JP2005239911A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)硬化促進剤、(D)無機充填材、(E)二級のアミノ基を有するシランカップリング剤、及び(F)側鎖に長鎖のポリエーテルを有さない低分子量のシリコーンオイルを必須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。
Description
その最大の問題点は、表面実装の採用により半導体装置が半田浸漬或いは半田リフロー工程で急激に200℃以上の高温にさらされ、吸湿した水分が爆発的に気化する際の応力により、半導体装置内、特に半導体素子、リードフレーム、インナーリード上の金メッキや銀メッキ等の各種メッキされた各接合部分とエポキシ樹脂組成物の硬化物の界面で剥離が生じたりして、信頼性が著しく低下する現象である。
[1] (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール樹脂、(C)硬化促進剤、(D)無機充填材、(E)一般式(1)で表されるシランカップリング剤、及び(F)一般式(2)で表されるシリコーンオイルを必須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
である。
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子等の各種の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の従来からの成形方法で硬化成形すればよい。
なお、実施例、及び比較例で用いたカップリング剤及びシリコーンオイルについて、以下に示す。
エポキシ樹脂1:ビフェニル型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製、YX−4000、エポキシ当量190g/eq、融点105℃、以下、E−1という)
44重量部
フェノール樹脂1:フェノールアラルキル樹脂(三井化学(株)製、XLC−LL、水酸基当量165g/eq、軟化点79℃、以下H−1という) 38重量部
1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7(以下DBUという)
5重量部
溶融球状シリカ(平均粒径21μm) 900重量部
カップリング剤1 3重量部
シリコーンオイル1 2重量部
カーボンブラック 3重量部
カルナバワックス 5重量部
をミキサーにて混合し、熱ロールを用いて、95℃で8分間混練して冷却後粉砕し、エポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂組成物を、以下の方法で評価した。結果を表1に示す。
スパイラルフロー:EMMI−1−66に準じたスパイラルフロー測定用金型を用いて、金型温度175℃、圧力6.9MPa、硬化時間120秒で測定した。単位はcm。
充填性(ボイド):低圧トランスファー成形機を用いて成形温度175℃、圧力9.3MPa、硬化時間120秒で160pQFPを成形したものを、超音波探傷装置で観察し内部のボイドの評価を行った。○はボイドなし。△は一部にボイドあり。×は全面にボイドあり。
硬化性:キュラストメーター(オリエンテック(株)製、JSRキュラストメーターIVPS型)を用い、175℃、45秒後のトルクを測定した。この値の大きい方が硬化性は良好である。単位はN・m。
吸湿率:低圧トランスファー成形機を用いて、金型温度175℃、注入圧力7.9MPa、硬化時間120秒で、直径50mm、厚さ3mmの円板を成形し、175℃、8時間加熱処理し、85℃、相対湿度85%の環境下で168時間加湿処理し、重量変化を測定して吸湿率を求めた。単位は重量%。
耐半田性:低圧トランスファー成形機を用いて、成形温度175℃、圧力8.3MPa、硬化時間120秒で、80pQFP(Cuフレーム、チップサイズ6.0mm×6.0mm)を成形し、アフターベークとして175℃、8時間加熱処理した後、85℃、相対湿度85%で120時間の加湿処理を行った後、260℃のIRリフロー処理をした。パッケージ内部の剥離とクラックを超音波探傷機で確認した。10個のパッケージ中の不良パッケージ数を示す。
表1、及び表2の配合に従い、実施例1と同様にしてエポキシ樹脂組成物を得て、実施例1と同様にして評価した。結果を表1、及び表2に示す。
実施例1以外で用いた原材料を以下に示す。
エポキシ樹脂2:ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂(日本化薬(株)製、NC3000P、軟化点58℃、エポキシ当量273、以下、E−2という。)
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