JP2003212957A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂 （Ｂ）硬化剤 （Ｃ）離型剤 （Ｄ）アルケニル基含有エポキシ化合物と、平均組成式
（２）で示されるオルガノポリシロキサンのブロック共
重合体 Ｈ_aＲ_bＳｉＯ_(4-a-b)/2 （２） （Ｅ）無機質充填剤 を含み、（Ｃ）離型剤が（ａ）成分及び（ｂ）成分を併
用したものである半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 （ａ）下記一般式（１）で示されるワックス。 【化１】 （Ｒ¹はＣ_18〜40の一価炭化水素基、Ｒ²は水素原子又は
Ｒ¹−ＣＯ−基である。） （ｂ）酸価が１５〜２８であるポリエチレンワックス。 【効果】 本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
は、半導体部品の封止時の成形に際し、連続して成形し
た時の離型性に優れ、ランナー折れ及び金型汚れが少な
く、しかも信頼性に優れた硬化物を与えるものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体部品の封止
時の成形に際し、連続して成形した時の離型性に優れ、
金型汚れが少なく、しかも耐湿信頼性に優れた硬化物を
与える半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び該樹脂組
成物の硬化物で封止した半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】現在、
半導体デバイスは樹脂封止型のダイオード、トランジス
ター、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩが主流であるが、エポキ
シ樹脂が他の熱硬化性樹脂に比べて成形性、接着性、電
気特性、機械特性、耐湿性等に優れているため、エポキ
シ樹脂組成物で半導体装置を封止することが一般的であ
る。

【０００３】半導体封止用エポキシ樹脂組成物中には、
半導体部品封止時に、金型からの離型性を高めるため、
一般に天然ワックスなどの離型剤が添加されている。し
かしながら、連続して半導体部品を成形する際、離型剤
成分によって金型が汚れたり、樹脂成分の酸化劣化によ
り金型からの離型性が低下してしまうことがあった。離
型性が低下すると離型時のダメージにより半導体素子の
信頼性が低下したり、金型のクリーニング頻度が高ま
り、生産性が落ちるといった問題があった。

【０００４】また、添加する離型剤の種類によっては、
半導体内部の素子や、基板、リードフレームとエポキシ
樹脂組成物との接着性を著しく損なうことがあり、これ
らの界面で接着性が落ちると剥離が生じたり、半導体部
品の半田リフロー時に剥離に起因するクラックが発生す
ることがあった。このため、離型性、特に連続成形時の
離型性と各種材料への接着性が両立するエポキシ樹脂組
成物の開発が望まれていた。特にビフェニル型エポキシ
樹脂、ビフェニル骨格含有アラルキル樹脂においては、
その重合度が低いために、金型への樹脂の移行が多くな
り、金型汚れが発生しやすいといった性質を有してお
り、そのために連続成形性に優れる離型剤の開発が望ま
れていた。

【０００５】この問題を解決するため、例えば特開２０
０１−１０６８７１号公報では、離型性と半田リフロー
時のクラック防止のために、炭素数１２〜２４の飽和脂
肪酸と炭素数１２〜４０の脂肪酸アミドを添加した組成
物が提案されている。しかしながら、組成物中に飽和脂
肪酸と脂肪酸アミドを添加すると、連続成形時の離型性
が十分ではなく、金型のクリーニング頻度が多くなると
いった問題点があった。

【０００６】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、半導体部品の封止時の成形に際し、連続して成形し
た時の離型性に優れ、金型汚れが少なく、しかも耐湿信
頼性に優れた硬化物を与える半導体封止用エポキシ樹脂
組成物、及び該樹脂組成物の硬化物で封止した半導体装
置を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者等は、上記目的を達成すべく鋭意検討を行った結
果、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）離型
剤、（Ｄ）シリコーン化合物及び（Ｅ）無機質充填剤を
必須成分とするエポキシ樹脂組成物において、上記
（Ｃ）離型剤として、下記の（ａ）成分及び（ｂ）成分
を併用した半導体封止用エポキシ樹脂組成物が、連続成
形性に優れるとともに、また該エポキシ樹脂組成物の硬
化物で封止された半導体装置が、耐湿信頼性に優れるも
のであることを見出し、本発明をなすに至ったものであ
る。

【０００８】（ａ）下記一般式（１）で示されるワック
ス。

【化２】 （但し、式中Ｒ¹は炭素数１８〜４０の置換若しくは非
置換の一価炭化水素基、Ｒ²は水素原子又はＲ¹−ＣＯ−
基である。） （ｂ）酸価が１５〜２８であるポリエチレンワックス。

【０００９】従って、本発明は、 （Ａ）エポキシ樹脂 （Ｂ）硬化剤 （Ｃ）離型剤 （Ｄ）シリコーン化合物として、アルケニル基含有エポ
キシ化合物のアルケニル基と、下記平均組成式（２）で
示されるオルガノポリシロキサンのＳｉＨ基とを付加反
応させたブロック共重合体 Ｈ_aＲ_bＳｉＯ_(4-a-b)/2 （２） （但し、式中Ｒは置換又は非置換の一価炭化水素基であ
り、ａ、ｂは０．００１≦ａ≦１、１≦ｂ≦３、１．０
０１≦ａ＋ｂ≦３を満足する正数である。） （Ｅ）無機質充填剤 を必須成分とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物であ
って、（Ｃ）離型剤が上記に示す（ａ）成分及び（ｂ）
成分を併用したものであることを特徴とする半導体封止
用エポキシ樹脂組成物、及び該半導体封止用エポキシ樹
脂組成物の硬化物で封止した半導体装置を提供する。

【００１０】以下、本発明について更に詳しく説明す
る。本発明のエポキシ樹脂組成物を構成する（Ａ）エポ
キシ樹脂は、特に限定されない。一般的なエポキシ樹脂
としては、ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂、トリフェノールアルカン型エポ
キシ樹脂、アラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニル骨格
含有アラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ
樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、複素環型
エポキシ樹脂、ナフタレン環含有エポキシ樹脂、ビスフ
ェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポ
キシ化合物、スチルベン型エポキシ樹脂等が挙げられ、
これらのうち１種を単独で又は２種以上を併用すること
ができる。

【００１１】上記エポキシ樹脂は、加水分解性塩素が１
０００ｐｐｍ以下、特に５００ｐｐｍ以下であり、ナト
リウム及びカリウムはそれぞれ１０ｐｐｍ以下とするこ
とが好ましい。加水分解性塩素が１０００ｐｐｍを超え
たり、ナトリウム又はカリウムが１０ｐｐｍを超える場
合は、長時間高温高湿下に半導体装置を放置すると、耐
湿性が劣化する場合がある。

【００１２】本発明に用いる硬化剤（Ｂ）も特に限定さ
れるものではない。一般的な硬化剤としては、フェノー
ル樹脂が好ましく、具体的には、フェノールノボラック
樹脂、ナフタレン環含有フェノール樹脂、アラルキル型
フェノール樹脂、トリフェノールアルカン型フェノール
樹脂、ビフェニル骨格含有アラルキル型フェノール樹
脂、ビフェニル型フェノール樹脂、脂環式フェノール樹
脂、複素環型フェノール樹脂、ナフタレン環含有フェノ
ール樹脂、ビスフェノールＡ型樹脂、ビスフェノールＦ
型樹脂等のビスフェノール型フェノール樹脂などが挙げ
られ、これらのうち１種を単独で又は２種以上を併用す
ることができる。

【００１３】上記硬化剤は、エポキシ樹脂と同様に、ナ
トリウム及びカリウムをそれぞれ１０ｐｐｍ以下とする
ことが好ましい。ナトリウム又はカリウムが１０ｐｐｍ
を超える場合は、長時間高温高湿下に半導体装置を放置
すると、耐湿性が劣化する場合がある。

【００１４】ここで、硬化剤の配合量は特に制限されな
いが、硬化剤としてフェノール樹脂を使用する場合、エ
ポキシ樹脂中に含まれるエポキシ基１モルに対して、硬
化剤中に含まれるフェノール性水酸基のモル比が０．５
〜２．０、特に０．８〜１．５の範囲であることが好ま
しい。

【００１５】また、本発明において、エポキシ樹脂と硬
化剤との硬化反応を促進させるため、硬化促進剤を用い
ることが好ましい。この硬化促進剤は、硬化反応を促進
させるものであれば特に制限はなく、例えばトリフェニ
ルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−メチ
ルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホス
フィン、トリフェニルホスフィン・トリフェニルボラ
ン、テトラフェニルホスフィン・テトラフェニルボレー
トなどのリン系化合物、トリエチルアミン、ベンジルジ
メチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミン、
１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７
などの第３級アミン化合物、２−メチルイミダゾール、
２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル
イミダゾールなどのイミダゾール化合物等を使用するこ
とができる。

【００１６】硬化促進剤の配合量は有効量であるが、上
記リン系化合物、第３級アミン化合物、イミダゾール化
合物等のエポキシ樹脂と硬化剤（フェノール樹脂）との
硬化反応促進用の硬化促進剤は、エポキシ樹脂と硬化剤
との総量１００重量部に対し、０．１〜３重量部、特に
０．５〜２重量部とすることが好ましい。

【００１７】本発明に用いられる（Ｃ）離型剤は、
（ａ）下記一般式（１）

【化３】 （但し、式中Ｒ¹は炭素数１８〜４０、好ましくは１８
〜３０の置換若しくは非置換の一価炭化水素基、Ｒ²は
水素原子又はＲ¹−ＣＯ−基である。）で示されるワッ
クス、及び（ｂ）酸価が１５〜２８であるポリエチレン
ワックスを併用して用いるものである。

【００１８】ここで、一般式（１）で示される（ａ）成
分の具体的な例としては、

【化４】 （但し、ｎは１８〜２３の整数である。）等が挙げら
れ、これらは１種を単独であるいは２種以上を併用して
用いることができる。なお、（ａ）成分の酸価として
は、１０〜３０、特に１５〜２５が好ましい。

【００１９】（ａ）成分の添加量は、（Ａ）エポキシ樹
脂と（Ｂ）硬化剤の総量１００重量部に対して０．１〜
７重量部、特に０．５〜５重量部であることが好まし
い。添加量が少ないと十分な離型効果が発現されない場
合があり、また添加量が多いと、表面にワックス成分が
滲み出し、表面汚れ、金型汚れの原因となるおそれがあ
る。

【００２０】また、（ｂ）成分は、酸価が１５〜２８の
ポリエチレンワックスであり、具体的には、滴点１０
４，酸価１７のポリエチレンワックス、滴点１１０，酸
価２７のポリエチレンワックス等が例示され、これらは
１種単独であるいは２種以上を併用して用いることがで
きる。

【００２１】本発明の（ｂ）ポリエチレンワックスにお
いて、酸価が１５より少ない、或いは２８を超える場合
は、離型効果が十分に得られない場合がある。好ましく
は酸価が１７〜２７である。また、滴点としては、１０
０〜１２０、特に１００〜１１０が好ましい。

【００２２】なお、本発明において、酸価の測定方法と
しては、ＡＳＴＭ Ｄ１３８６の方法が用いられる。ま
た、滴点は、ＡＳＴＭ Ｄ５６６の方法が用いられる。

【００２３】（ｂ）成分の添加量は、（Ａ）エポキシ樹
脂と（Ｂ）硬化剤の総量１００重量部に対して０．１〜
５重量部、特に０．５〜２重量部であることが好まし
い。添加量が少ないと十分な離型効果が発現されない場
合があり、また添加量が多いと、表面にワックス成分が
滲み出し、表面汚れ、金型汚れの原因となるおそれがあ
る。

【００２４】本発明の（Ｄ）成分であるシリコーン化合
物としては、アルケニル基含有エポキシ化合物のアルケ
ニル基と、下記平均組成式（２）で示されるオルガノポ
リシロキサンのＳｉＨ基とを付加反応させたブロック共
重合体を使用する。

【００２５】Ｈ_aＲ_bＳｉＯ_(4-a-b)/2 （２） （但し、式中Ｒは置換又は非置換の一価炭化水素基であ
り、ａ、ｂは０．００１≦ａ≦１、１≦ｂ≦３、１．０
０１≦ａ＋ｂ≦３を満足する正数である。）

【００２６】ここで、式（２）において、Ｒの一価炭化
水素基としては、炭素数１〜１０、特に１〜８のものが
好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル
基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒ
ｔ−ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチ
ル基、デシル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基、
プロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基等のアルケニ
ル基、フェニル基、キシリル基、トリル基等のアリール
基、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル
基等のアラルキル基などや、これら炭化水素基の水素原
子の一部又は全部を塩素、フッ素、臭素等のハロゲン原
子で置換したクロロメチル基、ブロモエチル基、トリフ
ルオロプロピル基等のハロゲン置換一価炭化水素基など
を挙げることができる。

【００２７】また、式（２）において、ａ、ｂのより好
ましい範囲は、０．０１≦ａ≦０．５、１．５≦ｂ≦
２．５、１．５１≦ａ＋ｂ≦２．５であり、式（２）の
オルガノポリシロキサンの一分子中におけるケイ素原子
数は２〜１０００、特に１０〜２００であることが好ま
しく、ケイ素原子に直結した水素原子（ＳｉＨ基）の数
は１〜１０、特に１〜５であることが好ましい。また、
ブロック共重合体中のオルガノポリシロキサン含有量は
５〜５０重量％、特に１０〜２０重量％であることが好
ましい。

【００２８】本発明の共重合体の製造方法は、すでに公
知であり（特公昭６３−６００６９号、特公昭６３−６
００７０号公報等）、アルケニル基含有エポキシ化合物
のアルケニル基と、上記式（２）で示されるオルガノポ
リシロキサンのＳｉＨ基との付加反応によって得ること
ができる。ブロック共重合体として、具体的には下記式
（３）で示される構造を例示することができる。

【００２９】

【化５】 （上記式中、Ｒは上記と同じ、Ｒ¹は水素原子又は炭素
数１〜４のアルキル基、Ｒ²は−ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂−、−
ＯＣＨ₂−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ₂−Ｏ−ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂
−又は−Ｏ−ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂−である。ｎは１〜２０
０、好ましくは１０〜１００の整数、ｐ、ｑは１〜１０
０、好ましくは１〜２０の整数である。）

【００３０】本発明においては、（Ｄ）成分を添加する
ことにより、離型剤成分とエポキシ樹脂及び硬化剤との
相溶性が向上するために、エポキシマトリックス中に離
型剤が均一に分散するため、離型剤成分が金型へ不均一
に滲み出す現象を抑えることができる。

【００３１】上記（Ｄ）シリコーン化合物の添加量は、
オルガノポリシロキサン部分の含有量が、エポキシ樹脂
と硬化剤との合計量１００重量部に対し、０．１〜７重
量部、特に０．５〜５重量部であることが好ましい。添
加量が０．１重量部未満では、十分な離型効果が得られ
ない場合があり、また７重量部を超えると、流動性の低
下を引き起こす場合がある。

【００３２】本発明に用いられる（Ｅ）無機質充填剤と
しては、通常エポキシ樹脂組成物に配合されるものを使
用することができる。例えば、溶融シリカ、結晶性シリ
カ等のシリカ類、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウ
ム、ボロンナイトライド、酸化チタン、ガラス繊維等が
挙げられる。これら無機質充填剤の平均粒径や形状は、
特に限定されるものではないが、平均粒径５〜３０μｍ
の球状の溶融シリカが特に好ましい。

【００３３】また、無機質充填剤の配合量は、エポキシ
樹脂と硬化剤の総量１００重量部に対し、４００〜１２
００重量部、特に６００〜１０００重量部とすることが
好ましい。配合量が少なすぎると、膨張係数が大きくな
り、半導体素子へのダメージが大きくなるおそれがあ
り、多すぎると、流動性が低下し、半導体素子が封止で
きなくなるおそれがある。

【００３４】なお、本発明の無機質充填剤は、樹脂と無
機質充填剤との結合強度を強くするため、シランカップ
リング剤、チタネートカップリング剤などのカップリン
グ剤で予め表面処理したものを配合することが好まし
い。このようなカップリング剤としては、γ−グリシド
キシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプ
ロピルメチルジエトキシシラン、β−（３，４−エポキ
シシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等のエポ
キシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）−γ−アミノプロ
ピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエト
キシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメ
トキシシラン等のアミノシラン、γ−メルカプトシラン
等のメルカプトシランなどのシランカップリング剤を用
いることが好ましい。ここで表面処理に用いるカップリ
ング剤の配合量及び表面処理方法については、特に制限
されるものではない。

【００３５】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
は、上記成分以外に、本発明の目的及び効果を発現でき
る範囲内において、カルナバワックス、高級脂肪酸、合
成ワックス等のワックス類を併用することもできる。

【００３６】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
には、更に必要に応じて各種の添加剤を配合することが
できる。例えば熱可塑性樹脂、熱可塑性エラストマー、
有機合成ゴム、シリコーン系等の低応力剤、カーボンブ
ラック等の着色剤、ハロゲントラップ剤、更には難燃
剤、例えばブロム化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン、
モリブデン酸亜鉛、リン酸エステル、トリフェニルホス
フェート、ポリリン酸アンモニウム、赤リン等のリン系
化合物、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の
水酸化物、ホウ酸亜鉛、スズ酸亜鉛等の無機化合物等の
添加剤を本発明の目的を損なわない範囲で添加配合する
ことができる。

【００３７】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
は、例えば、エポキシ樹脂、硬化剤、離型剤、シリコー
ン化合物、無機質充填剤、及びその他の添加物を所定の
組成比で配合し、これをミキサー等によって十分均一に
混合した後、熱ロール、ニーダー、エクストルーダー等
による溶融混合処理を行い、次いで冷却固化させ、適当
な大きさに粉砕して成形材料とすることができる。

【００３８】このようにして得られる本発明の半導体封
止用エポキシ樹脂組成物は、各種の半導体装置の封止用
として有効に利用でき、この場合、封止の最も一般的な
方法としては、低圧トランスファー成形法が挙げられ
る。なお、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の
成形温度は１５０〜１８０℃で３０〜１８０秒、後硬化
は１５０〜１８０℃で２〜１６時間行うことが望まし
い。

【００３９】

【発明の効果】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物は、半導体部品の封止時の成形に際し、連続して成形
した時の離型性に優れ、ランナー折れ及び金型汚れが少
なく、しかも信頼性に優れた硬化物を与えるものであ
る。

【００４０】また、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂
組成物の硬化物で封止された半導体装置は、耐湿信頼性
に優れたものであり、産業上特に有用である。

【００４１】

【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に示すが、本発明は下記の実施例に制限されるもので
はない。

【００４２】［実施例１〜７、比較例１〜４］表１に示
す成分を熱２本ロールにて均一に溶融混合し、冷却、粉
砕して半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。これら
の組成物につき、次の（イ）〜（ヘ）の諸特性を測定し
た。結果を表２に示した。 （イ）スパイラルフロー値 ＥＭＭＩ規格に準じた金型を使用して、温度１７５℃、
成形圧力６．９Ｎ／ｍｍ²、成形時間１２０秒の条件で
測定した。 （ロ）ゲル化時間 組成物のゲル化時間を１７５℃の熱板上で測定した。 （ハ）溶融粘度 高化式フローテスター（島津製作所製）を用いて、試験
荷重０．９８Ｎ／ｍｍ ²において１７５℃で測定した。 （ニ）成形硬度 ＪＩＳ−Ｋ６９１１に準じて、温度１７５℃、成形圧力
６．９Ｎ／ｍｍ²、成形時間９０秒の条件で１０×４×
１００ｍｍの棒を成形した時の熱時硬度をバーコール硬
度計で測定した。 （ホ）成形性（表面汚れ） ２４×２４×２．７ｍｍの大きさの２４０ｐｉｎＱＦＰ
（４２アロイ）に、オートモールド装置を用いてエポキ
シ樹脂組成物を温度１７５℃、成形圧力６．９Ｎ／ｍｍ
²、トランスファースピード１０秒、硬化時間１２０秒
の条件で成形した。目視で成形物の表面汚れを観察し
た。 （へ）連続成形性 窒化珪素でコートした７×７×０．４ｍｍのシリコンチ
ップをマウントした１４×２０×２．７ｍｍの大きさの
１００ｐｉｎＱＦＰ（４２アロイ）フレームを使用し
て、オートモールド装置を用いてエポキシ樹脂組成物を
温度１７５℃、成形圧力６．９Ｎ／ｍｍ²、トランスフ
ァースピード１０秒、成形時間６０秒の条件で連続成形
した。連続成形２００、５００、７００の各ショット
で、ランナー折れの状況及び金型の汚れを目視にて観察
し、また、５００ショット時における成型品のシリコン
チップ表面とエポキシ樹脂組成物との剥離度を超音波探
傷機で測定した。

【００４３】

【表１】

【００４４】エポキシ樹脂 （イ）ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂：ＥＯ
ＣＮ１０２０−５５（日本化薬製、エポキシ当量２０
０） （ロ）ビフェニル型エポキシ樹脂：ＹＸ４０００ＨＫ
（油化シェル製、エポキシ当量１９０） （ハ）エポキシ化高フェニル型アラルキル樹脂：ＮＣ３
０００Ｐ（日本化薬性、エポキシ当量２７２）

【００４５】硬化剤 （ニ）フェノールノボラック樹脂：ＤＬ−９２（明和化
成製、フェノール性水酸基当量１１０） （ホ）フェノールアラルキル樹脂：ＭＥＨ−７８００Ｓ
Ｓ（明和化成製、フェノール性水酸基当量１７５） （へ）高フェニル型アラルキル樹脂：ＭＥＨ７８５１
（明和化成製、フェノール性水酸基当量２０３）

【００４６】シリコーン化合物：アルケニル基含有エポ
キシ化合物とオルガノハイドロジェンポリシロキサンと
を付加反応させたブロック共重合体（ジオルガノポリシ
ロキサン含有量４５重量％、エポキシ当量３８０）

【００４７】

【化６】 （式中、Ｒはメチル基、Ｒ¹は水素原子、Ｒ²は−ＯＣＨ
₂−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ₂−Ｏ−ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂−であ
る。）

【００４８】無機質充填剤：球状溶融シリカ（龍森製、
平均粒径２０μｍ） 硬化触媒：トリフェニルホスフィン（北興化学製） カーボンブラック：デンカブラック（電気化学工業製） シランカップリング剤：γ−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン、ＫＢＭ−４０３（信越化学工業製）

【００４９】ワックス （１） 下記式で示される酸価２０のワックス

【化７】 （ｎは１８〜２３の整数） （２） 滴点１０４、酸価１７のポリエチレンワックス （３） カルナバワックス （４） 花王ワックスＥＢＦＦ

【００５０】

【表２】

【００５１】表２の結果から明らかなように、本発明の
半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、成形性に優れ、耐
湿信頼性に優れる硬化物を得ることができ、本発明のエ
ポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置は、
耐湿信頼性に優れるものである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/31 (72)発明者 浅野 英一 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 Ｆターム(参考） 4J002 BB03Z CC03X CC04X CC06X CC20X CD03W CD04W CD05W CD06W CD07W CD11Y CD14W CE00X DE137 DE147 DF017 DJ007 DJ017 DK007 DL007 EH026 FA047 FB137 FB147 FB157 FD017 FD090 FD130 FD14X FD166 GQ05 4J036 AA05 AC02 AD07 AD08 AD10 AE05 AE07 AF05 AF06 AF08 AF15 AJ18 AK17 DC05 DC06 DC10 DC40 DC46 DD07 FA03 FA04 FA05 FA06 FA12 FB02 FB07 FB08 GA06 JA07 4M109 AA01 CA21 EA10 EB09

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）エポキシ樹脂 （Ｂ）硬化剤 （Ｃ）離型剤 （Ｄ）シリコーン化合物として、アルケニル基含有エポ
   キシ化合物のアルケニル基と、下記平均組成式（２）で
   示されるオルガノポリシロキサンのＳｉＨ基とを付加反
   応させたブロック共重合体 Ｈ_aＲ_bＳｉＯ_(4-a-b)/2 （２） （但し、式中Ｒは置換又は非置換の一価炭化水素基であ
   り、ａ、ｂは０．００１≦ａ≦１、１≦ｂ≦３、１．０
   ０１≦ａ＋ｂ≦３を満足する正数である。） （Ｅ）無機質充填剤 を必須成分とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物であ
   って、（Ｃ）離型剤が下記に示す（ａ）成分及び（ｂ）
   成分を併用したものであることを特徴とする半導体封止
   用エポキシ樹脂組成物。 （ａ）下記一般式（１）で示されるワックス。 【化１】 （但し、式中Ｒ¹は炭素数１８〜４０の置換若しくは非
   置換の一価炭化水素基、Ｒ²は水素原子又はＲ¹−ＣＯ−
   基である。） （ｂ）酸価が１５〜２８であるポリエチレンワックス。
2. 【請求項２】 （Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）硬化剤との
   総量１００重量部に対して、（Ｃ）離型剤である（ａ）
   成分の添加量が０．１〜７重量部、（ｂ）成分の添加量
   が０．１〜５重量部、（Ｄ）シリコーン化合物の添加量
   がオルガノポリシロキサン部分の含有量が０．１〜７重
   量部となる量、（Ｅ）無機質充填剤の添加量が４００〜
   １２００重量部であることを特徴とする請求項１記載の
   半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
3. 【請求項３】 請求項１又は２記載の半導体封止用エポ
   キシ樹脂組成物の硬化物で封止した半導体装置。