CN100454482C - 加热处理装置和加热处理方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种加热处理装置，使用该加热处理装置，即使是大型的基板，也能够可靠地防止基板发生破损，同时还能够提高总处理能力。该加热处理装置(28)具备：作为把基板G朝着一个方向搬送的搬送通路的滚子搬送机构(5)、和对在搬送通路上搬送的基板G进行加热的加热机构(7)。加热机构(7)由沿着搬送通路从搬送方向上游侧依次在上述外壳内设置的预备加热部(7a)以及主加热部(7b)所构成。主加热部(7b)被设定为第一温度，预备加热部(7a)被设定为比第一温度高的第二温度。在预备加热部(7a)中把基板加热至第一温度附近之后，在主加热部中(7b)按第一温度进行加热。
Description
技术领域
本发明涉及对平面显示器(FPD)用的玻璃基板等的基板实施加热处理的加热处理装置、加热处理方法、控制程序、计算机可读取的存储介质。
背景技术
在FPD的制造中，为了在FPD用的玻璃基板上形成电路图案而使用光刻技术。采用光刻技术形成电路图案是按照如下顺序进行，即在玻璃基板上涂敷抗蚀液而形成抗蚀剂膜，对抗蚀剂膜进行露光以使它与电路图案对应，最后对它进行显影处理。
在光刻技术中，一般情况下是在形成抗蚀剂膜之后以及显影处理之后，为了使抗蚀剂膜干燥而对玻璃基板实施加热处理。在这种加热处理过程中使用一种加热处理装置，该加热处理装置具备：载置玻璃基板并对基板进行加热的加热板；和能够从加热板上升降使其突出以及缩回，并且把被搬送手臂握着而搬送的玻璃基板放在加热板上的升降销(例如参照专利文献1、2、3)。
但是，最近，随着人们对超大FPD的追求，出现了一个边长为2米以上的巨大玻璃基板，随着玻璃基板的大型化，处理性能降低。因此，如果使用上述传统的加热处理装置，那么，如果玻璃基板是大型基板，由于在搬送手臂与升降销之间或者升降销与加热板之间进行搬送时产生的冲击，基板可能会发生破损。
另外，通常情况下，加热板的温度控制应答性较差，并被保持在规定的温度，因此，如果使用上述的传统加热处理装置，那么，从玻璃基板被载置在加热板上直至到达所设定的温度，需要花费相当长的时间。而且，由于搬送加热处理前后的玻璃基板也需要更多的时间，因此该加热处理装置的总处理能力低。
【专利文献1】日本特开2002-231792号公报
【专利文献2】日本特开2001-196299号公报
【专利文献3】日本特开平11-204428号公报
发明内容
本发明是鉴于相关事实而发明出来的，它的目的在于提供一种加热处理装置、加热处理方法、控制程序、计算机可读取的存储介质，通过本发明，即使是大型的基板，也能够确实防止基板的破损，同时，还能够提高总处理能力。
为了解决上述课题，本发明提供一种加热处理装置，其特征在于，它是一种对基板实施加热处理的加热处理装置，它具备朝着一个方向搬送基板的搬送通路、对在上述搬送通路上搬送的基板进行加热的加热机构。上述加热机构沿着上述搬送通路从搬送方向上游侧依次发置预备加热部和主加热部，上述主加热部被设定为第一温度，上述预备加热部被设定为比上述第一温度高的第二温度，在上述预备加热部中把基板加热至上述第一温度附近之后，在上述主加热部中，按上述第一温度进行加热。
另外，本发明提供一种加热处理装置，其特征在于，它是一种对基板实施加热处理的加热处理装置，它具备朝着一个方向搬送基板的搬送通路、围绕上述搬送通路而设置的外壳、在上述外壳内对在上述搬送通路上搬送的基板进行加热的加热机构。上述加热机构沿着搬送通路从搬送方向上游侧依次在上述外壳内设置预备加热部以及主加热部，上述主加热部被设定为第一温度，上述预备加热部被设定为比上述第一温度高的第二温度，在上述预备加热部中把基板加热至上述第一温度附近之后，在上述主加热部中，按上述第一温度进行加热。在本发明中，优选在上述外壳的搬送方向两端分别设置对上述外壳内进行排气的排气机构，在这种情况下优选在上述外壳的搬送方向中央部，设置对上述外壳内进行吸气的吸气机构。
在上述本发明中，优选配置上述预备加热部，使得在上述搬送通路上搬送的基板在被加热到上述第一温度附近时通过。
另外，在上述本发明中，上述主加热部被设定为上述第一温度，从而使搬送方向下游侧的温度高于搬送方向上游侧的温度。上述预备加热部被设定为上述第二温度，从而使搬送方向上游侧的温度高于搬送方向下游侧的温度。
再者，在上述本发明中，优选上述主加热部以及上述预备加热部分别被设定为上述第一温度以及上述第二温度，从而使上述搬送通路的宽度方向两侧部的温度比上述搬送通路的宽度方向中央部高。
本发明提供一种加热处理装置，其特征在于，它是一种对基板实施加热处理的加热处理装置，它具备朝着一个方向搬送基板的搬送通路、对在上述搬送通路上搬送的基板进行加热的加热机构、控制上述加热机构的控制部。上述加热机构沿着上述搬送通路从搬送方向上游侧顺次设置预备加热部和主加热部，上述控制部控制上述加热机构，它将上述主加热部设定为第一温度，将上述预备加热部设定为比上述第一温度高的第二温度，基板在上述预备加热部中被加热至上述第一温度左右之后，在上述主加热部中按上述第一温度被加热。在本发明中，上述控制部将上述主加热部设定为上述第一温度，以使搬送方向下游侧的温度比搬送方向上游侧的温度高，将上述预备加热部设定为上述第二温度，以使搬送方向上游侧的温度比搬送方向下游侧的温度高。上述控制部优选分别将上述主加热部以及上述预备加热部设定为上述第一温度以及上述第二温度，从而使上述搬送通路的宽度方向两侧部的温度比上述搬送通路的宽度方向中央部的温度高。
再者，本发明提供一种加热处理方法，其特征在于，该方法使用加热处理装置对于在沿着搬送通路朝一个方向搬送的基板实施加热处理，该加热处理装置沿着上述搬送通路，从搬送方向上游侧顺次配置预备加热部和主加热部，将上述主加热部设定为第一温度，同时，将上述预备加热部设定为高于上述第一温度的第二温度，在上述预备加热部中将基板加热至接近上述第一温度之后，在上述主加热部中按上述第一温度进行加热。
再者，本发明提供一种控制程序，其特征在于，在计算机上运行该程序时，通过计算机来控制处理单元，从而实施上述加热处理方法。
再者，本发明提供一种计算机可读取的存储介质，其特征在于，它是一种存储着在计算机上运行的控制程序的计算机可读取的存储介质，上述控制程序在运行时，通过计算机来控制处理单元，从而实施上述加热处理方法。
根据本发明，由于它是对于沿着搬送通路朝一个方向搬送的基板实施加热处理，因此，搬送所产生的冲击不会作用在基板上，这样就能够同时进行基板的搬送和加热，而且，由于沿着搬送基板的搬送通路，从搬送方向上游侧顺次配置预备加热部和主加热部，将主加热部设定为第一温度，同时，将预备加热部设定为高于第一温度的第二温度，在预备加热部中将基板加热至接近第一温度之后，在主加热部中按第一温度进行加热，所以，例如，通过预备加热部的加热使基板的温度迅速上升至规定的温度之后，能够通过主加热部的加热而保持在规定的温度，因此，与传统的加热处理技术相比，能够大大缩短加热时间。因此，即使基板是超大基板，也能确实防止基板发生破损，同时还能够提高总处理能力。
附图说明
【图1】实施在FPD用的玻璃基板上的抗蚀剂膜的形成以及露光处理后的抗蚀剂膜的显影处理的、具备本发明所涉及的加热处理装置的抗蚀剂涂敷、显影处理系统的平面简图。
【图2】加热处理装置的平面方向的断面图。
【图3】加热处理装置的侧面方向的断面图。
【图4】构成加热处理装置的第一以及第二平板加热器的平面简图。
【图5】第一以及第二平板加热器的控制系统的概念图。
【图6】说明利用加热处理装置对基板进行加热处理的示意图。
【图7】第一以及第二平板加热器的控制系统的其它例子的概念图。
【图8】说明构成加热处理装置的预备加热部以及主加热部的加热温度分布的模式图。
28、31加热处理装置(加热处理装置)
5滚子搬送机构
6外壳
7加热机构
7a预备加热部
7b主加热部
61搬入口
62搬出口
67排气口
68排气单元
69吸气口
104加热器控制器(控制部)
G基板
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的实施方式进行具体的说明。
图1是在本发明的一实施方式所涉及的加热处理装置所装载的、实施在FPD用的玻璃基板(以下简称“基板”)上的抗蚀剂膜的形成以及露光处理后的抗蚀剂膜的显影处理的抗蚀剂涂敷、显影处理系统的平面简图。
抗蚀剂涂敷、显影处理系统100具备：载置用来容纳若干基板G的外盒C的盒站1、对基板G实施包括抗蚀剂涂敷以及显影的一系列处理的处理站2、在处理站2和对基板G实施露光处理的露光单元9之间传递基板G的界面站4，盒站1以及界面站4分别被配置在处理站2的两侧。此外，在图1中，设定抗蚀剂涂敷、显影处理系统100的纵向为X方向，在平面上与X方向正交的方向为Y方向。
盒站1具备在可沿Y方向并列载置外盒C的载置台12、和处理站2之间搬入搬出基板G的搬送装置11，在载置台12与外部之间搬送外盒C。设置在搬送装置11上的搬送手臂11a能够沿着在Y方向延伸的导轨10移动，同时它也可以上下移动、前后移动以及水平转动，它在外盒C与处理站2之间搬入搬出基板G。
处理站2具有在盒站1与界面站4之间沿X方向延伸的平行的两列基板G的搬送线A、B。搬送线A通过滚子搬送或者传送带搬送等所谓水平搬送的方式，从盒站1一侧向界面站4一侧搬送基板G，而搬送线B通过滚子搬送或者传送带搬送等所谓水平搬送的方式，从界面站4一侧向盒站1一侧搬送基板G。
在搬送线A上，从盒站1一侧朝着界面站4一侧依次设置着：准分子UV照射单元(e-UV)21、清洗单元(SCR)22、预热单元(PH)23、附着单元(AD)24、冷却单元(COL)25、抗蚀剂涂敷单元(CT)26、减压干燥单元(DP)27、加热处理装置(HT)28、冷却单元(COL)29。
准分子UV照射单元(e-UV)21用来进行包含在基板G中的有机物的除去处理，清洗单元(SCR)22用来进行基板G的清洗处理以及干燥处理。预热单元(PH)23进行基板G的加热处理，附着单元(AD)24进行基板G的疏水处理，冷却单元(COL)25冷却基板G。抗蚀剂涂敷单元(CT)26向基板G上供给抗蚀液而形成抗蚀剂膜，减压干燥单元(DP)27在减压条件下，使包含在基板G上的抗蚀剂膜中的挥发成分蒸发并干燥抗蚀剂膜。将在后面详细说明的加热处理装置(HT)28进行基板G的加热处理，冷却单元(COL)29与冷却单元(COL)25相同，用来冷却基板G。
在搬送线B上，从界面站4一侧朝着盒站1一侧依次设置着：显影单元(DEV)30、加热处理装置(HT)31、冷却单元(COL)32。此外，在冷却单元(COL)32与盒站1之间设置着检查单元(IP)35，它用来检查已实施了包含抗蚀剂涂敷以及显影的一系列处理的基板G。
显影单元(DEV)30依次进行基板G的涂敷显影液、基板G的清洗处理、基板G的干燥处理。加热处理装置(HT)31与加热处理装置(HT)28相同，用来进行基板G的加热处理，冷却单元(COL)32与冷却单元(COL)25相同，用来冷却基板G。
界面站4具备：设有可容纳基板G的缓冲盒并作为基板G的交接部的旋转台(RS)44、接收在搬送线A上搬送的基板G并将它搬送至旋转台(RS)44上的搬送手臂43。搬送手臂43可以上下移动、前后移动以及水平转动，它不仅可以进入与搬送手臂43邻接而设的露光单元9，而且也可以进入与搬送手臂43以及显影单元(DEV)30邻接而设的、具有周边露光单元(EE)以及字幕器(TITLER)的外部单元块90。
抗蚀剂涂敷、显影处理单元100与具有CPU的工艺控制器101连接并被其所控制。在工艺控制器101上连接着：由工序管理者为管理抗蚀剂涂敷、显影处理系统100的各个部分或者各个单元而进行命令输入操作等的键盘、以及可以通过屏幕看到各个部分或者各个单元的运行情况的显示器等所构成的用户界面102、存储着用来实现在工艺控制器101的控制下、在抗蚀剂涂敷、显影处理单元100中所运行的加热处理或冷却处理等各种处理的控制程序或者处理条件数据等方法的存储部103。
在必要的情况下，根据用户界面102发出的指令等，从存储部103中读取任意的方法，并在工艺控制器101中运行该程序，这样，就能够在工艺控制器101的控制下，在抗蚀剂涂敷、显影处理单元100中实施预期的处理。此外，对于控制程序或处理条件数据等的方法，不仅可以利用计算机可读取的存储介质、例如存储在CD-ROM、硬盘、软盘、优盘等中的设备，还可以从其它单元，例如通过专用线路进行随时传送，从而在线使用。
在上述构造的抗蚀剂涂敷显影处理单元100中，首先，载置在盒站1的载置台12上的外盒C内的基板G，被搬送装置11的搬送手臂11a搬送至处理站2的搬送线A的上游侧端部，然后在搬送线A上进行搬送，并利用准分子UV照射单元(e-UV)21除去包含在基板G中的有机物。利用准分子UV照射单元(e-UV)21实施有机物除去处理结束之后的基板G，在搬送线A上搬送，然后通过清洗单元(SCR)22实施清洗处理以及干燥处理。
使用清洗单元(SCR)22实施清洗处理以及干燥处理结束之后的基板G，在搬送线A上搬送，然后通过预热单元(PH)23实施加热处理并进行脱水。通过预热单元(PH)23实施加热处理结束之后的基板G，在搬送线A上搬送，然后，利用附着单元(AD)24实施疏水处理。通过附着单元(AD)24实施的疏水处理结束之后的基板G，在搬送线A上被搬送，并通过冷却单元(COL)25被冷却。
通过冷却单元(COL)25而被冷却的基板G，在搬送线A上搬送，然后通过抗蚀剂涂敷单元(CT)26而形成抗蚀剂膜。使用抗蚀剂涂敷单元(CT)26而形成抗蚀剂膜，是通过一边在搬送线A上搬送基板G，一边向基板G上供给抗蚀液而进行的。
通过抗蚀剂涂敷单元(CT)26而形成抗蚀剂膜的基板G，在搬送线A上搬送，通过减压干燥单元(DP)27而被暴露在减压空气中，从而对抗蚀剂膜实施干燥处理。
通过减压干燥单元(DP)27对抗蚀剂膜实施干燥处理之后的基板G，在搬送线A上搬送，然后通过加热处理装置(HT)28实施加热处理，从而除去包含在抗蚀剂膜中的溶剂。基板G的加热处理，是通过后述的滚子搬送机构5，一边在搬送线A上搬送而一边进行的。通过加热处理装置(HT)28进行的加热处理结束之后的基板G，在搬送线A上搬送，并在冷却单元(COL)29中被冷却。
通过冷却单元(COL)29而被冷却的基板G，在搬送线A上搬送至它的下游侧端部之后，利用界面站4的搬送手臂43而被搬送至旋转台(RS)44上。接着，基板G通过搬送手臂43被搬送至外部单元块90的周边露光单元(EE)中，并利用周边露光单元(EE)实施露光处理从而除去抗蚀剂膜的外周部分(不需要的部分)。接着，基板G被搬送手臂43搬送至露光单元9中，在抗蚀剂膜上实施规定图案的露光处理。有时，基板G被暂时容纳在旋转台(RS)44上的缓冲盒中，之后再被搬送至露光单元9中。露光处理结束之后的基板G，被搬送手臂43搬送至外部单元块90的字幕器(TITLER)，并由字幕器(TITLER)记录下规定的信息。
由字幕器(TITLER)记录下规定的信息之后的基板G，在搬送线B上搬送，并通过显影单元(DEV)30依次实施显影液的涂敷处理、清洗处理以及干燥处理。显影液的涂敷处理、清洗处理以及干燥处理按照如下顺序：例如基板G一边在搬送线B上搬送，一边向基板G上倒显影液，然后，搬送一旦停止，基板就按照规定角度倾斜，从而使显影液流下来。在这种状态下，向基板G供给清洗液，于是显影液被冲洗掉，之后，基板G恢复水平姿势，并再次被搬送，同时向基板G上吹送干燥气体。
通过显影单元(DEV)30实施的显影液的涂敷处理、清洗处理以及干燥处理结束之后的基板G，在搬送线B上搬送，然后通过加热处理装置(HT)31实施加热处理，从而除去包含在抗蚀剂膜中的溶剂以及水分。基板G的加热处理通过后述的滚子搬送机构5一边在搬送线B上搬送而一边进行。此外，还可以在显影单元(DEV)30与加热处理装置(HT)31之间设置用来进行显影液脱色处理的i线UV照射单元。通过加热处理装置(HT)31而进行的加热处理结束之后的基板G，在搬送线B上搬送，并在冷却单元(COL)32中被冷却。
在冷却单元(COL)32中被冷却的基板G，在搬送线B上搬送，并通过检查单元(IP)35进行检查。通过检查的基板G，被设置在盒站1上的搬送装置11的搬送手臂11a放在载置在载置台12上的规定外盒C中。
下面，对加热处理装置(HT)28进行详细的说明。加热处理装置(HT)31与加热处理装置(HT)28具有完全相同的构造。
图2是表示加热处理装置(HT)28(加热处理装置)的平面方向的断面图，图3是其侧面方向的断面图。
加热处理装置(HT)28具备：朝着X方向一侧搬送基板G的滚子搬送机构5、围绕或者容纳滚子搬送机构5的外壳6、在外壳6内对被滚子搬送机构5所滚动搬送的基板G进行加热的加热机构7。
滚子搬送机构5具有在X方向有间隔地设置的若干沿着Y方向延伸的略呈圆柱形状的可旋转的滚子部件50。滚子部件50的旋转轴51分别以直接或间接的方式与图中未示的电动机等驱动源连接，并在驱动源的驱动下旋转，这样，基板G在若干滚子部件50上朝着X方向一侧被搬送。此外，滚子部件50具有分别与整个基板G(Y方向)上相接的形状，为了使被加热机构7所加热的基板G的热量难以传达，外周面部52由树脂等传热率低的材料形成，旋转轴51由铝、不锈钢、陶瓷等具有高强度，而且传热率比较低的材料形成。滚子搬送机构5的搬送通路或者搬送表面构成搬送线A(在加热处理装置(HT)31中为搬送线B)的一部分。
外壳6形成薄薄的箱状，并可在大致水平状态下容纳基板G，在与X方向相对的侧壁上分别具有在搬送线A(在加热处理装置(HT)31中为搬送线B)上搬送的基板G能够通过的沿Y方向延伸的槽状搬入口61以及搬出口62。滚子搬送机构5的滚子部件50的旋转轴51分别被配置在外壳6内，它们被设置在与外壳6的Y方向相对的侧壁上的轴承60以能够旋转的方式所支承，。
外壳6的壁部，此处包括上壁部、底壁部以及与Y方向相对的侧壁部，具有双层构造，它具备相互有间隔而设的内壁63以及外壁64，内壁63以及外壁64之间的空间65用作对外壳6的内外进行隔热的空气隔热层。在外壁64的内侧面上也设置着用来对外壳6的内外进行隔热的隔热材料66。
加热机构7具备：沿着使用滚子搬送机构5搬送基板G的搬送通路而设置在外壳6内的第一以及第二平板加热器71(71a～71r)、72(72a～72r)，第一以及第二平板加热器71、72分别被设在通过滚子搬送机构5而搬送的基板G的背面(下面)以及表面(上面)，使其与滚子搬送机构5搬送的基板接近。这样就可以使外壳6的厚度变薄。
第一平板加热器71形成沿Y方向延伸的薄矩形，并且分别设置在各个滚子部件50之间，同时沿着X方向排列成若干(从X方向上游侧依次为71a～71r)。这样就可以使外壳6的厚度变得更薄。第一平板加热器71例如被安装在与外壳6的Y方向相对的侧壁上，并被它所支承。第二平板加热器72形成沿Y方向延伸的薄矩形，与第一平板加热器71的排列间距对应而沿着X方向排列成若干(从X方向上游侧依次为72a～72r)。第二平板加热器72被安装在外壳6的上壁部，并被它所支承。第一平板加热器71与被滚子搬送机构5搬送的基板G的搬送通路的间隔，以及第二平板加热器72与被滚子搬送机构5搬送的基板G的搬送通路的间隔相等。
在本实施方式中，用来加热基板G的第一以及第二平板加热器71、72按照相等的间距，沿着X方向排列成若干，这样，就可以在各个第一平板加热器71之间(或者各个第二平板加热器72之间)的位置(例如图3中符号P位置)，沿着X方向把外壳6分割成若干部分。这样，即使基板G的尺寸很大，加热处理装置28本身的搬运也容易。
再者，在本实施方式中，用来加热基板G的第二平板加热器72沿着X方向排列成若干，于是，就可以在各个第二平板加热器72之间的位置(例如图3中符号P位置)，如同左右对开门形状一样开关外壳6的上壁部(参照图3的假想线)。这样就可以很容易地对外壳6内的滚子搬送机构5或者加热机构7进行维护。
如图4(a)所示(图4是构成加热处理装置28的第一以及第二平板加热器71、72的平面简图)，第一以及第二平板加热器71、72分别具有：在云母板上设置发热体而构成的若干、例如4片的云母加热器73(73a、73b、73c、73d)、和沿着Y方向排列安装这些着干云母加热器73而形成的薄矩形导热体74。
如图5所示(图5是表示第一以及第二平板加热器71、72的控制系统概念图)，若干第一以及第二平板加热器71a～71r、72a～72r，沿着X方向划分而成的X方向上游组的第一以及第二平板加热器71a～71g、72a～72g(的云母加热器73)与X方向下游组的第一以及第二平板加热器71h～71r、72h～72r(的云母加热器73)，分别与不同的加热器电源105a、105b连接。在X方向上游侧组的第一以及第二平板加热器71a～71g、72a～72g与X方向下游组的第一以及第二平板加热器71h～71r、72h～72r上分别设置图中未示的温度传感器，加热器电源105a、105b分别被接受温度传感器的检测信号以及由来自工艺控制器101的指令的加热器控制器(控制部)104所控制。即X方向上游侧组的第一以及第二平板加热器71a～71g、72a～72g与X方向下游组的第一以及第二平板加热器71h～71r、72h～72r分别通过加热器控制器104来控制它们的温度。X方向上游侧组的第一以及第二平板加热器71a～71g、72a～72g构成预备加热部7a，X方向下游组的第一以及第二平板加热器71h～71r、72h～72r构成主加热部7b。此外也可以使预备加热部7a和主加热部7b与相同的电源连接，改变该电源中预备加热部7a的输出与主加热部7b的输出。
在外壳6的X方向两端部的上壁部以及底壁部分别设有排气口67，在排气口67上连接着排气单元68。排气单元68工作，通过排气口67对外壳6内进行排气。排气口67以及排气单元68构成对外壳6内进行排气的排气机构。排气口67例如不仅可以沿着Y方向形成若干个，而且还可以形成沿着Y方向延伸的长孔状。在外壳6的X方向两端部分别设置排气机构，这样，在搬入口61以及搬出口62形成气帘(Air Curtain)，从而防止外部的尘埃等从搬入口61以及搬出口62侵入外壳6内。此外，排气口67不仅可以形成于侧壁部，在这种情况下，还可以在X方向形成若干个，或者形成沿着X方向延伸的长孔状。
另一方面，在外壳6的X方向中央部的上壁部以及底壁部设有吸气口69，它用作对外壳内进行吸气的吸气机构。吸气口69例如不仅可以沿着Y方向形成若干个，而且还可以形成沿着Y方向延伸的长孔状。与排气口67对照而将吸气口69在设置外壳6的X方向的中央部，这样就可以可靠地防止外壳6内的空气发生滞留，因此，这样不仅可以使加热机构7所产生的热量有效地在外壳6内扩散，同时还能够防止加热处理时所产生的、包含在抗蚀剂膜中的升华物附着在外壳6内。此外，吸气口69不仅可以形成于侧壁部，在这种情况下，还可以在X方向形成若干个，或者形成沿着X方向延伸的长孔状。此外，也可以在吸气口69连接吸气单装置(图中未示)，通过该吸气装置的动作而将被加热的空气导入外壳6内。
下面，对使用上述构造的加热处理装置(HT)28对基板G进行的加热处理进行说明。
在加热处理装置(HT)28中，被减压干燥单元(DP)27一侧(在加热处理装置(HT)31中为显影单元(DEV)30一侧)的搬送机构而搬送的基板G一旦通过搬入口61，就将其交给滚子搬送机构5，并被该滚子搬送机构5所搬送，同时，在外壳6内通过被加热器控制器104所控制温度的第一以及第二平板加热器71、72对其进行加热。因此，由于同时进行基板的搬送以及加热，因此缩短了处理时间。由于基板G是通过第一以及第二平板加热器71、72从两面被加热，因此，可以防止产生弯曲。被滚子搬送机构5所搬送的基板G一旦通过搬出口62，就交给冷却单元(COL)29一侧(在加热单元(HT)31中为冷却单元(COL)32一侧)的搬送机构，于是被该平流式的搬送机构所搬送。因此，由于加热处理时以及加热处理前后的基板G的搬送只是通过滚子搬送机构5等而进行的所谓平流式搬送，所以，能够安全地搬送基板G。
当进行加热处理时，如果要把基板G加热至规定的温度，例如加热至130℃左右，那么，主加热部7b被设定为与规定的温度大致相等，或者比规定的温度略高的第一温度，例如设定为140～150℃左右，预备加热部7a被设定为比第一温度还高的第二温度，例如设定为170～180℃左右。于是，如图6所示(图6是用来说明使用加热处理装置(HT)28对基板G进行加热处理的图)，被滚子搬送机构5搬送的基板G，在预备加热部7a中，按第二温度进行加热(参照图6(a))，使它迅速升温至规定的温度或者接近第一温度之后，在主加热部7b中，在第一温度条件下进行加热(参照图6(b))，于是能够保持在规定的温度，而且还能够缩短加热处理时间。优选采用以下这种方式来设置预备加热部7a，即为了不使基板G加热至不必要的高温，被滚子搬送机构5搬送的基板G在加热至接近第一温度的时候通过。
另外，由于第一平板加热器71的排列间距与第二平板加热器72的排列间距相等，因此，通过把上下对应的第一以及第二平板加热器71、72设定为大致相等的加热温度，可以可靠地防止基板G发生弯曲。
下面，对第一以及第二平板加热器71、72的控制系统的其它例子进行说明。图7是表示第一以及第二平板加热器71、72的控制系统的其它例子的概念图。
此外还可以把主加热部7b以及预备加热部7a分别沿X方向和Y方向划分成若干区域，并可以对每个区域进行温度控制。例如，具有构成预备加热部7a的X方向的上游侧部分的第一以及第二平板加热器71a～71c、72a～72c的Y方向两侧的云母加热器73a、73d的区域H、具有第一以及第二平板加热器71a～71c、72a～72c的Y方向中央部的云母加热器73b、73c的区域I、具有构成预备加热部7a的X方向下游侧部分的第一以及第二平板加热器71d～71g、72d～72g的Y方向两侧的云母加热器73a、73d的区域J、具有第一以及第二平板加热器区域71d～71g、72d～72g的Y方向中央部的云母加热器73b、73c的区域K、具有构成主加热部7b的X方向上游侧部分的第一以及第二平板加热器71h～71o、72h～72o的Y方向两侧的云母加热器73a、73d的区域L、具有第一以及第二平板加热器71h～71o、72h～72o的Y方向中央部的云母加热器73b、73c的区域M、构成主加热部7b的X方向下游侧部分的第一以及第二平板加热器71p～71r、72p～72r的Y方向的两侧的云母加热器73a、73d的区域N、和具有第一以及第二平板加热器71p～71r、72p～72r的Y方向中央部的云母加热器73b、73c的区域O分别与不同的加热器电源105c～105j连接，加热器电源105c～105j分别被接受温度传感器的检测信号以及工艺控制器101发出的指令的加热器控制器104所控制。此外，区域H～O也可与相同的电源连接，改变该电源中区域H～O的输出。
当进行加热处理时，如果要把基板G加热至规定的温度，那么，考虑热量从外壳6的侧壁部的热损失，在主加热部7b中，在第一温度或者温度范围内，将区域O、L的温度设定为高于区域M的温度，而且，区域N的温度设定高于区域O、L的温度，同时，在预备加热部7a中，在第二温度或者温度范围内，区域I、J的温度设定高于区域K的温度，而且区域H的温度设定高于区域I、J的温度。即如图8所示(用来说明构成加热处理装置28的预备加热部7a以及主加热部7b的加热温度分布的示意图)，分别控制主加热部7b以及预备加热部7a，从而使温度从外壳6的中央部向角部逐渐变高。这样不仅能够缩短加热处理时间，而且预备加热部7a以及主加热部7b能够分别将外壳6内的整个基板G加热至均等的温度，还可以提高加热处理的质量。
此外，如图4(b)所示，第一以及第二平板加热器71、72也可分别由在Y方向上延伸的若干吸热器75、沿着X方向排列安装着这些若干吸热器75的板状导热体74、分别安装在导热体74的Y方向两侧部分的盒式加热器76构成。除了吸热器75的加热，通过加热盒式加热器76，第一以及第二平板加热器71、72的Y方向两侧部分的温度变得比Y方向中央部分高，因此，预备加热部7a以及主加热部7b就能够分别把整个基板G加热至均等的温度。另外，如果在预备加热部7a中抑制了基板的弯曲，则也可以不设置主加热部7b的上壁部的第二平板加热器72。
工业上的可利用性
本发明尤其适合像FPD用的玻璃基板等的、尤其是大型基板，但本发明也并非局限于玻璃基板，它也能够广泛应用于半导体晶片等其它基板的加热处理中。
Claims (11)
1.一种加热处理装置，用于对基板实施加热处理，其特征在于，包括；
朝着一个方向搬送基板的搬送通路；和
对在所述搬送通路上搬送的基板进行加热的加热机构，其中
所述加热机构沿着所述搬送通路从搬送方向上游侧依次设置有预备加热部和主加热部，
所述主加热部被设定在第一温度，所述预备加热部被设定在比所述第一温度高的第二温度，
在所述预备加热部中将基板加热至所述第一温度之后，在所述主加热部中，按所述第一温度进行加热。
2.一种加热处理装置，用于对基板实施加热处理，其特征在于，包括：
朝着一个方向搬送基板的搬送通路；
围绕所述搬送通路而设置的外壳；
在所述外壳内对在所述搬送通路上搬送的基板进行加热的加热机构，其中，
所述加热机构沿着所述搬送通路从搬送方向上游侧依次在所述外壳内设置有预备加热部以及主加热部，
所述主加热部被设定在第一温度，所述预备加热部被设定在比所述第一温度高的第二温度，
在所述预备加热部中将基板加热至所述第一温度之后，在所述主加热部中，按所述第一温度进行加热。
3.根据权利要求2所述的加热处理装置，其特征在于：
在所述外壳的搬送方向两端部分别设置对所述外壳内进行排气的排气机构。
4.根据权利要求3所述的加热处理装置，其特征在于：
在所述外壳的搬送方向中央部，设置对所述外壳内进行吸气的吸气机构。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的加热处理装置，其特征在于：
配置所述预备加热部，使得在所述搬送通路上搬送的基板通过所述预备加热部时被加热到所述第一温度。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的加热处理装置，其特征在于：
所述主加热部被设定在所述第一温度，使所述主加热部的搬送方向下游侧的温度高于所述主加热部的搬送方向上游侧的温度，所述预备加热部被设定在所述第二温度，使所述预备加热部的搬送方向上游侧的温度高于所述预备加热部的搬送方向下游侧的温度。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的加热处理装置，其特征在于：
所述主加热部以及所述预备加热部分别被设定在所述第一温度以及所述第二温度，从而使所述搬送通路的宽度方向两侧部的温度比所述搬送通路的宽度方向中央部高。
8.一种加热处理装置，用于对基板实施加热处理，其特征在于，包括：
朝着一个方向搬送基板的搬送通路；
对在所述搬送通路上搬送的基板进行加热的加热机构；和
控制所述加热机构的控制部，其中
所述加热机构沿着所述搬送通路从搬送方向上游侧依次设置有预备加热部以及主加热部，
所述控制部将所述主加热部设定在第一温度，将所述预备加热部设定在比所述第一温度高的第二温度，
在所述预备加热部中，在将基板加热至所述第一温度之后，在所述主加热部中按所述第一温度进行加热。
9.根据权利要求8所述的加热处理装置，其特征在于；
所述控制部将所述主加热部设定在所述第一温度，使所述主加热部的搬送方向下游侧的温度比所述主加热部的搬送方向上游侧的温度高，将所述预备加热部设定在所述第二温度，使所述预备加热部的搬送方向上游侧的温度比所述预备加热部的搬送方向下游侧的温度高。
10.根据权利要求8或者9所述的加热处理装置，其特征在于：
所述控制部分别将所述主加热部以及所述预备加热部设定在所述第一温度以及所述第二温度，从而使所述搬送通路的宽度方向两侧部的温度比所述搬送通路的宽度方向中央部的温度高。
11.一种加热处理方法，是使用加热处理装置对沿着搬送通路朝一个方向搬送的基板实施加热处理的方法，其中，该加热处理装置沿着所述搬送通路从搬送方向上游侧顺次配置有预备加热部和主加热部，该加热处理方法的特征在于：
将所述主加热部设定在第一温度，同时，将所述预备加热部设定在高于所述第一温度的第二温度，
在所述预备加热部中将基板加热至所述第一温度之后，在所述主加热部中按所述第一温度进行加热。
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