JPH11186781A - 電波吸収体及び電波吸収箱 - Google Patents
電波吸収体及び電波吸収箱Info
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- JPH11186781A JPH11186781A JP9357560A JP35756097A JPH11186781A JP H11186781 A JPH11186781 A JP H11186781A JP 9357560 A JP9357560 A JP 9357560A JP 35756097 A JP35756097 A JP 35756097A JP H11186781 A JPH11186781 A JP H11186781A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 １ＧＨｚ以上の周波数に対して整合形フェラ
イト電波吸収体の整合周波数の調整と同調を容易にし、
帯域幅を改善する。 【解決手段】 電波吸収媒質層１と、金属層２との積層
からなっている。電波吸収媒質層１は、磁性材料であ
り、その磁性材料の透磁率の虚数部の周波数依存性が少
なくとも二つ以上の周波数でピークを有している。この
ような磁性材料には、例えば面内異方性をもつへキサゴ
ナルフェライト焼結体がある。
イト電波吸収体の整合周波数の調整と同調を容易にし、
帯域幅を改善する。 【解決手段】 電波吸収媒質層１と、金属層２との積層
からなっている。電波吸収媒質層１は、磁性材料であ
り、その磁性材料の透磁率の虚数部の周波数依存性が少
なくとも二つ以上の周波数でピークを有している。この
ような磁性材料には、例えば面内異方性をもつへキサゴ
ナルフェライト焼結体がある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電波吸収体に関
し、特に電波吸収媒質層を金属層で裏打ちした整合形電
波吸収体およびこの電波吸収体を用いた電波吸収箱に関
する。
し、特に電波吸収媒質層を金属層で裏打ちした整合形電
波吸収体およびこの電波吸収体を用いた電波吸収箱に関
する。
【０００２】
【従来の技術】整合形電波吸収体においては、電波吸収
媒質層の物性特性および厚さによって、電波吸収特性が
決定される。従来、電波吸収媒質層としては、誘電損失
物質としての導電性カーボンと有機樹脂またはゴムとの
混合物、および磁性損失物質としてカーボニル鉄、パー
マロイなどの金属磁性粉体を有機樹脂で固めたもの、あ
るいは、フェライト焼結体およびその粉末を有機樹脂ま
たはゴムと混合したものが用いられてきた。
媒質層の物性特性および厚さによって、電波吸収特性が
決定される。従来、電波吸収媒質層としては、誘電損失
物質としての導電性カーボンと有機樹脂またはゴムとの
混合物、および磁性損失物質としてカーボニル鉄、パー
マロイなどの金属磁性粉体を有機樹脂で固めたもの、あ
るいは、フェライト焼結体およびその粉末を有機樹脂ま
たはゴムと混合したものが用いられてきた。
【０００３】整合形電波吸収体は、図２に示すように電
波吸収媒質層１と、電波吸収媒質層１を裏打ちする金属
層２との積層構造をもち、入力規格化インピーダンス；
Ｚ／Ｚ0＝√（μ／ε）ｔａｎｈ（（２π／λ）・√
（εμ）・ｄ ） の値が、１となるようにε，μおよび
ｄが調節される。ここで、Ｚは、電波入射面での波動イ
ンピーダンス、Ｚ0は媒質の固有インピーダンス、εと
μは、媒質の複素誘電率と複素透磁率、ｄは媒質層の厚
さ、λは入射電磁波の自由空間波長である。
波吸収媒質層１と、電波吸収媒質層１を裏打ちする金属
層２との積層構造をもち、入力規格化インピーダンス；
Ｚ／Ｚ0＝√（μ／ε）ｔａｎｈ（（２π／λ）・√
（εμ）・ｄ ） の値が、１となるようにε，μおよび
ｄが調節される。ここで、Ｚは、電波入射面での波動イ
ンピーダンス、Ｚ0は媒質の固有インピーダンス、εと
μは、媒質の複素誘電率と複素透磁率、ｄは媒質層の厚
さ、λは入射電磁波の自由空間波長である。
【０００４】従って、εとμの周波数（λに逆比例）依
存性によって、同じｄの値に対して、Ｚ／Ｚ0を１近く
に留める度合い（広帯域特性になるか狭帯域特性になる
かが決まる）、または、ｄの変化に対して吸収特性が急
激に変わるかどうか（ｄの施工精度を決める）が異な
る。
存性によって、同じｄの値に対して、Ｚ／Ｚ0を１近く
に留める度合い（広帯域特性になるか狭帯域特性になる
かが決まる）、または、ｄの変化に対して吸収特性が急
激に変わるかどうか（ｄの施工精度を決める）が異な
る。
【０００５】ところで、従来より、電波吸収体に使用さ
れてきた誘電損失物質は、カーボンなどのように導電体
のオーム損失をベースとしているので、周波数に単調に
比例する。これに対して、スピネルフェライトに代表さ
れる一部の磁性材料では、周波数が高くなればμ’の分
散が起こり、μ”にピークが生じる。この分散特性は、
フェライトの磁化機構と密接に関係していて、磁壁移動
の緩和または回転磁化機構における磁区内の自然共鳴を
原因としており、通常のフェライトでは１ＧＨｚ以下で
μ’は１に近づく。この分散を利用して誘電媒質にない
広帯域性を得るフェライト電波吸収体が開発され、テレ
ビのゴースト対策に用いられる事がある。
れてきた誘電損失物質は、カーボンなどのように導電体
のオーム損失をベースとしているので、周波数に単調に
比例する。これに対して、スピネルフェライトに代表さ
れる一部の磁性材料では、周波数が高くなればμ’の分
散が起こり、μ”にピークが生じる。この分散特性は、
フェライトの磁化機構と密接に関係していて、磁壁移動
の緩和または回転磁化機構における磁区内の自然共鳴を
原因としており、通常のフェライトでは１ＧＨｚ以下で
μ’は１に近づく。この分散を利用して誘電媒質にない
広帯域性を得るフェライト電波吸収体が開発され、テレ
ビのゴースト対策に用いられる事がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のフェライト電波
吸収体での周波数特性の改善手段としては、フェライト
の透磁率の分散を利用して電波吸収体の使用帯域を改善
したものがある。しかしながら、フェライトの分散特性
は、スピネルフェライトにみられるように上限周波数が
スネークリミットからの制約もあって、この原理を適用
しても有効な範囲は、せいぜい１ＧＨｚ以下であると考
えられてきた。
吸収体での周波数特性の改善手段としては、フェライト
の透磁率の分散を利用して電波吸収体の使用帯域を改善
したものがある。しかしながら、フェライトの分散特性
は、スピネルフェライトにみられるように上限周波数が
スネークリミットからの制約もあって、この原理を適用
しても有効な範囲は、せいぜい１ＧＨｚ以下であると考
えられてきた。
【０００７】また軟磁性体に磁場を印加して、透磁率を
変化させる試みが行われたこともあるが、軟磁性体に磁
場を印加するために大掛りな外部磁場装置を用いるにも
関らず、効果が少ないという問題がある。
変化させる試みが行われたこともあるが、軟磁性体に磁
場を印加するために大掛りな外部磁場装置を用いるにも
関らず、効果が少ないという問題がある。
【０００８】本発明の目的は、従来注目されていなかっ
たフェライトの１ＧＨｚを越える高周波特性を詳細に検
討し、これを明らかにし、媒質自体を改善することによ
り、何ら外部機構の付加を必要とせずに、電波吸収特性
を改善した電波吸収体及びこの電波吸収体を用いた電波
吸収箱を提供することにある。
たフェライトの１ＧＨｚを越える高周波特性を詳細に検
討し、これを明らかにし、媒質自体を改善することによ
り、何ら外部機構の付加を必要とせずに、電波吸収特性
を改善した電波吸収体及びこの電波吸収体を用いた電波
吸収箱を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明による電波吸収体においては、金属層で裏打
ちされた電波吸収媒質を有する整合形電波吸収体であっ
て、電波吸収媒質層は、磁性材料であり、その磁性材料
の透磁率の虚数部の周波数依存性が少なくとも二つ以上
の周波数で共鳴ピークをもつものである。
め、本発明による電波吸収体においては、金属層で裏打
ちされた電波吸収媒質を有する整合形電波吸収体であっ
て、電波吸収媒質層は、磁性材料であり、その磁性材料
の透磁率の虚数部の周波数依存性が少なくとも二つ以上
の周波数で共鳴ピークをもつものである。
【００１０】また、電波吸収媒質層の磁性材料は、面内
異方性をもつヘキサゴナルフェライト焼結体である。
異方性をもつヘキサゴナルフェライト焼結体である。
【００１１】また、電波吸収媒質層は、ヘキサゴナルフ
ェライト微粒子とゴムまたは有機樹脂との混合材料であ
る。
ェライト微粒子とゴムまたは有機樹脂との混合材料であ
る。
【００１２】また、電波吸収媒質層の厚さは、部分的に
異なり、電波吸収媒質層の部分的な厚さの違いは、垂直
方向から入射する電波と、斜め方向から入射する電波と
の光路長を調整するものである。
異なり、電波吸収媒質層の部分的な厚さの違いは、垂直
方向から入射する電波と、斜め方向から入射する電波と
の光路長を調整するものである。
【００１３】また、金属層で裏打された電波吸収媒質層
と、その表面に積層されたインピーダンス変成層とを有
する整合形電波吸収体であって、電波吸収媒質層は、磁
性材料であり、その磁性材料の透磁率の虚数部の周波数
依存性が少なくとも二つ以上の周波数で共鳴ピークをも
ち、インピーダンス変成層は、周波数特性を広帯域化す
るものである。
と、その表面に積層されたインピーダンス変成層とを有
する整合形電波吸収体であって、電波吸収媒質層は、磁
性材料であり、その磁性材料の透磁率の虚数部の周波数
依存性が少なくとも二つ以上の周波数で共鳴ピークをも
ち、インピーダンス変成層は、周波数特性を広帯域化す
るものである。
【００１４】また、整合形電波吸収体で内側の面が覆わ
れた電波吸収箱であって、整合形電波吸収体は、磁性材
料であり、その磁性材料の透磁率の虚数部の周波数依存
性が少なくとも二つ以上の周波数で共鳴ピークをもち、
電波吸収箱内部での電波の散乱を防止するものである。
れた電波吸収箱であって、整合形電波吸収体は、磁性材
料であり、その磁性材料の透磁率の虚数部の周波数依存
性が少なくとも二つ以上の周波数で共鳴ピークをもち、
電波吸収箱内部での電波の散乱を防止するものである。
【００１５】本発明は、フェライトの共鳴現象を積極的
に利用して電波吸収体の特性を改善しようとするもので
ある。面内異方性を持つある種のヘキサゴナルフェライ
ト焼結体の透磁率の周波数特性は、図１に示すように二
つの周波数で共振するμ”（μの虚数部）のピークをも
っている。本発明は、このような二つ以上の周波数で共
鳴ピークをもつ物質を電波吸収媒質層に使用している。
ｃ軸に垂直な面に面内異方性をもつフェライトの共鳴周
波数は、ｆｒｅｓ＝γ√（ＨθＨφ）となる。
に利用して電波吸収体の特性を改善しようとするもので
ある。面内異方性を持つある種のヘキサゴナルフェライ
ト焼結体の透磁率の周波数特性は、図１に示すように二
つの周波数で共振するμ”（μの虚数部）のピークをも
っている。本発明は、このような二つ以上の周波数で共
鳴ピークをもつ物質を電波吸収媒質層に使用している。
ｃ軸に垂直な面に面内異方性をもつフェライトの共鳴周
波数は、ｆｒｅｓ＝γ√（ＨθＨφ）となる。
【００１６】ここで、Ｈθはｃ軸方向の異方性磁場、Ｈ
φは面内での異方性磁場である。透磁率の虚数部に二つ
以上の周波数で共鳴ピークをもたせるためには、低周波
側では主として磁壁移動による緩和に伴う共鳴ピーク
を、高周波側では上記の異方性を起因とする共鳴を利用
する。さらに、二つの共鳴ピークのμ’のフラットの部
分の制御には、特に高周波側のピークを受け持つ異方性
を起因とする共鳴現象の強磁性共鳴緩和過程に注目し、
制御する必要がある。
φは面内での異方性磁場である。透磁率の虚数部に二つ
以上の周波数で共鳴ピークをもたせるためには、低周波
側では主として磁壁移動による緩和に伴う共鳴ピーク
を、高周波側では上記の異方性を起因とする共鳴を利用
する。さらに、二つの共鳴ピークのμ’のフラットの部
分の制御には、特に高周波側のピークを受け持つ異方性
を起因とする共鳴現象の強磁性共鳴緩和過程に注目し、
制御する必要がある。
【００１７】面内異方性を持つヘキサゴナルＹ型フェラ
イトであるＢａ2Ｎｉ2-xＣｏxＦｅ1 2Ｏ22（ｘ＝０〜
２）について、組成条件、焼成条件など粉末冶金的実験
を繰返した結果、ｆｒｅｓが６ＧＨｚから１５ＧＨｚ以
上まで自由に変えることが可能で、しかも、μ’のフラ
ット特性の優れた材料が得られることを確認した。本発
明は、この知見に基ずき、電波吸収体が広い周波数範囲
で特性を劣化させることなく同調（または整合）させう
ること、動作周波数の広帯域化が可能であること、及
び、この電波吸収体を用いて容易に電波信号の干渉、混
信を防ぐ電波吸収箱の制作を可能にするものである。
イトであるＢａ2Ｎｉ2-xＣｏxＦｅ1 2Ｏ22（ｘ＝０〜
２）について、組成条件、焼成条件など粉末冶金的実験
を繰返した結果、ｆｒｅｓが６ＧＨｚから１５ＧＨｚ以
上まで自由に変えることが可能で、しかも、μ’のフラ
ット特性の優れた材料が得られることを確認した。本発
明は、この知見に基ずき、電波吸収体が広い周波数範囲
で特性を劣化させることなく同調（または整合）させう
ること、動作周波数の広帯域化が可能であること、及
び、この電波吸収体を用いて容易に電波信号の干渉、混
信を防ぐ電波吸収箱の制作を可能にするものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態をを図
によって説明する。図１は、本発明において必要とする
透磁率の周波数依存性を示している。図３は、通常のフ
ェライトの周波数依存性を示している。図１と図３とを
比較して明らかな通り、図１においては、図３に比べ、
高周波側にμ”のピークがさらに加わり、それに対応し
てμ’にフラットな部分が生じている。このように透磁
率の虚数部がダブルピークを呈することは珍しいことで
なく、このような例は、たとえばＪ．Ｐ．ｓｍｉｔ ａ
ｎｄ Ｈ．Ｐ．Ｊ．ｗｉｊｎ：”Ｆｅｒｒｉｔｅｓ”
Ｐ.２８３（１９６５）に紹介されている。
によって説明する。図１は、本発明において必要とする
透磁率の周波数依存性を示している。図３は、通常のフ
ェライトの周波数依存性を示している。図１と図３とを
比較して明らかな通り、図１においては、図３に比べ、
高周波側にμ”のピークがさらに加わり、それに対応し
てμ’にフラットな部分が生じている。このように透磁
率の虚数部がダブルピークを呈することは珍しいことで
なく、このような例は、たとえばＪ．Ｐ．ｓｍｉｔ ａ
ｎｄ Ｈ．Ｐ．Ｊ．ｗｉｊｎ：”Ｆｅｒｒｉｔｅｓ”
Ｐ.２８３（１９６５）に紹介されている。
【００１９】しかしながら、上記文献に記載された内容
は、ｃ軸を磁化容易軸とするＢａ3Ｆｅ12Ｏ19などに関
するもので、しかも結晶粒を人工的に配列する事によ
り、磁化機構の解明を意図しただけのものであって、電
波吸収体への応用が考慮されたものではなく、また本発
明で重要な意味を持つ高周波域にわたるダブルピーク特
性が議論されたものでもない。
は、ｃ軸を磁化容易軸とするＢａ3Ｆｅ12Ｏ19などに関
するもので、しかも結晶粒を人工的に配列する事によ
り、磁化機構の解明を意図しただけのものであって、電
波吸収体への応用が考慮されたものではなく、また本発
明で重要な意味を持つ高周波域にわたるダブルピーク特
性が議論されたものでもない。
【００２０】本発明者は、ｃ軸に垂直な面で面内異方性
を持つＢａ2Ｎｉ2-xＣｏxＦｅ12Ｏ2 2について、その透
磁率の虚数部の周波数依存性を検討したところ、通常の
透磁率の分散の周波数に接近して、あるいは少し離して
系統的に自然共鳴周波数を設定できることを発見した。
本発明は、この知見を電波吸収体の設計および制作時の
調整に利用するものである。図４に、Ｂａ2Ｎｉ2-xＣｏ
xＦｅ12Ｏ22のμ”の第２のピーク周波数が組成の変化
（x）により変わる事を示す。
を持つＢａ2Ｎｉ2-xＣｏxＦｅ12Ｏ2 2について、その透
磁率の虚数部の周波数依存性を検討したところ、通常の
透磁率の分散の周波数に接近して、あるいは少し離して
系統的に自然共鳴周波数を設定できることを発見した。
本発明は、この知見を電波吸収体の設計および制作時の
調整に利用するものである。図４に、Ｂａ2Ｎｉ2-xＣｏ
xＦｅ12Ｏ22のμ”の第２のピーク周波数が組成の変化
（x）により変わる事を示す。
【００２１】図５（ａ），（ｂ），（ｃ）および（ｄ）
は、本発明の一実施形態としての電波吸収体の構成図で
ある。図５（ａ）は、本発明の基本的構造を示してい
る。すなわち、本発明による電波吸収体は、電波吸収媒
質層１と、この電波吸収媒質層１を裏打する金属層２と
の積層からなる整合形電波吸収体であり、この積層構造
自体は従来と同じである。本発明において、電波吸収媒
質層１は、磁性材料、例えば面内異方性を持つヘキサゴ
ナルフェライト焼結体である。
は、本発明の一実施形態としての電波吸収体の構成図で
ある。図５（ａ）は、本発明の基本的構造を示してい
る。すなわち、本発明による電波吸収体は、電波吸収媒
質層１と、この電波吸収媒質層１を裏打する金属層２と
の積層からなる整合形電波吸収体であり、この積層構造
自体は従来と同じである。本発明において、電波吸収媒
質層１は、磁性材料、例えば面内異方性を持つヘキサゴ
ナルフェライト焼結体である。
【００２２】図５（ｂ）は、電波吸収媒質層１が、ヘキ
サゴナルフェライト焼結体の微粒子１ａと、ゴム又は有
機樹脂１ｂとの混合物よりなり、裏面は金属層２で裏打
ちされている。電波は媒質層１の表面側より入射する。
これらの構造並びに電波の吸収要領は、図２に示した単
層電波吸収体となんら変わりはないが、本発明において
は、入力規格化インピーダンス；Ｚ／Ｚ0＝√（μ／
ε）ｔａｎｈ（（２π／λ）・√（εμ）・ｄ）のμ特
性が共鳴現象を呈す事により、通常のフェライト吸収体
に比べ、新しい自由度がμ’とμ”とに加わり、電波吸
収体の同調または整合機構および動作周波数帯域の調整
と改善が可能となる。
サゴナルフェライト焼結体の微粒子１ａと、ゴム又は有
機樹脂１ｂとの混合物よりなり、裏面は金属層２で裏打
ちされている。電波は媒質層１の表面側より入射する。
これらの構造並びに電波の吸収要領は、図２に示した単
層電波吸収体となんら変わりはないが、本発明において
は、入力規格化インピーダンス；Ｚ／Ｚ0＝√（μ／
ε）ｔａｎｈ（（２π／λ）・√（εμ）・ｄ）のμ特
性が共鳴現象を呈す事により、通常のフェライト吸収体
に比べ、新しい自由度がμ’とμ”とに加わり、電波吸
収体の同調または整合機構および動作周波数帯域の調整
と改善が可能となる。
【００２３】図５（ｃ）は、図５（ａ）及び（ｂ）の表
面に凹凸３をつけて電波吸収媒質層１の厚さを部分的に
異ならせ、垂直に入射する電波と斜めからの入射する電
波の光路長を調整する構造の例を示している。図５
（ｄ）は、図５（ａ）および（ｂ）の整合厚さより薄い
電波吸収媒質層１の表面に変成器として働くインピーダ
ンス変成層４を積層して、周波数特性を広帯域化した構
造の例を示している。
面に凹凸３をつけて電波吸収媒質層１の厚さを部分的に
異ならせ、垂直に入射する電波と斜めからの入射する電
波の光路長を調整する構造の例を示している。図５
（ｄ）は、図５（ａ）および（ｂ）の整合厚さより薄い
電波吸収媒質層１の表面に変成器として働くインピーダ
ンス変成層４を積層して、周波数特性を広帯域化した構
造の例を示している。
【００２４】以下に、Ｂａ2Ｎｉ2-xＣｏxＦｅ12Ｏ22焼
結体を用いた場合の媒質の（μ’，μ”，ε’，ε”）
の測定値と、媒質層厚（ｄ）を用いてシミュレーション
を行った場合の効果を、特に課題とする１ＧＨｚ以上の
周波数での調整／改善手段としての結果を提示すること
により示す。図６では、本発明の電波吸収体が広い周波
数範囲で同調する事を示す。電波吸収体の構造は、図５
（ａ）または（ｂ）である。通常のフェライトによる電
波吸収体は、一義的に整合周波数と整合厚さが決まる
が、本発明による電波吸収体は、厚さを８ｍｍより３．
３ｍｍまで変える事により、１．５ＧＨｚより４．２Ｇ
Ｈｚまで、吸収特性を劣化させる事なく同調させ得られ
た。
結体を用いた場合の媒質の（μ’，μ”，ε’，ε”）
の測定値と、媒質層厚（ｄ）を用いてシミュレーション
を行った場合の効果を、特に課題とする１ＧＨｚ以上の
周波数での調整／改善手段としての結果を提示すること
により示す。図６では、本発明の電波吸収体が広い周波
数範囲で同調する事を示す。電波吸収体の構造は、図５
（ａ）または（ｂ）である。通常のフェライトによる電
波吸収体は、一義的に整合周波数と整合厚さが決まる
が、本発明による電波吸収体は、厚さを８ｍｍより３．
３ｍｍまで変える事により、１．５ＧＨｚより４．２Ｇ
Ｈｚまで、吸収特性を劣化させる事なく同調させ得られ
た。
【００２５】同調させ得る周波数は、図１でμ’が周波
数変化に対してフラットな領域となる。この事は、広い
周波数領域にわたって同調可能な吸収体を手軽に得る手
段を提供するとともに、斜入射に対しての光路長変化に
よる特性の劣化を補償し、斜入射特性の改善への手段を
あたえる。斜入射特性は、図５（ｃ）の構造を採択する
事により一層の効果が上げられる。
数変化に対してフラットな領域となる。この事は、広い
周波数領域にわたって同調可能な吸収体を手軽に得る手
段を提供するとともに、斜入射に対しての光路長変化に
よる特性の劣化を補償し、斜入射特性の改善への手段を
あたえる。斜入射特性は、図５（ｃ）の構造を採択する
事により一層の効果が上げられる。
【００２６】図７には、図１の第２のピークの周波数
（５ＧＨｚ）付近で低インピーダンス共振層を作り（整
合厚さより充分に薄い層にする）、これにλ／４変性器
となる変成層をつけると帯域幅の広い吸収体が得られる
事を示す。電波吸収体の構造は、図５（ｄ）に相当し、
厚さ０．７ｍｍの共振器の層に、誘電率７の変成層を設
けて、中心周波数７ＧＨｚで比帯域幅３０％の特性を得
た。図８には、第２の共振ピークを図１よりもさらに鋭
くし、μ”を４まであげると、図５（ａ）および（ｂ）
で示した単層構造のままでの広帯域化が可能である事を
示す。この図では、厚さ１．２ｍｍで１０ＧＨｚ付近に
同調させ比帯域幅は９０％のものを示す。
（５ＧＨｚ）付近で低インピーダンス共振層を作り（整
合厚さより充分に薄い層にする）、これにλ／４変性器
となる変成層をつけると帯域幅の広い吸収体が得られる
事を示す。電波吸収体の構造は、図５（ｄ）に相当し、
厚さ０．７ｍｍの共振器の層に、誘電率７の変成層を設
けて、中心周波数７ＧＨｚで比帯域幅３０％の特性を得
た。図８には、第２の共振ピークを図１よりもさらに鋭
くし、μ”を４まであげると、図５（ａ）および（ｂ）
で示した単層構造のままでの広帯域化が可能である事を
示す。この図では、厚さ１．２ｍｍで１０ＧＨｚ付近に
同調させ比帯域幅は９０％のものを示す。
【００２７】図９に、箱の内部空間が金属体５で囲まれ
た構造を持つシールドケース６に、電波吸収媒質層１を
貼り付け、内部の電波散乱を防ぐ例を示す。この例にお
いては、金属体５と、電波吸収媒質層１との積層が、本
発明の電波吸収体７を構成する。本発明の電波吸収体７
は、広範囲の周波数を厚さ調整だけで整合させる事がで
きるので、箱内部にある２つまたはそれ以上の異なる周
波数の発振源８，９の周辺の電波吸収媒質層１の厚さ
を、個々の周波数に合わせて調整することによって電波
の散乱を防止し、電波信号の干渉または混信を防ぐこと
ができる。
た構造を持つシールドケース６に、電波吸収媒質層１を
貼り付け、内部の電波散乱を防ぐ例を示す。この例にお
いては、金属体５と、電波吸収媒質層１との積層が、本
発明の電波吸収体７を構成する。本発明の電波吸収体７
は、広範囲の周波数を厚さ調整だけで整合させる事がで
きるので、箱内部にある２つまたはそれ以上の異なる周
波数の発振源８，９の周辺の電波吸収媒質層１の厚さ
を、個々の周波数に合わせて調整することによって電波
の散乱を防止し、電波信号の干渉または混信を防ぐこと
ができる。
【００２８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、１ＧＨｚ
以上の周波数に対して整合形フェライト電波吸収体の整
合周波数の調整と同調を容易にし、帯域幅の改善に効果
を発揮できる。
以上の周波数に対して整合形フェライト電波吸収体の整
合周波数の調整と同調を容易にし、帯域幅の改善に効果
を発揮できる。
【図１】本発明の単層電波吸収体に必要とする透磁率の
周波数依存性を示す図である。
周波数依存性を示す図である。
【図２】単層電波吸収体の構成を示す図である。
【図３】通常のフェライトの透磁率の周波数依存性を示
す図である。
す図である。
【図４】Ｂａ2Ｎｉ2-xＣｏxＦｅ12Ｏ22のμ”の第２の
ピークの組成依存性を示す図である。
ピークの組成依存性を示す図である。
【図５】本発明の電波吸収体の構成図である。
【図６】電波吸収体の特性の第１例（広範囲での同調
性）を示す図である。
性）を示す図である。
【図７】電波吸収体の特性の第２例（広帯域特性：２
層）を示す図である。
層）を示す図である。
【図８】電波吸収体の特性の第３例（広帯域特性：単
層）を示す図である。
層）を示す図である。
【図９】電波吸収箱の構造を示す図である。
１ 電波吸収媒質層 １ａ ヘキサゴナルフェライト焼結体微粒子 １ｂ ゴム又は有機樹脂 ２ 金属層 ３ 凹凸 ４ 変成層 ５ 金属体 ６ シールドケース ７ 電波吸収体 ８，９ 発振源
Claims (6)
- 【請求項１】 金属層で裏打ちされた電波吸収媒質層を
有する整合形電波吸収体であって、 電波吸収媒質層は、磁性材料であり、その磁性材料の透
磁率の虚数部の周波数依存性が少なくとも二つ以上の周
波数で共鳴ピークをもつこと特徴とする電波吸収体。 - 【請求項２】 電波吸収媒質層の磁性材料は、面内異方
性をもつヘキサゴナルフェライト焼結体であることを特
徴とする請求項１に記載の電波吸収体。 - 【請求項３】 電波吸収媒質層は、ヘキサゴナルフェラ
イト微粒子とゴムまたは有機樹脂との混合材料であるこ
とを特徴とする請求項１に記載の電波吸収体。 - 【請求項４】 電波吸収媒質層の厚さは、部分的に異な
り、電波吸収媒質層の部分的な厚さの違いは、垂直方向
から入射する電波と、斜め方向から入射する電波との光
路長を調整するものであることを特徴とする請求項１に
記載の電波吸収体。 - 【請求項５】 金属層で裏打された電波吸収媒質層と、
その表面に積層されたインピーダンス変成層とを有する
整合形電波吸収体であって、 電波吸収媒質層は、磁性材料であり、その磁性材料の透
磁率の虚数部の周波数依存性が少なくとも二つ以上の周
波数で共鳴ピークをもち、インピーダンス変成層は、周
波数特性を広帯域化するものであることを特徴とする電
波吸収体。 - 【請求項６】 整合形電波吸収体で内側の面が覆われた
電波吸収箱であって、 整合形電波吸収体は、磁性材料であり、その磁性材料の
透磁率の虚数部の周波数依存性が少なくとも二つ以上の
周波数で共鳴ピークをもち、電波吸収箱内部での電波の
散乱を防止するものであることを特徴とする電波吸収
箱。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9357560A JPH11186781A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 電波吸収体及び電波吸収箱 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9357560A JPH11186781A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 電波吸収体及び電波吸収箱 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186781A true JPH11186781A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18454758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9357560A Pending JPH11186781A (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 電波吸収体及び電波吸収箱 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11186781A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2857556A1 (fr) * | 2003-07-08 | 2005-01-14 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif electronique muni d'un blindage magnetique presentant un pic de pertes magnetiques resonant |
| JP2008546169A (ja) * | 2005-05-14 | 2008-12-18 | フォルシュングスツェントルム カールスルーエ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 電磁波の反射を減衰するための装置、該装置の製造方法、ならびに該装置の使用 |
| JP2009059728A (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-19 | Tdk Corp | 電波吸収体 |
| JP2009059727A (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-19 | Tdk Corp | 電波吸収材および電波吸収体 |
| US9450312B2 (en) | 2013-09-20 | 2016-09-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic metal particle aggregate and radio wave absorber |
-
1997
- 1997-12-25 JP JP9357560A patent/JPH11186781A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2857556A1 (fr) * | 2003-07-08 | 2005-01-14 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif electronique muni d'un blindage magnetique presentant un pic de pertes magnetiques resonant |
| WO2005006828A1 (fr) * | 2003-07-08 | 2005-01-20 | Commissariat A L'energie Atomique | Dispositif electronique muni d'un blindage magnetique |
| US7369025B2 (en) | 2003-07-08 | 2008-05-06 | Commissariat A L'energie Atomique | Electronic device provided with a magnetic screening |
| JP2008546169A (ja) * | 2005-05-14 | 2008-12-18 | フォルシュングスツェントルム カールスルーエ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 電磁波の反射を減衰するための装置、該装置の製造方法、ならびに該装置の使用 |
| JP4904343B2 (ja) * | 2005-05-14 | 2012-03-28 | フォルシュングスツェントルム カールスルーエ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 電磁波の反射を減衰するための装置、該装置の製造方法、ならびに該装置の使用 |
| JP2009059728A (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-19 | Tdk Corp | 電波吸収体 |
| JP2009059727A (ja) * | 2007-08-29 | 2009-03-19 | Tdk Corp | 電波吸収材および電波吸収体 |
| US9450312B2 (en) | 2013-09-20 | 2016-09-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic metal particle aggregate and radio wave absorber |
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