WO2007037500A1 - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents

エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 Download PDF

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Hideaki Sasajima
Hitoshi Kawaguchi
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Definitions

  • the present invention relates to an ethnoquino resin composition and an ethnoquino resin composition suitably used for semiconductor devices.
  • triphenyl epochino a polyfunctional epochino
  • the warp when the crow transition temperature is cooled to room temperature after the molding temperature is reached is reduced (Example 2-37). (See No. 8 6 3) ⁇
  • the semiconductor device becomes 2600 ° C or larger, depending on whether the substrate is in the riffing process.
  • it is usually a problem of adding a hydroxylated flame retardant. Depending on the type of flame retardant, there is a problem that the warpage at ⁇ 0 will be large.
  • the factor that increases the warp at 2600 ° C is called the glass transition). (That is, ⁇ 2 below the resin above Tg) becomes larger, resulting in a line between the substrate and the resin, and the warpage of the semiconductor device becomes larger.
  • the first embodiment of the present invention is selected from among Ehoquino resin and Tetrafunctional Ehoquino resin.
  • A At least two f * groups in one molecule
  • B Ehoquino resin characterized by containing a compound (C) having at least a to group in one molecule and a machine filler (D).
  • the trifunctional epoxy resin is used.
  • the compound (C) having at least one group per molecule or the following general formula (3) is preferable.
  • At least two of the curing agents (B) or the following formulas (4), (5) and / or those in the molecule are preferable.
  • the present first embodiment it is 65 to 85% by weight of the machine filler (D) resin resin composition.
  • the compound further contains a compound (E) having at least two rings.
  • the compound having at least two compounds (E) or the compound having at least two molecules per molecule is preferable.
  • At least one selected from the group consisting of the hardener (F) lead and zinc arsenate is selected.
  • At least one agent (H) selected from a phenolic hydroxide metal complex and a metal oxide is further contained.
  • the phenolic hydroxyl group is preferably HESFENO / RE A HIS FUENO NORE F or HIS FUENO.
  • the metal complex and the metal may be MnFeCoCoCuNnAl or S.
  • the metal complex, the naphthenic acid complex, the acetyl acetylate complex, or the non-nose is preferred.
  • the line above the force lath transition temperature is preferably the value of the value of the linear expansion coefficient ⁇ 1 below the crow transition temperature.
  • accelerator ( ⁇ ) it is preferable to further contain the following general formula (7) accelerator ( ⁇ ).
  • [P is a rhino atom R L 0 RHR i 2 and R] 3 is an aromatic group or alkyl group is an aromatic group B t- tel group Sulfono group Sulfite group Carbonyl substituent or number of carbon atoms Divalent f composed of 1 to 1 3 indicates the number 0 ⁇ f ⁇ l]
  • the second aspect of the present invention is a semiconductor device mounted on one side, and this semiconductor device is mounted.
  • BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Best Mode for Carrying Out the Invention A semiconductor device characterized in that it is an Ehokino resin composition or a composition, and is cured after molding the area mounting type semiconductor device up to 230 ° C.
  • the present invention relates to a trifunctional epoxy resin and a tetrafunctional epoxy resin (A) at least one kind of epoxy resin (A) one molecule of a ephokine group and a curing agent ( ⁇ ) having a group opposite to * a group. It contains a compound having a copper group (C) as a main component, and the Epochino resin composition is small in warping after molding in a mold semiconductor device or in solder processing, and excellent in warping at low temperatures assuming testing. It is about providing semiconductor devices that are Epochino resin.
  • the molecular weight of the molecular structure is particularly limited.Hisphenol A type epoxide resin Hyphenol F hyphenol type epoxide resin Hiphenyl type epoxy aralkyl type epoxy resin Stilgeno type epoxy chloroquine type ⁇ ⁇ Clenol nohola Noc naphthaleno type Ehoquino resin Triphenol methanol type Rugeno-modified phenol type Epoxy resin Resin or naphthol compound hydroxyl group is treated with anti-hydroquino compound olefino with peracid to epoxido-epoxy resin, linono-ester type epoxy-quino resin, eno-epoxy resin, etc. Use one of these in combination Come over.
  • the ephokino resin (A) is preferably a trifunctional epoxy quino resin represented by the formula (2) or a tetramorphic ethano quino resin represented by the formula (2) or one or more of them. That's right. These resins have a coefficient of linear expansion above the crow transition temperature (hereinafter referred to as ct 2) or a low transition temperature. If the transition temperature is low, the warpage of the body device increases beyond the glass transition temperature.
  • the trifunctional epoxy resin that is preferred as the epoxy resin (A) is selected as the epoxy resin represented by the tetrafunctional epoxy resin as the epoxy resin (A).
  • Those pre-notched with Ehokino resin are also preferred.
  • Eho 0% represented by the above formula (2) is mixed with 40 to 60% of Ehoquino resin of the following formula (17) in a proportion of 30 to 50% (A) Preferred for use as.
  • k represents the number of Ehokino greaves, and k is more preferably about 2 to 10 or more The average number of repetitions of the fat unit in the above formula (1) By making 0 to 10 or a in the above range, the Ehoquino resin composition is improved.
  • the curing agent (B) having at least two groups in one molecule used in the present embodiment acts as the above-mentioned ephino resin (function), and there are no phenol groups in one molecule. If there are two or more, there is no limit.
  • curing agent (B) examples include phenol resin, phenol resin, resin resin, resin resin, vinyl aralkyl resin, resin, vinyl resin, quino-reno modified resin.
  • the hardener ( ⁇ ) is particularly difficult to maintain warpability of the semiconductor device, and the hardener ( ⁇ ) is represented by the above formula (4) or the halalose anilino ((5) It is preferable to use either one or two of the phenol aralkyl resins represented by the following formula and the above-mentioned hi-phenyl aralkyl resins.
  • the warpage suppression effect becomes smaller by becoming larger
  • c represents a phenolic resin unit and is preferably 0 to 10 or more.
  • e in the above formula (and the above formula (6) represents the number of repetitions of the Fenno average.
  • D and e are each preferably about 1 to 5 or more preferably.
  • At least two compounds (C) used in the molecule are not particularly limited to two or more no-unidentified groups.
  • Examples include halo compounds. It can be obtained by phenol having two or more phenolic hydroxyl groups. Specific examples of these are listed as follows: Nool A type noanate resin Hyphenol E type Arthur trametyl hisphenol F type Noanate resin, etc. In order to reduce ⁇ 2 more, it is preferable to use a photo resin.
  • a hydrogen group, a propyl group, a butyl group, a hydroxyl group, an amino group, a phthalic acid group, and a phenyl group are preferable. As a result, the color becomes smaller by 2 and the warpage of the semiconductor device becomes smaller.
  • the machine filler (D) used in the present embodiment is particularly limited or an example is a fusion force, a crystal force, or a talcum, and the most preferable one is a sphere.
  • These machine fillers may be used alone, and the ratio of the ratio is 10 to 4 is difficult to warp when crow freque or semiconductor device is used;
  • One of these, or the ratio of the masks that can be used in combination, 10 to 4 can be listed as glass flakes or crows.
  • the ratio of the average particle diameter is greater than the average thickness and average particle diameter. If it is less than ⁇ m, the temperature when the resin is melted rises and flows.
  • the average particle size is more preferably 50 / zm or less.
  • the Ehokino resin composition is molded and then allowed to stand for the molding temperature for complete curing.
  • the temperature condition at that time should be at least 1 hour, especially from 1900 ° C to 230 ° C for 4 hours.
  • the crow transition temperature can be determined. However, the transition temperature does not improve at 2 30 ° C or higher for more than 12 hours.
  • a curing accelerator is used in this embodiment, or the one that promotes the crossover between the resin and the phenolic resin is 1 8 — Noasahink (54 0)
  • Unotese Hinkroalkeno and its Derivatives Triphenylphenylphosphonium tetrophenyl phosphonates and other imidazole compounds such as 2-methylimidazole are not limited. These may be used alone or in combination with a catalyst such as a toner or naphthenic acid cohalt which promotes the reaction between the nonate resin and the epoxide resin, and is not limited thereto.
  • Preferred Shononyumkathiono was synthesized from tetraphenyl-substituted phospholinolemethylphosphine and triarylenophosphine as tetraphenylphosphorylphosphonium.
  • Triaryl monoalkyl phosphonium Tetraalkyl-substituted phosphonium and phenolic water-containing phenols that form a curing accelerator (H) have an aromatic group such as phenyl naphthaleno.
  • Methyl group Ethyl group Ter group Sulfone group Snoresulfite group Forced phenyl group etc.
  • the curing accelerator (H) is a base that aids the hydrogenation of the funinol compound as described above, such as alkali metal hydroxides such as sodium hydroxide and hydrinotrioxy bases.
  • alkali metal hydroxides such as sodium hydroxide and hydrinotrioxy bases.
  • La-substituted phosphonium mutarate and phenol Synthesizing by curing in a solvent such as alcohol.
  • Does the curing accelerator (H) have a phosphonium salt in the structure as described above? Or is it different from the conventional phosphonium compound? H) Is the proton or higher-order structure due to hydrogen bonds involved? As a result, both good fluidity and sufficient curability are achieved.
  • Coloring agent typified by release agent Carhonoblano
  • each component is mixed, kneaded and kneaded with a roll, and then cooled and pulverized.
