TWI311858B - Duplexer and electronic device using the same - Google Patents

Duplexer and electronic device using the same Download PDF

Info

Publication number
TWI311858B
TWI311858B TW091133738A TW91133738A TWI311858B TW I311858 B TWI311858 B TW I311858B TW 091133738 A TW091133738 A TW 091133738A TW 91133738 A TW91133738 A TW 91133738A TW I311858 B TWI311858 B TW I311858B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
acoustic wave
surface acoustic
duplexer
filter
layer
Prior art date
Application number
TW091133738A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200301617A (en
Inventor
Iwamoto Yasuhide
Inoue Shogo
Tsutsumi Jun
Ikata Osamu
Original Assignee
Fujitsu Media Devices Limite
Fujitsu Limite
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Media Devices Limite, Fujitsu Limite filed Critical Fujitsu Media Devices Limite
Publication of TW200301617A publication Critical patent/TW200301617A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI311858B publication Critical patent/TWI311858B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/644—Coupled resonator filters having two acoustic tracks
    • H03H9/6456—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled
    • H03H9/6469—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via two connecting electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
    • H03H9/0028—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
    • H03H9/0028—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
    • H03H9/0047—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks
    • H03H9/0066—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks being electrically parallel
    • H03H9/0076—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having two acoustic tracks being electrically parallel the balanced terminals being on opposite sides of the tracks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
    • H03H9/0028—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
    • H03H9/0085—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having four acoustic tracks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0566—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers
    • H03H9/0576—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers including surface acoustic wave [SAW] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/6436—Coupled resonator filters having one acoustic track only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/644—Coupled resonator filters having two acoustic tracks
    • H03H9/6456—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled
    • H03H9/6469—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via two connecting electrodes
    • H03H9/6476—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via two connecting electrodes the tracks being electrically parallel
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/6483—Ladder SAW filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15313—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a land array, e.g. LGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H2250/00—Indexing scheme relating to dual- or multi-band filters

