JP7087810B2 - 半導体封止用熱硬化性樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
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Description
また、特許文献5には、エポキシ樹脂及び主鎖に脂肪族炭化水素基を有するビスマレイミド化合物を含む樹脂組成物の硬化物が、耐リフロー性に優れることが開示されている。しかしながら、該ビスマレイミド化合物の主鎖の脂肪族炭化水素基が長期試験により分解する、エポキシ樹脂と該マレイミド化合物との相溶性が乏しいため成形時に金型へ樹脂が付着しやすくなり離型性が悪い、といった課題があった。
すなわち、本発明は、下記の半導体封止用熱硬化性樹脂組成物、該組成物の硬化物及び該硬化物で封止された半導体装置を提供するものである。
下記成分(A)~(E)を含む半導体封止用熱硬化性樹脂組成物。
(A)シリコーン変性エポキシ樹脂以外の25℃で固体のエポキシ樹脂
(B)シリコーン変性エポキシ樹脂
(C)分子中に少なくとも1つのダイマー酸骨格、少なくとも1つの炭素数6以上の直鎖アルキレン基、少なくとも1つの炭素数6以上のアルキル基、及び少なくとも2つの環状イミド基を含有する環状イミド化合物
(D)無機充填材
(E)アニオン系硬化促進剤
(B)シリコーン変性エポキシ樹脂がアルケニル基含有エポキシ化合物と下記平均式(1)で表されるオルガノハイドロジェンポリシロキサンとの付加化合物であることを特徴とする<1>に記載の半導体封止用熱硬化性樹脂組成物。
HaR1 bSiO(4-(a+b))/2 (1)
(式(1)中、R1は互いに独立に、炭素数1~10の1価炭化水素基であり、aは0.01≦a≦1の正数であり、bは1≦b≦3の正数であり、1.01≦a+b<4である)
前記(C)成分が25℃で固体の環状イミド化合物であることを特徴とする<1>または<2>に記載の半導体封止用熱硬化性樹脂組成物。
(C)成分の環状イミド化合物が下記一般式(2)で表されるものである<1>から<3>のいずれかに記載の半導体封止用熱硬化性樹脂組成物。
前記一般式(2)中のAが下記構造で表されるもののいずれかである<4>に記載の半導体封止用熱硬化性樹脂組成物。
<1>から<5>のいずれかに記載の半導体封止用熱硬化性樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置。
本発明に用いられる(A)成分のエポキシ樹脂は、1分子中に2個以上エポキシ基を有するものであり、成形方法やハンドリング性の観点から25℃で固体である。また、本発明に用いられる(A)成分のエポキシ樹脂は、好ましくは融点が40℃以上150℃以下または軟化点が50℃以上160℃以下の固体である。
なお、(A)成分のエポキシ樹脂は後述する(B)成分のシリコーン変性エポキシ樹脂以外のエポキシ樹脂であり、(A)成分と(B)成分とは互いに相違するものである。
本発明では、(B)成分としてシリコーン変性エポキシ樹脂を含有する。シリコーン変性エポキシ樹脂は、1分子中に2個以上エポキシ基を有し、かつシリコーンで変性されたものでものであれば、特に制限なく使用することができるが、アルケニル基含有エポキシ化合物と下記平均式(1)で表されるオルガノハイドロジェンポリシロキサンとの付加化合物であることが好ましい。
HaR1 bSiO(4-(a+b))/2 (1)
(式(1)中、R1は互いに独立に、炭素数1~10の1価炭化水素基であり、aは0.01≦a≦1の正数であり、bは1≦b≦3の正数であり、1.01≦a+b<4である)
このエポキシ化合物に、メチルイソブチルケトン及び2-エチルヘキサノール変性塩化白金酸溶液を入れ、1時間の共沸脱水を行ない、還流温度にて対象のオルガノハイドロジェンポリシロキサンを滴下時間30分にて滴下する。ここで対象のオルガノハイドロジェンポリシロキサンとは、両末端にSiH基を1つずつ有するジメチルポリシロキサンであり、ジメチルポリシロキサン単位の繰り返し数が、式(9)で表される付加化合物を得る場合は58であり、式(10)で表される付加化合物を得る場合は28である、オルガノハイドロジェンポリシロキサンである。また、該オルガノハイドロジェンポリシロキサンのSiH基1モルに対して、アリル基含有のエポキシ化合物のアリル基が2.1モルとなる量比でオルガノハイドロジェンポリシロキサンを滴下する。更に、同一温度で4時間撹拌しながら反応させた後、得られた内容物を水洗し、溶剤を減圧下で留去する。
上記方法により、上記式(9)及び(10)で表わされる付加化合物は、白黄色透明~不透明固体の共重合体として得ることができる。