  • the flame retardant (F) used in the present embodiment should be selected from molybuteno and zinc borate (F-2) and must be at least 1 flammable at high temperatures (especially above the glass transition temperature). Demonstrate. Zinc polybutenoate (F—1) When the boric acid sub-diameter is larger, the flame retardant effect is smaller, and the average particle diameter is 1 / Further, the Ehokino rosin composition is molded, and then allowed to stand for the molding temperature for complete curing. At that time, the temperature condition should be at least 1 hour, especially 1 90 ° (: ⁇ 2 30 ° C for 4 hours. The glass transition temperature can be adjusted by increasing the processing temperature. 2 3 0 Even if left for more than 12 hours, it will not improve.
  • the Ehoquino resin composition according to the present embodiment further uses a chemical accelerator (G).
  • Curing accelerators compounds having an enolic hydroxyl group, metal complexes and at least one metal, for example, phenolic hiss / phenols, phenols / non-phenols, phenols such as phenols / non-phenols, etc.
  • Class M n F e C o ⁇ Metal of A 1 or Sn Metal complex or metal acid containing a child
  • Zinc pentate Naphthenic acid Cohal succinate Tobisacetylase Tocohardt II) Tritokonoreto (in) Hueguchi Kohanol Tocechinore Metal complex and metal oxide of aluminum oxide are particularly preferred
  • the blending amount of (G) is an appropriate amount according to the respective curing characteristics, or two or more of these catalysts may be combined. Hisphenol S and A 1 complex Hisphenol S and C Are imidazolol compounds listed? Limited to these These may be used alone or in admixture.
  • a release agent such as Kayou Nox and Synthetic Nox can be added as appropriate.
  • the individual hexanoxano (E) can repel the amino compound and the articulate having a phenolic hydroxyl group in a solvent or in a solvent.
  • the amino compound is
  • formartites examples include haloformarthetohenosartite, which is a formalin polymer of form.
  • solvents examples include methyl ethyl ketone rho, nor / le 2 —pronozno / le 1 —buta nore 1 ethylenomono monomethyle nore nole It can be used alone or as a mixed solvent.
  • At least two hexanoxanones (E) used in the present invention are formed by adding 1 mol formaldehyde to the phenol of the compound having a phenolic hydroxyl group, and after completion of the reaction, the solvent is distilled off. In this embodiment, it is necessary to remove the component of t and remove the component of t.
  • flame retardants other than zinc molybdate for example, brominated Hokino resin acid
  • Canopuri Nogg agent Colorant typified by blanks such as Tenno Nox and Synthetic Nox etc. can be added as appropriate [Example]
  • the Ehokin according to the first embodiment of the present invention will be specifically described below.
  • the present embodiment is not limited to these.
  • the blending ratio is parts by weight.
  • Ehokino resin quino resin (A-1) (Noyaha Epokin Lennon Co., Ltd.) whose main component is the following formula (12) T—90 Melting point 6 5 ° C plus 1 repeat unit. )
  • crystal filler (D—1) average particle size of 30 ⁇ ! ⁇ 60 ⁇ or 90% by weight
  • imitanol Shikoku Chemicals
  • Koharu Tocetylase Tonerto Co., Ltd. Koreano Chemical Co., Ltd. Release agent Karunaha Nox (Manufacturer Nikku Brand Name Niko Kocarnaha) Colorant Kaho Moto Mitsubishi Chemical Co., Ltd. )
  • Product name Carphone # 5 GPS manufactured by Canon Inc. —
  • Curing accelerator 1 (Imidanol)
  • Curing Accelerator 2 (Kohart Acetyl Toner Toner) Mold Release Agent (Kalhanawa Nox)
  • the crystal grain force (D-1) used was measured by using a local laser diffraction type particle size distribution measuring apparatus SALD-70 length 4 05 nm).
  • the value measured as the displacement in the height direction was taken as the amount of warpage
  • the measurement temperature was — 5 5 ° C 2 5 ° C 1.
  • the value of the warp in all temperature ranges was ⁇ 40 0 ⁇ or less was taken as ⁇ 6 0 0 / zm or less as ⁇ 8.
  • Example 1 1 The components other than 1 were Ehoquino resin and a phenalkylaralkyl-type Epochino tree having the formula (1 3) HP 4 7 70 Ehokino Equivalent 1 4 1) Naphthalenonolano-type Epoxy Oil (A—5) ESN— 3 7 5 Ehokino Equivalent 1 7 3) Curing Agent Formula (14) (B — 2) (Kanto Chemical Co., Ltd., NO (hose) NH 2 equivalent: L 0 1) The king ingredient or the above-mentioned normal aralkyl resin (B— 3) (Mitsui Chemicals, Inc.) Hydroxyl equivalent 1 7 2 Softening fortification 7 7 ° C and repeat average value)) or king component or formula (6) with alkyl-type phenolic resin (B-4) (Maywa Kasei Co., Ltd.) ) 5 1 ss Hydroxyl equivalent 1 9 9 Softening 6 8 ° C and e is an average value of 3) Noane as shown in the following formula
  • Ehoquino resin may be a king ingredient or the above formula (1) 3) and a curing agent having the formula (4) as a king ingredient may be at least two no-frequent groups.
  • the degree of accuracy (NZ g) was calculated. The reciprocal of this value or phosphoni equivalent.
  • BPS—N (4, 4, monohistophenol S was added to the king ingredient g (0 3 mol) methanol 100 m 1 in a 1-liter sehalable flask equipped with a stirrer. A solution of sodium oxide in 40 g (0 50 m 1 of methanol) was added. Next / Lephosphonium Promite 4 1 9 g (in 0 1 mol of methanol The solution in the flask was added dropwise, and then the solution in the flask was added dropwise from the bottom to obtain a white precipitate, which was filtered and dried to obtain O g.
  • Examples 1 to 8 Examples 1 to 1 to 1 except for 7 to 7
  • the above-described curing accelerator (H-1) is used, and Alumina hydroxide (Sumitomo Chemical Co., Ltd. 3) was used as a flame retardant and blended according to Table 1.
  • Epochino resin composition was prepared by kneading in the same manner.
  • Example 1 1 1 to 1-8 were favored with good warpage results. Comparative Example 1 1 1 was warp and large in flame retardancy. Comparative Example 1 1 2 using aluminum hydroxide was larger than the flame retardant warp.
  • the epoxy resin composition according to the present embodiment is excellent in flame retardancy and is particularly useful for application to an area-mounted semiconductor device or the like that is particularly excellent in temperature shock resistance. Is this epochino tree according to the embodiment specifically described? This embodiment is not limited thereto.
  • the blending ratio is parts by weight.
  • Kino resin (A-1) Noyahanoe Epoxy Norenone Co., Ltd. H Occupied 105, C Epochino equivalent 1 9 3) Noane in one molecule
  • Noanoate resin (C-11) CT-90 manufactured by Ronosa Co., Ltd., where the number of repeating units 1 is 3 and shows an average value.
  • D-1) average particle size 4 2 / zm particle size 3 0 90 4 4% by weight
  • Zinc polybutenoate as flame retardant Hisphenol S (G-1 as accelerator)
  • Shihikoku Kasei Haltocetylacetonate (G—5) Koreano Chemical Co., Ltd. as a release agent, Carnaha Nox colorant, Kano Nopling, GPS-M, manufactured by Chino Corporation
  • the ratio was blended.
  • Hyphenyl type epoxy resin (A— 1) Mold release agent (Kalhanawa Nox)
  • the crystal grain force (D-1) used was measured by using an average grain racer diffraction type particle size distribution measuring device SALD-one wavelength 4 0 5 nm).
  • the above components were mixed by mixing at room temperature, kneaded by a 7 roll, cooled and pulverized, and the epochino resin composition was evaluated by the following method. Show.
  • Example 2 Ingredients other than 1 were Epochino resin and the formula (1 3) Hif-2 aralkyl-type Ehokino tree manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. NC— 3 0 0 0 P Softening 6 0 ° C Naphtalenonoholanoc type Ehoquino Resin (A—5) (manufactured by ESN—3 75 Epochino Equivalent 1 7 3)
  • the above formula (11 2) Ronosa PT—60 0 or j is an average value of 3)
  • As a filling material for filler-2) Nippon Sheet Glass Co., Ltd.
  • RCF 1 4 0 A Particle size 4 5 zm
  • Comparative Example 2-1 In this example, the flame retardant was removed from Example 1. Comparative Example Example 2-The flame retardant was sprinkled from 1 to form a spherical filler.
  • Example 2-1 Using (average particle size of 15 ⁇ m), the composition was blended according to Table 2, and the ratio 2 and kneading were conducted in the same manner as in Example 2-1 to evaluate the Ehoquino resin. Item 2-1 2-2 2-3 2-4 2-5 2
  • Epochino tree according to the third embodiment of the present invention The method of sushi is also limited to anti-it temperature and anti-ft time.
  • Hef resin (A-1) (of Noyahan Ehokinorenone Co., Ltd.) ⁇ 1 0 5 ° C Ehokino equivalent 1 9 3) Hardener Hardener (B-1) (Maywa Kasei Co., Ltd. MEH 110 ° C Hydroxyl equivalent 9 7
  • Addition number of repeating units c 1 At least 2 nonate groups per molecule (9)
  • Noholanoc type noanate resin (C-1) T-90 Occupied 65 5.
  • C and the number of repeating units j is) At least two hennoxanone rings are Blended.
  • a compound having at least two heteronoxano rings Crystalline force (D) Octadecide 1 (Imidanol)
  • Curing Accelerator 2 (Kohart Acetyl Toner Toner) Mold Release Agent (Kalhanawa Nox)
  • the crystal strength (D-1) used was measured by using an average grain sizer diffraction type particle size distribution measuring device SALD—single wavelength (405 nm).
  • Example 3-1 Ingredients other than Example 3-1 were Ehoquino resin and Hiphenylaralkyl-type Epochino tree represented by the formula (1 3) NC— 3 0 0 0 ⁇ Softening 6 0 ° C 2 However, the number of repeating units k is 3 and shows the average value.
  • Ehoquino resin represented by the formula (1) (A-3) (Equivalent to NOHAHANOE E-10100 2 H60 Melting point 5 6 ° C Ehoquino equivalent Repeating unit number a is 0.)
  • the above formula (Leno-type tetrafunctional ephokine resin (A-4) (Dai Nippon Printing (70 Ehokino equivalent 1 4 1)) Nac-type Epochino resin (A-5) shown in the following formula (1 0) (Nippon Chemical Co., Ltd.) E-Pokino Equivalent 1 7 3)
  • the king ingredient or the above formula (Maywa Kasei Co., Ltd.
  • Arthur resin shown (C-2) (Lonosa's number of repeating units j is 3 and shows the average value.)
  • Comparative Example 3-1 is Example 3-1 from Nopolanok type Arthur 1) When at least two Henoxoxanone rings are removed and Koharu Toxylacetate is excluded Comparative Example 3 — Noholanonok type Noanate Resin (C-1) is a compound having a hexanoxanone ring ( ⁇ -1) and a ruthetonate as a difficult agent. TJP2006 / 319816
  • Examples 3 — 1 to 3 — 8 all had good warpage results.
  • Comparative Example 3-1 warpage was large and flame retardancy was also high.
  • Comparative Example 3-2 which used aluminum hydroxide, the results showed that the warpage was greater.
  • the epoxy resin composition according to the present embodiment is also excellent in flame retardancy, and is particularly useful for application to an area mounting type semiconductor device that is excellent in temperature shock resistance.

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Abstract

エリア実装型半導体装置での成形後や半田処理時の反りが小さく、さらに温度サイクル試験等の低温時での反りも小さく、難燃性、耐半田クラック性、流動性に優れるエポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置を提供する。半導体装置に使用されるエポキシ樹脂組成物は、三官能エポキシ樹脂及び四官能エポキシ樹脂の中から選択される少なくとも1種のエポキシ樹脂(A)、1分子内に少なくとも2個の水酸基を有する硬化剤(B)、1分子内に少なくとも2個のシアネート基を有する化合物(C)、及び無機充填剤(D)を、必須成分として含有する。

Description

明 細 書 ェポキ ノ樹脂組成物及ひ半導体装置 技術分野
本発明は エホキノ樹脂組成物及ひ半導体装置に関 装型半導体装置に好適に用いられるエホキノ樹脂組成 に関する。 背景技術
近年の電子機器の小型化 軽量化 高機能化の市場 導体の高集積化か年々進み また半導体装置の表面実 中て 新規にェリ ァ実装型半導体装置か開発され 従 置から移行し始めている。 ェリァ実装型半導体装置と ノ ト ア レイ （以下 B G Aという） 或いは更に小型化 サイスハ ノ ケ一 ノ （以下 C S Pとレ、う） か代表的てあ 来 Q F P S O Pに代表される表面実装型半導体装置 ている多ヒ ノ化 高速化への要求に対 i するために開 る。 構造と しては ヒ スマ レイ ミ ト ト リ ア ノン （以 榭脂 銅箔回路基板に代表される回路基板の片面上に し その半導体素子搭載面 即ち基板の片面のみかェ か発生しやすい。 半田接続時には半導体装置か 2 3 0 温度にさ らされる し 温度サイクル試験等においては さらされる事もある。 その際に反り量か大きく なると り導通不良か発生したり 樹脂部にクラ ノクか入りそ し配線を切断したりするこ とかある。 反りの低減の検 て行われており例えは ト リ フエニル型ェポキノある 多官能ェポキノを用いカラス転移温度を成形温度以上 後 常温まて冷却した際の反りは低減されている （例 2— 3 7 8 6 3号公報参 。 ) カゝ その後基板をリ フ 工程かあるこ とを踏ま 半導体装置を 2 6 0 °C雰囲気 か大き く なる。 また難^性を確保するため通常水酸化 難燃剤を配合するか 難燃剤の種類によっては ^ 0でての反りか大き く なる問題かあつた。
特に 2 6 0 °Cて反りか大き く なる要因はガラス転移 いう） か低いこ とにある。 つま り T g以上ての樹脂 下 α 2 という） か大きく なるため 基板と樹脂との線 きく なり半導体装置の反りか大き く なる。 吸水率を低 gを上け さ らに T g以上ての α 2か低い半導体封止 成物てあって 難 性を確保しつつ 耐半田クラ ノク性 — 5 5 °C〜 2 6 0 °Cにおいて低反り てある新しい半導 榭脂組成物の開発か 務てあつた。 にある。 発明の開示
上述の目的を達成するために 本発明の第 1 の態様 エホキノ樹脂及ひ四官能エホキノ榭脂の中から選択さ 種のエホキ ノ樹脂 （A) 1分子内に少なく と も 2個 f *する基を有する硬化剤 （ B ) 1分子内に少なく と ト基を有する化合物 （C) 及ひ 機充填剤 （D) を 含有することを特徴とするエホキノ樹脂か提供される。
本第 1 の態様において 前記三官能エホキ ノ樹脂か されるものてあるこ とか好ま しい。
Figure imgf000004_0001
o
CH2
Figure imgf000005_0001
本第 1 の態様において 前記 1分子內に少なく とも 基を有する化合物 （ C) か下記一般式 （ 3 ) で表さ とか好ま しい。
Figure imgf000005_0002
[式中 R i R gは それそれ 水素原子 メチル 本第 1の態様において 前記ガラスフ レークはァス
4 0てあることか好ましい。
本第 1の態様において 1分子内に少なく と も 2個 前記硬化剤 （B) か下記式 （4) (5) 及ひ 又は ものてあるこ とか好ま しレ、。
Figure imgf000006_0001
[式中 。 は 0〜 1 0てある。 ]
Figure imgf000006_0002
Figure imgf000007_0001
[式中 e は 1 〜 1 0てある。 ]
本第 1 の態様におレ、て 前記 機充填剤 ( D ) ノ樹脂祖成物の 6 5重量％〜 8 5重量％てある
本第 1 の態様におレ、て さ らに 少なく と も 2 環を有する化合物 ( E ) を含有するこ とか好ま し
本第 1 の態様におレ、て 前記少なく と も 2個の 有する化合物 （ E ) か 1分子內に少なく と ち 2個 を有する化合物てあるこ とか好ま しレ、。
本第 1 の態様におレ、て さ らに 難^剤 ( F ) 鉛及ひホゥ酸亜鉛から選はれる少なく と も 1種を レヽ
本第 1 の態様において 前記 te機充填剤 （D ) と前 含有量か前記エホキ ノ樹脂組成物の 6 5重量％〜 8 5 の含有量か前記ェポキ ノ樹脂組成物の 6 5重量％〜 8 とか好ま しい。
本第 1 の態様において さ らに フ エノール性水酸 金属錯体及ひ金属酸化物から選はれる少なく と も 1種 剤 （H ) を含有することか好ま しい。
本第 1 の態様において 前記フ エノール性水酸基を ヒ スフエ ノ ー/レ A ヒ ス フエ ノーノレ F又はヒ ス フエ ノ か好ま しい。
本第 1 の態様において 前記金属錯体及ひ前記金属 か M n F e C o Ν ι C u Z n A l 又は S ま しい。
本第 1 の態様において 前記金属錯体かナフテノ酸 錯体 ァセチルァセ トナー ト錯体又はノク 口へノ ンエ とか好ま しい。
本第 1 の態様において 力ラス転移温度以上ての線 は カラス転移温度未満ての線膨張係数 α 1 の値の 2 か好ま しレ、。
本第 1 の態様において さ らに 下記一般式 （ 7 ) 進剤 （Η ) を含有することか好ま しい。
Figure imgf000008_0001
[ Pはリ ノ原子 R L 0 R H R i 2およひ R】 3は置 の芳香族基 またはアルキル基 は芳香族基 B t 一テル基 スルホノ基 スルフイ ト基 カルホニル基 の置換基または炭素原子数 1 〜 1 3て構成される 2価 f は 0 < f < l の数を示す ]
上述の目的を達成するために 本発明の第 2の態様 片面に半導体素子か搭載され この半導体素子か搭載 実質的に片面のみかエホキノ樹脂組成物を用いて封止 実装型半導体装置てあって 該エホキノ樹脂祖成物か 組成物てあり そのエリ ァ実装型半導体装置の成形後 〜 2 3 0 °Cて硬化させたことを特徴とする半導体装置 発明を実施するための最良の形態
本発明は 三官能ェポキノ樹脂及ひ四官能ェポキノ される少なく と も 1種のェポキノ樹脂 （A) 1分子 個のエホキン基と反 / *する基を有する硬化剤 （Β ) と も 2個のノアネー ト基を有する化合物 （C ) 及ひ を 須成分と して含有し 該ェポキノ樹脂祖成物を 型半導体装置ての成形後や半田処理時の反り か小さく 験を想定した低温時の反り に優れるェポキノ樹脂祖成 た半導体装置を提供すると ころにある。 てあり その分子量 分子構造は特に限定するものては ヒ スフエ ノール A型ェポキ ノ樹脂 ヒ スフエ ノール F のヒ スフエノール型ェポキノ樹脂 ヒ フェニル型ェポ ニルァラルキル型エホキ ノ樹脂 スチルへノ型エホキ ルノホラ ノク型エホキノ榭脂 ク レノールノホラ ノク ナフタ レノ型エホキノ樹脂 ト リ フエノールメ タノ型 ルへノ変性フエノール型ェポキノ樹脂 ハイ ト ロ キノ ノ ノンク ロへノタ ノエン型ェポキノ樹脂及ひノヒ ト ロ キ キノ樹脂なと フエノール類ゃフエノール樹脂やナフ ェノール化合物の水酸基にェヒ ク 口 口 ヒ ト リ ノを反 ホキノ化合物 ォレフイ ノを過酸によ り酸化させェポ ェポキノ樹脂 グ リ ノノルエステル型エホキノ樹脂な アミ ノ型ェポキノ樹脂等か挙けられ これらのう ちの を組み合わせて用いるこ とかてきる。
これらの中ても 前記エホキノ樹脂 （A ) は 特に 表される三官能ェポキ ノ樹脂 及ひ前記式 （ 2 ) て表 型四官能エホキノ樹脂のいすれか 1種又は 2種類以上 のを用いるのか好ま しい。 これらの樹脂は カラス転 たカラス転移温度以上での線膨張係数 （以後 ct 2 ) か ス転移温度か低いと ガラス転移温度を超 た温度に 体装置の反り か大きく なるため てきるたけ高いカラ のもエホキ ノ樹脂 （A) と して好ま しい三官能エホキ た エホキ ノ樹脂 （A) と して四官能エホキ ノ榭脂て て表されるエホキ ノ樹脂か選択される場合 このエホ く 他のエホキノ樹脂とのプレノ ト されたものもエホ して好ま しい。 例えは 前記式 （ 2 ) て表されるエホ 0 % 下記式 （ 1 7 ) のエホキノ樹脂を 4 0〜 6 0 % のエホキ ノ樹脂を 3 0〜 5 0 %の割合て配合したも ( A) と して使用するのに好ましい。
Figure imgf000011_0001
[式中 g hは重合度を示し その共重合比 （重量％) 5 0〜 8 0 2 0てある。 ]
Figure imgf000011_0002
Figure imgf000012_0001
また 下記式 （ 1 3 ) における kは エホキノ榭脂 返し数を表している kは 2〜 1 0程度てあるのか 程度てあるのかよ り好ま しい 前記式 （ 1 ) における 脂単位の平均の繰り返し数を表しており 0〜 1 0か a を前記範囲とすることによ り エホキノ樹脂祖成物 上する。
Figure imgf000012_0002
本実施の形態に用いる 1 分子内に少なく と も 2個の する基を有する硬化剤 （ B ) は 前記エホキ ノ樹脂 （ て作用 （機能） するものてあり 1 分子内にフエ ノー ノ基なとを 2個以上有するものてあれは制限はないか 物は除外する。
前記硬化剤 （ B ) と しては 例 は フエノールノ レノールノ ホラ ノ ク樹脂 ヒ スフエ ノ一ル榭脂 フエ 樹脂 ヒ フエニルァラルキル樹脂 ト リ フエ ノ ールメ 樹脂 キ ノ リ レノ変性ノホラ ノ ク樹脂 テルへノ変性 ノンク ロへノタ ノエノ変性フ エ ノ ーノレ樹脂 ノア ミ ノ ノ ナフタ レン ノア ミ ノ フノレオレン ハラ ロースァ - とか挙けられ これらのう ちの 1種又は 2種以上を祖 ことかてきる。
これらの中ても 難^性を維持し半導体装置の反り ては前記硬化剤 （ Β ) は 特に 前記式 （ 4 ) て表さ 脂や下記式 （ 1 4 ) て表されるハラロースァニリ ノ （ ( 5 ) て表されるフエノールァラルキル樹脂及ひ前記 る ヒフヱニルァラルキル樹脂のいすれか 1種又は 2種 るものを用いるのか好ま しい。 他の榭脂を用いた場合 下や α 2か大き く なることて反り抑制効果か小さ く な
Figure imgf000013_0001
前記式 （ 4 ) における c は フエノール榭脂単位の を表しており 0〜 1 0か好ましい。 また 前記式 （ 及ひ 前記式 （ 6 ) における e は それそれ フエノ 均の繰り返し数を表している。 d及ひ e は それそれ あるのか好ま しく 1 〜 5程度てあるのかよ り好まし を それそれ 前記範囲とするこ とによ り ェポキ ノ 性の低下か好適に防止又は抑制される。
本実施の形態に用いる 1分子内に少なく と も 2個の する化合物 （C ) と しては 2つ以上のノア不一 ト基 れは 特に限定されるものてはないか 例 は ハロ 物と 2つ以上のフエノール性水酸基を有するフエノ せるこ とによ り得ることかてきる。 これらの具体例と ノール A型ノアネー ト樹脂 ヒ スフエノール E型ノア トラメ チルヒスフエノール F型ノアネー ト樹脂等のヒ ァ不一 ト榭脂や ノポラ ノク型ノアネー ト樹脂等を挙け これらの中ても よ り α 2を低減する う えては ノホ ト樹脂か好ま しい。
前記ノホラ ノク型ノア不一 ト榭脂と しては 下記一 れるものか挙けられる。
Figure imgf000014_0001
[式中 R , 〜 R 9は それそれ 水素) ¥子 メチル基 ヒル基 フチル基 水酸基 アミ ノ基 フタル酸 舰 ェニル基の中から選択される 1種を示し 互いに同一 ていてもよレヽ。 bは 0 〜 ： L 0てある。 ]
これらの置換基 R 1〜 R 9と しては それそれ 水素 ェチル基 プロ ヒル基 プチル基 水酸基 アミ ノ基 フタル酸及ひフェニル基か挙けられるか これらの中 子 メチル基てあるのか好ま しい。 これによ り カラ のひ 2か小さ く なり 半導体装置の反りか小さ く なる。
本実施の形態に用いる 機充填剤 （D ) は特に限定 か 例 は 融ノ リ力 結晶ノ リ 力 タルク アル か挙けられ 最も好適に使用されるものと しては 球 ある。 これらの被機充填剤は 1種類を単独て用いて しても差し支えない また ァスヘク ト比か 1 0〜 4 例 はカラス フ レ一クか半導体装置と した場合の反り 難；^性においても好ましい これらのう ちの 1種又は わせて用いるこ とかてきる ァスへク ト比か 1 0〜 4 は ガラスフ レークやカラス フアイハ一 マイ力 ク か挙けられる
ァスヘク ト比は平均厚みと平均粒径よ り平均粒径ノ μ m未満ては 樹脂か溶融した時の坫度か上昇し 流 する。
さ らには 平均粒径 5 0 /z m以下かよ り好ましい。 また該エホキノ樹脂組成物を成形し その後成形温 時間放置し 完全硬化させる。 その際の温度条件は 1 間以上てあれはよく 特に 1 9 0 °C〜 2 3 0 °Cて 4時 ま しい。 処理温度を高くすることてカラス転移温度を とかてきる。 但し 2 3 0 °C以上て 1 2時間以上放置 転移温度か向上することはない。
さ らに本実施の形態には硬化促進剤を用いることか ノ樹脂とフエノール樹脂との架楛反/ を促進するもの は 1 8 — ノアサヒ ンク 口 （ 5 4 0 ) ウノテセ ヒ ンク ロアルケノ及ひその誘導体 ト リ フエニルホス ェニルホスホニゥム テ トラフヱニルホ レー ト塩等の 2 —メチルイ ミ ダノール等のイ ミ ダノール化合物か挙 らに限定されるものてはない。これらは単独ても混合 またノアネー ト樹脂とェポキノ樹脂の反 を促進する ァセ トナー ト ナフテン酸コハルト等の触媒を併用し く これらに限定されるものてはない。
さ らに 本実施の形態ては 前記一般式 （ 7 ) て示 ラ置換ホスホニゥムとフエノール化合物との分子会合 のと考 られる。
このよ うな構造をと り得るホスホニゥムィオノと し 被置換のァリール基やアルキル基を置換基と して有す ホニゥムィオノか や加水分解に対して安定てあり R 1 3と しては 例 は ヘン ノル基 メチル基 ェチ 基 n—ォク チル基 ノク ロへキンル基 ナフチノレ基 一プチノレフエ二/レ基 2 6 —ノメ トキノフエ二ノレ基 チルフエニル基の各種異性体 メ トキノフエニル基の 口キ ノフヱニル基の各種異性体等か挙けられる。 好ま スホニゥムカチオノと しては テ ト ラフェニルホスホ リ ルホスホニ ゥムな とのテ ト ラァ リ ール置換ホスホニ ノレメ チルホスニ ゥムなとの ト リ ア リ ーノレホス フ ィ ンと から合成された ト リ ァリールモノアルキルホスホニゥ ホスホニゥムなとのテ トラアルキル置換ホスホニゥム また 硬化促進剤 （H ) を形成するフエノール性水 ノ ト ァニオノに含まれる は フエニル ナフタ レ ノ等の芳香族基を有し はメチル基 ェチル基 テル基 スルホン基 スノレフイ ト基 力ルポ二ル基等 — のフエ ノ ーノレ化合物と しては ヒ ス フエ ノ ール
( 4 — ヒ ト ロ キ ノフエ二ノレ） プロハン） ヒ ス フエノ —メ チレンヒ ス フエ ノーノレ 2 4 ， 一メ チ レノ ヒ ス メ タ ノ ノなと のヒ スフエノ ール類 4 4 ， ー ヒ フエ ー ヒ フエ ノール 3 3 ， 5 5 ーテ トラメチノレヒ 2 — ヒ ス （ 4 ー ヒ ト ロキ ノフエニル） なとか例示され の安定性や硬化性 硬化物物性の占て ヒ スフエノー 一ノレ F ( 4 4 ， 一メチレンヒ スフエ ノ ーノレ 2 , 4 フエ ノール 2 2 —メ チレノヒ スフヱノ ールや 製ヒ スフエ ノ ール F— Dのよ う なこれらの異性体混合 フエ ノーノレ S 4 4 ， ー ヒ フエ ノ ーノレ 2 2 — ヒ ノフヱニル） か好適てある。
硬化促進剤 （H ) は 前述のよ うなフニノール化合 ロゲン化水素を助ける塩基 例えは水酸化ナ ト リ ウム なと のアルカ リ金属水酸化物や ヒ リ ノノ ト リ ェチ 機塩基をアルコールなとの溶媒に溶解し 続いて適当 前記テ トラ置換ホスホニゥムのハライ トを 加し反 /ΪΓ は再結晶や再沈殿なとの操作によ り 固形分と して取り ラ置換ホスホニゥムテ トラ置換ホレー ト とフヱノール アルコールなとの溶媒中て加埶反; tさせる方法て合成 硬化促進剤 （H ) は 前述のよ うにホスホニゥムー 塩を構造に有するか これか従来のホスホニゥムー有 の化合物と異なる 占は 硬化促進剤 （H ) ては フエ プロ ト ンか関与した水素結合による高次構造か この れによ り 良好な流動性と 十分な硬化性とか両立て さ らに本実施の形態においては 要に してモ リ ゥ酸亜鉛の難 剤 （ F ) カ ノプリ ノク剤 天然ヮ ノ クス等の離型剤 カーホノブラ ノ ク に代表される着色 8匕飞 め o
ェポキノ樹脂組成物とするには 各成分を混合後 ールによ り加埶混練し 続いて冷却 粉砕する。
本実施の形態のェポキノ樹脂組成物を用いて 半導 半導体装置を製造するには トラノスフ ァーモールト ノモールト イ ノノエク ンョ ノモール ト等の従来から 成形すれはよい。
以下本発明の第 2の実施の形態に係るエホキノ樹脂 細に説明する。
尚 本実施の形態に係るェポキノ樹脂組成物に含ま 上記第 1 の実施の形態に係るものと同一の組成を有す 同一の符号を用いて 重複した説明は省略する。
本実施の形態て用いる難^剤 （ F ) は モ リ ブテノ 及ひホウ酸亜鉛 （ F— 2 ) から選はれる少なく と も 1 燃性 高温時 （特にガラス転移温度以上） ての反り を を発揮する。 モ リ ブテノ酸亜鉛 （F— 1 ) ホウ酸亜 径か大き く なると難燃効果か小さ く 平均粒径は 1 / また該エホキノ榭脂組成物を成形し その後成形温 時間放置し 完全硬化させる。 その際の温度条件は 1 間以上てあれはよく 特に 1 9 0 ° (：〜 2 3 0 °Cて 4時 ま しい。 処理温度を高くすることてガラス転移温度を とかてきる。 2 3 0で以上て 1 2時間以上放置しても 度か向上することはない。
本実施の形態に係るエホキノ樹脂組成物は さ らに 化促進剤 （G) を用いることかてきる。 硬化促進剤 （ ェノール性水酸基を有する化合物 金属錯体及ひ金属 る少なく とも 1種か好ま しく 例えは フヱノール ヒ ヒ ス フエ ノ ー/レ F ヒ ス フエ ノーノレ S ノ 二/レフエ ノ ノホラ ノク等のフエノール類 M n F e C o Ν A 1 又は S nの金属; 子を含む金属錯体又は金属酸 中ても A 1 錯体 C o錯体 S n錯体 又は F e錯体 テン酸亜鉛 ナフテン酸コハル ト ォクチル酸スス ト ヒ スァセチルァセ トナー ト コハル ト （II) ト リ 一 ト コハノレ ト （in) フエ 口セン コハノレ トァセチノレ 金属錯体と酸化アルミ ニ ウムの金属酸化物か特に好ま
(G) の配合量はそれぞれの硬化特性に合わせた適量 また これらの触媒を 2種類以上組み合わせてもよい ヒ ス フエ ノール S と A 1 錯体 ヒ スフエ ノール S と C イ ミダノール化合物か挙けられるか これらに限定さ これらは単独ても混合して用いてもよい。
さ らに本実施の形態においては 要に^して カ 妖ヮ ノクス及ひ合成ヮ ノクス等の離型剤 カーホノフ る着色剤等か適宜配合可能てある。
以下本発明の第 3の実施の形態に係るエホキノ樹脂 細に説明する。
尚 本実施の形態に係るェポキノ樹脂組成物に含ま 上記第 1の実施の形態又は第 2の実施の形態に係るも 有するものについては 同一の符号を用いて 重複した 本発明に用いる少なく と も 2個のへノノォキサンノ ( E ) は ァミ ノ化合物とフ ノール性水酸基を有す アルテヒ ト類とを 溶媒中又は 溶媒において反/ さ 得ることがてきる。 前記アミ ノ化合物と しては 例え
/レア ミ ノ ェチルァ ミ ノ n —プロ ヒルア ミ ノ 1 — ノク ロへキ ノルァ ミ ノ トルイ ノノ ァ ミ ノナフタ レ ラセノ ェチニルァニ リ ノ ェチニルァ ミ ノナフタ レ ノアノ トラセノ ァ ミ ノ フエニルプロハギルエーテル ノプロハギル ア ミ ノアノ ト ラセノプロハギノレエーテ ェチニノレア二 リ ノ ェチ -ルァミ ノナフタ レノ ェチ ラセノ ァ ミ ノ フエニルプロハキルエーテル ァ ミ ノ ブチリデノ） ヒスフエノール 4 4 ， 一 （ 2 —ェチ ヒ スフエノール 4 , 4 ， 一メチリテンヒ スフエ ノー 一フエニ レノヒ ス （ 1 —メ チノレエチ リ テノ） ] ヒ スフ ー ノク ロへノチ リ テ ノヒ スフエ ノ ール 4 4 ， 一 ノ ヒ ス フエ ノ ーノレ 4 4 - ( 1 —フエニノレエチリテ ル 4 4， 一ノヒ ト ロ キ ノヒ フェニル等ゃノホラ ノ 脂 炭化水素変性フエ ノール樹脂 ト リ フ ニルメ タ ヒ ト ロ キノへノノ フエノ ノ 2 4 ， 一 ノヒ ト ロ キノ 2 4 4 ， 一 ト リ ス ヒ ト ロ キノへノノフエ ノ ン 2 , テ ト ラ ヒ ト ロ キ ノへノノ フエ ノ ノ モノ ヒ ト ロ キ ノナ 口 キノナフタ レン ノヒ ト ロ キノへノゼノ ト リ ス ヒ 等か挙けられる。
前記ホルムアルテ ヒ ト類と しては 例えは ホルム てあるホルマリ ノ 重合物てあるハラホルムアルテヒ ヒ ト へノスアルテ ヒ ト等か挙げられる。
前記溶媒と しては 例 は メチルェチルケ トン ロ ノ、ノ ー/レ 2 —プロノヽノ ー/レ 1 —ブタ ノーノレ 1 ェチレノグ リ コ ーノレモノ メ チノレエーテノレ ェチ レノグ ノレェ一テノレ エチ レング リ コーノレモノプチルエーテノレ 独も しく は混合溶媒にして使用するこ とかてきる。
これらから得られる少なく と も 2個のへノノォキサ 口 キノナフタ レン 4 4 ， ー ノヒ ト ロ キノヒ フエ二 ヒ ト ロ キ ノへノノ フエノ ノ ヒ ス フエ ノ ーノレ A ヒ ス スフエ ノール S又は ト リ フエニルメ タ ノを用い ホル してホルマ リ ノ又はハラホルムアルテ ヒ トを用いて得 ましい。
本発明に用いる少なく とも 2個のへノノォキサノン ( E ) は フエノール性水酸基を有する化合物のフエ モルに対して ァミ ノ化合物 1 モル ホルムアルテ ヒ させ 反^終了後 溶媒を用いた場合溶媒を留去し カ リ洗净操作を行い 未反; tの成分を呤去することに さ らに本実施の形態においては 要に itしてモ リ ゥ酸亜鉛以外の難燃剤（例 は臭素化工ホキノ樹脂 酸 カ ノプリ ノグ剤 天 ヮ ノクス及ひ合成ヮ ノ クス等の ブラ ノ クに代表される着色剤等か適宜配合可能てある 【実施例】
以下 本発明の第 1の実施の形態に係るエホキン榭 て具体的に説明するか 本実施の形態は これらに限 ない。 配合割合は重量部とする。
(実施例 1 一 1 )
エホキノ榭脂と して下記式 （ 1 2 ) を主成分とする キノ樹脂 （A— 1 ) (ノヤハノエポキンレノン （株） T— 9 0 融点 6 5 °C たたし 繰り返し単位数 1 は す。 ） 舰機充填剤と して結晶ノ リ力 （D— 1 ) (平 粒径 3 0 μ π！〜 6 0 μ πιの配合量か 9 0 4重量％) してイ ミ タノール （四国化成工業 （株） 製 2 Μ Ρ Ζ と してコハル トァセチルァセ トナー ト （関東化学 （株 添加剤と して離型剤 カルナハヮ ノ ク ス （製造元 日 ク ト 商品名 ニ ノコゥカルナハ） 着色剤 カーホ 元 三菱化学 （株） 商品名 カーホン # 5 ) カ ノ ノ社製 G P S— Μ) を それそれ用啻し 以下の割 ヒ フ ニル型エホキノ榭脂 （Α— 1 )
硬化剤 （ Β— 1 )
ノポラ ノク型ノアネー ト樹脂 （C— 1 )
Figure imgf000024_0001
Figure imgf000024_0002
Figure imgf000024_0003
結晶ノリ力 （D— 1 )
硬化促進剤 1 (イ ミ ダノール）
硬化促進剤 2 (コハル トァセチルァセ トナー ト） 離型剤（カルハナワ ノク ス）
着色剤（カーホンブラ ノ ク）
カ ノプリ ング剤 （G P S— M)
尚 使用した結晶ノリ力 （D— 1 ) は 平均粒径は 所製レーサー回折式粒度分布測定装置 S A L D— 7 0 長 4 0 5 n m) を用いて測定した。
上記の各成分を常温においてミ キサーて混合し 7 埶ロールによ り混練し 冷却後粉砕してェポキ ノ樹脂 られたェポキノ樹脂組成物を以下の方法て評価した。 示す。
評価方法
1 スハイラノレフ ロ ー EMM I — 1 — 6 6に準した 測定用の金型を用い 金型温度 1 7 5 °C 注入圧力 6 時間 2分て測定した。 単位は c mてある。
2 線膨張係数 ひ 1 ( 5 0 °C〜 7 0 °Cの線膨張係数） 〜 2 5 0 °Cの線膨張係数） 前記ェポキ ン樹脂組成物 ァ一成形機を用いて 金型温度 1 7 5°C 注入圧力 7 硬化時間 1 2 0秒て成形したテス ト ヒ ースを 後硬化 厚さ 1 O mm) を 後硬化と して 1 7 5 °Cて 4時間 いた。 測定には 動的坫弹性測定装置 （セイ コーイ ン DM S 6 1 0 0 ) を用い 5 ノ分の割合て昇温しなか zの歪みを与えて動的粘弹性の測定を行い t a η δ ラス転移温度 （T g ) を判定した。
4 ハ ノケー ノ反り量 回路基板 （住友へ一クライ ト — 4 7 8 5 G S コ アの両面板 基板サイスは 4 3 X 4 ノチ ノプ （サイス 1 5 X 1 5 mm 厚さ 0 7 3 mm グーフィル (住友へ一クライ ト （株） 製 C R P— 4 ト ラ ンス フ ァ一成形機を用いて 前記ェポキノ樹脂組 1 8 0 °C 注入圧力 7 4 M P a 硬化時間 2分て成形 ノケーノサイスは 4 3 X 4 3 mm) と した。 更に後硬 4時間及ひ 2 0 0 °C 4時間処理した。 室温に冷却後ハ を ノヤ トーモア レ方式の反り測定装置 （ P S— 2 0 r i x社製） を用いて高さ方向の変位と して測定し い値を反り量と した。 測定温度は— 5 5 °C 2 5 °C 1 の 4 て行った。 全ての温度域においてその反り の値 を◎ 4 0 0 μ πι以下を〇 6 0 0 /z m以下を△ 8 と した。
5 耐半田ク ラ ノク性 ハノケーノ反り量を測定する 硬化 （ 1 7 5 °Cて 4時間処理） されたハ ノケー ノ 8個 6 孰衝撃性試験
上記耐半田クラ ノ ク性試験において用いた同様のハ 1 2 5 て 2 4時間 乾燥処理を行い J E D E C い 6 0でノ 6 0 %相対 ffi度の恒温恒况槽に入れ 4 0 の後 I R リ フ ロー （N 2 フ ロー中） に 3回通し _ の槽か瞬時に入れ替わる装置 （E S P E C製 T H E R K C HAMB E R T S A— 1 0 1 S ) にハ ノケー 1 2 5 °C 3 0分後 一 5 5 °C 3 0分を 1サイクルと し 後のハ ノケーノ内部の剥離 クラ ノ クを超音波探傷機 1 0個のハノケーノに対して不良の生したハノケーノ n Z 1 0 と した。
7 難燃性
前記ェポキノ樹脂組成物を用いて ト ラ ンス フ ァ一 型温度 1 7 5 °C 注入圧力 6 8 6 M P a ( 7 0 k g 化時間 1 2 0秒の条件て成形した後 1 7 5 °Cて 4時 た 厚さ 3 0 mmの難 性試験サンプルを用いて レ、 ∑ F F m a xを測定し V— 0 V - 1 V - した。
(実施例 1 — 2〜 ： L — 7 )
実施例 1 一 1以外て用いた成分は エホキノ樹脂と 式 （ 1 3 ) てある ヒ フエニルァラルキル型ェポキ ノ樹 刷 （株） 製 H P 4 7 7 0エホキ ノ当量 1 4 1 ) また に示すナフタ レノノホラ ノク型ェポキ ノ榭脂（A— 5 ) 製 E S N— 3 7 5 エホキ ノ当量 1 7 3 ) 硬化剤 記式 （ 1 4 ) てある （ B— 2 ) (関東化学 （株） 製 ノ （へース） N H 2当量： L 0 1 ) 王成分か前記式 ノ ールァラルキル樹脂 （ B— 3 ) (三井化学 （株） 製 水酸基当量 1 7 2 軟化占 7 7 °C たたし 繰り返し 平均値を示す。 ） または王成分か前記式 （ 6 ) てあ ルキル型フエ ノ ール樹脂 （ B— 4 ) (明和化成 （株） 5 1 s s 水酸基当量 1 9 9 軟化占 6 8 °C たたし e は 3て 平均値を示す。 ） 1分子内に少なく とも 基を属する化合物と して下記式 （ 1 1 ) に示すノアネー (ロ ノサ社製 P T— 6 0 たたし 繰り返し単位数 を示す ） 機充填剤と して ガラスフ レーク （D 子（株）製 R C F 1 4 0 A ァスヘク ト比 2 8 平均 カラス フアイハーてあるマイク ロ ウール （D— 3 ) ( 製 CM L F 1 0 9 ァスヘク ト比 3 5 平均粒径 7 球状溶融ノ リ力 （D— 4 ) (平均粒径 1 5 μ πι) てあ 従い 実施例 1 一 1 と同様に混練してェポキノ樹脂祖 価を行った。
Figure imgf000028_0001
Figure imgf000029_0001
(実施例 1 一 8 )
エホキノ樹脂と して王成分か前記式 （ 1 ) てあるェ 3 ) 及ひ硬化剤と して式 （ 4 ) を王成分とする硬化剤 子内に少なく と も 2個のノア不一 ト基を有する化合物 て示すノホラ ノク型ノアネー ト樹脂 （C— 1 ) 硬化 する方法て合成される前記一般式 （ 7 ) て示されるよ スホニゥムと フエノ ール化合物との分子会合体てある 1 ) 機充填剤と して前述の結晶ノ リ 力 （D— 1 ) 溶融ノ リ 力 （D— 4 ) その他の^加剤と して離型剤 ヮ ノ ク ス 着色剤 前述のカーホンブラ ノ ク 前述の それそれ用意した。 定度 （NZ g ) を算出した。 この値の逆数かホスホニ 当量となる。
[硬化促進剤 （H— 1 ) ]
撹拌装置付きの 1 リ ノ トルのセハラブルフラスコに 製 B P S— N ( 4 , 4， 一ヒスフエノール Sを王成分 g ( 0 3モル） メ タノール 1 0 0 m 1 を仕込み 室 さらに攪拌しなから水酸化ナ ト リ ウム 4 0 g ( 0 5 0 m 1 のメ タノールて溶解した溶液を^加した。 次 ェ二/レホスホニゥムプロマイ ト 4 1 9 g ( 0 1モ のメタノールに溶解した溶液を加 た。 しはらく攪拌 m l のメ タノールを追加した後 フラスコ内の溶液を なから滴下し 白色沈殿を得た。 沈殿を濾過 乾燥し O gを得た。 この白色結晶は NMR マスへク トル から テ トラフェニルホスホニゥム 1分子と 4 4， S とカゝ モル比 1 1 5て錯化した硬化促進剤 （H か確認された。 また中和滴定の値からホスホニゥムフ して理論値 7 1 3に近い実測値 7 2 8 という値か得ら 進剤 （H— 1 ) か前記一般式 （ 7 ) の構造てあること 成の収率は 9 2 6 %てあつた。
実施例 1 — 8 において 実施例 1 — 1 〜 1 — 7以外 上記硬化促進剤 （H— 1 ) てあり 上記用 f された各 き 難燃剤と して水酸化アルミ ニ ウム （住友化学 （株 3 ) を用い 表 1 に従い配合し 比較例 1 一 1〜 1 — 2 同様に混楝を行ってェポキノ樹脂組成物を作製し 評 結果
実施例 1 一 1 〜 1 — 8はいすれも良好な反り結果と 好てあった。 比較例 1 一 1 は反りか大き く難燃性も十 に水酸化アルミ ニウムを用いた比較例 1 一 2は難燃性 の反りかよ り大き く なる結果となった。
【表 1 】
Figure imgf000031_0001
本実施の形態に係るェポキノ樹脂組成物は 難燃性 に優れたものてあり 特に温度衝撃性に優れることか られるエリ ア実装型半導体装置等への適用か有用てあ 次に 本発明の第 2の実施の形態に係るェポキノ樹 て具体的に説明するか 本実施の形態は これらに限 ない。 配合割合は重量部とする。
(実施例 2— 1 )
ェポキ ノ樹脂と して前記式 （ 1 2 ) を王成分とする キ ノ樹脂 （A— 1 ) (ノヤハノエポキ ノレノン （株） H 融占 1 0 5。C ェポキノ当量 1 9 3 ) 1分子内 のノアネー ト基を有する化合物と して前記式 （ 9 ) て ノアネー ト榭脂 （C一 1 ) ( ロ ノサ社製 C T— 9 0 たし 繰り返し単位数 1 は 3て 平均値を示す。 ） 結晶ノリ力 （D— 1 ) (平均粒径 4 2 /z m 粒径 3 0 9 0 4重量％) 難燃剤と してモ リ ブテノ酸亜鉛 （ 進剤と してヒ ス フエ ノ ール S (G - 1 ) (四国化成工 ハル トァセチルァセ トナー ト （G— 5 ) (関東化学 （ の^加剤と して離型剤 カルナハヮ ノ ク ス 着色剤 カ カ ノプリ ング剤 （チ ノノ社製 G P S— M) を それ の割合て配合した。
ヒ フエニル型ェポキノ樹脂 （A— 1 ) 離型剤（カルハナワ ノ ク ス）
着色剤（カーホノブラ ノ ク）
カ ノプリ ング剤 （G P S— M)
尚 使用した結晶ノ リ 力 （D— 1 ) は その平均粒 製作所製レーサー回折式粒度分布測定装置 S A L D— 一波長 4 0 5 n m) を用いて測定した。
上記の各成分を常温においてミ キサーて混合し 7 埶ロールによ り混練し 冷却後粉砕してェポキノ樹脂 られたエホキノ樹脂組成物を以下の方法で評価した。 示す。
評価方法
1 トルク比 キュラス トメータ （ （株） オリエノテ ユラス トメータ I V P S型） を用いて ダイ スの直径 1 ° 金型温度 1 7 5 °C 加埶開始 9 0秒後 3 0 0 め トルク比 （ 9 0秒後の ト ノレク） / ( 3 0 0秒後 した。キュラス トメータにおける トルク比は硬化性の トルク比の大きい方か硬化性か良好てある
(実施例 2— 2〜 2 _ 7 )
実施例 2 — 1以外て用いた成分は ェポキノ樹脂と 式 （ 1 3 ) てある ヒフヱ二ルァラルキル型エホキノ樹 本化薬 （株） 製 N C— 3 0 0 0 P 軟化占 6 0 °C すナフタ レノノホラ ノク型エホキ ノ樹脂 （A— 5 ) ( 製 E S N— 3 7 5 ェポキ ノ当量 1 7 3 ) 1分子 個のノアネー ト基を有する化合物と して前記式 （ 1 1 ト樹脂 （C一 2 ) (ロ ノサ社製 P T— 6 0 たたし j は 3て 平均値を示す。 ) 鲤機充填剤と して カ - 2 ) (日本板硝子 （株） 製 R C F 1 4 0 A ァス 均粒径 4 5 z m) カラスフアイハーてあるマイクロ
(日本板硝子 （株） 製 CM L F 1 0 9 ァスヘク ト 7 0 μ m) 難燃剤と してホウ酸亜鉛 （ F— 2 ) 硬 スフエノール F (G— 2 ) アルミ ァセチルァセ トナ 東化学 （株） 製） ナフテン酸コハル ト （G— 3 ) (関 フ ロセノ （G— 6 ) (ノク ロへノタ ノエニル鉄） （関 酸化アルミニウム （G— 7 ) (関東化学 （株） 製） て に従い 実施例 2 — 1 と同様に混練してエホキノ樹脂 評価を行った。
(比較例 2— 1 2 — 2 )
比較例 2 — 1 ては実施例 1 から難燃剤を除き 比較例 例 2— 1 から難 剤を呤き 機充填剤と して球状溶融
(平均粒径 1 5 μ m) を用い 表 2に従い配合し 比 2 と も実施例 2 — 1 同様に混練を行ってエホキノ樹脂 評価を行った。 項目 2-1 2-2 2-3 2-4 2-5 2
A-1 92
【表 2】
配 A— 2 91
A— 3 100
A— 4 100 口 A— 5 70
C一 1 100 81 1 重 C一 2 98 72 82 量 D-1 750 770 7 部 D— 2 760 800
D— 3 780
D— 4
F-1 50 20 20 30 20 2
F-2 20 \ 0 20 20 1
G-1 02 02 02 0
G-2 03 02
G-3 02
G— 4 02
G-5 02 02
G-6 015
G-7 0 イミダノール 015 015 0 カルナハヮノクス 02 02 02 02 02 0 カーボノブラノク 01 01 01 01 01 0 カノプリノグ剤 (GPS-M) 01 01 01 01 01 0 スパイラルフロー（cm) 80 90 82 83 90 8 評 トルク比 75 80 83 78 72 7 価カラス転移温度 (Tg) C 189 195 203 193 210 1 結 1 (ppm Z C) 20 21 21 22 21 2 果 or 2 (ppm Z C) 37 39 40 40 40 3 パノケージ反り量判定
(175C4時間後硬化） O O O 〇 O パンケーノ反り量判定
(200C4時 硬化） ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
耐+田クラノク性 0/8 0/8 0/8 0/8 0/8 0 擊性試験 0/10 0/10 0/10 0/10 0/10 0/ 難燃性 (UL試験） V-0 V-0 V-0 V-0 V-0 V 本実施の形態に係るェポキノ樹脂組成物も 難 性 に優れたものであり 特に温度衝撃性に優れることか られるエリ ァ実装型半導体装置等への適用か有用であ 次に 本発明の第 3の実施の形態に係るェポキノ樹 すしも文献の方法 反 it温度 反 ft時間に限定され
[少なく と も 2個のへノノォキサノ ン環を有する化合 容量 0 5 Lのフ ラス コに ァニ リ ノ 7 1 7 g ( ノォキサノ 1 5 0 m 1 を入れ攪拌して^解させた。 次 ヒ ト液 （ 3 6〜 3 8 %水 液） 3 7 3 gを滴下し /ΪΓさせた。 その後 4 4 — ノヒ ト ロキ ノヒ フエニル 3 8モル） を加 撹拌下 1 0 0〜 ： L 1 0でて 6 反 i 終了後 析出物をろ^し 真空乾燥機にて 9 5 ° 燥し 下記式 （ 1 5 ) て表される少なく とも 2個のへ を有する化合物 （ E— 1 ) を 1 4 8 g得た
[少なく と も 2個のへノ ノォキサノ ン環を有する化合 少なく と も 2個のへノノォキサ ンノ環を有する化合 成において用いたァニ リ ノ 7 1 7 g ( 0 7 7モル） チニルァニ リ ノ 9 0 g ( 0 7 7モル） を用いた以外 個のへノノォキサノン環を有する化合物（ E— 1 )の合 下記式 （ 1 6 ) て表される少なく と も 2個のへノノォ る化合物 （ E— 2 ) を 1 4 3 g得た。
Figure imgf000036_0001
Figure imgf000037_0001
(実施例 3 — 1 )
エホキノ樹脂と して式 （ 1 2 ) を王成分とする ヒ フ 樹脂 （A— 1 ) ( ノヤハンエホキ ノ レ ノン （株） 製 融 ^ 1 0 5 °C エホキ ノ当量 1 9 3 ) 硬化剤と して とする硬化剤 （ B— 1 ) (明和化成 （株） 製 M E H 1 1 0 °C 水酸基当量 9 7 たたし 繰り返し単位数 c 1分子內に少なく と も 2個のノアネー ト基を有する化 ( 9 ) て示すノホラ ノク型ノアネー ト樹脂 （ C— 1 ) T - 9 0 融占 6 5。C たたし 繰り返し単位数 j は す。 ） 前記少なく と も 2個のへノノォキサノン環を 配合した。
ヒ フ ェニル型ェポキノ樹月
硬化剤 （ B )
ノ ホラ ノ ク型ノアネー ト樹脂 （C
少なく と も 2個のへノノォキサンノ環を有する化合物 結晶ノ リ力 （D ) 8 進剤 1 (ィ ミ ダノール)
硬化促進剤 2 (コハル トァセチルァセ トナー ト） 離型剤（カルハナワ ノク ス）
着色剤（カーホノブラ ノク）
カ ノプリ ング剤 （G P S— M)
尚 使用した結晶ノ リ力 （D— 1 ) は その平均粒 製作所製レーサー回折式粒度分布測定装置 S A L D— 一波長 4 0 5 n m) を用いて測定した。
上記の各成分を常温においてミ キサーで混合し 7 埶ロールによ り混練し 冷却後粉砕してエホキノ樹脂 られたェポキノ樹脂組成物を以下の方法て評価した。 示す。
評価方法
1 吸水率 低圧 トラノス フ ァー成形機を用いて 金 硬化（ 1 7 5 °Cて 4時間処理） されたハ ノケー ノ 8個を 相対 S度 8 5 %の環境下て 1 6 8時間処理した後 J ーク温度 2 3 5でて I R リ フロー処理を行った。 処理 部の剥離及ひクラ ノクの有 teを超音波探傷機て観察し の個数を数 た。 8個のハノケ一 ノに対して不良ハ ノ 個てあるとき 11ノ 8 と表示する。
尚 スハイ ラルフ ロー カラス転移温度 （T g ) α 2 ハ ノケー ノ反り量 執衝撃性試験 及ひ難燃性 と同様の条件て行った。
(実施例 3— 2〜 3— 7 )
実施例 3— 1以外て用いた成分は エホキノ樹脂と 式 （ 1 3 ) てあるヒフエニルァラルキル型ェポキノ樹 本化薬 （株） 製 N C— 3 0 0 0 Ρ 軟化占 6 0 °C 2 たたし 繰り返し単位数 kは 3て 平均値を示す。 記式（ 1 ) てあるエホキノ樹脂 （A— 3 ) ( ノ ヤ ハ ノエ 製 E— 1 0 3 2 H 6 0 融点 5 6 °C エホキ ノ当量 繰り返し単位数 a は 0てある。 ） 王成分か前記式 （ レノ型四官能エホキン樹脂 （A— 4 ) (大日本印刷 （ 7 0エホキノ当量 1 4 1 ) 下記式 （ 1 0 ) に示すナ ク型ェポキノ樹脂 （A— 5 ) (新日鐵化学 （株） 製 E ポキ ノ当量 1 7 3 ) 硬化剤と して王成分か前記式 （ (明和化成 （株） 製 M E H— 7 8 5 1 s s 水酸基 占 6 8 °C たたし 繰り返し単位数 e は 3て 平均値 子內に少なく と も 2個のノアネー ト基を有する化合物 1 ) に示すノア不一 ト樹脂 （C— 2 ) (ロノサ社製 し 繰り返し単位数 j は 3て 平均値を示す。 ） 前 のへノブオキサノン環を有する化合物 （E — 2 ) 鲤 カラスフ レーク （D— 2 ) (日本板硝子 （株） 製 R スヘク ト比 2 8 平均粒径 4 5 /x m) カラス フ アイ 口ウール （ D— 3 ) (日本板硝子 （株） 製 C M L F ト比 3 5 平均粒径 7 0 /z m) 球状溶融ノ リ 力 （D 1 5 μ m) 難燃剤と してモ リ ブテ ノ酸亜鉛 （ F — 1 イ ノウィ リアムス社製 平均粒径 1 8 /z m) ホウ酸 O R A X社製 平均粒径 7 μ πι) てあり 表 3の配合 一 1 と同様に混練してェポキ ノ榭脂組成物を作製し (比較例 3 — 1 〜 3 — 3 )
比較例 3 — 1 は実施例 3 ― 1からノポラ ノク型ノア 1 ) 少なく と も 2個のへノブオキサノン環を有する 及ひコハル トァセチルァセ トナー トを除いた場合 比 例 3 — 1からノホラ ノク型ノアネー ト樹脂 （ C — 1 ) のへノノォキサノン環を有する化合物 （ Ε— 1 ) 及 ルァセ トナー トを昤き 難 剤と して水酸化アルミ ニ TJP2006/319816
40
実施例 3 — 1〜 3 — 8はいすれも良好な反り結果と てあつた。 比較例 3 — 1 は反りか大きく難燃性も十 水酸化アルミニウムを用いた比較例 3 — 2は難伊性 反りかよ り大きく なる結果となった。
【表 3】
実施例
項目
3-1 3-2 3-3 3-4 3-5 3-6 3-7 3-8
A-1 65 40 72 65 1 配 A— 2 70 27
A— 3 70
A— 4 57
A— 5 76 口 B-1 12 20 05 10 12
B-2 09 07
B— 3 08
B-4 38
C-1 72 56 61 64 72 重 C-2 65 48 42
E-1 44 48 44
E-2 50 50 55 60 30
D-1 800 800 700 740 8 部 D-2 800
D— 3 810 810
D-4 800 100
F— 1 30
F-2 30 水酸化
アルミニウム
イミダノール 015 015 015 015 015 015 015 015 0 コバル卜ァセチル
015 015 015 015 015 015 015 015 ァセトナー卜
カルナハヮノクス 02 02 02 02 02 02 02 02 カーホノブラノク 01 01 01 01 01 01 01 01 カノプリノグ剤
(GPS-M) 01 01 01 01 01 01 01 01 ス イラレフロー
78 90 82 81 85 87 82 94
IT カラス転移 a度
(Te) (C) 238 235 240 237 239 242 241 235 1 本実施の形態に係るェポキノ樹脂組成物も 難燃性 に優れたものてあり 特に温度衝撃性に優れるこ とか られるエリ ァ実装型半導体装置等への適用か有用てあ

Claims

三官能エホキ ノ榭脂及ひ四官能エホキ ノ樹脂の 少なく と も 1種のエホキノ樹脂 （ Α ) 1 分子内に少 ホキノ基と反 する基を有する硬化剤 （ Β ) 1分子 個のノアネー ト基を有する化合物 （C ) 及ひ 機充 須成分と して含有するこ とを特徴とするェホキノ樹脂
2 前記三官能エホキ ノ樹脂か下記式 ( 1 ) て表さ の
とを特徴とする請求の範囲第 1項記載のェホキノ榭脂
囲
Figure imgf000043_0001
[式中 a は 0 0てある。 ]
3 前記四官能エホキ ノ樹脂か下記式 （ 2 ) て表さ とを特徴とする請求の範囲第 1項記載のエホキノ榭脂
Figure imgf000043_0002
4 前記 1 分子内に少なく と も 2個のノア不一 ト (C) か下記一般式 （ 3 ) て表される化合物てあるこ 求の範囲第 1項記載のエホキ ノ樹脂組成物。
Figure imgf000044_0001
[式中 R i R gは それそれ 水窣原子 メチル 口 ヒル基 ブチル基 水酸基 ア ミ ノ基 フタル酸 フエニル基の中から選択される 1種を示し 互いに同 つていてもよレヽ。 b は 0〜 1 0てある。 ]
5 前記舰機充填剤 （D) は結晶ノ リ 力及ひ 又は あること を特徴とする請求の範囲第 1項記載のエホキ 6 前記カラスフ レークはァスへク ト比か 1 0〜 4 徴とする請求の範囲第 5項記載のェポキノ榭脂組成物。
1 分子内に少なく と も 2個の水酸基を有する前 下記式 （ 4 ) ( 5 ) 及ひ 又は （ 6 ) て表されるも 徴とする請求の範囲第 1項記載のエホキノ樹脂組成物。
Figure imgf000044_0002
[式中 cは 0〜 1 0である。 ]
Figure imgf000045_0001
[式中 dは 1〜 1 0てある。 ]
Figure imgf000045_0002
[式中 eは 1〜 ： L 0である。 ]
8 前記鲤機充填剤 （D) の含有量か前記エホキ ノ樹 量％〜 8 5重量％てあることを特徴とする請求の範囲 キノ樹脂組成物。
9 さ らに 少なく と も 2個のへノノォキサノノ (E) を含有するこ とを特徴とする請求の範囲第 1項 脂組成物。
1 0 前記少なく と も 2個のへノノォキサノン環を か 1分子内に少なく と も 2個の炭素一炭素三重結合を キノ樹脂祖成物の 6 5重量％〜 8 5重量％てあるこ と の範囲第 1 1項記載のェポキノ樹脂組成物
1 3 さ らに 難^剤 （ F ) を含有するこ とを特徴 第 1項記載のエホキ ノ樹脂組成物。
1 4 前記難 剤 （ F ) かモ リ フテ ノ酸亜鉛及ひホ れる少なく と も 1種てあることを特徴とする請求の範 エホキノ樹脂組成物。
1 5 前記虹機充填剤 （D) と前記難^剤 （ F ) と ホキ ノ樹脂組成物の 6 5重量％〜 8 5重量％てあるこ 求の範囲第 1 3項記載のェポキ ノ樹脂祖成物。
1 6 さ らに フ エノール性水酸基を有する化合物 属酸化物から選はれる少なく と も 1種を有する硬化促 するこ とを特徴とする請求の範囲第 1 3項記載のエホ 1 7 前記フ エ ノ ール性水酸基を有する化合物か ヒ スフエノール F又はヒ スフエノール Sてあるこ とを 範囲第 1 6項記載のェポキ ノ樹脂祖成物
1 8 前記金属錯体及ひ前記金属酸化物の金属原子 o , N l C u Z n A l 又は S nてあることを特 囲第 1 6項記載のエホキ ノ樹脂祖成物。
1 9 前記金属錯体かナフテ ノ酸錯体 ォクチル酸 セ トナー ト錯体又はノク 口へノンエルニ錯体てあるこ するこ とを特徴とする請求の範囲第 1項記載のェポキ
Figure imgf000047_0001
[ Pはリ ノ^子 R L 0 R R 1 2およひ R 1 3は置 の芳香族基 またはアルキル基 は芳香族基 B , 一テル基 スルホ ン基 スノレフイ ト基 カルホニル基 の置換基または炭素原子数 1 〜 1 3て構成される 2価 f は 0 < f < l の数を示す。 ]
2 2 基板の片面に半導体素子か搭載され こ の半 れた基板面側の実質的に片面のみかエホキノ榭脂組成 れてなるエリ ァ実装型半導体装置てあって 該エホキ *の範囲第 1項記載のエホキノ樹脂祖成物てあり そ 導体装置の成形後 さ らに 1 9 0 °C〜 2 3 0 °Cて硬化 とする半導体装置。
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