WO2005020436A1

WO2005020436A1 - 弾性表面波フィルタ

Info

Publication number: WO2005020436A1
Application number: PCT/JP2004/012324
Authority: WO
Inventors: Hiroshi Kushitani; Shinobu Nakaya; Takeo Yasuho
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Priority date: 2003-08-25
Filing date: 2004-08-20
Publication date: 2005-03-03
Also published as: JP2005072938A; US7183878B2; CN1701509A; CN100477519C; EP1659689A1; US20060164182A1; EP1659689A4; JP4389521B2

Abstract

一端が弾性表面波素子と接続され、他端がグランドに接続された少なくとも一つ以上の伝送線路を、使用周波数の波長以下の間隔でグランド電極に接続した伝送線路で仕切った弾性表面波フィルタである。同構成により、複数個の伝送線路の間に、グランドを介在させることになるため、端子間のアイソレーションを大きく取ることが出来てフィルタ特性が向上する。

Description

明細書

弾性表面波フィル夕技術分野

本発明は各種通信機器に用いられる弾性表面波フィルタに関するものである。背景技術

従来の弾性表面波フィル夕（以下、 SAWフィルタ）について図 14を用いて説明する。従来の SAWフィルタは第 1の誘電体層 72、第 2の誘電体層 78、キヤビティ 80および金属板 81を有する。第 1の誘電体層 72は、下面に送信端子 68、受信端子 69、アンテナ端子 70および第 1のグランド電極 71を有し、上面に伝送線路 73, 74， 75， 76， 77を有する。伝送線路 73, 7 4， 75, 76, 77と対面して配置される第 2の誘電体層 78は、上面に第 2 のグランド電極 79を有する。キヤビティ 80は、第 2のグランド電極 79と対面するように配置されており、中央に開口部が形成されて筒形状を有している。キヤビティ 80の上側に金属板 81が溶接されることにより、キヤビティ 80の開口部が密閉されてパッケージが構成されている。

また第 2のグランド電極 79の上面には弾性表面波素子 82が実装されており、この弾性表面波素子 82はキヤビティ 80および金属板 81とは接触しないように配置された構成となっている。

以上のように構成された従来の SAWフィル夕における、弾性表面波素子 82 を除く、パッケージのみの送信端子 68とアンテナ端子 70の間の通過特性、すなわちアイソレーション特性を図 15における A線に示す。 A線から、 2. 17 GHzにおいてその減衰量は 56. 8 dBであることが分かる。

このような従来の SAWフィルタが図 6のような回路を持ち、その周波数特性が図 7に示すような場合であるときの、この SAWフィル夕の周波数特性を図 1 5に破線 Mで示す。図 15から、 2. 11GHzから 2. 17GHzの周波数帯域における S AWフィルタの減衰量は 5 7 . 8 d Bであり、パッケージの減衰量 ( 5 6 . 8 d B ) の方が小さいことが分かる。したがって、送信端子 6 8からァンテナ端子 7 0に伝播する信号量はパッケージを伝播する方が多くなる。このように従来のパッケージは減衰量が大きい S AWフィル夕を構成するためにはアイソレーション特性が不充分であつた。発明の開示

本発明の弾性表面波フィルタは、一端が弾性表面波素子と接続され、他端がグランドに接続された少なくとも一つ以上の伝送線路を、使用周波数の波長以下の間隔でグランドに接続した伝送線路で仕切った構成を有する。この構成により、端子間のアイソレ一ションを大きく取ることが出来るため、フィル夕特性を向上させることができる。

また、本発明の弾性表面波フィルタは、送信端子と受信端子とアンテナ端子を使用周波数の波長以下の間隔でグランドに接続した伝送線路で仕切った構成を有する。本構成により送信端子と受信端子とアンテナ端子のそれぞれの端子間のァイソレーションを大きく取ることができるものである。図面の簡単な説明

図 1は本発明の一実施の形態の S AWフィル夕の分解斜視図。

図 2 Aは本発明の一実施の形態の S AWフィルタパッケージを示す上面図。

図 2 Bは本発明の一実施の形態の S AWフィルタパッケージを示す断面図。図 3は本発明の一実施の形態の S AWフィル夕接続ビアホール部分を示す拡大図。図 4は本発明の一実施の形態の S AWフィル夕接続ビアホール部分を示す拡大図。図 5は本発明の一実施の形態の S AWフィル夕接続ビアホール部分を示す ¾大図。図 6は本発明の一実施の形態の S AWフィルタ回路図。

図 7は本発明の一実施の形態の S AWフィルタ周波数特性図。

図 8は本発明の一実施の形態の S AWフィル夕パッケージ部分の周波数特性図。図 9は本発明の別の実施の形態の接続ビアホール部分を示す拡大図。

図 1 0は本発明の別の実施の形態の接続ビアホール部分を示す拡大図。

図 1 1は本発明の別の実施の形態の接続ビアホール部分を示す拡大図。

図 1 2は本発明の他の実施の形態の接続ビアホール部分を示す拡大図。

図 1 3は本発明の他の実施の形態のパッケージ部分の周波数特性図。

図 1 4は従来例を示す分解斜視図。

図 1 5は従来例のパッケージ部分の周波数特性図。発明を実施するための最良の形態

本発明の弾性表面波フィル夕（以下、 S AWフィルタ）は、一端が弾性表面波素子と接続され、他端がグランドに接続された複数個の伝送線路の間にグランドを介在させることになり、端子間のアイソレーションを大きく取ることによりフィル夕特性を向上させることができる。

また、本発明の S AWフィルタは、直列に接続された S AW共振子と並列に接続された S AW共振子とがラダー接続されたラダ一型フィル夕を構成し、かつ S AWフィル夕の設計の自由度を向上できる。

また、本発明の S AWフィルタは、少なくとも一つ以上の誘電体層上に伝送線路を形成するものであり、伝送線路を多層構造にすることが出来るので、伝送線路の設計の自由度を向上できる。

また、本発明の S AWフィルタは、接続ビアホールの直径を、接続する伝送線路の線幅よりも小さくした構成とするものであり、伝送線路に接続ピアホールを接続するためのランド電極を構成する必要がなくなるので、伝送線路の設計の自由度を向上させることができる。ここで、接続ビアホールとは、内部にメツキを施したビアホールや、導電性材料を充填したビアホールなどであり、積層された層間の接続に用いられる。

また、本発明の S AWフィルタは、弾性表面波素子を金属板で覆い、弾性表面波素子を気密封止することにより、フィル夕の信頼性を向上させることができる。また、本発明の S AWフィルタは、伝送線路を形成した層をグランド層で挟み、各々のグランド層を接続ビアホールで接続するものであって、グランドを強化することができるためさらに大きなアイソレーションを得ることができる。

また、本発明の S AWフィル夕は、使用周波数の波長以下の間隔でグランドに接続した伝送線路が少なくとも一つ以上の分岐を有しているものであり、使用周波数の波長以下の間隔でグランドに接続した伝送線路により仕切られる領域が 3 つ以上となり、ァイソレーションを向上させる端子間を増やすことができる。また、本発明の S AWフィルタは、使用周波数の波長以下の間隔でグランドに接続した伝送線路が少なくとも一つ以上折れ曲がり部を有する。折れ曲がり角度は 4 5 ° もしくは 9 0 ° であることが好ましい。本構成により伝送線路を形成するときにスクリーン印刷を導入しやすくなり、結果として線幅を小さくすることが容易となる。

また、上記の折れ曲がり部を、接続ビアホールを介してグランド電極と接続することにより、角度を持った部分を接地できるようになる。伝送線路において角度を持った部分は直線部分とは異なるインピーダンスを持つので結合条件が異なるが本構成のようにすることで、直線部分と同じ結合条件を維持することができる。

また、本発明の S AWフィルタは、送信端子、受信端子及びアンテナ端子を使用周波数の波長以下の間隔でグランドに接続した伝送線路で仕切る構成を有するものであり、送信端子と受信端子とアンテナ端子のそれぞれの端子間のアイソレ —ションを大きく取ることができる。

以下、図面を用いて本発明の一実施の形態を具体的に説明する。

図 1に示すように、一実施の形態において、 S AWフィルタは第 1の誘電体層 5、第 2の誘電体層 1 2、キヤビティ 1 4および金属板 1 5を有する。第 1の誘電体層 5は、下面に送信端子 1、受信端子 2、アンテナ端子 3および第 1のダランド電極 4を有し、上面に伝送線路 6， 7 , 8， 9， 1 0 , 1 1を有する。伝送線路 6， 7 , 8 , 9， 1 0， 1 1と対面して配置される第 2の誘電体層 1 2は、上面に第 2のグランド電極 1 3を有する。キヤビティ 1 4は、第 2のグランド電極 1 3と対面するように配置されており、中央に開口部が形成されて筒形状を有している。キヤビティ 1 4の上側に金属板 8 1が溶接されることにより、キヤビティ 1 4の開口部が密閉されてパッケージが構成されている。

また第 2のグランド電極 1 3の上面には弾性表面波素子 1 6が実装されており、この弾性表面波素子 1 6はキヤビティ 1 4および金属板 1 5とは接触しないように配置されている。

図 2 Aに示すように、キヤビティ 1 4は、中央の開口部に設けられる弾性表面波素子 1 6を取り囲む構造であり、弾性表面波素子 1 6を挟むように電極パッド 1 7 a〜l 7 1が配置されている。また、図 2 Bの断面図に示すように、キヤビティ 1 4の内周の 2辺は階段状に形成されており、その一方の階段面には電極パッド 1 7 a , 1 7 b , 1 7 c， 1 7 d， 1 7 e , 1 7 fが設けられ、他方の階段面には電極パッド 1 7 g , 1 7 , 1 7 i , 1 7 j , 1 7 k , 1 7 1が設けられている。

図 3は、図 1における第 1の誘電体層 5および第 2の誘電体層 1 2およびキヤビティ 1 4近傍の拡大図である。また図 4は図 1における第 1のグランド電極 4 および第 1の誘電体層 5近傍の拡大図である。図 3における伝送線路 6の一端は、同図に示す接続ビアホール 1 8を介して電極パッド 1 7 cに接続され、一方、その他端は図 4に示す接続ビアホール 2 3を介して、第 1のグランド電極 4に接続されている。同様に伝送線路 7の一端は接続ビアホール 1 9を介して電極パッド 1 7 dに接続され、その他端は、接続ビアホール 2 4を介して第 1のグランド電極 4に接続されている。伝送線路 8の一端は接続ビアホール 2 0を介して電極パッド 1 7 iに接続され、他端は、接続ビアホール 2 5を介して第 1のグランド電極 4に接続されている。伝送線路 9の一端は、接続ピアホール 2 1を介して電極パッド 1 7 jに接続され、他端は接続ビアホール 2 6を介して第 1のグランド電極 4に接続されている。伝送線路 1 0の一端は、接続ビアホール 2 2およびキヤビティ 1 4内に形成された伝送線路（図示せず）を介して電極パッド 1 7 aに接続され、かつ、 2 7によりアンテナ端子 3に接続され、その他端は接続ビアホ一ル 2 8を介して第 1のグランド電極 4に接続されている。なお、接続ビアホール 2 2は、図 1に示すように、アンテナ端子 3の位置から鉛直方向に伸びるビアホールである。

図 5は、図 1における第 1のグランド電極 4および第 1の誘電体層 5近傍の拡大図である。上記構成においてもっとも重要なことは第 1の誘電体層 5の上面に伝送線路 1 1が形成されていることである。この伝送線路 1 1は分岐点を 1つ持ち、端部を 3つ持った形状となっている。 3つの端部は接続ビアホール 2 9 , 3 0および 3 1を介して第 1のグランド電極 4に接続されている。同時に、伝送線路 1 1は、端部と端部の間で、接続ビアホール 3 2， 3 3 , 3 4および 3 5を介して第 1のグランド電極 4に接続される。これにより、伝送線路 1 1は、使用周波数の波長以下の間隔で第 1のグランド電極 4に接続される。ここで、接続ビアホール 3 3は伝送線路 1 1の分岐点に接続されており、また接続ビアホール 3 5は、伝送線路 1 1が直角に曲がっている点に接続されている。

つぎに、本実施の形態の S AWフィル夕の動作について説明する。一例として、図 6に示す回路を形成した場合について詳述する。

回路構成を以下に示す：弾性表面波素子 1 6の表面に入力端子 3 6が形成され、この入力端子 3 6に第 1の直列接続 S AW共振子 3 7の一端と第 1の並列接続共振子 3 8の一端が接続される。第 1の直列接続 S AW共振子 3 7の他端に第 2の直列接続 S AW共振子 3 9の一端と第 2の並列接続 S AW共振子 4 0の一端が接続される。第 2の直列接続 S AW共振子 3 9の他端に弾性表面波素子 1 6の表面に形成された出力端子 4 1が接続される。

入力端子 3 6は図 2 Aに示す電極パッド 1 7 eと電気的に接続される。また、電極パッド 1 7 eは送信端子 1と接続され、また出力端子 4 1は電極パッド 1 7 aと接続されている。第 1の並列接続 S AW共振子 3 8の他端は電極パッド 1 7 cに接続され、また第 2の並列接続 S AW共振子 4 0の他端は電極パッド 1 7 d に接続されている。ここで、図 6における第 1のインダク夕 4 2は、図 1の伝送線路 1 0に対応する。第 2のインダク夕 4 3は伝送線路 6に対応しているので、第 1の並列接続 S AW共振子 3 8の他端は、電極パッド 1 7 cから接続ビアホール 2 3を介して第 1グランド 4に接地されている。また、第 3のインダクタ 4 4 は伝送線路 7に対応しているので、第 2の並列接続 S AW共振子 4 0の他端は、電極パッド 1 7 dから接続ビアホール 2 4を介して第 1グランド 4に接地される。以上の構成により、入力端子 3 6と出力端子 4 1間で、第 1の直列接続 S AW 共振子 3 7と第 2の直列接続共振子 3 9が直列接続され、第 1の並列接続 S AW 共振子 3 7と第 2の並列接続共振子 3 9が並列接続される。それにより、本実施の形態の S A Wフィルタは、直列に接続された二つの S A W共振子と並列に接続された二つ S A W共振子とがラダー接続されたラダー型フィルタを構成する。以上のように形成された S AWフィル夕の送信端子 1とァンテナ端子 3の間の周波数特性を図 7に示す。 1 . 9 2 GH zから 1 . 9 8 GH zまでは損失の少ない通過特性を示し、その両側において減衰量示す特性になっている。特に 2 . 1 1 GH zから 2 . 1 7 GH zまでの周波数帯域で大きな減衰量が取れるようになつていることが最も大きな特長となっている。このような大きな減衰量を得ることができる理由を、図 8を用いて説明する。

図 8の B線は本実施の形態の S AWフィルタのパッケ一ジのみの場合の送信端子 1とアンテナ端子 3の間の周波数特性、すなわち本実施の形態のうち弾性表面波素子 1 6を取り除いたときのアイソレーション特性を示したものである。一方、 A線は図 1 5に示す従来例のパッケージのアイソレーション特性を示している。図 1を用いて説明したように伝送線路 6と伝送線路 1 0は第 1の誘電体層 5上に形成されており、それらの間の電界結合は両者を最短距離で構成したときに最も大きくなる。伝送線路 1 1は伝送線路 6と伝送線路 1 0とを隔てるように誘電体層 5上に形成されている。また図 5に示す接続ビアホール 2 9， 3 0， 3 1 , 3 2 , 3 3 , 3 4 , 3 5により第 1のグランド電極 4に接続されているので伝送線路 1 1の電位は充分に低い状態となっている。したがって伝送線路 1 1は伝送線路 6と伝送線路 1 0の間の電界結合を弱める作用を及ぼし、結果として送信端子 1とアンテナ端子 3の間のアイソレーションを大きくすることができる。

第 1の誘電体層 5、第 2の誘電体層 12及びキヤビティ 14を、アルミナを主成分とする誘電率 7. 8の低温焼結セラミックスを用いて作製し、形状 3. 8m mX 3. 8mmX 1. 3 mmのパッケージを構成する。伝送線路 6、伝送線路 7、伝送線路 10及び伝送線路 11を、銀を主成分とする導体を用いて、線幅 1 00 mとなるように形成する。伝送線路 6と伝送線路 10とは、最短 β巨離が 2 00 mとなるように作製する。伝送線路 11は、伝送線路 6と伝送線路 10とが最短距離となる位置に設けられ、伝送線路 6と伝送線路 10とに挟まれる箇所の中央部分を含んで両者を完全に隔てるように作製する。各接続ビアホールは、銀を主成分とする導体を用いて径 100 に作製され、各接続ビアホールと伝送線路との接続する部分では伝送線路の線幅が 200 mとなるように形成する。さらに 2. 17 GHzの波長以下の間隔となるように、伝送線路 11を接続ビァホール 29〜35でグランド電極 4に接続する。それにより接続ビアホール接続間のインピーダンスが使用周波数に対して小さくなり、この伝送線路 11におけるインピーダンスが無視できるレベルになる。

このように構成したパッケージの送信端子 1とァンテナ端子 3の間の電界結合をコンデンサとして表わすと 2. 17 GHzにおいて約 0. 00095 pFとなり、従来例の場合の約 0. 0012 pFと比較して約 20%低減されている。減衰量の周波数特性を図 8の B線に示す。 B線から、 2. 17 GHzにおける減衰量は 58. 8 dBであることがわかる。この値は、図 7および図 8において破線 Mで示す SAWフィルタの最も大きい減衰量である 57. 8 dBをも上回っている。したがって、 2. 11 GHzから 2. 17 GHzの帯域において送信端子 1 からパッケージを伝播してァンテナ端子 3に達する信号は、送信端子 1から弹性表面波素子 16を伝播してアンテナ端子 3に達する信号よりも少なくなる。その結果、本構成のパッケージは図 7に示す特性の SAWフィルタを構成できる。本実施の形態の弾性表面波素子 16はリチウム酸夕ン夕レートを用いて作製するのがよい。この場合は素子のカット角の自由度が大きく、低損失のフィル夕を構成しやすくなる。本実施の形態の弾性表面波素子 1 6のカット角は 3 9 ° としている。

なお、上記の実施の形態では、接続ビアホール 2 9、 3 0、 3 1と接続する部分で伝送線路 1 1の線幅を大きくしてランド電極 1 0 0を形成している。これは、接続部で、伝送線路の幅を接続ビアホールの径よりも大きくするためである。なお、接続ビアホール径を伝送線路 1 1の線幅よりも小さく形成してもよい。この場合は伝送線路 1 1に接続ビアホール 2 9 ~ 3 5を接続するためのランド電極 1 0 0を構成する必要がなくなるので、伝送線路 1 1の設計の自由度を向上させることができる。

なお、上記の実施の形態において伝送線路 1 1は 1点で直角に曲がっているが、 4 5 ° でもよい。これは伝送線路 1 1を形成するスクリーン印刷において線路幅の管理が容易になり、結果として線幅を更に小さくしファインラインを形成する場合でも特性に何等影響を与えることはなく、 S AWフィルタを小型にすることができる。

また、上記実施の形態では、伝送線路 1 1は第 1の誘電体層 5上に形成されているが、 1つの伝送線路を多層に分割してもよい。図 9は、第 1のグランド電極 4と第 1の誘電体層 5の間に第 3の誘電体層 4 5が挿入された例を示す。図 9は、第 3の誘電体層 4 5上に伝送線路 4 6が形成されており、伝送線路 4 6の一端は接続ビアホール 4 7を介して伝送線路 7の他端と接続され、伝送線路 4 6の他端は接続ビアホール 4 8を介して第 1のグランド電極 4に接続された構造を例示する。このような構造にすることで、形成する伝送線路の設計の自由度が高まる。つまり伝送線路のィンダク夕ンス成分を大きくできるのでフィル夕設計に利用しやすくなる。

また、上記のように多層に分割する伝送線路が 2つ以上ある場合には図 1 0に示すように第 3の誘電体層 4 5上に伝送線路 4 9を形成し、伝送線路 4 9を接続ビアホール 5 0， 5 1， 5 2， 5 3， 5 4 , 5 5及び 5 6を介して、伝送線路 1 1および第 1のグランド電極 4に接続すればアイソレーションの劣化を防止することができる。

また、上記の実施の形態においては第 1のグランド電極 4と第 2のグランド電極 13とは接続されていないが、図 11に示すように接続ビアホール 57, 58， 59および 60を介して両者を接続してもよい。両者を接続してグランドを強化' することにより、さらに大きなアイソレーションを得ることができるようになる。また、上記の実施の形態では、図 5に示す伝送線路 11は第 1のグランド電極 4と接続ビアホ一ル 29， 30， 31， 32， 33， 34, 35を介して接続された例を示した。これに対し、図 12に示すように、伝送線路 11が、接続ビアホール 61， 62， 63， 64， 65， 66, 67を介して第 2のグランド電極 13と接続する構成としてもよい。この場合には、伝送線路 6と伝送線路 10の間の電界結合をさらに弱める効果がある。この場合のパッケージの送信端子 1とアンテナ端子 3の間の電界結合をコンデンサとして表わすと 2. 17 GHzにおいて約 0. 00076 pFとなり、従来例と比較して約 36%低減されている。. これを減衰量として表わしたのが図 13の C線である。減衰量は、 2. 17GH zにおいて 60. 7 dBであり、さらに 1. 9 dB大きくなつている。

なお、上記の実施の形態では、送信端子 1とアンテナ端子 3の間に 1. 92G 112から 1. 98 GHzの 60MHzの間で通過帯を持ち、 2. 11 GHzから 2. 17 GHzの 60 MHzの間で減衰帯を持つフィル夕について説明している。さらに受信端子 2とアンテナ端子 3の間に 1. 92 GHzから 1. 98 GHzの 60 MHzの間で減衰帯を持ち、 2. 11 GHzから 2. 17 GHzの 60 MH zの間で通過帯を持つフィル夕を追加してもよい。この場合は送信端子 1と受信端子 2とアンテナ端子 3が伝送線路 11により仕切られることになるので、各端子間のアイソレーション特性を向上させることができる。いずれの場合も、通過帯よりも減衰帯の方が高い周波数を用いている。

なお、さらに広帯域が必要な場合は 60 MH z以上で、 1 GH zの通過帯あるいは減衰帯を持つことも出来る。

本発明の SAWフィルタは、 100 MHzから 5 GHzの周波数帯域で優れた特性を発揮するものであり、特に無線周波数帯での使用に適する。産業上の利用可能性

本発明の S AWフィルタは携帯電話等の移動体通信機器内の無線周波数回路に用いられる送信信号と受信信号を分波する、いわゆる共用器を構成するために有用である。特に近年の大容量のデータ通信に適している広い通過帯域および減衰帯域を有する C DMA方式などのシステムに使用する共用器に有用である。

Claims

請求の範囲

1 . 弾性表面波フィルタであって、

下面に第 1のグランドを有し、上面に複数の伝送線路を有する第 1の誘電体層と、

前記第一の誘電体層の上面に設けられ、かつ上面に第 2のグランドを有する第 2の誘電体層と、

前記第 2の誘電体層の上面に設けられる弾性表面波素子と、

前記第 2の誘電体層の上面に設けられ、前記弹性表面波素子を取り囲むキャビティを有しており、

前記複数の伝送線路は、一端が前記弾性表面波素子と接続され、他端が前記第 1または第 2のグランドに接続されており、

前記複数の伝送線路中の隣接する二つの伝送線路に挟まれる追加の伝送線路を有し、

前記追加の伝送線路は使用周波数の波長以下の間隔で前記第 1または第

2のグランドに接続されることを特徴とする弹性表面波フィル夕。

2 . 前記弾性表面波素子が、表面に、入力端子、接続端子および少なくとも 2以上の直列接続共振子並びに少なくとも 2以上の並列接続共振子を有することを特徴とする請求項 1記載の弹性表面波フィル夕。

3 . 前記伝送線路を有する誘電体層をさらに 1以上有することを特徴とする請求項 1記載の弾性表面波フィル夕。

4. さらに前記キヤビティを覆う金属板を有することを特徴とする請求項 1記載の弾性表面波フィルタ。

5 . さらに導電体を内部に有する接続ビアホールを有し、

前記接続ビアホールは前記第 1のグランドと前記第 2のグランドとを接続することを特徴とする請求項 1記載の弾性表面波フィルタ。

6 . さらに前記伝送線路に接続される前記接続ピアホールを有し、

前記接続ビアホールの直径が接続する前記伝送線路の線幅よりも小さいことを特徴とする請求項 5記載の弹性表面波フィル夕。

7 . 前記追加の伝送線路が、少なくとも一つ以上の分岐を有することを特徴とする請求項 1記載の弾性表面波フィルタ。

8 . 前記追加の伝送線路が、少なくとも一つ以上の折れ曲がり部を有することを特徴とする請求項 1記載の弾性表面波フィル夕。

9 . 前記折れ曲がりの角度が 4 5 ° もしくは 9 0 ° であることを特徴とする請求項 8記載の弾性表面波フィルタ。

1 0 . 前記追加の伝送線路が、前記折れ曲がり部で、接続ビアホールを介して、前記第 1または第 2のグランドに接続されることを特徴とする請求項 8記載の弾性表面波フィルタ。

1 1 . 前記第 1の誘電体の下面にさらに、送信端子、受信端子及びアンテナ端子を有し、

前記送信端子と接続する前記伝送線路と、

前記受信端子と接続する前記伝送線路と、

前記ァンテナ端子と接続する前記伝送線路とを有し、

前記追加の伝送線路が、前記三つの伝送線路の中のいずれか二つの隣接する伝送線路により挟まれることを特徴とする請求項 1記載の弾性表面波フィルタ。

1 2 . 通過帯または減衰帯の少なくとも一方が 6 0 MH z以上であることを特徴とする請求項 1記載の弾性表面波フィルタ。

1 3 . 前記追加の伝送線路が、前記の隣接する二つの伝送線路間の電界結合を抑制することを特徴とする請求項 1記載の弾性表面波フィルタ。

1 4. 弾性表面波素子と、送信端子と、受信端子と、アンテナ端子と、

前記送信端子と前記弾性表面波素子を接続する第 1の伝送線路と、前記受信端子と前記弾性表面波素子を接続する第 2の伝送線路と、前記アンテナ端子と前記弾性表面波素子を接続する第 3の伝送線路とが形成された誘電体層を有する弾性表面波フィル夕であつて、

前記誘電体層が、前記第 1、第 2および第 3の伝送線路中の、隣接する二つの伝送線路に挟まれる追加の伝送線路をさらに有し、

前記追加の伝送線路が使用周波数の波長以下の間隔でグランドに接続されることにより前記の隣接する二つの伝送線路間の電界結合を抑制することを特徴とする弹性表面波フィル夕。