(C)成分は環状イミド化合物であって、分子中に少なくとも1つのダイマー酸骨格、少なくとも1つの炭素数6以上の直鎖アルキレン基、及び少なくとも2つの環状イミド基を有する。(C)成分の環状イミド化合物が炭素数6以上の直鎖アルキレン基を有することで、これを含む組成物の硬化物は優れた誘電特性を有するだけでなく、フェニル基の含有比率が低下し、耐トラッキング性が向上する。また、(C)成分の環状イミド化合物が直鎖アルキレン基を有することで、これを含む組成物の硬化物を低弾性化することができ、硬化物による半導体装置へのストレス低減にも効果的である。
ハンドリング性の観点から、(C)成分の環状イミド化合物は25℃で固体であるものが好ましい。
で示される4価の有機基のいずれかであることが好ましい。
また、式(2)中のBは2価のヘテロ原子を含んでもよい脂肪族環を有する炭素数6から18のアルキレン鎖であるが、好ましくは炭素数8以上15以下である。
式(2)中のnは1~10の整数であり、好ましくは2~7の整数である。式(2)中のmは0~10の整数であり、好ましくは0~7の整数である。
なお、本発明中で言及するMwとは、下記条件で測定したGPCによるポリスチレンを標準物質とした重量平均分子量を指すこととする。
[測定条件]
展開溶媒:テトラヒドロフラン
流量:0.35mL/min
検出器:RI
カラム:TSK-GEL Hタイプ(東ソー株式会社製)
カラム温度:40℃
試料注入量:5μL
また、環状イミド化合物は1種単独で使用しても複数種のものを併用しても構わない。
また、本発明の組成物中、(A)成分、(B)成分及び(C)成分の熱硬化樹脂成分は8~50質量%含有することが好ましく、9~45質量%含有することがより好ましく、10~40質量%含有することがさらに好ましい。
(D)成分である無機充填材は、本発明の熱硬化性樹脂組成物の硬化物の強度を高めるために配合される。(D)成分の無機充填材としては、通常エポキシ樹脂組成物やシリコーン樹脂組成物に配合されるものを使用することができる。例えば、球状シリカ、溶融シリカ及び結晶性シリカ等のシリカ類、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム、ボロンナイトライド、ガラス繊維及びガラス粒子等が挙げられる。
本発明の熱硬化性樹脂組成物には(E)成分としてアニオン系の硬化促進剤を添加する。アニオン系硬化促進剤は(A)成分のエポキシ樹脂や(B)成分のシリコーン変性エポキシ樹脂のエポキシ基、及び(C)成分の環状イミド化合物の環状イミド基の反応を促進するためのものである。
本発明の半導体封止用熱硬化性樹脂組成物には、離型剤を配合することができる。(F)成分の離型剤は、成形時の離型性を高めるために配合するものである。離型剤としては、一般的な熱硬化性エポキシ樹脂組成物に使用するものであれば制限はない。離型剤としては天然ワックス(例えば、カルナバワックス、ライスワックス等)及び合成ワックス(例えば、酸ワックス、ポリエチレンワックス、脂肪酸エステル等)があるが、硬化物の離型性の観点からカルナバワックスが好ましい。
本発明の半導体封止用熱硬化性樹脂組成物には、難燃性を高めるために難燃剤を配合することができる。該難燃剤は、特に制限されず、公知のものを使用することができる。該難燃剤としては、例えばホスファゼン化合物、シリコーン化合物、モリブデン酸亜鉛担持タルク、モリブデン酸亜鉛担持酸化亜鉛、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、酸化モリブデン、三酸化アンチモン等が挙げられる。これらは1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。該難燃剤の配合量は、(A)成分、(B)成分及び(C)成分の総和100質量部、つまり熱硬化性樹脂成分の総和100質量部に対して2~20質量部であり、好ましくは3~10質量部である。
本発明の半導体封止用熱硬化性樹脂組成物には、熱硬化性樹脂成分と(D)成分である無機充填材との結合強度を強くしたり、該樹脂成分と金属リードフレームや基板との接着性を高くしたりするため、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤等のカップリング剤を配合することができる。
また、無機充填材を予めカップリング剤で処理してもよいし、熱硬化性樹脂成分と無機充填材とを混練する際に、カップリング剤を添加して表面処理しながら組成物を製造してもよい。
本発明の半導体封止用熱硬化性樹脂組成物には、更に必要に応じて各種の添加剤を配合することができる。該添加剤として本発明の効果を損なわない範囲で、樹脂特性を改善するためにオルガノポリシロキサン、シリコーンオイル、熱可塑性樹脂、熱可塑性エラストマー、有機合成ゴム、シリコーンパウダー、光安定剤、顔料、染料等を配合してもよいし、電気特性を改善するためにイオントラップ剤等を配合してもよい。さらには誘電特性を改善するためにフッ素コートフィラーのような含フッ素材料等を配合してもよく、シアネートエステル樹脂のような熱硬化性樹脂を配合しても構わない。
本発明の組成物の製造方法は特に制限されるものでない。例えば、(A)~(E)成分及び必要に応じてその他の成分を所定の組成比で配合し、ミキサー等によって十分に均一に混合した後、熱ロール、ニーダー、エクストルーダー等による溶融混合し、次いで冷却固化させ、適当な大きさに粉砕すればよい。得られた樹脂組成物は成形材料として使用できる。
(A-1)トリスフェニロールメタン型エポキシ樹脂(EPPN-501H、日本化薬(株)製、エポキシ当量:165、軟化点54℃)
(A-2)ビスフェノールA型エポキシ樹脂(jER-1001、三菱ケミカル(株)、エポキシ当量:475、軟化点64℃)
(B-1)下記式(9)で表わされる付加化合物(信越化学工業(株)製)
(C-1)下記式で示されるマレイミド化合物(重量平均分子量3,000、BMI-3000:Designer Molecules Inc.製)
(D-1)溶融球状シリカ(RS-8225H/53C、(株)龍森製、平均粒径13μm)
(E-1)イミダゾール系硬化促進剤(1B2PZ、四国化成(株)製)
(F-1)カルナバワックス(TOWAX-131:東亜化成(株)製)
表1、2に示す配合(質量部)で、各成分を熱二本ロールで溶融混合し、得られた混合物を冷却、粉砕して樹脂組成物を得た。これらの組成物につき、以下の諸特性を測定した。その結果を表1、2に示す。
EMMI規格に準じた金型を使用して、成形温度175℃、成形圧力6.9N/mm2、成形時間120秒の条件で、上記熱硬化性樹脂組成物の成形体のスパイラルフロー値を測定した。
JIS K 6911:2006規格に準じた金型を使用して、成形温度175℃、成形圧力6.9N/mm2、成形時間120秒の条件で上記熱硬化性樹脂組成物の硬化物を作製し、該硬化物を180℃で4時間ポストキュアーした。
ポストキュアー後の硬化物から作製した試験片について、JIS K 6911:2006規格に準じて室温(25℃)にて、曲げ強さ、曲げ弾性率を測定した。
成形温度175℃、成形圧力6.9N/mm2、成形時間120秒の条件で厚み3mm、直径50mmの円板を成形し、該硬化物を180℃で4時間ポストキュアーした。その硬化物を用いてJIS C 2134(IEC60112)の方法に基づき、耐トラッキング特性試験を実施した。耐トラッキング特性電圧として、測定個数n=5の評価において、50滴以上の塩化アンモニウム0.1%水溶液で、すべての硬化物が破壊しない最大電圧を測定した。なお、600Vを上限とした。
成形温度175℃、成形圧力6.9N/mm2、成形時間120秒の条件で厚み1mm、1片70mmの成形片を成形し、ネットワークアナライザ(キーサイト社製 E5063-2D5)とストリップライン(キーコム株式会社製)を接続し、上記成形片の周波数1.0GHzにおける比誘電率と誘電正接を測定した。
成形温度175℃、成形圧力6.9N/mm2、成形時間120秒の条件でQFP(Quard Flat Package)(14mm×20mm×2.7mm、5キャビティー)を連続成形機により成形した。パッケージが金型に貼りつく、もしくはカルが金型に貼りつく等の不良が発生するまでのショット数を調べた。なお、350ショットを上限とした。
Claims (4)
- 下記成分(A)~(E)を含む半導体封止用熱硬化性樹脂組成物。
(A)シリコーン変性エポキシ樹脂以外の25℃で固体のエポキシ樹脂
(B)シリコーン変性エポキシ樹脂
(C)ダイマー酸から誘導された骨格を含有する、下記一般式(2)で表される環状イミド化合物
(D)無機充填材
(E)アニオン系硬化促進剤
- (B)シリコーン変性エポキシ樹脂がアルケニル基含有エポキシ化合物と下記平均式(1)で表されるオルガノハイドロジェンポリシロキサンとの付加化合物であることを特徴とする請求項1に記載の半導体封止用熱硬化性樹脂組成物。
HaR1 bSiO(4-(a+b))/2 (1)
(式(1)中、R1は互いに独立に、炭素数1~10の1価炭化水素基であり、aは0.01≦a≦1の正数であり、bは1≦b≦3の正数であり、1.01≦a+b<4である) - 前記(C)成分が25℃で固体の環状イミド化合物であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体封止用熱硬化性樹脂組成物。
- 請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体封止用熱硬化性樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置。
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