JP2015091969A - 樹脂組成物、プリプレグ、樹脂層、回路基板および半導体装置 - Google Patents
樹脂組成物、プリプレグ、樹脂層、回路基板および半導体装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】本発明の樹脂組成物は、基材に含浸させることでシート状のプリプレグを形成するために用いるものであり、シアネート樹脂とエポキシ樹脂とを含むものである。そして、この樹脂組成物は、その硬化物について、シンクロトロン放射光を用いた小角X線散乱による散乱プロファイルを取得したとき、散乱プロファイルが、散乱ベクトルqの大きさが0.02〜1[nm−1]の範囲内に少なくとも1つの特異点構造を有しているという特徴を有するものである。また、フェノール樹脂および硬化促進剤の少なくとも一方を含むのが好ましい。
【選択図】図1
Description
(1) シアネート樹脂、エポキシ樹脂、および、四級ホスホニウム系化合物からなる硬化促進剤を含有し、
硬化物について、シンクロトロン放射光を用いた小角X線散乱による散乱プロファイルを取得したとき、前記散乱プロファイルは、散乱ベクトルqの大きさが0.02〜1[nm−1]の範囲内に少なくとも1つの曲率の特異点構造を有していることを特徴とする樹脂組成物。
(2) 前記硬化促進剤の含有率は、前記シアネート樹脂と前記エポキシ樹脂の合計に対して0.1〜5質量%である上記(1)に記載の樹脂組成物。
前記特異点構造に対応する散乱ベクトルqの大きさは、前記極大点に対応する散乱ベクトルqの大きさから特定されるものである上記(1)または(2)に記載の樹脂組成物。
(11) 上記(10)に記載の回路基板を備えることを特徴とする半導体装置。
また、本発明によれば、信頼性の高い半導体装置が得られる。
まず、本発明の樹脂組成物について説明する。
具体的には、特異点構造の位置(特異点構造に対応する散乱ベクトルqの大きさ)をqA[nm−1]とすると、凝集体の平均粒径[nm]は、2π/qAで見積もられる。
本発明のプリプレグは、本発明の樹脂組成物を基材に含浸させ、シート状に成形されてなるものである。本発明によれば、基材と樹脂組成物の硬化物との界面に剥離が発生し難く、信頼性の高い回路基板等を製造可能なプリプレグが得られる。
図3に示すプリプレグ1は、シート状基材11と樹脂組成物12とで構成されている。
プリプレグ1の製造には、本発明の樹脂組成物を溶媒に溶解してなる樹脂ワニスを調製し、これをシート状基材11に含浸させ、その後乾燥させることにより行われる。
本発明の樹脂層は、本発明の樹脂組成物を基材上に成膜し、硬化させてなるものである。本発明によれば、基材との界面に剥離が発生し難く、信頼性の高い回路基板等を製造可能な樹脂層が得られる。
図4に示す樹脂層2は、導電層22が設けられたシート状基材21上に、導電層22を覆うように設けられている。この樹脂層2は、絶縁性を有していることから、導電層22を電気的に絶縁するとともに、外力やコンタミネーション等から導電層22を保護している。
樹脂層2の製造には、前述した樹脂ワニスを導電層22上に塗布し、その後硬化させることにより行われる。
本発明の回路基板は、上述したプリプレグおよび樹脂層の少なくとも一方を備えるものである。本発明によれば、基材と樹脂硬化物との界面に剥離が発生し難く、信頼性の高い回路基板が得られる。
まず、金属箔に樹脂ワニスを塗布し、これを乾燥させることで樹脂付き金属箔を製造する。
1.評価用サンプルの製造
(サンプルNo.1A)
表1に示す成分の樹脂組成物を平均厚さ100μmの層状に成形し、これを130℃で30分間加熱した(プリベーク)。
表1に示す成分の樹脂組成物を用い、かつ表1に示す硬化条件で加熱するようにした以外は、それぞれサンプルNo.1Aと同様にして評価用のサンプルを得た。
得られた評価用サンプルについて、それぞれ以下の測定条件により小角X線散乱(SAXS)測定を行い、散乱プロファイルを得た。なお、小角X線散乱測定は、放射光施設で発生させたシンクロトロン放射光X線を用いて行った。
X線源 :高輝度光科学研究センター SPring-8 兵庫県ビームラインBL08B2
カメラ :イメージングプレート
カメラ長 :6199mm
X線波長 :1.5Å
ビーム径 :500μm×500nm
測定時間 :180秒/1検体
評価結果を表1に示す。
X線源 :回転Cu陰極
検出器 :X線回折装置((株)リガク社製、Ultima IV)
X線波長 :1.5418Å
X線エネルギー :8.04keV
その結果、散乱プロファイルは取得できたものの、いずれの評価用サンプルについても特異点構造の有無が確認できなかった。
(サンプルNo.1B)
(1)樹脂ワニスの調製
表2に示す樹脂組成物をメチルエチルケトンに溶解させた。そして、高速撹拌装置を用いて10分間撹拌し、固形分50質量%の樹脂ワニスを調製した。なお、用いた樹脂組成物は、サンプルNo.1Aの樹脂組成物と同じである。
調製した樹脂ワニスをガラス繊維基材(日東紡績製、WEA−1078S、平均厚さ90μm)に含浸させた後、加熱炉を用いて120℃×2分間加熱し、プリプレグを得た。なお、得られたプリプレグ中の樹脂組成物の反応率は5%であった。
調製した樹脂ワニスを、平均厚さ18μmの銅箔に、コーター装置を用い、乾燥後の厚さが60μmとなるよう塗布し、これを130℃で30分間乾燥させ、樹脂付き金属箔を製造した。
製造したプリプレグの両面に、それぞれ3枚ずつの樹脂付き金属箔を重ね、これを真空プレス装置を用いて、圧力2MPaで加圧しつつ、温度200℃で1.5時間加熱し、回路基板(多層プリント配線板)を製造した。
表2に示す成分の樹脂組成物を用い、かつ表2に示す硬化条件で加熱するようにした以外は、それぞれサンプルNo.1Bと同様にして回路基板(多層プリント配線板)を製造した。なお、用いた樹脂組成物は、それぞれサンプルNo.2A〜29Aの樹脂組成物および硬化条件と同じである。
得られた回路基板について、以下の高度加速ストレス試験(HAST)を行った。
・温度 :120℃
・相対湿度 :85%
・圧力 :1.7気圧(172kPa)
・試験時間 :300時間
◎:剥離が全く認められない
○:回路基板の端部に、ガラス繊維の直径1本分程度またはそれ以下の長さの剥離が認められる
△:回路基板の端部以外に、ガラス繊維の直径1本分程度またはそれ以下の長さの剥離が認められる
×:ガラス繊維の直径2本分以上の長さの剥離が認められる
以上の評価結果を表2に示す。
11 シート状基材
12 樹脂組成物
2 樹脂層
21 シート状基材
22 導電層
3 回路基板
31 絶縁基板
32 回路パターン
33 バンプ
4 半導体装置
41 半導体素子
42 はんだボール
A 特異点
B 極大点
Claims (11)
- シアネート樹脂、エポキシ樹脂、および、四級ホスホニウム系化合物からなる硬化促進剤を含有し、
硬化物について、シンクロトロン放射光を用いた小角X線散乱による散乱プロファイルを取得したとき、前記散乱プロファイルは、散乱ベクトルqの大きさが0.02〜1[nm−1]の範囲内に少なくとも1つの曲率の特異点構造を有していることを特徴とする樹脂組成物。 - 前記硬化促進剤の含有率は、前記シアネート樹脂と前記エポキシ樹脂の合計に対して0.1〜5質量%である請求項1に記載の樹脂組成物。
- 前記散乱プロファイルにおける散乱強度I(q)に散乱ベクトルqの2乗を掛けた指標I(q)・q2を、前記散乱ベクトルqに対してプロットして前記指標のプロファイルを得たとき、前記指標のプロファイルは散乱ベクトルqの前記範囲内に少なくとも1つの極大点を有しており、
前記特異点構造に対応する散乱ベクトルqの大きさは、前記極大点に対応する散乱ベクトルqの大きさから特定されるものである請求項1または2に記載の樹脂組成物。 - 当該樹脂組成物は、その硬化物が平均粒径15nm以上の粒子状の凝集体を含むものである請求項1ないし3のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 当該樹脂組成物中における前記シアネート樹脂の含有率は、20〜70質量%である請求項1ないし4のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 当該樹脂組成物中における前記エポキシ樹脂の含有率は、20〜70質量%である請求項1ないし5のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 当該樹脂組成物は、その硬化物について赤外分光分析を行ったとき、トリアジン環、イソシアヌレート環およびオキサゾリジノン環に帰属される吸収が検出されるものである請求項1ないし6のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 請求項1ないし7のいずれか1項に記載の樹脂組成物を層状に成形し、硬化させてなることを特徴とする樹脂層。
- 請求項1ないし7のいずれか1項に記載の樹脂組成物を基材に含浸させてなることを特徴とするプリプレグ。
- 請求項8に記載の樹脂層および請求項9に記載のプリプレグの少なくとも一方を備えることを特徴とする回路基板。
- 請求項10に記載の回路基板を備えることを特徴とする半導体装置。
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