CN112532201B - 一种用于提高声表面波接收滤波器带外抑制的layout结构 - Google Patents
一种用于提高声表面波接收滤波器带外抑制的layout结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112532201B CN112532201B CN202110174599.0A CN202110174599A CN112532201B CN 112532201 B CN112532201 B CN 112532201B CN 202110174599 A CN202110174599 A CN 202110174599A CN 112532201 B CN112532201 B CN 112532201B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- filter
- layout structure
- acoustic wave
- surface acoustic
- annular metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 3
- 230000001629 suppression Effects 0.000 abstract description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/56—Monolithic crystal filters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
本发明涉及滤波器领域，具体涉及一种用于提高声表面波接收滤波器带外抑制的layout结构，技术方案包括：所述layout结构包括环形金属导体、设置于滤波器外环，所述环形金属导体连接所述滤波器多个接地端，在滤波器外环设置环形金属导体，将多个接地端连接在一起，形成另一共地连接端，在接地端之间引入新的电感，从而在高频段产生一个或者多个零点，有效的改善了滤波器高频的抑制，并且不影响通带特性。
Description
技术领域
本发明属于滤波器领域，具体涉及一种用于提高声表面波接收滤波器带外抑制的layout结构。
背景技术
设计声表面滤波器主要有梯型滤波器和DMS型滤波器，广泛应用于接收滤波器中，接收滤波器对高频段的抑制效果有较高的性能要求。接收滤波器的设计制作，一般是根据使用场景进行具体设计，但是在高频段的抑制是难点。
发明内容
本发明提供一种用于提高声表面波接收滤波器带外抑制的layout结构，使高频段的抑制大大提升，并且保证了通带的性能，所述layout结构包括环形金属导体，所述环形金属导体设置于滤波器外环，所述环形金属导体连接所述滤波器的多个接地端。
优选的，所述金属导体为导体带。
优选的，所述导体带上设置有朝向滤波器一侧的凸起，所述凸起填充所述滤波器与导体带之间的空隙。
优选的，所述导体带上设置有曲折段。
优选的，所述layout结构设置于滤波器密封装置上。
优选的，所述环形金属导体材质为铜质。
优选的，所述滤波器为DMS型滤波器，所述环形金属导体连接所述DMS型滤波器DMS内部接地端和并联臂的接地端。
优选的，所述滤波器为梯型滤波器，所述环形金属导体连接所述梯型滤波器多个并联臂的接地端。
本发明具有以下有益效果：在滤波器外环设置环形金属导体，将接地端连接在一起，形成另一共地连接端，在接地端之间引入新的电感，而在高频段产生一个或者多个零点，有效的改善了滤波器高频的抑制，并且不影响通带特性。
附图说明
图1为现有技术中常规DMS型滤波器结构简图；
图2为现有技术中DMS型滤波器偶数阶谐振结构、偶数阶谐振结构分别共地结构简图；
图3为图2中DMS型滤波器结构示意图；
图4为本发明实施例中DMS型滤波器加入导体带的结构示意图；
图5为本发明实施例中导体带上设置有凸起的结构示意图；
图6为本发明实施例中导体带上设置有曲折段的结构示意图；
图7为本发明实施例中梯型滤波器加入导体带的结构示意图；
图8为图3、4、5实施例中DMS型滤波器S参数仿真结果示意图；
图9为本发明实施例中导体带上设置凸起和/或曲折段后与常规结构的S参数仿真结果示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。若未特别指明，实施例中所用的技术手段为本领域技术人员所熟知的常规手段。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
如图1所示，该DMS型滤波器包括串联谐振器S1、S2、S3和并联谐振器P1，P1并联于S1、S2之间，DMS结构串联于S2、S3之间，此处所使用的DMS结构为纵向耦合谐振器，包括五阶谐振结构和两个反射栅40，DMS结构内部各个谐振结构分别接地。
如图2所示，该DMS型滤波器包括串联谐振器S1、S2、S3和并联谐振器P1，P1并联于S1、S2之间，DMS结构串联于S2、S3之间，此处所使用的DMS结构为纵向耦合谐振器，包括五阶谐振结构41和两个反射栅40，将偶数阶、偶数阶谐振结构41的接地端G2、G3分别连接在一起，形成部分共地。
如图3-6所示，用于提高声表面波接收滤波器带外抑制的layout结构及滤波器，layout结构包括环形金属导体，所述环形金属导体设置于滤波器外环，环形金属导体连接滤波器的多个接地端。
作为优选的方案，环形金属导体为导体带10。
作为优选的方案，导体带10上设置有朝向滤波器一侧的凸起20，凸起20填充滤波器与导体带10之间的空隙。
作为优选的方案，导体带10上设置有曲折段30。
作为优选的方案，导体带10上设置有凸起20和曲折段30。
作为优选的方案，layout结构设置于滤波器密封装置上，即环形金属导体设置于滤波器的封装盒上，滤波器制作完成后，在封装时各个接地端的连接点再与环形金属导体连接，可以不改变滤波器原本的结构，对整个滤波器形成包围；环形金属导体也可以直接设置于滤波器基板上。
作为优选的方案，环形金属导体材质为铜质。
所设置的凸起20靠近滤波器一侧用于填充空隙，可以不增大滤波器原本的体积，在小型化上依然具有优势，而设置曲折段30同样的是在空隙范围内进行弯折。
一种DMS型滤波器，环形金属导体连接DMS型滤波器DMS内部接地端和并联臂的接地端。
以GPS四合一频段为例，加入环形金属导体结构，包括串联谐振器S1、S2、S3和并联谐振器P1，P1并联于S1、S2之间，DMS结构串联于S2、S3之间，此处所使用的DMS结构为纵向耦合谐振器，包括五阶谐振结构41和两个反射栅40，将偶数阶、偶数阶谐振结构41的接地端G2、G3分别连接在一起，然后与导体带10连接，同时将并联谐振器P1的接地端G1与导体带10连接，在地信号之间引入新的电感；另一种实施方式，五阶谐振结构41之间的接地端单独设置，然后通过导体带连成整体。
导体带10和滤波器结构之间的间隙，包括输入端input、输出端output、以及各谐振器与导体带10之间的间隙，可以设置凸起20，以增大导体带10的面积，增强接地端之间引入的电感，从而增强带外抑制效果，主要在高频段具有良好的抑制效果，同时在低频段也有一定的效果。
在导体带10上设置曲折段30，以增长导体带10的长度，增强接地端之间引入的电感，从而增强带外抑制效果，也可以在高频段具有良好的抑制效果，同时在低频段也有一定的效果。
如图8所示，按带外抑制效果从低到高区分，即通带外曲线最高的是图3所示常规DMS型滤波器的S参数曲线，DMS结构内部偶数阶谐振结构41、偶数阶谐振结构41分别共地，次之的是图4所示加入导体带10的DMS型滤波器的S参数曲线，而位于最下方的是图5所示导体带10上设置有凸块情况下的S参数曲线，图中三条曲线的通带性能几乎完全重合，可以明显看出对通带特性没有影响，而带外抑制效果大幅度增强。
如图9所示，在导体带10上设置凸起20和/或曲折段30相较于简单的环形导体带，其带外抑制效果有进一步的提升。
如图7所示的梯型滤波器，环形金属导体连接梯型滤波器并联臂的接地端，包括串联谐振器S4、S5、S6、S7、S8和并联谐振器P2、P3、P4、P5，其中P2并联于S4、S5之间，P3并联于S5、S6之间，P4并联于S6、S7之间，P5并联于S7、S8之间，将P2、P3接地端G4和P4、P5接地端G5连接在导体带10上；另一种实施方式，将并联谐振器的接地端单独接地，并且均与导体带10连接，仿真结果表明，该实施方式的效果优于先形成部分共地再与导体带10连接的方式。
作为优选的方案，在梯型滤波器的应用中，也可以在导体带上设置凸起20和/曲折段30，以此改变导体带10的面积和/或长度，改变零点出现的位置，以增强带外抑制效果，从而改善带外指标频段的抑制。
以上的实施例仅是对本发明的优选方式进行描述，并非对本发明的范围进行限定，在不脱离本发明设计精神的前提下，本领域普通技术人员对本发明的技术方案做出的各种变形、变型、修改、替换，均应落入本发明权利要求书确定的保护范围内。
Claims (5)
1.一种用于提高声表面波接收滤波器带外抑制的layout结构，其特征在于：所述layout结构包括环形金属导体，所述环形金属导体设置于滤波器外环，所述环形金属导体连接所述滤波器的多个接地端，所述环形金属导体为导体带，所述导体带上设置有朝向滤波器一侧的凸起，所述凸起填充所述滤波器与导体带之间的空隙，所述layout结构设置于滤波器密封装置上。
2.根据权利要求1所述的用于提高声表面波接收滤波器带外抑制的layout结构，其特征在于：所述导体带上设置有曲折段。
3.根据权利要求1所述的用于提高声表面波接收滤波器带外抑制的layout结构，其特征在于：所述环形金属导体材质为铜质。
4.根据权利要求1所述的用于提高声表面波接收滤波器带外抑制的layout结构，其特征在于：所述滤波器为DMS型滤波器，所述layout结构连接所述DMS型滤波器DMS内部接地端和并联臂的接地端。
5.根据权利要求1所述的用于提高声表面波接收滤波器带外抑制的layout结构，其特征在于：所述滤波器为梯型滤波器，所述环形金属导体连接所述梯型滤波器多个并联臂的接地端。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110174599.0A CN112532201B (zh) | 2021-02-07 | 2021-02-07 | 一种用于提高声表面波接收滤波器带外抑制的layout结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110174599.0A CN112532201B (zh) | 2021-02-07 | 2021-02-07 | 一种用于提高声表面波接收滤波器带外抑制的layout结构 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112532201A CN112532201A (zh) | 2021-03-19 |
| CN112532201B true CN112532201B (zh) | 2021-08-17 |
Family
ID=74975566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110174599.0A Active CN112532201B (zh) | 2021-02-07 | 2021-02-07 | 一种用于提高声表面波接收滤波器带外抑制的layout结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112532201B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113411069A (zh) * | 2021-06-03 | 2021-09-17 | 成都频岢微电子有限公司 | 一种体声波滤波器装置及提升带外抑制的方法 |
| CN114070221A (zh) * | 2021-11-17 | 2022-02-18 | 安徽安努奇科技有限公司 | 一种滤波器电路及电子设备 |
