WO2003055067A1 - Filtre de derivation - Google Patents

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WO2003055067A1
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surface acoustic
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Yasuhide Iwamoto
Shogo Inoue
Osamu Ikata
Jun Tsutsumi
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Fujitsu Media Devices Limited
Fujitsu Limited
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Definitions

  • the finoletas 1 2 and 1 3 are composed of surface acoustic wave filters and have different passband center frequencies F 1 and F 2 (F 2> F 1).
  • the finore 12 is a transmission filter
  • the filter 13 is a reception filter (hereinafter, the filters 12 and 13 are referred to as a transmission filter and a reception filter, respectively).
  • the frequency difference between F 1 and F 2 is about 10 OMH z.
  • the double mode type '14 surface wave filter has an inherent characteristic that the rise is steep, and a plurality of double mode type surface acoustic wave filters are connected in parallel. It is possible to achieve a good filter characteristic of the duplexer with significantly improved metaphysics. In particular, due to improved power durability, double-mode surface acoustic waves are separated by filters. Can be placed on the front end (first-stage filter connected to the common terminal).
  • FIG. 6 is a diagram showing a duplexer according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 7A is a circuit configuration of a balanced output duplexer
  • FIG. 7B is a diagram for explaining the balanced output.
  • Fig. 1 3 A, 1 3 B, 1 3 C, 1 3 D, 1 3 E, and 1 3 F are diagrams showing respective layers that have accelerated the stacked package of the duplexer according to the fifth embodiment of the present invention. It is.
  • FIG. 16 is a diagram showing the characteristics of the dual mode type surface acoustic wave filter.
  • FIG. 21A is a diagram showing a circuit configuration of a duplexer according to a tenth embodiment of the present invention
  • FIGS. 21B, 21C, and 21D are plan views showing forms of a wire bonding pad layer of the duplexer.
  • FIG. 22A, 22B, 22C, 22D, and 22E are plan views of respective layers obtained by disassembling the stacked package of the duplexer according to the eleventh embodiment of the present invention, and FIG. 22F is a bottom view.
  • FIG. 22G is a cross-sectional view of the duplexer according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 23 is a graph showing the stability of the characteristic impedance of the phase matching line pattern used in the eleventh embodiment of the present invention and the stability of the characteristic impedance of the comparative example.
  • FIG. 25A is a diagram showing the reflection characteristics of a single DMS filter used in the comparative examples shown in FIGS. 24A to 24G, and FIG. 25B is used in the eleventh embodiment shown in FIGS. 22A to 22G. It is a figure which shows the reflection characteristic of the DM S filter which is attached.
  • FIG. 28 is a diagram illustrating insertion loss of the reception filter of the fifth embodiment and the reception filter of the twelfth embodiment.
  • FIG. 29 is a diagram for explaining the transition region.
  • FIG. 32 is a diagram showing out-of-band suppression on the high frequency side of the duplexer according to the fifth embodiment and the first to third embodiments.
  • FIG. 34 is a diagram showing out-of-band suppression on the high frequency side of the duplexer according to the fifth and 14th embodiments of the present invention.
  • FIG. 37 is a plan view showing a connection relationship between the chip of the duplexer according to the sixteenth embodiment of the present invention and the wire bonding pad layer.
  • FIG. 38 is a plan view showing another connection relationship between the chip of the duplexer according to the sixteenth embodiment of the present invention and the wire bonding pad layer.
  • FIG. 39 is a plan view showing still another connection relationship between the chip of the duplexer according to the sixteenth embodiment of the present invention and the wire bonding pad layer.
  • FIG. 40 is a diagram showing a communication device according to the seventeenth embodiment of the present invention. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • FIG. 4 is a diagram showing a duplexer according to the first embodiment of the present invention.
  • the duplexer shown in the figure has a ladder-type surface acoustic wave filter 32 and a saddle-coupled dual-mode surface acoustic wave filter 33.
  • Ladder type surface acoustic wave filter 3 2 is a 3 ⁇ 4j filter of a duplexer.
  • the longitudinally coupled double mode inertial surface wave filter 33 is a reception filter. These filters 32 and 33 have different band center frequencies.
  • One end of the ladder-type surface acoustic wave filter 32 is connected to the common terminal 14, and the other end is connected to an individual terminal (referred side terminal) 15.
  • one end of the overall dual-mode surface acoustic wave filter 33 is connected to the common terminal 14 via the matching circuit 11, and the other end is connected to the individual terminal (reception side terminal) 16.
  • the transmission filter is a ladder-type surface acoustic wave filter 32 in which a plurality of 1-port surface acoustic wave resonators 20 are connected in a ladder shape, whereas the reception filter is a coupled dual mode.
  • the surface acoustic wave filter 33 is configured.
  • the ladder-type surface acoustic wave filter 32 is referred to as a “Finoleta”, and “R”, “R”, “longitudinal coupled dual-mode surface acoustic wave filter 33” is referred to as a reception filter.
  • the reception filter 33 includes a plurality of dual-mode surface acoustic wave filters (in the embodiment shown in FIG. 4, two dual-mode surface acoustic wave filters 34 and 35: DMS (D ua 1 Mode de S AW) This is a circuit configuration in which the abbreviation “Finoleta” is connected in parallel.
  • DMS filters 34 and 35 includes, for example, three interdigital transducers (hereinafter abbreviated as IDTs) 36, 37 and 38, and two reflectors 39 and 40.
  • IDTs 36, 37 and 38 are arranged adjacent to each other in the propagation direction of the surface acoustic wave.
  • the reflectors 39 and 40 are, for example, grating reflectors, and are arranged adjacent to the I DTs 39 and 40.
  • the DMS filter 35 is similarly configured.
  • the two DMS filters 34 and 35 are connected in parallel as follows.
  • One interdigital electrode (also called comb-shaped electrode) of IDT 36 of each of the DMS filters 34 and 35 is connected in common and connected to one end of the matching circuit 11, and the other interdigital electrode Is grounded.
  • One interdigital electrode of I DT 37 and 38 of DMS filter 34 is connected to each other, and connected to one interdigital electrode of IDT 37 and 38 of DMS filter 35 connected in the same way. And connected to the receiving terminal 16.
  • the other electrode of IDT 37 and 38 is grounded.
  • FIG. 5 is a diagram for explaining the difference in characteristics between a single DMS filter and a configuration in which two DMS filters are connected in parallel.
  • the surface acoustic wave resonator of the transmission filter 3 2 connected to the common terminal 14 is a series resonator provided in the series arm, the impedance of the reception band of the filter increases and the insertion loss of the reception filter Can be improved.
  • the band center frequency F 1 of the word filter 3 2 and the band center frequency F 2 of the reception filter 3 3 are F 1 and F 2, and a ladder-type surface acoustic wave filter is used. The falling edge of the pass band 3 2 and the rising edge of the reception filter 33 were overlapped.
  • F 1> F 2 a duplexer in which the insertion loss and power durability of the reception filter 33 are greatly improved can be realized.
  • the number of DMS filters connected in parallel is not limited to two, and a configuration in which three or more DMS filters are connected in parallel may be used. This point will be further described later.
  • Each IDT shown in Fig. 4, L i a piezoelectric material, such as T a O 3 on the substrate cut at a predetermined angle (e.g., 4 2 ° Y Katsuhito X propagation), alloys and their multi mainly composed of A 1 A layer film is formed by sputtering, and a pattern is formed by exposure and etching.
  • the board may be separate from the 3 ⁇ 4 ⁇ word filter 3 2 and the reception filter 3 3, It may be common. The above points are the same for the other embodiments.
  • FIG. 6 is a diagram showing a duplexer according to the second embodiment of the present invention.
  • the duplexer shown in FIG. 6 is obtained by changing the connection of the receive filter 33 of the duplexer according to the first embodiment so that a balanced (differential) output is obtained.
  • This reception filter is shown as reception filter 45 in FIG.
  • the interdigital electrodes of I D T 37 that were grounded in Fig. 4 are connected to each other between the DMS filters 3 4 and 3 5 and to the newly provided receiving terminal 46. A balanced output can be obtained through this receiving terminal 46 and another receiving terminal 16.
  • FIG. 7A and 7B are diagrams for explaining the balance output.
  • the demultiplexer of FIG. 6 is shown as demultiplexer 100 in FIG. 7A.
  • the balance output is a signal output with the same amplitude and opposite phase.
  • the balanced output facilitates the electrical circuit design of electronic devices such as mobile phones.
  • the duplexer is connected to the IC at the subsequent stage, a configuration that can output two received signals with a phase difference of 180 ° is more advantageous than a single output.
  • FIG. 8 is a diagram showing a duplexer according to the third embodiment of the present invention.
  • the reception filter 50 of this embodiment is an embodiment of a configuration in which a plurality of DMS filters connected in parallel are cascade-connected in a plurality of stages.
  • the reception filter 50 is a two-stage cascade connection of two DMS filters 3 4 and 3 5 connected in parallel.
  • two DMS filters connected in parallel in the second stage are indicated by reference numerals 5 1 and 5 2.
  • FIG. 9 shows the filter characteristics of the duplexer according to the first embodiment shown in FIG. Illustrated This characteristic is a characteristic of ⁇ where the band center frequency F 1 of the FINORETA 32 and the band center frequency F 2 of the reception filter 50 are in a relationship of F 1 ⁇ F 2.
  • the ladder-type surface acoustic wave filter has excellent W3 ⁇ 4 power and has a sharp fall.
  • the rise of the DMS finoreta of this embodiment is steep, the characteristics of the DMS finoreta are restored, and a plurality of DMS filters are connected in parallel and connected in a force scale.
  • insertion loss and power durability can be greatly improved.
  • the rise of the pass band of the reception filter 33 is steeper than when a ladder-type surface acoustic wave filter is used, and the filter is improved with improved insertion loss. 3 2 side suppression can be improved.
  • FIG. 11 is a diagram showing a duplexer according to a fourth embodiment of the present invention.
  • the duplexer shown in FIG. 11 is obtained by changing the connection of the receive filter 50 of the duplexer according to the third embodiment so as to provide a balanced (differential) output.
  • This reception filter is shown as reception filter 55 in FIG.
  • the interdigital electrodes of I D T 3 6 that were grounded in Fig. 8 are connected to each other between the DMS filters 51 and 52, and are also connected to the newly provided receiving terminal 46.
  • a balance output can be obtained through the receiving side terminal 46 and another receiving side terminal 16.
  • FIG. 12A is a longitudinal sectional view of the duplexer according to the fifth embodiment of the present invention
  • FIG. 12B is a plan view of the duplexer with the cap 67 shown in FIG. 12A removed.
  • a duplexer having a difference between the configurations of the first to fifth embodiments is packaged.
  • the package described below can be similarly applied to duplexers other than the configurations of the first to fifth embodiments.
  • the duplexer shown in FIG. 12 A has a stacked package 60, a chip 69, a phase matching line pattern 72, and a cap 67.
  • the stacked package 60 five layers 61 to 65 are stacked as illustrated.
  • Layer 61 is the cap mounting layer.
  • Layer 62 is a wire bonding pad layer.
  • Layer 63 is a die attach layer.
  • Layer 64 is a phase matching line pattern layer.
  • Layer 65 is a common ground / footpad layer.
  • Each of these layers 61 to 65 is made of an alumina or glass ceramic material having a relative dielectric constant ( ⁇ ) of about 9.5, for example.
  • Cap mounting layer 6 1 and via bonding pad layer 6 2 form a stepped portion inside the package.
  • a recess for accommodating the step-like space force chip 69 is formed.
  • Chips 69 are accommodated in this recess.
  • Chips 69 can be single 3 ⁇ 4 ⁇ and multiple (eg, two).
  • the transmitter and receiver filters are formed on a single piezoelectric substrate.
  • ⁇ & using two chips 6 9 A speech side filter is formed on the other chip, and a reception side filter is formed on the other chip.
  • the fifth embodiment will be described assuming that a single chip 69 is used.
  • the chip 69 is fixed on a die attach part 70 formed on the die attach layer 63 using a conductive adhesive 71 functioning as an adhesive.
  • the die attach portion 70 forms a chip mounting surface and is made of a conductive material such as A1.
  • the dimensions of the stacked package are, for example, about 5 mm X 5 mm X 1.5 mm or 3.8 mm X 3.8 mm X 1.5 mm (1.5 mm is the height of the package (thickness ).
  • FIG. 13A is a plan view of the duplexer shown in FIGS. 12A and 12B.
  • the cap 6 7 hermetically seals the chip 69.
  • the cap 67 is made of a metal material such as an Au plating or Ni plating.
  • a semicircular groove 83 is formed on the side surface of the stacked package 60. In the illustrated example, three grooves 83 are formed per side surface. These grooves continue from the cap mounting layer 61 to the common ground / foot pad layer 65.
  • the groove 83 is provided with a conductive layer, and a connection path (side castellation) 75 (FIG. 12 A) is formed.
  • the connection path 75 can be used as an external connection terminal as well as forming conduction between layers.
  • the [Common GND] shown will be described later.
  • FIG. 12B is a plan view of the state shown in FIG. When the cap 6 7 is removed, a part of the chip 6 9, the cap mounting layer 61 and the wire bonding pad layer 6 2 appears.
  • a seal ring 74 formed of a conductive material such as A 1 is formed on the cap mounting layer 61.
  • the cap 6 7 is mounted on the seal ring 74.
  • the cap mounting layer 61 has an opening 73 at the center.
  • the opening 73 forms a cavity that accommodates the chip 69.
  • the seal ring 74 is connected to each connection path 75 except for a total of four connection paths 75 located at the center of each side surface of the stacked package 60.
  • the chip 69 forms the ladder type surface acoustic wave filter and the DMS filter of the first to fourth embodiments.
  • the chip 69 forms a ladder-type surface acoustic wave filter 32 and a DMS finolator 50 shown in FIG.
  • ladder type surface acoustic wave fibre The filter 32 is a transmission filter
  • the DMS filter 50 is a reception filter.
  • a plurality of blocks indicated by reference number 77 schematically indicate a resonator (electrode and reflector pattern) of the ladder-type surface acoustic wave finoleta 32, and a plurality of blocks indicated by reference number 78 indicate the DMS filter 50.
  • a resonator (electrode and reflector pattern) is shown schematically.
  • the substrate material is made of a piezoelectric single crystal such as L i T a O 3 (for example, 42 ° Y-cut X propagation).
  • Electrodes formed on the substrate include, for example, alloys containing A 1 as the main component (A 1—Cu, A 1—Mg, etc.) and multilayer films (eg, A 1—CuZCu, A 1—Cu, A 1 / Cu / A1, A1 / Mg / Al, A1-Mg / Mg / A1-Mg) are formed by sputtering, and patterned by exposure and etching.
  • alloys containing A 1 as the main component A 1—Cu, A 1—Mg, etc.
  • multilayer films eg, A 1—CuZCu, A 1—Cu, A 1 / Cu / A1, A1 / Mg / Al, A1-Mg / Mg / A1-Mg
  • Wire bonding c The pad 79 is connected to a plurality of wire bonding pads 80 formed on the wire bonding pad layer 62 by using bonding wires 68.
  • the bonding wire 68 is formed of, for example, A 1—Si.
  • Le the wire bonding pads 79 of the several vias 86 to form an electrical connection to other layers, -86 4 are provided.
  • the wire bonding pad layer 62 has an opening 84 at the center thereof.
  • the opening 84 is smaller than the opening 73 of the cap mounting layer 61.
  • a plurality of wire bonding pads 79 are arranged along two opposing sides of the opening 84.
  • the wire bonding pad 79 is also formed with a wire / line pattern as shown.
  • FIG. 14 is a plan view showing the connection relationship between the chip 69 and the wire bonding pad layer 62.
  • FIG. Reference numeral 75 75 12 shown in FIG. 14 indicates 12 connection paths (side castellations) 75.
  • the words attached to reference numbers 75! To 75 12 describe the function of the corresponding connection path.
  • Connecting channel 75! 75 2 forms a ground of the first-stage DMS filter 50 (stage formed of DMS filters 34 and 35 in FIG. 8).
  • Connection path 75 3 forms a connection between the foot Canon stearyl rate cane down the word-side terminal 15 shown in FIG. 8 (formed by the footpads to be described later).
  • Connection path 75 4 Ladder type surface acoustic wave filter 3 2 forms a ground.
  • Connection path 7 5 5 DM S filter 5 0 of the first stage of the ground, or ladder - -type surface acoustic wave filter 3 2 Dara command.
  • Connection path 7 5 6 forms a connection with the common terminal (antenna terminal) 14 shown in FIG.
  • Connection paths 7 5 7 and 7 5 8 form a second stage of the DMS float 50 (the stage formed by the DMS filters 51 and 52 in FIG. 8).
  • Connection paths 7 5 9 form a connection with the foot station of receiving side terminal 16 shown in FIG.
  • Connection paths 7 5 10 and 7 5 adjuform the second stage ground of DMS float 50.
  • Connection paths 7 5 12 are not connected to the pattern of wire bonding pad layer 6 2.
  • the ground of the first stage of the DMS filter 50 has a plurality of connection paths (in other words, external connection terminals formed by foot pads described later) 7 5 1 7 5 2 (including 7 5 5
  • the second stage ground of the DMS filter 50 is connected to another multiple connection path (external connection terminal) 7 5 7 , 7 5 8 , 7 5 10 , 7 5 u ing.
  • This can strengthen the ground, reduce the inductance component, and improve out-of-band suppression.
  • the connecting path 7 5 2 , 7 5 7 , 7 5 8 , 7 5 10 , 7 5 U may include 75 5 5 ) constituting the ground is formed in the cap mounting layer 6 1.
  • the common seal pattern 74 and the common ground Z foot pad layer 65 are formed on the upper surface of the common ground pattern layer 76. In other words, they are not shared by the intermediate layers 6 2, 6 3 and 6 4. This makes it possible to dramatically increase the out-of-band suppression of the duplexer. This point will be described later with reference to FIG.
  • the leading conductor 3 ⁇ 4 ⁇ 7 5 7 5 is connected to the corresponding wire bonding pad 80 through the drawer ⁇ SI.
  • the reference number 8 0! Is phase matching.
  • the wire bonding pad at the entrance (one end) of the line pattern 7 2 for the wire, and the reference numeral 80 2 indicates the wire bonding pad at the exit (the other end) of the line pattern 7 2 for the phase matching.
  • 8 0 There 8 0 2 respectively, are connected to the inlet and outlet vias 8 6 have 8 6 2 via a matching line pattern layer 6 4 which is formed on the matching line pattern 7 2.
  • the die attach layer 63 is constructed as shown in Fig. 13 C. On the layer 63, a die attach part 70 for forming a ground pattern is formed.
  • the die attach part 70 is formed with four block-like thick coating parts in contact with the chip 69. The four thick coating portions are formed by thickly applying these portions when the die attach portion 70 is formed.
  • chip 26 is attached on die attach portion 7 ° using conductive adhesive 71. The four thick coatings act so that the conductive adhesive 71 extends over the entire bottom surface of the chip 69.
  • the die attach part 70 is connected to the conduction parts 7 5 to 75 2 and 7 5 5 functioning as the ground via the lead pattern 87.
  • the die attach unit 70 is not connected to the conductive units 7 5 7 , 7 5 8 , 7 5 10 , and 75 5 articulatethat form the second-stage ground of the DMS filter shown in FIG.
  • the first and second stages of the DMS filter are not shared because, as will be described later, the degree of suppression of the filter can be improved by the above GND configuration.
  • ground patterns 8 8 and 8 9 are formed on the phase matching line pattern layer 64 as shown.
  • Ground pattern 8 8 has vias 8 6 3 and 8 6 4
  • the ground pattern 89 is connected to the corresponding connection path 75. Since the ground pattern 8 8, 8 9 is also formed in the phase matching line pattern layer 64, the ground can be strengthened, the inductance component can be reduced, and the suppression can be improved.
  • the DMS filter 50 has a configuration in which a plurality of dual-mode surface acoustic wave filters 3 4 and 3 5 and 5 1 and 5 2 connected in parallel are connected in a two-stage cascade.
  • the intermediate layers 6 2, 6 3, and 6 4 in 60 do not have a pattern that shares the ground of the double mode inertial surface wave filter of each stage. Thereby, out-of-band suppression of the DMS filter 50 can be improved.
  • the DMS filter 50 has a configuration in which a plurality of dual-mode surface acoustic wave filters 3 4 and 3 5 and 5 1 and 5 2 connected in parallel are connected in a two-stage cascade.
  • the wire bonding pad layer 6 2 in the cage 60 is the first pad (connection path 7 5) connected to the ground of the first-stage double mode type surface acoustic wave filter 3 4, 3 5 with the bonding wire 6 8.
  • FIG. 16 shows the characteristics of a DMS filter with a two-stage DMS filter with the first-stage ground and second-stage ground shared by wire bonding pads (i.e., wire bonding pad layer 62).
  • FIG. 6 is a graph showing the filter characteristics of a DMS filter 50 of ⁇ in which the first-stage ground and the second-stage ground of the DMS filter 50 are not shared by the wire bonding pad 80 as in the above configuration.
  • Figure 1 shows that the out-of-band suppression of the DMS filter 50 without using a common ground has been improved dramatically. Even above, it is required not to share the ground of the first stage and the second stage of the DMS filter 50.
  • the DM S FINOLETA 50 has a configuration in which a plurality of dual-mode surface acoustic wave filters 3 4 and 3 5 and 5 1 and 5 2 connected in parallel are connected in two stages in cascade.
  • the ground of the second-stage dual-mode surface acoustic wave filter is shared by the first layer 61 that forms the upper surface of the stacked package 60 and the second layer 65 that forms the common daland 76.
  • the other intermediate layers 6 2, 6 3 and 6 4 are not shared. With this configuration, out-of-band suppression can be improved and the influence of external noise can be made less susceptible.
  • the DM filter 50 has a configuration in which a plurality of dual-mode surface acoustic wave filters 3 4 and 3 5 and 5 1 and 5 2 connected in parallel are cascade-connected to each other. Double mode type surface acoustic wave filter 3 4 and 3 5 Connected to the first pad (connection path 7 5 t and 7 5 2 (which may include 7 5 5 )) connected to the ground by wire bonding 8 0) and second-stage dual-mode surface acoustic wave fill The second pads (wire bonding pads 8 0 connected to connection paths 7 5 7 , 7 5 8 , 7 5 1 0 , 7 5 n) connected to the ground of each of the stacked packages 60 It is connected to a plurality of external connection terminals (foot pads) 66 formed on the outer surface (the bottom surface in the fifth embodiment).
  • Each of the layers 61 to 65 constituting the stacked package 60 is connected to a ground terminal (foot pads other than 6 6 3 , 6 6 6 , 6 6 9 ) formed on the outer surface of the stacked package.
  • a ground terminal foot pads other than 6 6 3 , 6 6 6 , 6 6 9 .
  • the intermediate layers 6 2 to 6 4 of the stacked package 60 are ground patterns (layers) connected to ground terminals (foot pads other than 6 6 3 , 6 6 6 , 6 6 9 ) formed on the outer surface of the stacked package.
  • each ground pattern is a signal line pattern (connection path) formed in the stacked package. 7 5 3 , 7 5 6 , 7 5 9 ) and the bonding pads connected to the signal line pattern.
  • the stacked package 60 is not limited to five layers, and may include any number of layers (for example, six layers).
  • Chip 69 uses a substrate made of a single pressure material, so that it is possible to reduce the size of the duplexer, but the ladder-type surface acoustic wave 32 and DM S 50 Can be formed on different substrates.
  • the material of each part of the duplexer is not limited to those described above, and any material can be appropriately selected.
  • the ladder-type surface acoustic wave finolators 32 and the DM S finolators 50 are not limited to the number of stages described above.
  • ladder type surface acoustic wave filter 3 The ladder type surface acoustic wave filter and the DMS filter of the other embodiments described above can be used instead of the 2 and the DM S filter 50.
  • FIG. 17 is a view of the bottom surface (bottom surface) of the common daland / foot pad layer 65 A for demultiplexing according to the sixth embodiment of the present invention as seen through this top surface.
  • the same reference numerals are assigned to the same components as those described above.
  • This embodiment is configured in the same manner as the duplexer according to the fifth embodiment described above, except for the configuration of the common ground foot pad layer 65 A.
  • 6 6 2 , 6 6 4 , 6 6 5 , 6 6 7 , 6 6 8 , 6 6 10 to 6 6 12 are common ground patterns via vias 9 6 7 Connected to 6. This configuration strengthens the splitter ground, reduces the inductance component, and improves out-of-band suppression.
  • FIGS. 18A to 18 F are diagrams showing respective layers constituting the stacked package of the duplexer according to the seventh embodiment of the present invention.
  • the seventh embodiment is different from the fifth embodiment described above in the configuration of the common ground / pad pad layer.
  • the common ground formed on the upper surface of the common daland Z foot pad layer 6 5 B shown in Fig. 1 8 E and 1 8 F is divided into two common ground patterns 7 6 A and 7 6 It is divided into B.
  • the common dust pattern 7 6 A is connected to the connection path 75 5 7 5 2 , and forms the ground of the first stage of the DMS filter 50.
  • the common ground pattern 7 6 B is connected to the connection paths 7 5 7 , 7 5 8 , 75 and 75 gratis, and forms the second-stage daland of the DMS filter 50.
  • 7 6 a is not connected to the connecting passage 7 5 4 connecting ground of the ladder-type surface acoustic wave filter 3 2.
  • a connecting passage 7 5 5 1-stage DMS full Letter 5 0 Grand As a result, the common ground pattern 7 6 A acts as a common ground for only the DMS filter 50. In this way, the first-stage common ground and the second-stage common ground of the DMS filter 50 are completely connected. By separating them, it is possible to realize a duplexer that is less susceptible to the effects of external noise.
  • FIGS. 19A and 19B are plan views of the cap mounting layer 61 A and the wire bonding pad layer 62 of the duplexer according to the eighth embodiment of the present invention.
  • the configuration of the cap mounting layer is different between the eighth embodiment and the fifth embodiment described above.
  • the seal ring 7 4 formed on the cap mounting layer 6 1 A is connected to the connection paths 7 5 5 and 7 5 2 via the vias 8 6 3 and 8 6 4 described above, respectively. Connected to 0.
  • the ground of the duplexer is further strengthened, the inductance component is reduced, and the out-of-band suppression can be further improved.
  • the duplexer 2 0 B is a plan view of the wire bonding pad layer 6 2 A of the duplexer 2 0 0.
  • the same reference numerals are attached to the same components as those described above.
  • the ninth embodiment differs from the fifth embodiment described above in the configuration of the matching circuit.
  • the duplexer 2 0 0 has two matching circuits 1 ⁇ and 1 1 2 .
  • the matching circuit 1 is provided between the two filters 32 and 50 and adjusts the phase of these.
  • the matching circuit 1 1 2 is provided on the output side of the DMS filter 50.
  • FIG. 2 In order to realize the OA configuration, the duplexer 20 0 has a wire bonding pad layer 6 2 A shown in FIG. Line patterns 9 4 and 9 5 forces S are provided as shown.
  • the line pattern 9 4 constitutes a part of the matching circuit 1
  • the line pattern 9 5 constitutes the matching circuit 1 1 2 .
  • Common terminal 14 and ladder type surface acoustic wave filter
  • the matching circuit 1 1 is formed by the line pattern 9 4, and the line pattern 94 and the phase matching line pattern shown in FIG. 13D are connected between the common terminal and the DMS filter 50. 7 2 and formed.
  • Line pattern 9 4 is a via 8 6! Is connected to one end of the phase matching line pattern 7 2.
  • the line pattern 9 5 includes a wire bonding pad 8 0 4 that is wire-bonded to the receiving-side terminal 16 of the DMS filter 50 and a connection path 7 that is connected to the foot pad 6 6 9 corresponding to the receiving-side terminal 1 6. It is formed between 5 and 9 .
  • the impedance of the duplexer 200 can be adjusted at a plurality of locations, and impedance matching can be improved.
  • the insertion loss of the duplexer 200 is improved.
  • Line pattern 9 4 is linear
  • the line pattern 95 is a bending force. As shown below, patterns having other shapes can be used.
  • the wire bonding pad layer 62B shown in FIG. 21B is formed by forming vias 96 in the middle of the line pattern 94.
  • the via 96 is connected to the phase matching line pattern 72 in FIG. 13D.
  • the line length of the phase matching line pattern provided between the common terminal 14 and the DMS filter 50 can be adjusted by adjusting the position of the via 96.
  • the line pattern 97 shown in FIG. 21B is linear.
  • the wire bonding pad layer 62C shown in FIG. 21C is configured to adjust the line length by changing the length of the line pattern 98 that constitutes the matching circuit 1.
  • the line pattern 98 is bent at a plurality of points and is longer than the line pattern 94 shown in FIG. 21B.
  • the wire bonding pad layer 62D shown in FIG. 21D has a configuration using a bent line pattern 95 instead of the linear line pattern 97 of FIG. 21B.
  • the impedance of the duplexer 210 can be performed at a plurality of locations, and impedance matching can be improved. As a result, the insertion loss of the duplexer 210 is improved.
  • 22A to 22G are diagrams illustrating a duplexer according to an eleventh embodiment of the present invention.
  • 22A to 22G the same components as those described above are denoted by the same reference numerals.
  • This embodiment is different from the fifth embodiment described above in the configuration of the die attach layer 63A.
  • FIG. 22C shows the die attach layer 63 A used in the eleventh embodiment.
  • 22A, 22B, 22D-22F are the same as FIGS. 13A, 13B, 13D-13F.
  • FIG. 22G shows a cross-sectional view of the duplexer according to the eleventh embodiment. As shown in FIG. 2 2 C, the ground pattern 100 1 is formed on the die attach layer 6 3 A.
  • the daland pattern 10 1 is formed so as to cover the phase matching line pattern 72 shown in FIG. 22D.
  • the ground pattern 10 1 and the common ground pattern 76 shown in FIG. 2 2 E are provided so as to sandwich the phase matching line pattern 72 from above and below.
  • the ground pattern 10 1 has four thick coatings 1 0 2 on which a chip 6 9 force S is attached.
  • Hall 1 0 3 is formed around the via 8 6 i and 8 6 2 Yes.
  • phase matching line pattern 7 2 By configuring the phase matching line pattern 7 2 so as to be sandwiched between the upper and lower daland patterns 10 1 and 7 6, impedance matching is improved and insertion loss is improved. The reason is as follows.
  • the characteristic impedance is expressed by the following simplified formula.
  • the phase matching line pattern 7 2 shown in Fig. 1 2 A consists of a part sandwiched between the die attach part 70 and the darland pattern 76, and a part sandwiched between the cap 67 and the common ground pattern 76 ( The vicinity of both ends of the track pattern).
  • the distance between the cap 6 7 and the phase line adjustment pattern 7 2 is large.
  • the phase line adjustment pattern 72 is away from the ground. Therefore, the capacitance formed in this part is small compared to other parts.
  • the special impedance increases. If 50 ⁇ is the desired characteristic impedance, the characteristic impedance of the phase matching line pattern 72 may exceed 50 ⁇ .
  • FIG. 23 is a graph showing the stability of the characteristic impedance of the phase matching line pattern 72 used in the first embodiment and the stability of the characteristic impedance of the comparative example.
  • the horizontal axis of the dullah shown in Figure 23 is the length of the phase matching line pattern 7 2
  • the vertical axis represents the characteristic impedance ( ⁇ ).
  • the comparative example is a duplexer configured as shown in FIGS. 24A to 24G. Unlike the die attach layer 6 3 A of the first embodiment, the die attach layer (FIG. 24 C) of the comparative example has a size that covers only the central portion of the phase line adjustment pattern 7 2. Further, as shown in FIG. 24 G, the vicinity of the end of the phase matching line pattern 72 is covered with a cap 67.
  • the structure of the dielectric layer in FIG. 24C is different from that shown in FIGS. 13A to 13F, and the dielectric part is connected to only one connection path.
  • the wire bonding layer has a different configuration as shown in Fig. 2 2B and Fig. 1 3 B.
  • the phase matching line pattern 7 2 is not related to the length.
  • the characteristic impedance is stable at approximately 50 ⁇ , whereas in the comparative example, as shown by the arrows, there are some cases where the characteristic impedance exceeds 50 ⁇ (up to 65 ⁇ ), which is unstable. If it exceeds 50 ⁇ , the impedance matching will be inferior and the insertion loss of the duplexer will increase.
  • Fig. 25 A shows the reflection of the reception filter used in the comparative example shown in Figs. 24 A to 24 G (DMS Finoleta), and Fig. 25 B shows Fig. 22 A to 22 G
  • the reception filter alone is a state where the ⁇ filter of the duplexer is not connected to the common terminal 14.
  • the characteristic impedance increases to about 65 ⁇ , so the impedance matching in the passband is far from 50 ⁇ .
  • the insertion loss of the reception filter is large.
  • the first embodiment as shown in FIG.
  • the characteristic impedance of the line pattern for phase matching 72 is stable at about 50 ⁇ . Therefore, as shown in FIG. In the reflection characteristics of filter 50 alone, the pass band is around 50 ⁇ , and impedance matching is good. For this reason, the insertion loss of the reception filter is small as shown in FIG. In particular, when a duplexer in the 190 MHz band higher than 80 MHz is used, the package material with a low dielectric constant as described above is used. As shown in 2 2 A to 2 2 G, if the ground plane is not covered from above and below, the fluctuation of characteristic impedance becomes remarkable. That is, the configuration shown in FIGS. 2 2 A to 2 2 G is particularly suitable for use in a high-frequency band exceeding 80 O MHz. (First and second embodiments)
  • FIGS. 27A to 27F are diagrams showing a duplexer according to the first and second embodiments of the present invention.
  • the same components as those described above are denoted by the same reference numerals.
  • This embodiment is characterized in that the phase matching line pattern and the wire bonding pad on the package side are connected by a plurality of vias to reduce the via resistance and improve the insertion loss.
  • the wire bonding pad layer 6 second pad 8 of A 0, 8 6 10, 8 6 U 2 one via is formed in, the pad 8 0 2 2 2 Tsunobi ⁇ 8 6 12 , 8 6 13 are formed.
  • FIG. 28 is a diagram showing insertion loss of the reception filter (DMS filter) of the fifth embodiment and the reception filter (DMS filter) of the first embodiment.
  • DMS filter reception filter
  • DMS filter reception filter
  • one via 8 6 8 8 2 is provided at each end of the phase matching line pattern 72, whereas in the first 12 embodiment, two vias are provided respectively. I'm being struck.
  • the insertion loss of the first and second embodiments is improved compared to the fifth embodiment (an improvement of about 0.4 dB).
  • the transition region can be improved by providing a plurality of vias at each end of the phase matching line pattern 7 2 A.
  • FIG. 29 is a diagram for explaining the transition region.
  • the filter characteristics specifications are insertion loss of 4 dB and out-of-band suppression of 50 dB
  • the force at which these two attenuation values transition at MHz that is, the frequency width of these attenuations Is a transition region.
  • the smaller the value of this transition region the sharper the filter.
  • the 1900 MHz filter since the speech side band and the reception side band are close to each other, a filter having a small transition region and a steep filter characteristic is desired. If the transition region is small, the tolerance of frequency deviation in the manufacturing process And the production yield is greatly improved.
  • FIG. 30 shows the transition region (MH z) of the fifth embodiment and the first and second embodiments.
  • the transition region is about 0.65 MHz, which greatly contributes to the improvement of the production yield.
  • the lead pattern 8 7 a of the first embodiment is It is wider than the drawing pattern 87 of the fifth embodiment
  • the drawing pattern 8 7a has a width of about 200 m or more.
  • FIG. 40 is a block diagram of an electronic device according to a seventeenth embodiment of the present invention.
  • This electronic device is a mobile phone, and FIG. 40 shows its transmission / reception system.
  • Other components such as the voice processing system of the mobile phone are omitted for convenience.
  • the above-described duplexer is used in the mobile phone shown in FIG.
  • the mobile phone has an RF (high frequency) unit 170, a modulator 171 and an IF (intermediate frequency) unit 172.
  • RF section includes antenna 173, duplexer 174, low noise amplifier 183, interstage filter 184, mixer (multiplier) 175, local oscillator 176, interstage filter 177, mixer (multiplier) 178, interstage filter 179, and power amplifier Has 18 ⁇ .
  • An audio signal from the audio processing system is modulated by a modulator 171 and frequency-converted (mixed) using an oscillation signal of a local oscillator 176 by a mixer 178 of an RF unit 170.
  • the output of the mixer 178 passes through the interstage filter 179 and the power amplifier 180, and is supplied to the duplexer 174.
  • the duplexer 174 includes an acknowledgment filter 174 i, a reception filter 174 2, and a matching circuit that is not shown, and is the duplexer of the present invention.
  • the speech signal from the power amplifier 180 is supplied to the antenna 173 through the duplexer 174.
  • the communication device shown in FIG. 40 includes the duplexer according to the present invention, it is possible to #W a high-metabolic communication device having excellent filter characteristics.
  • a duplexer having two surface acoustic wave filters having different band center frequencies and a phase matching circuit for matching the phases of the two elastic surface wave filters is a ladder-type inertial surface acoustic wave filter (for example, 3 2 in Fig. 4), and the other surface acoustic wave filter is a plurality of double-mode elastic surface acoustic wave filters (for example, Fig. 4) connected in parallel. 3 3).
  • Ladder type surface acoustic wave filters are excellent in metaphysics and have a sharp fall.
  • the double-mode surface acoustic wave filter has an inherent characteristic that the rise is steep, and a plurality of double-mode surface acoustic wave filters are connected in parallel.
  • the improved power durability makes it possible to place a double-mode surface acoustic wave filter on the front end of the duplexer (the first-stage filter connected to the common terminal).
  • the plurality of dual-mode surface acoustic wave filters described in (1) have a balanced output as shown in FIG. 6, for example.
  • the balanced output facilitates the design of the electronic equipment on which the duplexer is mounted, including the electronic circuit in the subsequent stage of the duplexer.
  • the ladder-type surface acoustic wave device is provided on the 3 ⁇ 41 word side, and the plurality of dual-mode surface acoustic wave devices are provided on the reception side. Provided.
  • the falling edge of the passband of the speech filter is steep, It is possible to realize a duplexer finoletor characteristic in which the rise of the pass band of the filter is steep and the insertion loss and metaphysical characteristics are greatly improved.
  • the present invention also provides a duplexer having two surface acoustic wave filters having different band center frequencies and a phase matching circuit for matching the phases of the two elastic surface wave filters.
  • One surface acoustic wave filter is a ladder-type surface acoustic wave filter
  • the other surface acoustic wave filter is a cascade of a plurality of dual-mode surface acoustic wave filters (for example, 34, 35, 51, 52 in FIG. 8) connected in parallel. It is connected. By the cascade connection, it is possible to further improve the suppression and storage performance of the reception filter on the low frequency side.
  • the ladder type surface acoustic wave device is provided on the transmission side, and the ffllE multi-stage cascade connection is used.
  • Several double-mode surface acoustic wave devices are installed on the receiving side.
  • the resonator of the ladder-type surface acoustic wave filter connected to the common terminal of the duplexer is directly connected.
  • the glue is to be a column resonator. This increases the impedance of the reception band of the transmission filter and improves the insertion loss of the reception filter.
  • the present invention also provides two surface acoustic wave filters having different band center frequencies.
  • a phase matching circuit for matching the phases of the two surface acoustic wave filters are accommodated in a stacked package (for example, the laminated package 60 in Fig. 2), and one of the surface acoustic wave filters is a ladder-type elastic surface.
  • a wave filter (for example, 32 in Fig. 11), and the other neutral surface wave filter includes a plurality of dual-mode surface acoustic wave filters (for example, 34, 35, 36, and 52 in Fig. 11) connected in parallel. It is a branching filter that includes at least one stage.
  • the phase matching circuit is a line pattern. Since the line pattern has little variation in manufacturing, a stable finelet characteristic can be obtained.
  • the other surface acoustic wave filter has a configuration in which the plurality of dual-mode surface acoustic wave filters connected in parallel are cascaded in two stages,
  • the wire bonding pad layer consists of the first pad connected to the ground of the first-stage double-mode surface acoustic wave filter by wire bonding, and the ground of the second-stage dual-mode surface acoustic wave filter.
  • a second pad connected by wire bonding, and the first and second pads are independent dalands in the wire bonding pad layer. Thereby, out-of-band suppression can be improved.
  • This configuration includes, for example, the force 62 of the wire bonding pad layer shown in FIG. 13B.
  • the other surface acoustic wave filter has a configuration in which a plurality of dual mode inertial surface acoustic wave filters connected in parallel are cascade-connected to each other.
  • Connect the first pad for example, 80 in Fig. 13B
  • the second pads are connected to a plurality of external connection terminals formed on the outer surface of the self-stacked package.
  • the ground is strengthened, the inductance component can be reduced, and the out-of-band suppression can be improved.
  • each layer constituting the stacked package has a ground pattern (for example, 70 in FIG. 13C and 89 in FIG. 13D) connected to a ground terminal formed on the outer surface of the stacked package. .
  • a ground pattern for example, 70 in FIG. 13C and 89 in FIG. 13D
  • the ground of the duplexer is strengthened, the inductance component can be reduced, and the out-of-band suppression can be improved.
  • the selfish demultiplexer includes a first chip that forms one surface acoustic wave filter and a second chip that forms the other surface acoustic wave filter.
  • the other surface acoustic wave filter has a configuration in which a plurality of dual-mode surface acoustic wave filters connected in parallel are connected in two stages, and the ground of each stage is It is common except for chips. As a result, out-of-band suppression can be improved.
  • the fifth embodiment of the self is provided with this configuration.
  • the stacked package includes a layer forming a common ground, and the common ground is formed in a plurality of connection paths formed on a side surface of the stacked package and the stacked package. In addition, it is connected to a plurality of external connection terminals formed on the outer surface of the selfish stacked package through a plurality of vias. This strengthens the splitter ground, reduces the inductance component, and improves out-of-band suppression.
  • the sixth embodiment includes this configuration.
  • the other surface acoustic wave filter has a configuration in which a plurality of dual-mode surface acoustic wave filters connected in parallel are cascade-connected, and
  • the stacked package includes a common ground layer, and the common daland layer includes a first common daland pattern that forms a first-stage ground surface of the other surface acoustic wave filter, and a second ground plane that forms a second-stage ground surface.
  • the seventh embodiment includes this configuration.
  • the laminated package V And a second layer on which a phase matching circuit is formed, wherein the first layer further includes another phase matching circuit, and the other phase matching circuit includes: It is connected to the phase matching circuit formed in the second layer through a via formed in the laminated package.
  • the impedance of the duplexer can be adjusted at multiple locations, and impedance matching can be improved.
  • the insertion loss of the duplexer is improved.
  • the ninth embodiment includes this configuration.
  • the other phase matching circuit is connected between the common terminal of the duplexer and the two surface acoustic wave filters.
  • the other phase matching circuit has a line pattern, and the via is formed in the middle of the previous line pattern.
  • the impedance of the duplexer can be adjusted at multiple locations, and impedance matching can be improved.
  • the insertion loss of the duplexer is improved.
  • the 10th embodiment has this configuration.
  • the laminated pattern has a first layer in which a self-phase matching circuit is formed, and a second layer in which a common ground is formed.
  • the phase matching circuit is arranged so as to cover the entire circuit.
  • the characteristic impedance of the duplexer can be easily set to a desired value.
  • the first embodiment has this configuration.
  • the stacked package includes a first layer having a wire bonding pad and a second layer in which a phase matching line pattern forming the phase matching circuit is formed.
  • the wire bonding pad includes a wire bonding pad connected to both ends of the phase matching line pattern through a plurality of vias formed in the laminated package.
  • the front layer package has a layer in which a dielectric part on which the two surface acoustic wave filters are mounted is formed, and the die attach part has two surface acoustic waves.
  • the area is larger than the area of at least one chip on which the filter is formed.
  • the ground plane can be connected to the ground.
  • the thirteenth embodiment includes this configuration.
  • the self die attach portion has a plurality of drawer patterns, and the number of sickle drawer patterns is connected to the connection path formed on the side surface of the stacked package and has a width of 200 ⁇ or more. Have This further strengthens the ground and further improves out-of-band suppression.
  • the selfish stacked package is composed of a first layer on which a die attach portion on which two surface acoustic wave filters are installed and a second layer on which a common ground is formed.
  • the die touch portion is connected to the common ground via a plurality of vias formed in the stacked package and a plurality of connection paths formed on a side surface of the stacked package. This further strengthens the ground and further improves out-of-band suppression.
  • the fifteenth embodiment includes this configuration.
  • the present invention also includes an antenna, a duplexer connected to the antenna, and a speech system and a reception system circuit connected to the duplexer, the duplexer from (1) to It is one of the duplexers of (36).

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Description

明 細 書 分波器及びこれを用いた電子装置 技術分野
本発明は、 帯域通過型の弾性表面波フィルタを用いて構成される分波器に関す る。 背景技術
近年、 移動体通信システムの発展に伴って携帯電話、 携帯情報端末等が急速に 普及しており、 これら端末の小型 ·高性能化の競争が各メ一力間で行なわれてレヽ る。 また、 携帯 ¾1舌のシステムもアナログとディジタルの両方が用いられ、 使用 周波数も 800MHz〜： 1GHz帯と 1. 5GHz〜2. 0GHz帯と多岐にわ たっている。
また、 近年の携帯電話器の開発では、 システムの多様化によりデュアルモード (アナログとディジタルの併用、 ディジタルの TDMA：時間分割変調方式、 と C DM Aコード分割変調方式の併用） あるレヽはデュアルバンド （ 800 MH z帯 と 1. 9 GHz帯、 900MHz帯と l. 8 GHz帯又は 1. 5 GHz帯の併用） 化を行なうことで端末を高機能化することが行なわれている。 これらに用いられ る部品も高機能ィ匕が求められいろいろな開発がなされている。 一方、 機能以外に 小型且つ低コスト化の要求も当然のように求められている。
このような携帯端末において、 信号を分岐、 生成する目的で分波器が用いられ る。 分波器は一般に、 フィルタとインピーダンス整合回路とを具備する。 フィル タは誘電体を用いた帯域通過フィルタ、 帯域Ui:フィルタ、 あるいはこれらの組 み合わせにより構成されたものが多い。 しかしながら、 最近は、 より小型化、 高 性能化のために弾性表面波フィルタを用いたものが研究、 開発されている。
図 1 A、 1 Bは分波器を説明するための図であって、 図 1 Aは分波器の構成を 示すブロック図、 図 1 Bは分波器の周波数特性を示す図である。 なお、 図 1Bの 横軸は周波数（右に向かって周波数が高くなる）、縦軸は通過強度（上に向かって 高くなる） である。 図 1 Aに示すように、 分波器 1 0は 2つのフィルタ 1 2、 1 3、インピーダンス整合回路（以下、単に整合回路という） 1 1、共通端子 1 4、 及び個別端子 1 5及ぴ 1 6を有する。 フイノレタ 1 2と 1 3は弾性表面波フィルタ で構成され、 夫々互いに異なる通過帯域中心周波数 F 1、 F 2を持つ (F 2 > F 1 )。 例えば、 フィノレタ 1 2は送信用フィルタであり、 フィルタ 1 3は受信用ブイ ルタである （以下、 フィルタ 1 2と 1 3を夫々送信用フィルタ及び受信用フィル タを称する がある）。例えば、 1 . 9 GH z帯の分波器では、 F 1と F 2の周 波数差は約 1 0 OMH zである。
整合回路 1 1は、 フィルタ 1 2、 1 3のフィルタ特性を互いに劣ィ匕させないよ うにするために設けられている。 今、 共通端子 1 4からフィルタ 1 2を見た の特性ィンピーダンスを Z l、 フィルタ 1 3を見た場合の特' ィンピーダンスを Z 2とする。 整合回路 1 1の作用により、 共通端子 1 4から入力する信号の周波 数が F 1の場合はフィルタ 1 2側の特性ィンピーダンス Z 1は共通端子 1 4の特 性ィンピーダンス値と一致し、 フィルタ 1 3側の特性ィンピーダンスは無限大で あってカゝっ反射係数は 1となる。 また、 信号の周波数が F 2の はフィルタ 1 2側の特性ィンピーダンスは無限大かつ反射係数は 1、 フイノレタ 1 3の特性ィン ピーダンス Z 2は共通端子 1 4の特 I"生ィンピーダンスと一致する。
従来、 特開平 6— 3 1 0 9 7 9号公報、 特開平 1 0— 1 2 6 2 1 3号公報、 特 開 2 0 0 1— 2 6 7 8 8 1号公報に、 弾性表面波フィルタを用いた分波器の記載 がある。 このうち、 特開平 6— 3 1 0 9 7 9号公報、 特開平 1 0—1 2 6 2 1 3 号公報には、 整合回路に関する改善が提案されている。 また、 特開 2 0 0 1—2 6 7 8 8 1号公報には、 ラダー型弾性表面波フィルタや 2重モード型弾性表面波 フィルタ、 更には分波器を有する無線装置の高周波回路について記載がある。 ま た、 分波器ではなくデュアルバンドフィルタとして、 ラダー型弾性表面波フィル タと 2重モード型弾性表面波フィルタを組み合わせて用いることが特開平 1 1一 3 4 0 7 7 2号に開示されている。
また、 図 2に示すように、 言側及び受信側ともラダー型弾性表面波フィルタ を使用した分波器も知られている。 ラダ一型弾性表面波フィルタを構成する各共 振器 2 0は 1ポート弹性表面波共振器であって、 ィンターディジタルトランスデ ユーサ 2 1と、 その両側に設けた反射器 2 2、 2 3と力 らなる。
しかしながら、 特開平 6— 3 1 0 9 7 9号公報、 特開平 1 0—1 2 6 2 1 3号 公報には整合回路についての改善は説明されているものの、 分波器の 言側及び 受信フィルタの詳細については説明されていない。 また、 特開 2 0 0 1— 2 6 7 8 8 1号公報には、 ラダー型弾性表面波フィルタゃ 2重モード型弾性表面波フィ ノレタの説明がされているものの、 分波器として求められる而權カ性と弾性表面波 フィルタとの関係や、 分波器の 言帯域及び受信帯域と弾性表面波フィルタとの 関係にっレ、ては記載されてレヽなレ、。
また、 特開平 1 1— 3 4 0 7 7 2号に記載の弾性表面波フィルタは、 2つの通 過中心周波数が 2倍や 4倍と大きく異なる：^を前提としており、 一方のフィル タ特¾立ち上がり （又は立ち下り） が他方のフィルタ特性の立ち下り （又は立ち 上がり） に影響を与える分波器を前提とするものではない。
更に、 図 2に示す分波器は、 図 3の石繊の楕円部分に示すように、 遍言フィル タ 1 2の通過帯域と重なる受信フィルタ 1 3の低周波数側抑圧度が高いとは言え ず、 送信帯域に干渉してしまう。 発明の開示
従つて、 本発明は、 2重モード型弾性表面波フィルタを用いて而權カ十生とフィ ルタ特性の両方を改善した分波器を実現することを目的とする。
上記課題を達成するために、 本発明は請求項 1に記載のように、 異なる帯域中 心周波数を有する 2つの弾性表面波フィルタと、 該 2つの弾性表面波フィルタ同 士の位相を整合させる位相整合用回路とを有する分波器において、 一方の弾性表 面波フィルタはラダー型弾性表面波フィルタで、 他方の弾性表面波フィルタは並 列に接続された複数の 2重モード型弾性表面波フィルタである。 ラダー型弾性表 面波フィルタは耐電力性に優れ力つ立下りが急峻である。 これに対し、 2重モー ド型弾' 14表面波フィルタは立ち上がりが急峻であるという本来の特性に加え、 2 重モード型弾性表面波フィルタを複数個並列に接続しているため、 挿入損失及び 而權カ性が大幅に改善された良好な分波器のフィルタ特性を実現することができ る。 特に、 耐電力性の向上により、 2重モード型弾性表面波はフィルタを分波器 のフロントエンド （共通端子に接続する初段のフィルタ） に配置することが可能 になる。 図面の簡単な説明
図 1 Aは分波器の回路構成、 図 1 Bはフィルタ通過特性を示す図である。
図 2は、 従来の弾性表面波フィルタを用いた分波器の一例を示す図である。 図 3は、 図 2に示す分波器のフィルタ特性を示す図である。
図 4は、 本発明の第 1実施形態に係る分波器を示す図である。
図 5は、 DM Sフィノレタ単体と DM Sフイノレタを 2個並列に接続した場合の特 性の違いを説明するための図である。
図 6は、 本発明の第 2実施形態に係る分波器を示す図である。
図 7 Aはバランス出力の分波器の回路構成、 図 7 Bはバランス出力を説明する ための図である。
図 8は、 本発明の第 3実施形態に係る分波器を示す図である。
図 9は、 本発明の第 3実施形態に係る分波器のフィルタ特性を示す図である。 図 1 0 A、 1 O Bは DM Sフィルタの並列接続の個数を増やすことによる 力性の向上を説明するための図である。
図 1 1は、本発明の第 4実施形態に係る分波器のフィルタ特性を示す図である。 図 1 2 Aは本発明の第 5実施形態に係る分波器を示す断面図と、図 1 2 Bはキヤ ップを取り外した状態の平面図である。
図 1 3 A、 1 3 B、 1 3 C、 1 3 D、 1 3 E及ぴ 1 3 Fは本発明の第 5実施形 態に係る分波器の積層パッケージを^早した各層を示す図である。
図 1 4は、 本発明の第 5実施形態に係る分波器のチップとワイヤボンディング パッド層との接続関係を示す図である。
図 1 5 A、 1 5 Bはラダー型弾†生表面波ブイルタと DM Sフィルタのィンピー ダンスを説明するためのグラフである。
図 1 6は、 2重モード型弾性表面波フィルタの特性を示す図である。
図 1 7は、 本発明の第 6実施形態に係る分波器の共通グランド/フットパッド 層の下面をこの上面から透かして見た場合の図である。 図 18A、 18B、 18C、 18D、 18 E及び 18 Fは本発明の第 7実施形 態に係る分波器の積層パッケージを構成する各層を示す図である。
図 19 Aは本発明の第 8実施形態に係る分波器のキャップ搭載層の平面図、 図 19 Bはワイヤボンディングパッド層の平面図である。
図 20 Aは本発明の第 9実施形態に係る分波器の回路構成を示す図、 図 20 B は分波器のワイヤボンディングパッド層の平面図である。
図 21 Aは本発明の第 10実施形態に係る分波器の回路構成を示す図、 図 21 B、 21 C及び 21 Dは分波器のワイヤボンディングパッド層の形態を示す平面 図である。
図 22A、 22B、 22C、 22D、 22 Eは本発明の第 11実施形態に係る 分波器の積層パッケージを分解した各層の平面図、 図 22 Fは底面図である。 図 22Gは、 本発明の第 1 1実施形態に係る分波器の断面図である。
図 23は、 本発明の第 11実施形態で用いられている位相整合用線路パターン の特性ィンピーダンスの安定度、 及び比較例の特性インピーダンスの安定度を示 すグラフである。
図 24A、 24B、 24C、 24D、 24E、 24 F及び 24 Gは本発明の第 11実施形態に対する比較例を示す図である。
図 25 Aは図 24 A〜24Gに示す比較例で用いられている DMSフィルタ単 体の反射特性を示す図、 図 25 Bは図 22 A〜 22 Gに示す第 11実施形態で用 レ、られている DM Sフィルタ単体の反射特性を示す図である。
図 26は図 22 A〜 22 Gに示す第 11実施形態と図 24 A〜 24 Gに示す比 較例の受信フィルタの揷入損失を比較する図である。
図 27A、 27B、 27C、 27D, 27 E及び 27 Fは本発明の第 12実施 形態に係る分波器を示す図である。
図 28は、 第 5実施形態の受信フィルタと第 12実施形態の受信フィルタの挿 入損失を示す図である。
図 29は遷移領域を説明する図である。
図 30は、 第 5実施形態と第 12実施形態の遷移領域 (MHz) を示す図であ る。 図 3 1は、 本発明の第 1 3実施形態に係る分波器のダイアタッチ層、 及び比較 例として第 5実施形態のダイァタツチ層を示す図である。
図 3 2は第 5実施形態と第 1 3実施形態に係る分波器の高周波側の帯域外抑圧 を示す図である。
図 3 3は、 本発明の第 1 4実施弁態に係る分波器のワイヤボンディング層、 ダ ィァタツチ層及び分波器の断面、 並びに比較例として第 5実施形態のワイヤボン ディング層、 ダイァタツチ層及び分波器の断面を示す図である。
図 3 4は、 本発明の第 5実施形態と第 1 4実施形態に係る分波器の高周波側の 帯域外抑圧を示す図である。
図 3 5は、 本発明の第 1 5実施形態に係る分波器のダイアタッチ層、 共通ダラ ンド Zフットパッド層の上面及び断面、 並びに比較例として第 5実施形態のダイ ァタツチ層、 共通ダランド /フットパッド層の上面及び断面を示す図である。 図 3 6は、 第 5実施形態と第 1 5実施形態に係る分波器の高周波側の帯域外抑 圧を示す図である。
図 3 7は、 本発明の第 1 6実施形態に係る分波器のチップとワイヤボンディン グパッド層との接続関係を示す平面図である。
図 3 8は、 本発明の第 1 6実施形態に係る分波器のチップとワイヤボンディン グパッド層との別の接続関係を示す平面図である。
図 3 9は、 本発明の第 1 6実施形態に係る分波器のチップとワイヤボンディン グパッド層との更に別の接続関係を示す平面図である。
図 4 0は、 本発明の第 1 7実施形態の通信装置を示す図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の実施形態を、 添付図面を参照して説明する。
(第 1実施形態）
図 4は、 本発明の第 1実施形態による分波器を示す図である。 なお、 図 4中、 前述した構成要素と同一のものには同一の参照番号を付してある。 図示する分波 器は、 ラダー型弾性表面波フイノレタ 3 2と紘結合 2重モード型弾性表面波フィル タ 3 3を有する。 ラダー型弾性表面波ブイルタ 3 2は分波器の ¾j言フィルタであ り、 縦結合 2重モード型弹性表面波フィルタ 33は受信フィルタである。 これら のフィルタ 32と 33は異なる帯域中心周波数を有する。 ラダー型弾性表面波フ ィルタ 32の一端は共通端子 14に接続され、 他端は個別端子 （¾言側端子） 1 5に接続されている。 同様に、 総合 2重モード型弾性表面波フィルタ 33の一 端は整合回路 11を介して共通端子 14に接続され、 他端は個別端子 （受信側端 子） 16に接続されている。
本実施形態の特徴の 1つは、 送信フィルタが複数の 1ポート弾性表面波共振器 20をラダー型に接続したラダー型弾性表面波フィルタ 32であるのに対し、 受 信フィルタが 結合 2重モード型弾性表面波フィルタ 33で構成されている点に ある。 以下、 ラダー型弾性表面波フィルタ 32を 言フイノレタとレ、レ、、 縦結合 2 重モード型弾性表面波ブイルタ 33を受信フィルタという。
受信フイノレタ 33は、 複数の 2重モード型弾性表面波フィルタ （図 4の実施形 態では、 2つの 2重モード型弾性表面波フィルタ 34と 35 ：以下、 DMS (D u a 1 Mo d e S AW)フイノレタと略す）を並列に接続した回路構成である。 DMSフィルタ 34と 35の各々は、 例えば、 3つのインターディジタ^^トラン スデューサ （以下、 IDTと略す） 36、 37及び 38と、 2つの反射器 39と 40を有する。 なお、 便宜上、 DMSフィルタ 35の各部の参照番号を省略して ある。 IDT36、 37及び 38は弾性表面波の伝搬方向に隣り合うように配置 される。 反射器 39と 40は例えばグレーティング反射器であって、 I DT 39 と 40に隣り合うように配置されている。 DMSフィルタ 35も同様に構成され ている。
2つの DMSフィルタ 34と 35は、 次のように並列に接続されている。 DM Sフィルタ 34と 35の夫々の I D T 36の一方のすだれ状電極 （くしの歯状電 極などとも呼ばれる）は共通に接続され、整合回路 11の一端に接続されており、 他方のすだれ状電極は接地されている。 DMSフィルタ 34の I DT 37と 38 の夫々の一方のすだれ状電極は相互に接続され、 更に同様に接続された DM Sフ ィルタ 35の IDT37と 38の夫々の一方のすだれ状電極に接続されていると ともに、 受信側端子 16に接続されている。 I D T 37と 38の他方の電極は接 地されている。 図 5は、 DM Sフィルタ単体と DM Sフィルタを 2個並列に接続した構成との 特性の違いを説明する図である。 DMSフィルタはラダー型フィルタに比べ I D Tの対数が極端に少なく、 I D T電極指の抵抗による挿入損失の増大が顕著に現 れる。 特に、 周波数が高い （図示の例では 1 . 9 GH z帯） 場合、 電極幅が 0 . 5 μ πιと微細になるため、 挿入損失は極めて大きい。 そこで、 図に示すように、 開口長を半分にした DM Sフィルタを 2個並列に接続することで、 電極指の抵抗 値が 1 /4に低減し、 挿入損失を 1 . 2 d B低減することができた。 一般に、 開 口長を 1 ZNにしたものを N個並列接続すれば、 電極指抵抗は 1 / (N X N) に なるので、 抵抗による挿入損失の増加が見えなくなるまで並列接続する個数を増 "^ばよい。
また、 DM Sフィルタを複数個 （図 4の構成例では 2個） 並列に接続すること によって高電力を分散させ、 DM Sフィルタ 1個のカゝかる電力を低減し、 分波器 に十分適用できる而權力性を確保することができる。なお、而權力性については、 更に後述する。 更に、 共通端子 1 4に接続される送信フィルタ 3 2の弾性表面波 共振器は、 直列腕に設けられた直列共振器なので、 言フィルタの受信帯域のィ ンピーダンスが大きくなり、 受信フィルタの挿入損失を向上することができる。 上記説明では、 言フィルタ 3 2の帯域中心周波数 F 1と受信フィルタ 3 3の 帯域中心周波数 F 2とは F 1く F 2であって、 ラダー型弾性表面波フィルタを用 レ、た送信フ レタ 3 2の通過帯域の立ち下が と、 受信フ レタ 3 3の立ち上が りの少なくとも一部が重なり合っているものであった。 これに対し、 F 1 > F 2 の関係であっても受信フィルタ 3 3の挿入損失及び耐電力性が大幅に改善された 分波器を実現することができる。
また、 並列に接続される DMSフィルタは 2つに限定されるものではなく、 3 個以上の DM Sフィルタを並列に接続する構成であっても良い。 この点は、 更に 後述する。
図 4に示す各 I D Tは、 L i T a O 3などの圧電材料を所定の角度で切り出し た基板 （例えば 4 2° Yカツト X伝搬） 上に、 A 1を主成分とする合金やその多 層膜をスパッタにより形成し、 露光、 エッチングによりパターンを形成したもの である。 基板は ¾ί言フィルタ 3 2と受信フィルタ 3 3と別々であってもよいし、 共通であってもよい。 上記の点は、 他の実施形態についても同様である。
(第 2実施形態）
図 6は、 本発明の第 2実施形態に係る分波器を示す図である。 図中、 前述した 構成要素と同一のものには同一の参照番号を付してある。 図 6に示す分波器は、 第 1実施形態に係る分波器の受信フィルタ 3 3をバランス （差動） 出力となるよ うに接続を変えたものである。 この受信フィルタを、 図 6では受信フィルタ 4 5 として示す。 図 4で接地されていた I D T 3 7のすだれ状電極を DM Sフィルタ 3 4と 3 5間で相互に接続するとともに、 新たに設けた受信側端子 4 6に接続す る。 この受信側端子 4 6ともう一つの受信側端子 1 6とを介して、 バランス出力 が得られる。
図 7 A、 7 Bはバランス出力を説明するための図である。 図 6の分波器を、 図 7 Aでは分波器 1 0 0として示してある。 図 7 Bに受信信号 1、 受信信号 2とし て示すように、 バランス出力は同振幅で逆位相の信号出力である。 バランス出力 により、 携帯電話などの電子機器の電気回路設計が容易になる。 特に、 分波器は 後段の I Cに接続されるため、 位相が 1 8 0° 異なる 2つの受信信号を出力でき る構成は単一出力よりも有利である。
(第 3実施形態）
図 8は、 本発明の第 3実施形態に係る分波器を示す図である。 図中、 前述した 構成要素と同一のものには同一の参照番号を付してある。 本実施形態の受信フ ィルタ 5 0は、 並列に接続された複数の DM Sフィルタを複数段カスケ一ド接続 した構成の一実施形態である。 図 8の例では、 受信フィルタ 5 0は並列に接続さ れた 2つの DM Sフィルタ 3 4、 3 5を 2段カスケード接続したものである。 図 8では、 2段目の並列に接続された 2つの DM Sフィルタを参照番号 5 1、 5 2 で示してある。 0^ 3フィルタ3 4と 5 1のすだれ状電極 3 7同士が図示するよ うに接続され、 すだれ状電極 3 8同士が図示するように接続されている。 なお、 便宜上、 DM Sフィルタ 3 4の DM Sフィルタのみ参照番号を付してある。 また 同様にして、 I D T 3 5と 5 2のすだれ状電極同士が図示するように接続されて いる。
図 9に、 図 8に示す第 1実施形態に係る分波器のフィルタ特性を示す。 図示す る特性は、 言フイノレタ 3 2の帯域中心周波数 F 1と受信フィルタ 5 0の帯域中 心周波数 F 2とが F 1 < F 2の関係にある^の特性である。 公知のように、 ラ ダ一型弾性表面波フィルタは W¾力性に優れ力ゝっ立下りが急峻である。 これに対 し、 本実施形態の DM Sフィノレタは立ち上がりが急峻であるとレヽぅ DM Sフィノレ タ本来の特性にカロえ、 DM Sフィルタを複数個並列に接続しかつ力スケード接続 しているため、挿入損失及び耐電力性を大幅に改善することができる。このため、 図 9に示すように、 受信フイノレタ 3 3の通過帯域の立ち上がり （低周波数側） が ラダー型弾性表面波フィルタを用いた場合にくらべ急峻で、 しかも挿入損失を改 善しつつ 言フィルタ 3 2側の抑圧を改善することができる。
上記説明では、 ¾j言フイノレタ 3 2の帯域中心周波数 F 1と受信フィノレタ 5 0の 帯域中心周波数 F 2とは F 1く F 2であって、 ¾f言フィルタ 3 2の通過帯域の立 ち上がりと、 DM Sフィルタ 5 0の立下りの少なくとも一部が重なり合つている ものであった。 これに対し、 F 1 > F 2の関係であっても受信フィルタ 5 0の揷 入損失及び »m力性が大幅に改善された分波器を実現することができる。
ここで、 DM Sフィルタの並列接続の個数を増やすことによる而權力性の向上 について、 図 1 0 A、 1 0 Bを参照して説明する。
本発明者は、 図 8に示す構成で、 耐電力試験を行った。 実験では、 言端子 1 5から電力を印加して、 共通端子 1 4から出力信号を取り出した。 言フィルタ 3 2に電力をかけているので、正常な耐電力試験では、ある程度の時間が経てば、 先に送信フィルタ 3 2が破壊される （正常な而權カ試験結果)。 し力、し、 図 8に示 す構成で而權カ試験を行ったところ、 受信フィルタ 5 0が先に破壊してしまった (図 1 0 A)。 これは、 言フイノレタ 3 2と受信フイノレタ 5 0との間のわずかなィ ンピーダンスの不整合により、 受信フィルタ 5 0にも電力がもれ、 この漏れた電 力により、 受信フィルタ 5 0が先に破壊してしまったことを意味する。
そこで、 DM Sフィルタの而權力性を向上させるために、 3個並列接続にした DM Sフィルタをカスケ一ド接続した。 各 DMSフィルタの開口長は単体 DM S フィルタの 1 3倍である。 この結果、 DM Sフィルタ 1個にかかる電力が低減 し、 耐電力性が向上した （図 1 0 B) )。
従って、 DM Sフィルタを分波器の受信側フィルタに用いる場合は、 少なくと も単体 DM Sフィルタ又は単体 DM Sフィルタの力スケード接続では耐電力性の 面から不適切で、 複数個並列接続する必要があるといえる。
(第 4実施形態）
図 1 1は、 本発明の第 4実施形態に係る分波器を示す図である。 図中、 前述し た構成要素と同一のものには同一の参照番号を付してある。 図 1 1に示す分波器 は、 第 3実施形態に係る分波器の受信フィルタ 5 0をバランス （差動） 出力とな るように接続を変えたものである。 この受信フィルタを、 図 1 1では受信フィル タ 5 5として示す。 図 8で接地されていた I D T 3 6のすだれ状電極を DM Sフ ィルタ 5 1と 5 2間で相互に接続するとともに、 新たに設けた受信側端子 4 6に 接続する。 この受信側端子 4 6ともう一つの受信側端子 1 6とを介して、 バラン ス出力が得られる。
(第 5実施形態）
図 1 2 Aは本発明の第 5実施形態による分波器の縦断面図、 図 1 2 Bは図 1 2 Aに示すキャップ 6 7を取り外した分波器の平面図である。 本実施形態は、 上記 第 1〜第 5実施形態の構成のレ、ずれかを持つ分波器をパッケージ化したものであ る。 以下に説明するパッケージは、 上記第 1〜第 5実施形態の構成以外の分波器 にも同様に適用できるものである。
図 1 2 Aに示す分波器は、 積層パッケージ 6 0、 チップ 6 9、 位相整合用線路 パターン 7 2及びキャップ 6 7を有する。 積層パッケージ 6 0は、 5つの層 6 1 〜6 5が図示するように積層されている。 層 6 1はキャップ搭載層である。 層 6 2はワイヤボンディングパッド層である。 層 6 3はダイアタッチ層である。 層 6 4は位相整合用線路パターン層である。 層 6 5は共通グランド/フットパッド層 である。 これらの層 6 1〜6 5の各々は、 例えば比誘電率 ( ε ) が 9 . 5程度の アルミナやガラスセラミクスの材料で作製されている。 キヤップ搭載層 6 1とヮ ィャボンディングパッド層 6 2とは、 パッケージ内部に階段状部分を形成する。 この階段状の空間力 チップ 6 9を収容する凹部を形成している。チップ 6 9は、 この凹部内に収容されている。 チップ 6 9は単一の ¾ ^と複数 （例えば 2つ） の 場合がある。 単一の場合には、 送信側と受信側のフィルタが単一の圧電基板上に 形成される。 これに対し、 例えば 2つのチップ 6 9を用いた ^&には、 一方のチ ップに 言側フイノレタが形成され、他方のチップに受信側フイノレタが形成される。 以下、 第 5実施形態は単一のチップ 6 9を用いているものとして説明する。 チッ プ 6 9は、 接着剤として機能する導電性接着剤 7 1を用いてダイアタッチ層 6 3 上に形成されたダイアタッチ部 7 0上に固定されている。 ダイアタッチ部 7 0は チップ搭載面を形成し、 例えば A 1などの導電性材料で作製されている。 なお、 積層パッケージの寸法は例えば、 約 5 mm X 5 mm X 1 . 5 mm又は、 3 . 8 m m X 3 . 8 mm X 1 . 5 mmである （1 . 5 mmはパッケージの高さ （厚み） で ある）。
キャップ搭載層 6 1上には、キャップ 6 7が取り付けられている。図 1 3 Aは、 図 1 2 A、 1 2 Bに示す分波器の平面図である。 キャップ 6 7は、 チップ 6 9を 密封封止する。 キャップ 6 7は A uメツキあるいは N iメツキなどの金属材料で 作られている。 また、 積層パッケージ 6 0の側面には、 半円状の溝 8 3が形成さ れている。 図示する例では、 この溝 8 3は一側面当り 3つ形成されている。 これ らの溝は、 キャップ搭載層 6 1から共通グランド/フットパッド層 6 5まで連続 している。 溝 8 3には導電層が設けられ、 接続路 （サイドキャステレーシヨン） 7 5 (図 1 2 A) が形成されている。 接続路 7 5は層間の導通を形成するととも に、 外部接続端子としても用いることができる。 なお、 図示されている [GND 共通化] については後述する。
図 1 2 Bは、 図 1 2 Aのキャップ 6 7を外した状態の平面図である。 キャップ 6 7を外すと、 チップ 6 9、 キャップ搭載層 6 1及びワイヤボンディングパッド 層 6 2の一部が現れる。 図 1 2 Bに示すように、 キャップ搭載層 6 1上には、 A 1などの導 ¾|才料で形成されたシールリング 7 4が形成されている。 キャップ 6 7はシールリング 7 4上に搭載される。 また、 キャップ搭載層 6 1は中央に開口 部 7 3を有する。 この開口部 7 3は、 チップ 6 9を収容するキヤビティを形成す る。 シールリング 7 4は、 積層パッケージ 6 0の各側面の中央に位置する合計 4 つの接続路 7 5を除く各接続路 7 5に接続されている。
チップ 6 9は、 第 1〜第 4実施形態のラダー型弾性表面波フィルタと DM Sフ ィルタとを形成する。 例えば、 チップ 6 9は、 図 8に示すラダー型弾性表面波フ ィルタ 3 2と DMSフィノレタ 5 0を形成する。 例えば、 ラダー型弾性表面波フィ ルタ 32は送信フィルタであり、 DMSフィルタ 50は受信フィルタである。 参 照番号 77で示す複数個のブロックがラダー型弾性表面波フイノレタ 32の共振器 (電極及び反射器のパターン） を模式的に示し、 参照番号 78で示す複数個のブ ロックが DMSフィルタ 50の共振器 （電極及び反射器のパターン） を模式的に 示す。 これらの共振器は、 基板上に形成された酉 alパターンを介して図 8に示す ように酉線されるとともに、 チップ 69の基板上に形成された複数のワイヤボン ディングパッド 79に接続されている。 基板材料は例えば、 L i T a O 3 (例え ば 42° Yカット X伝搬） などの圧電単結晶で作製されている。 基板上に形成さ れる電極は例えば、 A 1を主成分とする合金 （A 1— Cu、 A 1— Mgなど） 及 びその多層膜 （例えば、 A 1—CuZCuノ A 1— Cu、 A 1 /Cu/A 1 , A 1/Mg/Al , A 1 -Mg/Mg/A 1 -Mg) をスパッタにより形成し、 露 光、 エッチングによりパターンニングして形成する。
ワイヤボンディングハ。ッド 79は、 ボンディングワイヤ 68を用いて、 ワイヤ ボンディングパッド層 62上に形成された複数のワイヤボンディングパッド 80 に接続されている。 ボンディングワイヤ 68は例えば、 A 1— S iで形成されて レ、る。 また、 レ、くつかのワイヤボンディングパッド 79には、 他の層との電気的 接続を形成するためのビア 86,-864が設けられている。
図 13Bに示すように、 ワイヤボンディングパッド層 62は、 その中央に開口 部 84を有する。開口部 84は、キャップ搭載層 61の開口部 73よりも小さい。 開口部 84の対向する 2辺にそって、 それぞれ複数のワイヤボンディングパッド 79が配列されている。 ワイヤボンディングパッド 79にはまた、 図示する酉 £ /線 パターンが形成されている。
図 14は、 チップ 69とワイヤボンディングパッド層 62との接続関係を示す 平面図である。 図 14に示す参照番号 75 7512は、 12個の接続路 （サイド キャステレーション） 75を示す。なお、参照番号 75!〜7512に添付の語句は、 対応する接続路の機能を説明している。 接続路 75!と 752は、 DMSフィルタ 50の1段目 （図 8の DMSフィルタ 34と 35で形成される段） のグランドを 形成する。接続路 753は、図 8に示す 言側端子 15のフットキヤステレーショ ン （後述するフットパッドで形成される） との接続を形成する。 接続路 754は、 ラダー型弾性表面波フィルタ 3 2のグランドを形成する。接続路 7 55は、 DM S フィルタ 5 0の 1段目のグランド、 又はラダ—型弾性表面波フィルタ 3 2のダラ ンドを形成する。 接続路 7 56は、 図 8に示す共通端子 （アンテナ端子） 1 4のフ ットキャステレーシヨンとの接続を形成する。 接続路 7 57と 7 58は、 DMSフ レタ 5 0の 2段目 （図 8の DM Sフィルタ 5 1と 5 2で形成される段） のダラ ンドを形成する。接続路 7 59は、図 8に示す受信側端子 1 6のフットキヤステレ ーションとの接続を形成する。接続路 7 5 10と 7 5„は、 DM Sフ レタ 5 0の 2 段目のグランドを形成する。 接続路 7 5 12は、 ワイヤボンディングパッド層 6 2 のパターンには接続されていない。
以上のように、 DM Sフィルタ 5 0の 1段目のグランドは複数の接続路 （換言 すれば、 後述するフットパッドで形成される外部接続端子） 7 5い 7 52 ( 7 5 5 を含めてもよい） に接続され、 また DM Sフィルタ 5 0の 2段目のグランドは別 の複数の接続路（外部接続端子） 7 5 7、 7 5 8、 7 5 10、 7 5 uに接続されている。 これによりグランドを強ィ匕して、 インダクタンス成分を低減し、 帯域外抑圧を向 上させることができる。 また、 上記グランドを構成する接続路 7 5い 7 52、 7 5 7、 7 5 8、 7 5 10、 7 5 U ( 7 5 5を含めてもよい） は、 キャップ搭載層 6 1に 形成されたシールリング 7 4と共通グランド Zフットパッド層 6 5の上面に形成 された共通グランドパターン層 7 6で共通ィ匕されている。 換言すれば、 中間層 6 2 , 6 3及び 6 4で共通ィ匕されていない。 これにより、 分波器の帯域外抑圧を飛 躍的に大きくすることが可能になる。 この点については、 図 1 6を参照して後述 する。
上雄能を持つ導 ¾ϋ 7 5 7 5„は、 引き出し酉 S Iを介して対応するワイヤ ボンディングパッド 8 0に接続されている。 ワイヤボンディングパッド 8 0のう ち、参照番号 8 0！は位相整合用線路パターン 7 2の入り口 （一端） のワイヤボン ディングパッドであり、参照番号 8 02は位相整合用線路パターン 7 2の出口 （他 端） のワイヤボンディングパッドを示している。 これらのノ ッド 8 0い 8 02は それぞれ、 ビア 8 6い 8 62を介して位相整合用線路パターン層 6 4に形成され た位相整合用線路パターン 7 2の入り口及び出口に接続されている。
ダイアタッチ層 6 3は、 図 1 3 Cに示すように構成されている„ ダイアタッチ 層 6 3上には、 グランドパターンを形成するダイアタッチ部 7 0が形成されてい る。 ダイアタッチ部 7 0には、 チップ 6 9と接する 4つのブロック状の厚塗り部 が形成されている。 4つの厚塗り部は、 ダイアタッチ部 7 0を形成する際に、 こ の部分を厚く塗ることで形成される。 図 1 2 Aに示すように、 導電性接着剤 7 1 を用いて、 チップ 2 6がダイアタッチ部 7◦上に取り付けられている。 4つの厚 塗り部は、導電性接着剤 7 1がチップ 6 9の底面全体に行き渡るように作用する。 ダイアタッチ部 7 0は、 引き出しパターン 8 7を介して、 グランドとして機能す る導通部 7 5ぃ 7 52及び 7 55に接続されている。 ダイアタッチ部 7 0は、 図 1 4に示す DM Sフィルタの 2段目のグランドを形成する導通部 7 57、 7 58、 7 5 10、 7 5„には接続されていない。 つまり、 DM Sフィルタの 1段目と 2段目と は、 共通化されていない。 後述するように、 上記 G ND構成によりフィルタの抑 圧度を向上させることができるからである。
ダイアタッチ層 6 3は、 図 1 3 Dに示す位相整合用線路パターン層 6 4の上に 設けられている。図 1 3 Dに示すように、位相整合用線路パターン層 6 4上には、 位相整合用線路パターン 7 2が形成されている。位相整合用線路パターン 7 2は、 所望の長さを確保するために、 折れ曲がったパターンで形成されている。 位相整 合用線路パターン 7 2は例えば、 銅 （C u )、 銀 （A g )、 タングステン （W) な どを主成分とする導 才料で作製されている。 位相整合用線路パターン 7 2は、 位相整合用線路パターン層 6 4上に導電膜を形成し、 これをレーザトリミングな どの手法でパターユングすることで形成される。 位相整合用線路パターン層 6 4 の両端は、 前述したビア 8 6 ,と 8 62に接続されている。 位相整合用線路パター ン 7 2は例えば、 約 8 0 μ π！〜 1 2 0 μ m幅のストリップ線路パターンである。 位相整合用線路パターン 7 2の上下に位置するダランド電位のパターンがストリ ップ線路のダランドを形成する。 位相整合用線路パターン 7 2は回路部品のよう な製造ばらつきがほとんど無レ、ので、安定したフィルタ特性を得ることができる。 位相整合用線路パターン 7 2の作用を説明する。 図 1 5 A、 1 5 Bは図 2に示 す従来の分波器 （受信フィルタにラダー型弾†生表面波フィルタ 1 3を使用） と、 図 8に示す本発明の分波器 （受信フィルタに DM Sフィノレタ 5 0を使用） の受信 フィルタのインピーダンスを比較するためのグラフである。 図 1 5 Aに示すよう に、 ラダー型弾性表面波フィノレタ 1 3と DM Sフィノレタ 5 0の位相回転前のィン ピーダンス特性は異なる。 送信帯域の位相回転後のィンピーダンスを無限大に近 づけるためには、 図 1 5 Bに示すように、 DM Sフィルタ 5 0に接続される位相 整合用線路パターン 7 2を 0 · 2 8ぇ〜0 . 3 4えの長さに設定することが好ま しレ、。 ここで、 えは DM Sフィルタ 5 0を伝搬する弾性表面波の波長である。 他 方、 ラダー型弾性表面波フィルタ 1 3の^^には、 0 . 2え〜 0 . 2 5 λ ( λ / 4 ) 程度の位相整合用線路パターンを設けることで、 ¾j言帯域の位相回転後のィ ンピーダンスを無限大に近づけることができる （えはラダー型弾性表面波フィル タ 1 3を伝搬する弾性表面波の波長)。
更に、 位相整合用線路パターン層 6 4上には、 グランドパターン 8 8、 8 9が 図示するように形成されている。 グランドパターン 8 8はビア 8 63及び 8 64を
0に接続されている。 また、 グランドパターン 8 9は、 対応する接続路 7 5に接 続されている。 位相整合用線路パターン層 6 4にもグランドパターンを 8 8、 8 9を形成したため、 グランドを強ィ匕し、 インダクタンス成分を低減し、 抑圧を向 上させることができる。
また、 グランドパターン 8 8、 8 9は異なる層の信号線及びこれらに接続され るボンディングパッドと重ならないように形成されている。 例えば、 グランドパ ターン 8 8、 8 9は図 1 4に示す接続路 7 53 (送信信号)、 7 56 (送受信信号） 及び 7 59 (受信信号） に接続するパターン及びワイヤボンディングパッド 8 0に 重ならないように形成されている。 この配置により、 信号とグランド間の容量成 分が低減し、 インピーダンス整合を向上させることができる。 この結果、 分波器 の挿入損失が低減する。
位相整合用線路パターン層 6 4の下には、 共通グランド/フットパッド層 6 5 が設けられている。 図 1 3 Eは共通グランドノフットパッド層 6 5の上面を示す 図、 図 1 3 Fは下面 （底面） をこの上面から透かして見た^^の図である。 共通 グランド/フットパッド層 6 5の上面には、 共通グランドパターン 7 6が形成さ れている。 共通グランドパターン 7 6は上面の略全面に形成されている。 共通グ ランドパターン 7 6は、 信号系の接続路 7 53、 7 56、 7 59以外の各接続路に接 続されているとともに、 ビア 8 63と 8 64を介して、 図 1 3 Dのグランドパター ン 8 8、 及び図 1 3 Dに示すワイヤボンディングパッド 8 0のうちの対応するパ ッドに接続されている。 これにより、 グランドを強化してインダクタンス成分を 減少させ、 抑圧を向上させることができる。
共通ダランド Zフットパッド層 6 5の底面は、 分波器の実装面である。 実装面 を酉 ¾基板上に向けて、分波器を酉線基板上に実装する。図 1 3 Fに示すように、 この実装面には、'各接続路 7 5 7 512にそれぞれ接続されるフットパッド （フ ッ トキャステレーシヨン） 6 6 i〜 6 6 12が形成されている。 フットパッド 6 6 i 〜6 612は外部接続端子として機能し、 酉 ¾锒基板上の対応する電極に接触して電 気的接続が形成される。 フットパッド 6 6い 6 62は DMSフィルタ 5 0の 1段 目のグランド端子である。フットパッド 6 63は、分波器の 言側端子 1 5である。 フットパッド 6 64は、 ラダー型弾性表面波フィルタ 3 2のグランド端子である。 フットパッド 6 65は、 DM Sフィルタの 1段目のグランド端子又はラダー型弾性 表面波フィルタ 3 2のグランド端子である。 フットパッド 6 66は、アンテナが接 続可能な共通端子 1 4である。 'フットパッド 6 67、 6 68は DM Sフイノレタ 5 0 の 2段目のグランド端子として機能する。 フットパッド 6 69は、受信側端子 1 6 である。 フットパッド 6 6 10、 6 6„はそれぞれ、 DM Sフィルタ 5 0の 2段目の ダランド端子である。 フットパッド 6 6 12は、 共通ダランドパターン 7 6に接続 されたグランド端子である。 なお， 図 1 2 A、 1 2 Bでは、 上記フットパッドを フットパッド 6 6として示してある。
以上説明した構成の第 5実施形態を、 ダランドの構成に着目して整理すると、 次の通りである。
DM Sフィルタ 5 0は、 並列に接続された複数の 2重モード型弾性表面波フィ ルタ 3 4と 3 5及び 5 1と 5 2を 2段カスケ一ド接続した構成を有し、 積層パッ ケージ 6 0内の中間層 6 2、 6 3及び 6 4は各段の 2重モード型弹性表面波フィ ルタのグランドを共通化するパターンを具備していなレ、。 これにより、 DM Sフ ィルタ 5 0の帯域外抑圧を向上させることができる。
DM Sフィルタ 5 0は、 並列に接続された複数の 2重モード型弾性表面波フィ ルタ 3 4と 3 5及び 5 1と 5 2を 2段カスケ一ド接続した構成を有し、 積層パッ ケージ 6 0内のワイヤボンディングパッド層 6 2は、 1段目の 2重モード型弾性 表面波フィルタ 3 4、 3 5のグランドにボンディングワイヤ 6 8で接続される第 1のパッド （接続路 7 5 ,と 7 52 ( 7 5 5を含めてもよレヽ） に接続するワイヤボン デイングパッド 8 0 ) と、 2段目の 2重モード型弾性表面波フィルタのグランド にワイヤボンディングで接続される第 2のパッド （接続路 7 57、 7 58、
7 5 1 0、 7 5„に接続するワイヤボンディングパッド 8 0 ) とを有し、 これらの 第 1及び第 2のパッドはワイヤボンディングパッド層 6 2において独立したダラ ンドである （共通化していない)。
図 1 6は、 2段構成 DMSフィルタの 1段目のグランドと 2段目のグランドを ワイヤボンディングパッドで共通化した (つまり、 ワイヤボンディングパッ ド層 6 2で共通化した の DMSフィルタの特性と、 上記構成のように DM Sフィルタ 5 0の 1段目のグランドと 2段目のグランドをワイヤボンディングパ ッド 8 0で共通化しない ^の DM Sフィルタ 5 0のフィルタ特性を示すグラフ である。 図 1 6力 ら、 グランドを共通化しない DM Sフィルタ 5 0の帯域外抑圧 は飛躍的に改善されていることが分かる。 図 1 6に示す効果を得るためには、 チ ップ 6 9上でも、 DM Sフィルタ 5 0の 1段目のグランドと 2段目のグランドを 共通化しないことが要求される。
DM Sフィノレタ 5 0は、 並列に接続された複数の 2重モード型弾性表面波フィ ルタ 3 4と 3 5及ぴ 5 1と 5 2を 2段カスケード接続した構成を有し、 1段目と 2段目の 2重モード型弾性表面波フィルタのグランドは、 積層パッケージ 6 0の 上面を形成する第 1の層 6 1及び共通ダランド 7 6を形成する第 2の層 6 5とで 共通化され、 他の中間層 6 2、 6 3及び 6 4では共通化されていなレ、。 この構成 により、 帯域外抑圧を向上させることができ、 また外部ノイズの影響をより受け 難くすることができる。
DM Sフィルタ 5 0は、 並列に接続された複数の 2重モード型弾性表面波フィ ルタ 3 4と 3 5及び 5 1と 5 2を 2段カスケード接続した構成を有し、 1段目の 2重モード型弾性表面波フィルタ 3 4、 3 5のグランドにワイヤボンディングで 接続される第 1のパッド （接続路 7 5 tと 7 52 ( 7 5 5を含めてもよレヽ） に接続す ド 8 0 ) と、 2段目の 2重モード型弾性表面波フィル タのグランドにワイヤボンディングで接続される第 2のパッド （接続路 7 57、 7 58、 7 5 1 0, 7 5 nに接続するワイヤボンディングパッド 8 0 ) はそれぞれ、 積層パッケージ 6 0の外面 （第 5実施形態では底面） に形成される複数の外部接 続端子 （フットパッド） 6 6に接続されている。 この構成により、 グランドが強 化され、インダクタンス成分を減少させ、帯域外抑圧を向上させることができる。 積層パッケージ 6 0を構成する各層 6 1〜6 5は、 前記積層パッケージの外面 に形成されるグランド端子 （6 63、 6 66、 6 69以外のフットパッド） に接続さ れるグランドパターン （キャップ搭載層 6 1のシールリング 7 4、 層 6 2のボン デイングパッド 8 0、 層 6 3のダイアタッチ部 7 0、 層 6 4のグランドパターン 8 8、 8 9及び層 6 5の共通グランドパターン 7 6 )を有する。この構成により、 グランドが強ィ匕され、 インダクタンス成分を減少させ、 帯域外抑圧を向上させる ことができる。
積層パッケージ 6 0の中間層 6 2〜6 4は、 積層パッケージの外面に形成され るグランド端子 （6 63、 6 66、 6 69以外のフットパッド） に接続されるグラン ドパターン （層 6 2のボンディングパッド 8 0、 層 6 3のダイァタツチ部 7 0、 層 6 4のグランドパターン 8 8、 8 9 ) を有し、 各グランドパターンは前記積層 パッケージに形成される信号線パターン （接続路 7 53、 7 56、 7 59に接続され る信号線パターン） 及び信号線パターンに接続するボンディングパッドと重なら ないように配置されている。 この構成により、 キャパシタンス成分を減少させる ことができ、 インピーダンスマッチングを改善することができる。 従って、 分波 器の挿入損失を低減させることができる。
以上、 本発明の第 5実施形態を説明した。 第 5実施形態の様々な変形例が構成 可能である。例えば、積層パッケージ 6 0は 5層に限定されず、任意の数の層（例 えば 6層） を含むものであってもよレ、。 チップ 6 9は単一の圧 ®Τ才料で形成され た基板を用いているので分波器の小型ィ匕を可能とするが、 ラダー型弾性表面波フ イノレタ 3 2と DM Sフイノレタ 5 0とをそれぞれ別の基板で形成してもよレヽ。 分波 器の各部の材料は前述したものに限定されるものではなく、 適宜任意の材料を選 択することができる。 更に、 ラダー型弾性表面波フイノレタ 3 2及び DM Sフィノレ タ 5 0は、 上述した段数に限定されなレヽ。 更に、 ラダー型弾性表面波フィルタ 3 2及ぴ DM Sフ レタ 5 0に代えて、 前述した他の実施形態のラダー型弾性表面 波フィルタ及び DM Sフィルタを用いることができる。
(第 6実施形態）
図 1 7は、 本発明の第 6実施形態に係る分波 の共通ダランド /フットパッド 層 6 5 Aの下面 （底面） をこの上面から透かして見た^の図である。 図中、 前 述した構成要素と同一のものには同一の参照番号を付してある。 本実施形態は、 共通グランド フットパッド層 6 5 Aの構成以外は、 前述した第 5実施形態に係 る分波器と同様に構成されている。 グランド端子であるフットパッド 6 6い 6 6 2、 6 64、 6 65、 6 67、 6 68、 6 6 1 0〜6 6 12はそれぞれ、 ビア 9 2を介して共 通グランドパターン 7 6に接続されている。 この構成により、 分波器のグランド が強ィ匕され、 インダクタンス成分を減少させ、 帯域外抑圧を向上させることがで さる。
(第 7実施形態）
図 1 8 A〜1 8 Fは、 本発明の第 7実施形態に係る分波器の積層パッケージを 構成する各層を示す図である。 図中、 前述した構成要素と同一のものには同一の 参照番号を付してある。 第 7実施形態と前述の第 5実施形態とは、 共通グランド /つットパッド層の構成が相違する。 図 1 8 E、 1 8 Fに示す共通ダランド Zフ ットパッド層 6 5 Bの上面に形成された共通グランドは、 狭い幅の分割溝 9 3を 介して 2つの共通グランドパターン 7 6 A、 7 6 Bに分割されている。 共通ダラ ンドパターン 7 6 Aは接続路 7 5い 7 52に接続されており、 DMSフィルタ 5 0の 1段目のグランドを形成する。 また、 共通グランドパターン 7 6 Bは接続路 7 5 7、 7 5 8、 7 5 , 7 5„に接続されており、 DM Sフィルタ 5 0の 2段目の ダランドを形成する。 共通ダランドパターン 7 6 Aは、 ラダー型弾性表面波フィ ルタ 3 2のグランドを接続する接続路 7 54に接続されていない。また、接続路 7 55を DMSフ レタ 5 0の 1段目のグランドとすることで、共通グランドパター ン 7 6 AはDM Sフィルタ5 0のみの共通グランドとして作用する。このように、 DM Sフィルタ 5 0の 1段目の共通グランドと 2段目の共通グランドを完全に分 離することで、外部ノィズの影響をより受け難レ、分波器を実現することができる。
(第 8実施形態） 図 1 9 A、 1 9 Bは、 本発明の第 8実施形態に係る分波器のキヤップ搭載層 6 1 Aとワイヤボンディングパッド層 6 2の平面図である。 図中、 前述した構成要 素と同一のものには同一の参照番号を付してある。 第 8実施形態と前述の第 5実 施形態とは、 キャップ搭載層の構成が相違する。 キャップ搭載層 6 1 Aに形成さ れているシールリング 7 4は、 前述したビア 8 63及び 8 64を介して、 接続路 7 55及び 7 52にそれぞれ接続されたワイヤボンディングパッド 8 0に接続されて レ、る。 これにより、 分波器のグランドがより強ィ匕され、 インダクタンス成分が減 少して、 帯域外抑圧をより一層向上することができる。
(第 9実施形態）
図 2 0 Aは本発明の第 9実施形態に係る分波器 2 0 0の回路構成を示す図、 図
2 0 Bは分波器 2 0 0のワイヤボンディングパッド層 6 2 Aの平面図である。 図 中、 前述した構成要素と同一のものには同一の参照番号を付してある。 第 9実施 形態と前述の第 5実施形態とは、 整合回路の構成が異なる。 図 2 O Aに示すよう ' に、分波器 2 0 0は 2つの整合回路 1 ^と 1 1 2を有する。整合回路 1 は 2つ のフィルタ 3 2と 5 0の間に設けられ、 これらの位相を調整する。 また、 整合回 路 1 1 2は DM Sフィルタ 5 0の出力側に設けられている。
図 2 O Aの構成を実現するために、 分波器 2 0 0は図 2 0 Bに示すワイヤボン ディングパッド層 6 2 Aを有する。 図示するように、 線路パターン 9 4と 9 5力 S 設けられている。線路パターン 9 4は整合回路 1 の一部を構成し、線路パター ン 9 5は整合回路 1 1 2を構成する。共通端子 1 4とラダー型弾性表面波フィルタ
3 2との間の整合回路 1 1 ,は線路パターン 9 4で形成され、共通端子と DM Sフ ィルタ 5 0との間は、 線路パターン 9 4と図 1 3 Dに示す位相整合用線路パター ン 7 2とで形成される。線路パターン 9 4は、 ビア 8 6！を介して位相整合用線路 パターン 7 2の一端に接続されている。 線路パターン 9 5は、 DM Sフィルタ 5 0の受信側端子 1 6にワイヤボンディングされるワイヤボンディングパッド 8 0 4と、受信側端子 1 6に対応するフットパッド 6 69に接続される接続路 7 59との 間に形成されている。 これにより、 分波器 2 0 0のィンピーダンスを複数箇所で 調整することができ、 インピーダンスマッチングを向上させることができる。 こ の結果、 分波器 2 0 0の揷入損失は向上する。 なお、 線路パターン 9 4は直線状 であり、 線路パターン 95は屈曲している力 次に示すように、 他の形状のパタ ーンを用いることができる。
(第 10実施形態）
図 21 Aは本発明の第 10実施形態に係る分波器 210の回路構成を示す図、 図 21 B〜21 Dは分波器 210のワイヤボンディングパッド層の形態を示す平 面図である。 図中、 前述した構成要素と同一のものには同一の参照番号を付して ある。 図 21 Aに示すように、 分波器 210は図 2 OAに示す分波器 210と同 一の回路構成である。
図 21 Bに示すワイヤボンディングパッド層 62Bは、 線路パターン 94の途 中にビア 96が形成されてレヽる。 ビア 96は、 図 13 Dの位相整合用線路パタ一 ン 72に接続されている。 ビア 96の位置を調整することで、 共通端子 14と D MSフィルタ 50との間に設けられる位相整合用線路パターンの線路長を調整す ることができる。 また、 図 21 Bに示す線路パターン 97は直線状である。 図 21 Cに示すワイヤボンディングパッド層 62Cは、整合回路 1 を構成す る線路パターン 98の長さを変化させることで、 線路長を調整する構成である。 線路パターン 98は複数箇所で屈曲しており、 図 21 Bに示す線路パターン 94 よりも長い。 図 21 Dに示すやワイヤボンディングパッド層 62Dは、 図 21B の直線状の線路パターン 97に代えて、 屈曲した線路パターン 95を用いた構成 である。
以上の通り、 第 10実施形態によれば、 分波器 210のインピーダンスを複数 箇所で行え、 インピーダンスマッチングを向上させることができる。 この結果、 分波器 210の揷入損失は向上する。
(第 1 1実施形態）
図 22A〜22Gは、 本発明の第 11実施形態に係る分波器を示す図である。 図 22A〜22G中、 前述した構成要素と同一のものには同一の参照番号を付し てある。 本実施形態と前述の第 5実施形態とは、 ダイアタッチ層 63 Aの構成が 異なる。図 22 Cに、第 11実施形態で用いられるダイアタッチ層 63 Aを示す。 図 22A、 22B、 22D〜22 Fは図 13 A、 13B、 13D〜13Fと同一 である。 また、 図 22 Gには、 第 11実施形態に係る分波器の断面図を示す。 図 2 2 Cに示すように、 ダイアタッチ層 6 3 Aにはグランドパターン 1 0 1が 形成されている。 ダランドパターン 1 0 1は、 図 2 2 Dに示す位相整合用線路パ ターン 7 2を覆うように形成されている。 グランドパターン 1 0 1と図 2 2 Eに 示す共通グランドパターン 7 6とは、 位相整合用線路パターン 7 2を上下から挟 むように設けられている。 グランドパターン 1 0 1は 4つの厚塗り部 1 0 2を有 し、 この上にチップ 6 9力 S取り付けられる。 位相整合用線路パターン 7 2に接続 するビア 8 6 iと 8 62にグランドパターン 1 0 1が劍虫しないように、 ホール 1 0 3がビア 8 6 iと 8 62の周囲に形成されている。
位相整合用線路パターン 7 2を上下のダランドパターン 1 0 1、 7 6で挟むよ うに構成することによって、 インピーダンスマッチングが向上し、 挿入損失が向 上する。 この理由は次の通りである。 特性インピーダンスは次の簡易式で表され る。
Z0= ( L/C) 1/2
図 1 2 Aに示す位相整合用線路パターン 7 2は、 ダイアタッチ部 7 0とダラン ドパターン 7 6で挟まれている部分と、 キャップ 6 7と共通グランドパターン 7 6で挟まれている部分 （線路パターンの両端近傍部分） とを持つ。 キャップ 6 7 と位相線路調整用パターン 7 2との距離が離れている。 つまり、 位相線路調整パ ターン 7 2はグランドから離れている。 よって、 この部分で形成される容量は、 他の部分に比べて小さい。 上記式から分かるように、 Cが小さくなると特' |·生イン ピーダンスが大きくなる。 5 0 Ωを所望の特性インピーダンスとした場合、 位相 整合用線路パターン 7 2の特性インピーダンスは 5 0 Ωを超えてしまう可能性が ある。 これに対し、 図 2 2 A〜 2 2 Gに示す構成では、 位相線路調整用パターン 7 2は全長にわたり、 共通ダランドパターン 7 6とダイアタッチ層 6 3 Aに形成 されたグランドパターン 1 0 1で挟まれている。 よって、 位相線路調整用パター ン 7 2はどの位置においてもダランドに近く、 この結果特性ィンピーダンスを容 易に所望の 5 0 Ωに設定することができる。
図 2 3は、 上記第 1 1実施形態で用いられている位相整合用線路パターン 7 2 の特性ィンピーダンスの安定度、 及ぴ比較例の特性ィンピーダンスの安定度を示 すダラフである。 図 2 3に示すダラフの横軸は位相整合用線路パターン 7 2の長 さ （mm) を示し、 縦軸は特性インピーダンス （Ω ) を示す。 比較例は図 2 4 A 〜2 4 Gに示す構成の分波器である。 比較例のダイアタッチ層 （図 2 4 C) は、 第 1 1実施形態のダイアタッチ層 6 3 Aと異なり、 位相線路調整用パターン 7 2 の中央部分のみを覆う大きさである。 また、 図 2 4 Gに示すように、 位相整合用 線路パターン 7 2の端部近傍はキャップ 6 7で覆われている。 なお、 図 2 4 Cの ダイァタツチ層の構成は図 1 3 A〜 1 3 Fに示 " t成と異なり、 ダイァタツチ部 は 1つの接続路にのみ接続されている。 また、 図 2 4 Bに示すワイヤボンディン グ層は図 2 2 Bや図 1 3 Bに示す構成は異なる。 図 2 3に示すように、 第 1 1実 施形態では、 位相整合用線路パターン 7 2の長さにかかわらず特性インピーダン スはほぼ 5 0 Ωで安定している。 これに対し、 比較例では、 矢印で示すように、 特性ィンピーダンスが 5 0 Ωを超えるところがあり （最大で 6 5 Ω程度)、不安定 である。 5 0 Ωを超えると、 インピーダンスマッチングが劣ィ匕して、 分波器の挿 入損失が大きくなつてしまう。
図 2 5 Aは図 2 4 A〜 2 4 Gに示す比較例で用いられている受信フィルタ （D M Sフイノレタ） 単体の反射特十生を示し、 図 2 5 Bは図 2 2 A〜2 2 Gに示す第 1 1実施形態で用いられている受信フィルタ （DM Sフィノレタ 5 0 ) 単体の反射特 性を示す。 受信フィルタ単体とは、 分波器の■フィルタを共通端子 1 4に接続 していな 、状態である。 比較例では、 特性ィンピーダンスが約 6 5 Ωまで高くな つてしまうため、 通過帯域のインピーダンスマッチングが 5 0 Ωから離れてしま う。 このため、 図 2 6に示すように、 受信フィルタの挿入損失が大きい。 これに 対し、 第 1 1実施形態では図 2 3に示すように、 位相整合用線路パターン 7 2の 特性インピーダンスがほぼ 5 0 Ωで安定しているため、 図 2 5 Bに示すように、 受信フィルタ 5 0単体の反射特性において通過帯域が 5 0 Ω近辺にあり、 ィンピ 一ダンスマッチングが良い。 このため、 図 2 6に示すように、 受信フィルタの揷 入損失は小さい。 特に、 8 0 0MH zよりも高い 1 9 0 O MH z帯の分波器にな ると、 前述したような誘電率の低いパッケージ材料が使用されるため、 位相整合 用線路パターン 7 2が図 2 2 A〜 2 2 Gに示すように上下からグランド面で覆わ れていないと、 特性インピーダンスの変動が顕著になる。 つまり、 図 2 2 A〜2 2 Gに示す構成は 8 0 O MH zを超える高周波帯域での使用に特に適している。 (第 1 2実施形態）
図 2 7 A〜2 7 Fは、 本発明の第 1 2実施形態に係る分波器を示す図である。 図中、 前述した構成要素と同一のものには同一の参照番号を付してある。 本実施 形態は、 位相整合用線路パターンとパッケージ側のワイヤボンディングパッドと を複数のビアで接続して、 ビアの抵抗を減少させ、 挿入損失を改善することを特 徴の一つとする。 図 2 7 Bに示すように、 ワイヤボンディングパッド層 6 2 Aの パッド 8 0 ,には 2つのビア 8 6 10、 8 6 Uが形成され、 パッド 8 02には 2つのビ ァ 8 6 12、 8 613が形成されている。 ダイアタッチ層 6 3 B及 Ό¾相整合用線路パ ターン層 6 4 Αにも、 上記ビア 8 6 10、 8 6 ,い 8 6 12、 8 6 13が形成されている。 ビア 8 6 10、 8 6 nは位相整合用線路パターン 7 2 Aの入力側部分に接続されてレヽ る。 また、 ビア 8 612、 8 6 13は位相整合用線路パターン 7 2 Aの出力側部分に接 続されている。 上記ビアは 3つの層をまたがって形成されているので、 ビア 1つ 1つは受信フィルタの挿入損失に影響を与えるような比較的大きな抵抗値を持つ。 このようなビアを複数本、 位相整合用線路パターン 7 2 Aの各端部に設けること により、 ビアの抵抗値を減少させることができる。
図 2 8は、 第 5実施形態の受信フィルタ （DM Sフイノレタ） と第 1 2実施形態 の受信フィルタ （DM Sフィルタ） の挿入損失を示す図である。 第 5実施形態で は位相整合用線路パターン 7 2の両端にそれぞれ 1つずつビア 8 6い 8 62が設 けられているのに対し、 第 1 2実施形態ではそれぞれ 2つずつビアが設けられて レヽる。 図示の通り、 第 1 2実施形態の挿入損失は第 5実施形態に比べ改善されて いる （0 . 4 d B程度の改善)。
また、位相整合用線路パターン 7 2 Aの各端部に複数個のビアを設けることで、 遷移領域も改善することができる。 図 2 9は遷移領域を説明する図である。 例え ば、 フィルタ特性の仕様が、 挿入損失一 4 d B、 帯域外抑圧一 5 0 d Bの場合、 これら 2つの減衰量の値が MH zで遷移する力 つまりこれらの減衰量の周波 数幅が遷移領域である。 この遷移領域の値が小さいほど、 角形が良い急峻なフィ ルタである。 特に、 1 9 0 0 MH zのフィルタでは、 言側帯域と受信側帯域と が近接しているため、 遷移領域の小さレ、急峻なフィルタ特性を持つフィルタが望 まれている。 遷移領域が小さいと、 製造プロセスにおける周波数ずれの許容範囲 が広がり、 製造歩留りが大幅に向上する。
第 1 2実施形態では、 挿入損失が特に良好なため、 遷移領域が小さくなる。 図 3 0に、 第 5実施形態と第 1 2実施形態の遷移領域 (MH z ) を示す。 図 3 0で は、 第 5実施形態及び第 1 2実施形態のそれぞれにつレ、て、 2個のサンプルを測 定した。 平均値で比較すると、 第 1 2実施形態では約 0 . 6 5 MH zも遷移領域 が小さくなっているため、 製 留り向上に大きく寄与していることが分かる。 (第 1 3実施形態）
図 3 1は本発明の第 1 3実施形態に係る分波器のダイァタツチ層 6 3 C、 及び 比較例として第 5実施形態のダイアタッチ層 6 3を示す図である。 、ずれの分波 器も、 2つのチップ 6 と 6 92を用いている。 チップ 6 9 !はラダー型弾性表面 波フイノレタ 3 2を形成し、チップ 6 92は DMSフイノレタ 5 0を形成する。第 5実 施形態では、 ダイアタッチ部 7 0上に導電性接着剤 7 1を塗布し、 その上にチッ プ 6 9い 6 92の下面を接着する。 導電性接着剤 7 1はダイアタッチ部 7 0が存 在しない十字状部分にも塗布されるので、 チップ 6 9ぃ 6 92下面のグランドは 強ィ匕されている。 これに対し、 第 1 3実施形態のダイアタッチ層 6 3 Cは、 一層 強化されたダランドを有する。 ダイァタツチ層 6 3 C上のダランドパターン 1 0 5はダイアタッチ部 7 0よりも広い面積で、 2つのチップ 6 と 6 92の底面の 合計面積よりも広い。 この点は、 図 2 2 Cに示すグランドパターン 1 0 1と同様 である。 このグランドパターン 1 0 5上に、 導電' 接着剤 7 1を用いてチップ 6 9い 6 92を固定する。 固定する際、 チップ 6 9ぃ 6 92の接着が所定の位置から ずれても、 グランドパターン 1 0 5は広い面積を有するので、 チップ 6 9ぃ 6 9 2の下面がダランドパターン 1 0 5からはみ出すようなことはない。導電' (·生接着剤 7 1はグランドパターン 1 0 5が存在しない十字状部分にも塗布されるので、 チ ップ 6 9ぃ 6 92下面のグランドは強化されている。 この結果、 チップ 6 9 6 92に位置ずれがあっても、全面にグランド面を確実に形成することができる。ま た、 グランド強ィ匕のために、 第 1 3実施形態の引き出しパターン 8 7 aは、 第 5 実施形態の引き出しパターン 8 7よりも幅広である。 好ましくは、 引き出しバタ ーン 8 7 aは約 2 0 0 m以上の幅を有する。
図 3 2は、 第 5実施形態と第 1 3実施形態に係る分波器の高周波側の帯域外抑 圧を示す図である。第 1 3実施形態ではグランドがより一層強ィ匕されているので、 帯域外抑圧がより一層向上する。
(第 1 4実施形態）
図 3 3は本発明の第 1 4実施形態に係る分波器のワイヤボンディング層 6 2、 ダイアタッチ層 6 3 D及び分波器の断面、 並びに比較例として第 5実施形態のヮ ィャボンディング層 6 2、 ダイアタッチ層 6 3及び分波器の断面を示す。 第 1 4 実施形態は、 第 5実施形態のダイアタッチ層 6 3をダイアタッチ層 6 3 Dに置き 換えた構成である。 ダイァタツチ層 6 3 D上に形成されたダランドパターン 1 0 8は、 第 5実施形態のダイアタッチ部 7 0に引き出しパターン 1 0 6、 1 0 7を 設けた構成である。 弓 Iき出しパターン 1 0 6、 1 0 7はそれぞれワイヤボンディ ングパッドに接続しているビア 8 63、 8 64に接続されている。 これにより、 グ ランドパターン 1 0 8は複数の接続路のみならず複数のビアを介して複数のダラ ンドの外部接続端子 （サイドキャステレーシヨン） に接続されるため、 チップ 6 9下面のグランドをより一層強化することができる。 このように、 外部接続端子 に接続される経路が多いことや、 グランドパターンに多く接続していることによ つて、 チップ 6 9の下面のグランドは強ィ匕される。
図 3 4は、 第 5実施形態と第 1 4実施形態に係る分波器の高周波側の帯域外抑 圧を示す図である。第 1 4実施形態ではグランドがより一層強ィヒされているので、 帯域外抑圧がより一層向上する。
(第 1 5実施形態）
図 3 5は、 本発明の第 1 5実施形態に係る分波器のダイァタツチ層 6 3 E、 共 通ダランド Zフットパッド層 6 5の上面及び断面、 並びに比較例として第 5実施 形態のダイァタツチ層 6 3、 共通ダランド フットパッド層 6 5の上面及び断面 を示す図である。 第 1 5実施形態は、 第 5実施形態のダイアタッチ層 6 3をダイ アタッチ層 6 3 Eで置き換えた構成である。 ダイアタッチ層 6 3 E上に形成され たグランドパターン 1 1 0は、 第 5実施形態のダイアタッチ部 7 0に複数の引き 出しパターン 1 1 1を設けた構成である。 引き出しパターン 1 0 6、 1 0 7はそ れぞれ対応するビア 1 1 2に接続されている。 このビアは位相整合用線路パター ン層 6 4にも形成され、その一端は共通グランドパターン 7 6に接続されている。 これにより、 グランドパターン 1 1 0は複数のビア 1 1 2を介して共通グランド パターン 7 6に接続されるため、 チップ 6 9下面のグランドをより一層強化する ことができる。 共通グランドパターン 7 6はべたグランド面であって、 複数の外 部接続端子に接続路 7 5 iなどを介して接続されるため、 チップ 6 9の下面のグ ランドは強^ ^される。
図 3 6は、 第 5実施形態と第 1 5実施形態に係る分波器の高周波側の帯域外抑 圧を示す図である。第 1 5実施形態ではグランドがより一層強ィ匕されているので、 帯域外抑圧がより一層向上する。
(第 1 6実施形態）
図 3 7は、 本発明の第 1 6実施形態に係る分波器のチップ 6 9とワイャボンデ ィングパッド層 6 2 Eとの接続関係を示す平面図である。 図中、 前述した構成要 素と同一のものには同一の参照番号を付してある。 前述の第 5〜第 1 5実施形態 は、 図 8に示す単一出力構成の DM Sフィルタ 5 0を備える分波器であった。 こ れに対し、 第 1 6実施形態に係る分波器は、 図 1 1に示す構成の分波器である。 つまり、 本実施形態の分波器は、 バランス出力構成の DMSフィルタ 5 5を備え る。 バランス出力を実現するために、 図 1 4に示す接続関係を図 3 7に示 1¾続 関係に変更する。 図 1 4において接続路 7 5 W、 7 5 Uに接続されるチップ側のヮ ィャボンディングは 2分割されている。 また、 接続路 7 58、 7 59、 7 5 1Qをそれ ぞれ、 図 1 6に示す受信側端子 1 6との接続、 DM Sフィルタ 5 5の 2段目 （D M Sフィルタ 5 1と 5 2で構成される段） のダランド、 及ぴ受信側端子 4 6との 接続を形成する。 図 1 4で接続路 7 5 10、 7 5 Uに接続されるチップ側のワイヤ本 ディングパッドは 2分割されている。 これにより、 図 1 3 Fに示すフットパッド 6 68は受信側端子 1 6、 フットパッド 6 69はグランド端子、 及びフットパッド 6 6 ,。は受信側端子 4 6となる。
図 3 8は、 ノくランス出力構成を備えた分波器の別の構成例である。 この分波器 のワイャボンディングパッド層 6 2 Fを有する。 接続関係は、 図 1 4に示す接続 関係を次の通り変更したものである。 図 1 4において接続路 7 5 ,。、 7 5„に接続 されるチップ側のワイヤボンディングは 2分割されている。 また、 接続路 7 5 12 は図 1 1に示す受信側端子 4 6との接続を形成する。 図 39は、 バランス出力構成を備えた分波器の更に別の構成例である。 この分 波器のワイヤボンディングパッド層 62 Gを有する。 接続関係は、 図 14に示す 接続関係を以下の通り変更したものである。 図 14において接続路 75 75U に接続されるチップ側のワイヤボンディングは 2分割されている。 また、 接続路 759及び 7510はそれぞれ、 図 16に示す受信側端子 16及び 46との接続を形 成する。更に、接続路 75Uと 7512は DMSフィノレタ 55の 2段目のグランドを 形成する。
なお、 図 37から図 39に示す分波器にぉレ、て、 前述した第 6〜第 15実施形 態の特徴を有するように変形できることは勿論である。
(第 17実施形態）
図 40は、 本発明の第 17実施形態による電子装置のブロック図である。 この 電子装置は携帯電話であって、 図 40はその送受信系を示している。 携帯電話の 音声処理系などその他の構成は、便宜上省略してある。図 40に示す携帯電話に、 前述した分波器が用レヽられている。
携帯電話は、 RF (高周波） 部 170、 変調器 171及び I F (中間周波数） 部 172を有する。 RF部はアンテナ 173、 分波器 174、 ローノイズアンプ 183、 段間フィルタ 184、 ミキサ （乗算器） 175、 局部発振器 176、 段 間フィルタ 177、 ミキサ （乗算器） 178、 段間フィルタ 179及びパワーァ ンプ 18◦を有する。 音声処理系からの音声信号は変調器 171で変調され、 R F部 170のミキサ 178で局部発振器 1 76の発振信号を用いて周波数変換 (混合） される。 ミキサ 178の出力は段間フィルタ 179及びパワーアンプ 1 80を通り、 分波器 174に与えられる。 分波器 174は、 謝言フィルタ 174 iと受信フィルタ 1742と、 図示を省略してある整合回路とを有し、 本発明の分 波器である。 パワーアンプ 180からの 言信号は、 分波器 174を通りアンテ ナ 173に供給される。
アンテナ 1 Ί 3からの受信信号は分波器 174の受ィ言フイノレタ 1742を通り、 ローノイズアンプ 183、 段間フィルタ 184を経て、 ミキサ 175に与えられ る。 ミキサ 175は、 局部発振器 176の発振周波数を段間フィルタ 177を介 して受け取り、 受信信号の周波数を変換して、 I F部 172に出力する。 I F部 1 7 2は、 この信号を I Fフィノレタ 1 8 1を介して受け取り、 復調器 1 8 2で復 調して図示しな 、音声処理系に復調した音声信号を出力する。
図 4 0に示す通信装置は本発明の分波器を具備しているため、 優れたフィルタ 特性を持った高而權力の通信装置を #Wすることができる。
以上、 本発明の第 1から第 1 7実施形態を説明した。 本発明は上記実施形態に 限定されるものでははく、 他の様々な実施形態を含む。
以上説明したように、 本発明によれば、 耐電力性とフィルタ特性の両方を改善 した分波器及びこれを用いた電子装置を実現することができる。
最後に、 本発明の構成、 作用及び効果のいくつかを以下に纏める。
( 1 ) 異なる帯域中心周波数を有する 2つの弾性表面波フィルタと、 該 2つの弾 性表面波フィルタ同士の位相を整合させる位相整合用回路とを有する分波器にお V、て、 一方の弾性表面波フィルタはラダー型弹性表面波フィルタ （例えば図 4の 3 2 ) で、 他方の弾性表面波フィルタは並列に接続された複数の 2重モ一ド型弾 '性表面波フィルタ （例えば図 4の 3 3 ) であることを特徴とする。 ラダー型弾性 表面波フィルタは而權力性に優れカ^)立下りが急峻である。 これに対し、 2重モ 一ド型弾性表面波フィルタは立ち上がりが急峻であるという本来の特性に加え、 2重モード型弾性表面波フィルタを複数個並列に接続しているため、 挿入損失及 び urn力性が大幅に改善された良好な分波器のフィルタ特性を実現することがで きる。 特に、 耐電力性の向上により、 2重モード型弾性表面波はフィルタを分波 器のフロントエンド （共通端子に接続する初段のフィルタ） に配置することが可 能になる。
( 2 ) ( 1 )に記載の前記複数の 2重モ一ド型弾性表面波ブイルタは、例えば図 4 に示すように、 単一の出力を有する。
( 3 ) ( 1 )に記載の前記複数の 2重モード型弾性表面波フィルタは、例えば図 6 に示すようにバランス出力を有する。 バランス出力により、 分波器の後段の電子 回路を含め、 分波器が搭載される電子機器の設計が容易になる。
( 4 ) ( 1 ) から （3 ) のいずれ力一項記載の分波器において、 前記ラダー型弾性 表面波デバイスを ¾1言側に設け、 前記複数の 2重モード型弾性表面波デバイスを 受信側に設ける。 これにより、 言フィルタの通過帯域の立下りが急峻で、 受信 フィルタの通過帯域の立ち上がりが急峻で力ゝっ揷入損失及び而權力性が大幅に改 善された分波器のフィノレタ特性を実現することができる。
(5) 本発明はまた、 異なる帯域中心周波数を有する 2つの弾性表面波フィルタ と、 該 2つの弾†生表面波フィルタ同士の位相を整合させる位相整合用回路とを有 する分波器において、 一方の弾性表面波フィルタはラダー型弾性表面波フィルタ
(例えば図 8の 32 )であり、 他方の弾性表面波フィルタは並列に接続された複数 の 2重モード型弾性表面波フィルタ （例えば、 図 8の 34、 35、 51、 52) を複数段カスケード接続したことを特徴とする。 カスケード接続により、 受信フ ィルタの低周波数側の抑圧及び而 ί¾力性を更に改善することができる。
(6) (5) におレ、て、 図 8に示すように、嫌己他方の弾性表面波フィルタは並列 に接続された 2つの 2重モード型弾性表面波フィルタを 2段カスケ一ド接続した 構成とすることができる。
(7) (5) 又は （6) において、 図 8に示すように、 最終段の並列接続された複 数の 2重モード型弾性表面波フィルタは、 単一の出力を有する。
(8) (5) において、 図 11に示すように、最終段の並列接続された複数の 2重 モード型弹性表面波フィルタはバランス出力を有する。
(9) (5)〜（8) のいずれかにおいて、 図 8や図 11に示すように、前記ラダ 一型弾性表面波デバイスを送信側に設け、 鎌己複数段カスケ一ド接続した ffllE複 数の 2重モ一ド型弾性表面波デバイスを受信側に設ける。
(10) (1) 〜 （9) のいずれかにおいて、 図 4や図 8などに示すように、 前記 分波器の共通端子に接続された前記ラダー型弾性表面波フィルタの共振器は、 直 列共振器であることを糊敷とする。 これにより、 送信フィルタの受信帯域のイン ピーダンスが大きくなり、 受信フィルタの挿入損失を向上する
ことができる。
(11) (1)から（10)のいずれかにおいて、図 1 OAや 10Bに示すように、 前記 2つの弾性表面波フィルタの通過帯域の一方の立ち上がりの少なくとも一部 と他方の立下りの少なくとも一部が、 重なり合つている。 2つの弾性表面波フィ ルタの通過帯域の関係の一例である。
(12) 本発明はまた、 異なる帯域中心周波数を有する 2つの弾性表面波フィル タと、 該 2つの弾性表面波フィルタ同士の位相を整合させる位相整合用回路を積 層パッケージ（例えば，図丄 2の積層パッケージ 60) に収容し、一方の弾性表面 波フィルタはラダー型弾性表面波フィルタ （例えば図 11の 32) で、 他方の弹 性表面波フィルタは並列に接続された複数の 2重モード型弾性表面波フィルタ (例えば、 図 1 1の 34と 35、 36、 52) を少なくとも 1段含むことを樹教 とする分波器である。
(13) (12) において、 図 13Dなどに示すように、前記位相整合用回路は線 路パターンである。 線路パターンは製造上のばらつきが少ないので、 安定したフ ィノレタ特†生を得ることができる。
(14) (12)におレヽて、前記他の弾性表面波フィルタに対する Ιίίϊ己位相整合用 回路は線路パターンであり、 その長さは 0. 25え〜 0. 34え （ただし、 えは 前記 2重モード型弾性表面波フィルタを伝搬する弾性表面波の波長） の範囲内で ある。
(15) (12) において、前記他方の弾性表面波フィルタは、前記並列に接続さ れた複数の 2重モード型弾性表面波フィルタを 2段カスケード接続した構成を有 し、 2重モード型弹性表面波フィルタのダランドを共通ィ匕は、 鍵己積層パッケー ジ内の中間層以外で形成される。 これにより、 帯域外抑圧を向上させることがで きる。 この構成は例えば、 前述の第 5実施形態が備えている。
(16) (12) において、前記他方の弾性表面波フィルタは、前記並列に接続さ れた複数の 2重モード型弾性表面波フィルタを 2段カスケード接続した構成を有 し、 前記積層パッケージ内のワイヤボンディングパッド層は、 1段目の 2重モー ド型弾性表面波フィルタのグランドにワイヤボンディングで接続される第 1のパ ッドと、 2段目の 2重モード型弾性表面波フィルタのグランドにワイヤボンディ ングで接続される第 2のパッドとを有し、 前記第 1及び第 2のパッドは前記ワイ ャボンディングパッド層において独立したダランドである。 これにより、 帯域外 抑圧を向上させることができる。 この構成は例えば、 図 13Bに示すワイヤボン ディングパッド層 62力備えている。
(17) (12) において、前記他方の弾性表面波フィルタは、前記並列に接続さ れた複数の 2重モード型弾性表面波フィルタを 2段カスケ一ド接続した構成を有 し、 1段目と 2段目の 2重モード型弾性表面波フィルタのダランドは、 前記積層 パッケージ上面を形成する第 1の層 （例えば、 図 13 Aの 67 ) 及び共通ダラン ドを形成する第 2の層 （例えば、 図13£の76) とで共通化される。 これによ り、 帯域外抑圧を向上させることができるとともに、 外部ノイズの影響を受け難 くくすることができる。
(18) (12) において、前記他方の弾性表面波フィルタは、前記並列に接続さ れた複数の 2重モード型弹性表面波フィルタを 2段カスケード接続した構成を有 し、 1段目の 2重モード型弾性表面波フィルタのダランドにワイヤボンディング で接続される第 1のパッド （例えば、 図 13 Bの 80) と、 2段目の 2重モード 型弾性表面波フィルタのグランドにワイヤボンディングで接続される第 2のパッ ド（7510、 75„に接続されるパッド）はそれぞれ、 嫌己積層パッケージの外面に 形成される複数の外部接続端子に接続されている。 これにより、 分波器のグラン ドが強化され、 インダクタンス成分を減少させることができ、 帯域外抑圧を向上 させることができる。
(19) (12) において、前記積層パッケージを構成する各層は、前記積層パッ ケージの外面に形成されるグランド端子に接続されるグランドパターン (例えば、 図 13Cの 70や図 13Dの 89) を有する。 これにより、 分波器のグランドが 強化され、 インダクタンス成分を減少させることができ、 帯域外抑圧を向上させ ることができる。
(20) (12) において、前記積層パッケージ内の中間層はそれぞれ、前記積層 パッケージの外面に形成されるグランド端子に接続されるグランドパターンを有 し、 各グランドパターンは前記積層パッケージに形成される信^!パターン及び 該信号線パターンに接続するボンディングパッドと重ならないように配置されて レ、る。 これにより、 キャパシタンス成分を減少させ、 インピーダンスマッチング を向上させることができる。 例えば、 前記第 5実施形態がこの構成を備える。
(21) (12)において、前記異なる帯域中心周波数を有する 2つの弾性表面波 フィルタは 1つのチップ上に形成され、 前記他方の弾性表面波フィルタは前記並 列に接続された複数の 2重モード型弾性表面波フィルタを 2段カスケ一ド接続し た構成を有し、 各段のグランドは tilt己チップ以外で共通化されている。 これによ り、 帯域外抑圧を向上させることができる。 例えば、 l己第 5実施形態がこの構 成を備える。
( 2 2 ) ( 1 2 )におレ、て、嫌己分波器は肅己一方の弾性表面波フィルタを形成す る第 1のチップと、 他方の弾性表面波フィルタを形成する第 2のチップとを 有し、 Ιίίΐ己他方の弾性表面波フィルタは前記並列に接続された複数の 2重モード 型弾性表面波フィルタを 2段カスケ一ド接続した構成を有し、 各段のグランドは 前記チップ以外で共通ィ匕されている。 これにより、 帯域外抑圧を向上させること ができる。 例えば、 膽己第 5実施形態がこの構成を備える。
( 2 3 ) ( 1 2 )において、前記積層パッケージは共通グランドを形成する層を含 み、 該共通グランドは前記積層パッケージの側面に形成された複数の接続路及び Ιίίϊ己積層パッケージ内に形成された複数のビアを介して、 嫌己積層パッケージの 外面に形成されている複数の外部接続端子に接続されている。 これにより、 分波 器のグランドが強化され、 インダクタンス成分を減少させ、 帯域外抑圧を向上さ せることができる。 例えば、 前記第 6実施形態がこの構成を備える。
( 2 4 ) ( 1 2 ) において、前記他方の弾性表面波フイノレタは、前記並列に接続さ れた複数の 2重モード型弾性表面波フィルタを 2段カスケ一ド接続した構成を有 し、 前記積層パッケージは共通グランド層を含み、 該共通ダランド層は前記他の 弾性表面波フィルタの 1段目のグランド面を形成する第 1の共通ダランドバタ一 ンと、 2段目のグランド面を形成する第 2の共通グランドパターンを有する。 こ れにより、 帯域外抑圧を減少させることができるとともに、 外部ノィズの影響を 受け難くすることができる。 例えば、 前記第 7実施形態がこの構成を備える。
( 2 5 ) ( 1 2 )において、前記積層パッケージはワイヤボンディングパッドを有 する第 1の層と、 該第 1の層の上部に設けられ、 かつリング状のグランドパター ンを有する第 2の層とを有し、 前記ワイヤボンディングパッドのうちグランドと なるパッドと前記リング状のグランドパターンとは前記積層パッケージ内に形成 された複数のビアで接続される。 分波器のダランドがより強ィ匕され、 ィンダクタ ンス成分が減少して、 帯域外抑圧をより一層向上することができる。 例えば、 前 記第 8実施形態がこの構成を備える。
( 2 6 ) ( 1 2 )において、前記積層パッケ一 V する第 1の層と、 ΙίΐϊΕ位相整合用回路が形成される第 2の層とを有し、 前記第 1 の層は更に別の位相整合用回路を有し、 該別の位相整合用回路は前記積層パッケ ージ内に形成されたビアを介して前記第 2の層に形成された前記位相整合用回路 に接続される。 これにより、 分波器のィンピーダンスを複数箇所で調整すること ができ、 インピーダンスマッチングを向上させることができる。 この結果、 分波 器の挿入損失は向上する。 例えば、 前記第 9実施形態がこの構成を備える。
( 2 7 ) ( 2 6 ) において、前記別の位相整合用回路は、前記分波器の共通端子と 前記 2つの弾性表面波フィルタとの間に接続されている。
( 2 8 ) ( 1 2) において、前記別の位相整合用回路は線路パターンを有し、前記 ビアは前言線路パターンの途中に形成されている。 これにより、 分波器のインピ 一ダンスを複数箇所で調整することができ、 ィンピーダンスマッチングを向上さ せることができる。 この結果、 分波器の挿入損失は向上する。 例えば、 前記第 1 0実施形態がこの構成を備える。
( 2 9 ) ( 1 2 ) において、前記積層パターンは、肅己位相整合用回路が形成され る第 1の層と、 共通グランドが形成される第 2の層とを有し、 該共通グランドは 前記位相整合用回路全体を覆うように配置されている。 これにより、 分波器の特 性インピーダンスを容易に所望の値に設定することができる。 例えば、 前記第 1 1実施形態がこの構成を備える。
( 3 0 ) ( 1 2 ) において、前記積層パッケージは、 ワイヤボンディングパッドを 有する第 1の層と、 前記位相整合用回路を形成する位相整合用線路パターンが形 成される第 2の層とを有し、 前記ワイヤボンディングパッドは前記積層パッケ一 ジに形成された複数のビアを介して前記位相整合用線路パターンの両端に接続さ れるワイヤボンディングパッドを含む。 これにより、 ビアの抵抗値を全体として 低減させることができ、 分波器の挿入損失は低減する。 例えば、 前記第 1 2実施 形態がこの構成を備える。
( 3 1 ) ( 1 2) において、前體層パッケージは、前記 2つの弾性表面波フィル タが搭載されるダイァタツチ部が形成される層を有し、 該ダイアタッチ部は ΙΐίΙ己 2つの弾性表面波フィルタが形成される少なくとも 1つのチップの面積よりも広 い面積を有する。 これにより、 チップの位置ずれがあってもチップの搭載面全面 にグランド面を することができる。 例えば、 前記第 13実施形態がこの構成 を備える。
(32) (31)において、廳己ダイアタッチ部は複数の引き出しパターンを有し、 言鎌数の引き出しパターンは前記積層パッケージの側面に形成された接続路に接 続され、かつ 200 μιη以上の幅を有する。これによりグランドが一層強ィ匕され、 帯域外抑圧がより一層向上する。
(33) (12) において、前記積層パッケージは、 ワイヤボンディングパッドを 有する第 1の層と、 Ιΐίΐ己 2つの弾性表面波フィルタが搭載されるダイアタッチ部 が形成される第 2の層を有し、 前記ダイァタツチ部は前記積層パッケージに形成 された複数のビア及び ΙίίΙΕ^層パッケージの側面に形成された複数の接続路を介 して、 前記ワイヤボンディングパッドのうちのグランドに係るワイヤボンディン グパッドに接続されている。 これによりグランドが一層強化され、 帯域外抑圧が より一層向上する。 例えば、 前記第 14実施形態がこの構成を備える。
(34) (12) において、嫌己積層パッケージは、嫌己 2つの弾性表面波フィル タが搭載されるダイアタッチ部が形成される第 1の層と、 共通グランドが形成さ れる第 2の層とを有し、 前記ダイァタツチ部は前記積層パッケージに形成された 複数のビア及び前記積層パッケージの側面に形成された複数の接続路を介して、 前記共通グランドに接続されている。 これによりグランドが一層強ィヒされ、 帯域 外抑圧がより一層向上する。 例えば、 嫌己第 15実施形態がこの構成を備える。
(35) (12) 〜 （34) のレヽずれかにおいて、前記他方の弾性表面波フイノレタ の最終段は、 バランス出力を有する。
(36) 本発明はまた、 アンテナと、 これに接続される分波器と、 該分波器に接 続される 言系及び受信系回路とを具備し、 前記分波器は （1) から （36) の いずれかの分波器である。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 異なる帯域中心周波数を有する 2つの弾'性表面波フイノレタと、 該 2つの弾性 表面波フィルタ同士の位相を整合させる位相整合用回路とを有する分波器にぉレヽ て、
一方の弾性表面波フィルタはラダー型弾性表面波フィルタで、 他方の弾性表面 波フィルタは並列に接続された複数の 2重モード型弹性表面波フィルタを含む分 波器。
2 . 前記複数の 2重モード型弾性表面波ブイルタは単一の出力を有する請求項 1 記載の分波器。
3 . 前記複数の 2重モード型弹性表面波フィルタはバランス出力を有する請求項 1記載の分波器。
4 . 前記ラダー型弾性表面波デバイスを送信側に設け、 前記複数の 2重モード型 弾性表面波デバイスを受信側に設けた請求項 1記載の分波器。
5 . 異なる帯域中心周波数を有する 2つの弾十生表面波フィルタと、 該 2つの弾性 表面波フィルタ同士の位相を整合させる位相整合用回路とを有する分波器におい て、
一方の弾性表面波フィルタはラダー型弾性表面波フィルタであり、 他方の弾性 表面波フイノレタは並列に接続された複数の 2重モード型弾性表面波フィルタを複 数段カスケ—ド接続した分波器。
6 . 前記他方の弾性表面波ブイルタは並列に接続された 2つの 2重モード型弾性 表面波フィルタを 2段カスケ一ド接続した請求項 5記載の分波器。
7 . 最終段の並歹 I胺続された複数の 2重モード型弹性表面波フィルタは、 単一の 出力を有する請求項 5記載の分波器。
8. 最終段の並列接続された複数の 2重モード型弾性表面波フィルタは、 バラン ス出力を有する請求項 5記載の分波器。
9. 前記ラダー型弾性表面波デバイスを雄側に設け、 前記複数段カスケード接 続した前記複数の 2重モード型弾性表面波デバイスを受信側に設けた請求項 5記 載の分波器。
10. l己分波器の共通端子に接続された前記ラダー型弾性表面波フィルタの共 振器は、 直列共振器である請求項 1又は 5項記載の分波器。
11. 前記 2つの弾性表面波フィルタの通過帯域の一方の立ち上がりの少なくと も一部と他方の立下りの少なくとも一部が、 重なり合つている請求項 1又は 5記 載の分波器。
12. 異なる帯域中心周波数を有する 2つの弾性表面波フィルタと、 該 2つの弾 性表面波フィルタ同士の位相を整合させる位相整合用回路を積層パッケ一ジに収 容し、 一方の弾性表面波フィルタはラダー型弾性表面波フィルタで、 他方の弾性 表面波フィルタは並列に接続された複数の 2重モード型弾性表面波フィルタを少 なくとも 1段含む分波器。
13. 前記位相整合用回路は線路パターンである請求項 12に記載の分波器。
14. 膽己他の弾性表面波フィルタに対する前記位相整合用回路は線路パターン であり、 その長さは 0. 25え〜 0. 34ぇ （ただし、 λは前記 2重モード型弹 性表面波フィルタを伝搬する弾性表面波の波長） の範囲内である請求項 12記載 の分波器。
1 5 . 前記他方の弾性表面波フィルタは、 Ι ΐΕ並列に接続された複数の 2重モー ド型弾†生表面波フイノレタを 2段カスケード接続した構成を有し、 各段の 2重モ一 ド型弾性表面波フィルタのグランドを共通化するパターンは、 前記積層パッケ一 ジ内の中間層以外で形成される請求項 1 2記載の分波器。
1 6. ΙίΐΙΕ他方の弾性表面波フィルタは、 前記並列に接続された複数の 2重モー ド型弹性表面波フィルタを 2段カスケ一ド接続した構成を有し、 前記積層パッケ ージ内のワイヤボンディングパッド層は、 1段目の 2重モード型弾性表面波フィ ルタのグランドにワイヤボンディングで接続される第 1のパッドと、 2段目の 2 重モード型弾性表面波フィルタのグランドにワイヤボンディングで接続される第 2のパッドとを有し、 前記第 1及び第 2のパッドは前記ワイヤボンディングパッ ド層において独立したグランドである請求項 1 2記載の分波器。
1 7 . 肅己他方の弾性表面波フイノレタは、 前記並列に接続された複数の 2重モー ド型弾性表面波フィルタを 2段カスケ一ド接続した構成を有し、 1段目と 2段目 の 2重モード型弾十生表面波フィルタのダランドは、 前記積層パッケージ上面を形 成する第 1の層及び共通ダランドを形成する第 2の層とで共通ィ匕されている請求 項 1 2記載の分波器。
1 8 . 前記他方の弾性表面波フィルタは、 前記並列に接続された複数の 2重モー ド型弾性表面波フィルタを 2段カスケ一ド接続した構成を有し、 1段目の 2重モ 一ド型弾性表面波フィルタのグランドにワイヤボンディングで接続される第 1の パッドと、 2段目の 2重モード型弾性表面波フィルタのグランドにワイヤボンデ ィングで接続される第 2のパッドはそれぞれ、 前記積層パッケージの外面に形成 される複数の外部接続端子に接続されている請求項 1 2記載の分波器。
1 9. 前記積層パッケージを構成する各層は、 前記積層パッケージの外面に形成 されるグランド端子に接続されるグランドパターンを有する請求項 1 2記載の分 波器。
2 0 . 前記積層パッケージ内の中間層はそれぞれ、 前記積層パッケージの外面に 形成されるグランド端子に接続されるグランドパターンを有し、 各グランドパタ ーンは前記積層パッケージに形成される信^ ^パターン及び該信号線パターンに 接続するボンディングパッドと重ならないように配置されている請求項 1 2記載 の分波器。
2 1 . 前記異なる帯域中心周波数を有する 2つの弾' 14表面波フィルタは 1つのチ ップ上に形成され、 前記他方の弾' 表面波フィルタは fin己並列に接続された複数 の 2重モード型弾性表面波フィルタを 2段カスケード接続した構成を有し、 各段 のグランドは前記チップ以外で共通ィ匕されている請求項 1 2記載の分波器。
2 2 . 前記分波器は前記一方の弾性表面波フィルタを形成する第 1のチップと、 Ιΐί 他方の弾性表面波フィルタを形成する第 2のチップとを有し、 廳己他方の弾 性表面波フィルタは前記並列に接続された複数の 2重モード型弾性表面波フィル タを 2段カスケード接続した構成を有し、 各段のグランドは前記チップ以外で共 通化されている請求項 1 2記載の分波器。
2 3 . 前記積層パッケージは共通グランドを形成する層を含み、 該共通グランド は前記積層パッケージの側面に形成された複数の接続路及び前記積層パッケージ 内に形成された複数のビアを介して、 前記積層パッケージの外面に形成されてい る複数の外部接続端子に接続されている請求項 1 2記載の分波器。
2 4 . 前記他方の弾性表面波フィルタは、 編己並列に接続された複数の 2重モー ド型弾性表面波フィルタを 2段カスケ一ド接続した構成を有し、 前記積層パッケ ージは共通ダランド層を含み、 該共通ダランド層は前記他の弾性表面波フィルタ の 1段目のグランド面を形成する第 1の共通ダランドパターンと、 2段目のダラ ンド面を形成する第 2の共通グランドパターンを有する請求項 1 2記載の分波器。
2 5 · 前言 層パッケージはワイヤボンディングパッドを有する第 1の層と、 該 第 1の層の上部に設けられ、 力つリング状のダランドパターンを有する第 2の層 ング状のダランドパターンとは前記積層パッケージ内に形成された複数のビアで 接続される請求項 1 2記載の分波器。
2 6 . 前記積層パッケージはワイヤボンディングパッドを有する第 1の層と、 前 記位相整合用回路が形成される第 2の層とを有し、 前記第 1の層は更に別の位相 整合用回路を有し、 該別の位相整合用回路は fflf己積層パッケージ内に形成された ビアを介して前記第 2の層に形成された前記位相整合用回路に接続される請求項 1 2記載の分波器。
2 7 . 謙己別の位相整合用回路は、 前記分波器の共通端子と嫌己 2つの弾性表面 波フィルタとの間に接続されている請求項 2 6記載の分波器。 2 8 . 前記別の位相整合用回路は線路パターンを有し、 前記ビアは前記線路バタ ーンの途中に形成されている請求項 2 6記載の分波器。
2 9 . tfjf己積層パターンは、 ΙίίΙ己位相整合用回路が形成される第 1の層と、 共通 グランドが形成される第 2の層とを有し、 該共通グランドは嫌己位相整合用回路 全体を覆うように配置されている請求項 1 2記載の分波器。
3 0 . 前記積層パッケージは、 ワイヤボンディングパッドを有する第 1の層と、 前記位相整合用回路を形成する位相整合用線路パターンが形成される第 2の層と を有し、 編己ワイヤボンディングパッドは前記積層パッケージに形成された複数 のビアを介して前記位相整合用線路パターンの両端に接続されるワイヤボンディ ングパッドを含む請求項 1 2記載の分波器。
3 1 . 前記積層パッケージは、 前記 2つの弾性表面波フィルタが搭載されるダイ ァタツチ部が形成される層を有し、 該ダイァタツチ部は前記 2つの弾性表面波フ ィルタが形成される少なくとも 1つのチップの面積よりも広い面積を有する請求 項 1 2記載の分波器。
3 2 . 前記ダイアタッチ部は複数の引き出しパターンを有し、 該複数の引き出し パターンは前記積層パッケージの側面に形成された接続路に接続され、 かつ 2 0 0 μ m以上の幅を有する請求項 3 1記載の分波器。
3 3 . 肅 層パッケージは、 ワイヤボンディングパッドを有する第 1の層と、 前記 2つの弾性表面波フィルタが搭載されるダイァタッチ部が形成される第 2の 層を有し、 前記ダイアタッチ部は前記積層パッケージに形成された複数のビア及 び前記積層パッケージの側面に形成された複数の接続路を介して、 嫌己ワイヤボ ンディングパッドのうちのグランドに係るワイヤボンディングパッドに接続され てレ、る請求項 1 2記載の分波器。
3 4 . 前記積層パッケージは、 前記 2つの弾性表面波フィルタが搭載されるダ ィァタツチ部が形成される第 1の層と、 共通グランドが形成される第 2の層とを 有し、 tilt己ダイァタツチ部は前記積層パッケージに形成された複数のビア及び前 記積層パッケージの側面に形成された複数の接続路を介して、 編己共通グランド に接続されている請求項 1 2記載の分波器。
3 5 . 前記他方の弾性表面波フィルタの最終段は、 バランス出力を有する請求項 1 2記載の分波器。
3 6 . アンテナと、 これに接続される分波器と、 該分波器に接続される送信系及 び受信系回路とを具備し、 前記分波器は異なる帯域中心周波数を有する 2つの弾 性表面波フィルタと、 該 2つの弾性表面波フィルタ同士の位相を整合させる位相 整合用回路とを有する分波器にぉレヽて、 一方の弾性表面波フィルタはラダー型弾 性表面波フィルタで、 他方の弾性表面波フィルタは並列に接続された複数の 2重 モ一ド型弾性表面波フィルタを含む電子装置。
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