JPS5819000A - ピラミツト形電波吸収体 - Google Patents

ピラミツト形電波吸収体

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JPS5819000A
JPS5819000A JP11695481A JP11695481A JPS5819000A JP S5819000 A JPS5819000 A JP S5819000A JP 11695481 A JP11695481 A JP 11695481A JP 11695481 A JP11695481 A JP 11695481A JP S5819000 A JPS5819000 A JP S5819000A
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Japan
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absorber
radio wave
wave absorber
pyramid
incidence
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JPS6332278B2 (ja
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光弘 小野
内藤 喜之
光宏 中村
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は垂直入射および斜入射の両特性に優れるVH1
帝以上用広帯域形電波吸収体KIIするものである。
最近、電波暗室はその中での伝搬距離を長くするため細
長い形のものが多く建設されるようになり、それに伴な
い暗室の壁面に大きな入射角で電波が入射するケースが
増えたため、II直および斜入射の両特性に優れる電波
吸収体が要求されて偽る。そしてすでに誘電性損失材料
だけで構成され九ものは実現されている。しかし、vn
y帯で使用可能なものは厚さが非常に厚くな)実用には
適さない、そζで、?−の欠点を除くために一部KWA
性損失材料を組合わせた電波吸収体がTob、すでに実
用に供されている。しかし従来のものは大きな入射角で
も垂直入射と同じ特性を得るためには徴収体の厚ざが増
加し、電波*iiの有効な空間が狭められる欠点がある
本発明は上記の欠点を除き、垂直入射のみならず斜入射
の場合でも非常に薄く且つ特性も優れた電波吸収体を供
するもので6って、第1図に示しているように、板状磁
性損失材料0例えばフェライト(1)の前@に、横断面
が正方形でその面積が徴収材の厚さ方向5対して指数関
数KflJ似の関数形で増加する誘電性損失材料1例え
ば発泡ポリスチロール(3)を配置したことを特徴とす
るものでるる。
(1)は金属板(短絡板)である。
次(本発明の実施例に’:)Vhて構成法を示すととも
に本発明が優秀な徴収体でるることを説明する。
誘電性損失材料だけで垂直及び斜入射の両特性に優れる
構成法はすでに発表されて−る。(小野。
生田1片桐著「垂直及び斜入射の両特性に優れる電波吸
収体の一構成法」電子通信学会論文誌中)昭64年10
月号、)そこでこの方法を組合わせ形吸収体に適用する
ことを考えた。磁性損失材料の入力インピーダンスは第
2図に示すような周波数特性を持つ、ここで、Toる周
波数範囲の入カイ/ビーダンスを全て含むような円を考
えこれを磁性材の入力インピーダンスとし、その前1I
rK上記文献の方法で誘電体材料を減衰定数が吸収体の
前面から測った距離に対して階段状に全体として指数関
数に類似の関数形で増加するように決定していく、シか
し、現在のところ減衰定数の小さい部分を実現する適切
な材料は開発されていない、そこで平板状吸収体の一部
を切りとった構造においては、その部分の減衰定数が小
さい場合、電波に対する減衰定数が小さい場合、電波に
対する減衰定数が吸収体の横断面の面積に比例する性質
(清水。
末武著r−sK誘電体が挿入された場合の等価誘電率」
電子通信学会、マイクロ波研究会、MWfO−11,昭
46年6月。)を利用し形状を決定すると、第8図のよ
うに階段状の積層体となる。また階段状のテーパ部の縦
断面図は第4図に示したようKその幅もまた階段状で指
数関数に類似の関数形で増加するものとなる。しかし、
このような形状は製作過程が複雑となり、tた製造コス
トも高くなるために本発明ではこの階段状部分を第5図
に示すようKその幅が吸収体前面から測つ九距離に対し
て、指数関数に類似の関数形で増加するものでメに、横
断面を正方形とするのは偏波特性をなくするためでらる
。第6図は上述の構成法に基づいて得られた一実施例の
吸収体の周波数特性を示すものでToO,横軸に周波数
、縦軸に定在波比11r取ってろシ、同図ムは入射角θ
−♂、#−10@(Tlm)の場合、同図Bは入射角θ
−γG@(TMl)の場合の理論値と実測値を示したも
ので。
この図から明らかなように#・−Cでは周波数97.4
MH2(実測値79MHz)以上、#−1@(Tm波)
以下では898.9MII! (実測値840M[) 
以上で定在波比1.1の特性を厚さ1114aIで実現
することができ、従来の吸収体に比較して垂直入射特性
は僅かに劣るが、入射角7G”の斜入射特性は極めて優
れたものであり、偏波特性の差異も少ないのである。こ
こでは100MHz以上の周波数帯の吸収体の実施例に
ついて説明したが9本発明はこれに限られるものではな
く吸収材でめる誘電体材料。
磁性材料を適当に選択することによって他の周波数帯の
吸収体も得られる。
以上のように本発明による電波吸収体は、板状磁性損失
材料の前面に横断面が正方形でその面積が吸収材の厚さ
方向に対して指数関数に類似の関数形で増加する誘電性
損失材料を配置してなるものでるり、前述した通す、*
直入射のみならず斜入射においても特性の良い、VBν
帝で使用可能で、偏波特性の小さな吸収体が得られるの
で、電波暗室に使用し念際9部屋の有効範囲が大きくな
る効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の実施例を示し、1111図は電波吸収体
の斜視図、第3図は磁性材料の入力インピーダンスの説
明図、第3図はテーパ一部が階段状となっている電波吸
収体の斜視図、第4図は同じく側面図、第6図は第1図
におけるテーパ一部の側面図、そして第6図線本発明吸
収体の定在波比の周波数特性を示す図表である。 (1)は金属板 (2)は板状磁性損失材料(3)は誘
電性損失材料 特許出願人  小 野 光 弘 内  藤  喜  之 /2i1(”6τ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 板状磁性損失材料の前面に横断面が正方形でその面積が
    吸収材の厚さ方向に対して指数関数に類似の関数形で増
    加する誘電性損失材料を配置することを特徴とするピラ
    ミッド形電波吸収体。
JP11695481A 1981-07-24 1981-07-24 ピラミツト形電波吸収体 Granted JPS5819000A (ja)

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JP11695481A JPS5819000A (ja) 1981-07-24 1981-07-24 ピラミツト形電波吸収体

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JPS5819000A true JPS5819000A (ja) 1983-02-03
JPS6332278B2 JPS6332278B2 (ja) 1988-06-29

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61207099U (ja) * 1985-06-18 1986-12-27
JPS61207098U (ja) * 1985-06-18 1986-12-27
JPS63162592U (ja) * 1987-04-09 1988-10-24
JPS6416038A (en) * 1987-07-09 1989-01-19 Tdk Corp Anechoic chamber
JP2006278779A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Kyocera Corp 積層体の製造方法

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JP2006278779A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Kyocera Corp 積層体の製造方法

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JPS6332278B2 (ja) 1988-06-29

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