JPS6332278B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6332278B2 JPS6332278B2 JP11695481A JP11695481A JPS6332278B2 JP S6332278 B2 JPS6332278 B2 JP S6332278B2 JP 11695481 A JP11695481 A JP 11695481A JP 11695481 A JP11695481 A JP 11695481A JP S6332278 B2 JPS6332278 B2 JP S6332278B2
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- JP
- Japan
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- absorber
- radio wave
- present
- loss material
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- Expired
Links
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims 1
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Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Aerials With Secondary Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は垂直入射および斜入射の両特性に優れ
るVHF帯以上用広帯域形電波吸収体に関するも
のである。
るVHF帯以上用広帯域形電波吸収体に関するも
のである。
最近、電波暗室はその中での伝搬距離を長くす
るため細長い形のものが多く建設されるようにな
り、それに伴ない暗室の壁面に大きな入射角で電
波が入射するケースが増えたため、垂直および斜
入射の両特性に優れる電波吸収体が要求されてい
る。そしてすでに誘電性損失材料だけで構成され
たものは実現されている。しかし、VHF帯で使
用可能なものは厚さが非常に厚くなり実用には適
さない。そこで、この欠点を除くために一部に磁
性損失材料を組合わせた電波吸収体があり、すで
に実用に供されている。しかし従来のものは大き
な入射角でも垂直入射と同じ特性を得るためには
吸収体の厚さが増加し、電波暗室の有効な空間が
狭められる欠点がある。
るため細長い形のものが多く建設されるようにな
り、それに伴ない暗室の壁面に大きな入射角で電
波が入射するケースが増えたため、垂直および斜
入射の両特性に優れる電波吸収体が要求されてい
る。そしてすでに誘電性損失材料だけで構成され
たものは実現されている。しかし、VHF帯で使
用可能なものは厚さが非常に厚くなり実用には適
さない。そこで、この欠点を除くために一部に磁
性損失材料を組合わせた電波吸収体があり、すで
に実用に供されている。しかし従来のものは大き
な入射角でも垂直入射と同じ特性を得るためには
吸収体の厚さが増加し、電波暗室の有効な空間が
狭められる欠点がある。
本発明は上記の欠点を除き、垂直入射のみなら
ず斜入射の場合でも非常に薄く且つ特性も優れた
電波吸収体を供するものであつて、第１図に示し
ているように、板状磁性損失材料、例えばフエラ
イト１の前面に、横断面が正方形でその面積が吸
収材の厚さ方向に対して指数関数に類似の関数形
で増加する誘電性損失材料、例えば発泡ポリスチ
ロール３を配置したことを特徴とするものであ
る。１は金属板（短絡板）である。
ず斜入射の場合でも非常に薄く且つ特性も優れた
電波吸収体を供するものであつて、第１図に示し
ているように、板状磁性損失材料、例えばフエラ
イト１の前面に、横断面が正方形でその面積が吸
収材の厚さ方向に対して指数関数に類似の関数形
で増加する誘電性損失材料、例えば発泡ポリスチ
ロール３を配置したことを特徴とするものであ
る。１は金属板（短絡板）である。
次に本発明の実施例について構成法を示すとと
もに本発明が優秀な吸収体であることを説明す
る。誘電性損失材料だけで垂直及び針入射の両特
性に優れる構成法はすでに発表されている。（小
野、生田、片桐著）「垂直及び斜入射の両特性に
優れる電波吸収体の一構成法」電子通信学会論文
誌(B)昭54年10月号。）そこでこの方法を組み合わ
せ形吸収体に適用することを考えた。磁性損失材
料の入力インピーダンスは第２図に示すような周
波数特性を持つ。ここで、ある周波数範囲の入力
インピーダンスを全て含むような円を考えこれを
磁性材の入力インピーダンスとし、その前面に上
記文献の方法で誘電性体材料を減衰定数が吸収体
の前面から測つた距離に対して階段状に全体とし
て指数関数に類似の関数形で増加するように決定
していく。しかし、現在のところ減衰定数の小さ
い部分を実現する適切な材料は開発されていな
い。そこで平板状吸収体の一部を切りとつた構造
においては、その部分の減衰定数が小さい場合、
電波に対する減衰定数が小さい場合、電波に対す
る減衰定数が吸収体の横断面の面積に比例する性
質（清水、末武著「一部に誘電体が挿入された場
合の等価誘電率」電子通信学会、マイクロ波研究
会、MW70−21、昭45年６月。）を利用し形状を
決定すると、第３図のように階段状の積層体とな
る。また階段状のテーパ部の縦断面図は第４図に
示したようにその幅もまた階段状で指数関数に類
似の関数形で増加するものとなる。しかし、この
ような形状は製作過程が複雑となり、また製造コ
ストも高くなるために本発明ではこの階段状部分
を第５図に示すようにその幅が吸収体前面から測
つた距離に対して、指数関数に類似の関数形で増
加するものであり、横断面を正方形とするのは偏
波特性をなくするためである。第６図は上述の構
成法に基づいて得られた一実施例の吸収体の周波
数特性を示すものであり、横軸に周波数、縦軸に
定在波化を取つてあり、同図Ａは入射角θ＝0゜、
θ＝70゜（TE波）の場合、同図Ｂは入射角θ＝70゜
（TM波）の場合の理論値と実測値を示したもの
で、この図から明らかなようにθ＝0゜では周波数
97.4MHz（実測値78MHz）以上、θ＝70゜（TM波）
以下では393.9MHz（実測値340MHz）以上で定在
波比1.1の特性を厚さ134cmで実現することがで
き、従来の吸収体に比較して垂直入射特性は僅か
に劣るが、入射角70゜の斜入射特性は極めて優れ
たものであり、偏波特性の差異も少ないのであ
る。ここでは100MHz以上の周波数帯の吸収体の
実施例について説明したが、本発明はこれに限ら
れるものではなく吸収材である誘電体材料、磁性
材料を適当に選択することによつて他の周波数帯
の吸収体も得られる。
もに本発明が優秀な吸収体であることを説明す
る。誘電性損失材料だけで垂直及び針入射の両特
性に優れる構成法はすでに発表されている。（小
野、生田、片桐著）「垂直及び斜入射の両特性に
優れる電波吸収体の一構成法」電子通信学会論文
誌(B)昭54年10月号。）そこでこの方法を組み合わ
せ形吸収体に適用することを考えた。磁性損失材
料の入力インピーダンスは第２図に示すような周
波数特性を持つ。ここで、ある周波数範囲の入力
インピーダンスを全て含むような円を考えこれを
磁性材の入力インピーダンスとし、その前面に上
記文献の方法で誘電性体材料を減衰定数が吸収体
の前面から測つた距離に対して階段状に全体とし
て指数関数に類似の関数形で増加するように決定
していく。しかし、現在のところ減衰定数の小さ
い部分を実現する適切な材料は開発されていな
い。そこで平板状吸収体の一部を切りとつた構造
においては、その部分の減衰定数が小さい場合、
電波に対する減衰定数が小さい場合、電波に対す
る減衰定数が吸収体の横断面の面積に比例する性
質（清水、末武著「一部に誘電体が挿入された場
合の等価誘電率」電子通信学会、マイクロ波研究
会、MW70−21、昭45年６月。）を利用し形状を
決定すると、第３図のように階段状の積層体とな
る。また階段状のテーパ部の縦断面図は第４図に
示したようにその幅もまた階段状で指数関数に類
似の関数形で増加するものとなる。しかし、この
ような形状は製作過程が複雑となり、また製造コ
ストも高くなるために本発明ではこの階段状部分
を第５図に示すようにその幅が吸収体前面から測
つた距離に対して、指数関数に類似の関数形で増
加するものであり、横断面を正方形とするのは偏
波特性をなくするためである。第６図は上述の構
成法に基づいて得られた一実施例の吸収体の周波
数特性を示すものであり、横軸に周波数、縦軸に
定在波化を取つてあり、同図Ａは入射角θ＝0゜、
θ＝70゜（TE波）の場合、同図Ｂは入射角θ＝70゜
（TM波）の場合の理論値と実測値を示したもの
で、この図から明らかなようにθ＝0゜では周波数
97.4MHz（実測値78MHz）以上、θ＝70゜（TM波）
以下では393.9MHz（実測値340MHz）以上で定在
波比1.1の特性を厚さ134cmで実現することがで
き、従来の吸収体に比較して垂直入射特性は僅か
に劣るが、入射角70゜の斜入射特性は極めて優れ
たものであり、偏波特性の差異も少ないのであ
る。ここでは100MHz以上の周波数帯の吸収体の
実施例について説明したが、本発明はこれに限ら
れるものではなく吸収材である誘電体材料、磁性
材料を適当に選択することによつて他の周波数帯
の吸収体も得られる。
以上のように本発明による電波吸収体は、板状
磁性損失材料の前面に横断面が正方形でその面積
が吸収材の厚さ方向に対して指数関数に類似の関
数形で増加する誘電性損失材料を配置してなるも
のであり、前述した通り、垂直入射のみならず斜
入射においても特性の良い、VHF帯で使用可能
で、偏波特性の小さな吸収体が得られるので、電
波暗室に使用した際、部屋の有効範囲が大きくな
る効果を有するものである。
磁性損失材料の前面に横断面が正方形でその面積
が吸収材の厚さ方向に対して指数関数に類似の関
数形で増加する誘電性損失材料を配置してなるも
のであり、前述した通り、垂直入射のみならず斜
入射においても特性の良い、VHF帯で使用可能
で、偏波特性の小さな吸収体が得られるので、電
波暗室に使用した際、部屋の有効範囲が大きくな
る効果を有するものである。
図面は本発明の実施例を示し、第１図は電波吸
収体の斜視図、第２図は磁性材料の入力インピー
ダンスの説明図、第３図はテーパー部が階段状と
なつている電波吸収体の斜視図、第４図は同じく
側面図、第５図は第１図におけるテーパー部の側
面図、そして第６図は本発明吸収体の定在波比の
周波数特性を示す図表である。 １は金属板、２は板状磁性損失材料、３は誘電
性損失材料。
収体の斜視図、第２図は磁性材料の入力インピー
ダンスの説明図、第３図はテーパー部が階段状と
なつている電波吸収体の斜視図、第４図は同じく
側面図、第５図は第１図におけるテーパー部の側
面図、そして第６図は本発明吸収体の定在波比の
周波数特性を示す図表である。 １は金属板、２は板状磁性損失材料、３は誘電
性損失材料。
Claims (1)
- １ 板状磁性損失材料の前面に横断面が正方形で
その面積が吸収材の厚さ方向に対して指数関数に
類似の関数形で増加する誘電性損失材料を配置す
ることを特徴とするピラミツド形電波吸収体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11695481A JPS5819000A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | ピラミツト形電波吸収体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11695481A JPS5819000A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | ピラミツト形電波吸収体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5819000A JPS5819000A (ja) | 1983-02-03 |
| JPS6332278B2 true JPS6332278B2 (ja) | 1988-06-29 |
Family
ID=14699840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11695481A Granted JPS5819000A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | ピラミツト形電波吸収体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5819000A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61207098U (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-27 | ||
| JPS61207099U (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-27 | ||
| JPS63162592U (ja) * | 1987-04-09 | 1988-10-24 | ||
| JPS6416038A (en) * | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Tdk Corp | Anechoic chamber |
| JP4822725B2 (ja) * | 2005-03-29 | 2011-11-24 | 京セラ株式会社 | 積層体の製造方法 |
-
1981
- 1981-07-24 JP JP11695481A patent/JPS5819000A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5819000A (ja) | 1983-02-03 |
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