TWI462966B

TWI462966B - 樹脂組成物，預浸體，樹脂片材，金屬覆蓋之積層板，印刷佈線板，多層印刷佈線板及半導體裝置

Info

Publication number: TWI462966B
Application number: TW98144708A
Authority: TW
Inventors: Kuniharu Umeno
Original assignee: Sumitomo Bakelite Co
Priority date: 2008-12-25
Filing date: 2009-12-24
Publication date: 2014-12-01
Also published as: US8709587B2; US20110255258A1; TW201033280A; WO2010074085A1; CN102264793A; KR20110117061A; JP5545222B2; KR101526645B1; JPWO2010074085A1

Description

樹脂組成物，預浸體，樹脂片材，金屬覆蓋之積層板，印刷佈線板，多層印刷佈線板及半導體裝置

本發明係關於樹脂組成物、預浸體、樹脂片材、金屬覆蓋之積層板、印刷佈線板、多層印刷佈線板及半導體裝置。

近年，隨電子機器高功能化等要求，因應高密度安裝的印刷佈線板正尋求小型化且高密度化，在印刷佈線板上所形成的導體電路寬度或導體電路間寬度有變為更加狹窄的傾向。例如多層印刷佈線板所使用的內層電路基板，導體電路寬度與導體電路間寬度(L/S)從習知的100μm/100μm細微化至50μm/50μm、甚至朝20μm/20μm的方向演進，因此特別在多層印刷佈線板的外層電路中，有針對L/S為15μm/15μm的實用化進行檢討。

若L/S變狹窄，多層印刷佈線板所使用的絕緣層便要求較習知更優異的可靠度。具體而言，係要求由環氧樹脂組成物等樹脂組成物所形成之絕緣層的進一步低熱膨脹率化，且要更高的耐熱性、耐燃性及絕緣可靠度。

然而，習知印刷佈線板的絕緣層所使用之樹脂組成物，即便是已形成細微佈線的情況，仍非屬低熱膨脹率且能顯現出較習知更高之耐熱性、耐燃性及絕緣可靠度的樹脂組成物(例如引用文獻1、2)。

[專利文獻1]日本專利特開2005-240019

[專利文獻2]日本專利特開2007-119710

本發明係提供低熱膨脹率且能顯現出較習知更高之耐熱性、耐燃性及絕緣可靠度的樹脂組成物、樹脂片材、預浸體、多層印刷佈線板及半導體裝置。

此種目的係藉由下述本發明[1]~[17]項而達成。

[1]一種樹脂組成物，係含有(A)環氧樹脂、(B)氰酸酯樹脂及(C)鎓鹽化合物作為必要成分。

[2]如上述[1]項所記載之樹脂組成物，其中，上述(C)鎓鹽化合物係下述一般式(1)所示化合物：

[化1] 一般式(1)

(式中，P表示磷原子；R¹ 、R² 、R³ 及R⁴ 分別表示具有取代或無取代芳香環或雜環的有機基，或者取代或無取代脂肪族基，相互可為相同亦可不同。A^- 表示分子內具有至少1個以上可釋出於分子外之質子的n(n≧1)價質子供應體之陰離子、或其錯陰離子。)

[3]如上述[1]或[2]項所記載之樹脂組成物，其中，上述(C)鎓鹽化合物係下述一般式(2)所示化合物：

[化2] 一般式(2)

(式中，P表示磷原子；R¹ 、R² 、R³ 及R⁴ 分別表示具有取代或無取代之芳香環或雜環的有機基，或者取代或無取代脂肪族基，相互可為相同亦可不同。式中X¹ 係與取代基Y¹ 及Y² 鍵結的有機基。式中X² 係與取代基Y³ 及Y⁴ 鍵結的有機基。Y¹ 與Y² 係質子供應性取代基釋出質子而形成的基，相同分子內的取代基Y¹ 與Y² 係與矽原子鍵結而形成螯合構造。Y³ 與Y⁴ 係質子供應性取代基釋出質子而形成的基，相同分子內的取代基Y³ 與Y⁴ 係與矽原子鍵結而形成螯合構造。X¹ 與X² 係相互可為相同亦可不同；Y¹ 、Y² 、Y³ 、及Y⁴ 係相互可為相同亦可不同。Z¹ 表示具有取代或無取代芳香環或雜環的有機基，或者取代或無取代脂肪族基。)

[4]如上述[1]或[2]項所記載之樹脂組成物，其中，上述(C)鎓鹽化合物係下述一般式(3)所示化合物：

[化3] 一般式(3)

(式中，P表示磷原子；B表示硼原子；R¹ 、R² 、R³ 及R⁴ 分別表示具有取代或無取代芳香環或雜環的有機基，或者取代或無取代脂肪族基，相互可為相同亦可不同。R⁵ 、R⁶ 、R⁷ 及R⁸ 分別表示具有取代或無取代芳香環或雜環的有機基，或者取代或無取代脂肪族基，或者分子內具有至少1個以上可釋出於分子外之質子的n(n≧1)價質子供應體，相互可為相同亦可不同。)

[5]如上述[1]或[2]項所記載之樹脂組成物，其中，[5]上述(C)鎓鹽化合物係下述一般式(4)所示化合物：

[化4] 一般式(4)

(式中，P表示磷原子；B表示硼原子；R¹ 、R² 、R³ 及R⁴ 分別表示具有取代或無取代芳香環或雜環的有機基，或者取代或無取代脂肪族基，相互可為相同亦可不同。式中X³ 係與取代基Y⁵ 及Y⁶ 鍵結的有機基。式中X⁴ 係與取代基Y⁷ 及Y⁸ 鍵結的有機基。Y⁵ 與Y⁶ 係質子供應性取代基釋出質子而形成的基，相同分子內的取代基Y⁵ 與Y⁶ 係與硼原子鍵結而形成螯合構造。Y⁷ 與Y⁸ 係質子供應性取代基釋出質子而形成的基，相同分子內的取代基Y⁷ 與Y⁸ 係與硼原子鍵結而形成螯合構造。X³ 與X⁴ 係相互可為相同亦可不同；Y₅ 、Y₆ 、Y⁷ 及Y⁸ 係相互可為相同亦可不同。)

[6]如上述[1]至[5]項中任一項所記載之樹脂組成物，其中，上述樹脂組成物係更進一步含有無機填充材。

[7]一種預浸體，係將上述[1]至[6]項中任一項所記載之樹脂組成物含浸於基材中。

[8]一種樹脂片材，係將由上述[1]至[6]項中任一項所記載之樹脂組成物所構成之絕緣層，形成於薄膜上或金屬箔上。

[9]一種金屬覆蓋之積層板，係在基材中含浸[1]至[6]項中任一項所記載之樹脂組成物所構成的樹脂含浸基材層之至少單面，設有金屬箔。

[10]如上述[9]項所記載之金屬覆蓋之積層板，其中，藉由在上述[7]項所記載之預浸體、或由該預浸體2片以上重疊的積層體之至少單面上，重疊金屬箔並施行加熱加壓而獲得。

[11]一種印刷佈線板，係將上述[9]或[10]項所記載之金屬覆蓋之積層板使用於內層電路基板而成。

[12]一種多層印刷佈線板，係將上述[7]項所記載之預浸體重疊於內層電路基板的單面或雙面，並施行加熱加壓成形而成。

[13]如上述[12]項所記載之多層印刷佈線板，其中，上述內層電路基板係使用上述[9]或[10]項所記載之金屬覆蓋之積層板。

[14]一種多層印刷佈線板，係在內層電路上，將上述[1]至[6]項中任一項所記載之環氧樹脂組成物使用於絕緣層。

[15]如上述[14]項所記載之多層印刷佈線板，其中，將上述[8]項所記載之樹脂片材重疊於內層電路基板的單面或雙面，並施行加熱加壓成形而成。

[16]如上述[15]項所記載之多層印刷佈線板，其中，上述內層電路基板係使用上述[9]或[10]項所記載之金屬覆蓋之積層板。

[17]一種半導體裝置，係在上述[11]至[16]項中任一項所記載之印刷佈線板上搭載半導體元件而成。

本發明的樹脂組成物係即便使用於要求細微佈線加工的多層印刷佈線板，仍可顯現出低熱膨脹率、較習知更高的耐熱性、耐燃性及絕緣可靠度。

以下，針對本發明的樹脂組成物、預浸體、樹脂片材、金屬覆蓋之積層板、印刷佈線板、多層印刷佈線板及半導體裝置進行詳細說明。

[樹脂組成物]

首先，針對本發明的樹脂組成物進行說明。

本發明的樹脂組成物特徵在於：含有(A)環氧樹脂、(B)氰酸酯樹脂及(C)鎓鹽化合物作為必要成分。

上述(A)環氧樹脂在1分子內具有2個以上環氧基之前提下，其餘並無特別的限定。例如可舉出：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、溴化雙酚型環氧樹脂等雙酚型環氧樹脂；聯苯型環氧樹脂、聯苯芳烷型環氧樹脂、茋型環氧樹脂、酚-酚醛型環氧樹脂、甲酚-酚醛型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、雙環戊二烯型環氧樹脂、二羥基苯型環氧樹脂等，使酚類或萘酚類等的羥基與表氯醇產生反應而製得的環氧化合物；使烯烴利用過氧酸(peracid)而氧化且環氧化的環氧樹脂及環氧丙基酯型環氧樹脂等；可使用該等中之1種、或組合2種以上使用。其中，聯苯芳烷型環氧樹脂係就耐燃性的觀點屬於較佳。

上述(B)氰酸酯樹脂係例如使鹵化氰化合物與酚類產生反應，視需要利用加熱等方法施行預聚物化便可獲得。具體可舉例如：酚醛型氰酸酯樹脂；雙酚A型氰酸酯樹脂、雙酚E型氰酸酯樹脂、四甲基雙酚F型氰酸酯樹脂等雙酚型氰酸酯樹脂；雙環戊二烯型氰酸酯樹脂等。可使用該等中之1種或組合2種以上使用。

再者，上述(B)氰酸酯樹脂亦可使用將其施行預聚物化者。即，上述氰酸酯樹脂係可單獨使用，亦可併用不同重量平均分子量的氰酸酯樹脂，或亦可併用上述氰酸酯樹脂與其預聚物。

上述預聚物通常表示將上述氰酸酯樹脂利用加熱反應等，藉由進行例如三聚化而獲得者，就調整樹脂組成物的成形性、流動性的觀點而言，屬於較佳使用者。

上述預聚物並無特別的限定，例如可使用三聚化率20~50重量%者。

上述(A)環氧樹脂與(B)氰酸酯樹脂的調配比並無特別的限定，但(A)環氧樹脂與(B)氰酸酯樹脂的比率係當將環氧樹脂量設為1時，較佳在0.25~9.00範圍內、更佳在0.40~6.00範圍內。藉此便可形成絕緣可靠度、低熱膨脹性及耐燃性均優異之物。

上述(C)鎓鹽化合物較佳係下述一般式(1)所示化合物：

[化5] 一般式(1)

(式中，P表示磷原子；R¹ 、R² 、R³ 及R⁴ 分別表示具有取代或無取代芳香環或雜環的有機基，或者取代(或無取代)脂肪族基，相互可為相同亦可不同。A^- 表示分子內具有至少1個以上可釋出於分子外之質子的n(n≧1)價質子供應體之陰離子、或其錯陰離子。)

上述一般式(1)所示化合物係可依照例如日本專利特開2004-231765所記載之方法進行合成。若舉出一例，裝填入4,4'-雙酚S、溴化四苯基鏻及離子交換水，一邊施行加熱攪拌，一邊滴下氫氧化鈉水溶液。藉由將所析出之結晶施行過濾、水洗、真空乾燥，經精製便可獲得。

再者，上述(C)鎓鹽化合物較佳係下述一般式(2)所示化合物：

[化6] 一般式(2)

(式中，P表示磷原子；R¹ 、R² 、R³ 及R⁴ 分別表示具有取代或無取代芳香環或雜環的有機基，或者取代或無取代脂肪族基，相互可為相同亦可不同。式中X¹ 係與取代基Y¹ 及Y² 鍵結的有機基。式中X² 係與取代基Y³ 及Y⁴ 鍵結的有機基。Y¹ 及Y² 係質子供應性取代基釋出質子而形成的基，相同分子內的取代基Y¹ 及Y² 係與矽原子鍵結而形成螯合構造。Y³ 與Y⁴ 係質子供應性取代基釋出質子而形成的基，相同分子內的取代基Y³ 與Y⁴ 係與矽原子鍵結而形成螯合構造。X¹ 與X² 係相互可為相同亦可不同；Y¹ 、Y² 、Y³ 、及Y⁴ 係相互可為相同亦可不同。Z¹ 表示具有取代或無取代芳香環或雜環的有機基，或者取代或無取代脂肪族基。)

上述一般式(2)所示化合物係可依照例如日本專利特開2007-246671中的方法進行合成。若舉出一例，係將2,3-二羥基萘與3-硫醇基丙基三甲氧基矽烷及甲醇，在攪拌下均勻溶解，再將三乙胺的乙腈溶液滴下於攪拌中的燒瓶內。接著，將溴化四苯基鏻的甲醇溶液徐緩滴下於燒瓶內，再藉由將所析出的結晶施行過濾、水洗及真空乾燥，經精製便可獲得。

再者，上述(C)鎓鹽化合物較佳係下述一般式(3)所示化合物：

[化7] 一般式(3)

(式中，P表示磷原子；B表示硼原子；R¹ 、R² 、R³ 、及R⁴ 分別表示具有取代或無取代芳香環或雜環的有機基，或者取代或無取代脂肪族基，相互可為相同亦可不同。R⁵ 、R⁶ 、R⁷ 及R⁸ 分別表示具有取代或無取代芳香環或雜環的有機基，或者取代或無取代脂肪族基，或者分子內具有至少1個以上可釋出於分子外之質子的n(n≧1)價質子供應體，相互可為相同亦可不同。)

再者，上述(C)鎓鹽化合物較佳係下述一般式(4)所示化合物：

[化8] 一般式(4)

(式中，P表示磷原子；B表示硼原子；R¹ 、R² 、R³ 、及R⁴ 分別表示具有取代或無取代芳香環或雜環的有機基，或者取代或無取代脂肪族基，相互可為相同亦可不同。式中X³ 係與取代基Y⁵ 及Y⁶ 鍵結的有機基。式中X⁴ 係與取代基Y⁷ 及Y⁸ 鍵結的有機基。Y⁵ 與Y⁶ 表示質子供應性取代基釋出質子而形成的基，相同分子內的取代基Y⁵ 及Y⁶ 係與硼原子鍵結而形成螯合構造。Y⁷ 與Y⁸ 係質子供應性取代基釋出質子而形成的基，相同分子內的取代基Y⁷ 及Y⁸ 係與硼原子鍵結而形成螯合構造。X³ 與X⁴ 係相互可為相同亦可不同；Y⁵ 、Y⁶ 、Y⁷ 及Y⁸ 係相互可為相同亦可不同。)

上述一般式(3)及(4)所示化合物係例如可依照日本專利特開2000-246113中的方法進行合成。若舉出一例，係將硼酸、3-羥-2-萘甲酸、甲基賽珞蘇及純水，在攪拌下進行均勻溶解，接著將溴化四苯基鏻均勻溶解於甲醇/純水混合溶劑中的溶液，滴下於攪拌中的燒瓶內，再藉由將所析出結晶施行過濾、水洗及真空乾燥，經精製便可獲得。

上述一般式(1)至(4)中，R¹ 、R² 、R³ 、及R⁴ 係可舉例如：具有單環構造或由2~3個環所構成縮合環構造之具有取代或無取代芳香環的有機基；具有單環構造或由2~3個環所構成縮合環構造之具有取代或無取代雜環的有機基；或碳原子數1~10個的取代或無取代脂肪族烴基。

上述一般式(1)至(4)中，R¹ 、R² 、R³ 及R⁴ 係可舉例如：具有苯基、甲基苯基、甲氧基苯基、羥苯基、萘基、羥萘基及苄基等取代或無取代芳香環的有機基；具有糠偶醯基、噻吩基、吡咯基、吡啶基、嘧啶基、哌啶基、吲哚基、嗎啉基、喹啉基、異喹啉基、咪唑基及唑基等取代或無取代雜環的有機基；甲基、乙基、正丁基、正辛基及環己基等取代或無取代脂肪族基，從反應活性與安定性的觀點而言，較佳係苯基、甲基苯基、甲氧基苯基、羥苯基及羥萘基等取代或無取代芳香族基。另外，上述具有芳香環的有機基、具有雜環的有機基及脂肪族基中的取代基，係可舉例如甲基、乙基及羥基等。

上述一般式(3)中，R⁵ 、R⁶ 、R⁷ 、及R⁸ 係可舉例如：具有單環構造或由2~3個環構成之縮合環構造之具有芳香環的1價有機基；具有單環構造或由2~3個環所構成縮合環構造之具有雜環的1價有機基；或碳原子數1~8的取代或無取代1價脂肪族基。

上述一般式(3)中，R⁵ 、R⁶ 、R⁷ 及R⁸ 係具有芳香環或雜環的1價有機基或1價脂肪族基，該等中至少一者係從：分子內具有2個以上羧基的芳香族多元羧酸、1分子內分別至少具有1個酸酐基與羧基的芳香族羧酸、1分子內具有2個以上羥基的多元酚化合物、及1分子內分別至少具有1個羧基與酚性羥基的芳香族化合物之群組中選擇的質子供應體釋出1個質子而構成的基，該等係相互可為相同亦可不同。此種提供硼酸鹽基的質子供應體係可舉例如：對苯二甲酸、萘二羧酸、4,4-聯苯基二羧酸、4,4'-二羧基二苯基甲烷、偏苯三酸、均苯四甲酸等芳香族多元羧酸類；偏苯三酸酐等含酸酐基之芳香族羧酸；氫醌、兒茶酚、間苯二酚、二羥基萘、4,4-雙酚、4,4'-二羥二苯基甲烷、2,2-雙(4-羥苯基)丙烷、(羥基苯基)4,4'-二羥二苯基-2,2-六氟丙烷、雙(3,5-二甲基-4-二羥基苯基)甲烷、雙(3,5-二甲基-4-二羥基苯基)碸、4,4-二羥茋、4,4-二羥-α-甲基茋、雙酚茀等多元酚化合物類；以及水楊酸、羥苯甲酸、羥萘甲酸等化合物，惟並不僅侷限於該等。

上述一般式(2)及(4)中，X¹ 、X² 、X³ 及X⁴ 係具有單環構造或由2~3個環所構成縮合環構造之具有取代(或無取代)芳香環的有機基；或具有單環構造或由2~3個環所構成縮合環構造之具有取代或無取代雜環的有機基。

Y¹ 至Y⁸ 係鍵結於X¹ 至X⁴ 中所含芳香環或雜環上的取代基，屬於由1價質子供應性取代基釋出質子而形成的基，並會與硼原子或矽原子鍵結而形成螯合環。1價質子供應性取代基之中，較佳為羧基或羥基。

此種有機基Y¹ -X¹ -Y² 、Y³ -X² -Y⁴ 、Y⁵ -X³ -Y⁶ 、Y⁷ -X⁴ -Y⁸ ，在取代基Y¹ 至Y⁸ 位於可鍵結於硼原子或矽原子並形成螯合環之位置的前提下，相關其他取代基均無任何限定，亦可使用3價以上的質子供應體。其中，特佳係芳香族或雜環式多官能基羧酸或多元酚類。此情況的多元酚，表示苯環、萘環、其他芳香族性環上所鍵結的氫原子被2個以上羥基所取代的化合物總稱。

質子供應性取代基的Y¹ 至Y⁸ ，較佳係取代於芳香環或雜環上的相鄰位置處。

上述一般式(2)中，Z¹ 係可舉例如具有單環構造或由2~3個環所構成縮合環構造之具有取代或無取代芳香環的有機基；或者具有單環構造或由2~3個環所構成縮合環構造之具有取代或無取代雜環的有機基；或者碳原子數1~8的取代或無取代1價脂肪族基。該等的具體例係可舉例如：甲基、乙基、丙基、丁基、己基及辛基；環氧丙醇丙基、硫醇基丙基、胺丙基及乙烯基等取代或無取代脂肪族基；或者苯基、苄基、萘基及聯苯基等具有取代或無取代芳香環的有機基；吡啶基及吡咯基等具有取代或無取代雜環的有機基等等。該等之中，甲基、苯基、萘基、環氧丙醇丙基係從熱安定性的層面而言屬更佳。另外，上述脂肪族基中的取代基係可舉例如環氧丙基、硫醇基、胺基等，上述芳香環、雜環中的取代基係可舉例如甲基、乙基、羥基、胺基等。

上述(C)鎓鹽化合物的含有量並無特別的限定，相對於(A)環氧樹脂與(B)氰酸酯樹脂的總量，較佳為0.01~10重量%、更佳為0.1~5重量%。藉此，便可顯現出優異的硬化性、流動性及硬化物特性。

本發明的樹脂組成物係視需要亦可添加無機填充材。無機填充材係可舉例如：滑石、燒成黏土、未燒成黏土、雲母、玻璃等矽酸鹽；氧化鈦、氧化鋁、二氧化矽、熔融二氧化矽等氧化物；碳酸鈣、碳酸鎂、水滑石等碳酸鹽；氫氧化鋁、氫氧化鎂、氫氧化鈣等氫氧化物；硫酸鋇、硫酸鈣、亞硫酸鈣等硫酸鹽或亞硫酸鹽；硼酸鋅、偏硼酸鋇、硼酸鋁、硼酸鈣、硼酸鈉等硼酸鹽；氮化鋁、氮化硼、氮化矽、氮化碳等氮化物；鈦酸鍶、鈦酸鋇等鈦酸鹽等等。

無機填充材係可單獨使用該等中之1種，亦可併用2種以上。該等之中，特佳為二氧化矽、更佳為熔融二氧化矽、特佳為球狀熔融二氧化矽。二氧化矽係從低熱膨脹性優異的觀點而言屬較佳。

無機填充材的形狀並無特別的限定，可舉例如破碎狀、球狀，例如在預浸體製造中，當使樹脂組成物含浸於基材中之時，為能確保含浸性而降低樹脂組成物的熔融黏度，較佳係使用球狀二氧化矽。可配合用途、目的而採用較佳的無機填充材形狀。

上述無機填充材的粒徑並無特別的限定，較佳係平均粒徑0.01~5.0μm。更佳為0.1~2.0μm。若無機填充材的平均粒徑未滿上述下限值，則當使用本發明樹脂組成物進行樹脂清漆的調製時，因為樹脂清漆的黏度會變高，因而會有對預浸體製作時的作業性造成影響的情況。另一方面，若超過上述上限值，則會有在樹脂清漆中引發無機填充材沉澱等現象的情況。藉由將無機填充材的平均粒徑設定在上述範圍內，便可形成作業性優異。

再者，上述無機填充材雖無特別的限定，但平均粒徑係可使用單分散的無機填充材，且平均粒徑亦可使用多分散的無機填充材。甚至平均粒徑亦可併用1種或2種以上的單分散及/或多分散無機填充材。

上述無機填充材的含有量並無特別的限定，但若將上述(A)環氧樹脂與(B)氰酸酯樹脂的總重量設為100重量份，則較佳為10~900重量份。更佳為25~400重量份，在樹脂片材或預浸體的製造時，可獲得優異的作業性與成形性。

本發明的樹脂組成物係除上述無機填充材之外，為求提升樹脂的相溶性、安定性、作業性等各種特性，尚可適當添加各種添加劑。例如：苯氧系樹脂或烯烴系樹脂所代表的熱可塑性樹脂、有機矽烷偶合劑、均塗劑、消泡劑、抗氧化劑、顏料或染料、難燃劑、紫外線吸收劑、離子捕捉劑、反應性及非反應性稀釋劑、搖變性賦予劑、增黏劑等。

[預浸體]

其次，針對預浸體進行說明。

使用本發明樹脂組成物的預浸體，係使上述樹脂組成物含浸於基材中，經加熱乾燥而成。藉此便可獲得供製造出介電特性、高溫多濕下的機械性、電氣式耦接可靠度等各種特性均優異的印刷佈線板之較佳預浸體。

製造上述預浸體的方法係首先將本發明的樹脂組成物，在丙酮、甲乙酮、甲基異丁酮、甲苯、醋酸乙酯、環己烷、庚烷、環己酮、環戊酮、四氫呋喃、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、二甲基亞碸、乙二醇、賽珞蘇系、卡必醇系、茴香醚等有機溶劑中，使用例如超音波分散方式、高壓衝撞式分散方式、高速回轉分散方式、珠磨機方式、高速剪切分散方式、及自轉公轉式分散方式等各種混合機，施行溶解、混合、攪拌而製得樹脂清漆。

上述樹脂清漆中的樹脂組成物含有量並無特別的限定，較佳為45~85重量%、更佳為55~75重量%。

其次，使用上述樹脂清漆，利用將基材浸漬於樹脂清漆中的方法、利用各種塗佈機施行塗佈的方法、利用噴霧器施行吹抵的方法等，使樹脂清漆含浸於基材中，經乾燥便可製得。該等之中，較佳為將基材浸漬於樹脂清漆中的方法。藉此便可提升樹脂組成物對基材的含浸性。另外，當將基材浸漬於樹脂清漆中之時，可使用通常的含浸塗佈設備。

上述基材並無特別的限定，可舉例如玻璃織布、玻璃不織布等玻璃纖維基材；聚醯胺樹脂纖維、芳香族聚醯胺樹脂纖維、全芳香族聚醯胺樹脂纖維等聚醯胺系樹脂纖維；聚酯樹脂纖維、芳香族聚酯樹脂纖維、全芳香族聚酯樹脂纖維等聚酯系樹脂纖維；由以聚醯亞胺樹脂纖維、氟樹脂纖維等為主成分的織布或不織布所構成合成纖維基材；以牛皮紙、棉短絨紙、短毛纖與牛皮紙漿的混抄紙等為主成分的紙基材等有機纖維基材等等。該等之中較佳為玻璃纖維基材。藉此可提升預浸體的強度，並降低吸水率，且可減小熱膨脹係數。

構成上述玻璃纖維基材的玻璃並無特別的限定，可舉例如：E玻璃、C玻璃、A玻璃、S玻璃、D玻璃、NE玻璃、T玻璃、H玻璃等。該等之中，較佳為E玻璃、T玻璃、或S玻璃。藉此可達成玻璃纖維基材的高彈性化，亦可減小熱膨脹係數。

[樹脂片材]

其次，針對樹脂片材進行說明。

使用本發明樹脂組成物的樹脂片材，係藉由將由本發明樹脂組成物所構成之絕緣層形成於薄膜上或金屬箔上而獲得。

上述樹脂片材的製造方法係首先將形成絕緣層的本發明樹脂組成物，在丙酮、甲乙酮、甲基異丁酮、甲苯、醋酸乙酯、環己烷、庚烷、環己酮、環戊酮、四氫呋喃、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、二甲基亞碸、乙二醇、賽珞蘇系、卡必醇系、茴香醚等有機溶劑中，使用超音波分散方式、高壓衝撞式分散方式、高速回轉分散方式、珠磨機方式、高速剪切分散方式及自轉公轉式分散方式等各種混合機，進行溶解、混合、攪拌而製得樹脂清漆。

其次，將上述樹脂清漆使用各種塗佈裝置，在薄膜上或金屬箔上施行塗佈後，再將其施行乾燥。或將樹脂清漆利用噴霧器裝置在薄膜上或金屬箔上施行噴霧塗佈後，再將其施行乾燥。藉由該等方法便可製得樹脂片材。

上述塗佈裝置並無特別的限定，可使用例如：輥塗機、棒塗機、刀式塗佈機、凹版塗佈機、模具塗佈機、間歇滾筒塗佈機及簾塗佈機等。該等之中，較佳為使用模具塗佈機、刀式塗佈機及間歇滾筒塗佈機的方法。藉此便可效率佳地製造出無孔洞且具有均勻絕緣層厚度的樹脂片材。

上述薄膜係為在薄膜上形成絕緣層，最好係選擇處置較為容易者。此外，在多層印刷佈線板製造時，因為在將樹脂片材的絕緣層積層於內層電路基板面之後，便將薄膜剝離，因而較佳係屬於經積層於內層電路基板之後，較容易剝離者。所以，上述薄膜較佳係使用例如：聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯等聚酯樹脂；氟系樹脂、聚醯亞胺樹脂等具有耐熱性的熱可塑性樹脂薄膜等。該等載體薄膜之中，更佳係由聚酯構成的薄膜。藉此可使從絕緣層上依適度強度進行剝離之事趨於容易。

上述薄膜的厚度並無特別的限定，較佳為1~100μm、更佳為3~50μm。若薄膜的厚度在上述範圍內，處置較為容易，且絕緣層表面的平坦性優異。

上述具金屬箔之樹脂片材係如同上述具薄膜之樹脂片材，亦可採取在內層電路基板上積層著樹脂片材後，再將金屬箔剝離的方法，且亦可採取將具金屬箔之樹脂片材積層於內層電路基板之後，再將金屬箔施行蝕刻，經形成導體電路之後才使用。上述金屬箔並無特別的限定，可使用例如：銅及/或銅系合金、鋁及/或鋁系合金、鐵及/或鐵系合金、銀及/或銀系合金、金及金系合金、鋅及鋅系合金、鎳及鎳系合金、錫及錫系合金等的金屬箔等等。

上述金屬箔的厚度並無特別的限定，較佳設為0.1μm以上、70μm以下。更佳為1μm以上、35μm以下、特佳為1.5μm以上、18μm以下。若上述金屬箔的厚度未滿上述下限值，則會有因金屬箔的刮傷與針孔，導致將金屬箔施行蝕刻形成導體電路並使用時，發生電路圖案成形時的鍍敷變動、電路斷線、蝕刻液或去膠渣液等藥液滲透等的可能性；反之，若超過上述上限值，則會有金屬箔的厚度變動變大、或金屬箔粗化面的表面粗度變動變大之情況發生。

再者，上述金屬箔亦可使用具載箔之極薄金屬箔。所謂「具載箔之極薄金屬箔」表示將可剝離的載箔與極薄金屬箔進行貼合的金屬箔。藉由使用具載箔之極薄金屬箔，便可在上述絕緣層的雙面上形成極薄金屬箔層，因而例如當利用半添加法等形成電路時，在未施行無電解鍍敷的情況下，藉由將極薄金屬箔當作直接供電層並施行電解電鍍，且在形成電路之後，可對極薄銅箔施行快速蝕刻。藉由使用具載箔之極薄金屬箔，即便厚度10μm以下的極薄金屬箔，仍可防止例如壓合步驟中的極薄金屬箔處置性降低、極薄銅箔的龜裂與斷裂等情形發生。上述極薄金屬箔的厚度較佳係0.1μm以上、10μm以下。更佳為0.5μm以上、5μm以下，特佳為1μm以上、3μm以下。

若上述極薄金屬箔的厚度未滿上述下限值，則會有因將載箔剝離後的極薄金屬箔刮傷與針孔，而造成電路圖案成形時的鍍敷變動、電路佈線斷線、蝕刻液或去膠渣液等藥液滲透等等情況發生的可能性；反之，若超過上述上限值，便會有極薄金屬箔的厚度變動變大、或極薄金屬箔粗化面的表面粗度變動變大之情況發生。

通常，具載箔之極薄金屬箔係在壓合成形後的積層板上施行電路圖案形成前，便將載箔剝離。

[金屬覆蓋之積層板]

接著，針對金屬覆蓋之積層板進行說明。

本發明的金屬覆蓋之積層板係在基材中含浸上述樹脂組成物而構成的樹脂含浸基材層至少單面上，設置金屬箔。

金屬覆蓋之積層板係例如藉由在將上述預浸體(或由該預浸體2片以上重疊的積層體)至少單面上，黏貼著金屬箔便可進行製造。

當預浸體為1片時，係在其上下二面或單面上重疊著金屬箔。此外，亦可將預浸體2片以上進行積層。預浸體2片以上進行積層時，在所積層預浸體的最外側上下二面或單面上，重疊著金屬箔或薄膜。接著，藉由將預浸體與金屬箔的重疊物施行加熱加壓成形，便可獲得金屬覆蓋之積層板。

施行上述加熱的溫度並無特別的限定，較佳為150℃~270℃、更佳180~230℃。此外，施行上述加壓的壓力並無特別的限定，較佳為1~5MPa、更佳為2~4MPa。藉此便可效率佳地使本發明樹脂組成物硬化。

本發明金屬覆蓋之積層板的另一製造方法，亦可如日本專利特開平8-150683所記載，使用長條狀基材與長條狀金屬箔的方法(日本專利特開平8-150683的段落0005、0006、圖1)。依照該方法的情況，準備將長條狀基材捲取呈捲筒形態物、以及將長條狀金屬箔捲取呈捲筒形態物等二者。然後，將2片金屬箔分別從輥送出，並分別施行本發明樹脂組成物的塗佈，而形成絕緣樹脂層。當樹脂組成物係經利用溶劑施行稀釋之後才使用的情況，便在塗佈後施行乾燥。接著，使2片金屬箔的絕緣樹脂層側呈相對向，並在其相對抗面間從輥送出1片或2片以上基材，再利用輥壓機施行積層接著。接著，施行連續性加熱加壓而使絕緣樹脂層形成半硬化狀態，經冷卻後，切斷為既定長度。根據此方法，一邊將長條狀基材與金屬箔移送往生產線上，一邊連續施行積層，因而在製造途中便可獲得長條狀半硬化積層體。將經切斷的半硬化狀態積層板利用壓合機施行加熱加壓，藉此便可獲得金屬覆蓋之積層板。

[印刷佈線板、多層印刷佈線板]

其次，針對本發明的印刷佈線板進行說明。本發明的印刷佈線板係將上述所記載的金屬覆蓋之積層板使用為內層電路基板。此外，本發明的印刷佈線板係在內層電路上，將上述預浸體使用為絕緣層而成。

再者，本發明的印刷佈線板係在內層電路上，將上述樹脂組成物使用為絕緣層而成。

本發明中所謂「印刷佈線板」表示在絕緣層上利用金屬箔等導電體形成電路者，可為諸如單面印刷佈線板(單層板)、雙面印刷佈線板(雙層板)、及多層印刷佈線板(多層板)任一者。所謂「多層印刷佈線板」表示利用鍍敷貫穿孔法或疊層法等，重疊3層以上的印刷佈線板，藉由在內層電路基板上重疊絕緣層，並施行加熱加壓成形便可獲得。

上述內層電路基板最好使用例如在本發明金屬覆蓋之積層板的金屬層上，利用蝕刻等形成既定導體電路，再將導體電路部分施行黑化處理者。

上述絕緣層係可使用本發明預浸體或由本發明樹脂組成物所構成的樹脂薄膜。由本發明樹脂組成物所構成的樹脂薄膜，亦可使用本發明樹脂片材進行積層。此外，上述絕緣層係當使用本發明預浸體、或由本發明樹脂組成物構成的樹脂薄膜之情況，上述內層電路基板亦可非屬由本發明金屬覆蓋之積層板構成者。

以下，就本發明印刷佈線板的代表例，針對將本發明金屬覆蓋之積層板使用為內層電路基板，並將本發明預浸體使用為絕緣層時的多層印刷佈線板進行說明。

在上述金屬覆蓋之積層板的單面或雙面上施行電路形成，而製作內層電路基板。依情況，亦可利用鑽床加工、雷射加工而形成貫穿孔，再利用鍍敷等施行二面的電氣式耦接。在該內層電路基板上重疊上述預浸體，並施行加熱加壓形成便形成絕緣層。同樣的，藉由交錯重複形成利用蝕刻等形成的導體電路層與絕緣層，便可獲得多層印刷佈線板。

具體而言，將上述預浸體與上述內層電路基板相對合，並使用真空加壓式層壓機裝置等施行真空加熱加壓成形，然後利用熱風乾燥裝置等使絕緣層進行加熱硬化。此處，加熱加壓成形的條件並無特別的限定，若舉一例，可依溫度60~160℃、壓力0.2~3MPa實施。此外，加熱硬化的條件並無特別的限定，若舉一例，可依溫度140~240℃、時間30~120分鐘實施。

再者，在下一步驟中施行雷射照射，而在絕緣層上形成開口部，但在此之前必需將基材剝離。基材的剝離係在形成絕緣層之後且加熱硬化之前、或加熱硬化後等任一時段實施，均不會有特別的問題發生。

其次，對絕緣層施行雷射照射而形成開孔部。上述雷射係可使用準分子雷射、UV雷射、及碳酸氣體雷射等。

雷射照射後的樹脂殘渣等(膠渣)較佳係利用過錳酸鹽、重鉻酸鹽等氧化劑等等施行除去的處理(即去膠渣處理)。若去膠渣處理不足，而無法充分確保去膠渣耐性，則即便對開孔部施行金屬鍍敷處理，仍會因膠渣的原因，導致無法確保上層金屬佈線與下層金屬佈線間之通電性的可能性。此外，可同時對平滑的絕緣層表面施行粗化，接著再利用金屬鍍敷，便可提升所形成導電佈線電路的密接性。

接著，形成外層電路。外層電路的形成方法係利用金屬鍍敷而達絕緣樹脂層間的耦接，並利用蝕刻施行外層電路圖案形成。

再者，將絕緣層施行積層，並對絕緣層表面利用過錳酸鹽、重鉻酸鹽等氧化劑等等施行粗化處理後，再利用金屬鍍敷便可形成新的導電佈線電路。

多層印刷佈線板係在電路形成後，再於最外層形成防焊劑。防焊劑的形成方法並無特別的限定，例如將乾膜式防焊劑施行積層(層壓)，經曝光及顯影而形成的方法，或者將經印刷有液狀光阻劑者利用曝光及顯影而形成的方法。此外，當將所獲得多層印刷佈線板使用於半導體裝置時，為能安裝半導體元件，便設置耦接用電極部。耦接用電極部係可利用諸如鍍金、鍍鎳及焊錫鍍敷等金屬皮膜適當地被覆。然後，將多層印刷佈線板切斷為既定大小。

[半導體裝置]

其次，針對半導體裝置進行說明。

半導體裝置係在利用上述方法所製得多層印刷佈線板上，安裝半導體元件便可製得。半導體元件的安裝方法、密封方法均無特別的限定。例如使用半導體元件與多層印刷佈線板，利用覆晶黏晶機等施行多層印刷佈線板上的耦接用電極部與半導體元件的焊錫凸塊之對位。然後，使用IR迴焊機裝置、熱板、其他加熱裝置，將焊錫凸塊加熱至熔點以上，藉由將多層印刷佈線板與焊錫凸塊施行熔融接合而耦接。然後，在多層印刷佈線板與半導體元件間填充入液狀密封樹脂，再藉由使硬化便可獲得半導體裝置。

另外，本發明並不僅侷限於前述實施形態，舉凡在可達成本發明目的之範疇內的變化、改良等均涵蓋於本發明內。

[實施例]

以下，針對本發明利用實施例與比較例進行詳細說明。

1.(C)鎓鹽化合物之合成

例示本發明所使用(C)鎓鹽化合物之合成方法一例，惟合成方法並不僅侷限於此。

(1)化合物I之合成

在具有溫度計、攪拌機及戴氏冷卻管的三口分離式燒瓶中，裝填入：四苯鏻四苯基硼酸鹽(北興化學工業(股)製，TPP-K)32.9g(0.05mol)、及1-萘甲酸34.4g(0.20mol)，於氮環境下，依260℃施行5小時攪拌。此時，將副產的苯排除於系統外。經冷卻後，將所獲得結晶利用甲醇施行洗淨後，經乾燥，更進一步利用真空乾燥施行精製，便獲得化合物I(47.0g)。產率係91%。

[化9] 化合物I

(2)化合物II之合成

在具有攪拌機與戴氏冷卻管的三口分離式燒瓶中，裝填入：3-羥-2-萘甲酸75.3g(0.40mol)、硼酸12.4g(0.20mol)、甲基賽珞蘇276g、及純水248g，於室溫下施行30分鐘攪拌而均勻溶解。接著，將在378g甲醇與378g純水的混合溶劑中，均勻溶解溴化四苯基鏻84.0g(0.20mol)的溶液，歷時1小時滴下於攪拌中的燒瓶中，而析出結晶。將所析出的結晶利用過濾、水洗及真空乾燥，而施行精製，獲得化合物II(137.2g)。產率係95%。

[化10] 化合物II

(3)化合物III之合成

在具有攪拌機與戴氏冷卻管的三口分離式燒瓶中，裝填入：己基三甲氧基矽烷8.26g(0.040mol)、2,3-二羥基萘12.82g(0.080mol)、預先將氫氧化鈉1.60g(0.040mol)溶解於10mL甲醇中的氫氧化鈉溶液、及甲醇50mL，並施行攪拌而均勻溶解。接著，將溴化四丁基鏻10.36g(0.040mol)預先利用25mL甲醇進行溶解的溶液，徐緩滴下於燒瓶內，便析出結晶。將所析出的結晶利用過濾、水洗及真空乾燥，而施行精製，獲得化合物III(22.30g)。產率係81%。

[化11] 化合物III

(4)化合物IV之合成

在具有攪拌機與戴氏冷卻管的三口分離式燒瓶中，裝填入：2,3-二羥基萘32.0g(0.20mol)、3-硫醇基丙基三甲氧基矽烷19.6g(0.10mol)、及甲醇150mL，於攪拌下呈均勻溶解。將三乙胺10.12g(0.10mol)預先溶解於20mL乙腈中的溶液，滴下於攪拌中的燒瓶內，接著，將溴化四苯基鏻41.9g(0.10mol)預先利用100mL甲醇施行溶解的溶液，徐緩滴下於燒瓶內，而析出結晶。將所析出的結晶利用過濾、水洗及真空乾燥而施行精製，獲得化合物IV(68.2g)。產率係90%。

[化12] 化合物IV

(5)化合物V之合成

在具有攪拌機與戴氏冷卻管的三口分離式燒瓶中，裝填入：2,3-二羥基萘32.0g(0.20mol)、苯基三甲氧基矽烷19.8g(0.10mol)、及甲醇150mL，於攪拌下呈均勻溶解。將三正丁胺18.5g(0.10mol)預先溶解於20mL乙腈中的溶液，滴下於攪拌中的燒瓶內，接著將溴化四苯基鏻41.9g(0.10mol)預先利用100mL甲醇進行溶解的溶液，徐緩滴下於燒瓶內，而析出結晶。將所析出的結晶利用過濾、水洗及真空乾燥而施行精製，獲得化合物V(70.0g)。產率係92%。

[化13] 化合物V

2.清漆之調製 (實施例1)

將酚醛型氰酸酯樹脂(LONZA Japan公司製、PRIMASETPT-30)25重量份、聯苯二亞甲基型環氧樹脂(日本化藥公司製，NC-3000，環氧當量275)50重量份、及依上述所獲得化合物I(1.9重量份)，溶解、分散於甲乙酮中。更進一步添加：球狀熔融二氧化矽(Admatechs公司製‧「SO-25H」、平均粒徑0.5μm)110重量份、及環氧矽烷型偶合劑(日本UNICAR公司製，A-187)0.5重量份，使用高速攪拌裝置施行30分鐘攪拌，調製得固形份70重量%的樹脂清漆。

3.預浸體之製造

在纖維基材的玻璃織布上含浸塗佈依上述所調製得清漆，於100℃下使溶劑乾燥，分別獲得厚度0.1mm與0.04mm的預浸體。

4.積層板之製造

在依上述所獲得0.1mm預浸體雙面上，重疊12μm銅箔(三井金屬礦業公司製)，依壓力3MPa、溫度220℃施行2小時加熱加壓成形，獲得雙面設有銅箔的積層板。

5.多層貼銅積層板之製造

在將銅箔表面施行粗化處理過的0.4mm貼銅積層板(SUMITOMO BAKELITE公司製、ELC-4785GS)雙面，重疊依上述所獲得0.04mm預浸體，更進一步在其上下重疊12μm銅箔(三井金屬礦業公司製)，依壓力3MPa、溫度220℃施行2小時加熱加壓成形，獲得多層貼銅積層板。將該多層貼銅積層板的外層銅箔施行蝕刻加工，形成10mmΦ 墊部。將內層銅與外層銅墊部利用銅線焊接，形成絕緣可靠度用的樣品。

(實施例2)

除取代化合物I，改為使用依上述所獲得化合物II(1.3重量份)之外，其餘均如同實施例1般的順序進行清漆調製，獲得厚度0.1mm及0.04mm的預浸體、積層板、多層貼銅積層板。

(實施例3)

除取代化合物I，改為使用依上述所獲得III(1.2重量份)之外，其餘均如同實施例1般的順序進行清漆調製，獲得厚度0.1mm及0.04mm的預浸體、積層板、多層貼銅積層板。

(實施例4)

除取代化合物I，改為使用依上述所獲得化合物IV(1.4重量份)之外，其餘均如同實施例1般的順序進行清漆調製，獲得厚度0.1mm及0.04mm的預浸體、積層板、多層貼銅積層板。

(實施例5)

除取代化合物I，改為使用依上述所獲得化合物V(1.4重量份)之外，其餘均如同實施例1般的順序進行清漆調製，獲得厚度0.1mm及0.04mm的預浸體、積層板、多層貼銅積層板。

(實施例6)

除取代酚醛型氰酸酯樹脂(LONZA Japan公司製，PRIMASETPT-30)25重量份，改為使用雙環戊二烯型氰酸酯樹脂(LONZA Japan公司製，PRIMASETDT-4000)25重量份之外，其餘均如同實施例1般的順序進行清漆調製，獲得厚度0.1mm及0.04mm的預浸體、積層板、多層貼銅積層板。

(實施例7)

除取代酚醛型氰酸酯樹脂(LONZA Japan公司製，PRIMASETPT-30)25重量份，改為使用雙酚A型氰酸酯樹脂(LONZA Japan公司製，PRIMASETBA200)25重量份之外，其餘均如同實施例1般的順序進行清漆調製，獲得厚度0.1mm及0.04mm的預浸體、積層板、多層貼銅積層板。

(比較例1)

除取代化合物I，改為使用咪唑I(四國化成公司製，Curezol 1B2PZ)0.4重量份之外，其餘均如同實施例1般的順序進行清漆調製，獲得厚度0.1mm及0.04mm的預浸體、積層板、多層貼銅積層板。

(比較例2)

除取代化合物I，改為使用咪唑II(四國化成公司製，Curezol 2P4MZ)0.3重量份之外，其餘均如同實施例1般的順序進行清漆調製，獲得厚度0.1mm及0.04mm的預浸體、積層板、多層貼銅積層板。

(比較例3)

除取代化合物I，改為使用DBU(Aldrich公司製，二氮雜雙環月桂烯，試劑)0.3重量份之外，其餘均如同實施例1般的順序進行清漆調製，獲得厚度0.1mm及0.04mm的預浸體、積層板、多層貼銅積層板。

(比較例4)

除使用雙環戊二烯型氰酸酯樹脂(LONZA Japan公司製，PRIMASETDT-4000)25重量份、咪唑I(四國化成公司製，Curezol 1B2PZ)0.5重量份之外，其餘均如同實施例1般的順序進行清漆調製，獲得厚度0.1mm及0.04mm的預浸體、積層板、多層貼銅積層板。

(比較例5)

除使用雙酚A型氰酸酯樹脂(LONZA Japan公司製，PRIMASETBA200)25重量份、咪唑I(四國化成公司製，Curezol 1B2PZ)0.5重量份之外，其餘均如同實施例1般的順序進行清漆調製，獲得厚度0.1mm及0.04mm的預浸體、積層板、多層貼銅積層板。

評估方法係如下說明。

(1)線熱膨脹係數

使用熱機械測定裝置(TA Instruments公司製)，於氮環境下，依拉伸模式施行升溫速度10℃/min、溫度25~300℃、荷重5g、2循環測定。熱膨脹率係設為第2循環的溫度50~100℃中之平均線熱膨脹係數。此外，評估樣品係將依上述所獲得貼銅積層板的銅箔施行蝕刻除去後，經切斷為既定大小之後才使用。

(2)玻璃轉移溫度(Tg)

使用DMA裝置(TA Instruments公司製DMA983)，依升溫速度5℃/分的條件施行測定，並將tanδ的尖峰視為玻璃轉移溫度Tg並施行測定。

再者，評估樣品係將依上述所獲得雙面設有銅箔的積層板之銅箔施行蝕刻除去後，經切斷為既定大小之後才使用。

(3)耐燃性

根據UL94V法，施行耐燃性的評估。

(4)耐熱性

經暴露於121℃/100%/2atm/2hr的PCT環境下之後，再於288℃焊錫浴中浸漬30秒，觀察銅箔/絕緣層有無膨脹情形。此外，評估樣品係將依上述所獲得雙面設有銅箔的積層板切斷為既定大小之後才使用。

(5)絕緣可靠度

在130℃/85%環境下施加20V，觀測經200hr後在潮濕中的電阻行為。

再者，評估樣品係使用上述經加工過的多層貼銅積層板。

(6)参考實驗1(耐濕可靠度)

相關依實施例1~7的樹脂組成物所獲得多層貼銅積層板，利用高壓蒸煮測試(PCT)施行耐濕可靠度的評估。此外，評估樣品係將依上述所獲得多層貼銅積層板的外層銅箔施行蝕刻除去，並經切斷為既定大小之後才使用。

將評估樣品在121℃/100%/2atm的高壓蒸煮測試(PCT)環境下，暴露96hr後及400hr後，觀察內層銅箔/絕緣層有無剝離情形。

(7)参考實驗2(耐藥性)

相關利用實施例1~7的樹脂組成物所獲得多層貼銅積層板，施行耐藥性的評估。此外，評估樣品係將依上述所獲得多層貼銅積層板的外層銅箔施行蝕刻除去，並經切斷為既定大小之後才使用。

將評估樣品在80℃膨潤液(Atotech Japan公司製‧「Swelling Dip Securiganth P500」)中浸漬5分鐘，更進一步利用80℃過錳酸鉀水溶液(Atotech Japan公司製‧「Concentrate Compact CP」)浸漬10分鐘，而施行氧化處理後，施行中和。經乾燥後，利用SEM觀察樹脂表面。

經蝕刻除去後的評估樣品表面，係將呈轉印著樣品製作時所使用厚度12μm銅箔(三井金屬礦業公司製)粗面的狀態。若利用過錳酸鉀水溶液過度施行氧化處理，樹脂便會被氧化除去而露出填料。在利用SEM施行的樹脂表面觀察中，確認所轉印的粗度形狀、以及有無樹脂龜裂及填料露出情形，將仍維持著氧化處理前的銅箔粗面轉印形狀之狀態評為「無問題」(OK)。此外，將並未維持氧化處理前的銅箔粗面轉印形狀，而露出填料的狀態評為「有問題」(NG)。

為參考用，將多層貼銅積層板的外層銅箔施行蝕刻除去而所獲得評估樣品(即無施行藥液處理者)的SEM照片，如圖1所示。此外，將評估樣品施行藥液處理後，判對屬「OK」例的照片，如圖2所示。且，此外，將評估樣品施行藥液處理後，判對屬「NG」例的照片，如圖3所示。

相關依實施例與比較例所獲得積層板，經施行特性評估的結果，如表1與表2所示。此外，參考實驗1與2的結果，如表3所示。

由表1中得知，使用本發明樹脂組成物的實施例之積層板，屬於低熱膨脹、高Tg，且耐燃性優異、絕緣可靠度亦優異。

另一方面，由表2中得知，使用咪唑系化合物的比較例1、比較例2、比較例4、比較例5、及使用胺系化合物之DBU(二氮雜雙環月桂烯)的比較例3，呈現絕緣可靠度差的結果。

再者，由表3所示參考實驗1與2的結果中得知，本發明的樹脂組成物雖未含有酚樹脂，但就可獲得優異的耐濕可靠度與耐藥性之觀點，屬較佳。習知含有環氧樹脂、氰酸酯樹脂及酚樹脂的樹脂組成物，係使用為印刷佈線板的絕緣層或預浸體，但在PCT環境下的耐濕可靠度與耐藥性多數呈現不足情況。相對於此，實施例所使用的樹脂組成物，因為並未含有酚樹脂，因而耐濕可靠度與耐藥性均優異。

(產業上之可利用性)

根據本發明，可製得具有極優異絕緣可靠度，高Tg且低熱膨脹率，且具有耐熱性與耐燃性的積層板以及多層印刷佈線板。該等可有效使用為因應電子機器高功能化等要求而衍生高密度安裝的印刷佈線板。

圖1為耐藥性試驗所使用之評估樣品的SEM照片。

圖2為耐藥性試驗後，被評估屬OK例的SEM照片。

圖3為耐藥性試驗後，被評估屬NG例的SEM照片。

Claims

一種樹脂組成物，係含有(A)環氧樹脂、(B)氰酸酯樹脂及下述一般式(2)、(3)或(4)所示之(C)鎓鹽化合物作為必要成分： (式中，P表示磷原子；R¹ 、R² 、R³ 及R⁴ 分別表示具有取代或無取代芳香環或雜環的有機基，或者取代或無取代脂肪族基，相互可為相同亦可不同；式中X¹ 係與取代基Y¹ 及Y² 鍵結的有機基；式中X² 係與取代基Y³ 及Y⁴ 鍵結的有機基；Y¹ 與Y² 係質子供應性取代基釋出質子而形成的基，相同分子內的取代基Y¹ 及Y² 係與矽原子鍵結而形成螯合構造；Y³ 及Y⁴ 係質子供應性取代基釋出質子而形成的基，相同分子內的取代基Y³ 及Y⁴ 係與矽原子鍵結而形成螯合構造；X¹ 及X² 係相互可為相同亦可不同，Y¹ 、Y² 、Y³ 、及Y⁴ 係相互可為相同亦可不同；Z¹ 表示具有取代或無取代芳香環或雜環的有機基，或者取代或無取代脂肪族基；) (式中，P表示磷原子，B表示硼原子；R¹ 、R² 、R³ 及R⁴ 分別表示具有取代或無取代芳香環或雜環的有機基，或者取代或無取代脂肪族基，相互可為相同亦可不同；R⁵ 、R⁶ 、R⁷ 及R⁸ 分別表示具有取代或無取代芳香環或雜環的有機基，或者取代或無取代脂肪族基，或者分子內具有至少1個以上可釋出於分子外之質子的n(n≧1)價質子供應體，相互可為相同亦可不同；) (式中，P表示磷原子，B表示硼原子；R¹ 、R² 、R³ 、及R⁴ 分別表示具有取代或無取代芳香環或雜環的有機基，或者取代或無取代脂肪族基，相互可為相同亦可不同；式中X³ 係與取代基Y⁵ 及Y⁶ 鍵結的有機基；式中X⁴ 係與取代基Y⁷ 及Y⁸ 鍵結的有機基；Y⁵ 及Y⁶ 係質子供應性取代基釋出質子而形成的基，相同分子內的取代基Y⁵ 及Y⁶ 係與硼原子鍵結而形成螯合構造；Y⁷ 及Y⁸ 係質子供應性取代基釋出質子而形成的基，相同分子內的取代基Y⁷ 及Y⁸ 係與硼原子鍵結而形成螯合構造；X³ 與X⁴ 係相互可為相同亦可不同；Y⁵ 、Y⁶ 、Y⁷ 及Y⁸ 係相互可為相同亦可不同)。
如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中，上述樹脂組成物係進一步含有無機填充材。
一種預浸體，係將上述申請專利範圍第1項之樹脂組成物含浸於基材中而成。
一種樹脂片材，係將由上述申請專利範圍第1項之樹脂組成物所構成的絕緣層，形成於薄膜上或金屬箔上。
一種金屬覆蓋之積層板，係在基材中含浸申請專利範圍第1項之樹脂組成物而構成的樹脂含浸基材層之至少單面上，設有金屬箔。
如申請專利範圍第5項之金屬覆蓋之積層板，其中，藉由在申請專利範圍第3項之預浸體或由該預浸體2片以上重疊的積層體之至少單面上重疊金屬箔，並施行加熱加壓而獲得。
一種印刷佈線板，係將申請專利範圍第5項之金屬覆蓋之積層板使用於內層電路基板而成。
一種多層印刷佈線板，係將申請專利範圍第3項之預浸體重疊於內層電路基板的單面或雙面，並施行加熱加壓成形而成。
如申請專利範圍第8項之多層印刷佈線板，其中，上述內層電路基板係使用申請專利範圍第5項之金屬覆蓋之積層板。
一種多層印刷佈線板，係在內層電路上，將申請專利範圍第1項之環氧樹脂組成物使用於絕緣層而成。
如申請專利範圍第10項之多層印刷佈線板，其中，將申請專利範圍第4項之樹脂片材重疊於內層電路基板的單面或雙面，並施行加熱加壓成形而成。
如申請專利範圍第11項之多層印刷佈線板，其中，上述內層電路基板係使用上述申請專利範圍第5項之金屬覆蓋之積層板。
一種半導體裝置，係在申請專利範圍第7項之印刷佈線板或申請專利範圍第8至12項中任一項之多層印刷佈線板上搭載半導體元件而成。