JPH10308596A - 電波吸収体 - Google Patents
電波吸収体Info
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- JPH10308596A JPH10308596A JP9134397A JP13439797A JPH10308596A JP H10308596 A JPH10308596 A JP H10308596A JP 9134397 A JP9134397 A JP 9134397A JP 13439797 A JP13439797 A JP 13439797A JP H10308596 A JPH10308596 A JP H10308596A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＶＨＦ帯及びＵＨＦ帯において使用されてい
る電波の吸収体は、６〜８ｍｍと厚く、重く、また高価
であるためにその適用場所は電波暗室や高層ビルの外壁
等に限られていた。厚さが２ｍｍ程度と簿く材質を変更
すること無く簡便に整合周波数を調整出来るようにした
電波吸収体を提供する。 【解決手段】 電波吸収体１は、電磁波の入射側から順
にチタン酸バリウム等の強誘電体層３、カルボニル鉄系
の軟磁性体層２、短絡層としての金属板４から成る積層
構造である。なお、記号μ，ε，ｄ，γ，Ｚは、複素透
磁率，複素誘電率，厚さ，伝播定数，特性インピーダ表
しており、添字ａは軟磁性体層２を、添字ｂは強誘電体
層３を表している。
る電波の吸収体は、６〜８ｍｍと厚く、重く、また高価
であるためにその適用場所は電波暗室や高層ビルの外壁
等に限られていた。厚さが２ｍｍ程度と簿く材質を変更
すること無く簡便に整合周波数を調整出来るようにした
電波吸収体を提供する。 【解決手段】 電波吸収体１は、電磁波の入射側から順
にチタン酸バリウム等の強誘電体層３、カルボニル鉄系
の軟磁性体層２、短絡層としての金属板４から成る積層
構造である。なお、記号μ，ε，ｄ，γ，Ｚは、複素透
磁率，複素誘電率，厚さ，伝播定数，特性インピーダ表
しており、添字ａは軟磁性体層２を、添字ｂは強誘電体
層３を表している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＶＨＦ帯（３０ＭＨ
ｚ〜３００ＭＨｚ）およびＵＨＦ帯（３００ＭＨｚ〜３
ＧＨz)において使用される電波吸収体に関する。
ｚ〜３００ＭＨｚ）およびＵＨＦ帯（３００ＭＨｚ〜３
ＧＨz)において使用される電波吸収体に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在上記の周波数帯において使用されて
いる電波の吸収体は、立方晶フェライトの焼結体やこの
粉末を樹脂中に分散した複合体である。これらの焼結体
や複合体は６〜８ｍｍと厚く、重く、また高価であるた
めにその適用場所は電波暗室や高層ビルの外壁等に限ら
れていた。また、カルボニル鉄を高分子樹脂中に分散し
た複合体は、厚さが２ｍｍ程度と比較的簿い物が開発さ
れているが、適用周波数が４ＧＨｚ以上の物に限られて
いた。また、吸収体の反射減衰量が最大となる整合周波
数が材質によって決まるため、整合周波数の異なる吸収
体を得るためには材質を変更する必要がある点もまた別
の課題として指摘されている。これらの理由を以下に述
べる。
いる電波の吸収体は、立方晶フェライトの焼結体やこの
粉末を樹脂中に分散した複合体である。これらの焼結体
や複合体は６〜８ｍｍと厚く、重く、また高価であるた
めにその適用場所は電波暗室や高層ビルの外壁等に限ら
れていた。また、カルボニル鉄を高分子樹脂中に分散し
た複合体は、厚さが２ｍｍ程度と比較的簿い物が開発さ
れているが、適用周波数が４ＧＨｚ以上の物に限られて
いた。また、吸収体の反射減衰量が最大となる整合周波
数が材質によって決まるため、整合周波数の異なる吸収
体を得るためには材質を変更する必要がある点もまた別
の課題として指摘されている。これらの理由を以下に述
べる。
【０００３】電波の吸収体を裏面を金属板で短絡して使
用した場合、吸収された残りの電磁波が反射され、この
反射率が小さいことが電波の吸収体の性能の目安とな
る。垂直に入射した電磁波の反射率Γは、 Γ＝（ＺE −Ｚ0 ）／（ＺE ＋Ｚ0 ） (1) ＺE ＝Ｚe ｔａｎｈ（γe ｄe ） (2) により与えられる。ここでＺE は吸収体の表面から金属
板の方向に向かって測定したインピーダンスであり、Ｚ
e ，γe ，ｄe はそれぞれ吸収体の特性インピーダン
ス、伝播定数、厚さである。またＺ0 は真空の特性イン
ピーダンスである。なお、反射減衰量Ｒは Ｒ＝２０ｌｏｇ（Γ） (3) として定義される。特性インピーダンス及び伝播定数は
電磁波の角振動数をωとして、吸収体の複素誘電率
εe 、複素透磁率μe と次の関係がある。 γe ＝ω（μe εe ）1/2 (4) Ｚe ＝（μe ／εe ）1/2 (5) これらの式から、反射減衰量が最大となる整合厚が小さ
い電波の薄型吸収体を得るためには、γe を大きく、従
って透磁率や誘電率の大きな材料を使用することが有利
であることが理解される。
用した場合、吸収された残りの電磁波が反射され、この
反射率が小さいことが電波の吸収体の性能の目安とな
る。垂直に入射した電磁波の反射率Γは、 Γ＝（ＺE −Ｚ0 ）／（ＺE ＋Ｚ0 ） (1) ＺE ＝Ｚe ｔａｎｈ（γe ｄe ） (2) により与えられる。ここでＺE は吸収体の表面から金属
板の方向に向かって測定したインピーダンスであり、Ｚ
e ，γe ，ｄe はそれぞれ吸収体の特性インピーダン
ス、伝播定数、厚さである。またＺ0 は真空の特性イン
ピーダンスである。なお、反射減衰量Ｒは Ｒ＝２０ｌｏｇ（Γ） (3) として定義される。特性インピーダンス及び伝播定数は
電磁波の角振動数をωとして、吸収体の複素誘電率
εe 、複素透磁率μe と次の関係がある。 γe ＝ω（μe εe ）1/2 (4) Ｚe ＝（μe ／εe ）1/2 (5) これらの式から、反射減衰量が最大となる整合厚が小さ
い電波の薄型吸収体を得るためには、γe を大きく、従
って透磁率や誘電率の大きな材料を使用することが有利
であることが理解される。
【０００４】図６は、立方晶フェライトにおけるＳｎｏ
ｅｋの限界（例えば、近角聡信著：強磁性体の物理：掌
華房１９９１年）を示す比透磁率の周波数特性図であ
る。図に示すようにＳｎｏｅｋの限界に縛られて高周波
数になるほど透磁率が減少するため、透磁率に関しては
前述の立方晶フェライトを使用する場合、６ｍｍ以下の
吸収体を開発することはできなかった。この立方晶フェ
ライトの透磁率の周波数分散は次式により近似すること
が可能である。 μ（ｆ）＝μ0 （１＋Ｋ／（１＋ｊｆ／ｆr ）） (6) Ｋ＝μ1 ／μ0 −１ (7) ここでμ1 ，μ0 はそれぞれ初透磁率，真空中の透磁率
である。吸収体の整合厚きを決定する上で重要なパラメ
ータは前述の式におけるＫとｆr の積Ｓ（＝Ｋ×ｆr ）
である。
ｅｋの限界（例えば、近角聡信著：強磁性体の物理：掌
華房１９９１年）を示す比透磁率の周波数特性図であ
る。図に示すようにＳｎｏｅｋの限界に縛られて高周波
数になるほど透磁率が減少するため、透磁率に関しては
前述の立方晶フェライトを使用する場合、６ｍｍ以下の
吸収体を開発することはできなかった。この立方晶フェ
ライトの透磁率の周波数分散は次式により近似すること
が可能である。 μ（ｆ）＝μ0 （１＋Ｋ／（１＋ｊｆ／ｆr ）） (6) Ｋ＝μ1 ／μ0 −１ (7) ここでμ1 ，μ0 はそれぞれ初透磁率，真空中の透磁率
である。吸収体の整合厚きを決定する上で重要なパラメ
ータは前述の式におけるＫとｆr の積Ｓ（＝Ｋ×ｆr ）
である。
【０００５】図７は整合厚さと初透磁率の関係を計算に
より求めた結果を示したものである。整合厚さは初透磁
率には殆ど依存せずパラメータＳでほぼ決まり、初透磁
率が大きいほど低い整合周波数を持つ。このＳの値は立
方晶フェライトでは６ＧＨｚ程度であり、この値から決
まる整合厚さが先に述べた８mmである。Ｓｎｏｅｋの限
界には制約されないカルボニル鉄系の材料ではＳが２０
〜３０程度の値を持つことから、２ｍｍ以下の整合厚さ
が可能となる。しかし、カルボニル鉄系の材料は初透磁
率が８程度以下のものしか得られないため整合周波数が
高く、数ＧＨｚ以下の周波数領域では同様に薄い吸収体
を提供することはできなかった。
より求めた結果を示したものである。整合厚さは初透磁
率には殆ど依存せずパラメータＳでほぼ決まり、初透磁
率が大きいほど低い整合周波数を持つ。このＳの値は立
方晶フェライトでは６ＧＨｚ程度であり、この値から決
まる整合厚さが先に述べた８mmである。Ｓｎｏｅｋの限
界には制約されないカルボニル鉄系の材料ではＳが２０
〜３０程度の値を持つことから、２ｍｍ以下の整合厚さ
が可能となる。しかし、カルボニル鉄系の材料は初透磁
率が８程度以下のものしか得られないため整合周波数が
高く、数ＧＨｚ以下の周波数領域では同様に薄い吸収体
を提供することはできなかった。
【０００６】図８は、反射減衰量周波数分散の厚さ依存
性を示す特性図である。図に示すように、反射減衰量Ｒ
は吸収体の厚さに依存しており、厚さが変化するとＲが
極大となる周波数や極大値が変化する。しかし、十分に
大きなＲを与える厚さ（整合厚さ）は限られており、従
ってその時の周波数（整合周波数）も限られたものにな
る。整合周波数が異なる吸収体を得るためには、吸収体
の材質を変更する必要がある。
性を示す特性図である。図に示すように、反射減衰量Ｒ
は吸収体の厚さに依存しており、厚さが変化するとＲが
極大となる周波数や極大値が変化する。しかし、十分に
大きなＲを与える厚さ（整合厚さ）は限られており、従
ってその時の周波数（整合周波数）も限られたものにな
る。整合周波数が異なる吸収体を得るためには、吸収体
の材質を変更する必要がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記に鑑み
てなされたものであり、整合厚さの薄いカルボニル鉄系
材料の整合周波数を下げ、より低い周波数での適用を可
能にすること、及び立方晶フェライト系の吸収体も含め
て、材質を変更すること無く簡便に整合周波数を調整出
来るようにしたＶＨＦ帯及びＵＨＦ帯用の電波吸収体を
提供することを目的とする。
てなされたものであり、整合厚さの薄いカルボニル鉄系
材料の整合周波数を下げ、より低い周波数での適用を可
能にすること、及び立方晶フェライト系の吸収体も含め
て、材質を変更すること無く簡便に整合周波数を調整出
来るようにしたＶＨＦ帯及びＵＨＦ帯用の電波吸収体を
提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の電波吸収体は、カルボニル鉄系の軟磁性体ある
いは立方晶フェライト軟磁性体等従来から用いられてい
る吸収体とチタン酸バリウム等の強誘電体を積層させた
構造を有することを要旨とする。
本発明の電波吸収体は、カルボニル鉄系の軟磁性体ある
いは立方晶フェライト軟磁性体等従来から用いられてい
る吸収体とチタン酸バリウム等の強誘電体を積層させた
構造を有することを要旨とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】上記課題を解決するために本発明
の電波吸収体は、ＶＨＦ帯及びＵＨＦ帯用であり、電磁
波の入射側から順に強誘電体層、軟磁性体層、短絡層を
設けた積層構造を有することに特徴を有し、前記強誘電
体層にチタン酸バリウムの焼結体あるいは前記チタン酸
バリウムの樹脂分散材を、前記軟磁性体層に５０〜９５
％カルボニル鉄粒子の樹脂分散材を用いたことに特徴を
有し、前記強誘電体層に厚さが０．１〜１．５ｍｍのチ
タン酸バリウムの焼結体あるいは前記チタン酸バリウム
の樹脂分散材、前記軟磁性体層に厚さが１．０〜４．０
ｍｍの５０〜９５％カルボニル鉄粒子の樹脂分散材を用
いたことに特徴を有し、前記強誘電体層にチタン酸バリ
ウムの焼結体あるいは前記チタン酸バリウムの樹脂分散
材を、前記軟磁性体層にフェライトの焼結体あるいは前
記フェライトの樹脂分散材を用いたことに特徴を有し、
前記強誘電体層に厚さが０．１〜１．５ｍｍのチタン酸
バリウムの焼結体あるいは前記チタン酸バリウムの樹脂
分散材を、前記軟磁性体層に厚さが４．０〜１０．０ｍ
ｍの前記フェライトの焼結体あるいはフェライトの樹脂
分散材を用いたことに特徴を有している。
の電波吸収体は、ＶＨＦ帯及びＵＨＦ帯用であり、電磁
波の入射側から順に強誘電体層、軟磁性体層、短絡層を
設けた積層構造を有することに特徴を有し、前記強誘電
体層にチタン酸バリウムの焼結体あるいは前記チタン酸
バリウムの樹脂分散材を、前記軟磁性体層に５０〜９５
％カルボニル鉄粒子の樹脂分散材を用いたことに特徴を
有し、前記強誘電体層に厚さが０．１〜１．５ｍｍのチ
タン酸バリウムの焼結体あるいは前記チタン酸バリウム
の樹脂分散材、前記軟磁性体層に厚さが１．０〜４．０
ｍｍの５０〜９５％カルボニル鉄粒子の樹脂分散材を用
いたことに特徴を有し、前記強誘電体層にチタン酸バリ
ウムの焼結体あるいは前記チタン酸バリウムの樹脂分散
材を、前記軟磁性体層にフェライトの焼結体あるいは前
記フェライトの樹脂分散材を用いたことに特徴を有し、
前記強誘電体層に厚さが０．１〜１．５ｍｍのチタン酸
バリウムの焼結体あるいは前記チタン酸バリウムの樹脂
分散材を、前記軟磁性体層に厚さが４．０〜１０．０ｍ
ｍの前記フェライトの焼結体あるいはフェライトの樹脂
分散材を用いたことに特徴を有している。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。図１は、本発明の電波吸収体の最も基本的な構
造を示す構造図である。図において、１は電波吸収体、
２は軟磁性体層、３は強誘電体層、４は短絡層としての
金属板である。図に示す構造の電波吸収体１では式２に
示すインピーダンスは次式のように書き換えられる。 ＺA ＝（Ｚa tanh（γa ｄa ）＋Ｚb tanh（γb ｄb ）） ／（１＋（Ｚa ／Ｚb ）tanh（γa ｄa ）tanh（γb ｄb ）） (8) ここでＺa 、γa およびｄa は軟磁性体層２の特性イン
ピーダンス、伝播定数および厚きであり、Ｚb 、γb お
よびｄb は強誘電体層３の特性インピーダンス、伝播定
数および厚きである。この結果、整合周波数及び整合厚
さは軟磁性体単体の場合とは少し異なった値となる。
明する。図１は、本発明の電波吸収体の最も基本的な構
造を示す構造図である。図において、１は電波吸収体、
２は軟磁性体層、３は強誘電体層、４は短絡層としての
金属板である。図に示す構造の電波吸収体１では式２に
示すインピーダンスは次式のように書き換えられる。 ＺA ＝（Ｚa tanh（γa ｄa ）＋Ｚb tanh（γb ｄb ）） ／（１＋（Ｚa ／Ｚb ）tanh（γa ｄa ）tanh（γb ｄb ）） (8) ここでＺa 、γa およびｄa は軟磁性体層２の特性イン
ピーダンス、伝播定数および厚きであり、Ｚb 、γb お
よびｄb は強誘電体層３の特性インピーダンス、伝播定
数および厚きである。この結果、整合周波数及び整合厚
さは軟磁性体単体の場合とは少し異なった値となる。
【００１１】図２は、本発明の電波吸収体における反射
減衰量周波数分散のシミュレーション結果を示す反射減
衰量の周波数特性図である。図は電波吸収体１の反射減
衰量の周波数分散を計算により求めた結果の１例を示し
たものである。軟磁性体層２の透磁率、誘電率はカルボ
ニル鉄系の材料（初透磁率８．０、整合厚さ１．５ｍ
ｍ、整合周波数４．１ＧＨｚの材料）の値を用いて計算
した。また、強誘電体層３は比透磁率ｌ、比誘電率５０
０の材料とした。整合周波数は強誘電体層３の厚さが増
加するに従い低くなる。すなわち、この例では強誘電体
層３の厚さが０．１ｍｍでは整合周波数１．８ＧＨｚ、
また０．５ｍｍでは整合周波数９００ＭＨｚとなってい
る。整合条件を与える軟磁性体層２の厚さは、強誘電体
層３が加わってもほとんど変化せず、単体で使用した場
合の整合厚さと同じ値である。
減衰量周波数分散のシミュレーション結果を示す反射減
衰量の周波数特性図である。図は電波吸収体１の反射減
衰量の周波数分散を計算により求めた結果の１例を示し
たものである。軟磁性体層２の透磁率、誘電率はカルボ
ニル鉄系の材料（初透磁率８．０、整合厚さ１．５ｍ
ｍ、整合周波数４．１ＧＨｚの材料）の値を用いて計算
した。また、強誘電体層３は比透磁率ｌ、比誘電率５０
０の材料とした。整合周波数は強誘電体層３の厚さが増
加するに従い低くなる。すなわち、この例では強誘電体
層３の厚さが０．１ｍｍでは整合周波数１．８ＧＨｚ、
また０．５ｍｍでは整合周波数９００ＭＨｚとなってい
る。整合条件を与える軟磁性体層２の厚さは、強誘電体
層３が加わってもほとんど変化せず、単体で使用した場
合の整合厚さと同じ値である。
【００１２】図３は、本発明の電波吸収体における整合
周波数の変化の強誘電体の誘電率及び厚さ依存性を示す
図である。図に示すように、整合周波数の低下幅は強誘
電体層３の厚さあるいは誘電率が大きいほど大きくな
り、同じ整合周波数の低下幅を得るために必要な強誘電
体層３の厚さはその誘電率に反比例している。このこと
は、強誘電体層３の厚さを変えることによって容易に整
合周波数の値を調整できることを示している。
周波数の変化の強誘電体の誘電率及び厚さ依存性を示す
図である。図に示すように、整合周波数の低下幅は強誘
電体層３の厚さあるいは誘電率が大きいほど大きくな
り、同じ整合周波数の低下幅を得るために必要な強誘電
体層３の厚さはその誘電率に反比例している。このこと
は、強誘電体層３の厚さを変えることによって容易に整
合周波数の値を調整できることを示している。
【００１３】〔実施例１〕図４は、１．５ｍｍのカルボ
ニル鉄ゴムと０．５ｍｍのチタン酸バリウムで構成され
た本発明の第１実施例における特性図である。軟磁性体
層２として１．５ｍｍの５０〜９５％カルボニル鉄ゴム
を用いている。図において黒丸印のＡは、強誘電体層３
として０．５ｍｍのチタン酸バリウムの焼結体を用いて
構成された電波吸収体の反射減衰量を示したものであ
る。計算結果と同様な９００ＭＨｚにおいて、２９ｄＢ
の反射減衰量が得られており、ＵＨＦ帯において厚さ２
ｍｍの電波吸収体を実現することが可能となった。実線
Ｂは樹脂分散材０．５ｍｍの場合、白丸印Ｃは強誘電体
層３が無い場合の特性である。なお、軟磁性体層２とし
ては、５０〜９５％カルボニル鉄ゴムとチタン酸バリウ
ム焼結体でも良いし、あるいはその樹脂分散材でも良
い。
ニル鉄ゴムと０．５ｍｍのチタン酸バリウムで構成され
た本発明の第１実施例における特性図である。軟磁性体
層２として１．５ｍｍの５０〜９５％カルボニル鉄ゴム
を用いている。図において黒丸印のＡは、強誘電体層３
として０．５ｍｍのチタン酸バリウムの焼結体を用いて
構成された電波吸収体の反射減衰量を示したものであ
る。計算結果と同様な９００ＭＨｚにおいて、２９ｄＢ
の反射減衰量が得られており、ＵＨＦ帯において厚さ２
ｍｍの電波吸収体を実現することが可能となった。実線
Ｂは樹脂分散材０．５ｍｍの場合、白丸印Ｃは強誘電体
層３が無い場合の特性である。なお、軟磁性体層２とし
ては、５０〜９５％カルボニル鉄ゴムとチタン酸バリウ
ム焼結体でも良いし、あるいはその樹脂分散材でも良
い。
【００１４】〔実施例２〕図５は、フェライトとチタン
酸バリウムで構成された本発明の第２実施例における特
性図である。フェライト焼結体の電波吸収体にチタン酸
バリウムの焼結体を積層させた場合の反射減衰量を示し
たものである。同じフェライトの焼結体を用いても、チ
タン酸バリウム焼結体の厚さを変えるだけで様々な整合
周波数の電波吸収体が得られた。なお、フェライト焼結
体とチタン酸バリウムの焼結体でも良いし、その樹脂分
散材でも良い。
酸バリウムで構成された本発明の第２実施例における特
性図である。フェライト焼結体の電波吸収体にチタン酸
バリウムの焼結体を積層させた場合の反射減衰量を示し
たものである。同じフェライトの焼結体を用いても、チ
タン酸バリウム焼結体の厚さを変えるだけで様々な整合
周波数の電波吸収体が得られた。なお、フェライト焼結
体とチタン酸バリウムの焼結体でも良いし、その樹脂分
散材でも良い。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による電波
吸収体は、電磁波の入射側から順に強誘電体層、軟磁性
体層、短絡層を設けた積層構造としたので、整合厚さの
薄いカルボニル鉄系材料の整合周波数を下げ、より低い
周波数での適用を可能にし、立方晶フェライト系の吸収
体も含めて材質を変更すること無く簡便に整合周波数を
調整出来るようにしたＶＨＦ帯及びＵＨＦ帯用の電波吸
収体を提供することが出来る。
吸収体は、電磁波の入射側から順に強誘電体層、軟磁性
体層、短絡層を設けた積層構造としたので、整合厚さの
薄いカルボニル鉄系材料の整合周波数を下げ、より低い
周波数での適用を可能にし、立方晶フェライト系の吸収
体も含めて材質を変更すること無く簡便に整合周波数を
調整出来るようにしたＶＨＦ帯及びＵＨＦ帯用の電波吸
収体を提供することが出来る。
【図１】本発明の電波吸収体の最も基本的な構造を示す
構造図である。
構造図である。
【図２】本発明の電波吸収体における反射減衰量周波数
分散のシミュレーション結果を示す反射減衰量の周波数
特性図である。
分散のシミュレーション結果を示す反射減衰量の周波数
特性図である。
【図３】本発明の電波吸収体における整合周波数の変化
の強誘電体の誘電率及び厚さ依存性を示す特性図であ
る。
の強誘電体の誘電率及び厚さ依存性を示す特性図であ
る。
【図４】１．５ｍｍのカルボニル鉄ゴムと０．５ｍｍの
チタン酸バリウムで構成された本発明の第１実施例にお
ける特性図である。
チタン酸バリウムで構成された本発明の第１実施例にお
ける特性図である。
【図５】フェライトとチタン酸バリウムで構成された本
発明の第２実施例における特性図である。
発明の第２実施例における特性図である。
【図６】立方晶フェライトにおけるSnoek の限界を示す
比透磁率の周波数特性図である。
比透磁率の周波数特性図である。
【図７】整合厚さ及び整合周波数と初透磁率、パラメー
タＳとの関係を示す特性図である。
タＳとの関係を示す特性図である。
【図８】反射減衰量周波数分散の厚さ依存性を示す特性
図である。
図である。
１ 電波吸収体 ２ 軟磁性体層 ３ 強誘電体層 ４ 金属板 εa 軟磁性体層の複素誘電率 εb 強誘電体層の複素誘電率 Γ 電磁波の反射率 γa 軟磁性体層の伝播定数 γb 強誘電体層の伝播定数 γe 吸収体の伝播定数 μ0 真空中の透磁率 μ1 初透磁率 μa 軟磁性体層の複素透磁率 μb 強誘電体層の複素透磁率 ｄa 軟磁性体層の厚さ ｄb 軟磁性体層の厚さ ｄe 吸収体の厚さ Ｒ 反射減衰量 Ｚ0 真空の特性インピーダンス ＺA 吸収体のインピーダンス Ｚa 軟磁性体層の特性インピーダンス Ｚb 強誘電体層の特性インピーダンス ＺE 吸収体のインピーダンス Ｚe 吸収体の特性インピーダンス
Claims (5)
- 【請求項１】 ＶＨＦ帯及びＵＨＦ帯用であり、電磁波
の入射側から順に強誘電体層、軟磁性体層、短絡層を設
けた積層構造を有することを特徴とする電波吸収体。 - 【請求項２】 前記強誘電体層にチタン酸バリウムの焼
結体あるいは前記チタン酸バリウムの樹脂分散材を、前
記軟磁性体層に５０〜９５％カルボニル鉄粒子の樹脂分
散材を用いたことを特徴とする請求項１記載の電波吸収
体。 - 【請求項３】 前記強誘電体層に厚さが０．１〜１．５
ｍｍのチタン酸バリウムの焼結体あるいは前記チタン酸
バリウムの樹脂分散材、前記軟磁性体層に厚さが１．０
〜４．０ｍｍの５０〜９５％カルボニル鉄粒子の樹脂分
散材を用いたことを特徴とする請求項１記載の電波吸収
体。 - 【請求項４】 前記強誘電体層にチタン酸バリウムの焼
結体あるいは前記チタン酸バリウムの樹脂分散材を、前
記軟磁性体層にフェライトの焼結体あるいは前記フェラ
イトの樹脂分散材を用いたことを特徴とする請求項１記
載の電波吸収体。 - 【請求項５】 前記強誘電体層に厚さが０．１〜１．５
ｍｍのチタン酸バリウムの焼結体あるいは前記チタン酸
バリウムの樹脂分散材を、前記軟磁性体層に厚さが４．
０〜１０．０ｍｍの前記フェライトの焼結体あるいはフ
ェライトの樹脂分散材を用いたことを特徴とする請求項
１記載の電波吸収体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9134397A JPH10308596A (ja) | 1997-05-07 | 1997-05-07 | 電波吸収体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9134397A JPH10308596A (ja) | 1997-05-07 | 1997-05-07 | 電波吸収体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10308596A true JPH10308596A (ja) | 1998-11-17 |
Family
ID=15127450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9134397A Pending JPH10308596A (ja) | 1997-05-07 | 1997-05-07 | 電波吸収体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10308596A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005306698A (ja) * | 2004-04-26 | 2005-11-04 | Japan Fine Ceramics Center | 磁器組成物及び電波吸収体 |
| JP2007294921A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-11-08 | Nitta Ind Corp | 電磁波吸収体、建材および電磁波暗室構造体ならびに送受信方向制御方法および電磁波吸収方法 |
| US7625640B2 (en) | 2004-02-24 | 2009-12-01 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | Electromagnetic noise suppressor, structure with electromagnetic noise suppressing function, and method of manufacturing the same |
| US7625633B2 (en) | 2003-03-25 | 2009-12-01 | Shin-Etsu Polymer., Ltd. | Electromagnetic noise suppressor, article with electromagnetic noise suppressing function, and their manufacturing methods |
| CN111285671A (zh) * | 2018-12-06 | 2020-06-16 | 洛阳尖端技术研究院 | 低频吸波材料及其制备方法 |
| CN112237057A (zh) * | 2018-06-04 | 2021-01-15 | 麦克赛尔控股株式会社 | 电磁波吸收体 |
-
1997
- 1997-05-07 JP JP9134397A patent/JPH10308596A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US8017255B2 (en) | 2004-02-24 | 2011-09-13 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | Electromagnetic noise suppressor, structure with electromagnetic noise suppressing function, and method of manufacturing the same |
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| CN112237057A (zh) * | 2018-06-04 | 2021-01-15 | 麦克赛尔控股株式会社 | 电磁波吸收体 |
| CN112237057B (zh) * | 2018-06-04 | 2023-09-12 | 麦克赛尔株式会社 | 电磁波吸收体 |
| CN111285671A (zh) * | 2018-12-06 | 2020-06-16 | 洛阳尖端技术研究院 | 低频吸波材料及其制备方法 |
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