JP2003026764A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents

半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Info

Publication number
JP2003026764A
JP2003026764A JP2001216735A JP2001216735A JP2003026764A JP 2003026764 A JP2003026764 A JP 2003026764A JP 2001216735 A JP2001216735 A JP 2001216735A JP 2001216735 A JP2001216735 A JP 2001216735A JP 2003026764 A JP2003026764 A JP 2003026764A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epoxy resin
resin composition
formula
phenol
weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001216735A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3871025B2 (ja
Inventor
Yasuo Kimura
靖夫 木村
Kazutoshi Tomiyoshi
和俊 富吉
Takayuki Aoki
貴之 青木
Hidekazu Asano
英一 浅野
Taro Shimoda
太郎 下田
Toshio Shiobara
利夫 塩原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority to JP2001216735A priority Critical patent/JP3871025B2/ja
Priority to KR1020020041516A priority patent/KR100617287B1/ko
Priority to US10/196,222 priority patent/US6723452B2/en
Publication of JP2003026764A publication Critical patent/JP2003026764A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3871025B2 publication Critical patent/JP3871025B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 (A)4,4’−ビフェノールと式
(1)のフェノール樹脂との混合物をグリシジル化して
得られる変性エポキシ樹脂、(B)式(1)のフェノー
ル樹脂及び/又は式(2)のフェノール樹脂、(C)硬
化促進剤、(D)無機充填剤を必須成分とする半導体封
止用エポキシ樹脂組成物。 【化1】 (R1はH又はアルキル基、mは1〜15。) 【化2】 (R2はH又はアルキル基、nは1〜15の自然数。) 【効果】 本発明の組成物は、作業性及び流動性に優
れ、ハロゲン化エポキシ樹脂、アンチモン化合物を配合
しなくとも、鉛フリーで耐半田クラック性及び難燃性に
も優れる硬化物を与える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、作業性、流動性に
優れると共に、鉛フリーで耐半田クラック性及び難燃性
に優れ、しかもハロゲン化エポキシ樹脂、三酸化アンチ
モン等のアンチモン化合物を含有しない硬化物を与える
環境に優しい半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び該エ
ポキシ樹脂組成物の硬化物で封止した半導体装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】現在、
半導体デバイスは、樹脂封止型のダイオード、トランジ
スター、IC、LSI、超LSIが主流であるが、エポ
キシ樹脂が他の熱硬化性樹脂に比べ、成形性、接着性、
電気特性、機械特性、耐湿性等に優れているため、エポ
キシ樹脂組成物で半導体装置を封止することが一般的で
ある。ここ数年、環境保全の観点から、ハロゲンフリー
化、鉛フリー化が重要視されてきているが、それに伴っ
て封止剤にも厳しい特性が必要となってきている。例え
ば、半導体装置を製造するにあたり、基板実装時に半田
メッキを施すが、この半田メッキ膜中には鉛が多く含ま
れており、環境保全の観点から鉛を除去する方向に傾い
ている。しかし、鉛フリー半田を使用するとリフロー温
度が上昇してしまい、耐リフロー性という信頼性が低下
してしまう大きな問題があった。
【0003】このような特性を向上させるために高接着
性と低吸湿性が要求される。この場合、無機充填剤を高
充填化することにより、低吸水性を向上させることがで
き、耐リフロー性に効果が期待されるが、高粘度化にな
ってしまうため、成形時の流動性が損なわれてしまう。
このため、半導体封止用のエポキシ樹脂には、低溶融粘
度であることも要求されているが、そうするとエポキシ
樹脂が半固形及び液体のものになってしまうため、作業
性が悪くなってしまう問題があった。
【0004】また、半導体封止用エポキシ樹脂組成物中
には、難燃性を高めるため、一般にハロゲン化エポキシ
樹脂と三酸化アンチモンとが配合されている。このハロ
ゲン化エポキシ樹脂と三酸化アンチモンとの組み合わせ
は、気相においてラジカルトラップ、空気遮断効果が大
きく、その結果、高い難燃効果が得られるものである。
【0005】しかし、ハロゲン化エポキシ樹脂は燃焼時
に有毒ガスを発生するという問題があり、また三酸化ア
ンチモンにも粉体毒性があるため、人体、環境に対する
影響を考慮すると、これらの難燃剤をエポキシ樹脂組成
物中に全く含まないことが好ましい。
【0006】このような要求に対して、ハロゲン化エポ
キシ樹脂或いは三酸化アンチモンの代替として、従来か
らAl(OH)3、Mg(OH)2等の水酸化物、赤リ
ン、リン酸エステル等のリン系難燃剤等の検討がなされ
てきている。しかし、Al(OH)3、Mg(OH)2
の水酸化物は難燃効果が低いため、難燃組成とするため
には、エポキシ樹脂組成物中に水酸化物を多量に添加し
なければならず、その結果、組成物の粘度が上昇し、成
形時にボイド、ワイヤー流れ等の成形不良が発生すると
いう問題がある。一方、赤リン、リン酸エステル等のリ
ン系難燃剤をエポキシ樹脂組成物に添加した場合、半導
体装置が高温高湿条件にさらされると、リン系難燃剤が
加水分解されてリン酸が生成し、このリン酸がアルミ配
線を腐食させ、信頼性を低下させるという大きな問題が
あった。
【0007】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
ハロゲン化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン等のアンチ
モン化合物を含有せず、作業性、流動性に優れると共
に、鉛フリーで耐半田クラック性及び難燃性に優れる硬
化物を与えることができる、半導体封止用難燃性エポキ
シ樹脂組成物及び該樹脂組成物の硬化物で封止した半導
体装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討を行った結
果、下記の特定のエポキシ樹脂と特定のフェノール樹脂
とを組み合わせて用いること、この場合好ましくは特定
の難燃剤、即ち、無機充填剤にモリブデン酸亜鉛を担持
したモリブデン化合物を配合することにより、作業性、
流動性に優れ、またハロゲン化エポキシ樹脂、三酸化ア
ンチモン等のアンチモン化合物を配合しなくとも鉛フリ
ーで耐半田クラック性及び難燃性に優れた硬化物を与え
る半導体封止用エポキシ樹脂組成物が得られることを知
見し、本発明をなすに至った。
【0009】即ち、本発明は、(A)4,4’−ビフェ
ノールと下記一般式(1)で示されるフェノール樹脂と
の混合物をグリシジル化して得られる変性エポキシ樹
脂、(B)下記一般式(1)で示されるフェノール樹
脂、及び/又は、下記一般式(2)で示されるフェノー
ル樹脂、(C)硬化促進剤、(D)無機充填剤、及び好
ましくは(E)モリブデン酸亜鉛を無機充填剤に担持し
たモリブデン化合物を必須成分とすることを特徴とする
半導体封止用エポキシ樹脂、及びその硬化物で封止され
た半導体装置を提供する。
【0010】
【化3】 (式中のR1は水素原子及び炭素数1〜4のアルキル基
の中から任意に選択される、同一もしくは異なる原子又
は基である。mは1〜15の自然数を示す。)
【0011】
【化4】 (式中のR2は水素原子及び炭素数1〜4のアルキル基
の中から任意に選択される、同一もしくは異なる原子又
は基である。nは1〜15の自然数を示す。この場合、
ナフトールの水酸基がβ位に配位しているβ−ナフトー
ル型樹脂であることが好ましい。)
【0012】以下、本発明につき更に群しく説明する。
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、
(A)成分のエポキシ樹脂としては、4,4’−ビフェ
ノールと下記一般式(1)で示されるフェノール樹脂と
の混合物をグリシジル化して得られる変性エポキシ樹脂
を使用する。
【0013】
【化5】 (式中のR1は水素原子及び炭素数1〜4のアルキル基
の中から任意に選択される、同一もしくは異なる原子又
は基である。mは1〜15、好ましくは1〜10の自然
数を示す。)
【0014】上記一般式(1)において、R1としては
水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロ
ピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基
などが挙げられるが、この中では水素原子又はメチル基
がより好ましい。
【0015】尚、4,4’−ビフェノールをグリシジル
化して得られるエポキシ樹脂は低粘度で硬化性に優れる
ものの結晶性が強いため、4,4’−ビフェノールのグ
リシジル化物と一般式(1)で示されるフェノール樹脂
のグリシジル化物とを混合しても、部分的に結晶化が進
行して、(A)成分の様な均一な変性エポキシ樹脂を得
ることは作業性の点で困難であるため、結果的に低粘度
性、耐クラック性等に優れたエポキシ樹脂組成物が得ら
れないものである。
【0016】上記変性エポキシ樹脂を得るのに用いる
4,4’−ビフェノールと一般式(1)のフェノール樹
脂との混合比は特に限定されないが、好ましくは、重量
混合比として、4,4’−ビフェノールと一般式(1)
で示されるフェノール樹脂との合計に対して、4,4’
−ビフェノールが5〜40%であり、一般式(1)で示
されるフェノール樹脂が95〜60%である。4,4’
−ビフェノールが5%より少ないと樹脂の低粘度化が出
来ない上に、樹脂の結晶化もできないため作業性も低下
してしまう場合がある。また、40%より多いとより低
粘度にはなるが、上記一般式(1)の可撓性基の含有率
も低下してしまうため、耐半田クラック性が低下してし
まう場合がある。より好ましくは10〜30%が望まし
い。
【0017】なお、本発明においては、エポキシ樹脂成
分として、上記変性エポキシ樹脂(A)以外に、他のエ
ポキシ樹脂を併用しても良い。他のエポキシ樹脂として
は、特に限定するものではなく、従来公知のエポキシ樹
脂、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エ
ポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ト
リフェノールプロパン型エポキシ樹脂等のトリフェノー
ルアルカン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹
脂、ビフェニル骨格を含有しないフェノールアラルキル
型エポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、ナフタレン環
含有エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、
ビスフェノールF型エポキシ樹脂等のビスフェノール型
エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂等が挙げら
れ、これらのうちの1種又は2種以上を使用することが
できる。また、これらの中では溶融時に低粘度であるビ
フェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ
樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、スチルベン型
エポキシ樹脂等が好ましい。
【0018】この場合、上記変性エポキシ樹脂の配合量
は、エポキシ樹脂(上記変性エポキシ樹脂+他のエポキ
シ樹脂)に対して50〜100重量%、特に70〜10
0重量%であることが望ましい。上記変性エポキシ樹脂
の配合量が50重量%未満では、十分な耐リフロークラ
ック性、難燃性が得られない場合がある。
【0019】本発明のエポキシ樹脂組成物の(B)成分
のフェノール樹脂は、上記一般式(1)で示されるフェ
ノール樹脂及び/又は下記一般式(2)で示されるフェ
ノール樹脂である。
【0020】
【化6】 (式中のR2は水素原子、炭素数1〜4のアルキル基の
中から任意に選択される、同一もしくは異なる原子又は
基である。nは1〜15、好ましくは1〜10の自然数
を示す。)
【0021】上記一般式(2)においてR2としては水
素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基な
どが挙げられるが、この中では水素原子又はメチル基が
より好ましい。
【0022】また、上記一般式(2)において、ナフト
ールの水酸基がβ位に配位しているβ−ナフトール型樹
脂であればより好ましい。これは、α−ナフトール型は
非常に酸化されやすいため劣化が激しく、作業性が非常
に悪い上、硬化性が著しく低下する場合があるが、β−
ナフトール型のものはこのような影響が無いためであ
る。
【0023】上記式(1)のフェノール樹脂、式(2)
のフェノール樹脂は、それぞれ単独で用いても、両者を
併用するようにしてもよいが、併用する場合、式(1)
のフェノール樹脂と式(2)のフェノール樹脂との合計
に対して、式(1)のフェノール樹脂を30〜70重量
%、式(2)のフェノール樹脂を70〜30重量%用い
るのが好ましい(合計100重量%)。
【0024】なお、本発明においては、フェノール樹脂
成分として、上記特定のフェノール化合物(B)以外
に、他のフェノール樹脂を併用しても良い。他のフェノ
ール樹脂としては、特に限定するものではなく、従来公
知のフェノール樹脂、例えば、フェノールノボラック樹
脂、クレゾールノボラック樹脂等のノボラック型フェノ
ール樹脂、ナフタレン環含有フェノール樹脂、ビフェニ
ル骨格を含有しないフェノールアラルキル型フェノール
樹脂、ビフェニル型フェノール樹脂、トリフェノールメ
タン型フェノール樹脂、トリフェノールプロパン型フェ
ノール樹脂等のトリフェノールアルカン型フェノール樹
脂、脂環式フェノール樹脂、複素環型フェノール樹脂、
ビスフェノールA型フェノール樹脂、ビスフェノールF
型フェノール樹脂等のビスフェノール型フェノール樹脂
等が挙げられ、これらのうちの1種又は2種以上を使用
することができる。
【0025】式(1)及び/又は式(2)で表されるフ
ェノール樹脂硬化剤の配合量は、フェノール樹脂硬化剤
総量(式(1)及び/又は(2)で表されるフェノール
樹脂硬化剤+他のフェノール樹脂硬化剤)に対して50
〜100重量%、特に70〜100重量%であることが
望ましい。式(1)及び/又は(2)のフェノール樹脂
硬化剤の配合量が50重量%未満では、十分な耐リフロ
ークラック性、難燃性が得られない場合がある。
【0026】本発明において、エポキシ樹脂、フェノー
ル樹脂の配合は特に制限されないが、エポキシ樹脂中に
含まれるエポキシ基1モルに対して、硬化剤中に含まれ
るフェノール性水酸基のモル比が0.5〜1.5、特に
0.8〜1.2の範囲であることが好ましい。
【0027】本発明のエポキシ樹脂組成物は、(c)成
分として硬化促進剤を配合する。本発明で用いる(c)
硬化促進剤としては、エポキシ基と硬化剤中の官能基と
の反応を促進させるものであればよく、一般に封止材料
に用いられているものを広く用いることができる。例え
ば、トリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、
トリ(p−メチルフェニル)ホスフィン、トリ(ノニル
フェニル)ホスフィン、トリフェニルホスフィン・トリ
フェニルボラン、テトラフェニルホスホニウム・テトラ
フェニルボレートなどの有機リン系化合物、トリエチル
アミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジル
ジメチルアミン、1,8−ジアザビシクロ(5.4.
0)ウンデセン−7などの第3級アミン化合物、2−メ
チルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フ
ェニル−4−メチルイミダゾール、2−エチルミダゾー
ル、4−メチルイミダゾール、4−エチルイミダゾー
ル、2−フェニル−4−ヒドロキシメチルイミダゾー
ル、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノ
エチル−2−メチルイミダゾール、2−フェニル−4−
メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェ
ニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾールなどの
イミダゾール化合物等を使用することができる。
【0028】この硬化促進剤の配合量は、上記エポキシ
樹脂と硬化剤との合計100重量部に対して、通常0.
001〜10重量部、望ましくは0.005〜5重量
部、より望ましくは0.01〜3重量部程度が好まし
い。この配合量が0.001重量部より少ないと、硬化
性が低下する場合があり、また10重量部より多いと硬
化性には優れる反面、保存安定性が低下する傾向となる
場合がある。
【0029】本発明のエポキシ樹脂組成物中に配合され
る(D)成分の無機充填剤としては、通常エポキシ樹脂
組成物に配合されるものを使用することができる。例え
ば溶融シリカ、結晶性シリカ等のシリカ類、アルミナ、
窒化珪素、窒化アルミニウム、ボロンナイトライド、酸
化チタン、ガラス繊維等が挙げられる。
【0030】これら無機充填剤の平均粒径や形状及び無
機充填剤の充填量は特に限定されないが、鉛フリーで耐
半田クラック性及び難燃性を高めるためには、エポキシ
樹脂組成物中に、成形性を損なわない範囲で可能な限り
多量に充填させることが好ましい。この場合、無機充填
剤の平均粒径、形状として、平均粒径3〜30μm、特
に5〜20μmの球状の溶融シリカが特に好ましく、ま
た、無機充填剤の充填量は、エポキシ樹脂と硬化剤(フ
ェノール樹脂)の総量100重量部に対し、400〜1
200重量部とすることが特に好ましい。ここで、平均
粒径は、例えばレーザー光回折法などによる粒度分布測
定装置等を用いて重量平均値(又はメディアン径)など
として求めることができる。
【0031】なお、上記無機充填剤は、樹脂と無機充填
剤との結合強度を強くするため、シランカップリング
剤、チタネートカップリング剤などのカップリング剤で
予め表面処理したものを配合することが好ましい。この
ようなカップリング剤としては、例えば、γ−グリシド
キシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプ
ロピルメチルジエトキシシラン、β−(3,4−エポキ
シシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等のエポ
キシ官能性アルコキシシラン、N−β(アミノエチル)
−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノ
プロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−γ−アミ
ノプロピルトリメトキシシラン等のアミノ官能性アルコ
キシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラ
ン等のメルカプト官能性アルコキシシランなどを用いる
ことが好ましい。なお、表面処理に用いるカップリング
剤の配合量及び表面処理方法については特に制限される
ものではない。
【0032】無機充填剤の充填量は、エポキシ樹脂と硬
化剤(フェノール樹脂)との総量100重量部に対して
400〜1200重量部、特に600〜900重量部が
好適であり、充填量が400重量部未満では膨張係数が
大きくなり、半導体素子に加わる応力が増大して素子特
性の劣化を招く場合があり、また、組成物全体に対する
樹脂量が多くなるために、本発明の目的とする難燃性が
得られない場合がある。一方、1200重量部を超える
と成形時の粘度が高くなり、成形性が悪くなる場合があ
る。なお、この無機充填剤は組成物全体の75〜92重
量%、特に83〜90重量%の含有量とすることが好ま
しい。
【0033】なお、この無機充填剤の配合量は、後述す
るモリブデン酸亜鉛を担持した無機充填剤を配合した場
合、この無機充填剤を含む配合量である。
【0034】また、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂
組成物には、(E)モリブデン酸亜鉛を無機充填剤に担
持したモリブデン化合物を配合することが好ましい。
【0035】即ち、十分な難燃効果を得るためには、モ
リブデン酸亜鉛をエポキシ樹脂組成物中に均一に分散さ
せることが好ましく、分散性を向上させるためには、予
めモリブデン酸亜鉛をシリカ、タルク等の無機充填剤に
担持したモリブデン化合物が最適である。モリブデン酸
亜鉛を担持させる無機充填剤としては、溶融シリカ、結
晶性シリカ等のシリカ類、タルク、アルミナ、窒化珪
素、窒化アルミニウム、ボロンナイトライド、酸化チタ
ン、ガラス繊維等が挙げられる。この場合、無機充填剤
の平均粒径としては0.1〜40μm、好ましくは0.
5〜15μm、比表面積は0.5〜50m2/g、好ま
しくは0.7〜10m2/gである。なお、本発明にお
いて、平均粒子径は、例えばレーザー光回折法等による
重量平均値(又はメディアン径)等として求めることが
でき、比表面積は、例えばBET吸着法により求めるこ
とができる。
【0036】また、無機充填剤にモリブデン酸亜鉛を担
持させたモリブデン化合物中のモリブデン酸亜鉛の含有
量は、5〜40重量%、特に10〜30重量%であるこ
とが好ましい。モリブデン酸亜鉛の含有量が少なすぎる
と十分な難燃効果が得られない場合があり、また多すぎ
ると成形時の流動性、硬化性が低下する場合がある。こ
のようなモリブデン酸亜鉛を無機充填剤に担持したモリ
ブデン化合物としては、例えばSHERWIN−WIL
LIAMS社のKEMGARD1261、911C、9
11B等が挙げられる。
【0037】無機充填剤にモリブデン酸亜鉛を担持させ
たモリブデン化合物の添加量としては、エポキシ樹脂と
硬化剤(フェノール樹脂)との総量100重量部に対し
て3〜120重量部であり、好ましくは3〜100重量
部で、より好ましくは5〜100重量部が望ましい。3
重量部未満では十分な難燃効果が得られない場合があ
り、また120重量部を越えると、流動性、硬化性の低
下を引き起こす場合がある。
【0038】この場合、モリブデン化合物中のモリブデ
ン酸亜鉛自体の添加量は、エポキシ樹脂と硬化剤(フェ
ノール樹脂)との総量100重量部に対して0.1〜4
0重量部、特に0.2〜40重量部が好ましい。0.1
重量部未満では十分な難燃効果が得られない場合があ
り、また、40重量部を超えると、流動性、硬化性の低
下を引き起こす場合がある。
【0039】本発明のエポキシ樹脂組成物には、更に必
要に応じて各種の添加剤を配合することができる。例え
ば熱可塑性樹脂、熱可塑性エラストマー、有機合成ゴ
ム、シリコーン系等の低応力剤、カルナバワックス等の
ワックス類、カーボンブラック等の着色剤、ハロゲント
ラップ剤等の添加剤を添加配合することができる。
【0040】本発明のエポキシ樹脂組成物を成型材料と
して調製する場合の一般的な方法としては、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂、その他の添加物を所定の組成比で
配合し、これをミキサー等によって十分均一に混合した
後、熱ロール、ニーダー、エクストルーダー等による溶
融混合処理を行い、次いで冷却固化させ、適当な大きさ
に粉砕して成形材料とすることができる。
【0041】このようにして得られる本発明の半導体封
止用エポキシ樹脂組成物は、各種の半導体装置の封止に
有効に利用でき、この場合、封止の最も一般的な方法と
しては低圧トランスファー成形法が挙げられる。なお、
本発明のエポキシ樹脂組成物の成形温度は150〜18
5℃で30〜180秒、後硬化は150〜185℃で2
〜20時間行うことが望ましい。
【0042】
【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に示すが、本発明は下記の実施例に制限されるもので
はない。なお、以下の例において、部はいずれも重量部
である。
【0043】[実施例1〜5、比較例1〜6]表1に示
す成分を熱2本ロールにて均一に溶融混合し、冷却、粉
砕して半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。使用し
た原材料を下記に示す。
【0044】エポキシ樹脂 (イ)4,4’−ビフェノールと下記式(3)で示され
るフェノール樹脂(フェノール当量;203)の重量比
1:4の混合物をグリシジル化したもの (ロ)ビフェニル型エポキシ樹脂:YX4000HK
(油化シェル(株)製、エポキシ当量;190) (ハ)ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂:NC30
00(日本化薬(株)製、エポキシ当量;278)フェノール硬化剤 (ニ)下記式(3)で示されるビフェニルアラルキル型
樹脂:MEH−7851SS(明和化成(株)製、フェ
ノール当量;203) (ホ)下記式(4)で示されるα−ナフトールアラルキ
ル型樹脂 (ヘ)下記式(5)で示されるβ−ナフトールアラルキ
ル型樹脂 (ト)フェノールアラルキル樹脂:MEH−7800S
S(明和化成(株)製、フェノール当量;175)
【0045】
【化7】 硬化促進剤 トリフェニルホスフィン(北興化学(株)製)無機充填剤 球状溶融シリカ((株)龍森製)モリブデン化合物 モリブデン酸亜鉛、KEMGARD911B(SHER
WIN−WILLIAMS製、モリブデン酸亜鉛含有量
18重量%、コア材:タルク、平均粒径2.0μm、比
表面積2.0m2/g)離型剤 カルナバワックス(日興ファインプロダクツ(株)製)シランカップリング剤 KBM−403、γ−グリシドキシプロピルトリメトキ
シシラン(信越化学工業(株)製)イオントラップ剤 ハイドロタルサイト、DHT−4A・2(協和化学工業
(株)製)
【0046】これらの組成物につき、以下の諸特性を測
定した。結果を表1に示す。
【0047】≪スパイラルフロー値≫EMMI規格に準
じた金型を使用して、175℃、7.0N/mm2、成
形時間120秒の条件で測定した。
【0048】≪ゲル化時間≫組成物のゲル化時間を17
5℃熱板上で測定した。
【0049】≪溶融粘度≫高化式フローテスターを用
い、98Nの加圧下、直径1mmのノズルを用い、温度
175℃で粘度を測定した。
【0050】≪吸水率≫175℃、7.0N/mm2
成形時間2分の条件で直径50×3mmの円盤を成形
し、180℃で4時間ポストキュアしたものを85℃/
85%RHの恒温恒湿器に168時間放置し、吸水率を
測定した。
【0051】≪鉛フリーで耐半田クラック性≫オート
モールド装置を用いて、14×20×2.7mmのフラ
ットパッケージを175℃、7.0N/mm2の圧力で
成形した。180℃で4時間ポストキュアしたものを、
85℃/60%RHの恒温恒湿器に168時間放置して
吸湿させた後、温度260℃の半田浴に30秒浸漬し、
超音波探査装置を用いて内部クラックの発生状況とリー
ド部の剥離を観察した。
【0052】≪鉛フリーで耐半田クラック性≫オート
モールド装置を用いて、14×20×2.7mmのフラ
ットパッケージを175℃、7.0N/mm2の圧力で
成形した。180℃で4時間ポストキュアしたものを、
85℃/85%RHの恒温恒湿器に168時間放置して
吸湿させた後、温度260℃の半田浴に30秒浸漬し、
超音波探査装置を用いて内部クラックの発生状況とリー
ド部の剥離を観察した。
【0053】≪難燃性≫UL−94垂直試験(試料厚さ
1.5875mm(1/16inch))、難燃性で表
わした。 但し、ΣF :フレーミング時間の合計(秒) Fmax :フレーミング時間の最大値(秒)
【0054】
【表1】
【0055】
【発明の効果】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物は、作業性及び流動性に優れ、ハロゲン化エポキシ樹
脂、アンチモン化合物を配合しなくとも、鉛フリーで耐
半田クラック性及び難燃性にも優れる硬化物を与えるも
のである。そのため、本発明の半導体封止用エポキシ樹
脂組成物の硬化物で封止された半導体装置は、産業上特
に有用である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 23/31 (72)発明者 富吉 和俊 群馬県碓氷郡松井田町大字人見1番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 (72)発明者 青木 貴之 群馬県碓氷郡松井田町大字人見1番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 (72)発明者 浅野 英一 群馬県碓氷郡松井田町大字人見1番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 (72)発明者 下田 太郎 群馬県碓氷郡松井田町大字人見1番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 (72)発明者 塩原 利夫 群馬県碓氷郡松井田町大字人見1番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 Fターム(参考) 4J002 CC27Y CD05W CD06X DE137 DE147 DE187 DF017 DJ007 DJ017 DK007 DL007 EN026 EN066 EU116 EU136 EW136 EY016 FB077 FB297 FD017 FD137 FD14Y FD156 GQ01 GQ05 4J036 AA05 AD07 AF01 AF05 DA04 DC02 DC03 DC38 DC40 DC41 DD07 FA01 FA03 FA05 FA06 FB08 JA07 4M109 AA01 BA01 CA21 EA04 EA05 EB03 EB04 EB12 EB18 EC03 EC20

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (A)4,4’−ビフェノールと下記一
    般式(1)で示されるフェノール樹脂との混合物をグリ
    シジル化して得られる変性エポキシ樹脂、(B)下記一
    般式(1)で示されるフェノール樹脂及び/又は下記一
    般式(2)で示されるフェノール樹脂、(C)硬化促進
    剤、(D)無機充填剤を必須成分とすることを特徴とす
    る半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化1】 (式中、R1は水素原子及び炭素数1〜4のアルキル基
    の中から任意に選択される、同一もしくは異なる原子又
    は基である。mは1〜15の自然数を示す。) 【化2】 (式中のR2は水素原子及び炭素数1〜4のアルキル基
    の中から任意に選択される、同一もしくは異なる原子又
    は基である。nは1〜15の自然数を示す。)
  2. 【請求項2】 (B)成分が上記一般式(2)において
    ナフトールの水酸基がβ位に配位しているβ−ナフトー
    ル型樹脂であることを特徴とする請求項1記載のエポキ
    シ樹脂組成物。
  3. 【請求項3】 (E)モリブデン酸亜鉛を無機充填剤に
    担持したモリブデン化合物を含有することを特徴とする
    請求項1又は2記載のエポキシ樹脂組成物。
  4. 【請求項4】 請求項1乃至3のいずれか1項記載のエ
    ポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置。
JP2001216735A 2001-07-17 2001-07-17 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 Expired - Fee Related JP3871025B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001216735A JP3871025B2 (ja) 2001-07-17 2001-07-17 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
KR1020020041516A KR100617287B1 (ko) 2001-07-17 2002-07-16 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치
US10/196,222 US6723452B2 (en) 2001-07-17 2002-07-17 Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001216735A JP3871025B2 (ja) 2001-07-17 2001-07-17 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003026764A true JP2003026764A (ja) 2003-01-29
JP3871025B2 JP3871025B2 (ja) 2007-01-24

Family

ID=19051173

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001216735A Expired - Fee Related JP3871025B2 (ja) 2001-07-17 2001-07-17 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3871025B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004233693A (ja) * 2003-01-30 2004-08-19 Rohm & Haas Electronic Materials Llc エポキシ含有物質を含むネガ型感光性樹脂組成物
WO2007037500A1 (ja) * 2005-09-30 2007-04-05 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2015067615A (ja) * 2013-09-26 2015-04-13 日本化薬株式会社 エポキシ樹脂混合物、硬化性樹脂組成物、およびその硬化物

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004233693A (ja) * 2003-01-30 2004-08-19 Rohm & Haas Electronic Materials Llc エポキシ含有物質を含むネガ型感光性樹脂組成物
WO2007037500A1 (ja) * 2005-09-30 2007-04-05 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
US8470918B2 (en) 2005-09-30 2013-06-25 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Epoxy resin composition and semiconductor device
JP5620047B2 (ja) * 2005-09-30 2014-11-05 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2015067615A (ja) * 2013-09-26 2015-04-13 日本化薬株式会社 エポキシ樹脂混合物、硬化性樹脂組成物、およびその硬化物

Also Published As

Publication number Publication date
JP3871025B2 (ja) 2007-01-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4692744B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP3479827B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP3582576B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
KR100536538B1 (ko) 반도체 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 반도체 소자
KR100617287B1 (ko) 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치
US6783859B2 (en) Semiconductor encapsulating flame retardant epoxy resin composition and semiconductor device
JP3824065B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2007099996A (ja) 封止用樹脂組成物および半導体封止装置
JP3871025B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
KR100584069B1 (ko) 반도체 밀봉용 난연성 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치
JPH09255852A (ja) 封止材用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
JP2002003577A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP3824064B2 (ja) 半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH0977958A (ja) エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP2003138097A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
JP2003212957A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2003026779A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH05206331A (ja) 半導体封止用樹脂組成物
JP2003171534A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH0625385A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2004155841A (ja) 封止用樹脂組成物および半導体封止装置
JPH0625384A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2005281623A (ja) エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP2002294033A (ja) 難燃性エポキシ樹脂組成物、半導体封止材料、及び半導体装置
JP2003327796A (ja) 半導体封止用難燃性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040422

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060208

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060215

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060417

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060816

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060829

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060927

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20061010

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 3871025

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091027

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121027

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151027

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees