JP2017165922A - 封止用成形材料及び電子部品装置 - Google Patents
封止用成形材料及び電子部品装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017165922A JP2017165922A JP2016055052A JP2016055052A JP2017165922A JP 2017165922 A JP2017165922 A JP 2017165922A JP 2016055052 A JP2016055052 A JP 2016055052A JP 2016055052 A JP2016055052 A JP 2016055052A JP 2017165922 A JP2017165922 A JP 2017165922A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- component
- molding material
- sealing
- mass
- general formula
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
Description
パワー半導体にとって、電力変換効率はその性能を決定する非常に重要な項目であるが、ここにきて、従来のSi素子より変換効率の高い炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)等の化合物半導体の研究開発や市場での流通が活況を呈するようになってきた。
SiCについては、300℃以上での動作報告もあり、封止用成形材料には高いガラス転移温度とともに、長時間の高温動作等に耐え得る高い高温放置耐性が求められることになる。
本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。
[1](A)下記一般式(I)で表されるマレイミド樹脂と、(B)トリフェニルメタン骨格及び/又はナフタレン骨格を有するフェノール系硬化剤と、(C)下記一般式(II)で表されるベンゾオキサジン樹脂と、を含有し、前記(B)成分の含有量が、前記(A)成分100質量部に対し10〜50質量部であり、且つ、前記(C)成分の含有量が、前記(A)成分100質量部に対し20〜50質量部である、封止用成形材料。
(式中、R1はそれぞれ独立に炭素数1〜10の炭化水素基であって、炭化水素基はハロゲン原子で置換されていてもよい。R1が複数存在する場合、該複数のR1は、互いに同一でも異なっていてもよい。pはそれぞれ独立に0〜4の整数、qは0〜3の整数、zは0〜10である。)
(式中、X1は炭素数1〜10のアルキレン基、酸素原子、又は直接結合である。R2及びR3は、それぞれ独立に炭素数1〜10の炭化水素基である。R2及びR3が複数存在する場合、複数のR2及び複数のR3は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。m1及びm2は、それぞれ独立に0〜4の整数である。)
[2]前記(B)成分が、下記一般式(III)で表されるトリフェニルメタン骨格を有するフェノール樹脂、下記一般式(IV)で表されるナフタレン骨格を有するフェノール樹脂、及び下記一般式(V)で表されるナフタレン骨格を有するフェノール樹脂から選択される少なくとも1種を含む、上記[1]に記載の封止用成形材料。
(式中、xは0〜10である。)
(式中、y1は0〜10である。)
(式中、y2は0〜10である。)
[3]さらに、(D)トリフェニルメタン骨格及び/又はナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂を含有する、上記[1]又は[2]に記載の封止用成形材料。
[4]前記(D)成分が、下記一般式(VI)で表されるトリフェニルメタン骨格を有するエポキシ樹脂、下記一般式(VII)で表されるナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂、及び下記一般式(VIII)で表されるナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂から選択される少なくとも1種を含む、上記[3]に記載の封止用成形材料。
(式中、nは0〜10である。)
(式中、mは0〜10である。)
[5]前記(D)成分の含有量が、エポキシ当量換算で、前記(B)成分の水酸基100当量に対して10〜40当量である、上記[3]又は[4]に記載の封止用成形材料。
[6]さらに、(E)酸化型ポリエチレンワックスを含有する、上記[1]〜[5]のいずれか一項に記載の封止用成形材料。
[7]前記(E)成分の含有量が、前記(A)成分100質量部に対し0.01〜0.5質量部である、上記[6]に記載の封止用成形材料。
[8]さらに、(F)シリコーン系ワックスを含有する、上記[6]又は[7]に記載の封止用成形材料。
[9]上記[1]〜[8]のいずれか一項に記載の封止用成形材料により封止された素子を備える、電子部品装置。
(封止用成形材料)
まず、本発明の封止用成形材料の各成分について述べる。
〔(A)マレイミド樹脂〕
本発明で用いる(A)成分のマレイミド樹脂は、下記一般式(I)で表され、1分子内にマレイミド基を2つ以上含む化合物であり、加熱によりマレイミド基が、後述する(B)成分及び(C)成分と反応することで3次元的網目構造を形成し、硬化する樹脂である。また、上記マレイミド樹脂は、架橋反応により、硬化物に高いガラス転移温度(Tg)を与える。
上記炭素数1〜10の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基などのアルキル基;ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基などのアルケニル基;フェニル基、トリル基、キシリル基などのアリール基;ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基などの1価の炭化水素基が挙げられる。
また、R1が複数存在する場合、該複数のR1は、互いに同一でも異なっていてもよい。
zは0〜10であり、好ましくは0〜4である。
また、上記マレイミド樹脂は、例えば、N,N’−(4,4’−ジフェニルメタン)ビスマレイミドでz=0を主成分とするBMI、BMI−70(以上、ケイアイ化成(株)製)、BMI−1000(大和化成工業(株)製)、同じくz=0〜2を主成分とするBMI−2300(大和化成工業(株)製)等が市販品として入手することができる。
なお、上記一般式(I)で表されるマレイミド樹脂以外のマレイミド樹脂を配合する場合、その配合量は、(A)成分のマレイミド樹脂100質量部に対し、30質量部以下とすることが好ましく、20質量部以下とすることがより好ましく、10質量部以下とすることが更に好ましい。
本発明で用いる(B)成分のフェノール系硬化剤は、一分子中に少なくとも2個の水酸基を有し、トリフェニルメタン骨格及び/又はナフタレン骨格を含む。具体的には、トリフェニルメタン骨格を有するフェノール樹脂、及びナフタレン骨格を有するフェノール樹脂のうち少なくとも1種を含む。
上記(B)成分のフェノール系硬化剤は、リン系硬化促進剤等の存在下、170℃程度以上の温度で、(A)成分のマレイミド樹脂と比較的容易に付加反応を行い、高い熱分解温度を有する硬化物を与える。
(式中、xは0〜10である。)
(式中、y1は0〜10である。)
(式中、y2は0〜10である。)
なお、上記一般式(III)〜(V)で表されるフェノール樹脂は、1種を単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。2種以上を併用する場合、その合計量が上記範囲内となるようにする。
また、本発明の効果を損なわない範囲で、無水酸系硬化剤、アミン系硬化剤等を併用してもよい。
なお、上記(B)成分以外のフェノール系樹脂を併用する場合、その配合量は(B)成分のフェノール系硬化剤100質量部に対し、30質量部以下とすることが好ましく、20質量部以下とすることがより好ましく、10質量部以下とすることが更に好ましい。
上記(C)成分のベンゾオキサジン樹脂は加熱するとベンゾオキサジン環が開環する。そのため、本発明の封止用成形材料を加熱すると、該封止用成形材料中のベンゾオキサジン樹脂は、主として(A)成分のマレイミド樹脂と反応し、高温放置耐性に優れる3次元的網目構造を形成する。
また、R2及びR3が複数存在する場合、複数のR2及び複数のR3は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
また、上記観点から、(C)成分のベンゾオキサジン樹脂中、上記式(II−1)で表されるベンゾオキサジン樹脂の含有量は、好ましくは50〜100質量%、より好ましくは60〜100質量%、更に好ましくは70〜100質量%である。
なお、予備混合において、(B)成分のフェノール系硬化剤を2種以上用いてもよい。
本発明の封止用成形材料は、さらに(D)成分のトリフェニルメタン骨格、及び/又はナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂を含有することが、封止用成形材料の成形性及び該封止用成形材料の硬化物のガラス転移温度(Tg)を高める観点から好ましい。上記(D)成分のエポキシ樹脂は、一分子中に2個以上のエポキシ基を有し、トリフェニルメタン骨格、及び/又はナフタレン骨格を含む。具体的には、トリフェニルメタン骨格を有するエポキシ樹脂、及びナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂のうち少なくとも1種を含む硬化性エポキシ樹脂である。
上記トリフェニルメタン骨格を有するエポキシ樹脂としては、特に限定されるものではないが、例えば、下記一般式(VI)で表されるエポキシ樹脂が挙げられる。
(式中、nは0〜10である。)
(式中、mは0〜10である。)
なお、上記一般式(VI)〜(VIII)で表されるエポキシ樹脂は、1種を単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
なお、2種以上を併用する場合には、それらの合計量が上記範囲内となるように封止用成形材料を調製する。
なお、上記(D)成分以外のエポキシ樹脂を併用する場合、その配合量は(D)成分のエポキシ樹脂100質量部に対し、30質量部以下とすることが好ましく、20質量部以下とすることがより好ましく、10質量部以下とすることが更に好ましい。
本発明の封止用成形材料は、さらに(E)成分の酸化型ポリエチレンワックスを含有することが、金型離型性の観点から好ましい。
ここで、「ポリエチレンワックス」とは、主としてエチレンを繰り返し単位とするポリマーのうち、常温(20℃前後)で固体または半固体であって、常温から160℃付近までの温度範囲で溶融するものをいう。また、繰り返し単位の一部にプロピレンを含んでいてもよい。具体的には、ポリマー全量のうち、20質量%未満のプロピレンを含んでいてもよい。
また、本発明において、「酸化型ポリエチレンワックス」とは、酸価が1mgKOH/g以上のポリエチレンワックスを指す。その具体例としては、例えば、分子の一部にカルボキシル基を含むポリエチレン、又はエチレン・プロピレン共重合物のうち、上記性質を示すものが挙げられる。カルボキシル基の導入は、いわゆる空気酸化による方法でもよいし、他化合物との共重合による方法でもよい。
なお、本発明における軟化点とは、「環球式軟化点」を指し、ASTM D36に準拠して測定された値をいう。
本発明の封止用成形材料は、さらに(F)成分のシリコーン系ワックスを含有することが好ましい。中でも、常温で液状のアミノ変性シロキサン化合物、とりわけ両末端アミノ変性シロキサン化合物が、密着性及び金型離型性のバランスの観点から、好ましい。
なお、上記化合物は、予備混合時のアミノ基の反応性、密着性、離型性の観点から適宜選択して使用する。
上記(E)成分及び上記(F)成分以外の離型剤を配合する場合、その配合量は、封止用成形材料全量に対し、1質量%以下とすることが好ましく、0.5質量%以下とすることがより好ましく、0.3質量%以下とすることが更に好ましい。
上記トリメトキシシラン系カップリング剤としては、例えば、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
上記トリエトキシシラン系カップリング剤としては、例えば、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。
なお、シランカップリング剤は、後述するシリカ等の無機充填材と単純に混合して用いてもよいし、予め無機充填材に表面処理を施してもよい。また、本発明の効果を阻害しない範囲で、アルミネート系カップリング剤やチタネート系カップリング剤を添加しても構わない。
上記封止用成形材料の硬化物のガラス転移温度は、好ましくは250℃以上、より好ましくは260℃以上、更に好ましくは270℃以上である。上記封止用成形材料の硬化物の熱分解温度は、好ましくは360℃以上、より好ましくは370℃以上、更に好ましくは380℃以上である。
また、上記封止用成形材料の硬化物の高温放置耐性については、250℃で1000時間放置後の曲げ強度保持率が、好ましくは50%以上、より好ましくは60%以上、更に好ましくは70%以上である。
さらに、上記封止用成形材料の硬化物の密着力は、信頼性の観点から、好ましくは7MPa以上、より好ましくは10MPa以上である。
なお、硬化物のガラス転移温度、熱分解温度、曲げ強度保持率、及び密着力は、実施例に記載の方法により測定できる。
本発明の電子部品装置は、上記封止用成形材料により封止された素子を備える。上記電子部品装置とは、リードフレーム、単結晶シリコン半導体素子又はシリコン、ガリウム等の化合物半導体素子等の支持部材、これらを電気的に接続するためのワイヤやバンプ等の部材、及びその他の構成部材一式に対し、必要部分を上記封止用成形材料により封止された電子部品装置のことである。
また、上記封止用成形材料を用いることにより、耐熱性に優れ、高温放置後でも剥離やクラックを発生しにくい電子部品装置とすることができる。
表1及び表2に記載の種類及び配合量の各成分をミキシング二軸ロールで混練し、封止用成形材料を調製した。各実施例及び比較例における混練温度は、約120℃に設定した。なお、表1及び表2中、空欄は配合なしを表す。
〔(A)成分〕
・BMI−1000:N,N’−(4,4’−ジフェニルメタン)ビスマレイミド(一般式(I)中のz=0を主成分とする)、大和化成工業(株)製、商品名
・BMI−2300:ポリフェニルメタンマレイミド(一般式(I)中のz=0〜2を主成分とする)、大和化成工業(株)製、商品名
なお、上記マレイミド樹脂は、その全量を(B)成分のフェノール系硬化剤の全量に加え予備混合して用いた。予備混合は、120〜150℃で(B)成分のフェノール系硬化剤の全量を溶融させた後、同温度で、マレイミド樹脂を徐々に加えて混合し、その全量が溶融した後、更に10分程攪拌した。
〔(B)成分〕
・MEH−7500:トリフェニルメタン型フェノール樹脂(一般式(III)中のx=1〜4であるフェノール樹脂が主成分)、明和化成(株)製、商品名、水酸基当量97、軟化点110℃
・SN−485:ナフトールアラルキル樹脂(一般式(IV)中のy1=0〜3であるフェノール樹脂が主成分)、新日鉄住金化学(株)製、商品名、水酸基当量215、軟化点87℃
〔(C)成分〕
・ベンゾオキサジンP−d:ベンゾオキサジン樹脂(式(II−1)で表されるベンゾオキサジン樹脂)、四国化成工業(株)製、商品名
〔(D)成分〕
・EPPN−502H:トリフェニルメタン型エポキシ樹脂(一般式(VI)中のn=0〜3であるエポキシ樹脂が主成分)、日本化薬(株)製、商品名、エポキシ当量168、軟化点67℃
・ESN−375:ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂(一般式(VII)中のm=0〜3であるエポキシ樹脂が主成分)、新日鉄住金化学(株)製、商品名、エポキシ当量172、軟化点75℃