| CN117526898A (zh) * | 2024-01-04 | 2024-02-06 | 成都频岢微电子有限公司 | 一种声表面波滤波器和滤波元件 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112290906A (zh) * | 2019-07-22 | 2021-01-29 | 株式会社村田制作所 | 滤波器及多工器 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3833569B2 (ja) * | 2001-12-21 | 2006-10-11 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 分波器及びこれを用いた電子装置 |
| KR100921383B1 (ko) * | 2006-09-08 | 2009-10-14 | 가부시키가이샤 엔.티.티.도코모 | 가변 공진기, 대역폭 가변 필터, 전기회로 장치 |
| KR20120050317A (ko) * | 2010-11-10 | 2012-05-18 | 한국항공대학교산학협력단 | Ｓｒｒ 기반의 대역저지 여파기 |
| TWI447887B (zh) * | 2011-06-01 | 2014-08-01 | 矽品精密工業股份有限公司 | 電路元件孔鏈結構及其佈局方法 |
| CN202308663U (zh) * | 2011-06-20 | 2012-07-04 | 中航光电科技股份有限公司 | 滤波器及使用该滤波器的组合式滤波连接器 |
| US9881881B2 (en) * | 2015-07-24 | 2018-01-30 | Qualcomm Incorporated | Conductive seal ring for power bus distribution |
| CN212085184U (zh) * | 2019-07-19 | 2020-12-04 | 成都频岢微电子有限公司 | 一种siw滤波器及hmsiw滤波器 |
| CN211182698U (zh) * | 2019-11-01 | 2020-08-04 | 力郡科技（河源）有限公司 | Usb type-c连接器 |
| CN210958380U (zh) * | 2019-12-31 | 2020-07-07 | 株式会社村田制作所 | 多路复用器及通信装置 |
| CN111817688B (zh) * | 2020-09-14 | 2020-12-04 | 成都频岢微电子有限公司 | 一种高隔离度声表面波双工器及实现高隔离度的方法 |
-
2021
- 2021-02-07 CN CN202110174599.0A patent/CN112532201B/zh active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112290906A (zh) * | 2019-07-22 | 2021-01-29 | 株式会社村田制作所 | 滤波器及多工器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112532201A (zh) | 2021-03-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN112532201B (zh) | 一种用于提高声表面波接收滤波器带外抑制的layout结构 | |
| CN104348442B (zh) | 高频模块 | |
| CN105122645B (zh) | 高频模块 | |
| JP4270206B2 (ja) | 弾性表面波分波器 | |
| KR100860211B1 (ko) | 탄성 표면파 필터 및 그것을 갖는 분파기 | |
| US20060091977A1 (en) | Duplexer | |
| JP4154949B2 (ja) | Ｓａｗフィルタ | |
| CN102986137B (zh) | 层叠型带通滤波器 | |
| US6300849B1 (en) | Distributed element filter | |
| CN104426501A (zh) | 弹性波滤波器装置以及双工器 | |
| JP4629571B2 (ja) | マイクロ波回路 | |
| US7764147B2 (en) | Coplanar resonator and filter using the same | |
| US20060208834A1 (en) | Balanced surface acoustic wavefilter | |
| CN110798169A (zh) | 一种滤波电路及提高滤波电路性能的方法和信号处理设备 | |
| US20140070906A1 (en) | Elastic wave device | |
| JP3743341B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| CN107508020A (zh) | 谐振器及椭圆函数型低通滤波器 | |
| CN116318042A (zh) | 一种无介质桥的声表面波滤波器 | |
| US20020003456A1 (en) | Antenna duplexer and communication apparatus | |
| JPS63108801A (ja) | 誘電体フイルタ | |
| US11031662B2 (en) | Low temperature co-fired ceramic band-pass filter | |
| CN107681990A (zh) | 一种多模ltcc滤波器 | |
| JPH07226602A (ja) | 積層型誘電体フィルタ | |
| JP3921310B2 (ja) | 分布定数フィルタ | |
| CN218005215U (zh) | 一种带通介质滤波器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |