JPH08957B2 - 錫又は錫合金めつきの耐熱剥離性に優れた銅合金の製造方法 - Google Patents
錫又は錫合金めつきの耐熱剥離性に優れた銅合金の製造方法Info
- Publication number
- JPH08957B2 JPH08957B2 JP62096217A JP9621787A JPH08957B2 JP H08957 B2 JPH08957 B2 JP H08957B2 JP 62096217 A JP62096217 A JP 62096217A JP 9621787 A JP9621787 A JP 9621787A JP H08957 B2 JPH08957 B2 JP H08957B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tin
- alloy
- copper alloy
- heat
- hardness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔目的〕 本発明は、トランジスタや集積回路（IC）などの半導
体機器のリード材、コネター、端子、リレー、スイッチ
等の導電性ばね材に適する銅合金の製造方法に関するも
のである。特に半田耐熱剥離性（ここで耐熱剥離性とは
半田付けを行った材料が熱等の影響に対して耐剥離効果
を有する性質を意味する。）に優れた銅合金の製造方法
に関するものである。
体機器のリード材、コネター、端子、リレー、スイッチ
等の導電性ばね材に適する銅合金の製造方法に関するも
のである。特に半田耐熱剥離性（ここで耐熱剥離性とは
半田付けを行った材料が熱等の影響に対して耐剥離効果
を有する性質を意味する。）に優れた銅合金の製造方法
に関するものである。
〔従来技術及び問題点〕 従来、半導体機器のリード材としては、熱膨張係数が
低く、素子及びセラミックとの接着及び封着性の良好な
コバール（Fe-29Ni-16Co）、42合金（Fe-42Ni）などの
高ニッケル合金が好んで使われてきた。しかし、近年、
半導体回路の集積度の向上に伴い消費電力の高いICが多
くなってきたことと、封止材料として樹脂が多く使用さ
れ、かつ素子とリードフレームの接着も改良が加えられ
たことにより、使用されるリード材も放熱性のよい銅基
合金が使われるようになってきた。
低く、素子及びセラミックとの接着及び封着性の良好な
コバール（Fe-29Ni-16Co）、42合金（Fe-42Ni）などの
高ニッケル合金が好んで使われてきた。しかし、近年、
半導体回路の集積度の向上に伴い消費電力の高いICが多
くなってきたことと、封止材料として樹脂が多く使用さ
れ、かつ素子とリードフレームの接着も改良が加えられ
たことにより、使用されるリード材も放熱性のよい銅基
合金が使われるようになってきた。
一般に半導体機器のリード材としては以下のような特
性が要求されている。
性が要求されている。
（１）リードが電気信号伝達部であるとともに、パッケ
ージング工程中及び回路使用中に発生する熱を外部に放
出する機能を併せ持つことを要求される為、優れた熱及
び電気伝導性を示すもの。
ージング工程中及び回路使用中に発生する熱を外部に放
出する機能を併せ持つことを要求される為、優れた熱及
び電気伝導性を示すもの。
（２）リードとモールドとの密着性が半導体素子保護の
観点から重要であるため、リード材とモールド材の熱膨
張係数が近いこと。
観点から重要であるため、リード材とモールド材の熱膨
張係数が近いこと。
（３）パッケージング時に種々の加熱工程が加わる為、
耐熱性が良好であること。
耐熱性が良好であること。
（４）リードはリード材を抜き打ち加工し、又曲げ加工
して作製されるものがほとんどである為、これらの加工
性が良好なこと。
して作製されるものがほとんどである為、これらの加工
性が良好なこと。
（５）リードは表面に貴金属のメッキを行う為、これら
貴金属とのメッキ密着性が良好であること。
貴金属とのメッキ密着性が良好であること。
（６）パッケージング後に封止材の外に露出している、
いわゆるアウター・リード部に半田付けするものが多い
ので良好な半田付け性を示すこと。
いわゆるアウター・リード部に半田付けするものが多い
ので良好な半田付け性を示すこと。
（７）機器の信頼性及び寿命の観点から耐食性が良好な
こと。
こと。
（８）価格が低廉であること。
これら各種の要求特性に対し、りん青銅及び若干の添
加元素を加えた改良合金が広く使われてきた。しかし、
近年、半導体に対する信頼度の要求がより厳しくなると
ともに、小型化に対応した面付実装タイプが多くなって
きた為、従来問題とされていなかった半田耐熱剥離性が
非常に重要な特性項目となってきた。
加元素を加えた改良合金が広く使われてきた。しかし、
近年、半導体に対する信頼度の要求がより厳しくなると
ともに、小型化に対応した面付実装タイプが多くなって
きた為、従来問題とされていなかった半田耐熱剥離性が
非常に重要な特性項目となってきた。
すなわち、リードフレームとプリント基板とが半田付
けをされるが、使用中外的温度及び通電による発熱によ
り最高120℃程度まてリードフレーム、及び半田付け部
が温度上昇する。このような温度に長時間さらされると
半田とリードフレームとの剥離が生じ、半導体が動作し
ない事が起こりえるため、寿命という観点から高信頼度
が要求される場合、この半田耐熱剥離性は最も重要な特
性の１つとなるわけである。とりわけ、FPP（FLAT PLAS
TIC PACKAGE）やPLCC（PLASTIC LEADED CHIP CARRIER）
に代表される面付実装タイプはプリント基板に装入する
のではなく、面接触になる為、より半田耐熱剥離性が重
要になってくるわけである。
けをされるが、使用中外的温度及び通電による発熱によ
り最高120℃程度まてリードフレーム、及び半田付け部
が温度上昇する。このような温度に長時間さらされると
半田とリードフレームとの剥離が生じ、半導体が動作し
ない事が起こりえるため、寿命という観点から高信頼度
が要求される場合、この半田耐熱剥離性は最も重要な特
性の１つとなるわけである。とりわけ、FPP（FLAT PLAS
TIC PACKAGE）やPLCC（PLASTIC LEADED CHIP CARRIER）
に代表される面付実装タイプはプリント基板に装入する
のではなく、面接触になる為、より半田耐熱剥離性が重
要になってくるわけである。
又、従来、電気機器用ばね、計測器用ばね、スイッ
チ、コネクター等に用いられるばね用材料としては、安
価な黄銅、優れたばね特性及び耐食性を有する洋白、あ
るいは優れたばね特性を有するりん青銅が使用されてい
た。しかし、黄銅は強度、ばね特性が劣っており、洋白
は導電性が悪い為、りん青銅が信頼性の高い材料として
最も広く使用されている。この導電性ばね材の分野で
も、接触抵抗低減、耐食性の向上等の理由でSn又は半田
めっきが施され、又、半田付けが実施される事が多い
為、先に述べたような半田耐熱剥離性が、近年の信頼性
向上の要求から極めて重要となってきている。
チ、コネクター等に用いられるばね用材料としては、安
価な黄銅、優れたばね特性及び耐食性を有する洋白、あ
るいは優れたばね特性を有するりん青銅が使用されてい
た。しかし、黄銅は強度、ばね特性が劣っており、洋白
は導電性が悪い為、りん青銅が信頼性の高い材料として
最も広く使用されている。この導電性ばね材の分野で
も、接触抵抗低減、耐食性の向上等の理由でSn又は半田
めっきが施され、又、半田付けが実施される事が多い
為、先に述べたような半田耐熱剥離性が、近年の信頼性
向上の要求から極めて重要となってきている。
こういった半田耐熱剥離性の厳しい要求に対して、現
状のりん青銅系合金ではこたえることができず、半田耐
熱剥離性を改善した高力高導電銅合金の現出が待たれて
いた。
状のりん青銅系合金ではこたえることができず、半田耐
熱剥離性を改善した高力高導電銅合金の現出が待たれて
いた。
本発明はかかる点に鑑みなされたもので、従来の銅基
合金のもつ欠点を改良し、半導体機器のリード材及び導
電性ばね材として好適な諸特性を有する銅合金の製造方
法を提供しようとするものである。
合金のもつ欠点を改良し、半導体機器のリード材及び導
電性ばね材として好適な諸特性を有する銅合金の製造方
法を提供しようとするものである。
本発明は、Ni0.4〜4.0wt％、Si0.1〜1.0wt％を含み、
副成分として、Zn、Ｐ、Sn、As、Cr、Mg、Mn、Sb、Fe、
Co、Al、Ti、Zr、Be、Ag、Pb、Ｂ、Hf、In、ランタノイ
ド元素からなる１種又は２種以上を総量で0.001〜3.0wt
％含み、残部Cu及び不可避的不純物からなる銅合金をＴ
℃で時効処理する場合、下記式で定義される硬さＨ
（Hv）が得られる時間より長時間時効処理を行うことを
特徴とする錫又は錫合金めっきの耐熱剥離性に優れた銅
合金の製造方法。
副成分として、Zn、Ｐ、Sn、As、Cr、Mg、Mn、Sb、Fe、
Co、Al、Ti、Zr、Be、Ag、Pb、Ｂ、Hf、In、ランタノイ
ド元素からなる１種又は２種以上を総量で0.001〜3.0wt
％含み、残部Cu及び不可避的不純物からなる銅合金をＴ
℃で時効処理する場合、下記式で定義される硬さＨ
（Hv）が得られる時間より長時間時効処理を行うことを
特徴とする錫又は錫合金めっきの耐熱剥離性に優れた銅
合金の製造方法。
Ｈ＝H1−（H1−H0）×0.25 …… H0;上記銅合金の時効処理前の硬さ（Hv） H1;同銅合金をＴ℃で時効処理を行うことによって得ら
れた最高の硬さ（Hv） 並びに上記時効処理を行った銅合金を５％以上の加工
度で冷間圧延し、その後必要に応じ350〜800℃の温度で
焼鈍を行うことを特徴とする前記錫又は錫合金めっきの
耐熱剥離性に優れた銅合金の製造方法。
れた最高の硬さ（Hv） 並びに上記時効処理を行った銅合金を５％以上の加工
度で冷間圧延し、その後必要に応じ350〜800℃の温度で
焼鈍を行うことを特徴とする前記錫又は錫合金めっきの
耐熱剥離性に優れた銅合金の製造方法。
そして、銅合金のＯ濃度が0.0020wt％以下、Ｓ濃度が
0.0015wt％以下であることを特徴とする前記錫又は錫合
金めっきの耐熱剥離性に優れた銅合金の製造方法に関す
る。
0.0015wt％以下であることを特徴とする前記錫又は錫合
金めっきの耐熱剥離性に優れた銅合金の製造方法に関す
る。
次に本発明の合金の製造方法を構成する合金成分の限
定理由を説明する。
定理由を説明する。
Niの含有量を0.4〜4.0wt％とする理由は、NiはCu中に
Siと共添し、時効処理を行うことにより、Ni2Si等の金
属間化合物を形成し、強度を向上させる元素であるが、
Ni含有量が0.4wt％未満ではSiを共添しても十分な強度
が得られず、Ni含有量が4.0wt％を超えると十分な強度
は得られるが、導電性が低下し、加工性も悪くなり、又
価格も上昇するためである。
Siと共添し、時効処理を行うことにより、Ni2Si等の金
属間化合物を形成し、強度を向上させる元素であるが、
Ni含有量が0.4wt％未満ではSiを共添しても十分な強度
が得られず、Ni含有量が4.0wt％を超えると十分な強度
は得られるが、導電性が低下し、加工性も悪くなり、又
価格も上昇するためである。
Si含有量0.1〜1.0wt％とする理由は、Niと同様に、金
属間化合物を形成し、強度を向上させるためであるが、
Si含有量が0.1wt％未満では十分な強度は得られず、Si
含有量が1.0wt％を超えると十分な強度は得られるが、
導電性が低下し、半田付け性が悪くなるためである。
又、NiとSiの成分比は、金属間化合物（Ni2Si）の組成
に近い方が導電性が向上するため、Ni/Si＝4/1とするこ
とが望ましい。
属間化合物を形成し、強度を向上させるためであるが、
Si含有量が0.1wt％未満では十分な強度は得られず、Si
含有量が1.0wt％を超えると十分な強度は得られるが、
導電性が低下し、半田付け性が悪くなるためである。
又、NiとSiの成分比は、金属間化合物（Ni2Si）の組成
に近い方が導電性が向上するため、Ni/Si＝4/1とするこ
とが望ましい。
さらに副成分としてZn、Ｐ、Sn、As、Cr、Mg、Mn、S
b、Fe、Co、Al、Ti、Zr、Be、Ag、Pb、Ｂ、Hf、In、ラ
ンタノイド元素からなる１種又は２種以上を総量で0.00
1〜3.0wt％含む理由は、強度を向上させるためである
が、総量が0.001wt％未満では強度の向上は認められ
ず、総量が3.0wt％を超えると強度は向上するが、導電
性が低下し、半田付け性が劣化するためである。
b、Fe、Co、Al、Ti、Zr、Be、Ag、Pb、Ｂ、Hf、In、ラ
ンタノイド元素からなる１種又は２種以上を総量で0.00
1〜3.0wt％含む理由は、強度を向上させるためである
が、総量が0.001wt％未満では強度の向上は認められ
ず、総量が3.0wt％を超えると強度は向上するが、導電
性が低下し、半田付け性が劣化するためである。
これらの副成分の中でもZnは、Cu-Ni-Si系合金の半田
又は錫めっき耐熱剥離性を良好にする添加元素であり、
0.1wt％以上添加することにより、絶大なる効果がある
ため、トランジスタや集積回路（IC）などの半導体機器
のリード材、コネクター、端子、リレー、スイッチ等の
導電性ばね材に適する銅合金に使用する場合、是非0.1w
t％以上Znを添加することが推奨される。
又は錫めっき耐熱剥離性を良好にする添加元素であり、
0.1wt％以上添加することにより、絶大なる効果がある
ため、トランジスタや集積回路（IC）などの半導体機器
のリード材、コネクター、端子、リレー、スイッチ等の
導電性ばね材に適する銅合金に使用する場合、是非0.1w
t％以上Znを添加することが推奨される。
又、時効処理をＴ℃で行う場合、下式で定義される硬
さＨ（Hv）が得られる時間より長時間時効処理を行う理
由は、 Ｈ＝H1−（H1−H0）×0.25 H0;上記銅合金の時効処理前の硬さ（Hv） H1;同銅合金をＴ℃で時効処理を行うことによって得ら
れた最高の硬さ（Hv） この条件下で時効処理を行うことにより、硬さ、導電
率が上昇すると、同時に錫又は錫合金めっき（半田な
ど）耐熱剥離性が向上するが、時効処理がＨ（Hv）とい
う硬さが所定の時間より短かいと、めっきした錫又は錫
合金（半田等）は加熱により短時間で剥離するためであ
る。
さＨ（Hv）が得られる時間より長時間時効処理を行う理
由は、 Ｈ＝H1−（H1−H0）×0.25 H0;上記銅合金の時効処理前の硬さ（Hv） H1;同銅合金をＴ℃で時効処理を行うことによって得ら
れた最高の硬さ（Hv） この条件下で時効処理を行うことにより、硬さ、導電
率が上昇すると、同時に錫又は錫合金めっき（半田な
ど）耐熱剥離性が向上するが、時効処理がＨ（Hv）とい
う硬さが所定の時間より短かいと、めっきした錫又は錫
合金（半田等）は加熱により短時間で剥離するためであ
る。
そして、この様に時効処理を行った銅合金条を５％以
上の加工度で冷間圧延し、その後必要に応じて350〜800
℃の温度で焼鈍を行う理由は、冷間圧延を行うことによ
り、時効処理時に発生する内部歪を強制し、所定の寸
法、強度に調質し、焼鈍を行うことにより歪を除去し、
伸びを回復させて、曲げ性を良好にするためである。
上の加工度で冷間圧延し、その後必要に応じて350〜800
℃の温度で焼鈍を行う理由は、冷間圧延を行うことによ
り、時効処理時に発生する内部歪を強制し、所定の寸
法、強度に調質し、焼鈍を行うことにより歪を除去し、
伸びを回復させて、曲げ性を良好にするためである。
又、Ｏ濃度を0.0020wt％以下とする理由は、Ｏが存在
するとSiと結合し酸化物となり、いわゆる介在物となっ
て銅中に存在するようになるが、Ｏ含有量が0.0020wt％
を超えると介在物が多数生成され、折り曲げ性、半田付
け性、めっき性、エッチング性が著しく低下するためで
ある。
するとSiと結合し酸化物となり、いわゆる介在物となっ
て銅中に存在するようになるが、Ｏ含有量が0.0020wt％
を超えると介在物が多数生成され、折り曲げ性、半田付
け性、めっき性、エッチング性が著しく低下するためで
ある。
Ｓ濃度を0.0015wt％以下とする理由は、Ｓが存在する
と、Siは非常にＳと結合しやすく、容易に硫化物になり
銅中に存在するようになるが、Ｓ含有量が0.0015wt％を
超えると硫化物が多数生成され、折り曲げ性、半田付け
性、めっき性、エッチング性が著しく低下するためであ
る。
と、Siは非常にＳと結合しやすく、容易に硫化物になり
銅中に存在するようになるが、Ｓ含有量が0.0015wt％を
超えると硫化物が多数生成され、折り曲げ性、半田付け
性、めっき性、エッチング性が著しく低下するためであ
る。
冷間圧延の加工度を５％以上とするのは、５％未満で
は内部歪が完全には強制できないためである。又、その
後の焼鈍温度を350〜800℃とする理由は、350℃より低
い温度では、焼鈍を行うのに時間がかかり、経済的でな
く、800℃を超えると材料が溶体化され、強度、導電性
が劣化するためである。
は内部歪が完全には強制できないためである。又、その
後の焼鈍温度を350〜800℃とする理由は、350℃より低
い温度では、焼鈍を行うのに時間がかかり、経済的でな
く、800℃を超えると材料が溶体化され、強度、導電性
が劣化するためである。
この様に本発明の製造方法はCu-Ni-Si系合金の時効処
理時間を規定することにより、錫又は錫合金めっきの耐
熱剥離性を著しく改善することができ、電気電子部品の
高信頼化にこたえられるとともに、強度、ばね特性、耐
熱性と導電性を具備し、不純物としてのＯ、Ｓを限定す
ることにより、今まで本合金の欠点であった折り曲げ
性、半田付け性、めっき性、エッチング性が著しく改善
した銅合金を提供することができる。
理時間を規定することにより、錫又は錫合金めっきの耐
熱剥離性を著しく改善することができ、電気電子部品の
高信頼化にこたえられるとともに、強度、ばね特性、耐
熱性と導電性を具備し、不純物としてのＯ、Ｓを限定す
ることにより、今まで本合金の欠点であった折り曲げ
性、半田付け性、めっき性、エッチング性が著しく改善
した銅合金を提供することができる。
又、熱膨張係数はプラスチックに近く、半導体機器の
リード材としてはプラスチックパッケージ用に適してい
る。従って、本発明合金は半導体機器のリード材及び導
電性ばね材として好適な材料であり、先行技術の合金に
おいてこの様な総合的特性を兼備するものはない。
リード材としてはプラスチックパッケージ用に適してい
る。従って、本発明合金は半導体機器のリード材及び導
電性ばね材として好適な材料であり、先行技術の合金に
おいてこの様な総合的特性を兼備するものはない。
以下に本発明材料を実施例をもって説明する。
第１表に示される本発明に係る各種合金成分組成のイ
ンゴットを電気銅あるいは無酸素銅を原料として、高周
波溶解炉で大気、不活性又は還元性雰囲気中で溶解鋳造
した。次にこれを800℃で熱間圧延して厚さ4mmの板とし
た後、面削を行って冷間圧延で厚さ1.5mmとした。これ
を800℃にて30分間焼鈍した後水冷し、酸洗によりスケ
ールを除去した後0.4mmの厚さまで冷間圧延し、440℃に
て所定時間時効処理を行い、さらに酸洗によりスケール
を除去し、0.25mmの厚さまで冷間圧延し、脱脂後10％H2
-N2雰囲気中で550℃にて所定時間焼鈍し、リード材とし
ての評価を行った。評価としては強度、伸びを引張試験
により、耐熱性を加熱時間60分における軟化温度によ
り、電気伝導性（放熱性）を導電率（％IACS）によって
示した。半田付け性は、垂直式浸漬法で230±５℃の半
田浴（すず60％、鉛40％）に５秒間浸漬し、半田のぬれ
の状態を目視観察することにより評価した。メッキ密着
性は試料に厚さ３μのAgメッキを施し、450℃にて５分
間加熱し、表面に発生するフクレの有無を目視観察する
ことにより評価した。これらの結果を比較合金とともに
第１表に示した。
ンゴットを電気銅あるいは無酸素銅を原料として、高周
波溶解炉で大気、不活性又は還元性雰囲気中で溶解鋳造
した。次にこれを800℃で熱間圧延して厚さ4mmの板とし
た後、面削を行って冷間圧延で厚さ1.5mmとした。これ
を800℃にて30分間焼鈍した後水冷し、酸洗によりスケ
ールを除去した後0.4mmの厚さまで冷間圧延し、440℃に
て所定時間時効処理を行い、さらに酸洗によりスケール
を除去し、0.25mmの厚さまで冷間圧延し、脱脂後10％H2
-N2雰囲気中で550℃にて所定時間焼鈍し、リード材とし
ての評価を行った。評価としては強度、伸びを引張試験
により、耐熱性を加熱時間60分における軟化温度によ
り、電気伝導性（放熱性）を導電率（％IACS）によって
示した。半田付け性は、垂直式浸漬法で230±５℃の半
田浴（すず60％、鉛40％）に５秒間浸漬し、半田のぬれ
の状態を目視観察することにより評価した。メッキ密着
性は試料に厚さ３μのAgメッキを施し、450℃にて５分
間加熱し、表面に発生するフクレの有無を目視観察する
ことにより評価した。これらの結果を比較合金とともに
第１表に示した。
又、ばね材としての評価を行う為に、同一合金の厚さ
1.5mmの冷間圧延材を800℃にて30分間焼鈍した後水冷
し、酸洗後0.4mmの厚さまで冷間圧延し、脱脂後10％H2-
N2雰囲気中で440℃にて所定時間時効処理を行った合金
条について、強度、伸びを引張試験により評価し、ばね
性をKb値により評価した。これに電気伝導度の結果を加
え、比較合金とともに第２表に示した。本特許のポイン
トである半田耐熱剥離性については、素材に５μの半田
めっき（60％Sn、40％Pb）を施し、150℃の恒温槽に大
気中で500hrまで保持し、100hr毎に取り出して90°曲げ
往復１回を施して半田の剥離の有無を調べた。これらの
結果を第１表及び第２表に示した。
1.5mmの冷間圧延材を800℃にて30分間焼鈍した後水冷
し、酸洗後0.4mmの厚さまで冷間圧延し、脱脂後10％H2-
N2雰囲気中で440℃にて所定時間時効処理を行った合金
条について、強度、伸びを引張試験により評価し、ばね
性をKb値により評価した。これに電気伝導度の結果を加
え、比較合金とともに第２表に示した。本特許のポイン
トである半田耐熱剥離性については、素材に５μの半田
めっき（60％Sn、40％Pb）を施し、150℃の恒温槽に大
気中で500hrまで保持し、100hr毎に取り出して90°曲げ
往復１回を施して半田の剥離の有無を調べた。これらの
結果を第１表及び第２表に示した。
なお、本発明例（１）〜（18）及び比較例（19）〜
（25）の時効前の硬さH0、時効による最高到達硬さH1、
式又は式で得られる硬さＨ及びＨの硬さが得られる
時効時間については、第３表に示す。
（25）の時効前の硬さH0、時効による最高到達硬さH1、
式又は式で得られる硬さＨ及びＨの硬さが得られる
時効時間については、第３表に示す。
比較合金の（21）、（22）は、本発明に係る合金
（１）の時効時間を短かくしたものである。第１図は、
（１）、（21）、（22）の成分の合金を440℃にて所定
時間時効処理したときの硬さと導電率である。図中矢印
より左側のものは、時効時間が短かいため、150℃の加
熱により（60％Sn、40％Pb）半田めっきは500時間以内
に剥離したが、矢印より右側のものは、150℃にて500時
間加熱しても（60％Sn、40％Pb）半田は剥離しなかっ
た。又、錫めっきの耐熱剥離性においても同様な傾向が
あり、時効を前述した通り本発明の与式によって定義さ
れる所定の硬さが得られる時間より長時間時効処理を行
うことにより、錫めっき耐熱剥離性は良好となる。
（１）の時効時間を短かくしたものである。第１図は、
（１）、（21）、（22）の成分の合金を440℃にて所定
時間時効処理したときの硬さと導電率である。図中矢印
より左側のものは、時効時間が短かいため、150℃の加
熱により（60％Sn、40％Pb）半田めっきは500時間以内
に剥離したが、矢印より右側のものは、150℃にて500時
間加熱しても（60％Sn、40％Pb）半田は剥離しなかっ
た。又、錫めっきの耐熱剥離性においても同様な傾向が
あり、時効を前述した通り本発明の与式によって定義さ
れる所定の硬さが得られる時間より長時間時効処理を行
うことにより、錫めっき耐熱剥離性は良好となる。
これらの第１表、第２表及び第１図から、本発明の方
法により製造された合金は、半田又は錫めっき耐熱剥離
性が著しく改善され、電気電子部品の高信頼化にこたえ
られるとともに、強度、ばね特性、耐熱性と導電性を具
備し、不純物としてのＯ、Ｓを限定することにより、今
まで本合金の欠点であった折り曲げ性、半田付け性、め
っき性、エッチング性が著しく改善されていることがわ
かる。
法により製造された合金は、半田又は錫めっき耐熱剥離
性が著しく改善され、電気電子部品の高信頼化にこたえ
られるとともに、強度、ばね特性、耐熱性と導電性を具
備し、不純物としてのＯ、Ｓを限定することにより、今
まで本合金の欠点であった折り曲げ性、半田付け性、め
っき性、エッチング性が著しく改善されていることがわ
かる。
第１図は本発明例と比較例の（１）、（21）、（22）の
成分の合金を440℃にて所定時間時効処理したときの硬
さと導電率の変化をそれぞれ示したものである。
成分の合金を440℃にて所定時間時効処理したときの硬
さと導電率の変化をそれぞれ示したものである。
Claims (2)
- 【請求項１】Ni0.4〜4.0Wt％、Si0.1〜1.0Wt％を含み、
更に不純物であるＯ濃度が0.0020Wt％以下、Ｓ濃度が0.
0015Wt％以下、副成分として、Zn、Ｐ、Sn、As、Cr、M
g、Mn、Sb、Fe、Co、Al、Ti、Zr、Be、Ag、Pb、Ｂ、H
f、In、ランタノイド元素からなる１種又は２種以上を
総量で0.001〜3.0Wt％を含み、残部Cu及び不可避的不純
物からなる銅合金をＴ℃で時効処理する場合、下記式
で定義される硬さＨ（Hv）が得られる時間より長時間時
効処理を行うことを特徴とする錫又は錫合金めっきの耐
熱剥離性に優れた銅合金の製造方法。 Ｈ＝H1−（H1−H0）×0.25 …… H0;上記銅合金の時効処理前の硬さ（Hv） H1;同銅合金をＴ℃で時効処理を行うことによって得ら
れた最高の硬さ（Hv） - 【請求項２】時効処理を行った銅合金を５％以上の加工
度で冷間圧延し、その後必要に応じ350〜800℃の温度で
焼鈍を行うことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載する錫又は錫合金めっきの耐熱剥離性に優れた銅合金
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62096217A JPH08957B2 (ja) | 1987-04-21 | 1987-04-21 | 錫又は錫合金めつきの耐熱剥離性に優れた銅合金の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62096217A JPH08957B2 (ja) | 1987-04-21 | 1987-04-21 | 錫又は錫合金めつきの耐熱剥離性に優れた銅合金の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63262448A JPS63262448A (ja) | 1988-10-28 |
| JPH08957B2 true JPH08957B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=14159072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62096217A Expired - Lifetime JPH08957B2 (ja) | 1987-04-21 | 1987-04-21 | 錫又は錫合金めつきの耐熱剥離性に優れた銅合金の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08957B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0368734A (ja) * | 1989-08-07 | 1991-03-25 | Yazaki Corp | 耐屈曲性に優れた導電用高力銅合金 |
| JPH03162538A (ja) * | 1989-11-20 | 1991-07-12 | Yazaki Corp | 耐屈曲性に優れた導電用高力銅合金 |
| JPH03162539A (ja) * | 1989-11-20 | 1991-07-12 | Yazaki Corp | 耐屈曲性に優れた導電用高力銅合金 |
| JP2724903B2 (ja) * | 1990-05-23 | 1998-03-09 | 矢崎総業 株式会社 | 耐屈曲性に優れた導電用高力銅合金 |
| KR940010455B1 (ko) * | 1992-09-24 | 1994-10-22 | 김영길 | 고강도, 우수한 전기전도도 및 열적안정성을 갖는 동(Cu)합금 및 그 제조방법 |
| DE19748306A1 (de) * | 1997-10-31 | 1999-05-06 | Stolberger Metallwerke Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines elektrisch leitfähigen metallischen Bands |
| DE10025106A1 (de) * | 2000-05-20 | 2001-11-22 | Stolberger Metallwerke Gmbh | Elektrisch leitfähiges Metallband und Steckverbinder hieraus |
| DE10025107A1 (de) * | 2000-05-20 | 2001-11-22 | Stolberger Metallwerke Gmbh | Elektrisch leifähiges Metallband und Steckverbinder |
| KR100861152B1 (ko) | 2004-02-27 | 2008-09-30 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 구리합금 |
| US7946022B2 (en) * | 2005-07-05 | 2011-05-24 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Copper alloy for electronic machinery and tools and method of producing the same |
| DE102007049383A1 (de) * | 2007-10-15 | 2009-04-16 | Wickeder Westfalenstahl Gmbh | Verbundwerkstoff, insbesondere Reibverbundwerkstoff und Verfahren zur Herstellung eines Verbundwerkstoffs |
| AU2013304997A1 (en) * | 2012-08-22 | 2015-02-26 | Baoshida Swissmetal Ag | Machinable copper alloy comprising lead for electrical connectors |
| CN104388743A (zh) * | 2014-11-05 | 2015-03-04 | 无锡阳工机械制造有限公司 | 一种耐盐水腐蚀的合金 |
| CN104388742A (zh) * | 2014-11-05 | 2015-03-04 | 无锡阳工机械制造有限公司 | 一种耐盐水腐蚀的合金 |
| CN116411202A (zh) * | 2021-12-29 | 2023-07-11 | 无锡市蓝格林金属材料科技有限公司 | 一种铜锡合金线材及其制备方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61272339A (ja) * | 1985-05-27 | 1986-12-02 | Kobe Steel Ltd | 繰返し曲げ性に優れた電子部品用リ−ド材およびその製造法 |
-
1987
- 1987-04-21 JP JP62096217A patent/JPH08957B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63262448A (ja) | 1988-10-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2670670B2 (ja) | 高力高導電性銅合金 | |
| JPH0372691B2 (ja) | ||
| JPS60245754A (ja) | 高力高導電銅合金 | |
| JPS63130739A (ja) | 半導体機器リ−ド材又は導電性ばね材用高力高導電銅合金 | |
| JPH08957B2 (ja) | 錫又は錫合金めつきの耐熱剥離性に優れた銅合金の製造方法 | |
| JPH0551671A (ja) | 曲げ性及び応力緩和特性に優る電子機器用高力高導電性銅合金 | |
| JPH0372045A (ja) | 酸化膜密着性に優れた高力高導電性銅合金 | |
| JPH04224645A (ja) | 電子部品用銅合金 | |
| JPS63149345A (ja) | 耐熱性を向上させた高力高導電銅合金 | |
| JPS61127840A (ja) | 高力高導電銅合金 | |
| JPS60245752A (ja) | 高力高導電銅合金 | |
| JPH02122039A (ja) | 酸化膜密着性に優れた高力高導電銅合金 | |
| JPS61264144A (ja) | 半田耐熱剥離性に優れた高力高導電銅合金 | |
| JPS63125631A (ja) | 高力高導電性銅合金 | |
| JPH0551674A (ja) | 曲げ性及び応力緩和特性に優る電子機器用高力高導電性銅合金 | |
| JPH02122035A (ja) | 酸化膜密着性に優れた高力高導電銅合金 | |
| JP2683903B2 (ja) | 半田耐熱剥離性に優れた高力高導電銅合金 | |
| JPS6283441A (ja) | 半田耐熱剥離性に優れた高力高導電銅合金 | |
| JPH0230727A (ja) | 半導体機器リード材又は導電性ばね材用高力高導電銅合金 | |
| JPH06235035A (ja) | 高力高導電性銅合金 | |
| JPH0219432A (ja) | 半導体機器リード材又は導電性ばね材用高力高導電銅合金 | |
| JPH0551670A (ja) | 曲げ性及び応力緩和特性に優る電子機器用高力高導電性銅合金 | |
| JPS6283443A (ja) | 半導体機器リ−ド材又は導電性ばね材用高力高導電銅合金 | |
| JPH0551672A (ja) | 曲げ性及び応力緩和特性に優る電子機器用高力高導電性銅合金 | |
| JPH03191035A (ja) | 電子機器用高力高導電銅合金 |