WO2007004645A1 - 電子機器用銅合金及びその製造方法 - Google Patents

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WO2007004645A1
WO2007004645A1 PCT/JP2006/313305 JP2006313305W WO2007004645A1 WO 2007004645 A1 WO2007004645 A1 WO 2007004645A1 JP 2006313305 W JP2006313305 W JP 2006313305W WO 2007004645 A1 WO2007004645 A1 WO 2007004645A1
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WO
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copper alloy
work
layer
affected layer
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Takeo Uno
Chikahito Sugawara
Kuniteru Mihara
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Furukawa Electric Co Ltd
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Furukawa Electric Co Ltd
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Definitions

  • the present invention relates to a copper alloy with improved tackiness and a method for producing the same.
  • Copper alloys used in electronic devices have been plated in various ways to provide functionality. For example, when used for lead frames, silver plating for wire bonding and its base Copper soldering, solder soldering for board mounting, etc. are performed. In recent years, plating lead frames have also been used in which the entire surface of the lead frame is plated after lead processing by etching or pressing. In this case, palladium plating or nickel plating as the base is applied.
  • the base copper plating is exposed at the portion where silver plating is not applied, and is heated in the packaging process to form an oxide film on the surface of the lead frame.
  • abnormal deposition of copper plating for example, when porous precipitation occurs, an oxide film with poor adhesion is formed on the surface of the lead frame, reducing the adhesion between the mold resin and the lead frame, and soldering to the board.
  • package cracks occur in the reflow furnace.
  • the surface layer of the copper alloy for electronic equipment manufactured in a general process has a work-affected layer consisting of an amorphous Palyby layer (upper layer) and a fine crystal layer (lower layer) with an extremely fine crystal texture.
  • a work-affected layer consisting of an amorphous Palyby layer (upper layer) and a fine crystal layer (lower layer) with an extremely fine crystal texture.
  • Copper alloys are generally manufactured by appropriately combining processes such as forging, hot rolling, cold rolling, puff polishing, and annealing, and are subject to various plastic caches in the process.
  • plastic cage a work-affected layer and a plastically deformed layer exhibiting a finer crystal structure than the inside of the copper alloy are formed on the surface of the copper alloy.
  • a “work-affected layer” is a non-uniform layer consisting of a Bailby layer (upper layer) and a microcrystalline layer (lower layer) that are formed on the surface layer of a copper alloy as a result of the various plastic workings. It refers to a fine crystal structure (for example, amorphous to a crystal grain size of less than 0.2 / m).
  • the Bailby layer has an amorphous structure, and the fine crystal layer has an extremely fine crystal texture.
  • the plastic deformation layer has a crystal grain coarser than a fine crystal layer (for example, a crystal grain size of about 0.2 to 3.0 / m), and gradually increases in size of the crystal grain inside the copper alloy (for example, The crystal grain structure is approaching a crystal grain size of about 3.0 / im to 10.0 / m.
  • the surface layer of the copper alloy has a non-uniform and fine crystal structure like the work-affected layer.
  • the nucleation of nuclei generated in the initial stage of plating is preferentially progressed in the growth of nuclei, and the nucleation film becomes porous because uniform nucleation does not occur on the surface layer.
  • We found that abnormal precipitation is likely to occur. The present invention has been made based on these findings.
  • a copper alloy for electronic equipment characterized in that the thickness of the work-affected layer on the surface layer is 0.2 ⁇ m or less
  • Mg of from 0.05 to 0 ⁇ 15 mass 0/0 0. .. 005-0 1 mass 0/0 Ag, 0.1 005-0 1 mass 0/0 of Mn, 0. from 05 to 2 0 wt% of Sn and 0.1 05 ⁇ :.
  • 1.0 wt% of Zn The electronic device according to any one of the above (1) to (3), wherein one or more of them are contained in a total of 0.0005 to 2.0% by mass, and the balance is made of Cu and inevitable impurities. Copper alloy,
  • a method for producing a copper alloy for electronic equipment characterized by removing the work-affected layer on the surface layer so that the thickness of the work-affected layer is 0.2 xm or less, (10) The method for producing a copper alloy for electronic devices according to (9), wherein the removal of the work-affected layer is performed by chemical dissolution treatment,
  • said copper alloy for an electronic device 0.1 the Cr 05-0 5 wt%, the Sn 0. 05-2 0% by weight, Zn of 0.1 05 ⁇ :.. 1.0 mass 0/0 comprises Si, of from 0.01 to 0.5 mass 0/0, if necessary, 0.01 to 0.5 wt% of 0.1 in total of one or two of Zr from 01 to 0. 5 wt% (9) to (: 12), wherein the balance is a copper alloy composed of Cu and unavoidable impurities, and the thickness of the work-affected layer on the surface layer is 0.2 ⁇ m or less.
  • the manufacturing method of the copper alloy for electronic devices of any one of 1, and
  • the copper alloy for electronic equipment contains 2.0 to 4.0% by mass of Ni, 0.4 to 0.8% by mass of Si, and if necessary, 0.05 to 0.15%. mass 0/0 of Mg, 0. 005 ⁇ 0. 1 mass 0/0 Ag, 0. 005 ⁇ 0. 1 mass 0/0 of Mn, 0. 05 to 2. 0 mass 0/0 of Sn, 0 . 05 ⁇ : 1.
  • FIG. 1 is a cross-sectional photograph of a copper alloy by SIM observation.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a copper alloy composed of a work-affected layer 1 and a plastically deformed layer 2.
  • the thickness of the work-affected layer it is necessary to reduce the thickness of the work-affected layer to such an extent that it does not affect the crystallinity at the time of adhesion precipitation in order to prevent abnormal precipitation of the plating and to obtain excellent adhesive properties.
  • the thickness is preferably 0.2 zm or less.
  • the thickness of the work-affected layer is more preferably 0.05 xm or less.
  • silver plating, copper plating, solder plating or tin plating, nickel plating, and the like can be applied to the plating applied on the copper alloy, and in particular, lead frames, terminals, Preferred for silver plating or copper plating applied to copper alloys for connectors, etc.
  • the copper alloy includes Cu-Sn-based and Cu_Zn-based solid solution alloys such as Cu-Cr-Sn-based, Cu-Cr-based, Cu-Ni-Si-based, Cu-Fe-P-based. It can also be applied to Cu-Ni-Sn precipitation-type copper alloys, etc., but Cu-Cr-Sn and Cu-Ni-Si-based copper used in lead frames for multi-pins with particularly narrow lead spacing. Application to alloys is preferred.
  • the Cu-CrSn-based copper alloy preferably has a chemical component composition in the following range in order to obtain good strength and conductivity as a lead frame.
  • Chromium (Cr) is an additive element that causes precipitation in copper and increases the strength of the copper alloy. If there is too little Cr, the effect will be saturated if it is too little.
  • the range of 0.05 to 0.5% by mass is preferable. 0.:! To 0.45% by mass is more preferable 0.2 to 0.4% by mass is more preferable.
  • Tin (Sn) and zinc (Zn) are additive elements that dissolve in copper, and have the effect of significantly increasing strength in solid solution strengthening and subsequent cold working. If the added amount is small, the effect is small, and if the added amount is large, the conductivity is impaired.
  • the Zn content is more preferably 0.1 :! to 0.5% by mass, and further preferably 0.15-0.3% by mass.
  • one or both of silicon (Si) and zirconium (Zr) may be added to the Cu_Cr_Sn copper alloy.
  • Si is an additive element that forms Cr and Cr_Si precipitates and increases the strength of the copper alloy by the combined precipitation of Cr and Cr_Si. If the amount is too small, the effect is small. If the amount is too large, the conductivity is impaired. In the present invention, it is preferably 0.01 to 0.5% by mass, and 0.05 to 0.4% by mass. More preferably, the content is 0.1 to 0.3% by mass.
  • Zr is an additive element that causes precipitation in copper and increases the strength of the copper alloy. If the amount is too small, the effect is saturated. If the amount is too small, the effect is saturated. In the present invention, it is preferably 0.01 to 0.5% by mass, more preferably 0.05 to 0.4% by mass, and more preferably 0.:! To 0.3% by mass. Further preferred.
  • the sum of Si and Zr is preferably in the range of 0.01 to 0.5 mass%.
  • the Cu_Ni_Si-based copper alloy preferably has a chemical component composition in the following range in order to obtain good strength and conductivity as a lead frame.
  • Ni and Si strengthen precipitation by forming Ni-Si precipitates by controlling the addition ratio.
  • Ni is an additive element that increases the strength of the copper alloy. If the amount of Ni is too small, sufficient precipitation strengthening cannot be obtained, and if it is too large, conductivity is impaired. In the present invention, preferably 2.0 to 4.5% by mass.
  • the amount of Si increases most when the Ni content is about 1/5, so 0.25-1. 0% by mass is preferred. 0.4-0.9% by mass is more preferred. More preferably, 0.4 to 0.8 mass% is even more preferable, and 0.5 to 0.8 mass% is most preferable.
  • Magnesium (Mg) is an additive element that causes solid solution or precipitation in copper to increase the strength of the copper alloy. If the amount is too small, the effect is small. If the amount is too large, the hot workability of the koji is reduced. In the present invention, 0.05 to 0.3% by mass is preferable, 0.05 to 0.15% by mass is more preferable, and 0.1 to 0.2% by mass is more preferable. 17% by mass is especially preferred.
  • Silver (Ag) is an additive element that dissolves in copper and increases the strength of the copper alloy. If the amount is too small, the effect is too small. If the amount is too large, the effect is saturated and the cost increases. Te present invention smell, 0.005 to 0.2 Quality ft 0/0 force S Preferably, 0.005 to 0. Preferably from 1 mass 0/0 force, more preferably from 0.01 to 0.1 wt% instrument 0.02 to 0.05 mass% is particularly preferable.
  • Manganese (Mn) is an additive element that improves the hot workability of the lump. If the amount is too small, the effect is too small. If the amount is too large, the conductivity is impaired.
  • 0.005-0.2 mass % Is preferred instrument 0.1 005-0. 1% by weight and more preferably 0.01 to 0.15 wt% and more favorable preferred, 0.07 to 0.12 mass 0/0 force S particularly preferably les , 0
  • Sn and Zn are elements that dissolve in copper, and have the effect of significantly increasing the strength in solid solution strengthening and subsequent cold working. If the amount is too small, the effect is small, and if the amount is too large, the conductivity of the copper alloy is impaired.
  • Sn amount is 0. 0 5 to 2 0 mass 0/0 Ca
  • 1.0 mass 0/0 Power preferably Rere .
  • Sn amount ⁇ 0. 05 to 1.0% by mass is more preferable 0 .:! To 0.2% by mass is more preferable.
  • the amount of Zn is more preferably 0.05 to 1.0% by mass, and more preferably 0.:! To 0.7% by mass.
  • the total of Ag, Mg, Mn, Sn, and Zn is preferably in the range of 0.005 to 2.0% by mass.
  • a removal method by physical treatment such as chemical dissolution treatment, electrochemical dissolution treatment, and sputtering can be applied to the removal of the work-affected layer of the copper alloy.
  • heat treatment in a non-oxidizing atmosphere to recover the crystallinity of the amorphous or fine crystal structure, the plastic deformation layer or the structure similar to the crystal structure inside the copper alloy is obtained, so that the work-affected layer is formed.
  • the method of eliminating can be applied similarly.
  • physical processing such as sputtering
  • chemical or electrochemical dissolution processing or heat treatment removal methods are suitable as industrial methods. .
  • an acid solution in which an acid and an oxidizing agent are combined can be used.
  • An acid such as sulfuric acid, nitric acid, hydrochloric acid, hydrofluoric acid, phosphoric acid, hydrogen peroxide
  • an oxidizing agent such as chromate or persulfate
  • a combination of sulfuric acid and hydrogen peroxide is preferable from the viewpoint of dissolution rate and environmental aspect.
  • anodic electrolysis in an acidic solution can be used, and an electrolytic solution in which an inorganic acid such as chromic acid is added to an acid such as phosphoric acid or sulfuric acid can be applied.
  • an inorganic acid such as chromic acid
  • an acid such as phosphoric acid or sulfuric acid
  • phosphoric acid electrolytes with a long track record and excellent polishing effect are preferred.
  • a heat treatment in a reducing atmosphere or an inert atmosphere heating furnace can be used, and in an annealing furnace by appropriately combining the heating temperature and the heating time.
  • Batch-type heating or running heating in a running annealing furnace can be applied. Removal of work-affected layer
  • heating in a reducing atmosphere such as hydrogen is preferable. From the standpoint of oxygen concentration stability during heat treatment, a batch system such as a bell-type furnace is used. Heating is preferred.
  • the work-affected layer of the copper alloy is observed by magnifying and observing the surface layer portion of the copper alloy in the cross section in the thickness direction.
  • an observation device such as SIM or FE-SEM, which should be magnified approximately 10,000 times using an electron microscope.
  • FE-SEM In cross-section processing, it is particularly preferable to use an apparatus such as FIB, which prefers a method that does not form a work-affected layer.
  • Figure 1 is a cross-sectional photograph of a copper alloy by SIM observation.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a copper alloy composed of a work-affected layer 1 and a plastically deformed layer 2.
  • the work-affected layer 1 is composed of a bailby layer 3 (upper layer) and a fine crystal layer 4 (lower layer), and the baleby layer 3 is composed of an amorphous structure, and the fine crystal layer is 4 consists of an extremely fine crystal texture.
  • the plastic deformation layer 2 existing further below the work-affected layer 1 has crystal grains that are coarser than the fine crystal layer. As shown in FIG. Since the organizations are clearly different, they can be easily identified.
  • the thickness may change in the field of view or the comparison of a plurality of observation points in an enlarged view by microscopic observation. Therefore, the thickness at the position where the work-affected layer was the thickest in the field of view of the enlarged observation was measured, and the average of the measured values at the five observation points was defined as the thickness of the work-affected layer.
  • the copper alloy for electronic devices according to the present invention is obtained by removing a non-uniform and fine work-affected layer present on the surface layer of the copper alloy and suppressing the thickness to 0.2 xm or less.
  • Plating on top prevents abnormal precipitation and improves plating properties such as silver plating and copper plating that affects oxide film adhesion.
  • the work-affected layer existing on the surface layer of the copper alloy is adjusted to 0.2 ⁇ or less. It improves the adhesion, and the effect is manifested in various types of copper alloys with different alloy compositions and qualities.
  • solder plating and nickel plating can be similarly used to prevent abnormal precipitation of plating and to obtain excellent tackiness.
  • the lead frame, terminal, and connector using the copper alloy for electronic devices according to the present invention do not cause defects due to tightness in the manufacturing process, so the yield is good and the packaging process and board mounting It provides high reliability in the process and further use stages.
  • a copper alloy plate having a thickness of 0.15 mm was manufactured by forging, rolling, puffing and annealing a copper alloy having the chemical composition shown in Table 1. These copper alloy sheets were degreased and pickled, and then subjected to silver staking to the material that had been subjected to the processing-affected layer removal treatment by chemical dissolution, and the silver squeezing property was evaluated.
  • the degreasing treatment is performed in a degreasing solution containing 60 g / l of cleaner 160S (trade name, manufactured by Meltex) at a temperature of 60 ° C and a current density of 2.5 A / dm 2 for 30 seconds.
  • the electrolysis was performed.
  • the pickling treatment was performed by immersing in a pickling solution containing lOOg / 1 sulfuric acid at room temperature for 30 seconds.
  • the processing-affected layer removal treatment was performed by immersing in an aqueous solution containing 100 g / l sulfuric acid and 15 g / l hydrogen peroxide at room temperature.
  • the thickness of the work-affected layer after the removal treatment is included in the examples of the present invention. There are 5 patterns, 0, 0.02, 0.05, 0.1, 0., and it is set to 0.
  • the silver plating is performed at room temperature in a silver plating solution containing 55 g / l of potassium potassium cyanide, 75 g / l of potassium cyanide, 10 gZl of potassium hydroxide, and 25 g / l of potassium carbonate at room temperature.
  • the plating thickness was 3 ⁇ m under the condition of OA / dm 2 .
  • the silver plating property is obtained by enlarging the surface of the silver plating with a microscope (manufactured by Keyence Corporation) at a magnification of 450 times, and counting the number of abnormal protrusions formed on the silver plating surface.
  • a microscope manufactured by Keyence Corporation
  • ⁇ , 5 to: 10 pieces / mm 2 are evaluated as ⁇
  • 10 pieces / mm 2 are evaluated as X.
  • Example 2 The evaluation results of Example 1 are shown in Table 2.
  • Silver plating was performed by the same method as in Example 1 except that electrolytic dissolution was used as a method for removing the work-affected layer, and the silver plating property was evaluated.
  • the process of removing the work-affected layer were carried out anode electrolysis at a current density LOAZdm 2 at room temperature in an aqueous solution containing phosphoric acid 700 g / l.
  • the thickness of the work-affected layer after the removal treatment is 0, 0.02, 0.05, 0.1, and 0.2 zm for the present invention column, and i 0.
  • Example 2 The evaluation results of Example 2 are shown in Table 3.
  • Silver plating was performed by the same method as in Example 1 except that heat treatment was used as a method for removing the work-affected layer, and the silver plating property was evaluated.
  • the processing-affected layer removal treatment was performed by heat treatment for 2 hours in a heating furnace in a hydrogen reduction atmosphere.
  • the thickness of the work-affected layer after the removal treatment was set to five values of 0, 0.02, 0.05, 0.1, and 0.2 zm in the example of the present invention, and i was set to 0.0.
  • the thickness of the work-affected layer is 0, 0.02, 0.05, 0.1, 0.2, and 0.3 xm for the base material with a work-affected layer thickness of 0.3.
  • the heat treatment temperatures were 600, 585, 565, 540, 500, and 450 ° C, respectively.
  • Example 3 The evaluation results of Example 3 are shown in Table 4.
  • the number of abnormal protrusions formed by silver plating is small, and the thickness of the work-affected layer is 0.05. Less than m In the case, the number of abnormal precipitations was very small, and the silver tackiness was particularly excellent.
  • the same effect is obtained when the thickness of the work-affected layer is the same even if the alloy system of the copper alloy is different or the work-affected layer is removed differently.
  • excellent silver adhesion was obtained when the altered layer was 0.2 ⁇ m or less.
  • the uneven and fine work-affected layer on the surface of the copper alloy was not sufficiently removed. Therefore, abnormal precipitation caused by the work-affected layer occurred, and the silver plating property was lowered.
  • a copper alloy sheet having a thickness of 0.15 mm was prepared by forging, rolling, and annealing a copper alloy having the chemical composition shown in Table 1. These copper alloy sheets are degreased and pickled, and then subjected to copper plating on the material that has been subjected to removal of the work-affected layer by chemical dissolution to evaluate the copper plating life. It was.
  • the degreasing treatment is performed in a degreasing liquid containing 60 g / l of cleaner 160S (trade name, manufactured by Meltex) at a liquid temperature of 60 ° C and a current density of 2.5 A / dm 2 for 30 seconds.
  • the electrolysis was performed.
  • the pickling treatment was performed by immersing in a pickling solution containing lOOg / 1 sulfuric acid at room temperature for 30 seconds.
  • the processing-affected layer removal treatment was performed by immersing in an aqueous solution containing 100 g Zl of sulfuric acid and 15 g / l of hydrogen peroxide at room temperature.
  • the thickness of the work-affected layer after the removal treatment is 0, 0.02, 0.05, 0.1, and 0 for the examples of the present invention, and 0 for the it comparison column. did
  • the copper plating is performed in a copper plating solution containing 65 gZl of copper cyanide, 110 gZl of potassium cyanide and 7.5 gZl of potassium carbonate at a liquid temperature of 45 ° C and a current density of 1.5 A / dm 2 .
  • the plating thickness was 0.1 lzm.
  • the copper tackiness was evaluated by a tape peel test. Samples cut to 30 mm in length and 10 mm in width after copper plating were heated in air at 350 ° C for 7 minutes using a hot plate, and adhesive tape was placed on the oxide film formed on the surface of the Sampnore (Teraoka Seisakusho 631S) When the shells are taken off and peeled off, there is almost no peeling, ⁇ things, some peeling The results obtained were evaluated as “O”, and those in which exfoliation was observed in more than half the area were evaluated as “X”. [0056] The evaluation results of Example 4 are shown in Table 5.
  • Example 5 Copper plating was performed by the same method as in Example 4 except that electrolytic dissolution was used as a method for removing the work-affected layer, and the copper plating property was evaluated.
  • removal process of the work-affected layer were carried out anode electrolysis at a current density LOAZdm 2 at room temperature in an aqueous solution containing phosphoric acid 700 g / l.
  • the thickness of the work-affected layer after the removal treatment is 0, 0.02, 0.05, 0.1, and 0.2 zm for the present invention column, and i 0.
  • Example 5 The evaluation results of Example 5 are shown in Table 6.
  • Copper plating was performed by the same method as in Example 4 except that heat treatment was used as a method for removing the work-affected layer, and copper adhesion was evaluated.
  • the processing-affected layer removal treatment was performed by heat treatment for 2 hours in a heating furnace in a hydrogen reduction atmosphere.
  • the thickness of the work-affected layer after the removal treatment is 0, 0 in the present invention example.
  • the thickness of the work-affected layer is 0, 0.0 compared to the base material having a work-affected layer thickness of 0.0.
  • Heat treatment temperatures for 2, 0.05, 0.1, 0.2, 0.3 x m are 600, 585, 5 respectively.
  • the temperatures were 65, 540, 500, and 450 ° C.
  • Table 7 shows the evaluation results of Example 6.
  • the thickness of the work-affected layer with a small oxide film peeling area after copper plating is 0.05 m or less.
  • the thin layer has a very small oxide film peel-off area and is particularly excellent in copper adhesion.
  • the same effect is obtained when the thickness of the work-affected layer is the same even if the alloy system of the copper alloy is different or the work-affected layer is removed differently.
  • Excellent copper adhesion was obtained when the altered layer was 0.2 ⁇ m or less.
  • the uneven and fine work-affected layer on the surface of the copper alloy was not sufficiently removed. Therefore, abnormal precipitation caused by the work-affected layer occurred, resulting in a decrease in copper plating.
  • the copper alloy of the present invention has excellent adhesiveness, and can be suitably used for electronic equipment members such as semiconductor lead frames, terminals, and connectors. Further, the method for producing a copper alloy of the present invention is suitable as a method for producing such a copper alloy having excellent slickness.

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Abstract

　表層の加工変質層の厚さが０．２μｍ以下であることを特徴とする電子機器用銅合金、およびその製造方法。  

Description

明 細 書
電子機器用銅合金及びその製造方法
技術分野
[0001] 本発明はめつき性が改善された銅合金とその製造方法に関する。
背景技術
[0002] 電子機器に使用される銅合金は機能性を付与するために各種のめっきが施されて おり、例えばリードフレーム用に用いられる場合にはワイヤボンディングのための銀め つきやその下地となる銅めつき、基板実装のための半田めつきなどが施される。 また、近年ではエッチングやプレスによりリード加工した後にリードフレーム全面に めっきを施すめっきリードフレームも使用されており、この場合にはパラジウムめっき やその下地となるニッケルめっきが施される。
[0003] 近年、電子機器に用いられる電子部品のさらなる高集積化や小型化 ·薄型化が要 求されており、これに対応してリードフレーム、端子、コネクタにおいては多ピン化や 狭ピッチ化が進んでいる。また、環境問題の観点から基板実装の際に使用する半田 の鉛フリー化が要求されているが、多くの鉛フリー半田の場合には基板実装時の半 田付け温度が上昇している。
[0004] 狭ピッチ化に伴レ、、リードフレームの製造工程において、銀めつきを施すとめつきの 異常析出が起こり突起状に成長してワイヤボンディングの接合強度の低下や、隣接 するリード間でのショートが発生するという問題を生じることがある。
[0005] また、銀めつきを施さない部分では下地の銅めつきが露出し、パッケージング工程 で加熱されてリードフレーム表面に酸化膜が形成される。ここでも、銅めつきの異常析 出、例えばポーラス状の析出が起こるとリードフレーム表面に密着性の劣る酸化膜が 形成され、モールド樹脂とリードフレームの密着性が低下して、基板へのはんだ付け を行うとき、リフロー炉内でパッケージクラックが発生するという問題点がある。
[0006] これらの問題点に対して、めっきの異常析出の起点となる銅合金中の析出物の数 を一定値以下に制限する方法や添加元素または不純物元素の含有量を一定値以 下に制限する方法などが提案されている。し力しながら、これらの方法は特定の合金 組成の銅合金には効果的であるもののその他の銅合金へは適用できず、銅合金全 般に適用できる方法は見出されていなかった。
[0007] なお、これまでに金属材料表面に存在する加工変質層の影響を改善する方法が 提案されているものの、これらはめつき層の密着性やはんだ濡れ性についての改善 を対象としており、めっきの異常析出（例えば突起状析出、ポーラス析出）と加工変質 層の厚みとの関連を見出したことに基づく本発明とは本質的に異なるものである。 発明の開示
[0008] 本発明によれば、めっきの異常析出や酸化膜密着性の低下を生じない、めっき性 に優れた電子機器用銅合金とその製造方法を提供することができる。
[0009] 本発明者等がめっき時またはめつき後に発生する前記問題点について鋭意検討し た結果、铸造、熱間圧延、冷間圧延、パフ研磨処理、焼鈍などの工程を適宜組み合 わせる一般的な工程で製造された電子機器用銅合金の表層には非晶質組織のペイ ルビー層（上層）と、極微細な結晶集合組織の微細結晶層（下層）からなる加工変質 層が存在しており、この加工変質層の上にめっきが施された場合に前記問題点の原 因となるめっきの異常析出が起こることを知見し、さらに検討を進めて本発明を完成 させるに至った。
[0010] 銅合金は一般的に鎳造、熱間圧延、冷間圧延、パフ研磨処理、焼鈍などの工程を 適宜組み合わせて製造されており、その過程において様々な塑性カ卩ェを受ける。前 記塑性カ卩ェの結果、銅合金の表層には銅合金内部よりも微細な結晶組織を呈する 加工変質層と塑性変形層とが形成される。
本明細書及び請求の範囲において、「加工変質層」とは、前記様々な塑性加工の 結果、銅合金の表層に生じる、ベイルビー層（上層）と微細結晶層（下層）とからなる 不均一で微細な結晶組織 (例えば、非晶質〜結晶粒径 0. 2 / m未満）をいう。前記 ベイルビー層は非晶質組織からなり、前記微細結晶層は極微細な結晶集合組織か らなる。前記塑性変形層は結晶粒が微細結晶層より粗大であり（例えば、結晶粒径 0 . 2〜3. 0 / m程度）、下部にいくに従い次第に銅合金内部の結晶粒の大きさ（例え ば、結晶粒径 3. 0 /i m〜10. 0 / m程度）に近づいていく結晶集合組織からなる。
[0011] 銅合金の表層に前記加工変質層のように不均一で微細な結晶組織がある場合に は、めっき初期段階において生成した核の中力 優先的に核成長が進み突起状とな ることや、表層での均一な核生成が起こりにくいためにめつき皮膜がポーラス状となる ことなどの異常析出が起こりやすレ、ことを見出した。本発明はこれら知見に基づきな されるに至ったものである。
本発明によれば、以下の手段が提供される：
(1)表層の加工変質層の厚さが 0. 2 μ m以下であることを特徴とする電子機器用銅 合金、
(2)前記銅合金上にめっきが施されることを特徴とする前記（1)に記載の電子機器 用銅合金、
(3)前記銅合金上に銀めつきまたは銅めつきが施されることを特徴とする、前記（1) 又は（2)に記載の電子機器用銅合金、
(4) Crを 0. 05〜0. 5質量0 /0、 Snを 0. 05〜2. 0質量0 /0、及び Znを 0. 05〜： 1. 0質 量％含み、さらに必要に応じて、 0. 01〜0. 5質量％の Si及び 0. 01〜0. 5質量％ の Zrのうち 1種または 2種を合計で 0. 01〜0. 5質量％含み、残部が銅（Cu)及び不 可避的不純物からなる前記（1)〜（3)のいずれ力 1項に記載の電子機器用銅合金、
(5) Niを 2. 0〜4. 0質量％、 Siを 0. 4〜0. 8質量％含み、さらに必要に応じて、 0. 05〜0· 15質量0 /0の Mg、 0. 005〜0. 1質量0 /0の Ag、 0. 005〜0. 1質量0 /0の Mn 、 0. 05〜2. 0質量％の Sn及び 0. 05〜： 1. 0質量％の Znのうち 1種または 2種以上 を合計で 0. 005〜2. 0質量％含み、残部が Cu及び不可避的不純物からなる前記（ 1)〜（3)のいずれか 1項に記載の電子機器用銅合金、
(6)前記（1)〜（5)のいずれ力 1項に記載の電子機器用銅合金を用いたことを特徴と するリードフレーム、
(7)前記（1)〜（5)のいずれ力 1項に記載の電子機器用銅合金を用いたことを特徴と する端子、
(8)前記（1)〜（5)のいずれ力 1項に記載の電子機器用銅合金を用いたことを特徴と するコネ、クタ、
(9)加工変質層の厚さが 0. 2 x m以下になるように、表層の加工変質層を除去する こと特徴とする電子機器用銅合金の製造方法、 ( 10)前記加工変質層の除去を化学的な溶解処理により行うことを特徴とする、前記（ 9)に記載の電子機器用銅合金の製造方法、
( 1 1 )前記加工変質層の除去を電気化学的な溶解処理により行うことを特徴とする、 前記 (9)に記載の電子機器用銅合金の製造方法、
( 12)前記加工変質層の除去を熱処理により行うことを特徴とする、前記（9)に記載 の電子機器用銅合金の製造方法、
( 13)前記電子機器用銅合金が、 Crを 0. 05-0. 5質量％、 Snを 0. 05-2. 0質量 %、 Znを 0. 05〜： 1. 0質量0 /0含み、さらに必要に応じて 0. 01〜0. 5質量0 /0の Si、 0 . 01〜0. 5質量％の Zrのうち 1種または 2種を合計で 0. 01〜0. 5質量％含み、残 部が Cu及び不可避的不純物からなる銅合金であって、表層の加工変質層の厚さが 0. 2 μ m以下であることを特徴とする前記（9)〜（： 12)のいずれか 1項に記載の電子 機器用銅合金の製造方法、及び
( 14)前記電子機器用銅合金が、 Niを 2. 0〜4. 0質量％、 Siを 0. 4〜0. 8質量％含 み、さらに必要に応じて、 0. 05〜0. 15質量0 /0の Mg、 0. 005〜0. 1質量0 /0の Ag、 0. 005〜0. 1質量0 /0の Mn、 0. 05〜2. 0質量0 /0の Sn、 0. 05〜： 1. 0質量0 /0の Zn のうち 1種または 2種以上を合計で 0. 005- 2. 0質量％含み、残部が Cu及び不可 避的不純物からなる銅合金であって、表層の加工変質層の厚さが 0. 2 / m以下であ ることを特徴とする前記（9)〜（： 12)のいずれ力 4項に記載の電子機器用銅合金の製 造方法。
[0013] 本発明の上記及び他の特徴及び利点は、添付の図面とともに考慮することにより、 下記の記載からより明らかになるであろう。
図面の簡単な説明
[0014] [図 1]図 1は、 SIM観察による銅合金の断面図写真である。
[図 2]図 2は、加工変質層 1及び塑性変形層 2からなる銅合金の断面図である。
発明を実施するための最良の形態
[0015] 以下に本発明を詳細に説明する。
本発明において、めっき異常析出を防止して優れためつき性を得るためにはめつき 析出の際の結晶性に影響を及ぼさない程度に加工変質層の厚さを薄くすることが必 要であり、その厚さを 0. 2 z m以下とすることが好ましい。特に高信頼性が要求される 用途においては、加工変質層の厚さを 0. 05 x m以下とすることがより好ましい。
[0016] 本発明において、前記銅合金上に施されるめっきには銀めつき、銅めつき、半田め つきないしはスズめっき、ニッケルめっきなどを適用することができ、特にリードフレー ム、端子、コネクタ等用銅合金に施される銀めつき又は銅めつきへの適用が好ましい
[0017] 本発明において、前記銅合金としては Cu_ Sn系や Cu_Zn系の固溶型合金にも Cu— Cr— Sn系、 Cu— Cr系、 Cu— Ni— Si系、 Cu— Fe— P系、 Cu— Ni— Sn系の 析出型銅合金などにも適用することができるが、特にリード間隔が狭小な多ピン用リ ードフレームに用いられる Cu—Cr—Sn系、 Cu— Ni— Si系銅合金への適用が好ま しい。
[0018] 前記 Cu— Cr Sn系銅合金は、リードフレームとして良好な強度及び導電性を得る ために化学成分組成が以下の範囲であることが好ましい。
クロム（Cr)は銅中で析出を起こして銅合金の強度を高める添加元素である。 Crが 少なすぎるとその効果が少なぐ多すぎるとその効果が飽和してしまう。本発明にお いて、 0. 05-0. 5質量％の範囲が好ましい。 0.：!〜 0. 45質量％がより好ましぐ 0 . 2〜0. 4質量％がさらに好ましい。
スズ (Sn)、亜鉛 (Zn)は銅中に固溶する添加元素であり、固溶強化及びその後の 冷間加工において強度を著しく高める効果がある。添加量が少ないとその効果が少 なぐ添加量が多いと導電性を損なう。電子機器に好ましい導電性を確保するために 、 Sn量 ίま 0. 05〜2. 0質量0 /0、 Zn量 ίま 0. 05〜： 1. 0質量0 /0カ好ましレヽ。 Sn量 ίま 0. ：!〜 0. 5質量％がより好ましぐ 0. 2〜0. 4質量％がさらに好ましレ、。また、 Zn量は 0 .：!〜 0. 5質量％がより好まし 0. 15-0. 3質量％であることがさらに好ましい。
[0019] さらに強度向上のため Cu_Cr_ Sn系銅合金にケィ素（Si)、ジルコニウム（Zr)を 一方又は両方を添カ卩してもょレ、。
Siは Crと Cr_Si析出物を形成し、 Crと Cr_ Siの複合析出により銅合金の強度を 高める添加元素である。少なすぎるとその効果が少なぐ多すぎると導電性を損なう。 本発明では 0. 01〜0. 5質量％であるのが好ましぐ 0. 05〜0. 4質量％であるのが より好ましく、 0. 1〜0. 3質量％であるのがさらに好ましい。
Zrは銅中で析出を起こして銅合金の強度を高める添加元素である。少なすぎると その効果が少なぐ多すぎるとその効果が飽和してしまう。本発明では 0. 01〜0. 5 質量％であるのが好ましぐ 0. 05〜0. 4質量％であるのがより好ましぐ 0.：!〜 0. 3 質量％であるのがさらに好ましい。
[0020] 本発明において、 Siと Zrの合計は 0. 01〜0. 5質量％の範囲にあるのが好ましレ、。
[0021] 前記 Cu_Ni_Si系銅合金は、リードフレームとして良好な強度及び導電性を得る ために化学成分組成が下記範囲であることが好ましい。
Niと Siは添加比を制御することにより Ni— Si析出物を形成させて析出強化を行い
、銅合金の強度を高める添加元素である。 Ni量が少なすぎると十分な析出強化が得 られず、多すぎると導電性を損なう。本発明において、好ましくは 2. 0〜4. 5質量％
、より好ましくは 2. 0〜4. 0質量0 /0、さらに好ましくは 2. 5〜4. 0質量0 /0である。
Si量は Ni添カ卩量の約 1/5の時に最も強化量が大きくなることから、 0. 25-1. 0質 量％が好ましぐ 0. 4〜0. 9質量％がより好ましぐ 0. 4〜0. 8質量％がさらに好まし ぐ 0. 5〜0. 8質量％とするのが最も好ましい。
[0022] さらに特性向上のため Cu— Ni— Si系銅合金に Mg、 Ag、 Mn、 Sn、 Znを添加して ちょい。
マグネシウム（Mg)は銅中に固溶または析出を起こして銅合金の強度を高める添 加元素である。少なすぎるとその効果が少なぐ多すぎると铸塊の熱間加工性を低下 させる。本発明において、 0. 05〜0. 3質量％が好ましぐ 0. 05〜0. 15質量％がよ り好ましく、 0. 1〜0. 2質量％がさらに好ましぐ 0. 13〜0. 17質量％が特に好まし レ、。
銀 (Ag)は銅中に固溶し銅合金の強度を高める添加元素である。少なすぎるとその 効果が少なぐ多すぎるとその効果が飽和してコスト高になってしまう。本発明におい て、 0. 005〜0. 2質 ft0/0力 S好ましく、 0. 005〜0. 1質量0 /0力より好ましく、 0. 01〜 0. 1質量％がさらに好ましぐ 0. 02〜0. 05質量％が特に好ましい。
マンガン (Mn)は鎳塊の熱間加工性を良好にする添カ卩元素である。少なすぎるとそ の効果が少なぐ多すぎると導電性を損なう。本発明において、 0. 005-0. 2質量 %が好ましぐ 0. 005-0. 1質量％がより好まし 0. 01〜0. 15質量％がさらに好 ましく、 0. 07〜0. 12質量0 /0力 S特に好ましレ、0
Sn、 Znは銅中に固溶する元素であり、固溶強化及びその後の冷間加工において 強度を著しく高める効果がある。少なすぎるとその効果が少なぐ添加量が多いと銅 合金の導電性を損なう。電子機器に好ましい導電性を確保するために、 Sn量は 0. 0 5〜2. 0質量0 /0カ好ましく、 Zn量 fま 0. 05〜： 1. 0質量0 /0力好ましレヽ。 Sn量 ίま 0. 05 〜1. 0質量％がより好ましぐ 0.：!〜 0. 2質量％がさらに好ましレ、。 Zn量は 0. 05〜 1. 0質量％がより好ましぐ 0.：!〜 0. 7質量％がさらに好ましい。
[0023] 本発明において、 Ag、 Mg、 Mn、 Sn、 Znの合計は 0. 005〜2. 0質量％の範囲に あるのが好ましい。
[0024] 本発明において、前記銅合金の加工変質層の除去においては化学的な溶解処理 や電気化学的な溶解処理、スパッタリングなどの物理的処理による除去方法を適用 することができる。また、非酸化性雰囲気で熱処理を施して非晶質や微細な結晶組 織の結晶性を回復させて塑性変形層または銅合金内部の結晶組織と同様の組織と することにより、加工変質層を消失させる方法も同様に適用することができる。スパッ タリングなどの物理的処理の場合には適用できるサイズや処理時間の面で制約があ るため、工業的な方法としては化学的または電気化学的な溶解処理や熱処理による 除去方法が好適である。
[0025] 前記化学的な溶解処理としては、酸および酸化剤を組み合わせた酸溶解液を用い ること力 Sでき、硫酸、硝酸、塩酸、フッ酸、リン酸などの酸と、過酸化水素、クロム酸塩 、過硫酸塩などの酸化剤とを組み合わせて適用できるが、溶解速度や環境面 '作業 性への配慮からは硫酸と過酸化水素の組み合わせが好適である。
[0026] 前記電気化学的な溶解処理としては、酸性溶液中におけるアノード電解を用いるこ とができ、リン酸、硫酸などの酸にクロム酸のような無機酸を添加した電解液を適用で きる。銅合金に対しては、長い実績と優れた研磨効果のあるリン酸系の電解液が好 適である。
[0027] 前記熱処理としては、還元性雰囲気や不活性雰囲気の加熱炉中における加熱処 理を用いることができ、加熱温度と加熱時間を適宜組み合わせることにより焼鈍炉で のバッチ式加熱や走間焼鈍炉での走間加熱などを適用できる。加工変質層の除去 処理中における表層の酸化を防止するには水素などの還元性雰囲気中での加熱が 好ましぐ熱処理中の酸素濃度の安定性面からはべル型炉などでのバッチ式加熱が 好適である。
[0028] 本発明において、前記銅合金の加工変質層の観察は板厚方向の断面において銅 合金の表層部を拡大観察することにより行う。組織観察は、組織を明確に識別するた めに、電子顕微鏡を用いて 10000倍程度に拡大して行うことが望ましぐ SIMや FE — SEMなどの観察装置を用いることが特に好適である。また、断面加工においては 加工変質層を形成しない方法が好ましぐ FIBなどの装置を用いることが特に好適で ある。
[0029] 図 1及び図 2を用いて銅合金の断面構造について説明する。
図 1は、 SIM観察による銅合金の断面図写真である。
図 2は、加工変質層 1及び塑性変形層 2からなる銅合金の断面図である。 図 2から明らかなように、前記加工変質層 1はべイルビー層 3 (上層）と微細結晶層 4 (下層）とからなり、前記べイルビー層 3は非晶質組織からなり、前記微細結晶層 4は 極微細な結晶集合組織からなる。加工変質層 1の更に下部に存在する塑性変形層 2 は結晶粒が微細結晶層より粗大であり、図 1に示すように加工変質層 1 (破線で囲ま れる部分）は塑性変形層 2と結晶組織が明瞭に異なるため、両者は容易に識別する こと力 Sできる。
[0030] 加工変質層は加工の程度により形成量が変化するため、顕微鏡観察による拡大観 察を行った視野内あるいは複数の観察箇所の比較においてその厚さが変化する場 合がある。そこで、拡大観察の視野内において加工変質層が最も厚い位置の厚さを 計測し、 5ケ所の観察箇所における計測値の平均を加工変質層の厚さと定義した。
[0031] 本発明の電子機器用銅合金は、銅合金の表層に存在する不均一で微細な加工変 質層を除去してその厚さを 0. 2 x m以下に抑えたものであり、その上にめっきを施す ことにより異常析出が防止され、銀めつきや酸化膜密着性に影響を及ぼす銅めつき などのめっき性が良好となる。
[0032] 本発明は銅合金の表層に存在する加工変質層を 0. 2 μ ΐη以下にすることによりめ つき性を良好にするものであり、合金組成や質別の異なる様々な種類の銅合金に対 してその効果が発現される。また、銀めつきや銅めつき以外にも、半田めつきやニッケ ルめっきなどについても同様にめつきの異常析出を防止して優れためつき性を得るこ とができる。
[0033] 本発明による電子機器用銅合金を用いたリードフレーム、端子、コネクタは、その製 造工程においてめつき性に起因する不具合が発生せぬため歩留まりがよぐまたパッ ケージング工程や基板実装工程、さらにはそれ以降の使用段階において高い信頼 性をもたらす。
[0034] 以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定さ れるものではない。
実施例
[0035] 実施例 1
表 1に示す化学成分組成の銅合金を踌造、圧延、パフ研磨処理、焼鈍を行い厚さ 0. 15mmの銅合金板を作製した。これらの銅合金板に脱脂処理および酸洗処理を 施した後に、化学溶解により加工変質層の除去処理を施した材料に対して銀めつき を行い、銀めつき性を評価した。
[0036] 表 1
Figure imgf000010_0001
[0037] 前記脱脂処理は、クリーナー 160S (商品名、メルテックス社製）を 60g/l含む脱脂 液中において、液温 60°Cで電流密度 2. 5A/ dm2の条件で 30秒間力ソード電解し て行った。また、前記酸洗処理は、硫酸を lOOg/1含む酸洗液中に室温で 30秒間 浸漬して行った。
[0038] 前記加工変質層の除去処理は、硫酸を 100g/l、過酸化水素を 15g/l含む水溶 液中に室温で浸漬して行った。除去処理後の加工変質層の厚さは、本発明例にお レヽては 0、 0. 02、 0. 05、 0. 1、 0. の 5通りとし、 it較 ί列としては 0. とした
[0039] 前記銀めつきは、シアン化銀カリウムを 55g/l、シアン化カリウムを 75g/l、水酸化 カリウムを 10gZl、炭酸カリウムを 25g/l含む銀めつき液中において、室温で電流密 度 1. OA/dm2の条件でめっき厚が 3 μ mとなるように行った。
[0040] 前記銀めつき性は、銀めつき表面をマイクロスコープ（キーエンス社製）を用いて 45 0倍に拡大観察して銀めつき表面に発生した突起状の異常析出箇所の個数をカウン トし、単位面積あたりの個数が 5個/ mm2以下の場合を◎、 5〜： 10個/ mm2の場合 を〇、 10個/ mm2より多い場合を Xとして評価した。
[0041] 実施例 1の評価結果を表 2に示す。
[0042] 表 2
Figure imgf000012_0001
[0043] 実施例 2
加工変質層の除去方法に電解溶解を用いた他は、実施例 1と同じ方法により銀め つきを行い、銀めつき性の評価を行った。 前記加工変質層の除去処理は、リン酸を 700g/l含む水溶液中において室温で 電流密度 lOAZdm2の条件でアノード電解して行った。除去処理後の加工変質層 の厚さは、本発明 ί列におレヽては 0、 0. 02、 0. 05、 0. 1、 0. 2 z mの 5通りとし、 i 較 ί列としては 0. とした。
実施例 2の評価結果を表 3に示す。
[0045] 表 3
Figure imgf000014_0001
[0046] 実施例 3
加工変質層の除去方法に熱処理を用いた他は、実施例 1と同じ方法により銀めつ きを行い、銀めつき性の評価を行った。 [0047] 前記加工変質層の除去処理は、水素還元雰囲気の加熱炉において 2時間の熱処 理により行った。除去処理後の加工変質層の厚さは、本発明例においては 0、 0. 02 、 0. 05、 0. 1、 0. 2 z mの 5通りとし、 i 較列としては 0. とした。
なお、加工変質層の厚さが 0. の元材に対して、加工変質層の厚さを 0、 0. 02 、 0. 05、 0. 1、 0. 2、 0. 3 x mとするための熱処理温度を、それぞれ 600、 585、 56 5、 540、 500、 450°Cとした。
[0048] 実施例 3の評価結果を表 4に示す。
A
表 4
Figure imgf000016_0001
表 2、表 3、表 4から明ら力なように、本発明例においては、いずれも銀めつきで発生 する突起状の異常析出の個数が少なく、加工変質層の厚さが 0. 05 m以下と薄い ものでは異常析出の発生数が非常に少なく銀めつき性が特に優れた。
また、銅合金の合金系が異なるものや加工変質層の除去方法が異なるものにおい ても、加工変質層の厚さが同じ場合には同様の効果が得られており、いずれの場合 においても加工変質層を 0. 2 μ m以下とすることにより優れた銀めつき性が得られた これに対して、比較例では銅合金表層の不均一で微細な加工変質層が十分に除 去されずに残っていたため、前記加工変質層に起因した異常析出は起こり銀めつき 性が低下した。
[0051] 実施例 4
表 1に示す化学成分組成の銅合金を铸造、圧延、焼鈍を行い厚さ 0. 15mmの銅 合金板を作製した。これらの銅合金板に脱脂処理および酸洗処理を施した後に、化 学溶解により加工変質層の除去処理を施した材料に対して銅めつきを行い、銅めつ き十生の評価を行った。
[0052] 前記脱脂処理は、クリーナー 160S (商品名、メルテックス社製）を 60g/l含む脱脂 液中において、液温 60°Cで電流密度 2. 5A/ dm2の条件で 30秒間力ソード電解し て行った。また、前記酸洗処理は、硫酸を lOOg/1含む酸洗液中に室温で 30秒間 浸漬して行った。
[0053] 前記加工変質層の除去処理は、硫酸を 100gZl、過酸化水素を 15g/l含む水溶 液中に室温で浸漬して行った。除去処理後の加工変質層の厚さは、本発明例にお レヽては 0、 0. 02、 0. 05、 0. 1、 0. の 5通りとし、 it較 ί列としては 0. とした
[0054] 前記銅めつきは、シアン化銅を 65gZl、シアン化カリウムを 110gZl、炭酸カリウム を 7. 5gZl含む銅めつき液中において、液温 45°Cで電流密度 1. 5A/dm2の条件 でめつき厚が 0. l z mとなるように行った。
[0055] 前記銅めつき性は、テープピール試験により評価した。銅めつき後に長さ 30mm、 幅 10mmに切り出したサンプルにホットプレートを用いて 350°Cで 7分間の大気加熱 を施し、サンプノレ表面に形成された酸化膜の上に粘着テープ (寺岡製作所 631S)を 貝占り付けて引き剥がした際に、ほとんど剥離が見られなレ、ものを◎、一部に剥離が見 られたものを〇、半分以上の面積に剥離が見られたものを Xとして評価した, [0056] 実施例 4の評価結果を表 5に示す。
[0057] 表 5
Figure imgf000018_0001
[0058] 実施例 5 加工変質層の除去方法に電解溶解を用いた他は、実施例 4と同じ方法により銅め つきを行い、銅めつき性の評価を行った。
[0059] 前記加工変質層の除去処理は、リン酸を 700g/l含む水溶液中において室温で 電流密度 lOAZdm2の条件でアノード電解して行った。除去処理後の加工変質層 の厚さは、本発明 ί列におレヽては 0、 0. 02、 0. 05、 0. 1、 0. 2 z mの 5通りとし、 i 較 ί列としては 0. とした。
[0060] 実施例 5の評価結果を表 6に示す。
表 6
Figure imgf000020_0001
実施例 6
加工変質層の除去方法に熱処理を用いた他は、実施例 4と同じ方法により銅めつ きを行い、銅めつき性の評価を行った。 [0063] 前記加工変質層の除去処理は、水素還元雰囲気の加熱炉中において 2時間の熱 処理により行った。除去処理後の加工変質層の厚さは、本発明例においては 0、 0.
02、 0. 05、 0. 1、 0. 2 z mの 5通りとし、 i 較列としては 0. とした。
なお、加工変質層の厚さが 0. の元材に対して、加工変質層の厚さを 0、 0. 0
2、 0. 05、 0. 1、 0. 2、 0. 3 x mとするための熱処理温度を、それぞれ 600、 585、 5
65、 540、 500、 450°Cとした。
[0064] 実施例 6の評価結果を表 7に示す。
表
Figure imgf000022_0001
表 5、表 6、表 7から明ら力なように、本発明例においては、いずれも銅めつき後での 酸化膜剥離面積が少なぐ加工変質層の厚さが 0. 05 m以下と薄いものでは酸化 膜剥離面積が非常に少なく銅めつき性が特に優れた。 また、銅合金の合金系が異なるものや加工変質層の除去方法が異なるものにおい ても、加工変質層の厚さが同じ場合には同様の効果が得られており、いずれの場合 においても加工変質層を 0. 2 μ m以下とすることにより優れた銅めつき性が得られた これに対して、比較例では銅合金表層の不均一で微細な加工変質層が十分に除 去されずに残っていたため、前記加工変質層に起因した異常析出が起こり、銅めつ き†生が低下した。
産業上の利用可能性
[0067] 本発明の銅合金はめつき性に優れ、半導体リードフレーム、端子、コネクタ等の電 子機器用部材等に好適に使用できる。また、本発明の銅合金の製造方法は、このよ うなめつき性に優れた銅合金の製造方法として好適である。
[0068] 本発明をその実施態様とともに説明したが、我々は特に指定しない限り我々の発明 を説明のどの細部においても限定しょうとするものではなぐ添付の請求の範囲に示 した発明の精神と範囲に反することなく幅広く解釈されるべきであると考える。

Claims

請求の範囲
[I] 表層の加工変質層の厚さが 0. 2 / m以下であることを特徴とする電子機器用銅合 金。
[2] 前記銅合金上にめっきが施されることを特徴とする請求項 1に記載の電子機器用 銅合金。
[3] 前記銅合金上に銀めつきまたは銅めつきが施されることを特徴とする請求項 1に記 載の電子機器用銅合金。
[4] Crを 0. 05〜0. 5質量0 /0、 Snを 0. 05〜2. 0質量0 /0、及び Znを 0. 05〜： 1. 0質量
%含み、さらに必要に応じて、 0. 01〜0. 5質量％の Si及び 0. 01〜0. 5質量％の Z rのうち 1種または 2種を合計で 0. 01-0. 5質量％含み、残部が Cu及び不可避的 不純物からなる請求項 1に記載の電子機器用銅合金。
[5] Niを 2. 0〜4. 0質量0 /0、 Siを 0. 4〜0. 8質量0 /0含み、さらに必要に応じて、 0. 05
〜0. 15質量0 /0の Mg、 0. 005〜0. 1質量0 /0の Ag、 0. 005〜0. 1質量0 /0の Mn、 0
. 05〜2. 0質量％の Sn及び 0. 05〜： 1. 0質量％の Znのうち 1種または 2種以上を 合計で 0. 005〜2. 0質量％含み、残部が Cu及び不可避的不純物からなる請求項
1に記載の電子機器用銅合金。
[6] 請求項 1に記載の電子機器用銅合金を用いたことを特徴とするリードフレーム。
[7] 請求項 1に記載の電子機器用銅合金を用いたことを特徴とする端子。
[8] 請求項 1に記載の電子機器用銅合金を用いたことを特徴とするコネクタ。
[9] 加工変質層の厚さが 0. 2 x m以下になるように、表層の加工変質層を除去すること を特徴とする電子機器用銅合金の製造方法。
[10] 前記加工変質層の除去を化学的な溶解処理により行うことを特徴とする請求項 9に 記載の電子機器用銅合金の製造方法。
[I I] 前記加工変質層の除去を電気化学的な溶解処理により行うことを特徴とする請求 項 9に記載の電子機器用銅合金の製造方法。
[12] 前記加工変質層の除去を熱処理により行うことを特徴とする請求項 9に記載の電子 機器用銅合金の製造方法。
[13] 前記電子機器用銅合金が、 Crを 0. 05〜0. 5質量％、 Snを 0. 05-2. 0質量％、 Znを 0. 05〜： 1. 0質量0 /0含み、さらに必要に応じて 0. 01〜0. 5質量0 /0の Si、 0. 01 〜0. 5質量％の Zrのうち 1種または 2種を合計で 0. 01〜0. 5質量％含み、残部が C u及び不可避的不純物からなる、請求項 9に記載の電子機器用銅合金の製造方法。 前記電子機器用銅合金が、 Niを 2. 0〜4. 0質量％、 Siを 0. 4〜0. 8質量％含み 、さらに必要に応じて、 0. 05〜0. 15質量0 /0の Mg、 0. 005〜0. 1質量0 /0の Ag、 0 . 005〜0. 1質量0 /0の Mn、 0. 05〜2. 0質量0 /0の Sn、 0. 05〜： 1. 0質量0 /0の Znの うち 1種または 2種以上を合計で 0. 005-2. 0質量％含み、残部が Cu及び不可避 的不純物からなる、請求項 9に記載の電子機器用銅合金の製造方法。
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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101555612A (zh) * 2008-04-11 2009-10-14 深圳富泰宏精密工业有限公司 外壳的表面处理方法
JP4709296B2 (ja) 2009-04-17 2011-06-22 日立電線株式会社 希薄銅合金材料の製造方法
KR101049832B1 (ko) * 2009-06-04 2011-07-15 에스비리모티브 주식회사 이차전지
JP5077416B2 (ja) * 2010-02-08 2012-11-21 日立電線株式会社 軟質希薄銅合金材料、軟質希薄銅合金線、軟質希薄銅合金板、軟質希薄銅合金撚線およびこれらを用いたケーブル、同軸ケーブルおよび複合ケーブル
JP4629154B1 (ja) * 2010-03-23 2011-02-09 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 電子材料用銅合金及びその製造方法
JP5569330B2 (ja) 2010-10-20 2014-08-13 日立金属株式会社 音楽・映像用ケーブル
JP5589754B2 (ja) 2010-10-20 2014-09-17 日立金属株式会社 希薄銅合金材料、及び耐水素脆化特性に優れた希薄銅合金材料の製造方法
JP5589756B2 (ja) * 2010-10-20 2014-09-17 日立金属株式会社 フレキシブルフラットケーブル及びその製造方法
JP5772338B2 (ja) * 2011-07-21 2015-09-02 日立金属株式会社 軟質希薄銅合金線、軟質希薄銅合金板及び軟質希薄銅合金撚線
JP5521130B1 (ja) * 2012-08-30 2014-06-11 パナソニック株式会社 電子部品パッケージおよびその製造方法
JP5651807B2 (ja) 2012-09-05 2015-01-14 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP6085536B2 (ja) * 2013-08-05 2017-02-22 株式会社Ｓｈカッパープロダクツ 銅条、めっき付銅条、リードフレーム及びｌｅｄモジュール
KR101587014B1 (ko) * 2014-01-16 2016-01-20 한국산업기술대학교 산학협력단 전기자동차의 접속터미널용 합금과 이를 이용한 접속터미널 제조방법 및 이에 따라 제조된 접속터미널
CN106282737A (zh) * 2016-08-30 2017-01-04 芜湖楚江合金铜材有限公司 一种电镀镍导线用铜合金线材及其制备方法
JP6793005B2 (ja) * 2016-10-27 2020-12-02 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 銅合金板材およびその製造方法
JP6985072B2 (ja) * 2017-09-06 2021-12-22 新光電気工業株式会社 リードフレーム及びその製造方法
CN110265376A (zh) 2018-03-12 2019-09-20 意法半导体股份有限公司 引线框架表面精整
CN109055809A (zh) * 2018-07-10 2018-12-21 浙江力博实业股份有限公司 一种电极材料用铜钴铍合金的制备方法
US11735512B2 (en) 2018-12-31 2023-08-22 Stmicroelectronics International N.V. Leadframe with a metal oxide coating and method of forming the same
CN113083897B (zh) * 2021-04-07 2022-12-27 太原晋西春雷铜业有限公司 一种铜或者铜合金带材高均匀性表面的制备方法
CN115283774B (zh) * 2022-07-29 2023-11-24 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种封装外壳用Cu-Cr-Zr合金引线的处理工艺
CN115613043A (zh) * 2022-11-11 2023-01-17 安徽鑫科铜业有限公司 一种铜镍硅合金带材表面处理溶液及铜镍硅合金带材表面处理方法
CN115976465A (zh) * 2022-12-27 2023-04-18 天津美泰真空技术有限公司 一种芯片载体的表面镀膜工艺

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6396232A (ja) * 1986-10-09 1988-04-27 Kobe Steel Ltd プラスチツク．ピン・グリツド・アレイｉｃリ−ドピン用銅合金およびその製造方法
JPS63118051A (ja) * 1986-11-05 1988-05-23 Nippon Mining Co Ltd 貴金属めつき耐熱性の優れたＦｅ−Ｎｉ系合金又はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金
JPS63230884A (ja) * 1987-03-19 1988-09-27 Furukawa Electric Co Ltd:The リ−ドフレ−ム用析出強化型銅合金の表面処理方法
JPS63266050A (ja) * 1987-04-24 1988-11-02 Furukawa Electric Co Ltd:The 高力銅基合金の製造法
JPH03215688A (ja) * 1990-01-22 1991-09-20 Kobe Steel Ltd めっき密着性に優れたＣｕおよびＣｕ合金素材
JPH08319527A (ja) * 1995-05-25 1996-12-03 Kobe Steel Ltd はんだ密着性、めっき性に優れ、かつ洗浄が容易な銅合金およびその製造方法
JPH09111500A (ja) * 1995-10-20 1997-04-28 Ebara Yuujiraito Kk 析出強化型銅合金製品の電解エッチング液および電解エッチング方法
JPH1129894A (ja) * 1997-07-09 1999-02-02 Mishima Kosan Co Ltd 連続鋳造に用いる鋳型片のめっき方法
JP2003089832A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Nippon Mining & Metals Co Ltd めっき耐熱剥離性に優れた銅合金箔

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0788549B2 (ja) * 1986-06-26 1995-09-27 古河電気工業株式会社 半導体機器用銅合金とその製造法
JPH08957B2 (ja) * 1987-04-21 1996-01-10 日鉱金属株式会社 錫又は錫合金めつきの耐熱剥離性に優れた銅合金の製造方法
JPH02100355A (ja) 1988-10-07 1990-04-12 Hitachi Metals Ltd Ｉｃリード用部材
US5261154A (en) * 1991-07-22 1993-11-16 Macdermid, Incorporated Process for fabricating multilayer printed circuits
US5328561A (en) * 1992-07-10 1994-07-12 Macdermid Incorporated Microetchant for copper surfaces and processes for using same
JP2994230B2 (ja) 1995-05-20 1999-12-27 株式会社神戸製鋼所 Ａｇめっき性が優れた半導体リードフレーム用銅合金
JPH10102166A (ja) 1996-09-30 1998-04-21 Kobe Steel Ltd 銅めっき性に優れたリードフレーム用銅合金材料
JPH10265973A (ja) 1997-03-27 1998-10-06 Kobe Steel Ltd 良好な銀めっき性を有する電子部品用銅合金材の製造方法
JP3383615B2 (ja) 1999-08-05 2003-03-04 日鉱金属株式会社 電子材料用銅合金及びその製造方法
JP3215688B2 (ja) 1999-10-01 2001-10-09 松下電送システム株式会社 ファクシミリ装置
JP2001329323A (ja) * 2001-04-02 2001-11-27 Furukawa Electric Co Ltd:The 表面特性に優れた電子機器用銅合金

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6396232A (ja) * 1986-10-09 1988-04-27 Kobe Steel Ltd プラスチツク．ピン・グリツド・アレイｉｃリ−ドピン用銅合金およびその製造方法
JPS63118051A (ja) * 1986-11-05 1988-05-23 Nippon Mining Co Ltd 貴金属めつき耐熱性の優れたＦｅ−Ｎｉ系合金又はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金
JPS63230884A (ja) * 1987-03-19 1988-09-27 Furukawa Electric Co Ltd:The リ−ドフレ−ム用析出強化型銅合金の表面処理方法
JPS63266050A (ja) * 1987-04-24 1988-11-02 Furukawa Electric Co Ltd:The 高力銅基合金の製造法
JPH03215688A (ja) * 1990-01-22 1991-09-20 Kobe Steel Ltd めっき密着性に優れたＣｕおよびＣｕ合金素材
JPH08319527A (ja) * 1995-05-25 1996-12-03 Kobe Steel Ltd はんだ密着性、めっき性に優れ、かつ洗浄が容易な銅合金およびその製造方法
JPH09111500A (ja) * 1995-10-20 1997-04-28 Ebara Yuujiraito Kk 析出強化型銅合金製品の電解エッチング液および電解エッチング方法
JPH1129894A (ja) * 1997-07-09 1999-02-02 Mishima Kosan Co Ltd 連続鋳造に用いる鋳型片のめっき方法
JP2003089832A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Nippon Mining & Metals Co Ltd めっき耐熱剥離性に優れた銅合金箔

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