・HP−4710:ジヒドロキシナフタレンノボラック型エポキシ樹脂(一般式(VIII)で表されるエポキシ樹脂)、DIC(株)製、商品名、エポキシ当量161、軟化点82℃
〔(E)成分〕
・HW−4051E:三井化学(株)製、商品名、軟化点120℃、酸価12mgKOH/g
・HW−405MP:三井化学(株)製、商品名、軟化点128℃、酸価1mgKOH/g
〔(F)成分〕
・X−22−1660B−3:両末端アミノ変性ジフェニルシロキサン、信越化学工業(株)製、商品名、アミン当量2200g/mol、25℃粘度550mm2/s
なお、上記両末端アミノ変性ジフェニルシロキサンは、その全量を予め(A)成分及び(B)成分の全量に加え予備混合して用いた。予備混合は、120〜150℃で(B)成分の全量を溶融させた後、(A)成分を添加し、(A)成分の全量を溶解させた後に、両末端アミノ変性ジフェニルシロキサンを加えて混合し、その全量が溶融した後、更に10分程攪拌した。
・KBM−403:カップリング剤(3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン)、信越化学工業(株)製、商品名
・FB−105:無機充填材(溶融球状シリカ)、電気化学工業(株)製、商品名、平均粒径18μm、比表面積4.5m2/g
・PP−200:硬化促進剤(トリフェニルホスフィン)、北興化学工業(株)製、商品名
・MA−600:着色剤(カーボンブラック)、三菱化学(株)製、商品名
(1)ガラス転移温度(Tg)
封止用成形材料の硬化物の耐熱性の目安の一つとしてガラス転移温度(Tg)を測定した。まず、縦4mm×横4mm×高さ20mmの金型を用いて、封止用成形材料を上記条件で成形し、更に、上記条件で後硬化させ、成形品(縦4mm×横4mm×厚み20mm)を作製した。該成形品を必要な寸法に切り出したものを試験片とし、該試験片のガラス転移温度(Tg)を、熱分析装置(セイコーインスツル(株)製、商品名:SSC/5200)を用いて測定した。なお、250℃以上を合格とした。
封止用成形材料の硬化物の耐熱性のもう一つの目安として、TG−DTAによる熱分解温度を測定した。上記(1)と同サイズの試験片を乳鉢で十分にすり潰して得られた粉末を用い、昇温速度10℃/分で室温(25℃)から600℃まで加熱した。得られた重量変化チャートから、1%の重量減少が認められた温度を熱分解温度とした。測定装置はセイコーインスツル(株)製の「EXSTAR6000」を用いた。なお、360℃以上を合格とした。
縦10mm×横100mm×厚み4mmの試験片を上記条件により作製した。測定装置として(株)島津製作所製の「オートグラフAG−X」を用い、該試験片について、三点曲げ法による20℃での曲げ強度を支点間距離64mm、測定速度1mm/分の試験条件で4回測定し、その平均値を「初期の曲げ強度」とした。また、250℃で1000時間放置した後の試験片について曲げ強度を同様の手順により4回測定し、その平均値を「高温放置後の曲げ強度」とした。
なお、「初期の曲げ強度」に対する「高温放置後の曲げ強度」の比(曲げ強度保持率)が50%以上であるものを合格とした。
離型荷重測定成形機(京セラケミカル(株)製、商品名:GM−500)を用いて、PBGA(Plastic Ball Grid Array、30mm×30mm×1mm、t/2ヶ取り)に対して、300ショットの連続成形を行った。金型温度を185℃、成形時間を180秒とした。なお、以下の基準で評価した。
◎:300ショットまで連続成形が可能であり、金型汚れ等も見られなかった
○:300ショットまで連続成形が可能であった
×:未硬化、又は金型への貼りつき等により300ショットまでの連続成形が不可能であった
トランスファ成形機内の金型に、無電解Niメッキリードフレーム((株)三井ハイテック製、商品名:KLF−125)を配置し、該無電解Niメッキリードフレーム上に、直径3.5mmの封止用成形材料を上記条件で成形し、更に、上記条件で後硬化させた成形品をそれぞれ10個作製した。ボンドテスター−SS−30WD(西進商事(株)製、商品名)を用い、ヘッドスピード0.08mm/秒でシェア強度を測定した。なお、ヘッド高さは被着体上0.5mmとした。7MPa以上を合格とした。
一方、(C)成分を含まない比較例1〜3、及び7では、耐熱性は有するもののいずれも曲げ強度保持率が50%以下となり十分な高温放置耐性が得られない結果となった。また、(C)成分の含有量が本発明で特定した割合より少ない比較例4では、十分な高温放置耐性が得られず、(C)成分の含有量が本発明で特定した割合より多い比較例5では、成形性の評価が悪い結果となった。
Claims (9)
- (A)下記一般式(I)で表されるマレイミド樹脂と、(B)トリフェニルメタン骨格及び/又はナフタレン骨格を有するフェノール系硬化剤と、(C)下記一般式(II)で表されるベンゾオキサジン樹脂と、を含有し、前記(B)成分の含有量が、前記(A)成分100質量部に対し10〜50質量部であり、且つ、前記(C)成分の含有量が、前記(A)成分100質量部に対し20〜50質量部である、封止用成形材料。
(式中、R1はそれぞれ独立に炭素数1〜10の炭化水素基であって、炭化水素基はハロゲン原子で置換されていてもよい。R1が複数存在する場合、該複数のR1は、互いに同一でも異なっていてもよい。pはそれぞれ独立に0〜4の整数、qは0〜3の整数、zは0〜10である。)
(式中、X1は炭素数1〜10のアルキレン基、酸素原子、又は直接結合である。R2及びR3は、それぞれ独立に炭素数1〜10の炭化水素基である。R2及びR3が複数存在する場合、複数のR2及び複数のR3は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。m1及びm2は、それぞれ独立に0〜4の整数である。) - 前記(B)成分が、下記一般式(III)で表されるトリフェニルメタン骨格を有するフェノール樹脂、下記一般式(IV)で表されるナフタレン骨格を有するフェノール樹脂、及び下記一般式(V)で表されるナフタレン骨格を有するフェノール樹脂から選択される少なくとも1種を含む、請求項1に記載の封止用成形材料。
(式中、xは0〜10である。)
(式中、y1は0〜10である。)
(式中、y2は0〜10である。) - さらに、(D)トリフェニルメタン骨格及び/又はナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂を含有する、請求項1又は2に記載の封止用成形材料。
- 前記(D)成分が、下記一般式(VI)で表されるトリフェニルメタン骨格を有するエポキシ樹脂、下記一般式(VII)で表されるナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂、及び下記一般式(VIII)で表されるナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂から選択される少なくとも1種を含む、請求項3に記載の封止用成形材料。
(式中、nは0〜10である。)
(式中、mは0〜10である。)
- 前記(D)成分の含有量が、エポキシ当量換算で、前記(B)成分の水酸基100当量に対して10〜40当量である、請求項3又は4に記載の封止用成形材料。
- さらに、(E)酸化型ポリエチレンワックスを含有する、請求項1〜5のいずれか一項に記載の封止用成形材料。
- 前記(E)成分の含有量が、前記(A)成分100質量部に対し0.01〜0.5質量部である、請求項6に記載の封止用成形材料。
- さらに、(F)シリコーン系ワックスを含有する、請求項6又は7に記載の封止用成形材料。
- 請求項1〜8のいずれか一項に記載の封止用成形材料により封止された素子を備える、電子部品装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016055052A JP6614700B2 (ja) | 2016-03-18 | 2016-03-18 | 封止用成形材料及び電子部品装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016055052A JP6614700B2 (ja) | 2016-03-18 | 2016-03-18 | 封止用成形材料及び電子部品装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017165922A true JP2017165922A (ja) | 2017-09-21 |
JP6614700B2 JP6614700B2 (ja) | 2019-12-04 |
Family
ID=59912570
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016055052A Active JP6614700B2 (ja) | 2016-03-18 | 2016-03-18 | 封止用成形材料及び電子部品装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6614700B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019083003A1 (ja) * | 2017-10-27 | 2019-05-02 | Jxtgエネルギー株式会社 | 硬化樹脂用組成物、該組成物の硬化物、該組成物および該硬化物の製造方法、ならびに半導体装置 |
KR20190050524A (ko) * | 2017-11-03 | 2019-05-13 | 주식회사 케이씨씨 | 에폭시 수지 조성물 |
WO2019092968A1 (ja) * | 2017-11-10 | 2019-05-16 | 株式会社プリンテック | 樹脂組成物 |
WO2019208604A1 (ja) * | 2018-04-26 | 2019-10-31 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂組成物、積層体、樹脂組成物層付き半導体ウェハ、樹脂組成物層付き半導体搭載用基板、及び半導体装置 |
WO2020161926A1 (ja) * | 2019-02-05 | 2020-08-13 | 株式会社プリンテック | 樹脂組成物およびその製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006241281A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
WO2007037500A1 (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2010275497A (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Mitsubishi Gas Chemical Co Inc | 樹脂組成物、プリプレグ及び積層板 |
JP2017101152A (ja) * | 2015-12-02 | 2017-06-08 | 株式会社プリンテック | 変性ポリイミド樹脂組成物およびその製造方法、並びにそれを用いたプリプレグおよび積層板 |
-
2016
- 2016-03-18 JP JP2016055052A patent/JP6614700B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006241281A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 |
WO2007037500A1 (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2010275497A (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Mitsubishi Gas Chemical Co Inc | 樹脂組成物、プリプレグ及び積層板 |
JP2017101152A (ja) * | 2015-12-02 | 2017-06-08 | 株式会社プリンテック | 変性ポリイミド樹脂組成物およびその製造方法、並びにそれを用いたプリプレグおよび積層板 |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7086982B2 (ja) | 2017-10-27 | 2022-06-20 | Eneos株式会社 | 硬化樹脂用組成物、該組成物の硬化物、該組成物および該硬化物の製造方法、ならびに半導体装置 |
WO2019083003A1 (ja) * | 2017-10-27 | 2019-05-02 | Jxtgエネルギー株式会社 | 硬化樹脂用組成物、該組成物の硬化物、該組成物および該硬化物の製造方法、ならびに半導体装置 |
KR20200070275A (ko) * | 2017-10-27 | 2020-06-17 | 제이엑스티지 에네루기 가부시키가이샤 | 경화 수지용 조성물, 상기 조성물의 경화물, 상기 조성물 및 상기 경화물의 제조방법, 및 반도체 장치 |
US11897998B2 (en) | 2017-10-27 | 2024-02-13 | Eneos Corporation | Composition for curable resin, cured product of said composition, production method for said composition and said cured product, and semiconductor device |
JPWO2019083003A1 (ja) * | 2017-10-27 | 2020-11-12 | Eneos株式会社 | 硬化樹脂用組成物、該組成物の硬化物、該組成物および該硬化物の製造方法、ならびに半導体装置 |
KR102427036B1 (ko) | 2017-10-27 | 2022-08-01 | 에네오스 가부시키가이샤 | 경화 수지용 조성물, 상기 조성물의 경화물, 상기 조성물 및 상기 경화물의 제조방법, 및 반도체 장치 |
KR20190050524A (ko) * | 2017-11-03 | 2019-05-13 | 주식회사 케이씨씨 | 에폭시 수지 조성물 |
KR101997349B1 (ko) | 2017-11-03 | 2019-07-05 | 주식회사 케이씨씨 | 에폭시 수지 조성물 |
WO2019092968A1 (ja) * | 2017-11-10 | 2019-05-16 | 株式会社プリンテック | 樹脂組成物 |
JPWO2019092968A1 (ja) * | 2017-11-10 | 2021-01-28 | 株式会社プリンテック | 樹脂組成物 |
JP7137576B2 (ja) | 2017-11-10 | 2022-09-14 | 株式会社プリンテック | 樹脂組成物の製造方法 |
WO2019208604A1 (ja) * | 2018-04-26 | 2019-10-31 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂組成物、積層体、樹脂組成物層付き半導体ウェハ、樹脂組成物層付き半導体搭載用基板、及び半導体装置 |
JPWO2019208604A1 (ja) * | 2018-04-26 | 2021-06-10 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂組成物、積層体、樹脂組成物層付き半導体ウェハ、樹脂組成物層付き半導体搭載用基板、及び半導体装置 |
JP7253151B2 (ja) | 2018-04-26 | 2023-04-06 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 樹脂組成物、積層体、樹脂組成物層付き半導体ウェハ、樹脂組成物層付き半導体搭載用基板、及び半導体装置 |
CN113348195B (zh) * | 2019-02-05 | 2022-05-31 | 普林科技有限公司 | 树脂组合物、清漆、层叠板以及印刷配线基板 |
JPWO2020161926A1 (ja) * | 2019-02-05 | 2021-10-07 | 株式会社プリンテック | 樹脂組成物およびその製造方法 |
CN113348195A (zh) * | 2019-02-05 | 2021-09-03 | 普林科技有限公司 | 树脂组合物及其制造方法 |
WO2020161926A1 (ja) * | 2019-02-05 | 2020-08-13 | 株式会社プリンテック | 樹脂組成物およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6614700B2 (ja) | 2019-12-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6614700B2 (ja) | 封止用成形材料及び電子部品装置 | |
JP7356931B2 (ja) | 炭化ケイ素、酸化ガリウム、窒化ガリウム及びダイヤモンド素子封止用成形材料組成物、並びに電子部品装置 | |
JP6497652B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品 | |
TW201710383A (zh) | 液狀樹脂組成物 | |
JP2018104683A (ja) | 封止成形材料用組成物及び電子部品装置 | |
JP6537188B2 (ja) | 封止用成形材料及び電子部品装置 | |
JP6992967B2 (ja) | 封止成形材料用組成物及び電子部品装置 | |
JP6537170B2 (ja) | 封止用成形材料及び電子部品装置 | |
JP6794218B2 (ja) | 封止成形材料用組成物及び電子部品装置 | |
TWI814868B (zh) | 半導體封裝用熱固性樹脂組合物及半導體裝置 | |
JP6413915B2 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物及びその硬化物を備えた半導体装置 | |
JP6566349B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品 | |
JP2019172738A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP6611861B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品 | |
JP6733950B2 (ja) | 封止用成形材料及び電子部品装置 | |
JP6943010B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2018193505A (ja) | シリコーン変性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
TWI696655B (zh) | SiC及GaN元件密封用成形材料組合物、電子零件裝置 | |
JP2002194064A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物、およびそれを用いた半導体装置 | |
JP3358447B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物 | |
JP2004256729A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 | |
JP6915586B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物 | |
KR101142300B1 (ko) | 반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물 | |
JP2015044963A (ja) | 半導体封止用樹脂組成物及びその硬化物を備えた半導体装置 | |
JP5943488B2 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物及びその硬化物を備えた半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20170830 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180810 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190522 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190528 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190709 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191008 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191101 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6614700 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |