JPH05304085A - 半導体ウェハベーキング装置 - Google Patents
半導体ウェハベーキング装置Info
- Publication number
- JPH05304085A JPH05304085A JP10776792A JP10776792A JPH05304085A JP H05304085 A JPH05304085 A JP H05304085A JP 10776792 A JP10776792 A JP 10776792A JP 10776792 A JP10776792 A JP 10776792A JP H05304085 A JPH05304085 A JP H05304085A
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- Japan
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- heat
- hot plate
- semiconductor wafer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は半導体ウェハベーキング装置に関
し、等温領域の拡張化を実現することを目的とする。 【構成】 半導体ウェハが載置される熱板２Ａは、下面
の外周寄りの部位に環状の溝部２１を有する。環状溝部
２１は、熱板２Ａを周辺部分２Ａ-1と中央部分２Ａ-2と
に区切る。周辺部分２Ａ-1に周辺ヒータ部２４，中央部
分２Ａ-2に中央ヒータ部２３を設けて構成する。
し、等温領域の拡張化を実現することを目的とする。 【構成】 半導体ウェハが載置される熱板２Ａは、下面
の外周寄りの部位に環状の溝部２１を有する。環状溝部
２１は、熱板２Ａを周辺部分２Ａ-1と中央部分２Ａ-2と
に区切る。周辺部分２Ａ-1に周辺ヒータ部２４，中央部
分２Ａ-2に中央ヒータ部２３を設けて構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハベーキン
グ装置に関する。
グ装置に関する。
【０００２】近年、ＬＳＩの集積度が向上してきてお
り、これに伴って、半導体ウェハ上の配線パターンを幅
が０．５μm 程度の微細さで形成することが要求されて
きている。
り、これに伴って、半導体ウェハ上の配線パターンを幅
が０．５μm 程度の微細さで形成することが要求されて
きている。
【０００３】配線パターンはフォトリソグラフィ技術に
よって形成されている。
よって形成されている。
【０００４】この技術を利用して、上記のように微細な
幅の配線パターンを半導体ウェハの全面に亘って一様に
形成するには、レジストを半導体ウェハの全面に亘って
一様に形成することが必要とされる。
幅の配線パターンを半導体ウェハの全面に亘って一様に
形成するには、レジストを半導体ウェハの全面に亘って
一様に形成することが必要とされる。
【０００５】このためには、レジストを半導体ウェハに
塗布した後、塗布されたレジストよりこれに含まれてい
る溶剤を気化させるベーキング工程も重要となる。
塗布した後、塗布されたレジストよりこれに含まれてい
る溶剤を気化させるベーキング工程も重要となる。
【０００６】即ち、ベーキング工程においては、ウェハ
表面の温度が均一であること、例えば最高の温度と最低
の温度の差が僅か0.5 ℃以下となるようにすることが必
要とされる。
表面の温度が均一であること、例えば最高の温度と最低
の温度の差が僅か0.5 ℃以下となるようにすることが必
要とされる。
【０００７】一方、ベーキング装置は小型であることが
望ましい。
望ましい。
【０００８】
【従来の技術】図４及び図５は、従来の１例の抵抗加熱
方式の半導体ウェハベーキング装置１を示す。
方式の半導体ウェハベーキング装置１を示す。
【０００９】図５中、２は円板状の熱板、３は円板状の
ヒータ、４は断熱材製のハウジングである。
ヒータ、４は断熱材製のハウジングである。
【００１０】ヒータ３は、一本の抵抗発熱線５がうず巻
き状に配されたものであり、発熱密度が全面に亘って等
しくしてある。
き状に配されたものであり、発熱密度が全面に亘って等
しくしてある。
【００１１】６は熱電対であり、熱板２の中央で且つ、
熱板２の表面に近い部位に埋設してある。
熱板２の表面に近い部位に埋設してある。
【００１２】７は温度コントローラであり、熱電対６よ
りの信号に応じて、電源回路の途中に設けてあるリレー
８を開閉する。
りの信号に応じて、電源回路の途中に設けてあるリレー
８を開閉する。
【００１３】９は電力コントローラであり、抵抗発熱線
５へ供給される電力を調整する。
５へ供給される電力を調整する。
【００１４】上記のベーキング装置１においては、ヒー
タ３が電力コントローラ９によって調整された電力を加
えられて発熱し、熱板２が加熱される。また、ヒータ３
への電力の供給が、熱電対６，温度コントローラ７及び
リレー８によって制御される。
タ３が電力コントローラ９によって調整された電力を加
えられて発熱し、熱板２が加熱される。また、ヒータ３
への電力の供給が、熱電対６，温度コントローラ７及び
リレー８によって制御される。
【００１５】熱板２の上面２ａには、レジストが塗布さ
れた半導体ウェハ１０が載置してある。１１はレジスト
膜である。
れた半導体ウェハ１０が載置してある。１１はレジスト
膜である。
【００１６】ヒータ３は全面に亘って均一に発熱するけ
れども、熱板２の表面からの放熱の程度は中央部よりも
外周部側が大となる等の関係で、加熱された熱板２内の
温度分布は、図５に等温線（温度の等しい点を結んだ
線）１２で示す如くになる。等温線１２の間隔は0.5 ℃
である。
れども、熱板２の表面からの放熱の程度は中央部よりも
外周部側が大となる等の関係で、加熱された熱板２内の
温度分布は、図５に等温線（温度の等しい点を結んだ
線）１２で示す如くになる。等温線１２の間隔は0.5 ℃
である。
【００１７】熱板２の上面２の温度分布は、図５に線１
３で示すようになり、上面２ａの大部分は設定した温度
Ｔ1 ℃とされ、周辺寄りの部分で低下する傾向のものと
なる。
３で示すようになり、上面２ａの大部分は設定した温度
Ｔ1 ℃とされ、周辺寄りの部分で低下する傾向のものと
なる。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】温度の低下は周辺に十
分に近い位置より中央寄りの場所で始まり、温度Ｔ1 に
対して前記の許容温度0.5 ℃下がった部位Ｐ1 ，Ｐ1 の
間の径Ｄ1 は、熱板２の径Ｄの約７５％にとどまる。即
ちＤ1 ＝0.75×Ｄとなる。
分に近い位置より中央寄りの場所で始まり、温度Ｔ1 に
対して前記の許容温度0.5 ℃下がった部位Ｐ1 ，Ｐ1 の
間の径Ｄ1 は、熱板２の径Ｄの約７５％にとどまる。即
ちＤ1 ＝0.75×Ｄとなる。
【００１９】このため、熱板２の上面２ａのうち、前記
の許容温度範囲（0.5 ℃）内に保たれる領域は比較的狭
い。
の許容温度範囲（0.5 ℃）内に保たれる領域は比較的狭
い。
【００２０】従って、ウェハ１０と熱板２との径の関係
が図５に示す関係にある場合には、ベーキング後におけ
るレジスト膜の厚さについてみると、ウェハ１０の中央
の部分と周辺の部分とでは厚さに差ができ、周辺の部分
については、所望の微細なパターンが形成できなくなっ
てしまう。
が図５に示す関係にある場合には、ベーキング後におけ
るレジスト膜の厚さについてみると、ウェハ１０の中央
の部分と周辺の部分とでは厚さに差ができ、周辺の部分
については、所望の微細なパターンが形成できなくなっ
てしまう。
【００２１】また、ウェハ１０の全体について温度Ｔ1
℃の部分を確保しようとすると、ウェハ１０の径よりも
一回りも二回りも大きい径の熱板２を用いなければなら
ず、半導体ウェハベーキング装置１は、大型となってし
まう。
℃の部分を確保しようとすると、ウェハ１０の径よりも
一回りも二回りも大きい径の熱板２を用いなければなら
ず、半導体ウェハベーキング装置１は、大型となってし
まう。
【００２２】ベーキング装置１が大型となると、コスト
が高くなると共に、ベーキング時に発生する余分な熱量
が多くなって無駄が多くなる。
が高くなると共に、ベーキング時に発生する余分な熱量
が多くなって無駄が多くなる。
【００２３】そこで本発明は、熱板の上面の温度を、出
来るだけ周囲に近い部分まで均一としうるようにした半
導体ウェハベーキング装置を提供することを目的とす
る。
来るだけ周囲に近い部分まで均一としうるようにした半
導体ウェハベーキング装置を提供することを目的とす
る。
【００２４】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、ヒー
タと、該ヒータによって下面側から加熱され、上面に載
置された半導体ウェハを加熱する円板状の熱板とよりな
る半導体ウェハベーキング装置において、該熱板を、そ
の下面であって、該熱板の中央部分と外周近傍部分との
間に、環状の断熱部を有する構成としたものである。
タと、該ヒータによって下面側から加熱され、上面に載
置された半導体ウェハを加熱する円板状の熱板とよりな
る半導体ウェハベーキング装置において、該熱板を、そ
の下面であって、該熱板の中央部分と外周近傍部分との
間に、環状の断熱部を有する構成としたものである。
【００２５】請求項２の発明は、ヒータと、該ヒータに
よって下面側から加熱され、上面に載置された半導体ウ
ェハを加熱する円板状の熱板とよりなる半導体ウェハベ
ーキング装置において、該熱板を、その下面であって、
該熱板の中央部分と周辺部分との間に、環状の断熱部を
有する構成とすると共に、上記ヒータを、上記熱板のう
ち中央部分を加熱する中央ヒータ部と、周辺部分を加熱
する周辺ヒータ部とよりなる構成としたものである。
よって下面側から加熱され、上面に載置された半導体ウ
ェハを加熱する円板状の熱板とよりなる半導体ウェハベ
ーキング装置において、該熱板を、その下面であって、
該熱板の中央部分と周辺部分との間に、環状の断熱部を
有する構成とすると共に、上記ヒータを、上記熱板のう
ち中央部分を加熱する中央ヒータ部と、周辺部分を加熱
する周辺ヒータ部とよりなる構成としたものである。
【００２６】
【作用】請求項１の環状の断熱部は、ヒータによって熱
板のうち周辺部分に加えられた熱が、熱板の中央側に伝
導することを抑制するように作用する。
板のうち周辺部分に加えられた熱が、熱板の中央側に伝
導することを抑制するように作用する。
【００２７】請求項２の中央ヒータ部と周辺ヒータ部と
を独立に設けた構成は、熱板の中央部と外周部とを夫々
に適した熱量で独立に加熱するように作用する。
を独立に設けた構成は、熱板の中央部と外周部とを夫々
に適した熱量で独立に加熱するように作用する。
【００２８】
【実施例】次に、本発明の一実施例になる抵抗加熱方式
の半導体ウェハベーキング装置２０について、図１乃至
図３を参照して説明する。
の半導体ウェハベーキング装置２０について、図１乃至
図３を参照して説明する。
【００２９】各図中、図４及び図５に示す構成部分と対
応する部分には同一符号を付す。
応する部分には同一符号を付す。
【００３０】熱板２Ａには、その下面２ｂに、断熱部と
しての環状の溝部２１が形成してある。溝部２１内に存
在する空気が断熱作用を発揮する。
しての環状の溝部２１が形成してある。溝部２１内に存
在する空気が断熱作用を発揮する。
【００３１】溝部２１は、熱板２Ａの外周から約1/5 Ｄ
の部位に形成してある。
の部位に形成してある。
【００３２】溝部２１の深さａは、約2/3 ｔとしてあ
る。ｔは熱板２Ａの厚さである。
る。ｔは熱板２Ａの厚さである。
【００３３】この環状溝部２１は、熱板２Ａを周辺部分
２Ａ-1と中央部分２Ａ-2とに区切って、周辺部分２Ａ-1
の熱が中央部分２Ａ-2に伝導することを抑制するように
作用して、後述するように等温範囲を拡張する。
２Ａ-1と中央部分２Ａ-2とに区切って、周辺部分２Ａ-1
の熱が中央部分２Ａ-2に伝導することを抑制するように
作用して、後述するように等温範囲を拡張する。
【００３４】また、環状溝部２１の底部（天板部）と熱
板２Ａの上面２ａとの間に残された部分２２は、周辺部
分２Ａ-1と中央部分２Ａ-2との間の熱の伝導路として作
用し、後述するように温度分布が不連続とならないよう
にする。
板２Ａの上面２ａとの間に残された部分２２は、周辺部
分２Ａ-1と中央部分２Ａ-2との間の熱の伝導路として作
用し、後述するように温度分布が不連続とならないよう
にする。
【００３５】２３は中央ヒータ部であり、図３に示すよ
うに円板状をなし、抵抗発熱パターンを有し、熱板２Ａ
のうち中央部分２Ａ-2の下面２ｂに設けてある。
うに円板状をなし、抵抗発熱パターンを有し、熱板２Ａ
のうち中央部分２Ａ-2の下面２ｂに設けてある。
【００３６】２４は周辺ヒータ部であり、図３に示すよ
うにリング状をなし、熱板２Ａのうち周辺部分２Ａ-1の
下面２ｂに設けてある。
うにリング状をなし、熱板２Ａのうち周辺部分２Ａ-1の
下面２ｂに設けてある。
【００３７】中央ヒータ部２３に電力コントローラ９が
設けてある。
設けてある。
【００３８】次に、上記のベーキング装置２０の動作に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００３９】周辺ヒータ部２４には電源の電力が直接加
えられ、周辺ヒータ部２４が発熱する。
えられ、周辺ヒータ部２４が発熱する。
【００４０】中央ヒータ部２３には、電力コントローラ
９によって、周辺ヒータ部２４に加えられる電力の約1/
4 に調整された電力が加えられ、中央ヒータ部２３が発
熱する。 中央ヒータ部２３によって、熱板２Ａのうち
中央部分２Ａ-2が加熱され、周辺ヒータ部２４によっ
て、熱板２Ａのうち周辺部分２Ａ-1が加熱される。
９によって、周辺ヒータ部２４に加えられる電力の約1/
4 に調整された電力が加えられ、中央ヒータ部２３が発
熱する。 中央ヒータ部２３によって、熱板２Ａのうち
中央部分２Ａ-2が加熱され、周辺ヒータ部２４によっ
て、熱板２Ａのうち周辺部分２Ａ-1が加熱される。
【００４１】中央の熱電対６により温度が検知され、温
度コントローラ７及びリレー８によって、両方のヒータ
部２３及び２４への電力の供給が制御され、熱板２Ａの
温度が設定した温度を保つように制御される。
度コントローラ７及びリレー８によって、両方のヒータ
部２３及び２４への電力の供給が制御され、熱板２Ａの
温度が設定した温度を保つように制御される。
【００４２】ここで、熱板２Ａの上面２ａの温度分布に
ついて説明する。 中央ヒータ部２３による温度分布 中央ヒータ部２３により、中央部分２Ａ-2が加熱され
る。
ついて説明する。 中央ヒータ部２３による温度分布 中央ヒータ部２３により、中央部分２Ａ-2が加熱され
る。
【００４３】中央部分２Ａ-2から周辺部分２Ａ-1への熱
の伝導についてみると、その大半は環状溝部２１によっ
て制限される。熱は残された狭い部分２２を通して多少
伝導するにとどまる。
の伝導についてみると、その大半は環状溝部２１によっ
て制限される。熱は残された狭い部分２２を通して多少
伝導するにとどまる。
【００４４】これにより、熱板２Ａのうち、中央部分２
Ａ-2の温度分布は、図２中等温線２５で示す如くにな
る。
Ａ-2の温度分布は、図２中等温線２５で示す如くにな
る。
【００４５】この中央部分２Ａ-2の上面２ａの温度分布
は図２中、線２６で示す如くになる。
は図２中、線２６で示す如くになる。
【００４６】環状溝部２１より内側の部分については、
符号２６ａで示すように、温度はＴ 1 ℃で一定であり、
環状溝部２１を越えると符号２６ｂで示すように下が
る。 周辺ヒータ部２４による温度分布 周辺ヒータ部２４により、周辺部分２Ａ-1が加熱され
る。
符号２６ａで示すように、温度はＴ 1 ℃で一定であり、
環状溝部２１を越えると符号２６ｂで示すように下が
る。 周辺ヒータ部２４による温度分布 周辺ヒータ部２４により、周辺部分２Ａ-1が加熱され
る。
【００４７】周辺部分２Ａ-1から中央部分２Ａ-2への熱
の伝導についてみると、その大半は、環状溝部２１によ
って制限される。
の伝導についてみると、その大半は、環状溝部２１によ
って制限される。
【００４８】これにより、熱板２Ａのうち周辺部分２Ａ
-1の温度分布は、図２中、線２７で示すように全体的に
凸状となる。
-1の温度分布は、図２中、線２７で示すように全体的に
凸状となる。
【００４９】この周辺部分２Ａ-1の上面２ａの温度分布
は、図２中、線２７で示すように凸状となる。これが、
符号２６ｂで示す部分の温度を引き上げて、等温とされ
る部分を外周側に拡げるように作用する。 中央ヒータ部２３と周辺ヒータ部２４との両者によ
る温度分布 熱板２Ａの上面２ａの温度分布は、図２中の上記の線２
６と２７とを合わせたものとなり、同図中、線２８で示
す如くになる。
は、図２中、線２７で示すように凸状となる。これが、
符号２６ｂで示す部分の温度を引き上げて、等温とされ
る部分を外周側に拡げるように作用する。 中央ヒータ部２３と周辺ヒータ部２４との両者によ
る温度分布 熱板２Ａの上面２ａの温度分布は、図２中の上記の線２
６と２７とを合わせたものとなり、同図中、線２８で示
す如くになる。
【００５０】この線２８を図５中の線１２と比較する
と、温度Ｔ1 ℃の等温部分が外周側に拡大していること
が分かる。
と、温度Ｔ1 ℃の等温部分が外周側に拡大していること
が分かる。
【００５１】温度Ｔ1 に対して0.5 ℃下がった部位Ｐ2
の間の径Ｄ2 は熱板２Ａの径Ｄの約８５％にもなる。即
ち、Ｄ2 ＝0.85×Ｄとなる。
の間の径Ｄ2 は熱板２Ａの径Ｄの約８５％にもなる。即
ち、Ｄ2 ＝0.85×Ｄとなる。
【００５２】従って、ウェハ１０と熱板２Ａとが図２に
示す位置関係にある場合には、ウェハ１０は全面に亘っ
て等しくＴ1 ℃に加熱され、ベーキング後におけるレジ
スト膜は全体に亘って等しい厚さとなる。従って、ウェ
ハ１０の表面全体に亘って、線幅が所望の値とされた微
細なパターンが形成される。
示す位置関係にある場合には、ウェハ１０は全面に亘っ
て等しくＴ1 ℃に加熱され、ベーキング後におけるレジ
スト膜は全体に亘って等しい厚さとなる。従って、ウェ
ハ１０の表面全体に亘って、線幅が所望の値とされた微
細なパターンが形成される。
【００５３】又、ベーキング装置１は、ウェハ１０の径
より若干大きい寸法で足り、従来のものに比べて小型と
なり、ベーキング時に発生する余分な熱量は少なくて済
む。
より若干大きい寸法で足り、従来のものに比べて小型と
なり、ベーキング時に発生する余分な熱量は少なくて済
む。
【００５４】ここで、熱板２Ａは周辺部分２Ａ-1が加熱
されているため、中央部分２Ａ-2は温度が下がりにくい
状態にある。このため、中央ヒータ部２３の発熱量は少
なくて済み、発熱量を抑えるように調整するために、中
央ヒータ部２３に電力コントローラ９が設けてある。
されているため、中央部分２Ａ-2は温度が下がりにくい
状態にある。このため、中央ヒータ部２３の発熱量は少
なくて済み、発熱量を抑えるように調整するために、中
央ヒータ部２３に電力コントローラ９が設けてある。
【００５５】なお、図２中、残された部分２２は、熱の
伝導を一部許容するようにするために設けてある。
伝導を一部許容するようにするために設けてある。
【００５６】これにより、図２中、線２６，２７は共に
なだらかなものとなり、線２８は段差を有しないものと
なっている。
なだらかなものとなり、線２８は段差を有しないものと
なっている。
【００５７】次に、本発明の変形例について説明する。 ヒータ部を中央ヒータ部と周辺ヒータ部とに分けな
いで、一のヒータ部としてもよい。 中央ヒータ部２３と周辺ヒータ部２４とに、別々に
電力コントロール部９を設けてもよい。 環状溝部２１内に断熱材を充填してもよい。
いで、一のヒータ部としてもよい。 中央ヒータ部２３と周辺ヒータ部２４とに、別々に
電力コントロール部９を設けてもよい。 環状溝部２１内に断熱材を充填してもよい。
【００５８】
【発明の効果】以上説明した様に、請求項１の発明によ
れば、熱板のうち放熱され易い周辺部分を効果的に加熱
することが出来、これによって、熱板の上面の等温の部
分を熱板の外周に近い部分にまで拡げることが出来る。
これによって、ウェハ全体を等しい温度で均一にベーキ
ングし得るという条件を満足した上で、装置の小型化を
図ることが出来る。
れば、熱板のうち放熱され易い周辺部分を効果的に加熱
することが出来、これによって、熱板の上面の等温の部
分を熱板の外周に近い部分にまで拡げることが出来る。
これによって、ウェハ全体を等しい温度で均一にベーキ
ングし得るという条件を満足した上で、装置の小型化を
図ることが出来る。
【００５９】請求項２の発明によれば、熱板のうち中央
部分と周辺部分とを夫々に適した熱量で加熱することが
出来、熱板の上面の等温の部分を請求項１の発明の場合
に比べてより外周に近い部分にまで拡大することが出来
る。これによって、ウェハ全体を等しい温度で均一にベ
ーキングし得るという条件を満足した上で、装置の小型
化を、請求項１の発明に比べて更に図ることが出来る。
部分と周辺部分とを夫々に適した熱量で加熱することが
出来、熱板の上面の等温の部分を請求項１の発明の場合
に比べてより外周に近い部分にまで拡大することが出来
る。これによって、ウェハ全体を等しい温度で均一にベ
ーキングし得るという条件を満足した上で、装置の小型
化を、請求項１の発明に比べて更に図ることが出来る。
【図１】本発明の一実施例の半導体ウェハベーキング装
置を示す図である。
置を示す図である。
【図２】図１中、II−II線に沿う断面を、温度分布と併
せて示す図である。
せて示す図である。
【図３】図１の半導体ウェハベーキング装置を下側から
みた分解斜視図である。
みた分解斜視図である。
【図４】従来の半導体ウェハベーキング装置の１例を示
す図である。
す図である。
【図５】図４中、Ｖ−Ｖ線に沿う断面を、温度分布と併
せて示す図である。
せて示す図である。
２Ａ 熱板 ２ａ 上面 ２ｂ 下面 ２Ａ-1 周辺部分 ２Ａ-2 中央部分 ４ ハウジング ６ 熱電対 ７ 温度コントローラ ８ リレー ９ 電力コントローラ １０ 半導体ウェハ １１ レジスト膜 ２０ 半導体ウェハベーキング装置 ２１ 環状溝部 ２２ 残された部分 ２３ 中央ヒータ部 ２３ａ，２４ａ 抵抗発熱パターン ２４ 周辺ヒータ部 ２５ 等温線 ２６ 中央ヒータ部の加熱による上面の温度分布を示す
線 ２７ 周辺ヒータ部の加熱による上面の温度分布を示す
線 ２８ 上面の温度分布を示す線
線 ２７ 周辺ヒータ部の加熱による上面の温度分布を示す
線 ２８ 上面の温度分布を示す線
Claims (2)
- 【請求項１】 ヒータと、該ヒータによって下面側から
加熱され、上面に載置された半導体ウェハを加熱する円
板状の熱板とよりなる半導体ウェハベーキング装置にお
いて、 該熱板を、その下面（２ｂ）であって、該熱板の中央部
分（２Ａ-2）と外周近傍部分（２Ａ-1）との間に、環状
の断熱部（２１）を有する構成としたことを特徴とする
半導体ウェハベーキング装置。 - 【請求項２】 ヒータと、該ヒータによって下面側から
加熱され、上面に載置された半導体ウェハを加熱する円
板状の熱板とよりなる半導体ウェハベーキング装置にお
いて、 該熱板を、その下面（２ｂ）であって、該熱板の中央部
分（２Ａ-2）と周辺部分（２Ａ-1）との間に、環状の断
熱部（２１）を有する構成とすると共に、 上記ヒータを、上記熱板（２Ａ）のうち中央部分（２Ａ
-2）を加熱する中央ヒータ部（２３）と、周辺部分（２
Ａ-1）を加熱する周辺ヒータ部（２４）とよりなる構成
としたことを特徴とする半導体ウェハベーキング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10776792A JPH05304085A (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 半導体ウェハベーキング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10776792A JPH05304085A (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 半導体ウェハベーキング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05304085A true JPH05304085A (ja) | 1993-11-16 |
Family
ID=14467491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10776792A Withdrawn JPH05304085A (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 半導体ウェハベーキング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05304085A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6450803B2 (en) | 1998-01-12 | 2002-09-17 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus |
| JP2007158088A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Tokyo Electron Ltd | 加熱処理装置、加熱処理方法、制御プログラム、コンピュータ読取可能な記憶媒体 |
| JP2009091660A (ja) * | 1996-04-19 | 2009-04-30 | Akt Kk | 被加熱型基板支持構造体 |
-
1992
- 1992-04-27 JP JP10776792A patent/JPH05304085A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009091660A (ja) * | 1996-04-19 | 2009-04-30 | Akt Kk | 被加熱型基板支持構造体 |
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| JP4672538B2 (ja) * | 2005-12-06 | 2011-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱処理装置 |
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