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Die
vorliegende Erfindung betrifft eine elektromagnetische Wellen absorbierende
wärmeleitende
geformte Silicongelschicht bzw. -platte. Insbesondere betrifft die
vorliegende Erfindung eine elektromagnetische Wellen absorbierende
wärmeleitende
Silicongelschicht, welche zur Absorption elektromagnetischen Wellenrauschens
von einem wärmeabgebenden
elektronischen Teil und dergleichen und zur Abstrahlung von Wärme verwendet
wird.
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In
letzter Zeit entwickelte elektronische Apparate, wie Rechner, PC's und Fernsehanlagen,
erzeugen verschiedene elektromagnetische Wellengeräusche hoher
Frequenzen und verursachen Probleme mit elektromagnetischer Interferenz
(EMI). Zum Lösen
solcher Probleme sind Techniken zur Absorption elektromagnetischer
Wellen aus elektronischen Teilen der elektronischen Apparate untersucht
worden.
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Es
wurden verschiedene Techniken offenbart, einschließlich in
der nicht geprüften
veröffentlichten
japanischen Patentanmeldung (Tokkai-Sho) Nr. 50-155999, wo elektromagnetische
Wellen durch einen Verbundstoff absorbiert werden, welcher metallische
magnetische Teilchen und Harz umfasst. Ein solcher Absorber für elektromagnetische
Wellen besitzt jedoch keine ausreichende Absorptionsfähigkeit
und daher können keine
ausreichenden Effekte erhalten werden, wenn der Absorber an einem
elektronischen Teil angebracht wird, welches elektromagnetische
Wellen erzeugt.
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Eine
weitere Offenbarung ist eine elektromagnetische Wellen absorbierende
Schicht, welche eine mit magnetischen Metalloxidteilchen gefüllte Harzschicht
umfasst, die auf einem elektrisch leitenden Material ausgebildet
ist (Tokkai-Sho 57-129003, Tokkai-Hei 4-234103 und Tokkai-Hei 7-249888).
Diese Schicht dämpft elektromagnetische
Wellen, indem Teile der elektromagnetischen Wellen reflektiert und
andere Teile davon absorbiert werden. Der komplizierte Aufbau dieser
Schicht erhöht
jedoch die Produktionskosten. Darüber hinaus ist der anwendbare
Temperaturbereich eng, weil die Wärmeresistenz des Harzes niedrig
ist.
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Es
sind wärmeleitende
Schichten als ein Teil von Kühlsystemen
zur Wärmeabstrahlung
in wärmeabgebenden
elektronischen Teilen von elektronischen Apparaten offenbart worden
(Tokkai-Hei 2-166755,
Tokkai-Hei 2-196453 und Tokkai-Hei 6-155517). Viele wärmeabgebende
elektronische Teile weisen jedoch gleichzeitig elektromagnetische
Interferenz, verursacht durch elektromagnetisches Wellenrauschen,
auf. In einem solchen Fall wird ein Abschirmungsmaterial, das verschieden
von der wärmeleitenden
Schicht ist, zur Absorption elektromagnetischer Wellen verwendet.
Da mehrere Arten von Teilen erforderlich sind, werden sich die Kosten
erhöhen.
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Die
US-PS 5,310,598 offenbart ein Radiowellen absorbierendes Material,
umfassend Zinkoxid-Whisker, die als wärmeleitender Füllstoff
verwendet werden und mit einem magnetischen Material überzogen
sind.
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Um
die oben erwähnten
Probleme zu lösen,
stellt die vorliegende Erfindung eine elektromagnetische Wellen
absorbierende wärmeleitende
geformte Silicongelschicht, wie in Anspruch 1 definiert, zur Verfügung, welche
hohe Absorptionseigenschaft für
elektromagnetische Wellen und hohe Wärmeleitfähigkeit bei niedrigen Kosten
aufweist.
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Eine
elektromagnetische Wellen absorbierende wärmeleitende geformte Silicongelschicht
wird zur Erreichung des Zweckes aus Silicongel gebildet, welches
magnetische Metalloxidteilchen und einen wärmeleitenden Füllstoff
umfasst.
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Die
Schicht bzw. Platte der vorliegenden Erfindung besitzt eine hohe
Absorptionseigenschaft für
elektromagnetische Wellen und hohe Wärmeleitfähigkeit, verglichen mit einer
kombinierten Verwendung einer herkömmlichen elektromagnetische
Wellen absorbierenden Schicht und einer Strahlungsschicht, da die
Schicht der vorliegenden Erfindung magnetische Metalloxidteilchen
und einen wärmeleitenden
Füllstoff
umfasst. Der Grund dafür
kann wie folgt erklärt
werden. Wenn elektromagnetische Energie in einer elektromagnetische
Wellen absorbierenden Schicht absorbiert wird, wird sie gewöhnlich in
Wärmeenergie
umgewandelt. Da die Schicht der vorliegenden Erfindung Wärmeleitfähigkeit
besitzt, wird die Wärmeenergie
rasch in die Schicht übertragen
und abgestrahlt. Daher wandelt die Schicht der vorliegenden Erfindung
elektromagnetische Energie rasch in Wärmeenergie um und zeigt daher
eine hohe Eigenschaft der Absorption elektromagnetischer Wellen.
Im Ergebnis kann die Schicht bzw. Platte der vorliegenden Erfindung
aufgrund ihrer elektromagnetische Wellen absorbierenden Eigenschaft
und Wärmeleitfähigkeit
alleine verwendet werden. Der einfache Aufbau und die niedrigen
Kosten tragen ebenfalls zu ihrer Nützlichkeit bei. Darüber hinaus
kann die Schicht der vorliegenden Erfindung in einem breiten Temperaturbereich
verwendet werden, da das Silicongel gegenüber höheren Temperaturen im Vergleich
zu anderen organischen Kunststoffen resistent ist und es eine ausgezeichnete
Wärmestabilität besitzt.
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Bei
der Schicht wird bevorzugt, dass eine Schicht einer elektrisch leitenden
Verstärkung
in wenigstens entweder eine obere oder untere Oberfläche der
geformten Silicongelschicht eingebettet ist, da eine höhere elektromagnetische
Wellen absorbierende Eigenschaft erhalten wird. Eine in die Schicht
eintretende elektromagnetische Welle wird durch die elektrisch leitende
Schicht reflektiert und wieder durch die Schicht geleitet, um die
oben erwähnten
Wirkungen und Effekte zu liefern. Mit anderen Worten, elektromagnetische
Energie wird in Wärmeenergie
umgewandelt werden, wenn sie in der elektromagnetische Wellen absorbierenden Schicht
absorbiert wird. Bei der Schicht der vorliegenden Erfindung, welche
mit Wärmeleitfähigkeit
versehen ist, wird die Wärmeenergie
rasch in die Schicht übertragen
und abgestrahlt. Im Ergebnis wird elektromagnetische Energie rasch
in Wärmeenergie
in der Schicht der vorliegenden Erfindung umgewandelt und zeigt
eine hohe Absorptionseigenschaft für elektromagnetische Wellen.
Aus diesem Grund wird elektromagnetische Energie wieder mit Effizienz
in Wärmeenergie
umgewandelt.
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Obwohl
die elektromagnetische Wellen absorbierende wärmeleitende geformte Silicongelschicht
geringe Härte
und geringe Festigkeit aufweist, verstärkt die elektrisch leitende
Verstärkung
die Schicht und daher ist die Handhabbarkeit in einem Befestigungsschritt
verbessert.
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Ein
Verfahren zur Herstellung der elektromagnetische Wellen absorbierenden
wärmeleitenden
geformten Silicongelschicht der vorliegenden Erfindung umfasst die
Schritte:
Zugabe der magnetischen Metalloxidteilchen und des
wärmeleitenden
Füllstoffes
zu dem Silicongel und Vermischen unter Ausbildung einer Mischung
einer einheitlichen Zusammensetzung;
Entgasen der Mischung
mit einem Entlüftungsapparat;
senkrechtes
schichtweises Anordnung der entgasten Mischung mit Trägerfilmen
einer vorbestimmten Form; und
Pressformen der Mischung unter
Erwärmen,
zur Aushärtung
der Mischung in eine Schicht. Eine geformte Silicongelschicht der
vorliegenden Erfindung kann mit diesem Verfahren rationell und effizient
hergestellt werden.
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Bei
dem oben erwähnten
Verfahren kann der Schritt des schichtweisen Anordnens der entgasten
Silicongelmischung senkrecht mit den Trägerfilmen einer vorbestimmten
Form vorzugsweise ausgeführt
werden, indem:
das mit magnetischen Metalloxidteilchen und
einem wärmeleitenden
Füllstoff
vermischte ungehärtete
Silicongel auf einem unteren Trägerfilm
einer vorbestimmten Form angeordnet wird;
das Silicongel mit
einer Schicht elektrisch leitender Verstärkung und einem oberen Trägerfilm
abgedeckt wird; und
die Schicht aus elektrisch leitender Verstärkung in
dem Silicongel eingebettet wird.
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Im
Ergebnis kann die geformte Silicongelschicht, in welcher die elektrisch
leitende Verstärkung
eingebettet ist, effizient und rationell hergestellt werden.
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1 ist
ein Diagramm, welches die Messung von Leitungsrauschen für eine Schicht
aus Beispiel 1 der vorliegenden Erfindung zeigt.
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2 ist
ein Diagramm, welches die Messung der Abschirmeigenschaft gegen
elektromagnetische Wellen für
eine Schicht aus Beispiel 2 der vorliegenden Erfindung zeigt.
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3 ist
eine schematische Querschnittsansicht der Schicht aus Beispiel 2.
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Die
Spannungsdämpfung
für eine
1 mm dicke geformte Schicht der vorliegenden Erfindung beträgt vorzugsweise
10 dB oder mehr bei einer Frequenz im Bereich von 10 bis 1000 MHz,
da eine Dämpfung
von wenigstens 10 dB eine praktische bzw. normale Höhe für die Absorptionseigenschaft
für elektromagnetische Wellen
bedeutet.
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Die
Härte der
Schicht, gemessen mit einem Härtemeter
vom Typ ASKER F beträgt
vorzugsweise 10 bis 95, bevorzugter 30 bis 70. Eine solche Schicht
bzw. Platte mit einer Härte
von 10 bis 95 kann gut an einem wärmeabgebenden elektronischen
Teil angebracht werden. Da ausreichende Haftfähigkeit des Weiteren den wärmeleitenden
Bereich der Schicht erhöht,
wird die Wärmeabstrahlungseffizienz
erhöht.
Wenn des Weiteren die Härte
niedriger eingestellt wird, kann die Druckbelastung erniedrigt werden.
Die "Härte" bezieht sich hier auf
ein Silicongel, umfassend magnetische Metalloxidteilchen und einen
wärmeleitenden
Füllstoff,
welches zu einer Schicht bzw. Platte geformt und ausgehärtet wird.
Im Rahmen der vorliegenden Erfindung wird die Härte auf folgendem Wege gemessen.
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Die
oben erwähnte
geformte Silicongelschicht oder ein Probestück der gleichen Schicht wird
horizontal angeordnet. Eine messende Person hält das Härtemeter vom Typ ASKER F senkrecht
von Hand und setzt das Härtemeter
ruhig auf die Oberfläche
der Schicht oder Probe, wodurch die Oberfläche der Schicht und die Druckoberfläche des
Messgerätes
im Wesentlichen parallel ausgerichtet werden. Dann nimmt die messende Person
ihre Hand weg, um das Messgerät
auf der Schicht zu belassen. Der Maximalwert des Härtemeters
ist gleich der Härte
der geformten Schicht. Das Härtemeter,
welches etwa 500 g wiegt, misst die Härte unter Verwendung seines
Eigengewichtes als den Messdruck. Die zu messende Schicht oder Probe
sollte größer als der
Oberflächenbereich
der Druckoberfläche
und dicker als 25 mm sein. Beispielsweise kann eine Schicht oder Probe
mit 100 mm Länge,
100 mm Breite und 25 mm Dicke für
die Messung verwendet werden.
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Bei
der Schicht bzw. Platte wird bevorzugt, dass wenigstens eine Oberfläche der
Platte mit Kleber versehen ist, so dass die Plattenoberfläche gut
mit einem wärmeabgebenden
elektronischen Teil verhaftet werden kann und demzufolge ein ausreichender
wärmeleitender
Bereich erhalten bleibt. Im Ergebnis werden sowohl die Wärmeleitfähigkeit
als auch die Absorptionseigenschaft für elektromagnetische Wellen
des Weiteren verbessert werden. Die Haftfähigkeit ist eine bei einem
wärmegeformten
Silicongel inhärente
Eigenschaft.
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Für die Schicht
bzw. Platte werden die magnetischen Metalloxidteilchen aus wenigstens
einem magnetischen Material gebildet, das aus der Gruppe ausgewählt ist,
die aus Mn-Zn-Ferrit und Ni-Zn-Ferrit gebildet ist. Mn-Zn-Ferrit
wird besonders bevorzugt. Das magnetische Metalloxidmaterial ist
nicht auf eines der oben beschriebenen Ferrite beschränkt, sondern
es können
beide Arten dieser magnetischen Metalloxidmaterialien zur gleichen
Zeit verwendet werden.
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Bei
der Schicht bzw. Platte befindet sich der mittlere Teilchendurchmesser
der magnetischen Metalloxidteilchen vorzugsweise im Bereich von
1 bis 50 μm,
bevorzugter von 1 bis 20 μm.
Der mittlere Teilchendurchmesser bedeutet hier gewichtsmittlerer
Teilchendurchmesser.
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Bei
der Schicht bzw. Platte ist der wärmeleitende Füllstoff
wenigstens ein Material, das aus der Gruppe ausgewählt ist,
die aus Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid, Bornitrid, Siliciumnitrid
und Siliciumcarbid gebildet ist. Der wärmeleitende Füllstoff
ist nicht auf eines der oben erwähnten
Materialien beschränkt,
sondern es können zwei
oder mehr Arten zur gleichen Zeit verwendet werden.
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Bei
der Schicht bzw. Platte beträgt
das Gesamtgewicht der magnetischen Metalloxidteilchen und des wärmeleitenden
Füllstoffs
wenigstens 400 Gewichtsteile, insbesondere 400 bis 600 Gewichtsteile
zu 100 Gewichtsteilen Silicongel, und das Gewichtsverhältnis der
magnetischen Metalloxidteilchen (X) zu dem wärmeleitenden Füllstoff
(Y) liegt in dem Bereich, welcher durch die Gleichung X:Y = 2:1
bis 1:2 dargestellt ist. Das bevorzugte Gewichtsverhältnis beträgt 1:1.
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Es
wird bevorzugt, dass die Schicht eines elektrisch leitenden Verstärkers, welcher
in wenigstens entweder die obere oder untere Oberflächenschicht
der geformten Silicongelschicht eingebettet ist, eine Netzwerkstruktur
von Fasern umfasst, welche durch Aufbringen eines elektrisch leitenden
Metalls auf wenigstens eine Art von Fasern vorgesehen ist, ausgewählt aus
der Gruppe bestehend aus synthetischen Fasern, Naturfasern und anorganischen
Fasern. Die Beschichtung mit elektrisch leitendem Metall kann beispielsweise
durch Plattierung, Bedampfen oder durch Sputtern gebildet werden.
Die synthetischen Fasern umfassen Polyesterfasern, wärmeresistente
Nylonfasern, Aramidfasern, Polyolefinfasern und Vinylonfasern. Die
Naturfasern umfassen Baumwolle und Leinen. Die anorganischen Fasern
umfassen Kohlenstofffasern und Glasfasern. Die elektrisch leitenden
Materialien, welche zum Plattieren verwendet werden, sind Metalle,
wie Kupfer, Nickel, Gold, Silber, Zink und Aluminium. Das Metall
ist nicht nur auf eine Art beschränkt, sondern es können zwei
oder mehrere Metalle gleichzeitig verwendet werden.
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Eine
Schicht bzw. Platte der vorliegenden Erfindung kann wie folgt hergestellt
werden.
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Magnetische
Metalloxidteilchen und ein wärmeleitender
Füllstoff
werden einem Silicongel zugegeben und bis zur Einheitlichkeit gerührt. Diese
Mischung wird mit einem Entlüftungsapparat
entgast. Nachfolgend wird die Mischung senkrecht mit Trägerfolien
einer vorbestimmten Form schichtweise angeordnet und unter Wärme zur
Aushärtung
pressgeformt.
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Während des
Formschrittes ist das ungehärtete
Silicongel, gemischt mit magnetischen Metalloxidteilchen und einem
wärmeleitenden
Füllstoff
auf einem unteren Trägerfilm
einer vorbestimmten Form aufgebracht, welche mit einer Schicht aus
elektrisch leitender Verstärkung
und einem oberen Trägerfilm
bedeckt ist. Dann wird die Schicht des elektrisch leitenden Verstärkers in
das Silicongel eingebettet und das Silicongel wird unter Wärme pressgeformt.
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Obwohl
keine besondere Beschränkung
für das
Silicongel existiert, kann ein Additionsreaktions- oder ein Kondensations reaktionssilicongel
verwendet werden. Ein Additionsreaktionssilicongel wird bevorzugt.
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Die
typische Temperaturbedingung für
das Pressformverfahren reicht von 80 bis 120°C, um die Mischung auszuhärten, obwohl
die Bedingung genau in Abhängigkeit
von der Zusammensetzung der Mischung bestimmt wird. Die typische
Druckbedingung für
das Pressformverfahren reicht von 30 bis 150 kgf/cm2,
obwohl sie genau in Abhängigkeit
von der Zusammensetzung der Mischung bestimmt wird, und der bevorzugte
Bereich zur Verhinderung von Luftblasen liegt zwischen 50 bis 80
kgf/cm2. Die Zeit für das Pressformverfahren beträgt typischerweise
2 bis 10 Minuten, obwohl sie genau in Abhängigkeit von der Zusammensetzung
der Mischung, der Temperaturbedingung und der Druckbedingung bestimmt
wird.
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Für den Trägerfilm
kann ein Harzfilm oder dergleichen verwendet werden. Beispielsweise
kann ein Polyethylenterephthalat(PET)-Film, ein Polypropylen(PP)-Film
oder ein Polyethylen(PE)-Film vorzugsweise verwendet werden. Der
bevorzugteste Film ist ein PET-Film. Im Allgemeinen wird der Trägerfilm
nach dem Pressformverfahren entfernt.
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Der
Trägerfilm
weist vorzugsweise eine Dicke von 25 bis 250 μm, bevorzugter von 50 bis 150 μm auf.
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Das
Pressformen zur Ausbildung der Schicht bzw. Platte kann beispielsweise
durch Beschichten, Kalendrieren und Walzen ersetzt werden.
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Die
Schicht bzw. Platte der vorliegenden Erfindung ist vorzugsweise
0,2 bis 5 mm dick, bevorzugter 0,5 bis 3 mm.
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Die
Schicht bzw. Platte der vorliegenden Erfindung kann weitere Inhaltsstoffe
als die magnetischen Metalloxidteilchen und den wärmeleitenden
Füllstoff
enthalten, wie einen Klebstoff, einen Verstärker, ein Farbmittel, einen
Wärmeresistenzverstär ker und
einen Klebhilfsstoff. Der Anteil ist nicht besonders beschränkt, solange
er keine gegenläufigen
Wirkungen auf die Eigenschaften der Schicht bzw. Platte besitzt.
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Beispiele
der vorliegenden Erfindung sind unten zusammen mit einem Vergleichsbeispiel
beschrieben. Die Messungen von jeweiligen Eigenschaften der geformten
Silicongelschichten in den Beispielen und dem Vergleichsbeispiel
sind die folgenden:
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(1) Spezifisches Gewicht
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Das
spezifische Gewicht wurde durch eine Unterwasser-Substitution gemessen,
gemäß dem in
JIS K 7112 beschriebenen Verfahren. Proben (0,5–5 gf), befestigt mit einem
Metalldraht von nicht mehr als 0,1 mm Durchmesser und in Luft bei
23°C genau
gewogen, wurden zum Wiegen in Wasser in auf 23°C eingestelltes destilliertes
Wasser in einem Becher eingebracht und das spezifische Gewicht (S)
wurde durch die nachfolgende Gleichung 1 berechnet. In Gleichung
1 bezieht sich "a" auf das Gewicht
der Proben an Luft und "b" bezieht sich auf
das gleiche Gewicht in Wasser.
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Gleichung 1
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(2) Härte
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Es
wurden Probenplatten (100 × 100 × 25 mm)
zur Untersuchung in gleicher Weise wie in den Beispielen und dem
Vergleichsbeispiel hergestellt und die Härte wurde in der oben erwähnten Weise
unter Verwendung eines Härtemeters
vom Typ ASKER F, geliefert von KOBUNSHI KEIKI CO., LTD., gemessen.
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(3) Elektrischer Volumenwiderstand
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Der
elektrische Volumenwiderstand (Einheit: Ω·cm) wurde gemäß dem in
JIS C 2123 beschriebenen Verfahren gemessen.
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(4) Wärmewiderstand
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Die
in den Beispielen und dem Vergleichsbeispiel hergestellten Proben
wurden zwischen einen Transistor (TO-3 Modell) und eine Wärmesenke
bzw. einen Kühlkörper geschichtet.
Sie wurden mit 2 kg belastet, während
eine elektrische Leistung von 20 W auf den Transistor aufgebracht
wurde. Die Transistortemperatur (TC, Einheit: °C) und die Kühlkörpertemperatur (TF, Einheit: °C) wurden
jeweils nach 3 Minuten unter Verwendung von Temperatursensoren gemessen,
welche an vorbestimmten Stellen angebracht waren, um den Wärmewiderstand
durch die folgende Gleichung 2 zu berechnen (θ, Einheit: °C/W).
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Gleichung 2
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(5) Leitungsrauschen
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Die
in den Beispielen und dem Vergleichsbeispiel hergestellten Proben
wurden zwischen eine zentrale Datenverarbeitsanlage (CPU) und eine
Radiatorplatte zur Messung von terminalem Leitungsrauschen eingebracht.
Eine Spannung bei einer spezifischen Frequenz von Signalen, welche
aus der zentralen Prozessoreinheit übertragen worden waren, wurde
mit einem Spektralanalysator gelesen, um die Spannungsfluktuation
zu sehen.
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(6) Absorptionseigenschaft
für elektromagnetische
Wellen
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Die
Absorptionseigenschaft für
elektromagnetische Wellen (Einheit: dB) wurde gemäß MIL-STD-285 gemessen.
MIL-STD bedeutet Militärstandard,
der internationale Standard in den Vereinigten Staaten, und MIL-STD-285
bedeutet das Abschirmraum-Testverfahren.
Die Messung wurde in einem Bereich von 10 MHz bis 1000 MHz unter
Verwendung eines von Tektronix gelieferten Spektralanalysator Modell
492 durchgeführt.
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(7) Abschirmungseigenschaften
für elektromagnetische
Wellen
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Die Übertragungsdämpfung wurde
im Bereich von 10 MHz bis 1000 MHz unter Verwendung eines von Incorporated
Association of Kansai Electronic Industry, Development Center gelieferten
Analysator für
die Abschirmeigenschaften gegen elektromagnetische Wellen gemessen.
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(Beispiel 1)
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Bei
diesem Beispiel wurden 100 Gewichtsteile eines Silicongels, 250
Gewichtsteile magnetischer Metalloxidteilchen und 250 Gewichtsteile
eines wärmeleitenden
Füllstoffes
vermischt und mit einem Rührer
zur Einheitlichkeit gerührt.
Das hier verwendete Silicongel war ein Additionsreaktionssilicongel,
geliefert von Toshiba Silicone Co., Ltd., und die magnetischen Metalloxidteilchen
waren Mn-Zn-Ferrit mit 3 μm
in gewichtsmittlerem Teilchendurchmesser (geliefert von Toda Kogyo
Corp.). Der wärmeleitende
Füllstoff
war sphärisches Aluminiumoxid
von 37 μm
im gewichtsmittleren Teilchendurchmesser (geliefert von Showa Denko
K.K.). Nach Entfernung von Luftblasen aus der Zusammensetzung unter
Verwendung eines Entgasungsapparates bzw. Entlüfters wurde die Zusammensetzung
zwischen 100 μm
dicke PET-Filme geschichtet, bei 80 kgf/cm2 verpresst
und für
5 Minuten bei 120°C
zur Pressformung erhitzt.
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Im
Ergebnis wurde eine geformte Silicongelschicht von 1 mm Dicke erhalten.
Das Messergebnis der Absorptionseigenschaft für elektromagnetische Wellen
der Schicht ist in Tabelle 1 unten gezeigt. Das Messergebnis einiger
weiterer Eigenschaften ist in der folgenden Tabelle 2 gezeigt. Die
durchgezogene Linie in 1 zeigt die Beziehung zwischen
der Frequenz, als eine Bewertung des Leitungsrauschens der Schicht,
und der Spannung an.
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Wie
in Tabelle 1 gezeigt ist, wurde der konstante Wert von –20 dB im
Bereich von 10–1000
MHz in Beispiel 1 dieser Erfindung aufrechterhalten. Andererseits
betrug die Absorptionseigenschaft für elektromagnetische Wellen
der offenbarten herkömmlichen
Techniken etwa –10
dB im Frequenzbereich von 10–1000 MHz.
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(Beispiel 2)
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Wie
in Beispiel 1 wurde eine ungehärtete
Silicongelzusammensetzung durch Vermischen mit magnetischen Metalloxidteilchen
und einem wärmeleitenden
Füllstoff
hergestellt. Nach Entfernung von Blasen aus der Zusammensetzung
durch Verwendung eines Entlüfters
wurde die Zusammensetzung auf einen PET-Film aufgebracht und danach
wurde ein elektrisch leitendes Netz, geliefert von Seiren Co., Ltd.
(Markenname Plat SE200), aufgebracht. Das elektrisch leitende Netz
ist ein Geflecht mit einem Gewicht von 24,3 g/m2 und
einer Dicke von 0,25 mm, hergestellt aus Polyesterfasern mit einem
Durchmesser von 10 μm,
die etwa 2 μm-dick mit
Nickel durch stromloses Vernickeln beschichtet waren. Nach Aufbringen
eines 100 μm
dicken PET-Films darauf wurde der Gegenstand 5 Minuten bei 120°C zur Pressformung
erhitzt.
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Im
Ergebnis wurde eine geformte Silicongelschicht von 1 mm Dicke erhalten.
Das Messergebnis der Absorptionseigenschaft für elektromagnetische Wellen
der Schicht ist in Tabelle 2 unten gezeigt. Das Messergebnis einiger
weiterer Eigenschaften ist in der folgenden Tabelle 3 gezeigt. Die
durchgezogene Linie in 2 zeigt die Bewertung der Abschirmeigenschaft
der Schicht für
elektromagnetische Wellen. Die Abschirmeigen schaft für elektromagnetische
Wellen ist als das Verhältnis
zwischen der Frequenz und der Übertragungsdämpfung dargestellt.
Die gestrichelte Linie in 2 zeigt
das Ergebnis der Messung beschränkt
auf die elektrisch leitende Verstärkung.
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3 ist
eine schematische Querschnittsansicht der geformten Silicongelschicht
aus Beispiel 2. Ein elektrisch leitendes Netz 3 ist in
eine Oberfläche
einer Silicongelschicht 2 eingebettet, wobei eine klebende Oberfläche 4 auf
der anderen Seite ausgebildet ist. Die Haftfähigkeit ist in dem wärmegeformten
Silicongel inhärent.
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(Vergleichsbeispiel 1)
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Eine
Mischung aus 100 Gewichtsteilen eines Silicongels und 550 Gewichtsteilen
von Mn-Zn-Ferrit wurde hergestellt. Unter Verwendung dieser Mischung
wurde eine geformte Silicongelschicht von 1 mm Dicke wie in Beispiel
1 hergestellt. Die Messergebnisse der Eigenschaften dieser Schicht
sind in Tabelle 2 unten gezeigt. Die gestrichelte Linie in dem Diagramm
von 1 zeigt die Beziehung zwischen der Frequenz, als
eine Bewertung des Leitungsrauschens der Schicht, und der Spannung.
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Wie
in den obigen Beispielen und im Vergleichsbeispiel deutlich gezeigt
ist, wiesen die Schichten bzw. Platten einen niedrigeren Wärmewiderstand
verglichen mit dem Vergleichsbei spiel auf, welches nur magnetische
Metalloxidteilchen umfasst, wie in Tabelle 2 oben gezeigt ist. Das
bedeutet, dass die Beispiele 1 und 2 geformte Silicongelschichten
bzw. -platten mit einer höheren
Wärmeleitfähigkeit
im Vergleich zu Vergleichsbeispiel 1 liefern. Wie des Weiteren in 1 gezeigt
ist, ist das Leitungsrauschen der Schicht aus Beispiel 1 deutlich
von dem aus dem Vergleichsbeispiel im Frequenzbereich von 500 bis
800 MHz unterscheidbar. Dies zeigt die ausgezeichneten Absorptionseigenschaften
für elektromagnetische
Wellen der ersteren Schicht an. Wie in Tabelle 2 gezeigt ist, zeigte
die Schicht bzw. Platte von Beispiel 1 eine hohe Absorptionseigenschaft
für elektromagnetische
Wellen in dem Frequenzbereich von 10 MHz bis 1000 MHz. Wie des Weiteren
in 2 gezeigt ist, war die Abschirmungseigenschaft
für elektromagnetische
Wellen der Schicht aus Beispiel 2 den herkömmlichen Techniken weit überlegen.
