JP3811247B2 - 基板加熱装置 - Google Patents
基板加熱装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3811247B2 JP3811247B2 JP4984497A JP4984497A JP3811247B2 JP 3811247 B2 JP3811247 B2 JP 3811247B2 JP 4984497 A JP4984497 A JP 4984497A JP 4984497 A JP4984497 A JP 4984497A JP 3811247 B2 JP3811247 B2 JP 3811247B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- hot plate
- heating apparatus
- substrate heating
- wall portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハや液晶用ガラス基板などの基板を加熱する基板加熱装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
上記基板加熱装置としては、基板加熱用に昇温されるホットプレートを備え、このホットプレートの上面にスペーサとしての複数のボールを配設し、これらボールの上端に基板をホットプレートの上面から所定の間隔(プロキシミティギャップと呼ぶ)だけ浮かせた状態で支持する構成のものが知られている。この構成によれば、基板裏面の汚染を防止した上で、基板を加熱することができる。
【0003】
ところで、上記プロキシミティギャップは小さいほど基板を加熱するための熱効率が良いが、プロキシミティギャップを小さくすると、基板をホットプレート上に載置する際に基板の下面とホットプレート上面間に挟み込まれた空気が外方向に流れる現象により基板が横滑る不具合が生じた。この不具合を解消するため、従来、プレート上にガイドピンを立てて基板がホットプレート上で横滑りしないよう構成したものが提案されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の装置では、基板の横滑りを防ぐことができるが、次のような問題を解決するに至っていなかった。というのは、基板加熱処理により加熱される基板の面内温度は、基板外周部からの放熱により、中央部より外周部の方が低くなるといった問題があり、従来の装置では、基板の面内温度が不均一となるといった問題が生じた。
【0005】
この発明の基板加熱装置は、ホットプレート上における基板の横滑りを防止した上で、加熱処理による基板の面内温度分布を均一とすることを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】
前述した課題を解決するための手段として、以下に示す構成をとった。
【0007】
第1の発明の基板加熱装置は、
平らな上面を有するホットプレート上に基板を支持して加熱する基板加熱装置において、
前記ホットプレートに、前記基板の周方向の面である基板の外縁と隙間を形成した状態で前記基板の外縁を全周にわたって取り囲む壁部を形成し、
前記壁部には、前記基板の外縁と対面する内周壁面の複数の箇所に、前記基板の外縁と当接する凸状部
を備えるようにしたことを特徴としている。
【0008】
この構成の発明によれば、基板をホットプレート上に支持する際に、基板の下面とホットプレート上面との間の空気は、基板の外縁とホットプレートに形成された壁部との間の隙間から逃がされるとともに、ホットプレートに形成された壁部の、その内周壁面の複数箇所に備えた凸状部が、基板の外縁と当接して基板の横滑りを規制する。また、ホットプレートに形成された壁部は、基板の外周部周辺を加熱する。このため、基板の外周部周辺は、ホットプレートの基板の外周部下部に当たる部分と上記壁部との双方から熱を受けることになり、ホットプレートの外周部周辺の放熱が多くても基板の面内温度分布は均一なものとなる。
【0009】
したがって、この第1の発明は、ホットプレート上における基板の横滑りを防止することができるとともに、加熱処理による基板の面内温度分布を均一にすることができる。
【0010】
第2の発明の基板加熱装置は、
ホットプレート上に基板を支持して加熱する基板加熱装置において、
前記ホットプレートに、前記基板の外縁を周方向全体にわたって取り囲む壁部を形成し、
前記壁部には、その内側から外側に向けて空気が通り抜けるための切り欠きを形成したことを特徴としている。
【0011】
この構成の発明によれば、基板をホットプレート上に支持する際に、基板の下面とホットプレート上面との間の空気は、ホットプレートに形成された壁部の切り欠きにより、壁部の内側から外側に向けて逃がされる。そのため基板は横滑りすることなくホットプレート上に支持される。また、ホットプレートに形成された壁部は、基板の外周部周辺を加熱する。このため、基板の外周部周辺は、ホットプレートの基板の外周部下部にあたる部分と、上記壁部との双方から熱を受けることになり、ホットプレートの外周部周辺の放熱が大きくても基板の面内温度分布は均一なものとなる。
【0012】
したがって、この第2の発明は、ホットプレート上における基板の横滑りを防止することができるとともに、加熱処理による基板の面内温度分布を均一することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を実施例に基づき説明する。
【0014】
A.全体の構成:
図1は、この発明の第1実施例に係わる基板加熱装置が配設された基板処理装置の全体構成を示す斜視図である。
【0015】
図示するように、この基板処理装置は、半導体ウエハ(以下、基板と呼ぶ)Wに対して、塗布処理、現像処理、加熱処理および冷却処理を行なうための装置であり、未処理基板や処理済み基板を保管するインデクサ部1と、基板Wに対して前記一連の処理を行なう基板処理部2とを有している。
【0016】
インデクサ部1は、基台3の水平な上面に一列に配置される4個のカセットCと、カセットCの配列方向に沿って移動可能な移載ロボット4とを有している。カセットCは、それぞれ基板Wを上下方向に多段で収納できるようになっている。また、移載ロボット4は、カセットCに対して基板Wを出し入れし、基板処理部2との間で基板Wの受け渡しを行なう。
【0017】
基板処理部2は、カセットCの配列方向に対して直交する方向に配列されたスピンコータ10およびそれぞれ現像処理を行なう2つのスピンデベロッパ11、12と、スピンコータ10および2つのスピンデベロッパ11、12のそれぞれに対向するように配置されたクーリングユニット15およびホットユニット16とを有している。そして、スピンコータ10およびスピンデベロッパ11、12とクーリングユニット15およびホットユニット16との間には、これらが配列された方向に移動可能な搬送ロボット17が設けられている。
【0018】
スピンコータ10は、基板Wの表面にフォトレジスト液等を塗布処理するためのものであり、スピンデベロッパ11、12は現像処理を行なうためのものである。また、クーリングユニット15およびホットユニット16は互いに積層されており、それぞれ基板Wの冷却、加熱を行なうためのものである。搬送ロボット17は、水平方向および上下方向に移動可能な移動台20と、基板Wを支持可能なアーム21とを有している。アーム21は、移動台20に対して進退可能に設けられるとともに、その進退は、移動台20が水平面内で旋回することによりいずれの方向にも可能となっている。このような搬送ロボット17により、スピンコータ10およびスピンデベロッパ11、12とクーリングユニット15およびホットユニット16との間で、またクーリングユニット15とホットユニット16との間で、さらにインデクサ部1の移載ロボット4との間で基板Wの受け渡しが可能である。
【0019】
このような基板処理装置では、インデクサ部1にカセットCが搬入されてくると、そのカセットC内の基板Wが移載ロボット4によって基板処理部2の搬送ロボット17に引き渡される。搬送ロボット17は、予めプログラムされた搬送順序に従ってスピンコータ10、スピンデベロッパ11、12、クーリングユニット15およびホットユニット16の間で基板Wを搬送する。各処理部で処理された基板Wは、搬送ロボット17によってインデクサ部1の移載ロボット4に引き渡され、カセットC内に収納される。
【0020】
B.基板加熱装置の構成:
次に、基板加熱装置としてのホットユニット16の構成を説明する。図2は、ホットユニット16の主要部であるホットプレート40の平面図であり、図3は、ホットプレート40を図2のA−A′線で破断した断面図である。
【0021】
これら図に示すように、ホットユニット16は、基板Wを所望の温度で加熱するためのホットプレート40を備える。また、ホットユニット16は、基板Wの熱処理時にホットプレート40上に降下して熱処理雰囲気を保つための半密閉空間を形成する図示しないホットプレートカバーを備えている。
【0022】
ホットプレート40は、図3に示すように、基台41と、基台41の上方に配置されアルミニウムなどの金属材料で形成された放熱板としてのプレート42と、基台41とプレート42との間に挟持される面ヒータ43とから構成される。基台41、プレート42および面ヒータ43は、それぞれ円盤状の形状をしているが、プレート42に限っては、その外縁部分の全周囲に上方に張り出した壁部としてのフランジ42aが設けられている。なお、このフランジ42aはプレート42と同じ金属材料で形成されている。
【0023】
さらに、図2に示すように、そのフランジ42aの基板外縁に対面する内周壁面の3箇所(内周に内接する正三角形の各頂点の位置)には、プレート42の中心方向に向けて下る傾斜面TP1が形成された三角柱の形の凸状部45、46、47が固着されている。凸状部45、46、47は、例えばフッ素樹脂等の熱伝導率の低い耐熱性樹脂により形成されており、ホットプレートのフランジ42aに囲まれた凹部内に基板Wが落とし込まれた際に、これら凸状部45、46、47の先端が基板Wの外縁部に接するようなサイズとなっている。このとき、前記ホットプレート40のフランジ42аの内周壁面と基板の外縁との間には、5[mm]程度の隙間が形成されるようになっている。
【0024】
なお、凸状部45、46、47に傾斜面TP1を形成しているので、もし搬送ロボットによる搬送に多少ズレがあったような場合にも、この傾斜面TP1によって確実にフランジ42aに囲まれた凹部内に基板Wを落とし込むことができる。
【0025】
図3に示す面ヒータ43には図示しない電力供給装置が電気的に接続されており、電力供給装置から面ヒータ43に電力が供給されてプレート42の上面温度が昇温される。なお、面ヒータ43は、内部にヒータ線を等密度に配置したもので、その表面において一様に熱を発するようになされている。
【0026】
また、図2に示すように、ホットプレート40には、外部から搬入された基板Wを3点支持によって受け取るリフタピン51、52、53と、このリフタピン51、52、53から基板Wを受け取ってホットプレート40上に浮かせて支持する3個のプロキシミティギャップ用ボール54、55、56とを備える。各リフタピン51、52、53は、図示を省略するアクチュエータによって昇降自在となっており、アクチュエータを動作させることにより基板Wを水平に保って昇降させることが可能になる。各プロキシミティギャップ用ボール54、55、56は、プレート42上に埋め込まれており、このプロキシミティギャップ用ボール54、55、56の上端はプレート42の上面から若干突出している。なお、この突出量d(図3)に比べてプレート42のフランジ42aの高さhは高くなっている。
【0027】
リフタピン51、52、53の下降に伴って下降してきた基板Wを、ホットプレート40のフランジ42aに囲まれた凹部内に収容する。図4は、基板Wが載置された状態のホットプレート40の一部破断図である。図示するように、プロキシミティギャップ用ボール55(53,56)によって基板Wはホットプレート40上面と平行になるように浮かして支持される。この基板Wの下降時には、基板Wの下降にともなって基板Wの下面とホットプレート40上面との間の空気は、基板Wの外縁部とホットプレート40のフランジ42aの内周壁面との間の隙間から逃がされるとともに、基板Wの外縁部は、図4および図2に示すように、プレート42のフランジ42aの内周壁面に設けられた凸状部45、46、47の先端と当接し、これら凸状部45、46、47により基板Wの横滑り(水平方向の移動)が規制される。
【0028】
次にホットユニット16の動作について、ホットプレート40を所定の設定温度、例えば、90℃で加熱する処理を例にとり説明する。まず、ホットプレート40の面ヒータ43の出力を上げ、ホットプレート40自身の温度を90℃まで昇温させて、ホットプレート40にて基板Wの加熱処理を行なえる状態となる。
【0029】
そこで、搬送ロボット17により基板Wをホットユニット16に搬入し、基板Wの加熱処理を行なう。基板Wをホットユニット16へ搬入するにあたっては、予めホットプレートカバーおよびリフタピン51、52、53を上昇させておき、搬送ロボット17のアーム21に支持された未処理基板をリフタピン51、52、53に載せる。そして、リフタピン51、52、53を降下させてホットプレート40のフランジ42aに囲まれた凹部内に基板Wを収容して、プロキシミティギャップ用ボール54、55、56上に基板Wを載せ替える。こうして基板Wをホットプレート40上に載置して、所定時間加熱する処理を行なう。加熱処理が終了すると、リフタピン51、52、53を上昇させて再び基板Wをリフタピン51、52、53上に支持し、搬送ロボット17のアーム21によりホットユニット16から基板Wの搬出を行なう。このようにして基板Wの加熱処理が行なえるようになった以降は、順次基板がホットユニット16に搬入されて基板Wの加熱処理が行なわれていく。
【0030】
以上詳述したように、この第1実施例のホットプレート40では、プレート42のフランジ42aの内周壁面に設けられた凸状部45、46、47の先端が基板Wの外縁部と当接して、基板Wの横滑りを規制している。また、プレート42の外縁部分に張り出したフランジ42aは面ヒータ43の発熱によりプレート42の上面と同様に昇温して、基板Wの外周部周辺を加熱していることから、基板Wの外周部周辺は、プレート42の基板Wの外周部下部に当たる部分とフランジ42aとの双方から熱を受けることになる。このため、放熱により加熱される基板の面内温度は、中央部より外周部の方が低くなっていたが、この実施例のホットプレート40では、基板の外周部周辺の放熱が多くても基板の面内温度分布を均一なものにしている。
【0031】
したがって、この第1の発明は、ホットプレート40上における基板Wの横滑りを防止することができる。このため、加熱処理が終了後、リフタピン51、52、53により基板Wを上昇させて搬送ロボット17のアーム21により基板Wをハンドリングしようとする際に、基板Wが所定位置よりずれてハンドリングできなくなる等の不具合を解消することができる。さらには、加熱処理による基板Wの面内温度分布を均一とすることができる。
【0032】
なお、前記第1実施例では、プレート42のフランジ42aに設けられた凸状部45、46、47を熱伝導率の低い耐熱性樹脂により形成していたが、これに換えて、凸状部45、46、47をプレート42と同じ金属材料から形成して、基板Wの外縁部と当接する凸状部45、46、47の先端部分だけを上記樹脂により形成する構成としてもよい。あるいは、凸状部45、46、47全体をプレート42と同じ金属材料から形成する構成とすることもできる。
【0033】
また、前記第1実施例では、フランジ42aに設けられた凸状部45、46、47は、3個としたが、これに替えて3個より多い数としてもよい。なお、基板の横滑りを規制するには、3個以上の凸状部を設けるのが好ましい。さらに、横滑りの量を最小にするには、均等に凸状部を配置することが好ましい。
【0034】
次に、この発明の第2実施例について説明する。
この発明の第2実施例は、第1実施例と比較して、ホットプレートに備えられプレートの構成が相違し、その他の構成、すなわち、基台、面ヒータ、リフタピン、プロキシミティギャップ用ボール等は同一である。
【0035】
図5は、この第2実施例のホットプレート140の平面図であり、図6は、ホットプレート140を図5のB−B′線で破断して基板Wを載置した状態の断面図である。両図において、第1実施例と同一の構成には第1実施例と同一の番号を付した。両図に示すように、プレート142の外縁部分の全周囲には、上方にフランジ142aが張り出している。フランジ142aには、第1実地例の凸状部45、46、47に傾斜面TP1を形成したのと同様の効果を期するためにプレート142の中心方向に向けて下る傾斜面TP2を形成するようにしている。このフランジ142aはプレート142と同じ金属材料で形成されており、その高さhは、プロキシミティギャップ用ボール54、55、56のプレート42の上面からの突出量dに比べて高くなっている(図6参照)。なお、フランジ142aが形成されている点では第1実施例と同じであるが、このフランジ142aの幅wdは第1実施例と比べて広いものとなっており、そのフランジ142aのサイズは、そのフランジ142aの内周の大きさが基板Wの外周の大きさとほぼ同じ、好ましくは、基板Wの外縁とフランジ142aの内周壁面との間の隙間が1[mm]程度となっている。
【0036】
なお、図5に示すように、そのフランジ142aの3箇所(内周に内接する正三角形の各頂点の位置)には、その内側から外側に向けて溝状の切り欠き部145、146、147が設けられている。この切り欠き部145、146、147の深さは、プレート142の上面に達する深さである。
【0037】
こうした構成のホットプレート140においては、第1実施例と同様に、リフタピン51、52、53を使ってプレート142のフランジ142aに囲まれた凹部内に基板Wを落とし込ませて、プロキシミティギャップ用ボール54、55、56上に基板Wを載せ替えて、基板Wをプレート142上に載置している。なお、このとき、基板Wの外縁部は、プレート142のフランジ142aの内周壁面の一部と当接している。
【0038】
また、基板Wをプレート上に載置した際に、プレート142の上面と基板Wの下面との間隙に溜まった空気は、フランジ142aに囲まれた凹部の内側から切り欠き部145、146、147を介して外側に排出される。このため、その空気によって基板Wが不安定な載置状態になる不具合を解消することができる。
【0039】
なお、第2実施例における切欠き部145、146、147を第1実施例のフランジ42aに設けるように構成することもできる。この構成によれば、フランジ42aの内周壁面とホットプレート40上に載置された基板の外縁との隙間が小さい場合にも、プレート142の上面と基板Wの下面との間隙に溜まった空気を充分に外側に逃がすことができる。
【0040】
また、第2実施例では、フランジ142aに3つの切り欠き部145、146、147が設けられているが、これに替えて、1つ、2つ、あるいは3より大きい数だけ設ける構成としてもよい。
【0041】
前記第1および第2実施例では、支持部材として、球状のプロキシミティギャップ用ボールを用いていたが、これに替えて、ピン状のものとしてもよい。また、支持部材としてのプロキシミティギャップ用ボールを3個備えていたが、これに替えて、4個、5個、6個等、他の複数個としてもよい。さらには、プロキシミティギャップ用ボールを用いてホットプレート上に基板を浮かせて載置する構成に替えて、ホットプレートに基板を直接接触させて載置する構成としてもよい。
【0042】
以上、この発明の一実施例を詳述してきたが、この発明は、こうした実施例に何等限定されるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲において種々なる態様にて実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1実施例に係わる基板加熱装置が配設された基板処理装置の全体構成を示す斜視図である。
【図2】ホットユニット16の主要部であるホットプレート40の平面図である。
【図3】ホットプレート40を図2のA−A′線で破断した断面図である。
【図4】基板Wが載置された状態のホットプレート40の一部破断図である。
【図5】第2実施例に係わるホットプレート140の平面図である。
【図6】ホットプレート140を図5のB−B′線で破断して基板Wを載置した状態の断面図である。
【符号の説明】
1…インデクサ部
2…基板処理部
3…基台
4…移載ロボット
10…スピンコータ
11…スピンデベロッパ
15…クーリングユニット
16…ホットユニット
17…搬送ロボット
20…移動台
21…アーム
40…ホットプレート
41…基台
42…プレート
42a…フランジ部
43…面ヒータ
45…凸状部
51…リフタピン
54…プロキシミティギャップ用ボール
140…ホットプレート
142…プレート
142a…フランジ
145…切り欠き部
W…基板
Claims (9)
- 平らな上面を有するホットプレート上に基板を支持して加熱する基板加熱装置において、
前記ホットプレートに、前記基板の周方向の面である基板の外縁と隙間を形成した状態で前記基板の外縁を全周にわたって取り囲む壁部を形成し、
前記壁部には、前記基板の外縁と対面する内周壁面の複数の箇所に、前記基板の外縁と当接する凸状部
を備えるようにしたことを特徴とする基板加熱装置。 - 請求項1に記載の基板加熱装置であって、
前記ホットプレート上に設けられ、該ホットプレートの上面から所定の間隙だけ浮かせて前記基板を支持するプロキシミティギャップ用支持部材
を備えるとともに、
前記壁部の高さは、前記所定の間隙より大きい構成である
基板加熱装置。 - 請求項1または2に記載の基板加熱装置であって、
前記凸状部は、三角柱の形状を備え、
前記三角柱の1つの側面が、前記壁部における前記基板の外縁と対面する内周壁面に固着されるとともに、前記固着された側面に対向するエッジが前記基板の外縁と当接するように構成された
基板加熱装置。 - 請求項3に記載の基板加熱装置であって、
前記凸状部は、前記三角柱の上面に、前記ホットプレートの中心方向に向けて下る傾斜面が形成された構成である
基板加熱装置。 - 請求項1ないし4のいずれかに記載の基板加熱装置であって、
前記ホットプレートに設けられ、外部から搬入された基板を受け取るとともに、自身の下降によって前記受け取った基板を、前記ホットプレート上の前記壁部に囲まれた凹部内に収納するリフタピン
を備える基板加熱装置。 - ホットプレート上に基板を支持して加熱する基板加熱装置において、
前記ホットプレートに、前記基板の外縁を周方向全体にわたって取り囲む壁部を形成し、
前記壁部には、その内側から外側に向けて空気が通り抜けるための切り欠きを形成したことを特徴とする基板の加熱装置。 - 請求項6に記載の基板加熱装置であって、
前記ホットプレート上に設けられ、該ホットプレートの上面から所定の間隙だけ浮かせて前記基板を支持するプロキシミティギャップ用支持部材
を備えるとともに、
前記壁部の高さは、前記所定の間隙より大きい構成である
基板加熱装置。 - 請求項6または7に記載の基板加熱装置であって、
前記壁部の上面に、前記ホットプレートの中心方向に向けて下る傾斜面が形成された構成である
基板加熱装置。 - 請求項6ないし8のいずれかに記載の基板加熱装置であって、
前記ホットプレートに設けられ、外部から搬入された基板を受け取るとともに、自身の下降によって前記受け取った基板を、前記ホットプレート上の前記壁部に囲まれた凹部内に収納するリフタピン
を備える基板加熱装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4984497A JP3811247B2 (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | 基板加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4984497A JP3811247B2 (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | 基板加熱装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10229114A JPH10229114A (ja) | 1998-08-25 |
JP3811247B2 true JP3811247B2 (ja) | 2006-08-16 |
Family
ID=12842390
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4984497A Expired - Fee Related JP3811247B2 (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | 基板加熱装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3811247B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002057209A (ja) * | 2000-06-01 | 2002-02-22 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式処理装置および枚葉式処理方法 |
JP2002076102A (ja) | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Ibiden Co Ltd | セラミック基板 |
US6576572B2 (en) * | 2000-12-28 | 2003-06-10 | Schott Lithotec Ag | Method of heating a substrate using a variable surface hot plate for improved bake uniformity |
TWI281833B (en) | 2004-10-28 | 2007-05-21 | Kyocera Corp | Heater, wafer heating apparatus and method for manufacturing heater |
JP4672538B2 (ja) * | 2005-12-06 | 2011-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱処理装置 |
-
1997
- 1997-02-17 JP JP4984497A patent/JP3811247B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH10229114A (ja) | 1998-08-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100467916B1 (ko) | 열처리장치 및 열처리방법 | |
JP2002353110A (ja) | 加熱処理装置 | |
JP4670677B2 (ja) | 加熱装置、加熱方法、塗布装置及び記憶媒体 | |
JP2007329008A (ja) | 熱板及びその製造方法 | |
JP5296022B2 (ja) | 熱処理方法及びその熱処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体並びに熱処理装置 | |
JP2001291660A (ja) | 膜形成方法及び膜形成装置 | |
JP5174098B2 (ja) | 熱処理方法及びその熱処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体並びに熱処理装置 | |
JP3811247B2 (ja) | 基板加熱装置 | |
JP2004336076A (ja) | 加熱処理装置 | |
JP3649048B2 (ja) | レジスト塗布・現像装置、ならびにそれに用いる基板加熱処理装置および基板搬送装置 | |
JP2006237262A (ja) | 加熱処理装置 | |
JP4811860B2 (ja) | 熱処理方法、そのプログラム及び熱処理装置 | |
KR102050107B1 (ko) | 열처리 장치, 열처리판의 냉각 방법 및 컴퓨터 기억 매체 | |
JP4148387B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JPH10189429A (ja) | 基板加熱装置 | |
KR102467529B1 (ko) | 반송 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP2002203779A (ja) | 加熱処理装置 | |
JP4053728B2 (ja) | 加熱・冷却処理装置及び基板処理装置 | |
JPH11162804A (ja) | 熱処理装置及び熱処理方法 | |
JP4079596B2 (ja) | 加熱処理装置 | |
JP3266844B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JPH09289152A (ja) | 基板熱処理装置 | |
JP5158066B2 (ja) | 塗布、現像装置 | |
KR20200026563A (ko) | 기판 반송 로봇 및 기판 처리 설비 | |
JP4148388B2 (ja) | 熱処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050616 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050809 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051006 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060314 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060425 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060523 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060526 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090602 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090602 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100602 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100602 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110602 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110602 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |