ
ートシンクの形状が複雑かつ大型になるという欠点があ
る。
９１号公報や特開平３−１４９８号公報で提案された構
造では、放熱用部材が電磁遮蔽用部材を兼ねており、ヒ
ートシンクの形状が複雑かつ大型になるという欠点があ
る。
【０００４】また、特開昭５９−２２５５９１号公報や
特開平２−１７６５９号公報で提案された構造では、配
線基板上のある特定のＬＳＩのみを遮蔽することが困難
であり、複雑かつ大型化する欠点がある。
特開平２−１７６５９号公報で提案された構造では、配
線基板上のある特定のＬＳＩのみを遮蔽することが困難
であり、複雑かつ大型化する欠点がある。
【０００５】さらに、半導体素子の発熱量やＬＳＩケー
スの実装状態に応じて、それぞれに製作する必要がある
という欠点もある。
スの実装状態に応じて、それぞれに製作する必要がある
という欠点もある。
【０００６】なお、実開平３−１４９８号公報で提案さ
れた構造では、特定の半導体素子のみが遮蔽されてい
る。しかし、半導体素子全面が遮蔽されていないため遮
蔽の効果が低いという欠点があった。
れた構造では、特定の半導体素子のみが遮蔽されてい
る。しかし、半導体素子全面が遮蔽されていないため遮
蔽の効果が低いという欠点があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のＬＳＩケースの
シールド構造は、基準電位の電源層に接続されたグラン
ドパッドを有する配線基板と、この配線基板に搭載され
るＬＳＩケースと、このＬＳＩケースに取り付けられた
取付部材と、この取付部材に取り付けられるヒートシン
クと、前記ＬＳＩケースと前記取付部材とを覆う箱型を
呈するシールドフェンスと、前記ヒートシンクと前記シ
ールドフェンスとを前記取付部材と前記ヒートシンクと
の間に前記シールドフェンスを狭持固定させるように同
時に取り付けるとともに前記シールドフェンスの一部が
前記配線基板の前記グランドパッドと接触する位置に固
定させるように取り付けるネジとを含む。
シールド構造は、基準電位の電源層に接続されたグラン
ドパッドを有する配線基板と、この配線基板に搭載され
るＬＳＩケースと、このＬＳＩケースに取り付けられた
取付部材と、この取付部材に取り付けられるヒートシン
クと、前記ＬＳＩケースと前記取付部材とを覆う箱型を
呈するシールドフェンスと、前記ヒートシンクと前記シ
ールドフェンスとを前記取付部材と前記ヒートシンクと
の間に前記シールドフェンスを狭持固定させるように同
時に取り付けるとともに前記シールドフェンスの一部が
前記配線基板の前記グランドパッドと接触する位置に固
定させるように取り付けるネジとを含む。
【０００８】
【実施例】次に本発明の一実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【０００９】図１および図２を参照すると、本発明の一
実施例は、基準電位の電源層を有する配線基板３，この
配線基板３上に搭載されたＬＳＩケース２，このＬＳＩ
ケース２に収納された半導体素子１，この配線基板３上
にＬＳＩケース２を取り囲むように設けられ基準電位の
電源層に接続されたグランドパッド５，および端部が弾
性を有するバネ状のコンタクト１１を有しグランドパッ
ド５と電気的に接触するシールドフェンス４を含む。
実施例は、基準電位の電源層を有する配線基板３，この
配線基板３上に搭載されたＬＳＩケース２，このＬＳＩ
ケース２に収納された半導体素子１，この配線基板３上
にＬＳＩケース２を取り囲むように設けられ基準電位の
電源層に接続されたグランドパッド５，および端部が弾
性を有するバネ状のコンタクト１１を有しグランドパッ
ド５と電気的に接触するシールドフェンス４を含む。
【００１０】シールドフェンス４は金属板でつくられて
おり、箱型でＬＳＩケース２を覆う形状となっている。
おり、箱型でＬＳＩケース２を覆う形状となっている。
【００１１】ＬＳＩケース２上には、ネジ穴を有する取
付板６が接着剤７にて固定されている。この取付板６の
上にヒートシンク８をネジ９で固定されうる。シールド
フェンス４には取付板６のネジ穴と対応した位置に穴が
設けられている。取付板６とヒートシンク８との間にシ
ールドフェンスが狭持される。さらに、シールドフェン
ス４と取付板６との間、およびシールドフェンス４とヒ
ートシンク８との間に放熱シート１０がはさまれて固定
されている。放熱シート１０は、例えばシリコーンラバ
ーでつくられている。このため、シールドフェンス４と
ＬＳＩケース２との間は電気的に絶縁されている。
付板６が接着剤７にて固定されている。この取付板６の
上にヒートシンク８をネジ９で固定されうる。シールド
フェンス４には取付板６のネジ穴と対応した位置に穴が
設けられている。取付板６とヒートシンク８との間にシ
ールドフェンスが狭持される。さらに、シールドフェン
ス４と取付板６との間、およびシールドフェンス４とヒ
ートシンク８との間に放熱シート１０がはさまれて固定
されている。放熱シート１０は、例えばシリコーンラバ
ーでつくられている。このため、シールドフェンス４と
ＬＳＩケース２との間は電気的に絶縁されている。
【００１２】次に本発明の一実施例の組立て動作につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】図１および図２を参照すると、グランドパ
ッド５を備えた配線基板３上に半導体素子１の収納され
たＬＳＩケース２が実装される。
ッド５を備えた配線基板３上に半導体素子１の収納され
たＬＳＩケース２が実装される。
【００１４】次に半導体素子１に接着剤７が取付けられ
る。この接着剤７の付着後、取付板６が実装される。こ
の実装の際グランドパッド５にコンタクト１１が電気的
に接触する位置にシールドフェンス４が実装されなけれ
ばならない。このシールドフェンス４のネジ穴に合う位
置に、取付板６，放熱シート１０およびヒートシンク８
が取付けられる。これらの部品が取付けられたあとネジ
穴にネジ９がさしこまれ、回転により固定される。
る。この接着剤７の付着後、取付板６が実装される。こ
の実装の際グランドパッド５にコンタクト１１が電気的
に接触する位置にシールドフェンス４が実装されなけれ
ばならない。このシールドフェンス４のネジ穴に合う位
置に、取付板６，放熱シート１０およびヒートシンク８
が取付けられる。これらの部品が取付けられたあとネジ
穴にネジ９がさしこまれ、回転により固定される。
【００１５】このネジ９によりシールドフェンス４がＬ
ＳＩケース２に固定され、配線基板３上のグランドパッ
ド５とシールドフェンス４のコンタクト１１とが接触さ
れ電気的に接触される。従って、グランドパッド５を介
して配線基板３の基準電位が導電体であるシールドフェ
ンス４全体に伝わる。この結果、シールドフェンス４の
全体および配線基板３の電源層でＬＳＩケース２を囲む
基準電位の囲みが形成される。
ＳＩケース２に固定され、配線基板３上のグランドパッ
ド５とシールドフェンス４のコンタクト１１とが接触さ
れ電気的に接触される。従って、グランドパッド５を介
して配線基板３の基準電位が導電体であるシールドフェ
ンス４全体に伝わる。この結果、シールドフェンス４の
全体および配線基板３の電源層でＬＳＩケース２を囲む
基準電位の囲みが形成される。
【００１６】ＬＳＩケース２内に収納された半導体素子
１の動作により生じ放射される電磁波は、シールドフェ
ンス４と配線基板３内の基準電位電源層からなる囲みで
吸収，遮蔽され、外部への放射をおさえられる。また、
半導体素子１の動作により発する熱は、ＬＳＩケース２
または、接着剤７，取付板６および放熱シート１０から
シールドフェンス４，放熱シート１０およびヒートシン
ク８を介して空気中へ放熱される。
１の動作により生じ放射される電磁波は、シールドフェ
ンス４と配線基板３内の基準電位電源層からなる囲みで
吸収，遮蔽され、外部への放射をおさえられる。また、
半導体素子１の動作により発する熱は、ＬＳＩケース２
または、接着剤７，取付板６および放熱シート１０から
シールドフェンス４，放熱シート１０およびヒートシン
ク８を介して空気中へ放熱される。
【００１７】このように本発明のＬＳＩケースのシール
ド構造は配線基板３上の特定のＬＳＩのみを遮蔽し、か
つ十分な放熱を行なうことが可能である。また、ヒート
シンク８とシールドフェンス４とが独立した部品として
構成されるため、ＬＳＩの発熱量にあわせてヒートシン
ク８の選定を容易にできる。
ド構造は配線基板３上の特定のＬＳＩのみを遮蔽し、か
つ十分な放熱を行なうことが可能である。また、ヒート
シンク８とシールドフェンス４とが独立した部品として
構成されるため、ＬＳＩの発熱量にあわせてヒートシン
ク８の選定を容易にできる。
【００１８】この実施例では、シールドフェンス４を金
属板で構成したが、電磁遮蔽に問題のないサイズの開口
部を有する金属メッシュやパンチングメタルでも形成で
きる。
属板で構成したが、電磁遮蔽に問題のないサイズの開口
部を有する金属メッシュやパンチングメタルでも形成で
きる。
【００１９】次に本発明の一実施例の変形例について図
面を参照して詳細に説明する。
面を参照して詳細に説明する。
【００２０】図３（Ａ）を参照すると、本発明の一実施
例の第１の変形例では、配線基板３上のグランドパッド
５に接触されたシールドフェンス４は導電性プラスチッ
クで形成される。
例の第１の変形例では、配線基板３上のグランドパッド
５に接触されたシールドフェンス４は導電性プラスチッ
クで形成される。
【００２１】図３（Ｂ）を参照すると、本発明の一実施
例の第２の変形例では、シールドフェンス４は配線基板
３上のグランドパッド５に接触される面に金属箔１２を
付着したプラスチック製の本体を有する。
例の第２の変形例では、シールドフェンス４は配線基板
３上のグランドパッド５に接触される面に金属箔１２を
付着したプラスチック製の本体を有する。
【００２２】図３（Ｃ）を参照すると、本発明の一実施
例の第３の変形例では、シールドフェンス４は、プラス
チック製のボディに金属メッキ１３して形成される。こ
の結果、配線基板３の基準電位はグランドパッド５を介
してシールドフェンス４の金属メッキ１３に流される。
例の第３の変形例では、シールドフェンス４は、プラス
チック製のボディに金属メッキ１３して形成される。こ
の結果、配線基板３の基準電位はグランドパッド５を介
してシールドフェンス４の金属メッキ１３に流される。
【００２３】図３（Ｄ）を参照すると、本発明の一実施
例の第４の変形例では、シールドフェンス４は、配線基
板３上のグランドパッド５に接触される面に導電性塗装
膜１４を塗装したプラスチック製本体を有する。
例の第４の変形例では、シールドフェンス４は、配線基
板３上のグランドパッド５に接触される面に導電性塗装
膜１４を塗装したプラスチック製本体を有する。
【００２４】
【発明の効果】本発明はＬＳＩケース２を覆う箱型で、
ＬＳＩケース２とヒートシンク８との間にはさんで固定
することにより配線基板３上のグランドパッド５と接触
し、ＬＳＩケース８を囲む基準電位の囲みを形成するシ
ールドフェンス４を有することにより、半導体素子１の
放射する電磁波を吸収，遮蔽し、外へ放射させないよう
におさえ、かつ、ヒートシンク８から放熱を行なうこと
ができる。また、シールドフェンス４は配線基板３上の
特定のＬＳＩのみを覆うことが可能なため、構造を小型
化できるという効果がある。さらに、本発明はシールド
フェンス４とヒートシンク８とが独立した部品として構
成されるため、ＬＳＩの電力などに応じてシールドフェ
ンスやヒートシンク８の形状を自由に選択できるという
効果もある。
ＬＳＩケース２とヒートシンク８との間にはさんで固定
することにより配線基板３上のグランドパッド５と接触
し、ＬＳＩケース８を囲む基準電位の囲みを形成するシ
ールドフェンス４を有することにより、半導体素子１の
放射する電磁波を吸収，遮蔽し、外へ放射させないよう
におさえ、かつ、ヒートシンク８から放熱を行なうこと
ができる。また、シールドフェンス４は配線基板３上の
特定のＬＳＩのみを覆うことが可能なため、構造を小型
化できるという効果がある。さらに、本発明はシールド
フェンス４とヒートシンク８とが独立した部品として構
成されるため、ＬＳＩの電力などに応じてシールドフェ
ンスやヒートシンク８の形状を自由に選択できるという
効果もある。
【図１】本発明の一実施例を示す図。
【図２】本発明の一実施例を示す図。
【図３】本発明の一実施例の変形例を示す図。
【図４】従来技術の一例を示す図。
【図５】従来技術の一例を示す図。
【図６】従来技術の一例を示す図。
１ 半導体素子 ２ ＬＳＩケース ３ 配線基板 ４ シールドフェンス ５ グランドパッド ６ 取付板 ７ 接着剤 ８ ヒートシンク ９ ネジ １０ 放熱シート １１ コンタクト １２ 金属箔 １３ 金属メッキ １４ 導電性塗装膜
Claims (6)
- 【請求項１】 基準電位の電源層に接続されたグランド
パッドを有する配線基板と、この配線基板に搭載されるＬＳＩケースと、 このＬＳＩケースに取り付けられた取付部材と、 この取付部材に取り付けられるヒートシンクと、 前記ＬＳＩケースと前記取付部材とを覆う箱型を呈する
シールドフェンスと、 前記ヒートシンクと前記シールドフェンスとを前記取付
部材と前記ヒートシンクとの間に前記シールドフェンス
を狭持固定させるように同時に取り付けるとともに前記
シールドフェンスの一部が前記配線基板の前記グランド
パッドと接触する位置に固定させるように取り付けるネ
ジ とを含むことを特徴とするＬＳＩケースのシールド構
造。 - 【請求項２】 前記シールドフェンスが金属製メッシュ
で形成されたことを特徴とする請求項１記載のＬＳＩケ
ースのシールド構造。 - 【請求項３】 前記シールドフェンスが導電性プラスチ
ックで形成されたことを特徴とする請求項１記載のＬＳ
Ｉケースのシールド構造。 - 【請求項４】 前記シールドフェンスが少なくとも前記
配線基板の前記グランドパッドに電気的に接続するよう
に表面に金属箔を付着させたプラスチックで形成された
ことを特徴とする請求項１記載のＬＳＩケースのシール
ド構造。 - 【請求項５】 前記シールドフェンスが表面に金属メッ
キを施したプラスチックで形成されたことを特徴とする
請求項１記載のＬＳＩケースのシールド構造。 - 【請求項６】 前記シールドフェンスが少なくとも前記
配線基板の前記グランドパッドに電気的に接続するよう
に表面に導電性の塗装を行ったプラスチックで形成され
たことを特徴とする請求項１記載のＬＳＩケースのシー
ルド構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5231499A JP2586389B2 (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | Ｌｓｉケースのシールド構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5231499A JP2586389B2 (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | Ｌｓｉケースのシールド構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786786A JPH0786786A (ja) | 1995-03-31 |
| JP2586389B2 true JP2586389B2 (ja) | 1997-02-26 |
Family
ID=16924454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5231499A Expired - Lifetime JP2586389B2 (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | Ｌｓｉケースのシールド構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2586389B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0927576A (ja) * | 1995-07-11 | 1997-01-28 | Nec Corp | 半導体集積回路パッケージ |
| US6195267B1 (en) * | 1999-06-23 | 2001-02-27 | Ericsson Inc. | Gel structure for combined EMI shielding and thermal control of microelectronic assemblies |
| KR100452999B1 (ko) * | 2002-07-22 | 2004-10-15 | 엘지전자 주식회사 | 파워소자용 방사노이즈 저감구조 |
| US20040150097A1 (en) * | 2003-01-30 | 2004-08-05 | International Business Machines Corporation | Optimized conductive lid mounting for integrated circuit chip carriers |
| JP4500726B2 (ja) * | 2005-04-21 | 2010-07-14 | アルプス電気株式会社 | 高周波機器の取付構造 |
| KR20090009911A (ko) * | 2006-04-27 | 2009-01-23 | 교세라 가부시키가이샤 | 전자 기기 |
| JP4657972B2 (ja) * | 2006-04-27 | 2011-03-23 | 京セラ株式会社 | 電子機器 |
| US20100126764A1 (en) * | 2008-11-24 | 2010-05-27 | Seagate Technology, Llc | die ground lead |
| CN102651962A (zh) * | 2011-02-28 | 2012-08-29 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 电子设备 |
| US10772245B2 (en) | 2016-04-04 | 2020-09-08 | Commscope Technologies Llc | Systems and methods for thermal management for high power density EMI shielded electronic devices |
| JP2023066067A (ja) * | 2021-10-28 | 2023-05-15 | 株式会社小糸製作所 | 電子ユニット |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4896541A (ja) * | 1972-03-04 | 1973-12-10 | ||
| JPS58153721A (ja) * | 1982-03-08 | 1983-09-12 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | 含Ｃｒ溶鋼のＶＯＤ法における終点〔Ｃ〕の制御方法 |
| JPH0582994A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-04-02 | Fujitsu Ltd | 箱形ユニツト構造 |
-
1993
- 1993-09-17 JP JP5231499A patent/JP2586389B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0786786A (ja) | 1995-03-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3281220B2 (ja) | 回路モジュールの冷却装置 | |
| JP2586389B2 (ja) | Ｌｓｉケースのシールド構造 | |
| JP2001168560A (ja) | 電子回路ユニット | |
| CA2334524A1 (en) | Electronic apparatus provided with an electronic circuit substrate having high heat dissipation | |
| JPH0810730B2 (ja) | パッケージのシールド構造 | |
| JP2006303374A (ja) | 電子機器における放熱装置 | |
| JPH04113695A (ja) | 電子機器の放熱構造 | |
| JPH0730280A (ja) | シールドケース | |
| JP2002314286A (ja) | 電子装置 | |
| JP3045608B2 (ja) | コントロールボックス | |
| JPH03255697A (ja) | 集積回路用放熱構造体 | |
| KR100350088B1 (ko) | 휴대전화기용 송수신유닛 | |
| JPH1098275A (ja) | 回路基板モジュールとその回路基板モジュールを内蔵した電子機器 | |
| JPH06326151A (ja) | 回路部品の実装構造 | |
| JP2002158317A (ja) | 低ノイズ放熱ｉｃパッケージ及び回路基板 | |
| JP2000252657A (ja) | 制御機器の放熱装置 | |
| JP2506898B2 (ja) | 電子回路装置 | |
| JP3892189B2 (ja) | 電子回路基板の電磁波遮蔽構造 | |
| JPH0927689A (ja) | 電子部品ユニット | |
| JP2005294342A (ja) | 電子部品の冷却・シールド構造 | |
| JP3295299B2 (ja) | カード状電子部品の放熱構造 | |
| JP2001068879A (ja) | 制御機器 | |
| JPH0329702Y2 (ja) | ||
| JPH0555781A (ja) | 電子装置のシールド構造 | |
| JP2001223489A (ja) | 車両用電子制御装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19961008 |