JP2994230B2 - Ａｇめっき性が優れた半導体リードフレーム用銅合金 - Google Patents
Ａｇめっき性が優れた半導体リードフレーム用銅合金Info
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- lead frame
- plating
- semiconductor lead
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- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＡｇめっき性が優れた半
導体リードフレーム用銅合金に関し、より詳細には、Ａ
ｇめっき突起の発生が防止できる半導体リードフレーム
用銅合金に関する。
導体リードフレーム用銅合金に関し、より詳細には、Ａ
ｇめっき突起の発生が防止できる半導体リードフレーム
用銅合金に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣやトランジスタ等の半導体には、強
度及び熱放散性が優れているとともに製造コストも低
い、例えばＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系（例えば特公昭６１−５
８５４１号公報、特公昭６２−３１０５９号公報参照）
などの銅合金製リードフレームが多く用いられている。
リードフレームの製造工程においては、銅合金素材をエ
ッチングあるいはプレス加工によりリードフレーム形状
に加工した後、全面あるいは部分的にＣｕ、Ｎｉ、Ａｇ
などの単独あるいは多層めっきが施される。半導体の組
立工程において、リードフレームは、半導体素子をリー
ドフレームに接合するダイボンディング工程、及び半導
体素子とリードフレームをＡｕ線で接合するワイヤボン
ディング工程を経るが、その接合部には、通常薄い下地
Ｃｕめっきを施した上にＡｇめっきが施されている。
度及び熱放散性が優れているとともに製造コストも低
い、例えばＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系（例えば特公昭６１−５
８５４１号公報、特公昭６２−３１０５９号公報参照）
などの銅合金製リードフレームが多く用いられている。
リードフレームの製造工程においては、銅合金素材をエ
ッチングあるいはプレス加工によりリードフレーム形状
に加工した後、全面あるいは部分的にＣｕ、Ｎｉ、Ａｇ
などの単独あるいは多層めっきが施される。半導体の組
立工程において、リードフレームは、半導体素子をリー
ドフレームに接合するダイボンディング工程、及び半導
体素子とリードフレームをＡｕ線で接合するワイヤボン
ディング工程を経るが、その接合部には、通常薄い下地
Ｃｕめっきを施した上にＡｇめっきが施されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このＡｇめっきは、半
導体素子及びＡｕ線とリードフレームとの接合不良を防
止するため平滑であることが要求されているが、従来は
Ａｇの析出状態が不均一となり２０〜１００μｍ径で高
さが数μｍのＡｇめっき突起が発生するなどの表面不良
がしばしば発生していた。このＡｇめっき突起は、半導
体素子及びＡｕ線とリードフレームとの接合部信頼性を
低下させる要因となり得ることから、これを防止すべ
く、めっき前処理条件、Ａｇめっき条件など幅広く検討
されているが、未だに有効な解決法はなく、Ａｇめっき
の電流密度を低くするなど生産性を犠牲にして対応して
いるのが現状である。
導体素子及びＡｕ線とリードフレームとの接合不良を防
止するため平滑であることが要求されているが、従来は
Ａｇの析出状態が不均一となり２０〜１００μｍ径で高
さが数μｍのＡｇめっき突起が発生するなどの表面不良
がしばしば発生していた。このＡｇめっき突起は、半導
体素子及びＡｕ線とリードフレームとの接合部信頼性を
低下させる要因となり得ることから、これを防止すべ
く、めっき前処理条件、Ａｇめっき条件など幅広く検討
されているが、未だに有効な解決法はなく、Ａｇめっき
の電流密度を低くするなど生産性を犠牲にして対応して
いるのが現状である。
【０００４】本発明は従来技術のかかる問題点に鑑みて
なされたもので、銅合金素材自体を改善することでＡｇ
めっき突起の発生を防止し、もって半導体装置の接合部
信頼性を高めるととともに、リードフレームの生産性の
低下を防止することを目的とする。
なされたもので、銅合金素材自体を改善することでＡｇ
めっき突起の発生を防止し、もって半導体装置の接合部
信頼性を高めるととともに、リードフレームの生産性の
低下を防止することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、半導体リ
ードフレーム用銅合金として知られるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ
系合金に関し、Ａｇめっき突起の発生原因について詳細
に調査した結果、Ａｇめっき突起の発生状況が、銅合金
中に添加されるＭｇ含有量に依存していることを見い出
し、その知見に基づいて本発明を完成するに至った。
ードフレーム用銅合金として知られるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ
系合金に関し、Ａｇめっき突起の発生原因について詳細
に調査した結果、Ａｇめっき突起の発生状況が、銅合金
中に添加されるＭｇ含有量に依存していることを見い出
し、その知見に基づいて本発明を完成するに至った。
【０００６】すなわち、本発明に係わるＡｇめっき性が
優れた半導体リードフレーム用銅合金は、Ｎｉ：０．４
〜４．０ｗｔ％、Ｓｉ：０．１〜１．０ｗｔ％、Ｚｎ：
０．０５〜２．０ｗｔ％、Ｍｎ：０．０２〜１．０ｗｔ
％、Ｍｇ：０．００００１〜０．００１ｗｔ％（但し、
０．００１ｗｔ％を含まず）、Ｓ：０．００３ｗｔ％以
下含有し、さらに、Ｂ：０．００１〜０．０１ｗｔ％、
Ｃｒ０．００１〜０．０１ｗｔ％、Ｔｉ：０．００１〜
０．０１ｗｔ％、Ｚｒ：０．００１〜０．０１ｗｔ％の
中から選んだ１種又は２種以上を合計で０．００１〜
０．０１ｗｔ％含有し、残部銅及び不可避不純物からな
る銅合金、又は、上記合金元素に加え、Ｓｎ：０．１〜
２．０ｗｔ％を含有する銅合金である。
優れた半導体リードフレーム用銅合金は、Ｎｉ：０．４
〜４．０ｗｔ％、Ｓｉ：０．１〜１．０ｗｔ％、Ｚｎ：
０．０５〜２．０ｗｔ％、Ｍｎ：０．０２〜１．０ｗｔ
％、Ｍｇ：０．００００１〜０．００１ｗｔ％（但し、
０．００１ｗｔ％を含まず）、Ｓ：０．００３ｗｔ％以
下含有し、さらに、Ｂ：０．００１〜０．０１ｗｔ％、
Ｃｒ０．００１〜０．０１ｗｔ％、Ｔｉ：０．００１〜
０．０１ｗｔ％、Ｚｒ：０．００１〜０．０１ｗｔ％の
中から選んだ１種又は２種以上を合計で０．００１〜
０．０１ｗｔ％含有し、残部銅及び不可避不純物からな
る銅合金、又は、上記合金元素に加え、Ｓｎ：０．１〜
２．０ｗｔ％を含有する銅合金である。
【０００７】
【作用】以下、本発明に係わる銅合金の含有成分及び成
分割合について説明する。
分割合について説明する。
【０００８】Ｍｇ Ｍｇ含有量が銅合金中に０．００１ｗｔ％以上となると
Ａｇめっき突起が発生し始め、Ｍｇ含有量が多くなるほ
どその発生数が増加する。一方、Ｍｇは原料、炉材及び
雰囲気から混入するＳを安定したＭｇとの化合物の形で
母相中に固定し、熱間加工性を向上させる必須元素であ
る。後述するように、Ｍｎも同様の効果を有するが化合
物の固定力は弱く、Ｍｎの効果を補完するためにＭｇは
必要な元素である。Ｍｇを含有しない場合は、フリーの
Ｓが熱間加工に際しての加熱中あるいは熱間加工中に粒
界を移動して粒界割れを生じさせるようになる。Ｍｇの
添加効果は０．００００１ｗｔ％以上で発揮されるが、
その含有量はＡｇめっき突起の抑制のため、０．００１
ｗｔ％未満に制限される。なお、Ｍｇ含有量は、０．０
００１〜０．００１ｗｔ％（但し、０．００１ｗｔ％は
含まず）であれば上記効果が安定するので望ましく、
０．０００１〜０．０００８ｗｔ％であればさらに望ま
しい。
Ａｇめっき突起が発生し始め、Ｍｇ含有量が多くなるほ
どその発生数が増加する。一方、Ｍｇは原料、炉材及び
雰囲気から混入するＳを安定したＭｇとの化合物の形で
母相中に固定し、熱間加工性を向上させる必須元素であ
る。後述するように、Ｍｎも同様の効果を有するが化合
物の固定力は弱く、Ｍｎの効果を補完するためにＭｇは
必要な元素である。Ｍｇを含有しない場合は、フリーの
Ｓが熱間加工に際しての加熱中あるいは熱間加工中に粒
界を移動して粒界割れを生じさせるようになる。Ｍｇの
添加効果は０．００００１ｗｔ％以上で発揮されるが、
その含有量はＡｇめっき突起の抑制のため、０．００１
ｗｔ％未満に制限される。なお、Ｍｇ含有量は、０．０
００１〜０．００１ｗｔ％（但し、０．００１ｗｔ％は
含まず）であれば上記効果が安定するので望ましく、
０．０００１〜０．０００８ｗｔ％であればさらに望ま
しい。
【０００９】Ｎｉ Ｎｉは銅合金の強度を向上させる元素であり、含有量が
０．４ｗｔ％未満ではＳｉが０．１〜１．０ｗｔ％含有
されていても強度が向上せず、また、４．０ｗｔ％を超
えて含有されると導電率が低下するほか、加工性が低下
し、強度の向上も少なくなる。よって、Ｎｉ含有量は
０．４〜４．０ｗｔ％とする。
０．４ｗｔ％未満ではＳｉが０．１〜１．０ｗｔ％含有
されていても強度が向上せず、また、４．０ｗｔ％を超
えて含有されると導電率が低下するほか、加工性が低下
し、強度の向上も少なくなる。よって、Ｎｉ含有量は
０．４〜４．０ｗｔ％とする。
【００１０】Ｓｉ Ｓｉはこれも銅合金の強度を向上させる元素であり、含
有量が０．１ｗｔ％未満ではＮｉが０．４〜４．０ｗｔ
％含有されていても強度が向上せず、また、１．０ｗｔ
％を超えて含有されると加工性と導電率が低下し、さら
に、はんだ密着性も低下する。よって、Ｓｉ含有量は
０．１〜１．０ｗｔ％とする。
有量が０．１ｗｔ％未満ではＮｉが０．４〜４．０ｗｔ
％含有されていても強度が向上せず、また、１．０ｗｔ
％を超えて含有されると加工性と導電率が低下し、さら
に、はんだ密着性も低下する。よって、Ｓｉ含有量は
０．１〜１．０ｗｔ％とする。
【００１１】Ｚｎ Ｚｎはめっきされた錫及びはんだの剥離を抑制する効果
を持つ元素であり、含有量が０．０５ｗｔ％未満ではこ
のような効果は少なく、また、２．０ｗｔ％を超えて含
有されるとはんだ濡れ性が低下する。よって、Ｚｎ含有
量は０．０５〜２．０ｗｔ％とする。
を持つ元素であり、含有量が０．０５ｗｔ％未満ではこ
のような効果は少なく、また、２．０ｗｔ％を超えて含
有されるとはんだ濡れ性が低下する。よって、Ｚｎ含有
量は０．０５〜２．０ｗｔ％とする。
【００１２】Ｍｎ ＭｎはＳと結び付きやすく、ＳをＭｎＳとして固定し熱
間加工性を向上させる元素であり、含有量が０．０２ｗ
ｔ％未満ではこの効果が少なく、また、１．０ｗｔ％を
超えて含有されると、この効果は飽和するばかりでなく
造塊時の湯流れ性が悪化して造塊歩留りが低下し、導電
率も低下する。よって、Ｍｎ含有量は０．０２〜１．０
ｗｔ％とする。
間加工性を向上させる元素であり、含有量が０．０２ｗ
ｔ％未満ではこの効果が少なく、また、１．０ｗｔ％を
超えて含有されると、この効果は飽和するばかりでなく
造塊時の湯流れ性が悪化して造塊歩留りが低下し、導電
率も低下する。よって、Ｍｎ含有量は０．０２〜１．０
ｗｔ％とする。
【００１３】Ｓ Ｓは原料や炉、樋等の耐火材、燃料、雰囲気等から混入
し、金属との化合物あるいはフリーＳとして存在し、加
熱中あるいは熱間加工中の割れの主原因をなす不純物元
素である。Ｓが０．００３ｗｔ％を超えて含有される
と、Ｍｇを０．００１％近く含有させてもＭｇとの化合
物を形成しきれなくなり、フリーＳが粒界を移動し粒界
割れが生じやすくなる。よって、Ｓは存在しないことが
望ましく、存在する場合は含有量は０．００３ｗｔ％以
下に制限しなければならない。
し、金属との化合物あるいはフリーＳとして存在し、加
熱中あるいは熱間加工中の割れの主原因をなす不純物元
素である。Ｓが０．００３ｗｔ％を超えて含有される
と、Ｍｇを０．００１％近く含有させてもＭｇとの化合
物を形成しきれなくなり、フリーＳが粒界を移動し粒界
割れが生じやすくなる。よって、Ｓは存在しないことが
望ましく、存在する場合は含有量は０．００３ｗｔ％以
下に制限しなければならない。
【００１４】Ｓｎ Ｓｎは強度、スティフネス強度及び繰り返し曲げ性の向
上に寄与する元素であり、含有量が０．１ｗｔ％未満で
はこれらの効果が少なく、また、２．０ｗｔ％を超えて
含有されると導電性及び熱間加工性を低下させる。よっ
て、Ｓｎ含有量は０．１〜２．０ｗｔ％とする。
上に寄与する元素であり、含有量が０．１ｗｔ％未満で
はこれらの効果が少なく、また、２．０ｗｔ％を超えて
含有されると導電性及び熱間加工性を低下させる。よっ
て、Ｓｎ含有量は０．１〜２．０ｗｔ％とする。
【００１５】Ｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ Ｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒはいずれの元素も熱間加工性を向
上させる元素であり、上記に説明した各元素を特定範囲
に含有させても熱間加工時の割れが完全には防止するこ
とができないのを解決することができるもので、含有量
が０．００１ｗｔ％未満では熱間加工時の割れを抑制す
ることができず、また、０．０１ｗｔ％を超えて含有さ
せると溶湯が酸化しやすくなり、健全な鋳塊が得られな
くなる。よって、Ｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒの含有量はそれ
ぞれ０．００１〜０．０１ｗｔ％とする。なお、Ｂ、Ｃ
ｒ、Ｔｉ、Ｚｒの２種以上を含有させる場合において
も、上記に説明したと同じ理由から合計含有量は０．０
０１〜０．０１ｗｔ％とする。
上させる元素であり、上記に説明した各元素を特定範囲
に含有させても熱間加工時の割れが完全には防止するこ
とができないのを解決することができるもので、含有量
が０．００１ｗｔ％未満では熱間加工時の割れを抑制す
ることができず、また、０．０１ｗｔ％を超えて含有さ
せると溶湯が酸化しやすくなり、健全な鋳塊が得られな
くなる。よって、Ｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒの含有量はそれ
ぞれ０．００１〜０．０１ｗｔ％とする。なお、Ｂ、Ｃ
ｒ、Ｔｉ、Ｚｒの２種以上を含有させる場合において
も、上記に説明したと同じ理由から合計含有量は０．０
０１〜０．０１ｗｔ％とする。
【００１６】さらに、上記に説明した各元素以外に、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ａｌの元素の１種又は２種以上を０．２ｗｔ
％以下含有しても、本発明銅合金に必要な特性、すなわ
ち、高導電性、高強度、耐熱性、はんだ付け性、はんだ
の耐熱剥離性、熱間加工性等が実用上問題なく維持され
る。
ｅ、Ｃｏ、Ａｌの元素の１種又は２種以上を０．２ｗｔ
％以下含有しても、本発明銅合金に必要な特性、すなわ
ち、高導電性、高強度、耐熱性、はんだ付け性、はんだ
の耐熱剥離性、熱間加工性等が実用上問題なく維持され
る。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例について、その比較例
と比較して説明する。
と比較して説明する。
【００１８】（実施例１）下記表１に示す組成のＣｕ−
Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金を、電気炉を使用して木炭の被覆下
で大気中で溶解した。
Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金を、電気炉を使用して木炭の被覆下
で大気中で溶解した。
【００１９】
【表１】
【００２０】その後、この溶解した銅合金を鋳鉄製のブ
ックモールドに鋳造し、厚さが５０ｍｍ、幅が７０ｍ
ｍ、長さが１８０ｍｍの鋳塊を製作した。これらの鋳塊
を表裏面でそれぞれ２．５ｍｍだけ研削した後、９００
℃の温度で厚さが１５ｍｍになるまで熱間圧延し、その
後７００℃の温度から水中に急冷した。この熱間圧延材
の表面のスケールをグラインダにより除去した後、厚さ
が０．５ｍｍになるまで冷間圧延した。この冷間圧延材
を５００℃の温度で２時間加熱した後、酸洗いし、続い
て冷間圧延して厚さが０．２５ｍｍの板を得た。
ックモールドに鋳造し、厚さが５０ｍｍ、幅が７０ｍ
ｍ、長さが１８０ｍｍの鋳塊を製作した。これらの鋳塊
を表裏面でそれぞれ２．５ｍｍだけ研削した後、９００
℃の温度で厚さが１５ｍｍになるまで熱間圧延し、その
後７００℃の温度から水中に急冷した。この熱間圧延材
の表面のスケールをグラインダにより除去した後、厚さ
が０．５ｍｍになるまで冷間圧延した。この冷間圧延材
を５００℃の温度で２時間加熱した後、酸洗いし、続い
て冷間圧延して厚さが０．２５ｍｍの板を得た。
【００２１】これらの板から厚さが０．２５ｍｍ、幅が
２５ｍｍ、長さが６０ｍｍの試験片を切り出し、下記表
２の条件でＣｕ下地めっき及びＡｇめっきを行った後、
４０倍の実体顕微鏡で表面を観察し、径が２０μｍ以上
のＡｇめっき突起の発生量を測定した。その結果を図１
に示す。
２５ｍｍ、長さが６０ｍｍの試験片を切り出し、下記表
２の条件でＣｕ下地めっき及びＡｇめっきを行った後、
４０倍の実体顕微鏡で表面を観察し、径が２０μｍ以上
のＡｇめっき突起の発生量を測定した。その結果を図１
に示す。
【００２２】
【表２】
【００２３】図１に示すように、本発明の実施例に相当
するＭｇ含有量が０．００１ｗｔ％未満ではＡｇめっき
突起の発生がなく、Ｍｇ含有量が０．００１ｗｔ％以上
となるとＭｇ含有量の増加に伴いＡｇめっき突起の発生
数が増加している。
するＭｇ含有量が０．００１ｗｔ％未満ではＡｇめっき
突起の発生がなく、Ｍｇ含有量が０．００１ｗｔ％以上
となるとＭｇ含有量の増加に伴いＡｇめっき突起の発生
数が増加している。
【００２４】（実施例２）Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ合金を誘導
炉を使用して大気中で溶解し、半連続鋳造法により幅５
００ｍｍ、長さ４０００ｍｍ、厚さ１５０ｍｍの鋳塊を
製作した。鋳塊の組成を下記表３に示す。
炉を使用して大気中で溶解し、半連続鋳造法により幅５
００ｍｍ、長さ４０００ｍｍ、厚さ１５０ｍｍの鋳塊を
製作した。鋳塊の組成を下記表３に示す。
【００２５】
【表３】
【００２６】本鋳塊を８８０℃に加熱後１５ｍｍ厚さま
で熱間圧延した。熱間圧延後の表面を観察して割れの発
生状況から熱間加工性を評価した。
で熱間圧延した。熱間圧延後の表面を観察して割れの発
生状況から熱間加工性を評価した。
【００２７】
【表４】
【００２８】表４に示すように、本発明の実施例に相当
するＮｏ．９及びＮｏ．１０はＭｇをそれぞれ０．００
０３ｗｔ％、０．０００７ｗｔ％含有するため、熱間加
工性に優れ割れの発生はない。一方、比較例であるＮ
ｏ．１１はＭｇ含有量が０．００００１ｗｔ％未満であ
るため熱間加工性に劣り、割れが発生している。
するＮｏ．９及びＮｏ．１０はＭｇをそれぞれ０．００
０３ｗｔ％、０．０００７ｗｔ％含有するため、熱間加
工性に優れ割れの発生はない。一方、比較例であるＮ
ｏ．１１はＭｇ含有量が０．００００１ｗｔ％未満であ
るため熱間加工性に劣り、割れが発生している。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系半
導体リードフレーム用銅合金のＡｇめっきにおいてＡｇ
めっき突起の発生を防止することができ、半導体装置の
接合部信頼性を高めるとともに、リードフレームの生産
性の向上に大きく寄与することができる。
導体リードフレーム用銅合金のＡｇめっきにおいてＡｇ
めっき突起の発生を防止することができ、半導体装置の
接合部信頼性を高めるとともに、リードフレームの生産
性の向上に大きく寄与することができる。
【図１】Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金素材中のＭｇ含有量
とＡｇめっき突起の発生個数の関係を示す図である。
とＡｇめっき突起の発生個数の関係を示す図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｎｉ：０．４〜４．０ｗｔ％、Ｓｉ：
０．１〜１．０ｗｔ％、Ｚｎ：０．０５〜２．０ｗｔ
％、Ｍｎ：０．０２〜１．０ｗｔ％、Ｍｇ：０．０００
０１〜０．００１ｗｔ％（但し、０．００１ｗｔ％を含
まず）、Ｓ：０．００３ｗｔ％以下含有し、さらに、
Ｂ：０．００１〜０．０１ｗｔ％、Ｃｒ０．００１〜
０．０１ｗｔ％、Ｔｉ：０．００１〜０．０１ｗｔ％、
Ｚｒ：０．００１〜０．０１ｗｔ％の中から選んだ１種
又は２種以上を合計で０．００１〜０．０１ｗｔ％含有
し、残部銅及び不可避不純物からなることを特徴とする
Ａｇめっき性が優れた半導体リードフレーム用銅合金。 - 【請求項２】 Ｎｉ：０．４〜４．０ｗｔ％、Ｓｉ：
０．１〜１．０ｗｔ％、Ｚｎ：０．０５〜２．０ｗｔ
％、Ｍｎ：０．０２〜１．０ｗｔ％、Ｓｎ：０．１〜
２．０ｗｔ％、Ｍｇ：０．００００１〜０．００１ｗｔ
％（但し、０．００１ｗｔ％を含まず）、Ｓ：０．００
３ｗｔ％以下含有し、さらに、Ｂ：０．００１〜０．０
１ｗｔ％、Ｃｒ０．００１〜０．０１ｗｔ％、Ｔｉ：
０．００１〜０．０１ｗｔ％、Ｚｒ：０．００１〜０．
０１ｗｔ％の中から選んだ１種又は２種以上を合計で
０．００１〜０．０１ｗｔ％含有し、残部銅及び不可避
不純物からなることを特徴とするＡｇめっき性が優れた
半導体リードフレーム用銅合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14573495A JP2994230B2 (ja) | 1995-05-20 | 1995-05-20 | Ａｇめっき性が優れた半導体リードフレーム用銅合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14573495A JP2994230B2 (ja) | 1995-05-20 | 1995-05-20 | Ａｇめっき性が優れた半導体リードフレーム用銅合金 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08319528A JPH08319528A (ja) | 1996-12-03 |
| JP2994230B2 true JP2994230B2 (ja) | 1999-12-27 |
Family
ID=15391916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14573495A Expired - Lifetime JP2994230B2 (ja) | 1995-05-20 | 1995-05-20 | Ａｇめっき性が優れた半導体リードフレーム用銅合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2994230B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7946022B2 (en) | 2005-07-05 | 2011-05-24 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Copper alloy for electronic machinery and tools and method of producing the same |
-
1995
- 1995-05-20 JP JP14573495A patent/JP2994230B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08319528A (ja) | 1996-12-03 |
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