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Description

1311858 玖、發明說明 (發明說明應敘明：發明所屬之技術領域、先前技術.内容、實施方式及圖式簡單說明） 【餐^明所屬戈-控>糊"領域^】 本發明係有關於使用通帶型之表面聲波濾波器所構成 之雙工器。 5 【先前技術j 近年’伴隨行動無線電通訊系統之發展，行動電話、 PDA等迅速普及化，各製造廠商之間正進行著這些終端器 之小型、尚性能化之競爭。又，行動電話之系統採用類比 式及數位式兩種，使用頻率也多樣分歧地橫跨 10 800MHz〜1GHz 頻帶及 L5GHZ〜2 〇GHz 頻帶。 又，近年之行動電話之開發中，由於系統之多樣化， 係藉進行雙模式（類比與數位並用、數位之TDMA :分時 多重進接方式，與CDMA分碼多重進接方式並用）化、或 雙頻（800MHz頻帶與19GHz帶、9〇〇MHz頻帶與18 15 GHz < i.5GHz頻帶之並用）化來使終端高性能化。使用 於每些的零件也必須高性能化而進行各式各樣的開發。另 方面’除性能之外’尋求體積小型且低成本化當然也是 必要的。 在34種移動式終端器中，雙工器之使用目的係使訊號 2〇刀歧、產生。雙工器一般具有濾波器與阻抗匹配電路，濾 ;皮器多為使用介電質之帶通濾波器、除帶濾波器、或由這 些之組合所構成者。，然而，最近正研究、開發使用表面聲 波濾波器以更進一步小型化、高性能化。 第1 A、1B圖係用以說明雙工器之圖，第1A圖係顯示 1311858 玖、發明說明 雙工器之構造之方塊圖，第1B圖係顯示雙工器之頻率特 性之圖。又，第1B圖之橫軸為頻率（頻率向右變高），縱 軸為通過強度（向上變高）。如第1A圖所示，雙工器1〇 具有兩個濾波器12，13、阻抗匹配電路（以下簡稱匹配電路 5 ) 11、共通端子14、及個別端子15及16。濾波器12及 13以表面聲波遽波器構成，各自具有彼此相異之通帶中心 頻率FI、F2 (F2>F1)。例如，滤波器12為發射用遽波器 ，濾波Is 13為接收用濾波器（以下，濾波器12及丨3亦分 別稱為發射用濾波器及接收用濾波器）。例如，在i9GHz 10頻帶之雙工器中，Η及F2之頻率差為100MHz。 匹配電路U是為了避錢波器12、13使彼此之遽波 器特性低劣化而設置。以下，令從共通端子14看濾波器 12時之特性阻抗為Z1、看渡波器13時之特性阻抗為a。 藉由匹配電路11之作用’從共通端子14輸入之訊號之頻 15率為F1時，濾波器U方面之特性阻抗Z1與共通端子14 之特性阻抗值ϋ紐器13方面之特性阻抗為無限大 且反射係數變成1。又，當訊號之頻率為F2時，濾波器12 方面之特性阻抗為無限大且反射係數為丨，而濾波器U之 特性阻抗Z2與共通端子14之特性阻抗一致。 ?〇 以往’在特開平6-310979號公報、特開平1(M262i3 號公報、特開2001_267881號公報中，記載有使用表面聲 波滤波器之雙工器。其中，特開平6-310979號公報、特開 平10 126213號公報中，揭示了關於匹配電路之改良。又 ，特開2GG1_267881號公報中，記載了關於梯形表面聲波 1311858 玖、發明說明 濾波器或雙模式表面聲波遽波器，更記載了具有雙工器之 無線裝置之高頻電路。又，特開平11-34〇772號中，揭示 了組合梯形表面聲波較器與雙模式表面聲波毅器來作 為雙頻渡波器來使用，而不是作為雙工器。 又々第2圖所示’習知技術中，發射側及接收側皆 使用梯形表面聲波濾波器之雙工器是已知的。構成梯形表 面聲波遽波器之各共振器2G係、！埠表面聲波共振器，且由 數位間轉換器21及設於其兩側之反射器22,23所形成。 然而’特開平6-31〇979號公報 '特開平1〇 126213號 1〇公報中，雖就匹配電路說明了其改善，但並未就雙工器之 發射侧及接收濾波器加以詳細說明。又，特開2〇〇1_ 期81號公報中’說明了梯形表面聲波滤波器或雙模式表 面聲波濾波器，但並未記載作為雙工器所要求之耐電力性 與表面聲波滤波器之關係、或雙工器之發射頻帶及接收頻 15帶與表面聲波濾波器之關係。 T 3己載之表面聲波濾波器係 入，特開平11-340772 以兩個通過中心頻率為2倍或4倍這種差異大之情況為前 提，而不是以一側之濾波器特性上升（或下降）會給予另 —側之渡波器特性下降（或上升）帶來影響之雙工器為前 提。
另外，第2圖所示之雙工器，正如第3圖之摘圓部分 所示，與發射濾波器12之通帶重疊之接收濾波器13之低 頻率側抑制度並不高，因此不利地干涉了發射頻帶。 t發明内容:J 20 1311858 玖、發明說明 因此，本發明之目的是實現一種使用雙模式表面聲波 濾波器來改善耐電力性與濾波器特性兩方面之雙工器。 為了達成上述課題，本發明係如申請專利範圍第】項 所記載的，為一種雙工器，係具有不同頻帶中心頻率之兩 5個表面聲波遽波器、及使前述兩個表面聲波滤波器之相位 匹配之相位匹配用電路者，其中一側之表面聲波遽波器為 梯形表面聲波遽波器，另一側之表面聲波減波器為含有並 聯連接之多數雙模式表面聲波渡波器。梯形表面聲波遽波 器不僅耐電力性優異且下降陡&。相對於此，冑模式表面 10聲波遽波器之上升陡峻這種本來的特性，再加上將多數個 雙模式表面聲波遽波器並聯連接’故可實現插入損失及耐 電力性皆獲得大幅改善之良好雙工器之遽波器特性。特別 疋藉由耐電力性提昇，使得雙模式表面聲波可將濾'波器配 置於雙工器之前級（連接於共通端子初區段之濾波器）。 15 圖式簡單說明 第1A圖係顯示雙工器之電路構造，第1B圖係顯示濾 波器通過特性之圖。 第2圖係顯示使用習知之表面聲波濾波器之雙工器之 一例之圖。 第3圖係顯示第2圖中所示之雙工器之濾波器特性之 圖。 第4圖係顯示有關本發明之第1實施形態之雙工器之 圖。 第5圖係用以說明DMS濾波器單體與並聯連接兩個 10 1311858 玖、發明說明 DMS遽波器時之特性之不同之圖。 第6圖係顯示有關本發明之第2實施形態之雙工器之 圖。 第7A圖係用以說明平衡輪出之雙工器之電路構造， 5第7B圖係用以說明平衡輸出之圖。 第8圖係顯示有關本發明之第3實施形態之雙工器之 圖。 第9圖係顯示有關本發明之第3實施形態之雙工器之 滤波器特性之圖。 1〇 第1〇A、1〇B圖係用以說明藉由增加DMS濾波器之並 聯連接之各數使耐電力性提昇之圖。 第11圖係顯示有關本發明之第4實施形態之雙工器之 濾波器特性之圖。 第12A圖係顯示有關本發明之第5實施形態之雙工器 15之截面圖，第12B圖係拆卸帽蓋後之狀態之平面圖。 第13A、13B、13C、13D、13E及13F係顯示將有關 本發明之第5實施形態之雙工器之疊層殼體分解後之各層 之圖。 第14圖係顯示有關本發明之第5實施形態之雙工器之 20晶片與引線接合墊層之連接關係之圖。 第15A、15B圖係用以說明梯形表面聲波濾波器與 DMS濾波器之阻抗之圖形。 第16圖係顯示雙模式表面聲波濾波器之特性之圖。 第Π圖係從上面透視有關本發明之第6實施形態之雙 1311858 玖、發明說明 工器之共通接地/腳襯墊層之下面時之圖。 第18A、18B、18C、18D、18E及18F圖係顯示構成 有關本發明之第7實施形態之雙工器之疊層殼體之各層之 圖。 5 第19A圖係有關本發明之第8實施形態之雙工器之帽 蓋搭載層之平面圖，第19B圖係引線接合墊層之平面圖。
第20A圖係顯示有關本發明之第9實施形態之雙工器 之電路構造之圖，第20B圖係雙工器之引線接合層之平面 圖。 10 第21A圖係顯示有關本發明之第10實施形態之雙工 器之電路構造之圖，第21B、21C及21D圖係顯示雙工器 之引線接合層之形態之平面圖。 第22A、22B、22C、22D及22E係將有關本發明之第 11實施形態之雙工器之疊層殼體分解後之各層之平面圖， 15 第22F圖係底面圖。
第22G圖係有關本發明之第11實施形態之雙工器之 截面圖。 第23圖係顯示本發明之第11實施形態中所使用之相 位匹配用線路圖案之特性阻抗之安定度，及比較例之特性 20 阻抗之安定度之圖形。 第 24A、24B、24C、24D、24E、24F 及 24G 圖係顯示 相對於本發明之第11實施形態之比較例之圖。 第25A圖係顯示第24A〜24G圖所示之比較例中所使 用之DMS濾波器單體之反射特性之圖，第25B圖係顯示 12 1311858 玖、發明說明 第22A〜22G圖所示之第u實施形態中所使用之DMS濾波 器單體之反射特性之圖。 第26圖係比較第22A〜22G圖所示之第11實施形態與 第24A〜24G圖所示之比較例之接收濾波器之插入損失之圖 5 〇 第27A、27B、27C、27D、27E及27F係顯示有關本 發明之第12實施形態之雙工器之圖。 第28圖係顯示第5實施形態之接收濾波器與第12實 施形態之接收濾波器之插入損失之圖。 10 第29圖係說明過渡區之圖。 第30圖係顯示第5實施形態與第12實施形態之過渡 區（MHz)之圖。 第31圖係顯示有關本發明之第ι3實施形態之雙工器 之黏晶層、及作為比較例之第5實施形態之黏晶層之圖。 15 第32圖係顯示有關第5實施形態及第13實施形態之 雙工器之鬲頻側之通帶外抑制之圖。 第33圖係顯示有關本發明之第14實施形態之雙工器 之引線接合層、黏晶層與雙工器之截面之圖，以及作為比 較例之第5實施形態之引線接合層、黏晶層與雙工器之截 20 面之圖。 第34圖係顯示有關本發明之第5實施形態及第14實 鉍形態之雙工器之高頻側之通帶外抑制之圖。 第35圖係顯示有關本發明之第15實施形態之雙工器 之黏晶層、共通接地/腳襯墊層之上面及截面，以及作為 13 1311858 玖、發明說明 t匕·4列氧 c 啦 * 3貫施形態之黏晶層、共通接地/腳襯墊層之 上面及戴面之圖。 第36圖係顯示有關第5實施形態與第15實施形態之 雙工益之高頻側之通帶外抑制之圖。 第37圖係顯示有關本發明之第16實施形態之雙工器 之明片與引線接合墊層之連接關係之平面圖。 第38圖係顯示有關本發明之第16實施形態之雙工器 之曰曰片與引線接合墊層之其他連接關係之平面圖。 第39圖係顯示有關本發明之第丨6實施形態之雙工器 曰曰片與引線接合墊層之另一其他連接關係之平面圖。 第40圖係顯示本發明之第17實施形態之通訊裝置。 【實施方式】 以下，參照所附上之圖式來說明本發明之實施形態。 (第1實施形態） 15 帛4圖係顯示藉本發明之第1實施形態作成之雙工器 之圖。又’第4圖中’與前述構成要素相同者則賦予相同 /考符號圖不之雙工器具有梯形表面聲波滤波器及 縱向偶合雙模式表面聲波遽波器33。梯形表面聲波渡波器 為雙工器之發射濾波器’縱向偶合雙模式表面聲波濾波 20 33為接收滤波器。這些遽波器以33具有不同的通帶 中。頻率 梯形表面聲㈣、波器32之—端連接於共通端子 14 ’另-端則連接於個別端子（發射側端子）15。同樣的 ’縱向偶合雙模式表面聲波遽波器33之—端隔著匹配電路 u連接於共通端子14，另—端連接於個別端子（接收側端 14 1311858 玖、發明說明 子）16。 本實施形態之特徵之一，在於：發射濾波器為將多數 之1埠表面聲波共振器20以梯形連接之梯形表面聲波濾波 器32，相對於此，接收濾波器係以縱向偶合雙模式表面聲 5 波濾波器33構成。以下，稱梯形表面聲波濾波器32為發 射濾波器，縱向偶合雙模式表面聲波濾波器33為接收濾波 器。 接收濾波器33為將多數之雙模式表面聲波濾波器（在 第4圖之實施形態中，為兩個雙模式表面聲波濾波器34及 10 35 :以下略稱為DMS ( Dual Mode SAW)濾波器）並聯連 接之電路構造。DMS濾波器34及35各自具有例如三個數 位間轉換器（以下略稱IDT ) 36、37與38，以及兩個反射 器39與40。又，為求方便，故省略DMS濾波器35之各 部參考符號。IDT36、37及38係配置成於表面聲波之傳播 15 方向彼此相鄰。反射器39及40為例如光柵反射器，且配 置成與IDT37及40彼此相鄰。DMS濾波器35也是相同構 造。 兩個DMS濾波器34及35係如下述並聯連接。DMS 濾波器34及35之各自之IDT36之一側之交叉指形電極（ 20 interdigital electrodes )經共通連接，並連接於匹配電路11 之一端，另一側之交叉指形電極則接地。DMS濾波器34 之IDT37及38之各自之一側之交叉指形電極為互相連接 ，更連接於業經相同連接之DMS濾波器35之IDT37及38 之各自之一側之交叉指形電極，並同時連接於接收端子16 15 1311858 玖、發明說明 。IDT37及38之另一側為接地。 第5圖為說明DMS濾波器單體與將2個DMS渡波器 並聯連接之構造之特性之不同之圖。DMS濾波器與梯形滤 波器相較起來’ IDT之對數極端地少，故因IDT電極指之 5電阻之插入損失顯著地增大。尤其是當頻率高（圖示之例 中為1.9GHz頻帶）時，由於電極幅細微地變為〇.5 “瓜， 因此插入損失非常大。於是，如圖所示，藉由將2個開口 長減為半分之DMS濾波器並聯連接，可使電極指之電阻值 減低1/4，並將插入損失減低h2dB。一般來說，將n個開 10 口長作成1/N之DMS濾波器並聯連接，則電極指電阻會變 成1/ (NxN)，故只要增加並聯連接之個數直到看不見因電 阻之插入損失之增加為止即可。 又，藉由並聯連接多數個DMS濾波器（第4圖之構造 例中為2個）使咼電力分散，減低DMS濾波器丨個所需電 15力，可確保雙工器充分適用之耐電力性。又，關於耐電力 性，留待後述。更，由於連接於共通端子14之發射濾波器 32之表面聲波共振器係設置為串聯臂（series arm)之串聯 共振器’因此發射遽波器之接收通帶之阻抗變大，可使接 受濾波器之插入損失向上提高。 20 上述說明中，發射濾波器32之通帶中心頻率F1與接 收濾波器33之通帶中心頻率F2為f 1 <F2，使用梯形表面 聲波;慮波器之發射;慮波器3 2之通帶之下降與接收遽波器 33之上升之至少一部分為重疊。相對於此，即使是F 1>F2 之關係，仍可實現接收濾波器33之插入損失及耐電力性大 16 1311858 玫、發明說明 幅改善之雙工器。 又’並聯連接之DMS濾波器並不限定於2個，亦可構 成並聯連接3個以上之DMS濾波器之構造。這一點留待後 述。 5 第4圖所示之各1DT ,係於以預定角度將LiTa〇3等壓 電材料開口之基板（例如〇ut_x_傳播）上，藉难射法 形成以A1為主成分之合金或其多層膜，再藉曝光蝕刻而 形成圖案者。發射濾波器32與接收濾波器33可為個別分 開之基板，亦可為共通之基板。上述該點在其他實施形態 1〇 亦相同。 (第2實施形態） 第6圖係顯示有關本發明之帛2冑施形態之雙工器之 圖。圖中，與前述之構成要素相同者則賦予相同參考符號 。第6圖所示之雙工器，係將有關第1實施形態之雙工器 Η之接收濾、波器33變更連接成為平衡（差分）輸出者。第6 圖中係將該接收據波器作為接收滤波器45顯示。本實施形 態中，在第4圖中為接地之_7之交又指形電極，在 DMS遽波H 34與35間相互連接，且連接於新設之接收側 端子46。經由該接收側端子46與另_接受侧端子Μ 20 到平衡輸出。 h… 不,八國丫以第6 圖之雙工器作為雙工杳掘一 00來顯不。如第7B圖中 收訊號1、接收訊號2所示， 為接 十衡輸出為同振幅逆相位之 訊號輸出。藉由平衡齡Φ .. 十衡輸出’使仃動電話等電子機器之電性 17 1311858 玖、發明說明 電路設計容易地進行。尤其是，由於雙工器連接於後段之 K，故可輸出相位刚。相異之2個接收訊號之構造，較之 單一輸出有利。 (第3實施形態） 5 帛8圖係顯示有關本發明之第3實施形態之雙工器之 圖。圖中，與前述構成要素相同者則賦予相同參考符號。 本實施形態之接收遽波器50係將業經並聯連接之多數 咖遽波器以多數區段串接之構造之_實施形態。第8圖 之例中，接收濾波器50係將業經並聯連接之2個DMs濾 10波器34、35以2區段串接者。第8圖中，第2區段之業經 並聯連接之2個DMS濾波器以參考符號51、52表示。 DMS慮波器34及51之交又指形電極37連接成如圖所示 ，交叉指形電極38亦連接成如圖所示。又，為求方便，僅 賦予DMS濾波器34這個DMS濾波器參考符號。同樣的 15 ’ IDT35與IDT5k交又指形電極連接成如圖所示。 第9圖中，顯示有關第8圖所示之第i實施形態之雙 工器之濾波器特性。圖中所示特性係發射濾波器32之通帶 中〇頻率F1與接收滤波器50之通帶中心頻率F2兩者之 關係為F1<F2時之特性。如眾所周知地，梯形表面聲波濾 2〇波器耐電力性優異且下降陡峻。相對於此，本實施形態之 DMS ;慮波器為上升陡峻這種dms遽波器本來的特性，再 加上將多數個DMS濾波器並聯連接且串接，故可大幅改善 插入損失及耐電力性。因此，如第9圖所示，接收濾波器 33之通帶之上升（低頻率侧）比使用梯形表面聲波濾波器 1311858 玫、發明說明 時陡峻，且可於改善插入損失之同時並改善發射濾波器32 方面之抑制。 上述說明中，發射濾波器32之通帶中心頻率F1與接 收濾波器50之通帶中心頻率Ρ2為F1<F2，而發射濾波器 5 32之通帶之上升與DMS濾波器50之下降之至少一部分重 登。相對於此，即使是F1>F2之關係，仍可實現接收濾波 态50之插入損失及耐電力性獲得大幅改善之雙工器。 在此，就增加DMS濾波器之並聯連接之個數提昇耐電 力性’參照第10A、10B圖說明之。 10 本發明人以第8圖所示之構造，進行耐電力試驗。試 驗中，從發射端子15外加電壓，從共通端子14取出輸出 訊號。由於對發射濾波器32施加電壓，因此在正常的耐電 力試驗中，經過一定程度之時間後，首先發射濾波器32會 遭到破壞（正常的耐電力試驗結果）。然而，以第8圖所示 15之構造進行耐電力試驗，結果接收濾波器50先破壞（第 10A圖）。這意味著，藉由發射濾波器％與接收漉波器5〇 之間些微的阻抗之不匹配，使接收濾波器5〇也有漏電，而 藉該漏出之電力使接收濾波器50先遭破壞。 於是，為了使DMS濾波器之耐電力性向上提昇，於是 2〇將3個並聯連接之DMS濾波器串接。各DMS濾波器之開 口長為單體DMS濾波器之1/3倍。結果，加諸於丨個 DMS濾波器之電力減低，提昇了耐電力性（第1〇B圖）。 故，將DMS濾波器用於雙工器之接收側濾波器時，從 耐電力性之觀點來看，至少藉單體DMS濾波器或單體 19 1311858 玖、發明說明 DMS濾波器之串接是不適當的， 、田们’因此可說有必要並聯連接 多數個。 (第4實施形態） 第11圖係顯示有關本發明之第4實施形態之雙工器之 5圖。圖中’與前述構成要素相同者則賦予相同符號。第u 圖中所示雙工器係將有關第3實施形態之雙工器之接收濾 波器50之連接變更為平衡（差分）輸出者。在第U圖中 以該接收渡波器作為接收濾波器55表示。在本實施形態中 ’係將在第8圖中為接地之1〇丁36之交叉指形電極於麵 10滤波器51與52之間相互連接，同時並連接於新設置之接 收端子46。經由該接收端子46與另—接收端子16而得到 平衡輸出。 (第5實施形態） 第12 A圖係顯示有關本發明之第5實施形態之雙工器 15之縱截面圖，第12B圖係將第12A圖所示之帽蓋67拆卸 後之雙工器之平面圖。本實施形態係將具有上述第丨〜第5 實施形態之構造之任一者之雙工器加以殼體化。以下說明 之殼體同樣也適用於上述第丨〜第5實施形態之構造以外之 雙工器。 2〇 第12A圖所示之雙工器具有疊層殼體60、晶片69、 相位匹配用線路圖案72及帽蓋67。疊層殼體中，5個 疊層61〜65係如圖示疊層。層61為帽蓋搭載層。層62為 引線接合墊層。層63為黏晶層。層64為相位匹配用線路 圖案層。層65為共通接地/腳襯墊層。這些層6i〜65各自 20 Ι3Π858 坎、發明說明 以例如介質常數（ε )為9.5之氧化鋁或玻璃陶瓷之材科 製作。帽蓋搭載層61與引線接合墊層62在殼體内部形成 有階梯狀部分。該階梯狀之空間形成了收納晶片69之凹部 。晶片69即收納於該凹部内。晶片69有單一之情況及多 5 數（例如2個）之情況。單一之情況時，發射側與接收側 之據波器形成於單一之壓電基板上。相對於此，使用例如 2個晶片69之情況時，一側之晶片上形成發射侧濾波器， 另—側之晶片則形成接收侧濾波器。以下，將第5實施形 態作為使用單一晶片者說明之。晶片69固定於黏晶部70 1〇 上’該黏晶部70係使用作為黏著劑功能之導電性黏著劑 71而形成於黏晶層63上。黏晶部70形成有晶片搭載面， 以例如Α1等之導電性材料製作。又，疊層殼體之尺寸為例 如.約 5mmx5mmxl.5mm 或 3.8mmx3.8mmxl.5mm ( 1.5mm 為殼體之高度（厚度））。
15 帽蓋搭載層61上安裝有帽蓋67。第13A圖為第12A 、12B圖中所示之雙工器之平面圖。帽蓋67係用以密封晶 片69。帽蓋67係由Au鍍金或Ni鍍金等金屬材料作成。 又，疊層殼體60之側面形成有半圓形之溝83。圖示之例 子中，每一側形成有3個溝83。這些溝從帽蓋搭載層61 2〇連續到共通接地/腳襯墊層65。溝83設有導電層而形成連 接路（側城堡結構）75 (第12A圖）。連接路75可形成層 間之導通，同時亦可作為外部連接端子使用。又，關於圖 示之[GND共通化]留待後述。 第12B圖為將第12A圖之帽蓋67拆卸後之狀態之雙 21 1311858 玫、發明說明 工器之平面圖。拆除帽蓋67後，即顯出晶片69、帽蓋搭 載層61及引線接合墊層62之-部分。如第12B圖所示: 帽蓋搭載層61上形成有以AI科電材料所形成之密封環 74。帽蓋67即搭載於密封環74上。又，帽蓋搭載層心 5中央具有開口部73。該開口部73形成有收納晶片的之空 腔。密封環74連接於各連接路75，但不包含位於疊層殼 體60之各侧面中央之合計4個連接路75。 晶片69形成第1〜第4實施形態之梯形表面聲波濾波 器及DMS濾波器。例如，晶片69形成第8圖中所示之梯 1〇形表面聲波濾波器32及DMS濾波器50。例如，梯形表面 聲波濾波器32為發射濾波器，DMS濾波器5〇為接收濾波 器。參考符號77所表示之多數個區塊為模式地顯示梯形表 面卓波;慮波器32之共振器（電極及反射器之圖案），參考 符號78所表示之多數個區塊則為模式地顯示QMS遽波器 15 5〇之共振器（電極及反射器之圖案）。這些共振器經由形 成於基板上之配線圖案而如第8圖所示地配線，且同時連 接於形成於晶片69之基板上之多數引線接合墊79。基板 材料係以例如LiTa〇3 (例如42。Y-cut-X傳播）等之壓電單 結晶製作。形成於基板上之電極為例如以A1為主成分之合 20 金（Al-Cu、Al-Mg 等）及其多層膜（例如 Al-Cu/Cu/Al-Cu 、Al/Cu/Al、Al/Mg/Al、Al-Mg/Mg/Al-Mg)，係藉由濺射法 形成，藉曝光、蚀刻圖案化而形成。 引線接合墊79係使用接合引線68連接於形成於引線 接合墊層62上之多數引線接合墊80。接合引線以例如A1_ 22 1311858 玖、發明說明
Si形成。又’幾個引線接合塾79上，設有用以形成與別 層之電性連接之通孔86i〜864 〇 第13B圖所不，引線接合墊層62於中央具有開口 開口 °卩84比帽蓋搭載層61之開口部73小。沿著 1 I5 84之對向之2邊’各自排列有多數引線接合塾79 引線接合墊79上更形成有圖示之配線圖案。 第14圖係顯示晶片69與引線接合替層&之連接關係 之平面圖。帛14圖中所示參考符號75广7512係代表12個 連接路（側城堡結構）75。又，參考符號75广7512所添附 1〇之語句係說明對應之連接路之機能。連接路75!及752形成 DMS遽波器50之第！區段（第8圖之DMS濾波器34及 35所形成之區段）之接地。連接路75〗形成與第8圖中所 示之發射側子15之腳城堡結構（f〇〇t castellation)(以 後述腳襯墊形成）之連接。連接路754形成梯形表面聲波 15濾波器32之接地。連接路75s形成DMS濾波器50之第1 區段之接地，或梯形表面聲波濾波器32之接地。連接路 75e形成與第8圖中所示之共通端子（天線端子）14之腳 城堡結構之連接。連接路757與758形成DMS濾波器50 之第2區段（由第8圖之DMS濾波器51及52形成之區段 20 )之接地。連接路759形成與第8圖所示之接收侧端子16 之腳城堡結構之連接。連接路751G及75u形成DMS濾波 器50之第2區段之接地。連接路7512不連接於引線接合 墊層62之圖案。 如上所述，DMS濾波器50之第1區段之接地連接於 23 1311858 玫、發明說明 多數連接路（換言之為後述之腳㈣所形成之外部連接端 子）乃丨、752 (不包含755)，且DMS遽波器5〇之第2區 段之接地連接於其他多數連接路（外部連接端子） 5 10 15 乃8、75l。、75n。藉此構造強化接地，減低電感成分，7可 使通帶外抑制提昇。X，構成上述接地之連接路％％ 7 758 7510 75n (不含755 )藉由形成於共通接地/ 腳襯墊層65上面之共通接地圖案層76而與帽蓋搭载層Μ 上形成之密封環74共通化。換言之，並非藉中間層62,63 及64共通化。藉此’使雙工器之通帶外抑制得以大幅度地 變大。關於這一點，參照第16圖留待後述。 具有上述機能之導電層75i〜75u經由引出配線連接於 對應之引線接合墊80。引線接合墊8〇中，參考符號8〇ι為 一端）之引線接合墊，參 相位匹配用線路圖案72之入口 考符號8〇2顯示相位匹配用線路圖案72之出口（另一端） 之引線接合墊。這些塾8〇1、8〇2各自經由通孔86ι、％連 接於形成於相位匹配用線路圖㈣64之相位匹配用線路圖 案72之入口及出口。 黏晶層63係構成為如第13C圖所示。黏晶層63上形 成有用以形成接地圖案之黏晶部7〇。黏晶部7〇上形成有 20與晶片69連接之4個塊狀厚塗部。4個厚塗部係在形成黏 晶部70之際，藉由將該部分厚塗而形成。如第12A圖所 示，使用導電性接著劑71 ,將晶片69安裝於黏晶部7〇上 。4個厚塗部起著使導電性接著劑71普及晶片69底面全 部之作用。黏晶部70經由引出圖案87連接於作為接地功 24 1311858 玖、發明說明 能之導通部75,、752及75s。黏晶部70不連接第14圖所 示之DMS濾波器之形成第2區段之接地之導通部757、758 、7510、75n。亦即，DMS濾波器之第1區段及第2區段 並未共通化。這是由於如後所述，藉由上述GND構造可提 5 高濾波器之抑制度。 黏晶層63設置於第13D圖所示之相位匹配用線路圖 案層64上。如第13D圖所示，相位匹配用線路圖案層64 上开》成有相位匹配用線路圖案72。相位匹配用線路圖案 72為了確保所希望之長度，故形成為折彎之圖案。相位匹 1〇配用線路圖案72以例如以銅（Cu)、銀（Ag)、鎢（w) 等為主成分之導電材料製作。相位匹配用線路圖案係在 相位匹配用線路圖案層64上形成導電膜，再將之藉雷射微 調等手法圖案化而形成。相位匹配用線路圖案層64之兩端 ，連接於前述通孔861與862。相位匹配用線路圖案72為 15例如約8〇/Zm〜120#m寬度之微帶傳輸線圖案。位於相位 匹配用線路圖案72之上下之接地電位之圖案形成微帶傳輸 線之接地。相位匹配用線路圖案72由於幾乎沒有類似電路 零件之製造良莠不齊，故可得到安定之濾波器特性。 接著說明相位匹配用線路圖案72之作用。第15A、 20 15B圖係用以比較第2圖所示之習知雙工器（接收濾波器 使用梯形表面聲波驗器13者）、與第8圖所示之本發明 之雙工器（接收遽波器使用DMS滤波器5〇)兩者之接收 遽波器之阻抗之圖形。如第15A圖所示，梯形表面聲波爐 波器13與DMS濾波器50之相位旋轉前之阻抗特性不同。 25 1311858 玖、發明說明 由於使發射通帶之相位旋轉後之阻抗接近無限大，故如第 15B圖所示，宜將連接於DMS濾波器5〇之相位匹配用線 路圖案72 s史定為〇·28又〜0.34又之波長。在此，又為傳播 DMS濾波器50之表面聲波之波長。另一方面，梯形表面 5聲波濾波器13之情況，藉由設置了 0.2又〜0.25 Λ (又/4 ) 之相位匹配用線路圖案，而可使發射通帶之相位旋轉後之 阻抗接近無限大（λ為傳播梯形表面聲波濾波器13之表面 聲波之波長）。 更，接地圖案88、89係如圖示地形成於相位匹配用線 10路圖案層64上。接地圖案88經由通孔86s及864連接於對 應引線接σ塾層62之引線接合墊80。又，接地圖案89連 接於對應之連接路75。由於相位匹配用線路圖案層64上 也形成接地圖案88、89,故強化了接地，減低電感成分， 可使抑制向上提昇。 15 又’接地圖案88、89係形成為不同層之訊號線及連接 於這些之接合墊不重疊。例如，接地圖# 88、89係形成為 不重疊於連接於第14圖所示之連接路％ (發射訊號）、 756 (接收號）及759 (接收訊號）之圖案與引線接合墊 80藉這種配置’可減低訊號與接地間之容量成分，使阻 20抗匹配向上提昇。結果減低雙工器之插入損失。 相位匹配用線路圖案層64下方設有共通接地/腳觀堅 層65。第13E圓係顯示共通接地/腳襯塾層65之上面之圖 ，第13F圖則為從上面透視下面（底面）時之圖。共通接 地/腳襯墊層65之上面形成有共通接地圖f %。共通接地 26 1311858 玖、發明說明 圖案76形成於上面之約略全面。共通接地圖案76係連接 於訊號系之連接路753、750、75〇以外之各連接路，同時經 由通孔86;及864 ’連接於第13D圖之接地圖案88、及第 13D圖所示之引線接合墊80中之對應之墊。藉此強化接地 5 並減少電感成分，使抑制向上提昇。 共通接地/腳襯墊層65之底面為雙工器之實裝面。將 實裝面朝向配線基板上，於配線基板上實裝雙工器。如第 13F圖所示，該實裝面上’形成有各自連接於連接路 75丨〜75丨2之腳襯墊（腳城堡結構）66ι〜66ΐ2。腳襯墊 10 66广66丨2係作為外部連接端子之用，接觸配線基板上對應 之電極而形成電性接續。腳襯墊66ι、662為DMS濾波器 50之第1區段之接地端子。腳襯墊66s為雙工器之發射側 端子15。腳襯墊664為梯形表面聲波濾波器32之接地端子 。腳襯墊665為DMS濾波器之第丨區段之接地端子或梯形 15表面聲波濾波器32之接地端子。腳襯墊為可連接天線 之共通端子14。腳襯墊a?、66s係作為DMS濾波器％之 第2區段之接地端子之用。腳襯墊6W為接收侧端子a。 腳襯墊6610、66„各自為DMS濾波器5〇之第2區段之接 地端子。腳襯墊66n為連接於共通接地圖案％之接地端 第12A 12B圖係將上述腳襯塾作為卿襯塾66顯 示。 若著眼於接地之構造將以上說明之構造之第5實施形 瘧加以整理，則成為如下所述。 DMS濾波器5〇具有將並聯連接之多數雙模型表面聲 27 1311858 玖、發明說明 波m 34 ' 35及5卜52以2區段串接之構造，而疊層 殼體60内之中間層62、63及64不具有將各區段之雙模型 表面聲波濾波器之接地共通化之圖案。藉此，可使DMS濾 波器50之通帶外抑制向上提昇。 5 DMS濾波器50具有將並聯連接之多數雙模型表面聲 波渡波器34、35及51、52以2區段串接之構造，而疊層 殼體60内之引線接合墊層62具有：以接合引線砧連接於 第1區段之雙模型表面聲波濾波器34、35之接地之第i墊 (連接於連接路75l與75a (不含75s)之引線接合墊8〇) 1〇 、以及以接合引線連接於第2區段之雙模型表面聲波濾波 器之接地之第2墊（連接於連接路75?、75s、75ι〇、乃"之 引線接合塾層80)，這些第丨及第2墊在引線接合整層62 中為獨立之接地（未共通化）。 第16圖係顯示2區段構成DMS濾波器之第丨區段之 15接地與第2區段之接地以引線接合墊共通化時（亦即以引 線接合墊層62共通化時）之DMS濾波器之特性，以及如 上述構造之DMS濾波器50之第1區段之接地與第2區段 之接地未藉引線接合墊80共通化時之DMS濾波器5〇之濾 波器特性之圖。從第16圖中可得知’接地未共通化之 20 DMS濾波器50之通帶外抑制得到迅速改善。為了得到第 16圖所示之效果，故要求即使在晶片69上，DMs濾波器 5〇之第1區段之接地與第2區段之接地不共通化。 DMS濾波器50具有將並聯連接之多數雙模型表面聲 波濾波器34、35及51、52以2區段串接之構造，第i區 28 1311858 玖、發明說明 段與第2區段之雙模型表面聲波遽波器之接地，藉由形成 疊層殼體60之上面之第1層Q及形成共通接地76之第2 層65而被共通化，而非以其他中間層62、63及64共通化 。藉該構造，可使通帶外抑制向上提昇，且可更不易受到 5 外部雜訊之影響。 DMS濾波器50具有將並聯連接之多數雙模型表面聲 波遽波器34、35及51、52以2區段串接之構造，且以接 合引線連接於第1區段之雙模型表面聲波濾波器34、35之 接地之第1墊（連接於連接路75ι與75](不含75〇之引 1〇線接合墊80)、以及以接合引線連接於第2區段之雙模型 表面聲波濾波器之接地之第2墊（連接於連接路757、758 、751G、75u之引線接合墊層8〇)係各自連接於形成於疊 層殼體60外面（在第5實施形態中為底面）之外部連接端 子（腳襯墊）66。藉此構造，使接地受到強化，並減低電 15 感成分’而可使通帶外抑制提昇。 構成殼體60之各層61〜65具有連接於形成於前述疊層 殼體之外面之接地端子（66s、66δ、66?以外之腳襯墊）之 接地圖案（帽蓋搭載層61之密封環74、層62之接合墊8〇 、層63之黏晶部70、層64之接地圖案88、89及層65之 20共通接地圖案76)。藉此構造，可強化接地，減低電感成 分，而可使通帶外抑制提昇。 疊層般體60之中間層02〜64具有連接於形成於疊層殼 體外面之接地端子（663、660、66g以外之腳襯墊）之接地 圖案（層62之接合墊80、層63之黏晶部7〇、層64之接 29 1311858 玖、發明說明 地圖案88、89)，各接地圖案係配置成與形成於前述疊層 成體之錢線圖案（連接於連接路％、、％之訊號線 圖案）及連接於机號線圖案之接合塾不重疊。藉此構造， 可使電谷成分減少，改善阻抗匹配。因此，可使雙工器之 5 插入知失減低。 以上，說明了本發明之第5實施形態。第5實施形態 還可構成各種變形例。例如，疊層殼體60不限於5層，亦 可使之含有任意數量之層（例如6層）。晶片69由於使用 以單-之壓電材料形成之基板，故可達到使雙工器小型化 10 ’不過亦可使梯形表面聲波據波器32與譲濾波器5〇各 自开V成於不同之基板上。雙工器之各部材料也不限定於前 面已述之材料，可選擇適宜之任意材科。更，梯形表面聲 波濾波器32及DMS滅波器5〇並不限定在上述之區段數目 更亦可使用刖述之其他實施形態之梯形表面聲波滤波 15器及DMS滤波器來取代梯形表面聲波遽波器32及麵 濾波器50。 (第6實施形態） 20 第Π圖係從上面透視㈣本發明之第6實施形態之雙 工器之共通接地/腳襯塾層65A之下面（底面）時之圖。 圖中，與前述構成要素相同者❹相同之參考符號。本實 施形態除共通接地/腳襯塾層65A之構造以外，與前述之第 5實施形態之雙工器具有相同構造。接地端子之聊槪塾66ι 62 664 665 667 668、6610〜6612 各自隔著通孔 92 連 接於共通接地圖案76。藉該構造，強化雙：^之㈣，使 30 1311858 玖、發明說明 電感減少，並使通帶外抑制向上提昇。 (第7實施形態） 第18A〜18F圖係顯示構成有關本發明之第7實施形態 之雙工器之疊層殼體之各層之圖。圖中，與前述構成要素 5 相同者賦予相同參考符號。第7實施形態與前述第5實施 形態，係在共通接地/腳襯墊層之構造不同。形成於第18E 、18F圖所示之共通接地/腳襯墊層65B之上面之共通接地 ，係藉由狹窄寬度之分割溝93而分割為2個共通接地圖案 76A、76B。共通接地圖案76A連接於連接路75!、752，形 10 成DMS濾波器50之第1區段之接地。又，共通接地圖案 76B連接於連接路757、758、751G、75u，形成DMS濾波 器50之第2區段之接地。共通接地圖案76A未連接於連 接梯形表面聲波濾波器32之接地之連接路754。又，藉由 將連接路755作為DMS濾波器50之第1區段之接地，使 15 共通接地圖案76A僅作為DMS濾波器50之共通接地起作 用。如此，完全分離DMS濾波器50之第1區段之共通接 地與第2區段之共通接地，可實現更不易受到外部雜訊之 影響之雙工器。 (第8實施形態） 20 第19A、19B圖係有關本發明之第8實施形態之雙工 器之帽蓋搭載層61A與引線接合墊層62之平面圖。圖中 ，與前述構成要素相同者則賦予相同之參考符號。第8實 施形態與第5實施形態係帽蓋搭載層之構造不同。形成於 帽蓋搭載層61A之密封環74，經由前述通孔863及864， 31 1311858 玖、發明說明 連接於各自連接於連接路755及752之引線接合墊80。藉 此，更進一步強化了雙工器之接地，減少電感成分，可使 通帶外抑制更進一步向上提昇。 (第9實施形態） 5 第20A圖係顯示有關本發明之第9實施形態之雙工器 200之電路構造之圖，第20B圖係雙工器200之引線接合 層62A之平面圖。圖中，與前述構成要素相同者則賦予同 一參考符號。第9實施形態與前述第5實施形態係匹配電 路之構造不同。如第20A圖所示，雙工器200具有2個匹 10 配電路11 i及112。匹配電路111設置於2個濾波器32與 50之間，調整兩者之相位。又，匹配電路112設於DMS濾 波器50之輸出側。 為了實現第20A圖之構造，雙工器200具有第20B圖 所示之引線接合墊層62A。如圖所示，設有線路圖案94及 15 95。線路圖案94構成匹配電路11!之一部分，線路圖案95 構成匹配電路112。共通端子14與梯形表面聲波濾波器32 之間之匹配電路11!以線路圖案94形成，共通端子與DMS 濾波器50之間，則以線路圖案94及第13D圖所示之相位 匹配用線路圖案72來形成。線路圖案94經由通孔86i連 20 接於相位匹配用線路圖案72之一端。線路圖案95形成於 :引線接合於DMS濾波器50之接收端子16上之引線接合 墊80、與連接於與接收端子16對應之腳襯墊669之連接路 759之間。藉此，可在多數所在調整雙工器200之阻抗，而 使阻抗匹配向上提昇。結果，雙工器200之插入損失向上 32 1311858 玖、發明說明 提昇。又’線路圖案94為直線狀’線路圖案％為折曲， 不過亦可如下所述地使用其他形狀之圖案。 (第10實施形態） 第21A圖係顯示有關本發明之第1〇實施形態之雙工 5器210之電路構造之圖，帛21B〜21〇圖係顯示雙工器謂 之引線接合墊層之形態之平面圖。圖中，與前述構成要素 相同者則賦予相同之參考符號。如第21A圖所示，雙工器 210具有與第20A圖所示雙工器2〇〇相同之構造。 第21B圖所示之引線接合墊層62B，係在線路圖案 10之中途形成有通孔96。通孔96係連接於第13D圖之相位 匹配用線路圖案72。藉由調整通孔96之位置，可調整設 置於共通端子14與DMS濾波器50之間之相位匹配用線路 圖案之線路長。又，第21B圖所示之線路圖案97為直線 狀。 15 第21C圖所示之引線接合墊層62C之構造係，藉由變 化構成匹配電路1U之線路圖案98之長度’來調整線路長 。線路圖案98在多數所在折曲，比第21B圖所示之線路 圖案94長。第21D圖所示之引線接合墊層62D之構造係 使用折曲之線路圖案95來取代第21B圖之直線狀線路圖 20 案 97 。 如上所述，藉由第10實施形態，可在多數所在進行雙 工器210之阻抗，並使阻抗匹配向上提昇。結果，雙工器 210之插入損失向上提昇。 (第11實施形態） 33 1311858 玖、發明說明 第22A〜22G圖係顯示有關本發明之第u實施形態之 雙工器之圖。第22A〜22G中，與前述構成要素相同者則賦 予相同參考符號。本實施形態與前述第5實施形態係黏晶 層63A之構造不同。第22C圖中，係顯示第11實施形態 5中所使用之黏晶層63A。第22A、22B、22D〜22F圖與第 13A、13B、〗3D〜13F圖相同。又，第22G圖中，係顯示有 關第11實施形態之雙工器之截面圖。 如第22C圖所示，黏晶層63A上形成有接地圖案1〇1 。接地圖案101係形成為覆蓋第22D圖所示之相位匹配用 10線路圖案72。接地圖案1〇1與第22E圖所示之共通接地圖 案76係設置成從上下夾住相位匹配用線路圖案72。接地 圖案101具有4個厚塗部1〇2，其上方安裝有晶片69。洞 孔103形成於通孔86丨及8 62之周圍，以使接地圖案不 接觸連接於相位匹配用線路圖案72之通孔86丨及862。 15 相位匹配用線路圖案72係構成為被上下之接地圖案 101、76所夾住，藉此構造可使阻抗匹配向上提昇，使插 入損失向上提昇。其理由如下述。特性阻抗以下列簡易公 式表示。 Z〇= (L/C) 1/2 20 第12A圖所示之相位匹配用線路圖案72具有：由黏 晶部70及接地圖案76所夾住之部分，及由帽蓋67及共通 接地圊案76所夾住之部分（線路圖案之兩端近旁部分）。 帽蓋67與相位匹配用線路圖案72之距離是分開的。亦即 ’相位匹配用線路圖案72係脫離接地。因此，以該部分妒 1311858 玖、發明說明 成之谷置較其他部分小。由上述公式中可得知，c越小則 寺p抗越大若以50Ω為所希望之特性阻抗，則相位匹 -、用線路圖案72之特性阻抗有超過5〇Q之可能性。相對 於此第22Α〜22G圖所示之構造巾，相位匹配用線路圖案 5 72擴及王長，為共通接地圖案76及形成於黏晶層63Α之 接也圖案101所夾住。因此，相位匹配用線路圖案72無論 在哪個位置皆接近接地，結果可輕易地將特性阻抗設定於 所希望之50 Ω。 第23圖係顯示上述第u實施形態中所使用之相位匹 10配用線路圖案72之特性阻抗之安定度，及比較例之特性阻 抗之安定度之圖形。第23圖所示之圖形中，橫轴顯示相位 匹配用線路圖案72之長度（mm ),縱軸顯示特性阻抗（Ω )。比較例為第24Α〜24G圖中所示構造之雙工器。比較例 之黏晶層（第24C圖）與第η實施形態之黏晶層63Α不 15同，具有僅覆蓋相位匹配用線路圖案72之中央部分之大小 。又，如第24G圖所示，相位匹配用線路圖案72之端部 附近以帽蓋67覆蓋。又，第24C圖之黏晶層之構造與第 13Α〜13F圖所示之構造不同，黏晶部僅連接於i個連接路 。又，第24B圖所示之引線接合層與第22B圖或第ι3β圖 20所示之構造不同。如第23圖所示，第11實施形態中，特 f·生阻抗成乎以50 Q保持安定，而無關乎相位匹配用線路圖 案72之長度。相對於此，比較例中，如箭頭符號所示，特 性阻抗有超過50 Ω之處（最大到65 Ω )，很不安定。一旦 超過50Ω，則阻抗匹配低劣，雙工器之插入損失變大。 35 1311858 玖、發明說明 第25A圖係顯示第24A〜24G圖所示之比較例中所使 用之接收濾波器（DMS濾波器）單體之反射特性之圖，第 25B圖係顯示第22A〜22G圖所示之第11實施形態中所使 用之接收濾波器（DMS濾波器50)單體之反射特性之圖。 5所謂接收濾波器單體係未將雙工器之發射濾波器連接於共 通知子14之狀態。比較例中’由於特性阻抗高達約65◦ ’故通帶之阻抗匹配脫離50Q。因此，如第26圖所示， 接收濾波器之插入損失很大。相對於此，第丨丨實施形態中 ,係如第23圖所示，相位匹配用線路圖案72之特性阻抗 10幾乎以5〇Ω保持安定，故如第25B圖所示，在接收濾波器 50單體之反射特性中，通帶在5〇Ω附近，阻抗匹配良好。 因此，如第26圖所示，接收濾波器之插入損失很小。特別 是遇到較800ΜΗΖ更高之19〇〇ΜΗζ頻帶之濾波器之情況時 ，由於使用如前述之介質常數較低之殼體材料，故相位匹 15配用線路圖案72 一旦如第22Α〜22G圖所示地未從上下以 接地面包覆，則特性阻抗之變動就變得很顯著。亦即，第 22Α〜22G圖所示之構造尤其適用於超過8〇〇ΜΗζ之高頻帶 〇 (第12實施形態） 2〇 第27Α〜27F圖係顯示有關本發明之第12實施形態之
雙工益之圖。圖中’與前述構成要素相同者則賦予相同參 考符號。本實施形態之特徵之一，係以多數通孔連接相位 匹配用線路圖案與殼體側之引線接合塾，使通孔之電阻減 )’改善播人損失。如第27B圖所示，引線接合墊層62A 36 1311858 玖、發明說明 之墊80,上形成有2個通孔86l()、86n ’墊8〇2上則形成有 2個通孔86u、86"。黏晶層63B及相位匹配用線路圖案層 64A上也形成有上述通孔86ι〇、86ιι、86"、86门。通孔 8610、86π連接於相位匹配用線路圖案72A之輸入側部分 5 。又，通孔86丨2、86丨3連接於相位匹配用線路圖案72A之 輸出侧部分。上述通孔由於跨越3層形成，故每個通孔具 有對接收濾波器之插入損失帶來影響這種比較上較大之電 阻值。藉由將多數根這種通孔設於相位匹配用線路圖案 72 A之各端部，可減少通孔之電阻值。 1〇 第28圖係顯示第5實施形態之接收濾波器（DMS濾 波器）與第12實施形態之接收濾波器（DMS濾波器）之 插入知失之圖。第5實施形態中係於相位匹配用線路圖案 72之兩端各自設有1個通孔86〗、862，相對於此，第12 實轭形態中為各自設有2個通孔。如圖所示，第12實施形 15態之插入損失較第5實施形態更獲得改善（0.4dB程度之 改善）。
又，藉由相位匹配用線路圖案72A之各端部設有多數 個通孔，亦可改善過渡區。第29圖係說明過渡區之圖。例 慮波器特丨生之6又汁為插入損失-4dB、通帶外抑制_5〇dB 2 0 j- 時，這2個衰減量之值以多少MHz過渡，亦即這些之衰減 $之頻率幅度為過渡區。這個過渡區之值為較小程度，則 為方形良好之陡峻之遽波器。特別是，纟1900MHz之遽波 器中由於發射側通帶與接收側通帶很接近，因此可期望 濾波器具有過渡區小之陡峻濾波器特性。一旦過渡區小， 37 1311858 玖、發明說明 則在製造過程時之頻率分歧之容許範圍變廣，而使製造成 品率大幅提昇。
第12貫施形態中’由於插入損失特別良好，因此過渡 區變小。第30圖中係顯示第5實施形態與第12實施形態 之過渡區（MHz)之圖。第30圖中，個別針對第5實施形 態與第12實施形態進行2個抽樣品之測定。以平均值比較 ，則第12實施形態中由於過渡區變小達到約〇·65ΜΗζ，故 得知可對製造成品率提昇寄予厚望。 (第13實施形態） ° 第3 1圖係顯示有關本發明之第13實施形態之雙工器
之黏晶層63C、及作為比較例之第5實施形態之黏晶層w 之圖。任一者之雙工器皆使用2個晶片69l及692。晶片 形成梯形表面聲波遽波器32,晶片692形成刪遽波 器50。第5實施型態中，於黏晶部7〇上塗布導電性接著 Μ劑71，再將晶4 69l、692之下面接著於其上。由於導電性 接著劑7卜亦塗布於黏晶部7〇 +存在之十字型部分，因 此晶片69i、692下面之接地得到強化。相對於此第η 實施型態之黏晶層63C具有進一步強化之接地。黏晶層 63C上之接地圖案1()5之面積較黏晶部7()為寬，也較2個 2〇晶片691及692之底面之合計面積為寬。這一點與第以圖 所示之接地圖案101相同。該接地圖案1〇5上，使用導電 性接著劑7!將晶片69l及晚固定。固定時，即使晶片 吼、叭之接著偏離預定之位置’但由於接地圖案ι〇5具 有寬廣之面積，故晶片69ι、692之下面不會超出接地圖宰 38 1311858 玫、發明說明 105。由於導電性接著劑71亦塗布於接地圖案丨〇5不存在 之十字型部分’故晶片691、692下面之接地得到強化。結 果，即使晶片69〗、6%發生位置偏離，仍可確實地全面形 成接地面。又，為了接地強化’第13實施型態之引出圖案 5 87a較第5實施型態之引出圖案87寬廣。引出圖案87a以 具有200// m以上之寬度為佳。 第32圖係顯示有關第5實施形態及第13實施形態之 雙工器之高頻側之帶外抑制之圖。第13實施型態中由於接 地進一步強化，故通帶外抑制越發向上提升。 10 (第14實施型態） 第33圖係顯示有關本發明之第14實施形態之雙工器 之引線接合層62、黏晶層63D與雙工器之截面之圖，以及 作為比較例之第5實施形態之引線接合層62、黏晶層63 與雙工器之截面之圖。第14實施型態係將第5實施型態之 15黏晶層63置換為黏晶層63D之構造《黏晶層63D上所形 成之接地圖案108係於第5實施型態之黏晶部7〇設置引出 圖案106、107之構造。引出圖案1〇6、1〇7各自接續於通 孔863、864,而通孔86s、864接續於引線接合墊。藉此， 不僅夕數之連接路，接地圖案1〇8由於經由多數通孔連接 2〇於夕數接地之外部連接端子（側城堡結構），故可將晶片 69下面之接地更進一步強化。如此，藉由連接於外部連接 端子之經路變多、或大量連接於接地圖案，可使晶片69下 面之接地強化。 第34圖係顯示有關第5實施形態及第14實施形態之 39 1311858 玖、發明說明 雙工器之高頻側之通帶外抑制之圖。第14實施型態中，由 於接地得到進一步之強化，故通帶外抑制進一步提升。 (第15實施型態） 第3 5圖係顯示有關本發明之第15實施形態之雙工器 5之黏晶層63E、共通接地/腳襯墊層65之上面及截面，以 及作為比較例之第5實施形態之黏晶層63、共通接地/腳 概塾層65之上面及截面之圖。第μ實施型態係將第5實 施型態之黏晶層63以黏晶層63E置換之構造。黏晶層63E 上形成之接地圖案110係於第5實施型態之黏晶部70設置 10多數引出圖案U1之構造。引出圖案Π1各自接續於對應 之通孔112。該通孔亦形成於相位匹配用線路圖案64層上 ，其一端連接於共通接地圖案76。藉此，由於接地圖案 no經由多數通孔112連接於共通接地圖案76，故可進一 步強化晶片69下面之接地。共通接地圖案76由於係全部 15接地面，且經由連接路75丨連接於多數之外部連接端子， 故可強化晶片69之下面之接地。 第36圖係顯示有關第5實施形態與第15實施形態之 雙工器之高頻侧之通帶外抑制之圖。在第15實施型態中， 由於接地得到進一步之強化，故通帶外抑制進一步向上提 20 昇。 (第16實施型態） 第37圖係顯示有關本發明之第16實施形態之雙工器 之晶片69與引線接合整層62E之連接關係之平面圖。圖 中’與則述構成要素相同者則賦予相同之參考符號。前述 40 1311858 5 10 15 玖、發明說明 第5〜第15實施型態係具有第8圖所示之單—輸出構造之 咖濾波器5G。相對於此，帛16實施型態之雙工器係具 有第U圖所示之構造之雙工器。亦即，本實施型態之雙工 器具有平衡輸出構造之DMS遽波器55。為了實現平衡輸 出’故將第14圖所示之連接關係變更為第37圖所示之連 接關係。第14圖中，連接於連接路之晶片侧之 引線接合分割為2。又，形成連接路I%、％。各自 與第16圖所示之接收側端子16之連接、卿遽波器^ 之第2區段（以DMS渡波器^及^構成之區段）之接地 、及與接收侧端子46之連接。帛14圖中連接於連接路 75〗〇、75”之晶片側之引線接合墊係分割為2。藉此第 阳圖中所示之腳襯塾66s成為接收側端？ 16，腳概塾岣 成為接地端子、還有腳襯塾66iq則成為接收端子4“ 第38圖係顯示具有平衡輸出構造之雙工器之其他構成 例子。係具有該雙工器之引線接合墊& 62f者。連接關係 為將第14 S)所示之連接關係變更為如下所述者。第14圖 中連接於連接路75ιο、75π之晶片側之引線接合分割為2。 又連接路7512則形成與第！ ！ _所示之接收侧端子46之 連接。
2〇 第39圖係具有平衡輸出構造之雙工器之其他構成例子 。係具有該雙工器之引線接合塾層62g者。連接關係為將 第14圖所示之連接關係變更為如下所述者。第14圖中， 連接於連接路751G、75u之晶片側之引線接合㈣為2。又 ，連接路759及75l0各自形成與第16 所示之接收側端子 41 1311858 玖、發明說明 16及46之連接。更，連接路75"及75u形成DMS濾波器 55之第2區段之接地。 又，第37圖〜第39圖所示之雙工器中，當然可進行變 形例使其具有前述第6〜第15實施型態之特徵。 5 (第17實施型態） 第40圖係顯示本發明之第17實施形態之電子裝置之 方塊圖。該電子裝置係行動電話，第14圖係顯示其發射接 收訊號之系統。行動電話之聲音處理系統等其他構造則為 了方便故省略。第40圖所示之行動電話中係使用前述之雙 10 工器。 行動電話具有RF (高頻）部17〇、調變器171及IF ( 中頻）部172。RF部具有天線m、雙工器n4、低雜訊 放大器183、級間濾波器184、混合器（乘法器）！75、局 部振盪器176、級間濾波器177、倍增器（乘法器）！78、 15級間濾波器179及功率放大器180。發自聲音處理系統之 聲音sfl號藉調變171調變，藉rf部170之倍增5| 178 使用局部振盪器176之振盪訊號變換（混合）頻率。倍增 器178之輸出通過級間濾波器179及功率放大器18〇提供 給雙工器174。雙工器174具有發射濾波器174〗 '接收濾 20 波器17½及省略圖示之匹配電路，為本發明之雙工器。發 自功率放大器180之發射訊號通過雙工器174提供給天線 173。 發自天線173之接收訊號通過雙工器174之接收濾波 器1742 ’經由低雜訊放大器ι83、級間濾波器184而提供 42 1311858 玖、發明說明 給混合器175。混合器175藉由級間濾波器177接收局部 振盪器176之振盪頻率，將之變更為接收訊號之頻率，輪 出至IF部172。IF部172經由IF濾波器181接收此訊號 ，再以解β周器182解調而向未圖示之聲音處理系統輸出聲 5 音訊號。 第40圖所示之通訊裝置由於具有本發明之雙工器，故 可提供具有優異之濾波器特性之高耐電力之通訊裝置。 以上，說明了本發明之第丨到第17實施形態。本發明 並不限定於上述實施形態，更包含其他各式各樣的實施形 10 態。 如以上所說明的，藉由本發明，則可實現耐電力性及 濾波器特性兩方面皆獲得改善之雙工器及使用該雙工器之 電子裝置。 最後，將本發明之數種構造、作用及效果歸納整理如 15 下。 20 ⑴-種雙H係具有不同頻帶中心頻率之兩個表 面聲波濾波器、及使前述兩個表面聲波濾波器之相位匹配 之相位匹配用電路者，丨中―侧之表面聲Μ波器為梯形 表面聲波錢H (例如第4圖之32)，另―側之表面聲波 遽波器為含有並聯連接^數雙模式表面聲㈣波器（例 如第4圖之33)。梯形表面聲波濃波器不僅耐電力性優異 且下降陡峻。相對於此’雙模式表面聲波濾波器具有上升 陡峻這種本㈣特性’再加上將多數個雙模式表面聲波滤 波器並聯連接’故可實現插人損失及耐電力性皆獲得大幅 43 1311858 坎、發明說明 ”之良好雙工器之遽波器特性。特別是，藉由耐電力性 提昇，使得雙模式表面聲波可將濾波器配置於 叉器之朝· 級（連接於共通端子初區段之濾波器）。 (2 )( 1 )所記載之前述多數雙模式表面聲波濾波器（ 5例如第4圖所示者）具有單一輪出。 ⑴⑴所記載之前❹數雙模式表面聲波濾波器， 係例如如第6圖所示具有平衡輸出。藉由平衡輪出，使得 搭載雙工器之電子機器變得容易設計，包含雙工器之後區 段之電子電路。 1〇 (4)如⑴〜（3)任—項所記載之雙工器，其中前 述梯形表面聲波元件設於發射侧，而前述多數雙模式表面 聲波元件則設於接收側。藉此，可實現發射濾波器之通帶 之下降陡峻，接收渡波器之通帶之上升陡峻，且插入損失 及耐電力性皆獲得大幅改善之雙工器之渡波器特性。 15 ⑸本發明又為-種雙工器，係具有不同頻帶中心頻 率之兩個表面聲波濾波器、及使前述兩個表面聲波遽波器 之相位匹配之相位匹配用電路者，其中一側之表面聲波滤 波器為梯形表面聲波濾波器（例如第8圖之32)，另一側 之表面聲波濾波器為多數區段串接有並聯連接之多數雙模 20式表面聲波濾波器（例如第8圖之34、35、51、52)。藉 由串接連接’可更進-步改善接收滤波器之低頻率側之抑 制及对電力性。 (6)在（5)之雙工器中，如第8圖所示，前述另一 側之表面聲波爐波器可作成係將並聯連接之兩個雙模式表 44 1311858 玖、發明說明 面聲波慮波益2區段串接之構造。 ⑺在（5)或（6)之雙工器中，係如第8圖所示， 最終區段之並聯連接之多數雙模式表面聲波渡波器具有單 一輸出。 5 (8)在⑸之雙工器中，如第Π圖所示，最終區段 之亚聯連接之多數雙模式表面聲波遽波器具有平衡輸出。 (9) 在⑸〜⑴任一項之雙工器中，係如第8圖 或第11圖所示，前述梯形表面聲波元件設於發射側，而前 述多數區段串接之前述多數雙模式表面聲波元件則設於接 10 收侧。 (10) 在⑴〜（9)任一項之雙工器中，係如第4圖 或第8圖所示，連接於前述雙工器之共通端子之前述梯形 表面聲波渡波器之共振器為串聯共振器。藉此，發射渡波 器之接收通帶之阻抗變大，可使接收據波器之插入損失向 15 上提昇。 (11 )在（1 )〜（1〇 )任一項之雙工器中，係如第 10A圖或第1GB圖所示’前述兩個表面聲波濾波器之通帶 之一側之上升之至少一部分與另一側之下降之至少一部分 重疊。此為兩個表面聲波濾波器之通帶關係之一例。 20 (12)本發明更是-種雙工器，係於疊層殼體（例如 第12圖之疊層殼體60)中收容有具有不同頻帶中心頻率 之兩個表面聲波遽波器，及使該兩個表面聲波渡波器之相 位匹配之相位匹配用電路者，其中一側之表面聲波遽波器 為梯形表面聲波濾波器（例如第u圖之32)，另一侧之表 45 1311858 玖、發明說明 面聲波濾波器為至少含有丨區段之並聯連接之多數雙模式 表面聲波濾波器（例如第丨丨圖之34、35、36及52 )。 (13) 在（12)之雙工器中’係如第13D㈣示，前 述相位匹配用電路為線路圖案。由於線路圖案在製造上之 5良莠不齊很少，故可得到安定之濾波器特性。 (14) 在（12)之雙工器中，相對於前述另一側表面 聲波濾波器之前述相位匹配用電路為線路圖案，其長度在 0·25Λ〜0·34λ (但’ λ為傳播前述雙模式表面聲波遽波器 之表面聲波之波長）之範圍内。 10 (15)在（12)之雙工器中，前述另一側之表面聲波 遽波器具有將前述並聯連接之多數雙模式表面聲波爐波器 2區段串接之構造’且雙模式表面聲波龍器之接地共通 化係形成於前述疊層殼體内之中間層以外。藉此，可使通 帶外抑制向上提昇。例如前述第5實施形態即具備該構造 15 ° (16)在（12)之雙工器中，前述另一側之表面聲波 慮波器具有將前述並聯連接之多數雙模式表面聲波遽波器 2區段串接之構造，前述疊層殼體内之引線接合墊層具有 以引線接合連接於第i區段之雙模式表面聲波滤波器之接 20地之第1墊，及以引線接合連接於第2區段之雙模式表面 聲波濾波器之接地之第2塾，且前述第1及第2塾在前述 引線接合墊層中為獨立之接地。藉此構造，可使通帶外抑 制向上提昇。例如第13B圖所示之引線接合墊層62具備 有該構造。 46 13 π 858 玖、發明說明 5 10 15 “（17)在（12)之雙工器中’前述另-側之表面聲波 將前述並聯連接之多數雙模式表面聲《波 區U接之構造，帛1區段與第2區段之雙模式 聲波滤波器之接地係藉形成前述疊層殼體上面之第】 二如第13Α圖之67)及形成共通接地之第…例：第 Ε圖之76)而共通彳卜藉此，可使通帶外抑制向上提昇 ，同時可不易受到外部雜訊之影響。 (⑴在U2)之雙工器中，前述另_側之表面聲波 痛波器具有將前述並聯連接之多數雙模式表面聲波遽波器 2區段串接之構造，且以引線接合連接於第1區段之雙模 式表面聲波遽波器之接地之第！ # (例如第UB圖之叫 ，及以引線接合連接於第2區段之雙模式表面聲波遽波器 之接地之第2塾（連接於测、7511之墊），係各自連接 於形成於前述疊独體外狀多數外部連接端子。藉此， 可強化雙工器之接地’使電感成分減少，而使通帶外抑制 向上提昇。 ()在（12)之雙工器中，構成前述疊層殼體之各 層具有接地圖案（例如第13C圖之7〇或第UD圖之89) ，而該接地圖案連接形成於前述疊層殼體外面之接地端子 2〇。藉此’可強化雙卫器之接地，使電感成分減少而使通 帶外抑制向上提昇。 (20)在（12)之雙工器中，前述疊層殼體内之中間 層各自具有連接於形成於前述疊層殼體之外面之接地端子 之接地圖案，各接地圖案係配置成使形成於前述疊層殼體 47 1311858 玖、發明說明 之況號線圖案及連接於該訊號線圖案之接合塾不重疊。藉 此，可減少電容成分，使阻抗匹配向上提昇。例如，前述 第5實施形態即具備該構造。 (21) 在（12)之雙工器中，前述具有不同頻帶中心 5頻率之兩個表面聲波濾波器係形成於-個晶片上，前述另 側之表面聲波/慮波器具有將前述並聯連接之多數雙模式 表面聲波濾波器2區段串接之構造，且各區段之接地於前 述B0片以外共通化。藉此，可使通帶外抑制向上提昇。例 如’則述第5實施形態即具有該構造。 (22) 在（12)之雙工器中，前述雙工器具有形成前 述一側之表面聲波濾波器之第丨晶片及形成前述另一側之 表面聲波濾波器之第2晶片，前述另一側之表面聲波濾波 器具有將前述並聯連接之技雙模式表面聲波遽· 2區 段串接之構造，且各區段之接地於前述晶片以外共通化。 15藉此，可使通帶外抑制向上提昇。例如，前述第5實施形 態即具備該構造。 (23) 在（12)之雙工器中，前述疊層殼體包含形成 共通接地之層，該共通接地藉由形成於前述疊層殼體之侧 面之多數連接路及形成於前述疊層殼體内之多數通孔，連 20接於形成於前述疊層殼體外面之多數外部連接端子。藉此 ’可強化雙工器之接地’減少電感部分，並使通帶外抑制 向上提昇。例如，前述第6實施形態即具備該構造。 (24 )在（12 )之雙工器中’前述另_侧之表面聲波 渡波器具有：將前述並聯連接之多數雙模式表面聲波遽波 48 1311858 玖、發明說明 器2區段串接之構造，且前述疊層殼體含有共通接地層， 該共通接地層具有形成前述另一表面聲波濾波器之第！區 段之接地面之第1共通接地圖案，及形成第2區段之接地 面之第2共通接地圖案。藉此構造，可使通帶外抑制減少 5，同時可不易受到外部雜訊之影響。例如，前述第7實施 形態即具備該構造。 (25)在（12)之雙工器中，前述疊層殼體包括具有 引線接合墊之第1層，及設於該第j層之上部且具有環狀 接地圖案之第2層’且前述引線接合墊中，成為接地之墊 與前述環狀之接地圖案係以形成於前述疊層殼體内之多數 通孔連接。如此使得雙工器之接地更加強化，電感成分減 少，並可使通帶外抑制更進一步向上提昇。例如前述第8 實施形態即具備該構造。 (26) 在（12)之雙工器中，前述疊層殼體包括具有 引線接合墊之第1層，及形成前述相位匹配用電路之第2 層，且刖述第1層更具有另一相位匹配用電路，該另一相 位匹配用電路藉由形成於前述疊層殼體内之通孔連接於形 成於前述第2層之前述相位匹配用電路。藉此，可在多數 所在調整雙工器之阻抗匹配，使阻抗匹配向上提昇。結果 雙工器之插入損失向上提昇。例如，前述第9實施形態 即具備該構造。 (27) 在（26)之雙工器中，前述另一相位匹配用電 路係連接於前述雙工器之共通端子與前述兩個表面聲波濾 波器之間。 49 1311858 玖、發明說明 (28) 在（12)之雙工器中’前述另一相位匹配用電 路具有線路圖案，且前述通孔形成於前述線路圖案之途中 。藉此，可在多數所在調整雙工器之阻抗匹配，使阻抗匹 配向上提昇。結果，雙工器之插入損失向上提昇。例如， 5 前述第10實施形態即具備該構造。 (29) 在（12)之雙工器中，前述疊層圖案具有形成 有前述相位匹配用電路之第1層，及形成有共通接地之第 2層’該共通接地係配置成覆蓋前述相位匹配用電路全體 。藉此，可輕易地將雙工器之特性阻抗設定於所希望之值 10 。例如，前述第11實施形態即具備該構造。 (30) 在（12)之雙工器中’前述疊層殼體包括：具 有引線接合墊之第1層，及形成有形成前述相位匹配用電 路之相位匹配用線路圖案之第2層，且前述引線接合墊包 含藉由形成於前述疊層殼體之多數通孔而連接於前述相位 I5匹配用線路圖案之兩端之引線接合塾。藉此，可使通孔之 電阻值以整體減低’減低雙工器之插入損失。例如，前述 第12實施形態即具備該構造。 (31) 在（12)之雙工器中’前述疊層殼體具有形成 有搭載前述兩個表面聲波濾波器之黏晶部之層，該黏晶部 20 具有比形成有前述兩個表面聲波濾波器之至少—個晶片之 面積寬廣之面積。藉此，則即使晶片之位置有錯位，仍可 對晶片搭載面之全面提供接地面。例如，前述第13實施形 態即具有該構造。 (32) 在（31)之雙工器中’前述黏晶部具有多數引 50 1311858 玖、發明說明 出圖案，該多數引出圖案連接於形成於前述疊層殼體之側 面之連接路，且具有200/zm以上之寬度。藉此使接地更 進步強化’通帶外抑制更進一步向上提昇。 (33) 在（12)之雙工器中’前述疊層殼體包括具有 5引線接合墊之帛1 I，及形成有搭載前述兩個表面聲波濾 波器之黏晶部之第2層，且前述黏晶部藉由形成於前述疊 層殼體之多數通孔及形成於前述疊層殼體侧面之多數連接 路，連接於前述引線接合墊中之有關接地之引線接合墊。 藉此，使接地更進一步強化，通帶外抑制更進一步向上提 1〇昇。例如前述第14實施形態即具備該構造。 (34) 在（12)之雙工器中，前述疊層殼體具有形成 有搭載前述兩個表面聲波濾波器之黏晶部之第丨層，及形 成有共通接地之第2層，且前述黏晶部藉由形成於前述疊 層殼體之多數通孔及形成於前述疊層殼體之側面之多數連 15接路，連接於前述共通接地。藉此使接地更進一步得到強 化，通帶外抑制更進一步向上提昇。例如前述第15實施形 態即具備該構造。 (35) 在（12)〜（34)任一項之雙工器中， 則现另一 側之表面聲波濾波器之最終區段具有平衡輸出。 2〇 (36)本發明又為一包含有_·天線，連接於該天線之 雙工器，及連接於s亥雙工器之發射系及接收系電跃本π a 、％岭考，前 述雙工器為（1)〜（35)任一項之雙工器。 【圖式簡單說明】 第1A圖係顯示雙工器之電路構造，第iB圖你 1糸顯示濾 51 1311858 玖、發明說明 波器通過特性之圖。 第2圖係顯示使用習知之表面聲波濾波器之雙工器之 一例之圖。 第3圖係顯示第2圖中所示之雙工器之濾波器特性之 5 圖。 第4圖係顯示有關本發明之第1實施形態之雙工器之 圖。 第5圖係用以說明DMS濾波器單體與並聯連接兩個 DMS濾波器時之特性之不同之圖。 10 第6圖係顯示有關本發明之第2實施形態之雙工器之 圖。 第7A圖係用以說明平衡輸出之雙工器之電路構造， 第7B圖係用以說明平衡輸出之圖。 第8圖係顯示有關本發明之第3實施形態之雙工器之 15 圖。 第9圖係顯不有關本發明之第3實施形態之雙工器之 濾波器特性之圖。 第10A 10B圖係用以說明藉由增加DMS遽波器之並 聯連接之各數使耐電力性提昇之圖。 2〇 第11圖係顯示有關本發明之第4實施形態之雙工器之 遽、波器特性之圖。 第12A圖係顯不有關本發明之第5實施形態之雙工器 之截面圖，第12β圖係拆卸帽蓋後之狀態之平面圖。 第13A、13B、13C、13D、13E及13F係顯示將有關 52 1311858 玖、發明說明 本發明之第5實施形態之雙工器之疊層殼體分解後之各層 之圖。 苐14圖係顯示有關本發明之第5實施形態之雙工器之 晶片與引線接合墊層之連接關係之圖。 5 第15A、15B圖係用以說明梯形表面聲波濾波器與 DMS濾波器之阻抗之圖形。 第16圖係顯示雙模式表面聲波濾波器之特性之圖。 第17圖係從上面透視有關本發明之第6實施形態之雙 工器之共通接地/腳襯墊層之下面時之圖。 10 第18A、18B、18C、18D、18E及18F圖係顯示構成 有關本發明之第7實施形態之雙工器之疊層殼體之各層之 圖。 第19A圖係有關本發明之第8實施形態之雙工器之帽 蓋搭載層之平面圖’第19B圖係引線接合墊層之平面圖。 15 第2〇A圖係顯示有關本發明之第9實施形態之雙工器 之電路構造之圖，第20B圖係雙工器之引線接合層之平面 圖。 第21A圖係顯示有關本發明之第1 〇實施形態之雙工 器之電路構造之圖，第21B、21C及21D圖係顯示雙工器 20 之引線接合層之形態之平面圖。 第22A、22B、22C、22D及22E係將有關本發明之第 11實施形態之雙工器之疊層殼體分解後之各層之平面圖， 第22F圖係底面圖。 第22G圖係有關本發明之第11實施形態之雙工器之 53 1311858 玖、發明說明 截面圖。 第23圖係顯示本發明之第η實施形態中所使用之相 位匹配用線路圖案之特性阻抗之安定度，及比較例之特性 阻抗之安定度之圖形。 5 第 24A、24B、24C、24D、24E、24F 及 24G 圖係顯示 相對於本發明之第11實施形態之比較例之圖。 第25A圖係顯示第24A〜24G圖所示之比較例中所使 用之DMS濾波器單體之反射特性之圖，第25B圖係顯示 第22A〜22G圖所示之第丨丨實施形態中所使用之DMS濾波 10器單體之反射特性之圖。 第26圖係比較第22A〜22G圖所示之第11實施形態與 第24A〜24G圖所示之比較例之接收濾波器之插入損失之圖 第27A、27B、27C、27D、27E及27F係顯示有關本 15發明之第12實施形態之雙工器之圖。 第28圖係顯示第5實施形態之接收濾波器與第實 施形態之接收濾波器之插入損失之圖。 第29圖係說明過渡區之圖。 第30圖係顯示第5實施形態與第12實施形態之過渡 20 區（MHz)之圖。 第31圖係顯示有關本發明之第13實施形態之雙工器 之黏晶層、及作為比較例之第5實施形態之黏晶層之圖。 第32圖係顯示有關第5實施形態及第13實施形態之 雙工器之高頻側之通帶外抑制之圖。 54 1311858 玖、發明說明 第33圖係顯示有關本發明之第14實施形態之雙工器 之引線接合層、黏晶層與雙工器之截面之圖，以及作為比 較例之第5實施形態之引線接合層、黏晶層與雙工器之截 面之圖。 5 第34圖係顯示有關本發明之第5實施形態及第14實 施形態之雙工器之高頻側之通帶外抑制之圖。 第35圖係顯示有關本發明之第15實施形態之雙工器 之黏晶層、共通接地/腳襯墊層之上面及截面，以及作為 比較例之第5實施形態之黏晶層、共通接地/腳襯墊層之 10 上面及截面之圖。 第36圖係顯示有關第5實施形態與第15實施形態之 雙工器之高頻側之通帶外抑制之圖。 第37圖係顯示有關本發明之第16實施形態之雙工器 之晶片與引線接合墊層之連接關係之平面圖。 15 第38圖係顯示有關本發明之第16實施形態之雙工器 之晶片與引線接合墊層之其他連接關係之平面圖。 第39圖係顯示有關本發明之第16實施形態之雙工器 之晶片與引線接合墊層之另一其他連接關係之平面圖。 第40圖係顯示本發明之第17實施形態之通訊裝置。 20 【圖式之主要元件代表符號表】 10…雙工器 11…阻抗匹配電路 12…發射濾波器 13…接收渡波器 14…共通端子 15,16…個別端子 20…共振器 2l···數位間轉換器 55 1311858 玖、發明說明 22,23···反射器 32…梯形表面聲波濾波器 33…縱向偶合雙模式表面聲波濾波 器 34,35…雙模式表面聲波濾波器（ DMS濾波器） 36,37,38…數位間轉換器（IDT) 39,40…反射器 45…接收遽波器 46…接收側端子 50…接收滤波器 51,52-DMS濾波器 55-.DMS濾波器 60…疊層殼體 61…帽蓋搭載層 62…引線接合塾層 63…黏晶層 64…相位匹配用線路圖案層 65…共通接ith/腳襯墊層 67…帽蓋 68…接合引線 69…晶片 70…黏晶部 Ή…導電性黏著劑 72···相位匹配用線路圖案 73…開口部 74…密封環 75…連接路（導通部） 76…共通接地圖案 77…共振器 78…共振器 79,80…引線接合墊 83…溝 84…開口部 86…通孔 87…引出圖案 88,89…接地圖案 93…分割溝 94,95…線路圖案 96…通孔 97,98…線路圖案 100…雙工器 101…接地圖案 102…厚塗部 103…洞孔 105.··接地圖案 56 1311858 玖、發明說明 106，107…引出圖案 108···接地圖案 110…接地圖案 111···引出圖案 112…通孔 170…RF (高頻）部
Hl···調變器 172· "IF (中頻）部 173…天線 174."雙工器 175···混合器（乘法器） 176…局部振盪器 177···级間濾波器 178…倍增器（乘法器） 179···级間濾波器 180…功率放大器 181."IF濾波器 182···解調器 183…低雜訊放大器 184··.級間濾波器 200…雙工器 210…雙工器 57

Claims (1)

1311858 拾、申請專利範圍 —種雙工器，係包含具有不同 ^ ^ 中心頻率之兩個表 面聲波濾波器、及使前述兩個 表面聲波濾波器之相位 匹配之相位匹配用電路者，复 側之表面聲波濾波 盗為梯形表面聲波濾波器，另_ ^ A 为—側之表面聲波濾波器 面聲波滤 為含有並聯連接之3個以上的多數雙模式表 波器。 ' 工 10 2. 如申請專利範圍第1項之雙工琴 式表面聲波濾波器具有單一輸出。 其中前述多數雙模 如申請專利範圍第1項之雙工器 式表面聲波濾波器具有平衡輸出。 其中前述多數雙模 4.如申請專利範圍第1、2或3項 雙工器，其中前述梯 形表面聲波濾波器設於發射側，而前述多數雙模式表 面聲波濾波器則設於接收侧。 15 5·如申請專利範圍第1、2或3項之雙工器 數雙模式表面聲波濾波器之輸出係結合的 其中前述多 6.如申請專利範圍第丨、2或3項之雙工器，其中前述另 一侧之表面聲波濾波器係將前述並聯連接之多數雙模 式表面聲波濾波器多數區段串接。 20 7·如申請專利範圍第6項之雙工器，其中前述另—側之 表面聲波濾波器係將前述並聯連接之多數雙模式表 聲波遽波器2區段串接。。 8.如申請專利範圍第1、2或3項之雙工器，其中連接於 月ij述雙工器之共通端子之Θ述梯形表面聲波濾波器之 共振器為串聯共振器。 58 1311858 拾、申請專利範圍 9·如申請專利範圍第1、2或3項之雙工器，其中前述兩 個表面聲波濾波器之通帶之一侧之上升之至少一部分 與另一侧之下降之至少一部分重疊。 1〇.如申請專利範圍第1、2或3項之雙工器，其中前述多 5 數雙模式表面聲波濾波器由3個數位間轉換器構成。
11.如申請專利範圍第1、2或3項之雙工器，其中前述梯 形表面聲波濾波器及前述多數雙模式表面聲波濾波器 係形成於共通之基板上。 12· —種雙工器’係於疊層殼體中收容有具有不同頻帶中 ° 心頻率之兩個表面聲波濾波器，及使該兩個表面聲波 遽波器之相位匹配之相位匹配用電路者，其中一側之 表面聲波濾波器為梯形表面聲波濾波器，另一側之表 面聲波濾波器為至少含有1區段之並聯連接之3個以 上的多數雙模式表面聲波濾波器。 15 U.如申請專利範圍第12項之雙工器，其中前述相位匹配 用電路為線路圖案。
14·如申請專利範圍第1或12項之雙工器，其中前述並聯 連接之3個以上的多數雙模式表面聲波濾波器之通帶 為1.9GHz以上。 2〇 15,如申請專利範圍第12項之雙工器，其中前述另一側之 表面聲波濾波器具有將前述並聯連接之多數雙模式表 面聲波濾波器2區段串接之構造，且將各區段之雙模 式表面聲波濾波器之接地共通化之圖案係形成於前述 疊層殼體内之中間層以外。 59 1311858 拾、申請專利範圍 16·如申請專利範圍第12項之雙工器，其中前述另一側之 表面聲波濾波器具有將前述並聯連接之多數雙模式表 面聲波濾波器2區段串接之構造，前述疊層殼體内之 引線接合墊層具有以引線接合連接於第1區段之雙模 5 10 15 20 式表面聲波濾波器之接地之第1墊，及以引線接合連 接於第2區段之雙模式表面聲波濾波器之接地之第2 墊，且前述第丨及第2墊在前述引線接合墊層中為獨 立之接地。
17.如申請專利範圍第12項之雙工器，其中前述另一侧之 表面聲波;慮波器具有：將前述並聯連接之多數雙模式 表面聲波，慮波器2區段串接之構造，第〗區段與第2 區段之雙模式表面聲波濾波器之接地係藉形成前述疊 層殼體上面之第1層及形成共通接地之第2層而共通 化0
18·如申請專利範圍f 12項之雙工器，其中前述另一側之 表面聲波濾波器具有將前述並聯連接之多數雙模式表 面聲波滤波器2區段串接之構造，且以引線接合連接 於第1區丰又之雙模式表面聲波遽波器之接地之第1塾 ，及以引線接合連接” 2區段之雙模式表 面聲波濾 波器 '之接地之第2墊，係各自連接於形成於前述疊層 殼體外面之多數外部連接端子。 19.如申請專利範圍第12 項之雙工益，其中構成前述疊層 设體之各層具有接地圖荦，而兮拉丨山 茶而§亥接地圖案連接形成於 前述疊層般體外面之接地端子。 60 1311858 拾、申請專利範圍 士申明專利範圍第12項之雙工器，其中前述疊層殼體 内之中間層各自具有連接於形成於前述疊層殼體之外 面之接地為子之接地圖案，各接地圖案係配置成使形 成；七述疊層威體之訊號線圖案及連接於該訊號線圖 5 案之接合墊不重疊。 21.如申請專利範圍第12項之雙卫器，其中前述具有不同 頻帶中心頻率之兩個表面聲波遽波器係形成於一個晶 片上，前述另一側之表面聲波濾波器具有將前述並聯 連接之多數雙模式表面聲波濾波器2區段串接之構造 且各區段之接地於前述晶片以外共通化。 22·如申請專利範圍第12項之雙工器，其t前述雙工器具 有形成前述一侧之表面聲波濾波器之第〗晶片及形成 前述另一側之表面聲波濾波器之第2晶片，前述另一 側之表面聲波濾波器具有將前述並聯連接之多數雙模 式表面聲波濾波器2區段串接之構造，且各區段之接 地於月丨』述晶片以外共通化。 23,如申請專利範圍第12項之雙工器，其中前述疊層殼體 包含形成共通接地之層，言亥共通接地藉由形成於前述 疊層殼體之側面之多數連接路及形成於前述疊層殼 20 ^ 内之多數通孔，連接於形成於前述疊層殼體外面之多 數外部連接端子。 %如申請專利範圍第12項之雙工器，其中前述另一側之 表面聲波濾波器具有：將前述並聯連接之多數雙模式 表面聲波濾波器2區段串接之構造，且前述疊層殼體 61 1311858 拾、申請專利範圍 含有共通接地層，該共通接地層具有形成前述另一表 面聲Μ波H之第1 H段之接地面之第i共通接地圖 案，及形成第2區段之接地面之第2共通接地圖案。 $ 25.如中請專利範圍第12項之雙工器，其中前述疊層殼體 5 包括具有引線接合墊之第1層，及設於該第】層之上 部且具有環狀接地圖案之m，且前述引線^合塾 中，成為接地之墊與前述環狀之接地圖案係以形成於 前述疊層殼體内之多數通孔連接。 1〇 26.如申請專利範圍第12項之雙工器，其中前述疊層殼體 包括具有引線接合塾之帛i |，及形成前述相位匹配 用電路之第2層，且前述第u更具有另一相位匹配 用電路，該另一相位匹配用電路藉由形成於前述疊層 殼體内之通孔連接於形成於前述第2層之前述相位匹 配用電路。 15 27.如巾請專利範圍第％項之雙卫器，其中前述另一相位 匹配用電路係連接於前述雙工器之共通端子與前述兩 個表面聲波濾波器之間。 28.如申請專利範圍第％項之雙卫器，其中前述另一相位 匹配用電路具有線路圖案，且前述通孔形成於前述線 〇 路圖案之途中。 9.如申胡專利範圍第12項之雙工器，其中前述疊層圖案 八有形成有前述相位匹配用電路之第丨層，及形成有 通接地之第2層，該共通接地係配置成覆蓋前述相 位匹配用電路全體。 62 1311858 拾、申請專利範圍 30. 如申請專利範圍第12項之雙工器，其中前述疊層殼體 包括：具有引線接合墊之第！層，及形成有形成前述 相位匹配用電路之相位匹配用線路圖案之第2層’且 前述引線接合墊包含藉由形成於前述疊層殼體之多數 5 通孔而連接於前述相位匹配用線路圖案之兩端之引線 接合塾。 31. 如申請專利範圍第12項之雙工器，其中前述疊層殼體 具有形成有搭載前述兩個表面聲波濾波器之黏晶部之 層，該黏晶部具有比形成有前述兩個表面聲波濾波器 10 之至少一個晶片之面積寬廣之面積。 32. 如申請專利範圍第31項之雙工器，其中前述黏晶部具 有多數引出圖案，該等多數引出圖案連接於形成於前 述疊層殼體之側面之連接路，且具有2〇〇"m以上之寬 度。 15 33·如中請專利範圍第12項之雙卫器’其中前述疊層殼體 包括具有引線接合墊之第i Μ，及形成有搭載前述兩 個表面聲波濾、波H之黏晶部之第2層，且前述黏晶部 藉由形成於前述疊層殼體之多數通孔及形成於前述疊 2〇 &殼體側面之多數連接路，連接於前述引線接合塾中 之有關接地之引線接合墊。 34.如申請專利範圍第 貝之雙工器，其中前述疊層殼體 具有形成有搭載前述兩個表面聲波遽波器之黏晶部之 f 1層，及形成有共通接地之第2層，且前述黏晶部 精由形成於前述疊層殼體之多數通孔及形成於前述疊 63 1311858 拾、申請專利範圍 層殼體之侧面之多數連接 35.如申請專利範圍第 於W述共通接地。 32、…項之雙工器，其、中二、29，、31、 ,,^ 其中則述另—側之表面聲波 秦 遽波器之最終段具有平衡輪出。 36·—種電子裝置，包含有： 天線；
連接於該天線之雙工器；及 連接於該雙工器之發射系及接收系電路， 又’前述雙工器係申請專利範圍第1、2、3、12、 13、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25 、26、27、28、29、30、31、32、33 或 34項之雙工器 C
64
TW091133738A 2001-12-21 2002-11-19 Duplexer and electronic device using the same TWI311858B (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001390706 2001-12-21
JP2002134770A JP3833569B2 (ja) 2001-12-21 2002-05-10 分波器及びこれを用いた電子装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200301617A TW200301617A (en) 2003-07-01
TWI311858B true TWI311858B (en) 2009-07-01

Family

ID=26625227

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW091133738A TWI311858B (en) 2001-12-21 2002-11-19 Duplexer and electronic device using the same

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7135944B2 (zh)
EP (1) EP1465337A4 (zh)
JP (1) JP3833569B2 (zh)
KR (1) KR100593355B1 (zh)
CN (1) CN100426669C (zh)
TW (1) TWI311858B (zh)
WO (1) WO2003055067A1 (zh)

Families Citing this family (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100454760C (zh) 2003-04-25 2009-01-21 富士通媒体部品株式会社 双工器
JP3778902B2 (ja) * 2003-04-28 2006-05-24 富士通メディアデバイス株式会社 分波器及び電子装置
JP3853303B2 (ja) 2003-04-28 2006-12-06 富士通メディアデバイス株式会社 分波器
JP3967289B2 (ja) * 2003-04-30 2007-08-29 富士通メディアデバイス株式会社 分波器及び電子装置
JP2005235977A (ja) * 2004-02-19 2005-09-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路
US7446629B2 (en) 2004-08-04 2008-11-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Antenna duplexer, and RF module and communication apparatus using the same
JP4504278B2 (ja) * 2004-08-04 2010-07-14 パナソニック株式会社 アンテナ共用器、ならびに、それを用いた高周波モジュールおよび通信機器
JP4303178B2 (ja) * 2004-08-31 2009-07-29 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波装置
CN100521531C (zh) * 2004-09-30 2009-07-29 三洋电机株式会社 电子装置及其所使用的封装
WO2006040927A1 (ja) * 2004-10-08 2006-04-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. 分波器
JPWO2006040923A1 (ja) * 2004-10-08 2008-05-15 株式会社村田製作所 分波器
JP2006135447A (ja) 2004-11-02 2006-05-25 Fujitsu Media Device Kk 分波器
JP4541853B2 (ja) * 2004-11-25 2010-09-08 日本電波工業株式会社 アンテナ分波器およびアンテナ分波器用表面弾性波フィルタ
DE102005010658A1 (de) * 2005-03-08 2006-09-14 Epcos Ag Duplexer mit verbesserter Leistungsverträglichkeit
JP4537254B2 (ja) 2005-04-28 2010-09-01 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波フィルタおよび分波器
DE102005032058B4 (de) * 2005-07-08 2016-12-29 Epcos Ag HF-Filter mit verbesserter Gegenbandunterdrückung
JP2007074698A (ja) * 2005-08-08 2007-03-22 Fujitsu Media Device Kk 分波器及びラダー型フィルタ
JP2007104052A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JP4534990B2 (ja) * 2006-01-12 2010-09-01 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ装置及び分波器
WO2007083432A1 (ja) * 2006-01-18 2007-07-26 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性表面波装置及び弾性境界波装置
WO2007116760A1 (ja) 2006-04-06 2007-10-18 Murata Manufacturing Co., Ltd. デュプレクサ
EP2017961A4 (en) * 2006-05-08 2011-02-16 Murata Manufacturing Co ELASTIC WAVE FILTER DEVICE AND DUPLEX
CN101467349B (zh) * 2006-06-12 2011-06-01 株式会社村田制作所 弹性波分波器
JP4735717B2 (ja) * 2006-06-21 2011-07-27 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置及びデュプレクサ
JP2008035007A (ja) 2006-07-27 2008-02-14 Fujitsu Media Device Kk フィルタ
JP4244057B2 (ja) 2006-08-30 2009-03-25 富士通メディアデバイス株式会社 バランスフィルタおよび分波器
KR100790699B1 (ko) 2006-09-07 2008-01-02 삼성전기주식회사 듀플렉서
KR100793544B1 (ko) 2006-09-07 2008-01-14 엘지이노텍 주식회사 듀플렉서
WO2008038459A1 (fr) * 2006-09-25 2008-04-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filtre d'onde acoustique limite
WO2008078496A1 (ja) * 2006-12-25 2008-07-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性波装置
KR100847737B1 (ko) 2007-02-07 2008-07-23 주식회사 아이.티.에프 Ｒｆ 중계기에서의 저 형상 필터
JPWO2008108113A1 (ja) * 2007-03-01 2010-06-10 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置及びデュプレクサ
JP5073355B2 (ja) * 2007-04-20 2012-11-14 太陽誘電株式会社 アンテナ分波器
WO2008146525A1 (ja) * 2007-05-28 2008-12-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. デュプレクサ及び弾性波装置
CN101682312B (zh) * 2007-05-29 2013-01-23 株式会社村田制作所 弹性波分波器
WO2009013974A1 (ja) * 2007-07-26 2009-01-29 Kyocera Corporation 弾性表面波装置及び通信装置
WO2009028683A1 (ja) 2007-08-30 2009-03-05 Kyocera Corporation 電子部品
CN101809867B (zh) 2007-10-01 2013-05-29 松下电器产业株式会社 共用器
WO2009063559A1 (ja) * 2007-11-15 2009-05-22 Fujitsu Limited 弾性波デバイス、それを用いたデュープレクサおよびそのデュープレクサを用いた通信機
JP5230270B2 (ja) * 2008-05-29 2013-07-10 京セラ株式会社 分波器および無線通信機器
US9035721B2 (en) * 2008-07-30 2015-05-19 Kyocera Corporation Duplexer, communication module component, and communication device
US7821360B2 (en) 2008-08-28 2010-10-26 Northrop Grumman Systems Corporation Multi-channel surface acoustic wave filter device with voltage controlled tunable frequency response
JP4816710B2 (ja) 2008-10-30 2011-11-16 株式会社村田製作所 分波器
WO2010150598A1 (ja) * 2009-06-26 2010-12-29 株式会社村田製作所 弾性波装置及びデュプレクサ
JP2009284554A (ja) * 2009-09-03 2009-12-03 Hitachi Media Electoronics Co Ltd 弾性表面波装置、通信用フィルタ及び移動通信装置
WO2011077773A1 (ja) * 2009-12-25 2011-06-30 株式会社村田製作所 分波器
JP5528791B2 (ja) * 2009-12-28 2014-06-25 京セラ株式会社 弾性波装置および弾性波装置の製造方法ならびに実装基板に弾性波装置が実装された装置
JP5168360B2 (ja) * 2010-01-28 2013-03-21 株式会社村田製作所 分波器
JP4905614B1 (ja) 2010-10-26 2012-03-28 株式会社村田製作所 弾性波分波器
JP5679558B2 (ja) 2011-01-19 2015-03-04 太陽誘電株式会社 分波器
WO2012105337A1 (ja) * 2011-01-31 2012-08-09 京セラ株式会社 分波器および通信用モジュール部品
JP5682635B2 (ja) * 2011-02-09 2015-03-11 株式会社村田製作所 高周波モジュール
KR101595847B1 (ko) 2011-09-01 2016-02-19 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치
JP6017868B2 (ja) * 2011-11-04 2016-11-02 太陽誘電株式会社 分波器、フィルタ及び通信モジュール
JP5933355B2 (ja) * 2012-06-12 2016-06-08 太陽誘電株式会社 フィルタ及びデュプレクサ
WO2014021042A1 (ja) 2012-08-02 2014-02-06 株式会社村田製作所 弾性波装置及び分波装置
JP6112654B2 (ja) * 2013-01-29 2017-04-12 太陽誘電株式会社 モジュール
JP6176324B2 (ja) 2013-06-13 2017-08-09 株式会社村田製作所 フィルタ装置及びデュプレクサ
JP5796604B2 (ja) * 2013-06-13 2015-10-21 株式会社村田製作所 分波装置
WO2015080045A1 (ja) * 2013-11-29 2015-06-04 株式会社村田製作所 分波器
JP5823581B2 (ja) * 2014-07-28 2015-11-25 太陽誘電株式会社 分波器
DE102014111901B4 (de) * 2014-08-20 2019-05-23 Snaptrack, Inc. Duplexer
JP6868025B2 (ja) * 2016-07-13 2021-05-12 京セラ株式会社 受信フィルタ、分波器および通信装置
JP2019054216A (ja) * 2017-09-19 2019-04-04 東芝メモリ株式会社 半導体装置
WO2019172032A1 (ja) 2018-03-08 2019-09-12 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置
KR102689012B1 (ko) 2019-03-13 2024-07-26 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 필터 장치 및 멀티플렉서
JP7344662B2 (ja) * 2019-03-26 2023-09-14 太陽誘電株式会社 マルチプレクサ
DE102019119239A1 (de) * 2019-07-16 2021-01-21 RF360 Europe GmbH Multiplexer
CN112511131B (zh) * 2021-02-05 2021-05-25 成都频岢微电子有限公司 一种具有高隔离度和高通频带低频侧高陡峭度的双工器
CN112532201B (zh) * 2021-02-07 2021-08-17 成都频岢微电子有限公司 一种用于提高声表面波接收滤波器带外抑制的layout结构
RU205909U1 (ru) * 2021-03-18 2021-08-12 Общество с ограниченной ответственностью "БУТИС" Дуплексерный фильтр на поверхностных акустических волнах
CN117352983A (zh) * 2022-06-28 2024-01-05 欣兴电子股份有限公司 多层共振器线路结构及多层滤波器线路结构

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH053417A (ja) 1991-04-19 1993-01-08 Oki Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フイルタ
JP3388475B2 (ja) 1991-12-16 2003-03-24 富士通株式会社 分波器
JP3259459B2 (ja) 1993-08-23 2002-02-25 株式会社村田製作所 分波器
JPH07226607A (ja) 1994-02-10 1995-08-22 Hitachi Ltd 分波器、分波器モジュールおよび無線通信装置
JP3239064B2 (ja) 1996-05-28 2001-12-17 富士通株式会社 弾性表面波装置
JP3186604B2 (ja) 1996-10-09 2001-07-11 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ装置
JP3222072B2 (ja) 1996-10-15 2001-10-22 富士通株式会社 分波器パッケージ
JP3224202B2 (ja) 1996-11-28 2001-10-29 富士通株式会社 弾性表面波装置
JPH10261936A (ja) 1997-03-19 1998-09-29 Mitsubishi Electric Corp 弾性表面波フィルタ
DE19818038B4 (de) 1998-04-22 2004-07-22 Epcos Ag Dualmode-Oberflächenwellenfilter
JP3206548B2 (ja) 1998-05-14 2001-09-10 株式会社村田製作所 表面波フィルタ、共用器、通信機装置
JP4199847B2 (ja) 1998-05-22 2008-12-24 日本無線株式会社 弾性表面波デバイス及びその製造方法
JP3487414B2 (ja) * 1998-05-29 2004-01-19 富士通株式会社 弾性表面波フィルタ装置
JP3484090B2 (ja) 1998-12-22 2004-01-06 株式会社日立製作所 スイッチ型アンテナ共用器および移動無線端末
JP2001189639A (ja) * 1998-12-29 2001-07-10 Toshiba Corp 弾性表面波装置
JP3419339B2 (ja) * 1999-03-11 2003-06-23 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ、デュプレクサ、通信機装置
JP2000349591A (ja) 1999-06-08 2000-12-15 Oki Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタを用いた分波器
JP2001049965A (ja) 1999-08-10 2001-02-20 Sekisui House Ltd 面格子の取付構造
JP2001148616A (ja) 1999-11-19 2001-05-29 Nec Corp 高周波増幅器
JP3246906B2 (ja) 2000-01-01 2002-01-15 富士通株式会社 分波器
JP3520413B2 (ja) 2000-02-14 2004-04-19 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ装置
JP3391346B2 (ja) * 2000-04-18 2003-03-31 株式会社村田製作所 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ
JP3375936B2 (ja) 2000-05-10 2003-02-10 富士通株式会社 分波器デバイス
ATE362674T1 (de) * 2002-05-16 2007-06-15 Tdk Corp Antennenweiche
JP3764731B2 (ja) * 2002-10-18 2006-04-12 富士通メディアデバイス株式会社 多重モード弾性表面波フィルタ及び分波器

Also Published As

Publication number Publication date
EP1465337A4 (en) 2009-11-11
CN1513229A (zh) 2004-07-14
EP1465337A1 (en) 2004-10-06
CN100426669C (zh) 2008-10-15
KR20040075707A (ko) 2004-08-30
KR100593355B1 (ko) 2006-06-28
US7135944B2 (en) 2006-11-14
US20040155730A1 (en) 2004-08-12
JP2003249842A (ja) 2003-09-05
JP3833569B2 (ja) 2006-10-11
TW200301617A (en) 2003-07-01
WO2003055067A1 (fr) 2003-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI311858B (en) Duplexer and electronic device using the same
JP3403669B2 (ja) アンテナ分波器
US7053731B2 (en) Duplexer using surface acoustic wave filters
EP1365509B1 (en) Antenna duplexer
EP1675262B1 (en) Duplexer
JP5108758B2 (ja) 改善された隣接チャネル抑圧を有するｈｆフィルタ
KR100697767B1 (ko) 분파기 및 전자 장치
US7629863B2 (en) Filter and duplexer
US20100066461A1 (en) Duplexer and elastic wave device
US7515017B2 (en) Surface acoustic wave device utilizing a terminal routing pattern
JP3818896B2 (ja) 分波器及びこれを用いた電子装置
GB2388727A (en) Surface acoustic wave duplexer includes inductors
JP3967289B2 (ja) 分波器及び電子装置
JP5043128B2 (ja) フィルタおよび通信装置
JPH09321573A (ja) 弾性表面波フィルタ装置
JP2002330055A (ja) 表面弾性波フィルタ、表面弾性波フィルタ用パッケージ及び表面弾性波フィルタモジュール
JP3478260B2 (ja) 弾性表面波フィルタおよび通信機装置
JP3710445B2 (ja) アンテナ分波器
US7183878B2 (en) Surface acoustic wave filter
JPH11340772A (ja) 弾性表面波デバイス及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees