WO2000054099A1 - Dispositif à cristaux liquides et son procédé de production - Google Patents

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Keiichi Suehiro
Tetsuo Shimizu
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Definitions

  • Liquid crystal device and method of manufacturing the same
  • the present invention relates to a liquid crystal device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a structure of an overhang region formed by extending a wiring from a liquid crystal sealed region.
  • a general liquid crystal device is configured by bonding a pair of transparent substrates through a seal member and sealing liquid crystal between the substrates and inside the seal member, that is, in a liquid crystal sealing region.
  • FIG. 31 shows an example of the structure of a liquid crystal device.
  • FIG. 31 (a) is a perspective plan view schematically showing the planar structure of the liquid crystal device 1
  • FIG. 31 (b) is a schematic diagram showing the structure near the overhang region 1 l.s in the liquid crystal device 1.
  • FIG. 2 is a schematic enlarged sectional view shown in FIG.
  • the liquid crystal device 10 is formed by laminating two transparent substrates 1 1 and 1 2 via a sealing member 13, and the transparent substrate 11 is formed to be slightly wider than the transparent substrate 1 2. Is formed with an overhang region 11 a that extends laterally beyond the end of the transparent substrate 12.
  • the inside of the sealing member 13 is a rectangular liquid crystal enclosing area A.
  • a transparent electrode 1 1 1 is formed on the transparent substrate 1 1 in the liquid crystal enclosing area A, passes under the sealing member 13, and is drawn out on the surface of the overhang area 1 1 a as wiring 13 1 a. Has been done.
  • an insulating film 112 is formed only in the liquid crystal enclosing region A, and an alignment film 112 is further formed thereon.
  • a transparent electrode 12 1 is formed on the transparent substrate 12. The transparent electrode 12 1 extends in a direction orthogonal to the transparent electrode 11 1 and then extends to a position where the sealing member 13 is formed. ing.
  • An alignment film 123 is formed on the transparent electrode 121, and a liquid crystal (not shown) is injected between the alignment films 113 and 123, and a predetermined alignment state is set according to the surface state of the alignment film. Is controlled.
  • wirings 13b are formed in a predetermined pattern on both left and right sides of the wiring 13a.
  • the wiring 13 1 b extends on the transparent substrate 11 to the position where the seal member 13 is formed.
  • the sealing member 13 is made of a material containing conductive particles in resin. When pressed between the transparent substrate 11 and the transparent substrate 12, it exhibits anisotropic conductivity that shows electrical conductivity only in the direction of the guess thickness (substrate gap direction).
  • the transparent electrode 1 2 1 and the wiring 1 3 1b are vertically overlapped at the vertical conductive portion 13 b of the seal member 13 and are conductively connected to each other via the vertical conductive portion 13 b. .
  • the leading ends of the wirings 13a and 13b are conductively connected to an output terminal (not shown) of the driver IC 133 for driving the liquid crystal via an anisotropic conductive film (not shown).
  • a terminal pattern 13 4 is also formed in the overhang region 11 a. One end of the terminal pattern 13 4 is connected to the input of the driver IC 13 3 via the anisotropic conductive film described above.
  • the other end of the terminal pattern 134 is conductively connected to the terminal, and the other end of the terminal pattern 134 is conductively connected to a spring member 135 such as a TAB.
  • the wirings 13 1 a and 13 1 b formed on the overhang area 11 a have a small wiring width and are formed at a small pitch, so they are susceptible to dust, acid, and the like.
  • the mounting surface of the overhang area 1 1a is entirely covered with a resin molding material 1 such as silicone resin. 4 It is covered by 1.
  • the liquid crystal device 10 itself has been required to be thinned, and the thickness of the transparent substrates 11 and 12 made of glass or the like has been increasing. There is a move to meet the above demand by reducing the thickness. In such a situation, the strength of the transparent substrate 11 and 12 decreases when the thickness of the transparent substrate 11 and 12 becomes thinner. There is a risk that the substrate will crack at 1a.
  • a COG (CipOnG1ass) type liquid crystal device in which the driver IC 133 is mounted in the overhang area 11a as described above, the overhang length of the overhang area 11a is provided. Therefore, the possibility of damage occurring in the overhang area 1 la is further increased.
  • the overhanging area 11a is supported by a wide area with a support member to prevent local concentration of stress.
  • the resin molding material 411 since the entire mounting surface of the overhang area 11a is covered with the resin molding material 411, There is a problem that it is difficult to uniformly support the area 11a over a wide area. It is also conceivable to support the liquid crystal device on the surface of the backside of the overhanging area 11a that is not covered with the resin mold 141, but in this case, the thickness of the support structure of the liquid crystal device increases. Therefore, this is contrary to the above demand for miniaturization and thinning.
  • the present invention is to solve the above problem, and an object of the present invention is to provide a liquid crystal device having a structure capable of uniformly supporting the overhang region in the liquid crystal device.
  • a liquid crystal device includes: a pair of substrates opposed to each other via a seal portion; a liquid crystal sealed in an inner region of the seal portion between the pair of substrates; An electrode formed in the inner region of the seal portion of the one substrate, and an insulating film disposed on the electrode, and an outer region of the seal member of the one substrate has another electrode.
  • An overhang region is provided that extends beyond an end of the substrate, and a wire connected to the electrode is formed in the overhang region, and at least a portion of the wire is an insulating film made of the same material as the insulating film. Characterized by being coated with
  • the insulating film formed in the liquid crystal sealing region is formed on the surface of the overhanging region so as to cover the wiring, thereby eliminating the need for the resin molding process.
  • the wiring can be reliably protected from electric contact without generating a new process.
  • the surface of the overhang region can be formed flat, the surface of the overhang region can be used as a support surface or a positioning surface of the liquid crystal device.
  • the insulating film is formed continuously on the surface of the overhang region continuously from the liquid crystal enclosing region in order to enhance the protection performance of the wiring. Further, it is desirable that the insulating film is an overcoat layer formed in the liquid crystal enclosing region and for preventing a short circuit between electrodes formed on the substrate due to mixed dust and the like.
  • the wiring has a conductive connection portion electrically connected to an integrated circuit or a wiring member, and the conductive connection portion is covered by the insulating film. Preferably not overturned. By doing so, an integrated circuit chip, a wiring member, and the like can be mounted on the conductive connection portion.
  • the wiring has a conductive connection portion electrically connected to an integrated circuit or a wiring member, and the conductive connection portion is the insulating film. Preferably it is not covered by By doing so, an integrated circuit chip wiring member or the like can be mounted on the conductive connection portion.
  • an anisotropic conductive film is interposed between the conductive connecting portion and the integrated circuit or the wiring member so as to cover at least all portions of the conductive connecting portion that need to be protected. It is desirable to be arranged in.
  • the exposed wiring portion that needs to be protected for example, a wiring portion having a small wiring pitch and a small wiring width
  • the anisotropic conductive film is covered with the anisotropic conductive film.
  • the portion not protected by the insulating film can be protected by the anisotropic conductive film, so that the protection performance can be further improved.
  • the above-mentioned part which needs to be protected means, for example, a wiring directly drawn out of the liquid crystal enclosing area
  • the part which does not need to be protected means, for example, the wiring which is directly drawn out of the liquid crystal enclosing area.
  • the connected wiring is once connected to an integrated circuit mounted on the overhang region, it refers to a wiring for forming an external terminal connected only to the integrated circuit.
  • the latter wiring is usually formed with a larger wiring pitch and wiring width than the former wiring.
  • the conductive connection portion is connected to the integrated circuit or the wiring member via an anisotropic conductive film.
  • the film has an edge overlapping the insulating film. Since the edge of the anisotropic conductive film overlaps with the edge of the insulating film, no gap is formed between the edges of the insulating film and the anisotropic conductive film, so that the wiring is more reliably protected.
  • the overlap width at both ends even if there is a slight shift in the formation pattern position of the insulating film or the deposition position of the anisotropic conductive film during the manufacturing process, a gap is generated. Fear is reduced.
  • the method of manufacturing the liquid crystal device according to the first example of the present invention includes a pair of counterparts arranged to face each other via a seal part, and a liquid crystal sealed in an inner region of the seal part between the pair of counterparts. And one of the pair of substrates protrudes from an end of the other substrate. Forming an electrode on one of the pair of substrates, and forming a wiring connected to the electrode in the overhang region. Forming an insulating film covering at least a part of the electrode and the wiring.
  • the wiring has a conductive connection portion electrically connected to an integrated circuit or a wiring member, and the insulating film is not formed on the conductive connection portion.
  • the conductive connection portion and the integrated circuit or the wiring member are connected via an anisotropic conductive film, and the edge of the anisotropic conductive film overlaps the insulating film. It is characterized by.
  • a positioning mark is formed on the one side, the edge of the insulating film is formed along one edge of the positioning mark, and the edge of the anisotropic conductive film has the edge. It is characterized by being formed along the other edge of the positioning mark.
  • a liquid crystal device in a liquid crystal device according to a second example of the present invention, the pair of counterparts opposed to each other via a seal part, the liquid crystal sealed in an inner region of the seal part between the pair of counterparts,
  • An electrode formed in the inner region of the seal portion of one of the substrates; an overcoat layer disposed on the electrode; and an alignment film disposed on the insulating film.
  • a protruding region protruding from an end of the other substrate is provided in a region outside the seal member of the one substrate, and a wiring connected to the electrode is formed in the protruding region;
  • the overcoat layer and the alignment film are disposed on the wiring, and in the overhang region, the entire overcoat layer is covered by the alignment film. .
  • the second liquid crystal device of the present invention there is an overcoat layer region covering both the electrodes on both the opposing surface of the substrate and the overhanging portion of the substrate, and the entire region is covered with the alignment film. Since the overcoat layer is exposed to the outside and has no surface that is exposed, when rubbing the alignment film, the cloth used for rubbing by the rubbing directly touches the overcoat layer. The overcoat layer is cut off The shaved powder (dust) does not damage the alignment film. Therefore, it is possible to prevent the alignment film from being stained or flawed, and as a result, to prevent the liquid crystal display from becoming uneven.
  • the overcoat layer can be formed of silicon oxide or titanium oxide or a mixture containing at least one of them, and the alignment film can be formed of polyimide resin. .
  • the method of manufacturing the liquid crystal device according to the second example of the present invention includes a pair of fibers opposed to each other via a seal portion, and a liquid crystal sealed in a region inside the seal portion between the pair of opposite ends.
  • the pair of substrates opposed to each other via a seal portion, the electrode formed in the inner region of the seal portion of the pair of substrates, and the pair of substrates An insulating layer disposed on one of the electrodes of the substrate, and the outer region of the sealing member of the one substrate extends beyond the end of the other substrate.
  • An overhang region is provided, and a wire electrically connected to the electrode provided on the other substrate via a conductive member is formed in the overhang region, and at least a part of the wire is It is assumed that the insulating layer is covered with an insulating layer, and the insulating layer is provided in a portion other than a portion corresponding to the conductive member.
  • the insulating layer is also formed on the substrate overhanging portion by using the insulating layer formed in the liquid crystal region of the substrate, so that the substrate is formed after the liquid crystal panel is formed.
  • a mold material such as silicon
  • an insulating layer is provided at the substrate conduction portion of the liquid crystal device. Therefore, the electrodes on one substrate and the wirings on the other substrate can be reliably conductively connected by the conductive member without being disturbed by the insulating layer.
  • the insulating layer may include at least one of an overcoat layer covering the electrode and an alignment film formed above the electrode.
  • an insulating film disposed on the electrode wherein an overhanging area is provided in an area outside the seal member of the one substrate, the overhanging area protruding from an end of the other substrate.
  • the output region has a wiring connected to the electrode and a mounting region in which an external circuit including an IC for driving the liquid crystal device is mounted, and at least a part of the wiring is the same as the insulating film.
  • a mold member is disposed on the wiring, which is covered with an insulating film made of a material, and is formed between the mounting region and the seal member.
  • the insulating layer is also formed on the overhang portion of the substrate by using the insulating layer formed in the liquid crystal region of the substrate.
  • a mold material such as silicon
  • the insulating layer is formed in a region other than the lighting inspection region, so that the lighting inspection performed after the formation of the insulating layer is performed in the lighting inspection region, that is, the IC mounting region.
  • the wiring can be performed without any problem by using the wiring exposed to the outside in the region between the sealing member.
  • the method for manufacturing a liquid crystal device includes a pair of substrates arranged to face each other via a seal portion, wherein one of the pair of substrates is provided with the other substrate.
  • a method for manufacturing a liquid crystal device having an overhanging region extending from an end portion an electrode is formed on one of the pair of substrates, and the electrode is connected to the overhanging region.
  • Forming a wiring; and forming an insulating film covering at least a part of the electrode and the wiring A step of bonding the one substrate and the other substrate, a step of performing a lighting test on the liquid crystal device using the wiring, and a step of molding the wiring in a region used for the lighting test. , Is provided.
  • a liquid crystal device provided with a pair of S-counters opposed to each other with a seal member interposed therebetween, and an alignment provided on an inner surface side of one of the pair of S-counters.
  • a film wherein an outer region of the seal member of the one substrate is provided with an overhang region extending beyond an end of the other substrate, and the overhang region is an inner region of the seal member.
  • At least a part of the wiring formed in the overhang region is covered with an insulating film, and at least an edge portion of the insulating film is formed by the alignment film. It is characterized by being covered.
  • the liquid crystal device of the fifth example of the present invention at least a part of the wiring is covered with the insulating film, and at least the edge of the insulating film is covered with the alignment film.
  • Wiring is covered by the portion where the film and the alignment film are formed, thereby preventing electric contact and the like, and a substantially flat surface region can be formed.
  • the overhanging region can be supported in a planar manner, so that damage can be prevented without sacrificing corrosion resistance, and the liquid crystal device can be improved in hitting performance.
  • the alignment film is formed so as to cover the edge of the insulating film, the influence of the edge of the insulating film on the alignment state in the liquid crystal sealing region is reduced when performing alignment processing on the alignment film.
  • the portion covered with the insulating film and the alignment film in the overhanging region includes a wiring member extending from the overhanging region.
  • the connection region may be excluded, and in some cases, the mounting region of an integrated circuit such as an IC may be further excluded, and in addition, the vertical conduction region between the substrates may be further removed. Further, the electrical inspection area for the wiring may be excluded.
  • the portion not covered with the insulating film and the alignment film may be exposed as it is, or may be sealed with a resin molding material as described later.
  • an electrode for applying an electric field to the liquid crystal is formed in an area inside the seal member of the one substrate, and the alignment film is formed on the electrode.
  • the insulating film can be formed at the same time as the protective film when it is formed, so that there is no need to provide a separate step, and it is possible to cope only by changing the film forming pattern, thereby increasing the cost. It can be manufactured without any problems.
  • the alignment film is formed so as to cover the whole of the insulating film.
  • the alignment film is formed so as to completely cover the entire insulating film, the influence on the alignment state can be further reduced.
  • a positioning mark is formed in the overhang region, the insulating film is formed along one outer edge of the positioning mark, and the alignment is performed. The film is formed along another outer edge of the positioning mark.
  • the positioning mark serves as both the positioning of the insulating film and the positioning of the alignment film, so that the positional relationship between the two can be formed with high precision. It can be covered with high accuracy and certainty by the alignment film.
  • the one outer edge portion and the other outer edge portion face each other.
  • the positioning mark is formed of the same material as the wiring.
  • the positioning mark can be formed simultaneously with the wiring, a separate step is not required, and the insulating film and the alignment film can be formed with high accuracy on the wiring pattern.
  • the overhanging region not covered with the insulating film is sealed with a resin mold.
  • the overhang area not covered with the insulating film is formed on the resin mold.
  • the insulating film and the alignment film have an opening formed between the pair of substrates to form a vertical conduction portion.
  • an opening is provided in the insulating film and the alignment film to form an upper and lower conductive portion for conductively connecting the electrode on the other substrate to the wiring formed in the overhanging region. Restrictions on the formation pattern of the insulating film and the alignment film due to the arrangement of the conductive portions are reduced, and it becomes possible to design an optimum formation pattern with a more free pattern.
  • the opening of the insulating film is formed to be slightly larger than the opening of the alignment film so that the alignment film covers the entire opening edge of the opening of the insulating film.
  • a method of manufacturing a liquid crystal device according to a fifth example of the present invention includes a pair of substrates opposed to each other with a seal portion interposed therebetween, wherein one of the pair of substrates has the other award for the other.
  • an electrode is formed on one of the pair of substrates, and the electrode is formed on the overhang region.
  • Forming an interconnect connected to the substrate forming an insulating film covering at least a part of the electrode and the interconnect, and forming an alignment film on the insulating film. In the overhang region, the edge of the insulating film is covered with the alignment film.
  • the method of manufacturing the liquid crystal device according to the fifth example, at least a part of the wiring is covered with the insulating film, and at least the edge of the insulating film is covered with the alignment film. Since the wiring can be covered with the portion where the insulating film and the alignment film are formed to prevent electric contact and the like and a substantially flat surface area can be formed, the extended area should be supported in a planar manner. Is possible without sacrificing corrosion resistance. The impact resistance of the liquid crystal device can be improved by preventing breakage of the plate. Also, since the alignment film is formed so as to cover the edge of the insulating film, the influence of the edge of the insulating film on the alignment state in the liquid crystal sealing region can be reduced when performing alignment processing on the alignment film. .
  • the above structure requires a new process by forming an insulating film at the same time as the protective film in the liquid crystal sealing region and forming an alignment film in the projecting region simultaneously with the alignment film in the liquid crystal sealing region. Without changing the formation pattern alone, it is possible to suppress an increase in manufacturing cost.
  • the method for manufacturing a liquid crystal device according to the fifth example of the present invention further includes a step of forming a positioning mark on the one substrate, wherein the insulating film is formed along one outer edge of the positioning mark. And forming the alignment film along the other outer edge.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view schematically illustrating a schematic structure of a liquid crystal device according to a first haze example.
  • FIG. 2 is a schematic enlarged plan view showing the surface structure of the overhang region according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a schematic plan view showing a state where an insulating film is formed on the surface of the overhang region in the first embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic enlarged plan view showing a state in which an anisotropic conductive film is applied on the surface of the overhang region in the first embodiment.
  • FIG. 5 is an enlarged explanatory view showing the arrangement of the positioning marks in the first embodiment.
  • FIG. 6 is an enlarged explanatory view showing a modification of the positioning mark of the first embodiment.
  • FIG. 7 is a plan view showing a liquid crystal device according to the second embodiment, partially cut away.
  • FIG. 8 is a side sectional view showing a sectional structure of a main part of the liquid crystal device according to the second embodiment.
  • FIG. 9 (a) is a plan view showing an example of the shape of an electrode formed on one of the substrates constituting the liquid crystal device of the second embodiment
  • FIG. 9 (b) is a plan view of the crystal device facing (a).
  • FIG. 4 is a plan view showing an example of the shape of an electrode formed on the other substrate configuring the above.
  • FIG. 10 is a plan view showing a state in which an insulating layer is formed on the surface of a workpiece in progress of the second embodiment.
  • FIG. 11 is a plan view showing a state in which a sealing material is formed on the surface of a work-in-progress substrate according to the second embodiment.
  • FIG. 12 is a process chart showing one embodiment of a method for manufacturing a liquid crystal device of the second example.
  • FIG. 13 is a perspective view showing an electronic apparatus according to the second, third, and fourth embodiments.
  • FIG. 14 is a plan view of the liquid crystal device according to the third embodiment, partially cut away.
  • FIG. 15 is a side cross-sectional view illustrating a cross-sectional structure of a main part of the liquid crystal device according to the third embodiment along line II-II.
  • FIG. 16A is a plan view illustrating an example of the shape of an electrode formed on one of the substrates included in the liquid crystal device according to the third embodiment.
  • (B) is a plan view showing an example of the shape of an electrode formed on the other substrate constituting the liquid crystal device facing (a).
  • FIG. 17 is a plan view showing a state where an insulating layer is formed on the surface of the work-in-progress of the third embodiment.
  • FIG. 18 is a plan view showing a state where a sealing material is formed on the surface of the work-in-progress of the third embodiment.
  • FIG. 19 is a process chart illustrating the method for manufacturing the liquid crystal device according to the third embodiment.
  • FIG. 20 is a plan view showing the liquid crystal device according to the fourth embodiment with a part cut away.
  • FIG. 21 is a side cross-sectional view showing a cross-sectional structure of a main part of the liquid crystal device according to the fourth embodiment along line II-II.
  • FIG. 22 is a process chart illustrating the method for manufacturing the liquid crystal device of the fourth embodiment.
  • FIG. 23 is a plan view showing one substrate constituting the liquid crystal device of the fourth embodiment.
  • Figure 24 shows the liquid crystal device of the fourth embodiment before mounting the liquid crystal driving IC.
  • FIG. 25 is a schematic plan perspective view (a) schematically showing the structure of the liquid crystal device according to the fifth embodiment, and a schematic cross-sectional view (b) showing the structure near the overhang region.
  • FIG. 26 is an enlarged partial plan view partially showing the planar structure in the overhang region in the fifth embodiment.
  • FIG. 27 is a perspective plan view showing a plane pattern on a transparent substrate in the fifth embodiment.
  • FIGS. 28A and 28B are enlarged partial sectional views (a) and (b) showing a sectional structure on the overhang region in the fifth embodiment.
  • FIG. 29 is a schematic plan perspective view (a) schematically showing the structure of the liquid crystal device of the sixth embodiment, and a schematic plan perspective view (b) showing a plane pattern on a transparent substrate.
  • FIG. 30 is a schematic plan perspective view (a) schematically showing the structure of the liquid crystal device according to the seventh embodiment, and a schematic plan perspective view (b) showing a plane pattern on a transparent Si upper surface.
  • FIG. 31 is a schematic plan perspective view (a) schematically showing the structure of a conventional liquid crystal device and a schematic cross-sectional view (b) showing the structure near the overhang region.
  • FIG. 1 is a schematic sectional view schematically showing the structure of the liquid crystal device of the present embodiment.
  • This structure is basically the same as that of the above-mentioned conventional liquid crystal device.
  • Substrates 11, 12, sealing member 13, liquid crystal 14, electrodes 111, 121, insulating films 112, 122, alignment film 113, 123, wirings 131 and 134, anisotropic conductive film 132, and integrated circuit chip 133 are the same as those shown in FIGS.
  • an insulating film 112 formed so as to cover the electrode 111 passes from under the seal member 13 into the overhang region from inside the liquid crystal sealed area surrounded by the seal member 13.
  • the structure is drawn out on the surface of 11a.
  • the extension forming portion 1 12 a of the insulating film 1 12 formed on the surface of the overhang region 11 a of the insulating film 1 12 1 is coated.
  • FIG. 2 is a plan view showing the surface structure of the overhang region 11a of the present embodiment.
  • the extension forming portion 112a of the insulating film 112 is a hatched portion extending in the upper right direction in the figure, and covers a large portion of the wiring 131.
  • the extension forming portion 112a is formed so as to avoid the vicinity of the portion where the integrated circuit chip 133 is mounted. That is, the periphery of the connection portion is not covered with the insulating film 112 so that each of the wirings 131 and the bump electrode 133 a of the integrated circuit chip 133 are electrically connected.
  • the conductive connection between each of the wirings 131 and the bump electrodes 133 a of the integrated circuit chip 133 is made of an anisotropic conductive film (for example, fine conductive particles in a thermoplastic resin (a gold-plated resin ball). This is performed by 13 2, and is attached to the shaded portion extending below and to the upper left of the figure under the integrated circuit chip 13 3.
  • the end of the anisotropic conductive film 132 is attached so as to overlap the end of the extension forming portion 112a.
  • the wiring 13 4 has a relatively large line width as compared with the wiring 13 1, and has a smaller number of terminals than the wiring 13 1 and the like. It is in a state where it has been done. Further, in the present embodiment, since the wiring 134 is configured to be pressed against a connector made of anisotropic conductive rubber or the like (not shown), it is exposed as it is to enable conductive connection. I have. In this case, a wiring member such as a flexible wiring may be conductively connected to the wiring 134 via the anisotropic conductive film as described above.
  • a transparent conductor for example, ITO (indium tin oxide) is deposited on the surface of the substrate 11 by a PVD method such as evaporation or sputtering, and a known photolithography method or the like is used.
  • a PVD method such as evaporation or sputtering
  • a known photolithography method or the like is used.
  • the electrode layer 11 1 and the wirings 13 1 and 13 4 shown in FIG. 1 are formed.
  • these may be selectively formed by a PVD method using a shielding mask.
  • FIG. 3 shows only the surface of the overhang region 11 a (the region to be formed) on the surface of the substrate 11.
  • Positioning mark 1 3 7 is an extension of insulating film 1 1 2
  • the positioning mark 1 3 8 defines the position of the edge of the component 1 1 2 a
  • the positioning mark 1 3 8 defines the position of the edge of the anisotropic conductive film 1 32
  • the positioning mark 1 3 9 The position of the outer edge of the integrated circuit chip 133 is determined.
  • the tip not covered with the extension forming portion 1 12a (hatched portion) of the insulating film of the wiring 13 1 includes the bump electrode 13 3a of the integrated circuit chip 13 3 and the anisotropic conductive film 13 2
  • the connection terminals 13 1 a are electrically conductively connected.
  • an insulating film 112 is formed in the liquid crystal sealing region of the fiber 111. As described above, the insulating film 112 is simultaneously formed on the surface of the overhang region 11a as the extension forming portion 112a. Insulating film 1 1 2 3: 1_Rei 2, T I_ ⁇ 2 and Supadzu evening ring method and Sani ⁇ and forms the like. This insulating film 112 is also formed on the surface of the substrate 111 in a predetermined pattern by patterning or selectively forming the insulating film 112 using a shielding mask. At this time, positioning is performed so that the edge of the extension forming portion 112a during patterning or selective formation is aligned with the positioning mark 133. In the example shown in FIG.
  • the positioning mark 1337 is used to position the edge of the extension forming portion 112a facing the mounting region of the integrated circuit chip 133. This positioning is performed by capturing the surface image of the anti-reflection surface with a camera, detecting the position of the positioning mark 13 in the surface image using a known image processing technique, etc. This is performed by aligning the shielding mask at the time.
  • an alignment film 113 shown in FIG. 1 is formed on the surface of the anti-111, and after performing a known alignment treatment, the anti-111 is similarly applied to the electrode layer 121 and the insulating film 122. 2.
  • the anti-reflection film 12 having the alignment film 123 formed thereon is bonded via a sealing member 13 shown in FIG. 1, and a liquid crystal 14 is injected and sealed to complete a liquid crystal cell.
  • an anisotropic conductive film 132 is attached on the surface of the overhang region 11a shown in FIG.
  • FIG. 5 schematically shows the relationship between the positioning marks 13 7 and 13 8 and the edges of the extension forming portion 112 a and the anisotropic conductive film 132.
  • the peripheral edge 1 37a on the left side of the positioning mark 1 37 in the figure is set as a reference for defining the position of the outer edge 1 1 2b of the extension forming portion 1 1 2a
  • the positioning mark 1 3 8 is set as a reference for defining the position of the outer edge 132b of the anisotropic conductive film 132. Therefore, the edge of the extension forming portion 1 12 a and the edge of the anisotropic conductive film 13 2 are designed to overlap by the width d between the peripheral portions 13 7 a and 13 8 a in design. Is configured.
  • the width d is set in consideration of the pattern accuracy at the time of forming the insulating film 112 and the deposition accuracy of the anisotropic conductive film 132. However, it is designed so that no gap is formed between the extension forming portion 112a and the anisotropic conductive film 132.
  • FIG. 6 shows another example of forming a positioning mark.
  • a positioning mark 13 7 ′ is formed, and the peripheral edge 13 7 ′ a on the left side of the positioning mark 13 7 ′ in the drawing is the outer edge 1 1 2 b of the extension forming portion 1 12 a.
  • the outer peripheral portions 1337, b on the right side in the figure define the positions of the outer edges 132b of the anisotropic conductive film 132.
  • the integrated circuit chip 13 3 shown in FIG. 33 are set so that the plurality of bump electrodes 13 3 a correspond to the connection terminals of the wiring 13 1 on the surface of the overhang region 11 a via the anisotropic conductive film 13 2. Then, the integrated circuit chip 133 and the overhang area 11a are pressed against each other by a thermocompression device (not shown), and are heated simultaneously. The S resin of the anisotropic conductive film 13 2 that was softened by heating is crushed by the pressing force, and the conductive particles dispersed in the base resin are mixed with the terminal portion of the integrated circuit chip 13 1 and the wiring 1. 31 Conduct the connection with the connection terminal section.
  • the conductive connection structure using such an anisotropic conductive film and the thermocompression bonding method require a conductive connection between the wiring 134 and the flexible wiring member 136 as shown in FIG. The same is true not only in the case of the COG structure described above, but also in the case where a wiring member is directly conductively connected to the wiring 13 1.
  • the insulating film 112 formed in the liquid crystal sealing region is formed by extending the projecting region 111a.
  • the extension formed above that is, the portion of the insulating film 112 in the liquid crystal sealing region and the extension forming portion 112a are formed in a state where they are connected to each other.
  • the insulating film 112 is provided with a portion formed in the liquid crystal sealing region and an extension forming portion on the surface of the overhanging region 111a. 1 and 2a may be formed separately from each other.
  • the insulating film 112 as an overcoat layer for preventing short circuit failure of the liquid crystal device is formed on the surface of the overhang region 11a. It is similarly effective to form another insulating film on the surface of the overhang region 11a instead of the coat layer. Further, since the above-mentioned alignment film 113 also has an insulating property, an alignment film 113 may be formed on the surface of the overhang region 111a instead of the extension forming part 112a.
  • FIG. 8 shows a state in which the anisotropic conductive film 135 and the anisotropic conductive film 132 are integrally formed, whereby the anisotropic conductive film is completely covered with the anisotropic conductive film.
  • liquid crystal device of the present invention is not limited to the above-described illustrated example, and it is needless to say that various changes can be made without departing from the gist of the present invention.
  • the liquid crystal device 1 has a pair of substrates 11 and 12 whose periphery is bonded to each other by a seal member 13. These substrates 11 and 12 form various elements on substrate materials 11 a and 12 a formed of a material such as glass, or a flexible film material such as plastic, for example. It is made by doing so.
  • the gap formed between these substrates 11 and 12, the so-called cell gear, is regulated by a plurality of spacers 15 to a uniform value, for example, about 5 mm, and is surrounded by a sealing member 13.
  • the liquid crystal 14 is sealed in the cell gap.
  • reference numeral 13a denotes a liquid crystal injection port formed in a part of the sealing member 13, and the liquid crystal 14 is injected into the cell gap through the liquid crystal injection port 13a. After completion, the liquid crystal inlet 13a is sealed with a resin or the like.
  • a first electrode 111 is formed on the liquid crystal side surface of the first substrate 11, an overcoat layer 112 is formed thereon as an insulating film, and an alignment film 113 is further formed thereon. Is formed.
  • a second electrode 121 is formed on the liquid crystal side surface of the second substrate 12 facing the first substrate 11, and over one hundred and ten layers 122 are formed thereon, and furthermore, Thus, an alignment film 123 is formed.
  • Polarizing plates 23a and 23b are attached to the outer surfaces of the substrates 11 and 12, respectively.
  • the first electrode 11 1 and the second electrode 12 1 are formed, for example, by IT0 (Indium Tin Oxide) to a thickness of about 500 to 150 ⁇ , and the overcoat layer 11 1 2 and 122 are formed to a thickness of about 600 angstroms by, for example, silicon oxide or titanium oxide, or a mixture thereof, and the alignment films 113 and 123 are formed of, for example, polyimide. It is formed to a thickness of about 300 angstroms by resin.
  • IT0 Indium Tin Oxide
  • the first electrode 111 is formed by arranging a plurality of linear patterns parallel to each other, while the second electrode 121 is arranged parallel to each other so as to be orthogonal to the first electrode 111. Formed by a plurality of linear patterns. A plurality of points where these electrodes 11 1 and 12 intersect in a dot matrix form pixels for displaying an image.
  • the first substrate 11 has an overhang portion 1 la that extends outside the liquid crystal region portion E in which the liquid crystal 14 is sealed, that is, extends outside the other substrate.
  • the first electrode 1 1 1 on the first substrate 1 1 extends to the substrate overhang 1 1 a as it is. Wiring is formed.
  • the second electrode 12 1 on the second substrate 12 is electrically connected to the electrode on the first substrate 11 via a conductive material 20 (FIG. 8) dispersed inside the seal member 2.
  • the wiring is formed to extend to the substrate overhang portion 11a.
  • the electrodes formed by wiring from the two substrates to the overhang portion 11a of the first substrate 11 are shown as wiring portions 131b.
  • an input terminal 134 connected to the external circuit 136 is formed as a part of the wiring at the side end of the overhang portion 11a of the first substrate 11.
  • a large number of the electrodes 11 1 and 12 1 and the wiring portion 13 1 b are actually cross-sections of the respective substrates 11 and 12 at extremely narrow intervals.
  • those electrodes are schematically illustrated at a wider interval than the actual interval in order to clearly show the structure, and illustration of some of the electrodes is omitted. It is.
  • the electrodes 11 1 and 12 1 in the liquid crystal region E are not limited to being formed in a straight line, but may be formed in an appropriate pattern.
  • the input terminals 13 4 are actually formed at a narrow fixed interval at the side edge of the overhang portion H of the substrate 11, but in FIG. 7 the interval is wider than the actual interval to show the structure easily. These are schematically shown, and further illustration of some terminals is omitted.
  • the LCD driving IC 133 is bonded, that is, mounted on an appropriate portion of the substrate overhang portion 1 la by ACF (Anisotropic conductive Film) 132 as a conductive adhesive.
  • ACF is a conductive polymer film used to electrically connect the pair of terminals together with anisotropy, for example, a thermoplastic or thermo-conductive film. It is formed by dispersing a large number of conductive particles 132b in a curable resin film 132a.
  • the liquid crystal drive IC 13 3 bumps 1 3 3 a and the wiring portion 1 3 1 are formed by thermocompression bonding of the substrate overhang portion 1 1 1 a and the liquid crystal drive IC 13 3 with the ACF 13 2 interposed therebetween.
  • a connection having a unidirectional conductivity is realized between the input terminal b and the bump 13 a and the input terminal 13 4.
  • a scanning voltage is applied to one of the first electrode 11 1 and the second electrode 12 1 for each row by the liquid crystal driving IC 133, and the other of the electrodes is applied to the other electrode based on the display image.
  • an overnight voltage is applied to each pixel, the light passing through each selected pixel portion is modulated, and an image such as a character or a number is displayed on the outside of the substrate 11 or 12.
  • FIG. 9 (a) shows a state in which electrodes 11, wiring portions 13 1 b, and input terminals 13 4 are formed on the surface of a substrate material 11 a constituting one substrate 11.
  • an insulating layer 110 is provided on the surface of the substrate overhang portion 11a so as to cover the entire wiring portion 13lb as shown in Fig. 10. It is formed.
  • the insulating layer 110 is aligned with the first insulating layer 112 formed at the same time when the overcoat layer 112 is formed in the liquid crystal region portion E of the first substrate 111 and the liquid crystal region portion E.
  • the second insulating layer 113 is formed at the same time as the film 113 is formed.
  • FIG. 9 (b) shows a state in which an electrode 121 is formed on the surface of a substrate material 12 a constituting the other substrate 12.
  • an overcoat layer 122 is formed so as to cover the electrode 121 formed in the liquid crystal region portion E which is a region overlapping with the one substrate 11.
  • the overcoat layers 112 and 122 are often formed of a material such as silicon oxide or titanium oxide that is harder than the polyimide constituting the alignment films 113 and 123. May be scraped off by an external force during the rubbing process performed on the alignment films 113 and 123. For this reason, if there is a portion of the substrate overhanging portion 11a where the first insulating layer 112, which is the same as the overcoat layer 112, is not covered by the second insulating layer 113, the rubbing process is not performed. At this time, the first insulating layer 112 is shaved off, and the shavings adhere to the alignment film 113 in the liquid crystal region portion E in a streak-like manner, and become dirty or unnecessary. This may cause important scratches, and as a result, the liquid crystal display quality may be degraded.
  • a material such as silicon oxide or titanium oxide that is harder than the polyimide constituting the alignment films 113 and 123. May be scraped off by an external force during the rubbing process performed on the alignment films
  • the entire surface of the first insulating layer 112, which is the same as the overcoat layer 112, is covered with the second insulating layer 113, which is the same as the alignment film 113. ing.
  • the edge of the first insulating layer 112 is completely covered and wrapped by the second insulating layer 113 going down (cross section).
  • the sealing member 13 for joining the first substrate 11 and the second substrate 12 includes, for example, as shown in FIG. 11, an overcoat layer 112 and an alignment film on the first substrate 11. It is formed by screen printing or the like so as to surround 113 and separate them from the insulating layer 110.
  • the insulating layer formed in the liquid crystal region E of the first substrate 11, that is, the overcoat layer 112 and the alignment film 113 are used to form the substrate 111. Since the insulating layer 110 is also formed on the overhang portion 111a, the entire area of the substrate overhang portion la is covered with a molding material such as Si (silicon) after the liquid crystal panel is formed.
  • the wiring portion 13 1 existing in the overhang portion 1 la can be more reliably shielded from the outside, so that the electrolytic corrosion of the wiring portion 13 1 can be more reliably prevented.
  • the first insulating layer 112 by completely covering the entire surface of the first insulating layer 112 with the second insulating layer 113, it is possible to reliably prevent the first insulating layer 112 from being damaged during the rubbing process, and to improve the liquid crystal display quality. Can be reliably prevented from decreasing.
  • FIG. 12 shows an embodiment of a method of manufacturing a liquid crystal device for manufacturing the liquid crystal device 1 shown in FIG.
  • the first substrate 11 is formed through steps P1 to P4 as shown in FIG.
  • a substrate material 11a made of glass, plastic, or the like is used to form the first electrode 111, the wiring 131, and the input terminal 134 that is a part of the wiring using ITO as a material. It is formed using a well-known patterning method, for example, a photolithography method (process P 1).
  • an overcoat layer 112 is formed on the first electrode 111 in the liquid crystal region E by, for example, offset printing, and at the same time, an input is made at the overhang portion 11a.
  • the first insulating layer 112 of the insulating layer 110 is formed excluding the region of the terminal 134 and the IC mounting region J (process P 2).
  • a directing film 113 is formed on the overcoat layer 112 by, for example, offset printing, and at the same time, a second insulating layer 111 is formed on the first insulating layer 112 of the insulating layer. 3 is formed (step P 3).
  • the second insulating layer 113 is formed so as to completely cover the entire surface of the first insulating layer 112 including its edges.
  • a sealing member 13 is formed on the periphery of the substrate material 11a by, for example, screen printing to partition and form the liquid crystal region portion E.
  • Reference numeral 13a indicates a liquid crystal injection port formed in a part of the seal member 13.
  • a substrate material 12a made of glass, plastic, or the like is used as a material for ITO, and the second electrode 121 is formed by a known patterning method, for example, Then, an overcoat layer 122 is formed thereon by, for example, offset printing (step P6), and then overlaid thereon, for example, by a photolithography method (step P5 in FIG. 6).
  • the alignment film 12 3 is formed by offset printing, thereby forming the second substrate 12.
  • the first substrate 11 and the second substrate 12 formed as described above are generally formed simultaneously on a large-area substrate base material. Then, the first substrate 11 and the second substrate 12 are adhered to each other in a state where they are aligned, that is, are aligned with each other in the state of the substrate base material, and are joined to each other by the sealing member 13 (see FIG. 7). (Process P 8) Next, the large-area substrate base material is subjected to primary break to form a part of the sealing member 13.
  • the formed liquid crystal inlet 13a (see FIG. 7) is exposed to the outside (step P9), and liquid crystal is injected into the liquid crystal region E through the liquid crystal inlet 13a, and the liquid is injected. After the completion of the above, the liquid crystal injection port 13a is sealed with a resin (step P10). Thereafter, a secondary break is performed to form the liquid crystal device 1 shown in FIG. 7 without the liquid crystal driving IC 133 (process P 11).
  • the ACF132 (see Fig. 7) is attached to the IC mounting area J, and the liquid crystal driving IC133 is provisionally mounted thereon with alignment, and then pressurized and heated. Then, the liquid crystal driving IC 133 is mounted at a predetermined position on the substrate 11 (process P 12). Further, polarizing plates 23a and 23b are attached to the outer surfaces of the substrates 11 and 12 (step P'l3), whereby the liquid crystal device 1 shown in FIG. 7 is completed.
  • the external wiring board 136 is connected to the input terminal 134 at an appropriate timing thereafter.
  • FIG. 13 shows a mobile phone as one embodiment of the electronic device according to the present invention.
  • the mobile phone 30 shown here stores various components such as an antenna 31, a speaker 32, a liquid crystal device 40, a key switch 33, and a microphone 34 in an outer case 36 as a housing. It is constituted by doing.
  • a control circuit board 37 on which a control circuit for controlling the operation of each of the above-described components is mounted is provided.
  • the liquid crystal device 40 the liquid crystal device 1 shown in FIG. 1 can be used.
  • a signal input through the key switch 33 and the microphone 34 and data received by the antenna 31 are input to the control circuit on the control circuit board 37.
  • the control circuit displays an image such as a number, a character, or a picture on the display surface of the liquid crystal device 40 based on the input various data, and transmits transmission data from the antenna 31.
  • the liquid crystal device shown in FIG. 7 is a C ⁇ G (Chip On Glass) type liquid crystal device, that is, a liquid crystal device having a structure in which a liquid crystal driving IC is directly mounted on a substrate. It can also be applied to liquid crystal devices that do not directly mount ICs on a substrate. Although a simple matrix type liquid crystal device is considered in FIG. 7, an active matrix type liquid crystal device may be used instead.
  • C ⁇ G Chip On Glass
  • the present invention can also be applied to a liquid crystal device having a structure other than the above, for example, a liquid crystal device having a structure in which a liquid crystal driving IC is mounted on both the substrates 11 and 12.
  • the liquid crystal device of the present invention is used for a mobile phone as an electronic device.
  • the liquid crystal device of the present invention may be any other electronic device, for example, a portable information terminal, It can also be applied to electronic organizers and video camera viewfinders.
  • FIGS. 14 and 15 show a liquid crystal device according to a third embodiment of the present invention.
  • the liquid crystal device 1 has a pair of substrates 11 and 12 whose periphery is bonded to each other by a seal member 13.
  • the seal member 13 is formed by a method such as printing.
  • These substrates 11 and 12 are made of a substrate material 11a and 12a formed of, for example, a material such as glass or a flexible film material such as plastic. Made by forming.
  • the gap formed between these substrates 11 and 12, so-called cell gear The size of the lamp is regulated by a plurality of spacers 15 to a uniform value, for example, about 5 zm, and the liquid crystal 14 is sealed in a region surrounded by the sealing member 13 in the cell gap.
  • the reference numeral 13a in FIG. 14 denotes a liquid crystal injection port formed in a part of the sealing member 13. The liquid crystal 14 is injected into the cell gap through the liquid crystal injection port 13a. After completion, the liquid crystal injection port 13a is sealed with a resin or the like.
  • a first electrode 111 is formed, on which an overcoat layer 112 is formed.
  • an alignment film 113 is formed.
  • a second electrode 12 1 is formed on the liquid crystal side surface (the surface facing the first substrate 11) of the second substrate 12 facing the first substrate 11.
  • the coat layer 122 is formed, and the orientation film 123 is further formed thereon.
  • Polarizing plates 23a and 23b are attached to the outer surfaces of the substrates 11 and 12, respectively.
  • the first electrode 1 11 and the second electrode 1 2 1 are formed by a transparent electrode such as IT0 (Indium Tin Oxide) to a thickness of about 500 to 150 angstroms, and the overcoat layer 11 2 and 122 are formed to a thickness of about 600 ⁇ by, for example, silicon oxide, silicon oxide or a mixture thereof, and the alignment films 113 and 123 are formed of, for example, polyimide. It is formed to a thickness of about 300 angstroms by the base resin.
  • IT0 Indium Tin Oxide
  • the first electrode 111 is formed by arranging a plurality of linear patterns parallel to each other, while the second electrode 121 is arranged parallel to each other and orthogonal to the first electrode 111. It is formed by a plurality of linear patterns so as to form a simple area. A plurality of points where the electrodes 111 and 121 intersect in a dot matrix form pixels for displaying an image.
  • the first substrate 11 has a liquid crystal region portion E in which the liquid crystal 14 is sealed, and an overhang portion 11a that protrudes outside the liquid crystal region portion E. That is, the first substrate 11 extends from the end surface of the second substrate 12, and the first electrode 11 on the first substrate 11 extends to the substrate extension 11 a as it is and is formed with wiring. Also, The second electrode 12 1 on the second substrate 12 is electrically connected to the electrode on the first substrate 11 via a conductive material 20 (see FIG. 15) dispersed inside the sealing member 13, The wiring is formed to extend to the overhang portion 11a.
  • the electrodes formed on the overhanging portion 11a of the first substrate 11 from the electrodes 111, 121 formed on the opposing surfaces of the two substrates are connected to the electrodes 11a, 12b. It will be shown as part 1 3 1b.
  • an input terminal 134 for making a connection with an external circuit is formed at a side end of the protruding portion 1la of the first substrate 11.
  • FIG. 14 and the drawings described hereafter a large number of the electrodes 11 1 and 121 and the wiring portion 13 1b are actually arranged at extremely narrow intervals over the entire surface of each of the substrates 11 and 12.
  • those electrodes are schematically illustrated at intervals wider than the actual intervals in order to easily show the structure, and some of the electrodes are not illustrated.
  • the electrodes 11 1 and 12 1 in the liquid crystal region E are not limited to being formed in a linear shape, but may be formed in an appropriate pattern.
  • the input terminals 134 are actually formed on the side edges of the overhang portion 11a of the substrate 11 at a fixed narrow interval, but in FIG. 14, in order to show the structure easily, a wider interval than the actual interval is used. These are schematically shown, and further illustration of some terminals is omitted.
  • a liquid crystal driving IC 133 is bonded, that is, mounted on an appropriate portion of the substrate overhang portion 1 la by an ACF (Anisotropic conductive Film) 132 as a conductive adhesive.
  • the ACF 132 is a conductive polymer film used to electrically connect the pair of terminals anisotropically and collectively, for example, a thermoplastic or thermosetting film. It is formed by dispersing a large number of conductive particles 132b in the resin film 132a.
  • the ACF 132 is sandwiched between the IC mounting area J of the substrate overhang portion 1 a and the liquid crystal driving IC 133 and is thermocompression-bonded, so that the bump 133 a of the liquid crystal driving IC 133 and the wiring portion 13 1 b are connected. Between and bump 133a and input terminal 134 To realize a connection having a unidirectional conductivity.
  • Heating and pressurization in thermocompression bonding are performed by a pressurization (pressure bonding) tool (not shown), and the pressure (pressure bonding) tool is brought into contact with the LCD drive IC 133 from above, and pressure is applied simultaneously with heating. You.
  • a heater may be arranged below the substrate overhang H opposite to the surface on which the liquid crystal driving IC is mounted.
  • a scanning voltage is applied to each of the first electrode 111 and the second electrode 122 for each row by the mounted liquid crystal driving IC 133, and further applied to the other of the electrodes. Modulates light passing through each selected pixel by applying a data voltage based on the display image to each pixel, thereby displaying images such as characters and numbers on the outside of the substrate 11 or 12. .
  • FIG. 16 (a) shows a state in which the electrode 11, the wiring portion 13 1, and the input terminal 13 4 are formed on the surface of a substrate material 11 a constituting one substrate 11.
  • FIG. 16 (b) shows a state in which an electrode 121 is formed on the surface of a substrate material 12 a constituting the other substrate 12.
  • the symbol A indicates a conductive portion of the substrate, and when the substrate 11 and the other substrate 12 are joined together, the wiring portion 13 1 and the other substrate 12 A conductive connection between the electrode 122 formed on a is achieved.
  • the surface of the board overhang 11a is covered with the insulating layer 1 so as to cover all the wiring parts 13 1b as shown in Fig. 17. 10 is formed.
  • the insulating layer 110 is aligned with the first insulating layer 112 formed at the same time when the overcoat layer 112 is formed in the liquid crystal region portion E of the first substrate 111 and the liquid crystal region portion E.
  • the second insulating layer 111 formed simultaneously with the formation of the film 113 is formed. In this way, the insulating layer 110 prevents the wiring portion 13 1 on the substrate overhang portion 11 a from being exposed to the outside, thereby preventing the wiring portion 13 1 from being electrolytically eroded. I do.
  • the other substrate 12 is an area that overlaps with the opposing substrate 11.
  • the overcoat layer 122 is formed so as to cover the electrode 122 formed in the liquid crystal region portion E.
  • the overcoat layer 122, the alignment film 123, and the insulating layer 110 are formed over a large area of the surface of the substrate 11, but are not formed at least at the substrate conduction portion A.
  • the seal member 13 for joining the first substrate 11 and the second substrate 12 includes an overcoat layer 112 and an alignment film 1 on the first substrate 11. It is formed by screen printing or the like so as to surround 13 and to separate them from the insulating layer 110 of the substrate overhang portion 11a and to pass through the substrate conduction portion A. Since the conductive material 20 (see FIG. 15) is dispersed inside the seal member 13, by passing the seal member 13 through the substrate conductive portion A, the liquid crystal area of the wiring portion 13 1 is formed.
  • the conductive material 20 can be arranged at the end terminal portion on the part E side.
  • the conductive material 20 is an electrode 1 2 1 on the substrate 12 and a wiring portion of the overhang portion 11 a of the substrate 11.
  • the insulating layer 110 is not formed in the conductive portion A of the substrate, so that the conductive property of the conductive material 20 is reduced.
  • the overhanging portion 11a of the substrate 11 is also formed with the insulating layer 110 using the film 122, so that after the liquid crystal panel is formed, the entire area of the overhanging portion 11a of the substrate 11 is molded of silicone or the like.
  • the wiring part 1 3 1 existing in the board overhang 1 la is more reliably Can ⁇ , therefore, the electrolytic corrosion of the wiring portion 1 3 1 can be more reliably prevented.
  • FIG. 19 shows an embodiment of a method of manufacturing a liquid crystal device for manufacturing the liquid crystal device 1 shown in FIG.
  • the first substrate 11 is formed through steps P1 to P4 as shown in FIG. 16 (a).
  • a substrate material 11 a made of glass, plastic, or the like is used for the first electrode 11 1, the wiring portion 13 1, and the input terminal 13 4 using ITO as a material.
  • ITO photolithography method
  • an overcoat layer 112 is formed on the first electrode 111 in the liquid crystal region E by, for example, offset printing, and at the same time, the overhang portion 11a is formed.
  • the first insulating layer 112 of the insulating layer 110 is formed except for the area of the input terminal 134, the IC mounting area J, and the substrate conduction part A (step P2).
  • an alignment film 113 is formed on the overcoat layer 112 by, for example, offset printing, and at the same time, a second insulating layer 113 is formed on the first insulating layer 112 of the insulating layer. (Step P 3).
  • the second insulating layer 113 is formed except for the area of the input terminal 134, the IC mounting area J, and the conductive part A of the substrate.
  • a sealing member 13 having a liquid crystal injection port 13a is formed around the substrate material 11a by, for example, screen printing to form a liquid crystal region portion E. I do.
  • the conductive material 20 dispersed inside the seal member 13 is disposed on the electrode in the substrate conductive portion A.
  • an overcoat layer 122 is formed thereon by, for example, offset printing (step P6).
  • an alignment film 123 is formed thereon by, for example, offset printing, whereby a second substrate 12 is formed.
  • the first substrate 11 and the second substrate 12 formed as described above are: Generally, a plurality of substrates are simultaneously formed on a large-area substrate base material (a so-called mother-glass substrate). Then, in the state of those substrate base materials, the first substrate 11 and the second substrate 12 are adhered to each other in an aligned state, that is, in a state where they are aligned, and are sealed by the sealing member 13 (see FIG. 14). (Process P 8) o
  • a primary break is performed on the large-area substrate base material to expose the liquid crystal injection port 13a (see FIG. 14) formed in a part of the sealing member 13 to the outside (step 9). Further, liquid crystal is injected into the liquid crystal region E through the liquid crystal injection port 13a, and after the injection is completed, the liquid crystal injection port 13a is sealed with a resin (step P10). Thereafter, a secondary break is performed to form the liquid crystal device 1 shown in FIG. 14 without the liquid crystal driving IC 133 mounted thereon (process P 11).
  • ACF 13 2 (see Fig. 1) is attached to the IC mounting area J, and the liquid crystal driving IC 13 3 is temporarily mounted on the ACF 13 2 while it is aligned.
  • the liquid crystal driving IC 133 is mounted at a predetermined position on the substrate 11 (process P 12).
  • polarizing plates 23a and 23b are attached to the outer surfaces of the substrates 11 and 12 (step P13), whereby the liquid crystal device 1 shown in FIG. 14 is completed.
  • the external wiring board 136 is connected to the input terminal 134 at an appropriate timing thereafter.
  • FIG. 13 shows a mobile phone as one embodiment of the electronic apparatus according to the present invention. Since the main parts are the same as those of the electronic device of the second embodiment, the drawings are the same as those of the second embodiment.
  • the mobile phone 30 shown here comprises an antenna 31, a speaker force 32, a liquid crystal device 40, a key switch 33, a microphone 34, and other various components, and an outer case 36 as a housing. It is composed by storing in. Further, inside the outer case 36, a control circuit board 37 on which a control circuit for controlling the operation of each of the above components is mounted is provided.
  • the liquid crystal device 40 can be configured using the liquid crystal device 1 shown in FIG.
  • a signal input through the key switch 33 and the microphone 34 and data received by the antenna 31 are input to the control circuit on the control circuit board 37. . Then, the control circuit displays an image such as a number, a character, a picture, or the like on the display surface of the liquid crystal device 40 based on the input various data, and further transmits a transmission data from the antenna 31.
  • the liquid crystal device shown in Fig. 14 is a COG (Chip On Glass) type liquid crystal device, that is, a liquid crystal device having a structure in which a liquid crystal driving IC is directly mounted on a substrate. It can also be applied to a liquid crystal device that is not a method of directly mounting on a substrate. Although a simple matrix type liquid crystal device is considered in FIG. 1, an active matrix type liquid crystal device can be used instead.
  • COG Chip On Glass
  • the present invention is applied to a liquid crystal device having a structure in which a liquid crystal driving IC is mounted on only one of the substrates 11 and 12, that is, a structure in which the wiring portion 13 1 is formed on only one substrate.
  • the present invention can also be applied to a liquid crystal device having a structure other than the above, for example, a liquid crystal device having a structure in which a liquid crystal driving IC is mounted on both substrates 11 and 12.
  • liquid crystal device of the present invention is used for a mobile phone as an electronic device, but the liquid crystal device of the present invention is not limited to any other electronic device, for example, portable information. It can also be applied to terminals, electronic organizers, video camera viewfinders, etc.
  • FIGS. 20 and 21 show a fourth liquid crystal device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • the liquid crystal device 1 has a pair of substrates 11 and 12 whose periphery is adhered to each other by a sealing member 13.
  • the seal member 13 is formed by a method such as printing.
  • These substrates 11 and 12 are made of, for example, various kinds of substrate materials 11 a and 12 a formed of a hard transparent material such as glass or a flexible transparent material such as plastic. It is made by forming the elements of
  • the gap formed between these substrates 11 and 12, the so-called cell gear, is regulated in size to a uniform value, for example, about 5 by a plurality of sensors 15, and a sealing member in the cell gap is provided.
  • Liquid crystal 14 is sealed in a region surrounded by 13 and sealed.
  • a first electrode 111 is formed on the liquid crystal side surface of the first substrate 11, an overcoat layer 112 is formed thereon, and an alignment film 113 is further formed thereon.
  • a second electrode 12 1 is formed on the liquid crystal side surface of the second substrate 12 facing the first substrate 11, and an overcoat layer 122 is formed thereon, and furthermore, Thus, an alignment film 123 is formed.
  • polarizing plates 23a and 23b are attached to the outer surfaces of the substrates 11 and 12, respectively.
  • the first electrode 11 1 and the second electrode 12 1 are formed, for example, by IT0 (Indium Tin Oxide) to a thickness of about 500 to 150 ⁇ , and the overcoat layer 11 1 2 and 122 are formed to a thickness of about 600 angstroms by, for example, silicon oxide or titanium oxide, or a mixture thereof, and the alignment film 113 is formed to a thickness of about 300 angstroms by a polyimide resin, for example. Formed to a thickness of IT0 (Indium Tin Oxide) to a thickness of about 500 to 150 ⁇ , and the overcoat layer 11 1 2 and 122 are formed to a thickness of about 600 angstroms by, for example, silicon oxide or titanium oxide, or a mixture thereof, and the alignment film 113 is formed to a thickness of about 300 angstroms by a polyimide resin, for example. Formed to a thickness of IT0 (Indium Tin Oxide) to a thickness of about 500 to 150 ⁇ , and the overcoat layer 11 1 2 and 122 are formed to a thickness
  • the first electrode 111 is formed by arranging a plurality of linear patterns parallel to each other, while the second electrode 121 is arranged parallel to each other so as to be orthogonal to the first electrode 111. Formed by a plurality of linear patterns. A plurality of points where these electrodes 11 1 and 12 intersect in a dot matrix form pixels for displaying an image.
  • the first substrate 11 is composed of a liquid crystal region E where the liquid crystal 14 is sealed and the liquid crystal region. It has an overhanging portion 1 1a that protrudes outside the minute E.
  • the first electrode 11 on the first substrate 11 extends directly to the overhang portion 11a of the substrate and is formed with wiring.
  • the second electrode 12 1 on the second substrate 12 is electrically connected to the electrode on the first substrate 11 via the conductive material 20 (FIG. 21) dispersed inside the sealing member 13.
  • the wiring is formed to extend to the substrate extension 11a.
  • the electrodes formed on the overhanging portion 11a of the first substrate 11 to be electrically connected from the two substrates and formed as wires are shown as electrode extending portions 1331.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view taken along the line II-II of FIG. 20.
  • the insulating layer 110 drawn on the input terminal 13 4 is the input terminal 13 4
  • the figure shows an insulating layer formed on the back side of the region where is formed, and the insulating layer 110 is not formed on the input terminal 134 as described later.
  • the electrodes 11 1 and 12 1 and the wiring 13 1 are actually arranged at very narrow intervals on the surfaces of the respective substrates 11 and 12. Although they are formed over the entire area, in FIG. 20 and the like, those electrodes are schematically shown at intervals wider than the actual intervals for easy understanding of the structure, and some of the electrodes are not shown. Further, the electrodes 11 1 and 12 1 in the liquid crystal region E are not limited to being formed in a straight line, but may be formed in an appropriate pattern. In addition, the input terminals 13 4 are actually formed at a narrow fixed interval at the side edge of the overhang portion 11 a of the substrate 11, but in FIG. Also, they are schematically shown at wide intervals, and some of the terminals are not shown.
  • a lighting inspection area T which is an area where a current-carrying device such as a probe is brought into contact when performing a lighting inspection, and a liquid crystal driving IC 13 3 are bonded or mounted.
  • Each area includes an IC mounting area J, which is an area for connecting, and an input terminal area N, which is an area for connecting the external wiring board 136.
  • the lighting inspection area T on the overhang 1 1a is the first substrate It is provided at a position adjacent to a step generated between the second substrate 12 and the second substrate 12 due to the overhang of 11, ie, between the seal member and the IC mounting area.
  • the insulating layer 110 is formed in a region other than the lighting inspection region T, the IC mounting region J, and the input terminal region N in the substrate overhang portion 11a.
  • the insulating layer 110 is aligned with the first layer 112 formed simultaneously with the formation of the overcoat layer 112 in the liquid crystal region E of the first substrate 11 and in the liquid crystal region E of the liquid crystal region.
  • the second layer 113 is formed at the same time as the film 113 is formed.
  • the insulating layer 110 prevents the wiring portion 13 1 on the substrate overhang portion 11 a from being exposed to the outside, and prevents the electrode extension portion 13 1 from generating electrolytic corrosion.
  • a predetermined driving current is applied to the electrode extension portion 13'1 exposed to the outside in the region, and the pixels in the liquid crystal region portion E are lit experimentally to display the liquid crystal device. This is an area for inspecting quality.
  • the liquid crystal driving IC is subjected to thermocompression bonding at the substrate overhanging portion 11a.
  • the liquid crystal driving IC 13 3 is stretched over the substrate by ACF (Anisotropic Conductive Film) 13 2 as a conductive adhesive. This is done by bonding or mounting to a.
  • ACF is a conductive polymer film used to electrically connect a pair of terminals together, for example, a thermoplastic or thermosetting resin film. It is formed by dispersing a large number of conductive particles 132b in 132a.
  • the ACF 1332 is sandwiched between the IC mounting area J of the substrate overhang portion 1 1a and the liquid crystal driving IC 133 and is thermocompression-bonded, so that the liquid crystal driving IC 133 bumps 1 3 3a
  • a connection having a unidirectional conductivity is realized between the input terminal 13 and the wiring portion 13 1 and between the bump 13 1 a and the input terminal 13 4.
  • Heating and pressurization in thermocompression bonding are performed by a pressurization (pressure bonding) tool (not shown).
  • the pressure (pressure bonding) tool is brought into contact with the LCD drive IC 133 from above, and pressure is applied simultaneously with heating. Is done.
  • the insulating layer 110 is formed in a region excluding the lighting inspection region T, the IC mounting region J, and the input terminal region N in the substrate extension portion 11a.
  • the insulating layer 110 is aligned with the first layer 112 formed simultaneously with the formation of the overcoat layer 112 in the liquid crystal region E of the first substrate 11 and in the liquid crystal region E of the liquid crystal region.
  • the second layer 113 is formed at the same time as the film 113 is formed.
  • the insulating layer 110 prevents the wiring portion 13 1 on the substrate overhang portion 11 a from being exposed to the outside, and prevents the electrode extension portion 13 1 from generating electrolytic corrosion.
  • a predetermined drive current is applied to the electrode extension portions 13 '1 ⁇ exposed to the outside in the region, so that the pixels in the liquid crystal region portion ⁇ are experimentally lit, and the This is an area for inspecting display quality.
  • the liquid crystal driving IC is subjected to thermocompression bonding at the substrate overhanging portion 11a.
  • the liquid crystal driving IC 13 3 is stretched over the substrate by ACF (anisotropic conductive film) 13 2 as a conductive adhesive. This is done by bonding or mounting to 11a.
  • ACF anisotropic conductive film
  • the ACF 132 is a conductive polymer film used to electrically connect a pair of terminals together, for example, a thermoplastic or thermosetting resin film. It is formed by dispersing a large number of conductive particles 132b in 132a.
  • the ACF 1332 is sandwiched between the IC mounting area J of the substrate overhang portion 1 1a and the liquid crystal driving IC 133 and is thermocompression-bonded, so that the liquid crystal driving IC 133 bumps 1 3 3a
  • a connection having a unidirectional conductivity is realized between the input terminal 13 and the wiring portion 13 1 and between the bump 13 1 a and the input terminal 13 4.
  • Heating and pressurization in thermocompression bonding are performed by a pressurization (pressure bonding) tool (not shown).
  • the pressure (pressure bonding) tool is brought into contact with the LCD drive IC 133 from above, and pressure is applied simultaneously with heating. Is done. Also, Caro In addition to this, it is possible to more reliably prevent electric corrosion of the wiring portion 131 existing in the substrate overhang portion 11a.
  • the insulating layer 110 is formed on the substrate overhang portion 11a, the insulating layer 110 is formed in a region other than the lighting inspection region T, so that it is formed after the formation of the insulating layer 110.
  • the lighting inspection can be performed without any trouble using the wiring portion 131 exposed to the outside in the lighting inspection region T.
  • FIG. 22 shows an embodiment of a method of manufacturing the liquid crystal device for manufacturing the liquid crystal device 1 shown in FIG.
  • the first substrate 11 is formed through steps P1 to P4, for example, as shown in FIG.
  • the first electrode 11 1 and the wiring section 13 1 are formed on a substrate material 11 a made of glass, plastic, or the like by using a well-known patterning method using IT ⁇ as a material, for example, a photolithography method.
  • an overcoat layer 112 is formed on the first electrode 111 by, for example, offset printing, and at the same time, the lighting inspection region T, the IC mounting region J and the input are formed in the overhang portion 11a.
  • the first layer 112 of the insulating layer 110 is formed except for the terminal region ((step P 2).
  • an alignment film 113 is formed on the overcoat layer 112 by, for example, offset printing, and at the same time, a second layer 113 is formed on the first layer 112 of the insulating layer. It is formed (step P 3).
  • a seal member 13 is formed on the peripheral portion of the substrate material 11a by, for example, screen printing to partition and form the liquid crystal region portion E.
  • Reference numeral 13a indicates a liquid crystal injection port formed in a part of the seal member 13.
  • a substrate material 12 a (see FIG. 21) made of glass, plastic, or the like is coated with ITO as a material, and the second electrode 121 is formed by a known cleaning method such as photolithography. It is formed by one method (step P5 in FIG. 22), and then an overcoat layer 122 is formed thereon by, for example, offset printing (step P6), and then overlaid thereon.
  • the alignment film 123 is formed by offset printing, whereby the second substrate 12 is formed.
  • the first substrate 11 and the second substrate 12 formed as described above are: Generally, a plurality of substrates are formed simultaneously on a large-area substrate base material (mother-glass substrate).
  • the first substrate 11 and the second substrate 12 are adhered to each other in a state where they are aligned, that is, aligned with each other in the state of the substrate base material, and are joined to each other by the seal member 13 (see FIG. 20). (Step P 8).
  • a primary break of the large-area substrate base material is performed to expose the liquid crystal injection port 13a (see FIG. 20) formed in a part of the sealing member 13 to the outside (step P9). Further, liquid crystal is injected into the liquid crystal region E through the liquid crystal injection port 13a, and after the injection is completed, the liquid crystal injection port 13a is sealed with resin (step P10). Then, by performing a secondary break, as shown in Fig. 24, each of the liquid crystal panel for one liquid crystal device, the lighting inspection area T, the IC mounting area J, and the input terminal area Thus, a material that is open to the outside without being covered is formed (process P11).
  • a probe of the inspection device is brought into contact with the wiring part 13 1 exposed to the outside in the lighting inspection area T, and a predetermined drive current is applied to each electrode through the probe to test each pixel in the liquid crystal area E. They are turned on and inspected for their quality (process P 12). If the inspection result is normal, the ACF132 (see Fig. 20) is attached to the IC mounting area J, and the liquid crystal driving IC133 is temporarily aligned on it.
  • the liquid crystal driving IC 133 is mounted at a predetermined position on the substrate 11 by performing thermocompression bonding by applying pressure and heating (process P13).
  • a mold material 141 such as Si is applied to the lighting inspection area T after the inspection by coating (process P 14), and a polarizing plate 23 a and a polarizing plate 23 a are formed on the outer surfaces of the substrates 11 and 12. 23b is attached (step P15), whereby the liquid crystal device 1 shown in FIG. 20 is completed.
  • the input terminal area N is still open to the outside, if the external wiring board 16 is conductively connected to the input terminal 12 at an appropriate time thereafter, the input terminal area N is also shielded from the outside atmosphere. O As described above, the wiring portion at the overhang portion 11a of the substrate 11 is shielded from the outside atmosphere by the entire region, thereby preventing the occurrence of electrolytic corrosion in the electrode extending portion 131.
  • the moisture-proof performance is slightly lower than that formed by a photolithography method or another film forming method such as the insulating layer 110, Since it is applied only to an extremely limited area, the function of preventing the occurrence of electrolytic corrosion can be maintained extremely high for a long period of time.
  • FIG. 13 shows a mobile phone as one embodiment of the electronic apparatus according to the present invention. Since the main parts are the same as those of the electronic device of the second embodiment, the drawings are the same as those of the second embodiment.
  • the mobile phone 30 shown here is composed of various components such as an antenna 31, a speed force 32, a liquid crystal device 40, a key switch 33, and a microphone 34. It is composed by storing in 36. Further, inside the outer case 36, a control circuit board 37 on which a control circuit for controlling the operation of each of the above-described components is mounted is provided.
  • the liquid crystal device 40 the liquid crystal device 1 shown in FIG. 1 can be used.
  • a signal input through the key switch 33 and the microphone 34 and data received by the antenna 31 are input to the control circuit on the control circuit board 37. You. Then, the control circuit displays an image such as a numeral, a character, or a picture on the display surface of the liquid crystal device 40 based on the input various data, and further transmits transmission data from the antenna 31.
  • the insulating layer 110 is formed by two layers of the first insulating layer 112 and the second insulating layer 113 in the substrate overhang portion 11 a.
  • the insulation layer 1 1 Zero can also be formed.
  • the insulating layer is formed except for the lighting inspection area T, the IC mounting area J, and the input terminal area N.
  • the liquid crystal driving IC is not directly mounted on the substrate.
  • no IC mounting area is set on the substrate, in which case the IC 'mounting area is not included in the part without the insulating layer .
  • the present invention is applied to a liquid crystal device having a structure in which a liquid crystal driving IC is mounted on only one of the substrates 11 and 12, that is, a structure in which the wiring section 13 1 is formed on only one substrate.
  • the present invention can be applied to a liquid crystal device having a structure other than the above, for example, a liquid crystal device having a structure in which a liquid crystal driving IC is mounted on both substrates 11 and 12.
  • a simple matrix type liquid crystal device is considered in FIG. 20, an active matrix type liquid crystal device may be used instead.
  • FIG. 13 illustrates a case where the liquid crystal device of the present invention is used in a mobile phone as an electronic device.
  • the liquid crystal device of the present invention may be any other electronic device, for example, a personal digital assistant, an electronic organizer, It can also be applied to video camera viewfinders.
  • FIG. 25 shows a schematic plan perspective view (a) of the liquid crystal device of the fifth embodiment according to the present invention, and a schematic enlarged cross-sectional view (b) near the overhang region.
  • ITO indium tin oxide
  • the transparent electrode 111 and the wiring 13a, 1 are formed by sputtering or the like.
  • each of the positioning marks 21, 22, and 23 is formed in a rectangular shape.
  • S i02, S i 3N4 Protective film called top coat film or thin film in liquid crystal filling area A by letterpress printing, sputtering, oxidation, etc. using an insulating material such as Ti02. Form 2.
  • the outer edge of the protective film 15 on the side of the overhang region 11a is positioned and formed so as to match the outer edge of the positioning mark 21 near the liquid crystal enclosing region A.
  • a pair of insulating films 112 are formed of the same material on the surface of the overhang region 111a.
  • the insulating film 112 is provided on both sides of the mounting area of the Dora IC 133 on the outer side of the positioning mark 22 on the side away from the liquid crystal sealing area A, and the mounting of the Dora IC 133 on the positioning mark 23
  • the outer edge is formed so as to match with the outer edge on the side remote from the region.
  • a polyimide resin, a polyalcohol resin, or the like is further applied on the protective film 112 and the insulating film 112, and baked to form an alignment film 113 in the liquid crystal sealing region A.
  • the outer edge of the overhanging region 11a of the alignment film 113 is formed so as to ride over the outer edge of the protective film 112 toward the overhanging region 11a and cover it. ing.
  • the alignment film 113 is positioned such that the outer edge is aligned with the outer edge of the positioning mark 21 on the side of the overhang area 11a.
  • the alignment film 113 is also formed on the insulating film 112 formed in the overhang region 11a with the same material at the same time as the alignment film 113.
  • the alignment film 133 is also formed so as to spread more than the outer edge of the insulating film 112. That is, the alignment film 113 is formed so that its outer edge is aligned with the outer edge of the positioning mark 22 on the side of the liquid crystal enclosing area A, and the outer edge of the positioning mark 23 on the side of the mounting area of the driver IC 133 is located. It is formed so that the outer edge is fitted to the part.
  • the alignment film 113 is subjected to a rubbing treatment to give a predetermined alignment performance to the liquid crystal.
  • the transparent electrode 11 formed on the surface of the transparent substrate 11 as described above, the wirings 13 1 a and 13 1 b, the terminal pattern 13 4, the protective film 1 12 and the alignment film 1 Fig. 27 shows the planar shape of 13. As shown in FIG. 27, the area around the liquid crystal sealing area A where the protective film 112 and the alignment film 113 are formed and the area above the overhang area 11a are spaced from each other. They are formed separately. This is done by wiring 13 1 b This is because it is necessary to secure a region for conducting the transparent electrode 122 formed on the transparent substrate 12 and a region for contacting the probe when performing an electrical inspection.
  • the insulating film 112 and the alignment film 113 on the overhang region 111a are formed in a state where they are divided into right and left. This is because it is necessary to secure an area for mounting the driver ICs 133 and an area for connecting the wiring members 136 as shown in FIG.
  • the seal member 13 and the upper and lower conductive material 20 are applied on the transparent substrate 11 using a dispenser or the like so as to have a planar shape as shown in the figure.
  • the seal member 13 may be made of an insulating resin containing no conductive particles, and may contain an insulating spacer.
  • the upper / lower conductive material 20 is made of a material exhibiting anisotropic conductivity containing conductive particles as in the above-described conventional example.
  • the transparent substrate 12 on which the transparent electrode 12 1 and the alignment film 12 3 shown in FIG. 25 (b) are formed is bonded to the transparent board 11, and is applied to a predetermined thickness. Press. By bonding the substrates, in the present embodiment, the transparent electrode 12 1 and the wiring 13 1 b are conductively connected via the upper and lower conductive members 20.
  • the liquid crystal is injected into the liquid crystal enclosing area A by a known means, and is sealed by the sealing material 19.
  • the mounting of the dryno IC 133 and the connection of the wiring member 134 are performed, and finally, the resin molding material 141 is placed in the hatched portion (indicated by a dashed line) shown in FIG. 25 (a). Coated and sealed.
  • the resin molding material 141 is not applied as it is to be in a flat state. Will be maintained.
  • the outer edge of the resin molding material 141 extends to above the alignment film 113, and the alignment film 113 and the resin molding material 141 close to the boundary. They are formed so as to overlap each other.
  • the dryno IC 133 is mounted via an anisotropic conductive film (ACF) (not shown) attached to the ends of the wirings 13a and 13b.
  • ACF anisotropic conductive film
  • the portion covered with the anisotropic conductive film is covered with the resin molding material 14. There is no need to apply 1.
  • the wiring area that is not covered with the alignment film 113 on the surface of the overhang area 11a with only the anisotropic conductive film described above should be used.
  • the exposed wiring portion can be covered with an anisotropic conductive film because it is not usually possible to cover the vicinity of the wiring 13 1 with an anisotropic conductive film in the configuration shown in the drawing. Protection is achieved by using resin mold material 14 1 together.
  • the wiring 1 is provided between the outer edge of the insulating film 112 and the alignment film 113 on the side of the sealing member 113 in the overhanging region 111a and the end of the transparent substrate 122. A part of 31a and 1311b is exposed, and an electrical inspection is performed on the exposed part at an appropriate time before the application of the resin molding material 141. .
  • the wiring 131a since a flat surface portion covered with the insulating film 112 and the alignment film 113 is formed in a part of the overhanging region 111a, the wiring 131a, Since it is possible to support the liquid crystal device using these flat surface portions while maintaining the corrosion resistance of 13 1 b and the like, it is possible to reduce the damage of the Si substrate.
  • the alignment film 113 is formed so as to cover at least a part of the edge of the insulating film 113, the thick portion 112a is covered with the alignment film. It is possible to avoid the occurrence of poor orientation as described above. Incidentally, even when the insulating film 112 is formed by a method other than letterpress printing, the rubbing treatment is likely to be affected if the edge of the insulating film 112 is exposed. The above configuration is effective.
  • the alignment film 113 formed around the liquid crystal sealing region A, the insulating film 112 formed in the overhanging region 11 a and the alignment film 111 are formed. 3 are formed continuously and integrally. Also in this embodiment, the wiring 13 1 a, 13 1 b and the terminal pattern 13 4 are exposed in the mounting area of the driver IC 13 3 and the connection area of the wiring member 13 4 as in the previous embodiment. It is configured to be. Further, in this embodiment, the opening 1 1 of the insulating film 1 1 2 for conducting the wiring 13 1 b to the transparent electrode 1 2 1 formed on the transparent pad 12 via the upper and lower conductive material 20. 2a and the opening 113a of the alignment film 113 are formed. The opening 1 1 2a is formed slightly larger so as to completely cover the opening 1 1 3a. Therefore, the opening edge of the insulating film 112 is configured to be completely covered with the alignment film 113.
  • the insulating film 112 and the alignment film 113 configured to avoid the mounting area of the driver IC 133 and the connection area of the wiring member 134 by using the positioning mark 23. May be performed. Also, on both sides of the positioning mark 24 shown in the figure, the outer edge or the opening 1 12 a and the opening 1 13 a on the wiring 13 a in the insulating film 112 and the alignment film 113 are formed. Positioning may be performed by aligning the opening edges of the holes.
  • a resin molding material is attached to the dryino, the mounting region of the IC 133 and the connection region of the wiring member 133.
  • the overhang area 1 1a may be completely sealed by applying 14 1.
  • only the exposed portions of the wirings 13a and 13b, which have a fine wiring pitch and are vulnerable to electric contact, may be sealed with a resin molding material 141.
  • conductive particles for example, metal particles or a conductive film formed on the surface of resin particles (such as Ni-Au
  • the transparent material is bonded to the transparent substrate 12 through the sealing member 13 and pressed, and then conductive only in the thickness direction (gap direction between substrates) by applying pressure.
  • 'It has a note, that is, it exhibits anisotropic conductivity.
  • the wiring 13 1 b formed on the transparent substrate 11 and the transparent electrode 12 1 formed on the transparent substrate 12 are configured to conduct through the upper and lower conductive portions 13 b. ing.
  • the insulating film 112 and the alignment film 113 are formed.
  • an opening 1 1 2 a for ensuring vertical conduction is formed in the insulating film 1 12, and the opening 1 1 3 a is formed on the alignment film 113. Therefore, since the opening edge of the insulating film 112 is completely covered with the alignment film 113, rubbing unevenness may occur due to the opening edge of the insulating film 112 when the alignment film 113 is rubbed. Can be prevented.
  • the mounting area of the driver IC 133 and the connection area of the wiring member 136 are made of a resin mold material. It may be sealed by 14 1. Also, the wiring pitch is fine, and the wiring 1313a and 13b may be exposed only by the resin molding material 141.
  • liquid crystal device of the present invention and the method of manufacturing the same are not limited to the illustrated examples described above, and various changes can be made without departing from the scope of the present invention. .

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Description

明 細 書
液晶装置及びその製造方法
技術分野
本発明は液晶装置及びその製造方法に係り、 特に、 液晶封入領域から配線が引き 出されてなる張出領域の構造に関する。
背景技術
一般的な液晶装置は、シール部材を介して一対の透明な を貼り合わせ、これら の基板間であってシール部材の内側、 すなわち液晶封入領域に液晶を封入すること によって構成される。
液晶装置の構造の一例を図 3 1に示す。図 3 1 ( a)は液晶装置 1の平面構造を模 式的に示す平面透視図であり、図 3 1 ( b )は液晶装置 1における張出領域 1 l. sの 近傍の構造を模式的に示す概略拡大断面図である。液晶装置 1 0はシール部材 1 3 を介して 2枚の透明基板 1 1, 1 2を貼り合わせて成り、透明基板 1 1は透明基板 1 2よりもやや幅広に形成され、 透明基板 1 1には透明基板 1 2の端部よりも側方へ 張り出した張出領域 1 1 aが形成されている。 シール部材 1 3の内側は矩形状の液 晶封入領域 Aとなっている。
液晶封入領域 A内の透明基板 1 1上には透明電極 1 1 1が形成され、 シール部材 1 3の下を通過.して配線 1 3 1 aとして張出領域 1 1 aの表面上に引き出されてい る。透明電極 1 1 1の上には液晶封入領域 Aに限定し絶縁膜 1 1 2が形成され、さら にその上に配向膜 1 1 2が形成されている。また、透明基板 1 2上には透明電極 1 2 1が形成され、 この透明電極 1 2 1は透明電極 1 1 1と直交する方向に伸びた後、シ —ル部材 1 3の形成位置まで伸びている。透明電極 1 2 1の上には配向膜 1 2 3が 形成され、配向膜 1 1 3と 1 2 3の間には図示しない液晶が注入され、配向膜の表面 状態に応じて所定の配向状態に制御される。
張出領域 1 1 aには、 上記の配線 1 3 1 aの左右両側に配線 1 3 1 bが所定パ夕 —ンにて形成されている。 配線 1 3 1 bは透明基板 1 1上をシ一ル部材 1 3の形成 位置まで伸びている。 シール部材 1 3は樹脂中に導電粒子を含んだ素材にて形成さ れており、 透明 反 1 1と透明基板 1 2の間にて加圧されることによって勘反厚さ 方向 (基板ギヤヅプ方向) にのみ電気導電性を示す異方導電性を呈するものである。 上記の透明電極 1 2 1と配線 1 3 1 bとはシール部材 1 3の上下導通部 1 3 bにお いて上下に重なり合い、 この上下導通部 1 3 bを介して相互に導電接続されている。 配線 1 3 1 a及び 1 3 1 bの先端部は図示しない異方性導電膜を介して液晶駆動 用のドライバ I C 1 3 3の図示しない出力端子に導電接続されている。また、張出領 域 1 1 aには端子パターン 1 3 4もまた形成されており、 この端子パターン 1 3 4 の一端部は上記の異方性導電膜を介してドライバ I C 1 3 3の入力端子に導電接続 され、端子パターン 1 3 4の他端部はフレキシブル配線 反、 T AB¾¾などの |¾泉 部材 1 3 6に導電接続されている。
張出領¾£ 1 1 aに形成された配線 1 3 1 a , 1 3 1 bは小さな配線幅を有して小 さな形成ピッチで形成されているため、塵埃や酸などに弱く、 また、電触が発生する 危険性があるため、 ドライバ I C 1 3 3や配線部材 1 3 6を実装した後、張出領域 1 1 aの実装面を全体的にシリコーン樹脂などからなる樹脂モールド材 1 4 1によつ て覆うようにしている。
ところで、近年の電子機器の小型化、薄型ィ匕に伴って液晶装置 1 0自体にも薄型ィ匕 が要請されるようになってきており、ガラスなどからなる透明基板 1 1 , 1 2の厚さ を薄くすることによって上記要請に応えようとする動きがある。 このような状況に おいて透明 ¾反1 1 , 1 2が薄くなるとその強度も低下するため、 »ί反が破損しやす くなり、 特に一方の透明基板 1 1のみが張り出した張出領域 1 1 aにおいて基板に 割れが発生する危険性がある。また、上記のように張出領域 1 1 aにドライバ I C 1 3 3が実装されている C O G ( C i p O n G 1 a s s )タイプの液晶装置におい ては張出領域 1 1 aの張出長さが大きくなるため、 張出領域 1 l aにおいて破損が 発生する可能性はさらに高くなる。
このような不具合に対しては、液晶装置を電子機器の内部に実装する場合に、支持 部材などにより張出領域 1 1 aを広い面積で支持することによって局所に応力が集 中することを防止する方法が考えられるが、上記従来の液晶装置においては、張出領 域 1 1 aの実装面全体が樹脂モールド材 1 4 1によって覆われているため、 張出領 域 1 1 aを広い面積で均等に支持することが困難であるという問題点がある。 また、 液晶装置を張出領域 1 1 aの裏側の樹脂モールド 1 4 1で覆われていない表面で支 持することも考えられるが、 この場合には液晶装置の支持構造の厚さが増大するた め、 上記小型化、 薄型化の要請に反することとなる。
そこで本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、液晶装置における 張出領域を均等に支持することができる構造を備えた液晶装置を提供することにあ
発明の開示
本発明の第 1例による液晶装置は、 シール部を介して対向配置された一対の基板 と、前記一対の ¾ί反間の前記シール部の内側領域に封入した液晶と、前記一対の謝反 のうち一方の前記基板の前記シール部の前記内側領域に形成された電極と、 前記電 極上に配置された絶縁膜と、を具備し、前記一方の基板の前記シール部材の外側領域 には他方の前記基板の端部よりも張り出した張出領域が設けられ、 該張出領域には 前記電極に接続された配線が形成され、前記配線の少なくとも一部は、前記絶縁膜と 同材質の絶縁膜により被覆されてなることを特徴とする。
上記本発明の第 1例の液晶装置によれば、 液晶封入領域内に形成される絶縁膜を 張出領域の表面上にも配線を覆うように形成することによって、 樹脂モールドエ程 を不要にするこ.とができるとともに新たな工程を発生させることなく確実に配線を 電触などから保護することができる。また、張出領域の表面を平坦に形成することが できるため、 張出領域の表面を液晶装置の支持面若しくは位置決め面として用いる ことが可能になる。
ここで、 絶縁膜は液晶封入領域から連続して張出領域の表面上に延長形成されて いることが配線の保護性能を高めるうえでより好ましい。また、絶縁膜としては液晶 封入領域内に形成され、 混入した塵埃等による基板上に形成された電極間の短絡を 防止するためのォ一バーコ一ト層であることが望ましい。
また、 第 1例の液晶装置においては、 前記配線は、 集積回路或いは配線部材に電 気的に接続される導電接続部を有してなり、 前記導電接続部は前記絶縁膜により被 覆されないと好ましい。こうすることにより、導電接続部に集積回路チップや配線部 材などを実装することができる。
更には、 本発明の第 1例による液晶装置においては、 前記配線は、 集積回路或い は配線部材に電気的に接続される導電接続部を有してなり、 前記導電接続部は前記 絶縁膜により被覆されないと好ましい。こうすることにより、導電接続部に集積回路 チヅプゃ配線部材などを実装することができる。
この場合において、前記導電接続部と、前記集積回路若しくは前記配線部材との間 -に異方性導電膜が介在し、 前記導電接続部のうち少なくとも保護する必要のある部 分を全て被覆するように配置されていることが望ましい。
このように構成することによって、 露出された配線部分のうちの少なくとも保護 する必要がある部分、例えば、配線ピッチや配線幅の小ざい配線部分が全て異方性導 電膜によって被覆されていることにより、 絶縁膜によって保護されていない部分を 異方性導電膜で保護することができるから、より保護性能を高めることができる。な お、上記の保護する必要が或る部分とは、例えば、液晶封入領域から直接に引き出さ れた配線を意味し、保護する必要のない部分とは、例えば、液晶封入領域から直接に 引き出された配線が一旦、 張出領域上に実装される集積回路に接続される場合にお いて、集積回路にのみ接続された外部端子を構成するための配線を言う。後者の配線 は通常、 配線ピッチや配線幅が前者の配線よりも大きく形成される。
また、本発明の第 1例の液晶装置においては、前記導電接続部と、前記集積回路若し くは前記配線部材とは異方性導電膜を介して接続されてなり、 前記異方性導電膜は、 その縁部が前記絶縁膜に重なっていると好ましい。 異方性導電膜の縁部が絶縁膜の 端部に対して重なっていることにより、 絶縁膜と異方性導電膜との縁部間に隙間が 形成されないため、配線をより確実に保護することができるとともに、両端部の重な り幅の存在により、 製造工程時において絶縁膜の形成パターン位置や異方性導電膜 の被着位置に多少のずれが発生しても、 隙間が発生する恐れが低減される。
上記本発明の第 1例の液晶装置を製造する方法は、シール部を介して対向配置され た一対の勘反と、前記一対の勘反間の前記シール部の内側領域に封入した液晶と、有 し、 前記一対の基板のうち一方の前記基板には他方の前記基板の端部よりも張り出 した張出領域が設けられてなる液晶装置を製造する方法において、 前記一対の基板 のうち一方の前記基板に電極を形成し、 前記張出領域に前記電極に接続された配線 を形成する工程と、前記電極、及び前記前記配線の少なくとも一部を覆う絶縁膜を形 成する工程と、 を具備することを;(«とする。
また、 上記製造方法においては、 前記配線は、 集積回路或いは配線部材に電気的に 接続される導電接続部を有しており、 前記絶縁膜は前記前記導電接続部には形成さ れないことを とする。
また、 前記導電接続部と、 前記集積回路若しくは前記配線部材とは異方性導電膜を 介して接続されてなり、前記異方性導電膜は、その縁部が前記絶縁膜に重なっている ことを特徴とする。
また、 前記一方の ¾反には位置決めマークが形成され、 前記絶縁膜は、 その縁部 が前記位置決めマークの一縁部に沿って形成され、 前記前記異方性導電膜はその縁 部が前記位置決めマークの他の縁部に沿って形成されることを特徴とする。
本発明の第 2例による液晶装置においては、 シール部を介して対向配置された一対 の勘反と、 前記一対の ¾反間の前記シール部の内側領域に封入した液晶と、 前記一 対の基板のうち一方の前記基板の前記シール部の前記内側領域に形成された電極と 、 前記電極上に配置されたオーバ一コート層と、 前記絶縁膜上に配置された配向膜 と、を具備し、前記一方の基板の前記シール部材の外側領域には他方の前記基板の端 部よりも張り出した張出領域が設けられ、 該張出領域には前記電極に接続された配 線が形成され、 前記オーバ一コ一ト層及び前記配向膜が前記配線上に配置されてな り、前記張出領域においては、前記オーバ一コート層の全てが前記配向膜によって覆 われていることを«とする。
上記本発明の第 2の液晶装置においては、 基板の対向面及び基板張出し 部上の両方において共に電極を覆うオーバ一コ一ト層の領域が存在し、 そ の領域全部が配向膜で覆われているので、 オーバーコート層が外部にさら されて剥き出しになる表面が無く、 配向膜に対してラビング処理を行う際 、 ラビング処理によってラビングに用いられる布等がォ一バーコ一ト層に 直接触れて摩擦を生じさせることがないので、 オーバーコート層が削られ てその削られた粉末 (粉塵) によって配向膜に損傷を及ぼすことが無くな る。 そのため、 配向膜に汚れや傷の発生を防止でき、 その結果、 液晶表示 ムラが発生することを防止できる。
尚、 上記本発明の第 2の液晶装置においては、 前記オーバ一コート層は 酸化珪素又は酸化チタン又は少なくともどちらか片方を含む混合物によて 形成でき、 前記配向膜はポリイミ ド系樹脂によって形成できる。
上記本発明の第 2例の液晶装置を製造する方法は、シール部を介して対向配置され た一対の繊と、前記一対の 反間の前記シール部の内側領域に封入した液晶と、有 し、 前記一対の基板のうち一方の前記基板には他方の前記基板の端部よりも張り出 した張出領域が設けられてなる液晶装置を製造する方法において、 前記一対の謝反 のうち一方の前記基板に電極を形成し、 前記張出領域に前記電極に接続された配線 を形成する工程と、前記電極、及び前記前記配線上にオーバ一コート層を形成するェ 程と、前記オーバ一コート層上に配向膜を形成する工程と、前記配向膜をラビング処 理する工程と、 を具備してなり、前記張出領域においては、前記オーバーコート層の 全てが前記配向膜によって覆われることを特徴とする。
また、本発明の第 3例による液晶装置においては、シール部を介して対向配置され た一対の基板と、 前記一対の基板の前記シール部の前記内側領域に形成された電極 と、前記一対の謝反のうち一方の前記 ¾反の電極上に配置された絶縁層と、を具備し 、 前記一方の基板の前記シール部材の外側領域には他方の前記基板の端部よりも張 り出した張出領域が設けられ、 該張出領域には前記他方の基板に設けられた前記電 極と導通部材を介して電気的に接続された配線が形成され、 前記配線の少なくとも 一部は、前記絶縁層により被覆されてなり、前記導通部材の対応個所以外に前記絶縁 層が設けられることを髓とする。
上記本発明の第 3例による液晶装置によれば、 基板の液晶領域部分に形 成する絶縁層を利用して基板張出し部にも絶縁層を形成するので、 液晶パ ネルが形成された後に基板張出し部にシリコ一ン等といったモールド材を 付着させる場合に比べて、 基板張出し部に存在する配線部分の電食を確実 に防止できる。 しかも、 液晶装置における基板導通部には絶縁層が設けら れないので、 一方の基板上の電極と他方の基板上の配線とを、 絶縁層に邪 魔されることなく、 導通部材によって確実に導電接続でぎる。
尚、 絶縁層は、 少なくとも前記電極を覆うオーバ一コート層及び前記電 極の上方に形成される配向膜のいずれか一方を含むとよい。
また、 本発明の第 4例による液晶装置においてはシール部を介して対向配置され た一対の基板と、 前記一対の基板のうち一方の前記基板の前記シール部の前記内側 領域に形成された電極と、前記電極上に配置された絶縁膜と、 を具備し、前記一方の 基板の前記シール部材の外側領域には他方の前記基板の端部よりも張り出した張出 領域が設けられ、 該張出領域には前記電極に接続された配線及び前記液晶装置を駆 動する I Cを含む外部回路が実装される実装領域を有してなり、 前記配線の少なく とも一部は、前記絶縁膜と同材質の絶縁膜により被覆され、前記実装領域と前記シー ル部材との間に形成された前記配線上にはモールド部材が配置されてなることを特 徴とする。
上記本発明の第 4例による液晶装置によれば、 基板の液晶領域部分に形 成する絶縁層を利用して基板の張出し部にも絶縁層を形成するので、 液晶 パネルが形成された後に基板張出し部にシリコ一ン等といったモールド材 を付着させる場合に比べて、 基板張出し部に存在する電極延在部分の電食 を確実に防止できる。 しかも、 基板張出し部に絶縁層を形成する際には、 点灯検査領域を除く領域にその絶縁層を形成するので、 絶縁層の形成後に 行われる点灯検査は、 点灯検査領域、 すなわち I C実装領域とシール部材 との間の領域において外部に露出する配線を利用して支障無く行うことが できる。
上記本発明の第 4例の液晶装置を製造する方法は、 シール部を介して対 向配置された一対の基板を有し、 前記一対の基板のうち一方の前記基板に は他方の前記基板の端部よりも張り出した張出領域が設けられてなる液晶 装置を製造する方法において、 前記一対の基板のうち一方の前記基板に電 極を形成し、 前記張出領域に前記電極に接続された配線を形成する工程と 、 前記電極、 及び前記前記配線の少なくとも一部を覆う絶縁膜を形成する 工程と、 前記一方の基板と他方の前記基板とを貼り合わせる工程と、 前記 配線を用いて前記液晶装置の点灯検査をする工程と、 前記点灯検査に用い た領域の前記配線をモールドする工程と、 を具備することを特徴とする。 また、本発明の第 5の例による液晶装置は、シール部材を介して対向配置された一 対の S反と、 前記一対の ¾反のうち一方の前記謝反の内面側に設けられた配向膜と、 を具備し、 前記一方の前記基板の前記シール部材外側領域には他方の前記基板の端 部よりも張り出した張出領域が設けられ、 該張出領域には前記前記シール部材内側 領域から引き出された配線が形成され、 前記張出領域に形成された前記配線の少な くとも一部は、絶縁膜により被覆されており、前記絶縁膜は、少なくともその端縁部 が前記配向膜によって覆われてなることを特徴とする。
上記本発明の第 5の例による液晶装置によれば、 配線の少なくとも一部を絶縁膜 が被覆し、 この絶縁膜の少なくとも端縁部を配向膜が覆うように構成されているの で、 絶縁膜及び配向膜を形成した部分によつて配線を被覆して電触などを防止する ことができるとともに略平坦な表面領域を形成することができる。そのため、張出領 域を平面的に支持することが可能になるから、耐蝕性を犠牲にすることな 反の 破損を防止して液晶装置の,撃性を向上させることができる。また、絶縁膜の端縁 部を配向膜が覆うように形成されているので、 配向膜に対する配向処理を施す際に おいて絶縁膜の端縁部による液晶封入領域内の配向状態に対する影響を低減できる なお、上記第 1の例〜第 4第の例の液晶装置において説明してきたように、上記の 張出領域において絶縁膜及び配向膜によって被覆される部分としては、 張出領域か ら配線部材の接続領域を除いた部分とする場合があり、 これにさらに I C等の集積 回路の実装領域を除く場合もあり、 その上にさらに基板間の上下導通領域を除く場 合がある。さらに配線に対する電気的検査領域を除く場合もある。絶縁膜及び配向膜 によって被覆されない部分はそのまま露出されていてもよく、 あるいは後述するよ うに樹脂モールド材によって封止されていてもよい。
また、本発明の第 5の例による液晶装置においては、前記一方の基板の前記シール 部材内側領域には前記液晶に電界を与える電極が形成され、 前記配向膜は該電極上 に設けられてなり、前記電極と前記配向膜との間に保護膜を有し、該保護膜は前記絶 縁膜と同材質であることを特徴とする。
そうすることにより、 絶縁膜を形成する場合に保護膜と同時に形成することがで きるので、別工程を設ける必要もなく、 また、成膜パターンを変えるだけで対応でき るから、 コストを増大させることなく製造できる。
また、本発明の第 5の例による液晶装置においては、前記配向膜は前記絶縁膜の全 体を覆うように形成されていることを とする。
この場合にあっては、 配向膜が絶縁膜の全体を完全に覆うように形成されているた め、 配向状態に対する影響をさらに低減できる。
また、 本発明の第 5の例による液晶装置においては、 前記張出領域には位置決め用 マークが形成され、 前記絶縁膜は該位置決め用マークの一の外縁部に沿って形成さ れ、 前記配向膜は前記位置決め用マークの他の外縁部に沿って形成されてなること を特徴とする。
そうすることにより、 位置決めマークが絶縁膜の位置決め用と配向膜の位置決め 用の双方をかねているので、 両者の位置関係を高精度に形成することが可能になり、 特に絶縁膜の端縁部を配向膜によつて高精度且つ確実に覆うことができる。
また、 本発明の第 5の例による液晶装置においては、 前記一の外縁部と前記他の 外縁部とが相互に対向してなることを特徴とする。
この発明によれば、 成膜用位置決めマークの一対の対向する平行な外縁部に対し て位置合わせを行うことにより、 より高精度に することができる。
また、 本発明の第 5の例による液晶装置においては、 前記位置決めマークは前記 配線と同材質で形成されていることを とする。
この発明によれば、位置決めマークを配線と同時に形成することができるので、別 途の工程が必要なくなるとともに、 配線パターンに対して絶縁膜及び配向膜を高精 度に形成することができる。
また、本発明の第 5の例による液晶装置においては、前記絶縁膜によって被覆され ていない前記張出領域が樹脂モールドによって封止されていることが好ましい。 この発明によれば、 絶縁膜によって被覆されていない張出領域が樹脂モールドに よつて封止されていることによつて配線の電触などを完全に防止できるとともに、 樹脂モールドを行う前に配線の電気的検査や I Cの実装、 配線部材の接続などを支 障なく行うことが可能になる。
また、本発明の第 5の例による液晶装置においては、前記絶縁膜及び前記配向膜に は一対の前記基板間に上下導通部を形成するための開口部が形成されていることが 好ましい。
この発明によれば、 他方の基板上の電極を張出領域に形成された配線に導電接続 するための上下導通部を形成するために絶縁膜及び配向膜に開口部を設けることに よって、 上下導通部の配置による絶縁膜及び配向膜の形成パターンの制約が少なく なり、より自由なパターンで最適な形成パターンを設計することが可能になる。この 場合、絶縁膜の開口部の開口縁部を配向膜が全て覆うように、絶縁膜の開口部を配向 膜の開口部より一回り大きく形成されていることが好ましい。なお、絶縁膜が保護膜 と同材質に形成されている場合には、保護膜と絶縁膜が一体化され、両者の境界部近 傍に上記開口部が形成ざれていてもよい。また、液晶封入領域内の配向膜と張出領域 の配向膜とが一体化され、 両者の境界部近傍に上記開口部が形成されていてもよい。 また、本発明の第 5の例による液晶装置を製造する方法は、シール部を介して対向 配置された一対の基板を有し、 前記一対の ¾反のうち一方の前記謝反には他方の前 記基板の端部よりも張り出した張出領域が設けられてなる液晶装置を製造する方法 において、前記一対の基板のうち一方の前記基板に電極を形成し、前記張出領域に前 記電極に接続された配線を形成する工程と、前記電極、及び前記前記配線の少なくと も一部を覆う絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に配向膜を形成する工程と、を 具備し、前記張出領域においては、前記絶縁膜は、その端縁部が前記配向膜によって 覆われることを特徴とする。
上記の第 5の例による液晶装置を製造する方法によれば、 配線の少なくとも一部 を絶縁膜が被覆し、 この絶縁膜の少なくとも端縁部を配向膜が覆うように構成され ているので、 絶縁膜及び配向膜を形成した部分によつて配線を被覆して電触などを 防止することができるとともに略平坦な表面領域を形成することができるため、 張 出領域を平面的に支持することが可能になるから、耐蝕性を犠牲にすることなく、基 板の破損を防止して液晶装置の耐衝撃性を向上させることができる。また、絶縁膜の 端縁部を配向膜が覆うように形成されているので、 配向膜に対する配向処理を施す 際において絶縁膜の端縁部による液晶封入領域内の配向状態に対する影響を低減で きる。そして、上記構造は、液晶封入領域内の保護膜と同時に絶縁膜を形成し、液晶 封入領域内の配向膜と同時に張出領域の配向膜を形成することによって、 新たなェ 程を必要とすることなく、 形成パターンのみを変えることによって構成されるので、 製造コス卜の上昇を抑制することができる。 また、 本発明の第 5の例による液晶装置を製造する方法は、 位置決め用 マークを前記一方の基板上に形成する工程を更に有し、 該位置決めマーク の一の外縁部に沿って前記絶縁膜を形成し、 他の外縁部に沿って前記配向 膜を形成することを特徴とする。 図面の簡単な説明
図 1は、 第 1霞例に係る液晶装置の概略構造を模式的に示す概略断面図である。 図 2は、 第 1実施例の張出領域の表面構造を示す概略拡大平面図である。
図 3は、 第 1実施例における張出領域の表面上に絶縁膜を形成した状態を示す概 大平面図である。
図 4は第 1実施例における張出領域の表面上に異方性導電膜を被着した状態を示 す概略拡大平面図である。
図 5は、 第 1実施例における位置決めマークの配置を示す拡大説明図である。 図 6は、 第 1実施例の位置決めマークの変形例を示す拡大説明図である。
図 7は、 第 2実施例に係る液晶装置を一部破断して示す平面図である。 図 8は、 第 2実施例の液晶装置の主要部の断面構造を示す側面断面図で ある。
図 9 ( a ) は第 2実施例の液晶装置を構成する一方の基板に形成される 電極の形状の一例を示す平面図であり、 (b ) は (a ) に対向して^晶装 置を構成している他方の基板に形成される電極の形状の一例を示す平面図 である。 図 1 0は、 第 2実施例の基板仕掛品の表面に絶縁層を形成した状態を示 す平面図である。
図 1 1は、 第 2実施例にの基板仕掛品の表面にシール材を形成した状態 を示す平面図である。
図 1 2は、 第 2実施例の液晶装置の製造方法の一実施形態を示す工程図 である。
図 1 3は、 第 2実施例、 第 3実施例及び第 4実施例に係る電子機器を示 す斜視図である。
図 1 4は実施例 3に係る液晶装置を一部破断して示す平面図である。 図 1 5は、 実施例 3に係わる液晶装置の主要部の断面構造を I I一 I I 線に従って示す側面断面図である。
図 1 6 ( a ) は、 実施例 3の液晶装置を構成する一方の基板に形成され る電極の形状の一例を示す平面図である。 (b ) は (a ) に対向して液晶 装置を構成している他方の基板に形成される電極の形状の一例を示す平面 図である。
図 1 7は、 実施例 3の基板仕掛品の表面に絶縁層を形成した状態を示す 平面図である。
図 1 8は、 実施例 3の基板仕掛品の表面にシール材を形成した状態を示 す平面図である。 図 1 9は、 実施例 3に係る液晶装置の製造方法を示す工程図である。 図 2 0は、 第 4実施例に係る液晶装置を一部破断して示す平面図である o
図 2 1は、 第 4実施例の液晶装置の主要部の断面構造を II一 II線に従つ て示す側面断面図である。
図 2 2は、 第 4実施例の液晶装置の製造方法を示す工程図である。
図 2 3は、 第 4実施例の液晶装置を構成する一方の基板を示す平面図で
¾ Ό o
図 2 4は、 第 4実施例の液晶装置の液晶駆動用 I Cを実装する前の状態 を示す平面図である。
図 25は、第 5実施例に係る液晶装置のの構造を模式的に示す概略平面透視図(a ) 及び張出領域近傍の構造を示す概略断面図 (b) である。
図 26、 第 5実施例における張出領域内の平面構造を部分的に示す拡大部分平面 図である。
図 27は、 第 5実施例における透明基板上の平面パターンを示す平面透視図であ 。
図 28は、 第 5実施例における張出領域上の断面構造を示す拡大部分断面図 (a) 及び (b) である。
図 29は、第 6実施例の液晶装置の構造を模式的に示す概略平面透視図( a )及び 透明基板上の平面パターンを示す概略平面透視図 (b) である。
図 30は、第 7実施例の液晶装置の構造を模式的に示す概略平面透視図(a)及び 透明 Si反上の平面パターンを示す概略平面透視図 (b) である。
図 31は、従来の液晶装置の構造を模式的に示す概略平面透視図(a)及び張出領 域近傍の構造を示す概略断面図 (b) である。
発明を実施するための最良の形態
(第 1の実施例)
以下、 本発明の第 1の実施例に係る液晶装置及びその製造方法について詳細に説 明する。図 1は本実施形態の液晶装置の構造を模式的に示す概略断面図である。この 構造は基本的に上述の従来の液晶装置と同様であり、基板 1 1, 12, シール部材 1 3、 液晶 14、 電極 1 1 1, 121、 絶縁膜 1 12, 122、 配向膜 1 13, 123 、配線 131, 134、異方性導電膜 132、 集積回路チヅプ 133は図 7及び図 8 に示すものと同様のものである。
第 1の実施例においては、シール部材 13に囲まれた液晶封入領域内から、電極 1 1 1を被覆するように形成された絶縁膜 1 12がシール部材 13の下を通過して張 出領域 1 1 aの表面上に引き出された構造となっている。 この絶縁膜 1 12の張出 領域 1 1 aの表面上に形成された絶縁膜 1 12の延長形成部 1 12 aは、 配線 13 1を被覆している。 ·
図 2は、本実施形態の張出領域 1 1 aの表面構造を示す平面図である。この図にお レ、て、 絶縁膜 1 1 2の延長形成部 1 1 2 aは図示右上方向に伸びる斜線が施された 部分であり、配線 1 3 1の多くの部分を被覆している。この延長形成部 1 1 2 aは集 積回路チップ 1 3 3が実装される部分近傍を避けるように形成されている。 すなわ ち、 配線 1 31のそれぞれと集積回路チップ 1 3 3のバンプ電極 1 3 3 aとが導電接 続されるようにこの接続部分の周辺は絶縁膜 1 1 2で覆われていない。また、配線 1 31のそれそれと集積回路チップ 1 3 3のバンプ電極 1 3 3 aとの導電接続は異方性 導電膜 (例えば、 熱可塑性樹脂中に微細な導電性粒子 (金メッキされた樹脂球など) を分散させたもの) 1 3 2によっておこなわれ、集積回路チップ 1 3 3の下の図示左 上方向に伸びる斜線が施された部分に被着されている。ここで、異方性導電膜 1 3 2 の端部が延長形成部 1 1 2 aの端部に重なり合うようにして被着されている。
配線 1 3 4は、 前述のとおり配線 1 3 1に較べると比較的大きな線幅で且つ配線 1 3 1等に比べ端子数も少なく形成されているために電食による影響も少ないため 、 そのまま露出した状態になっている。 また、本実施形態では配線 1 3 4が図示しな い異方性導電ゴムなどからなるコネクタに圧接されるように構成されているので導 通接続を可能とするためそのまま露出した状態になっている。この場合、上述のよう に配線 1 3 4に異方性導電膜を介してフレキシブル配線 などの配線部材を導電 接続させてもよい。
次に、上記構造の製造過程について図 3及び図 4を参照して説明する。 まず、基板 1 1の表面上には、 透明導電体、 例えば I T O (インジウム錫酸ィ匕物) を蒸着、 スパ ッタリングなどの P V D法によつて被着し、 公知のフォトリソグラフィ法などを用 いてパ夕一ニングすることによって、図 1に示す電極層 1 1 1及び配線 1 3 1 , 1 3 4が形成される。また、 これらを遮蔽マスクを用いて選択的に P VD法によって形成 してもよい。なお、 図 3には基板 1 1の表面上のうち張出領域 1 1 a (になるべき領 域)の表面のみを図示している。 また、 この工程においては、 上記の電極層 1 1 1及 び配線 1 3 1 , 1 3 4とともに、 これらと同じ材料及び製法により位置決めマーク 1 3 7 , 1 3 8 , 1 3 9が形成される。位置決めマーク 1 3 7は絶縁膜 1 1 2の延長形 成部 1 1 2 aの縁部の位置を既定するものであり、 位置決めマーク 1 3 8は異方性 導電膜 1 3 2の縁部の位置を既定するものであり、 位置決めマーク 1 3 9は集積回 路チップ 1 3 3の外縁部の位置を既定するものである。また、配線 1 3 1の絶縁膜の 延長形成部 1 1 2 a (斜線部)で覆われない先端部は集積回路チップ 1 3 3のバンプ 電極 1 3 3 aと異方性導電膜 1 3 2によって導電接続されるの接続端子部 1 3 1 a とされている。
次に、纖 1 1の液晶封入領域内に絶縁膜 1 1 2を形成する。絶縁膜 1 1 2は上述 のように張出領域 1 1 aの表面上にも延長形成部 1 1 2 aとして同時に形成される 。 絶縁膜 1 1 2は3 :1〇2、 T i〇2などをスパヅ夕リング法や酸ィ匕法などによって 形成するものである。この絶縁膜 1 1 2についてもパターニングを行ったり、或いは 、 遮蔽マスクを用いて選択形成することによって基板 1 1の表面上に所定のパ夕一 ンにて形成される。このとき、パターニング時或いは選択形成時の延長形成部 1 1 2 aの縁部を位置決めマーク 1 3 7に合わせるようにして位置決めを行う。 図 3に示 す例においては、 位置決めマーク 1 3 7は集積回路チップ 1 3 3の実装領域に臨む 延長形成部 1 1 2 aの縁部を位置決めするために用いられる。この位置決めは、 81反 1 1の表面画像をカメラなどによって取り込み、 表面画像中の位置決めマーク 1 3 7の位置を公知の画像処理技術などにより検出してパ夕一ニング時の露光マスクや 選択形成時の遮蔽マスクの位置合わせを行うことによって実施される。
次に、 反 1 1の表面上に図 1に示す配向膜 1 1 3を形成し、公知の配向処理を施 した後に、 この 反 1 1を、 同様に電極層 1 2 1、絶縁膜 1 2 2、 配向膜 1 2 3を形 成した 反 1 2に対して図 1に示すシール部材 1 3を介して貼り合わせ、 液晶 1 4 を注入し、封止することによって液晶セルを完成させる。そして、 図 4に示す張出領 域 1 1 aの表面上に、 位置決めマーク 1 3 8を用いて異方性導電膜 1 3 2を被着す る。 このとき、 上記の位置決めマーク 1 3 7, 1 3 8の位置関係によって、 異方性導 電膜 1 3 2の外縁 1 3 2 bは、 絶縁膜の延長形成部 1 1 2 aの外縁 1 1 2 よりも 異方性導電膜 1 3 2の中心より外側に配置されるようになっており、その結果、異方 性導電膜 1 3 2の縁部は絶縁膜の延長形成部 1 1 2 aの縁部と重なるようになって いる。 図 5には、位置決めマーク 1 3 7 , 1 3 8と延長形成部 1 1 2 a及び異方性導電膜 1 3 2の縁部との関係を模式的に示す。ここで、位置決めマーク 1 3 7の図示左側の 周縁部 1 3 7 aが延長形成部 1 1 2 aの外縁 1 1 2 bの位置を既定する基準として 設定されており、また、位置決めマーク 1 3 8の図示左側の周縁部 1 3 8 aが異方性 導電膜 1 3 2の外縁 1 3 2 bの位置を既定する基準として設定されている。 したが つて、 延長形成部 1 1 2 aの縁部と異方性導電膜 1 3 2の縁部とは設計上は周縁部 1 3 7 aと 1 3 8 aの間の幅 dだけ重なるように構成されている。この幅 dは、絶縁 膜 1 1 2の形成時のパターン精度と、 異方性導電膜 1 3 2の被着精度とを考慮して 設定されており、 ノ ターンずれや被着ずれが発生しても延長形成部 1 1 2 aと異方 性導電膜 1 3 2との間に隙間が生じないように設計されている。
図 6は別の^ Ϊ置決めマークの形成例を示すものである。 この図には位置決めマ一 ク 1 3 7 'が形成されていて、 この位置決めマーク 1 3 7 'の図示左側の周縁部 1 3 7 ' aが延長形成部 1 1 2 aの外縁 1 1 2 bの位置を既定し、図示右側の周縁部 1 3 7, bが異方性導電膜 1 3 2の外縁 1 3 2 bの位置を既定するように設計されてい る。
上記のようにして異方性導電膜 1 3 2が被着された後に、 この異方性導電膜 1 3 2の上から図 2に示す集積回路チップ 1 3 3が搭載され、 集積回路チップ 1 3 3の 複数のバンプ電極 1 3 3 aが異方性導電膜 1 3 2を介して張出領域 1 1 aの表面上 の配線 1 3 1の接続端子部に対応するように設定される。そして、図示しない熱圧着 装置によって、 集積回路チップ 1 3 3と張出領域 1 1 aとが相互に相手側に対して カロ圧され、同時に加熱される。加熱によって軟ィ匕した異方性導電膜 1 3 2の S 樹脂 は加圧力によって押しつぶされ、 基材樹脂中に分散されている導電性粒子が集積回 路チップ 1 3 1の端子部と配線 1 3 1の接続端子部とを導通させる。
なお、このような異方性導電膜を用いた導電接続構造及び熱圧着法は、図 8に示す ように配線 1 3 4に配線部材であるフレキシブル配線 ¾|反 1 3 6を導電接続する場 合や、上記の C O G構造の場合に限らず、配線 1 3 1に直接に配線部材を導電接続す る場合にも全く同様である。
上記第 1実施例では、 液晶封入領域内に形成した絶縁膜 1 1 2を張出領域 1 1 a 上に延長形成している、すなわち、液晶封入領域内の絶縁膜 1 1 2の部分と延長形成 部 1 1 2 aとが相互に繋がった状態に形成し、 これによつて絶縁膜による配線の電 食防止その他の保護状態を高めている、 しカ 、本発明においては、絶縁膜 1 1 2を 液晶封入領域内に形成された部分と、 張出領域 1 1 aの表面上の延長形成部 1 1 2 aとが相互に分離した状態で形成されていてもよい。
また、 上記第 1実施例では液晶装置の短絡不良を防止するためのォ一バーコ一ト 層としての絶縁膜 1 1 2を張出領域 1 1 aの表面上に形成しているが、 オーバ一コ —ト層でなく、 他の絶縁膜を張出領域 1 1 aの表面上に形成しても同様に効果的で ある。また、 上述の配向膜 1 1 3もまた絶縁性を有するので、上記延長形成部 1 1 2 aの代わりに配向膜 1 1 3を張出領域 1 1 aの表面上に形成してもよい。
さらに、上記第 1実施例では、張出領域 1 1 aの表面上であって延長形成部 1 1 2 aにて被覆されていない領域に形成されている配線 1 3 1 , 1 3 4のうち、保護する 必要のある配線 1 3 1のみを異方性導電膜 1 3 2によって完全に被覆されるように 構成してあるが、図 2に点線で示すように、異方性導電膜 1 3 2を配線 1 3 4につい ても完全に被覆するように被着しても構わなレ、。すなわち、図 8の異方性導電膜 1 3 5と異方性導電膜 1 3 2とが一体的に形成された状態を示すもので、 これにより異 方性導電膜によつて完全に被覆される。
尚、本発明の液晶装置は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、 本発明の 要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
(第 2実施例)
2一 1 液晶装置の例
図 7及び図 8は、 本発明に係る液晶装置の第 2実施例を示している。 こ の液晶装置 1は、 シール部材 1 3によって周囲が互いに接着された一対の 基板 1 1及び 1 2を有する。 これらの基板 1 1及び 1 2は、 例えば、 ガラ ス等といった材料や、 プラスチック等といった可撓性を有するフィルム材 料等によって形成された基板素材 1 1 a及び 1 2 aに各種の要素を形成す ることによって作られる。 これらの基板 1 1及び 1 2の間に形成される間隙、 いわゆるセルギヤッ ブは複数のスぺ一サ 1 5によってその寸法が均一な値、 例えば約 5〃 に 規制され、 シール部材 1 3によって囲まれたセルギヤヅプ内に液晶 1 4が 封入される。 図 7に符号 1 3 aで示すものがシール部材 1 3の一部分に形 成された液晶注入口であり、 液晶 1 4はこの液晶注入口 1 3 aを通してセ ルギャップ内に注入され、 その注入の完了後、 液晶注入口 1 3 aが樹脂等 によって封止される。
第 1基板 1 1の液晶側表面には第 1電極 1 1 1が形成され、 その上に絶 縁膜としてオーバ一コ一ト層 1 1 2が形成され、 さらにその上に配向膜 1 1 3が形成される。 また、 第 1基板 1 1に対向する第 2基板 1 2の液晶側 表面には第 2電極 1 2 1が形成され、 その上にオーバ一コ一十層 1 2 2が 形成され、 さらにその上に配向膜 1 2 3が形成される。 また、 各基板 1 1 及び 1 2の外側表面には、 それぞれ、 偏光板 2 3 a及び 2 3 bが貼着され る ο
第 1電極 1 1 1及び第 2電極 1 2 1は例えば I T 0 ( Indium Tin Oxide ) によって 5 0 0〜 1 5 0 0オングストロ一ム程度の厚さに形成され、 ォ— 一バーコート層 1 1 2及び 1 2 2は例えば酸化珪素や酸化チタン、 或いは これらの混合物等によって 6 0 0オングス トロ一ム程度の厚さに形成され 、 そして配向膜 1 1 3及び 1 2 3は例えばポリイ ミ ド系樹脂によって 3 0 0オングストロ一ム程度の厚さに形成される。
第 1電極 1 1 1は複数の直線パターンを互いに平行に配列することによ つて形成され、 一方、 第 2電極 1 2 1は上記第 1電極 1 1 1に直交するよ うに互いに平行に配列された複数の直線パターンによって形成される。 こ れらの電極 1 1 1 と電極 1 2 1 とがドッ トマトリクス状に交差する複数の 点が、 像を表示するための画素を形成する。
第 1基板 1 1は液晶 1 4が封入される液晶領域部分 Eの外側へ張り出す 、 すなわち他方の基板の外側へ張り出す張出し部 1 l aを有する。 第 1基板 1 1上の第 1電極 1 1 1はその基板張出し部 1 1 aへそのまま延び出して 配線形成されている。 また、 第 2基板 1 2上の第 2電極 1 2 1は、 シール 部材 2の内部に分散した導通材 2 0 (図 8 ) を介して第 1基板 1 1上の電 極と導通が図られ基板張出し部 1 1 aへ延び出て配線形成されている。 第 2実施例では、 第 1基板 1 1の張出し部 1 1 aに上記の両基板から導 通が図られて配線形成された各電極を配線部分 1 3 1 bとして示すことに する。 また、 第 1基板 1 1の張出し部 1 1 aの辺端部には、 外部回路 1 3 6との間で接続をとる入力端子 1 3 4が配線の一部として形成される。 なお、 図 7及びこれ以降に説明する図において、 各電極 1 1 1及び 1 2 1並びに配線部分 1 3 1 bは実際には極めて狭い間隔で多数本がそれぞれ の基板 1 1及び 1 2の断面を含む表面全域に形成されるが、 図 7等では構 造を分かり易く示すために実際の間隔よりも広い間隔でそれらの電極を模 式的に図示し、 さらに一部分の電極の図示は省略してある。 また、 液晶領 域部分 E内の電極 1 1 1及び 1 2 1は、 直線状に形成されることに限られ ず、 適宜のパターン状に形成されることもある。
また、 入力端子 1 3 4は実際には狭い一定間隔で基板 1 1の張出し部 H の辺端部に形成されるが、 図 7では構造を分かり易く示すために実際の間 隔よりも広い間隔でそれらを模式的に示し、 さらに一部分の端子の図示は 省略してある。
基板張出し部 1 l aの適所には、 導電接着剤としての A C F (Anisotrop ic conductive Fi lm ) 1 3 2によって液晶駆動用 I C 1 3 3接着すなわち 実装される。 この A C F 1 3 2は、 周知の通り、 一対の端子間を異方性を 持たせて電気的に一括接続するために用いられる導電性のある高分子フィ ルムであって、 例えば熱可塑性又は熱硬化性の樹脂フイルム 1 3 2 aの中 に多数の導電粒子 1 3 2 bを分散させることによって形成される。 この A C F 1 3 2を挟んで基板張出し部 1 1 1 aと液晶駆動用 I C 1 3 3とを熱 圧着することにより、 液晶駆動用 I C 1 3 3のバンプ 1 3 3 aと配線部分 1 3 1 bとの間及びバンプ 1 3 3 aと入力端子 1 3 4との間において単一 方向の導電性を持つ接続を実現する。 液晶駆動用 I C 1 3 3によって、 第 1電極 1 1 1又は第 2電極 1 2 1の いずれか一方に行ごとに走査電圧を印加し、 さらにそれらの電極の他方に 対して表示画像に基づくデ一夕電圧を画素ごとに印加することにより、 選 択された各画素部分を通過する光を変調し、 もって基板 1 1又は 1 2の外 側に文字、 数字等といった像を表示する。
図 9 ( a ) は、 一方の基板 1 1を構成する基板素材 1 1 aの表面に電極 1 1 1、 配線部分 1 3 1 b及び入力端子 1 3 4を形成した状態を示してい る。 ここに示す基板 1 1の仕掛品に関して、 その基板張出し部 1 1 aの表 面には、 図 1 0に示すように配線部分 1 3 l bの全てを被覆するように絶 縁層 1 1 0が形成される。 この絶縁層 1 1 0は、 第 1基板 1 1の液晶領域 部分 Eにおいてオーバ一コート層 1 1 2を形成する際に同時に形成される 第 1絶縁層 1 1 2と、 液晶領域部分 Eにおいて配向膜 1 1 3を形成する際 に同時に形成される第 2絶縁層 1 1 3とによって形成される。 このように 絶縁層 1 1 2によって基板張出し部 1 a上の配線部 1 3 1が外部へ露出す るのを防止することにより、 その配線部 1 3 1に電食が発生することを防 止する。 また、 同様に図 9 ( b ) は、 他方の基板 1 2を構成する基板素 材 1 2 aの表面に電極 1 2 1を形成した状態を示している。 ここに示す基 板 1 2においては、 一方の基板 1 1 と重なる領域である液晶領域部分 Eに 形成された電極 1 2 1を被覆するようにオーバ一コート層 1 2 2が形成さ れる。
一般に、 オーバ一コート層 1 1 2, 1 2 2は酸化珪素や酸化チタン等と いった配向膜 1 1 3, 1 2 3を構成するポリイ ミ ドより硬い材料によって 形成されることが多く、 これは配向膜 1 1 3 , 1 2 3に対して行われるラ ビング処理時における外力によって削り取られる場合がある。 このため、 基板張出し部 1 1 aにおいてオーバ一コート層 1 1 2と同質な第 1絶縁層 1 1 2が第 2絶縁層 1 1 3によって被覆されていない部分が残っていると 、 ラビング処理の際にその第 1絶縁層 1 1 2が削り取られ、 その削り屑が 液晶領域部分 E内の配向膜 1 1 3にスジ状に付着して汚れとなったり不必 要な傷を付け、 この結果、 液晶表示品質が低下するおそれがある。
このことに関し、 本実施形態では、 オーバ一コート層 1 1 2と同質な第 1絶縁層 1 1 2は配向膜 1 1 3と同質な第 2絶縁層 1 1 3によってその表 面全部が覆われている。 特に、 図 2に示すように、 第 1絶縁層 1 1 2の端 辺部も第 2絶縁層 1 1 3が下方 (断面) へ回り込むことによって完全に覆 われて包み込まれている。 このように第 1絶縁層 1 1 2の表面全部を第 2 絶縁層 1 1 3によって完全に覆うことにより、 ラビング処理時における第 1絶縁層 1 1 2の損傷を確実に防止でき、 それ故、 液晶表示品質の低下を 確実に防止できる。
なお、 第 1基板 1 1 と第 2基板 1 2とを接合するためのシール部材 1 3 は、 例えば図 1 1に示すように、 第 1基板 1 1においてオーバ一コート層 1 1 2及び配向膜 1 1 3を取り囲むと共に、 それらと絶縁層 1 1 0とを区 分けするようにスクリーン印刷等によって形成される。
以上のように、 本実施形態によれば、 第 1基板 1 1の液晶領域部分 Eに 形成する絶縁層、 すなわちオーバーコート層 1 1 2及び配向膜 1 1 3を利 用して基板 1 1の張出し部 1 1 aにも絶縁層 1 1 0を形成するので、 液晶 パネルが形成された後に基板張出し部 1 l aの全域を S i (シリコン) 等 といったモールド材によって被覆する場合に比べて、 基板張出し部 1 l a に存在する配線部分 1 3 1をより確実に外部から遮蔽でき、 よって、 配線 部分 1 3 1の電食をより一層確実に防止できる。
また、 第 1絶縁層 1 1 2の表面全部を第 2絶縁層 1 1 3によって完全に 覆うことにより、 ラビング処理時における第 1絶縁層 1 1 2の損傷を確実 に防止して、 液晶表示品質の低下を確実に防止できる。
図 1 2は、 図 7に示した液晶装置 1を製造するための液晶装置の製造方 法の一実施例を示している。 この製造方法において、 第 1基板 1 1は工程 P 1〜工程 P 4を経て、 図 9 ( a ) に示すように形成される。 具体的には 、 ガラス、 プラスチック等から成る基板素材 1 1 aに第 1電極 1 1 1及び 配線 1 3 1並びに配線の一部である入力端子 1 3 4を I T Oを材料として 周知のパ夕一ニング法、 例えばフォ ト リソグラフィ一法を用いて形成する (工程 P 1 ) 。
次に、 図 1 0に示すように、 液晶領域部分 Eにおいて第 1電極 1 1 1の 上に例えばオフセッ ト印刷によってオーバ一コート層 1 1 2を形成し、 同 時に張出し部 1 1 aにおいて入力端子 1 3 4の領域及び I C実装領域 Jを 除いて絶縁層 1 1 0の第 1絶縁層 1 1 2を形成する (工程 P 2 ) 。 そして さらに、 ォ一バーコ一ト層 1 1 2の上に例えばオフセッ ト印刷によって配 向膜 1 1 3を形成し、 同時に絶縁層の第 1絶縁層 1 1 2の上に第 2絶縁層 1 1 3を形成する (工程 P 3 ) 。 この場合、 第 2絶縁層 1 1 3は第 1絶縁 層 1 1 2の表面全部をその端辺部も含めて完全に覆うように形成される。 次に、 図 1 1に示すように、 基板素材 1 1 aの周辺部に例えばスクリ一 ン印刷によってシール部材 1 3を形成して液晶領域部分 Eを区画形成する 。 なお、 符号 1 3 aはシール部材 1 3の一部分に形成された液晶注入口を 示している。
他方、 第 2基板 1 2に関しては、 図 9 ( b ) に示すようにガラス、 ブラ スチック等から成る基板素材 1 2 aに I T Oを材料として第 2電極 1 2 1 を周知のパターニング法、 例えばフォ トリソグラフィ一法を用いて形成し (図 6の工程 P 5 ) 、 次にその上に例えばオフセッ ト印刷によってオーバ —コート層 1 2 2を形成し (工程 P 6 ) 、 次にその上に例えばオフセッ ト 印刷によって配向膜 1 2 3を形成し、 これにより第 2基板 1 2が形成され る
なお、 以上のようにして形成される第 1基板 1 1及び第 2基板 1 2は、 一般的には、 それぞれが大面積の基板母材上に複数個分が同時に形成され る。 そして、 それらの基板母材の状態において第 1基板 1 1 と第 2基板 1 2とがァライメン卜すなわち位置合わせされた状態で互いに貼り合わされ て、 シール部材 1 3 (図 7参照) によって互いに接合される (工程 P 8 ) 次に、 大面積の基板母材を 1次ブレイクしてシール部材 1 3の一部に形 成されている液晶注入口 1 3 a (図 7参照) を外部へ露出させ (工程 P 9 ) 、 さらにその液晶注入口 1 3 aを通して液晶領域部分 Eの中に液晶を注 入し、 その注入の完了後に液晶注入口 1 3 aを樹脂によって封止する (ェ 程 P 1 0 ) 。 その後、 2次ブレイクを行うことにより、 図 7に示す液晶装 置 1であって液晶駆動用 I C 1 3 3が実装されていないものが形成される (工程 P 1 1 ) 。
次に、 I C実装領域 Jに A C F 1 3 2 (図 7参照) を貼着し、 さらにそ の上に液晶駆動用 I C 1 3 3をァライメントした状態で仮実装し、 さらに 加圧及び加熱することにより熱圧着し、 これにより液晶駆動用 I C 1 3 3 を基板 1 1上の所定位置に実装する (工程 P 1 2 ) 。 さらに各基板 1 1及 び 1 2の外側表面に偏光板 2 3 a及び 2 3 bを貼着し (工程 P' l 3 ) 、 こ れにより図 7に示す液晶装置 1が完成する。 入力端子 1 3 4には、 その後 の適宜のタイ ミングにおいて外部配線基板 1 3 6が接続される。
2 - 2 電子機器の例
図 1 3は、 本発明に係る電子機器の一実施形態である携帯電話機を示し ている。 ここに示す携帯電話機 3 0は、 アンテナ 3 1、 スピーカ 3 2、 液 晶装置 4 0、 キースィ ッチ 3 3、 マイクロホン 3 4等といった各種構成要 素を、 筐体としての外装ケース 3 6に格納することによって構成される。 また、 外装ケース 3 6の内部には、 上記の各構成要素の動作を制御するた めの制御回路を搭載した制御回路基板 3 7が設けられる。 液晶装置 4 0は 図 1に示した液晶装置 1を用いることができる。
この携帯電話機 3 0では、 キ一スィツチ 3 3及びマイクロホン 3 4を通 して入力される信号や、 アンテナ 3 1によって受信した受信データ等が制 御回路基板 3 7上の制御回路へ入力される。 そしてその制御回路は、 入力 した各種デ一夕に基づいて液晶装置 4 0の表示面内に数字、 文字、 絵柄等 といった像を表示し、 さらにアンテナ 3 1から送信データを送信する。 2 - 3 応用例
以上、 好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、 本発明はその実 施形態に限定されるものでなく、 請求の範囲に記載した発明の範囲内で種 々に改変できる。
例えば、 図 7に示す液晶装置は C〇G (Chip On Glass) 方式の液晶装置 、 すなわち基板上に液晶駆動用 I Cを直接に実装する構造の液晶装置であ るが、 本発明は液晶駆動用 I Cを基板上に直接に実装する方式ではない液 晶装置に対しても適用できる。 また、 図 7では単純マトリクス方式の液晶 装置を考えたが、 これに代えてアクティブマトリクス方式の液晶装置を用 いることもできる。
また、 図 7の実施形態では基板 1 1及び 1 2の一方だけに液晶駆動用 I Cを実装する構造、 すなわち配線部分 1 3 1 aが 1つの基板だけに形成さ れる構造の液晶装置に対して本発明を適用したが、 本発明はこれ以外の構 造の液晶装置、 例えば基板 1 1, 1 2の両方に液晶駆動用 I Cが実装ざれ る構造の液晶装置にも適用できる。
また、 図 1 3の実施形態では、 電子機器としての携帯電話機に本発明の 液晶装置を用いる場合を例示したが、 本発明の液晶装置はそれ以外の任意 の電子機器、 例えば携帯情報端末機、 電子手帳、 ビデオカメラのファイン ダ一等に適用することもできる。
(第 3実施例)
3 - 1 液晶装置の例
図 1 4及び図 1 5は、 本発明に係る液晶装置の第 3実施例を示している。 この液晶装置 1は、 シール部材 1 3によって周囲が互いに接着された一対 の基板 1 1及び 1 2を有する。 このシール部材 1 3は印刷等の方法によつ て形成されている。 これらの基板 1 1及び 1 2は、 例えば、 ガラス等とい つた材料や、 プラスチック等といった可撓性を有するフィルム材料等によ つて形成された基板素材 1 1 a及び 1 2 aに各種の要素を形成することに よって作られる。
これらの基板 1 1及び 1 2の間に形成される間隙、 いわゆるセルギヤヅ プは複数のスぺ一サ 1 5によってその寸法が均一な値、 例えば約 5 z mに 規制され、 そのセルギャップ内のシール部材 1 3によって囲まれた領域に 液晶 1 4が封入される。 図 1 4に符号 1 3 aで示すものがシール部材 1 3 の一部分に形成された液晶注入口であり、 液晶 1 4はこの液晶注入口 1 3 aを通してセルギャップ内に注入され、 その注入の完了後、 液晶注入口 1 3 aが樹脂等によって封止される。
第 1基板 1 1の液晶側表面 (第 2基板 1 2との対向面) には第 1電極 1 1 1が形成され、 その上にオーバ一コート層 1 1 2が形成され、 さらにそ の上に配向膜 1 1 3が形成される。 また、 第 1基板 1 1 .に対向する第 2基 板 1 2の液晶側表面 (第 1基板 1 1 との対向面) には第 2電極 1 2 1が形 成され、 その上にオーバ一コート層 1 2 2が形成され、 さらにその上に配 向膜 1 2 3が形成される。 また、 各基板 1 1及び 1 2の外側表面には、 そ れそれ、 偏光板 2 3 a及び 2 3 bが貼着される。
第 1電極 1 1 1及び第 2電極 1 2 1は例えば I T 0 ( Indium Tin Oxide ) 等の透明電極によって 5 0 0〜 1 5 0 0オングストローム程度の厚さに 形成され、 オーバ一コート層 1 1 2及び 1 2 2は例えば酸化珪素、 酸化チ 夕ン又はそれらの混合物等によって 6 0 0オングス トロ一ム程度の厚さに 形成され、 そして配向膜 1 1 3及び 1 2 3は例えばポリイ ミ ド系樹脂によ つて 3 0 0オングストローム程度の厚さに形成される。
第 1電極 1 1 1は複数の直線パターンを互いに平行に配列することによ つて形成され、 一方、 第 2電極 1 2 1は互いに平行に配列され上記第 1電 極 1 1 1に直交するような領域を構成するように複数の直線パターンによ つて形成される。 これらの電極 1 1 1 と電極 1 2 1 とがドッ トマト リクス 状に交差する複数の点が、 像を表示するための画素を形成する。
第 1基板 1 1は液晶 1 4が封入される液晶領域部分 E及びその液晶領域 部分 Eの外側へ張り出す張出し部 1 1 aを有する。 すなわち、 第 1基板 1 1は第 2基板 1 2の端面より張出し、 第 1基板 1 1上の第 1電極 1 1 1は その基板張出し部 1 1 aへそのまま延び出て配線形成されている。 また、 第 2基板 1 2上の第 2電極 12 1は、 シール部材 13の内部に分散した導 通材 20 (図 15参照) を介して第 1基板 1 1上の電極との導通が図られ 、 基板張出し部 1 1 aへ延び出て配線形成されている。
本実施例では、 第 1基板 1 1の張出し部 1 1 aに上記の両基板の対向面 に形成された各電極 1 1 1 , 12 1から導通が図られて配線形成された各 電極を配線部分 1 3 1 bとして示すことにする。 また、 第 1基板 1 1の張 出し部 1 l aの辺端部には、 外部回路との間で接続をとるための入力端子 134が形成される。
なお、 図 14及びこれ以降に説明する図において、 各電極 1 1 1及び 1 21並びに配線部分 13 1 bは実際には極めて狭い間隔で多数本がそれぞ れの基板 1 1及び 12の表面全域に形成されるが、 図 14等では構造を分 かり易く示すために実際の間隔よりも広い間隔でそれらの電極を模式的に 図示し、 さらに一部分の電極の図示は省略してある。 また、 液晶領域部分 E内の電極 1 1 1及び 12 1は、 直線状に形成されることに限ちれず、 適 宜のパターン状に形成されることもある。
また、 入力端子 134は実際には狭い一定間隔で基板 1 1の張出し部 1 1 aの辺端部に形成されるが、 図 14では構造を分かり易く示すために実 際の間隔よりも広い間隔でそれらを模式的に示し、 さらに一部分の端子の 図示は省略してある。
基板張出し部 1 l aの適所には、 導電接着剤としての ACF (Anisotrop ic conductive Film ) 132によって液晶駆動用 I C 133が接着すなわ ち実装される。 この ACF 132は、 周知の通り、 一対の端子間を異方性 を持たせて電気的に一括接続するために用いられる導電性のある高分子フ イルムであって、 例えば熱可塑性又は熱硬化性の樹脂フィルム 132 aの 中に多数の導電粒子 132 bを分散させることによって形成される。 この ACF 132を基板張出し部 1 aの I C装着領域 Jと液晶駆動用 I C 13 3との間に挟んで熱圧着することにより、 液晶駆動用 I C 133のバンプ 133 aと配線部分 13 1 bとの間及びバンプ 133 aと入力端子 134 との間において単一方向の導電性を持つ接続を実現する。
熱圧着における加熱と加圧は、 図示しない加圧 (圧着) ツールによって 行われ、 液晶駆動用 I C 1 3 3の上方から加圧 (圧着) ツールが当接され て加熱と同時に加圧が成される。 また、 加熱においては、 液晶駆動用 I C が搭載される面とは反対側の基板張出し部 Hの下方にも加熱ヒータが配置 されることもある。
実装された液晶駆動用 I C 1 3 3によって、 第 1電極 1 1 1又は第 2電 極 1 2 2のいずれか一方に行ごとに走査電圧を印加し、 さらにそれらの電 極の他方に対しては表示画像に基づくデータ電圧を画素ごとに印加するこ とにより、 選択された各画素部分を通過する光を変調し、 もって基板 1 1 又は 1 2の外側に文字、 数字等といった像を表示する。
図 1 6 ( a ) は、 一方の基板 1 1を構成する基板素材 1 1 aの表面に電 極 1 1 1、 配線部分 1 3 1及び入力端子 1 3 4を形成した状態を示してい る。 また、 図 1 6 ( b ) は、 他方の基板 1 2を構成する基板素材 1 2 aの 表面に電極 1 2 1を形成した状態を示している。 符号 Aが基板導通部を示 しており、 基板 1 1ともう一方の基板 1 2とを接合させたときに、 この基 板導通部 Aにおいて、 配線部分 1 3 1ともう一方の基板 1 2 aに形成した 電極 1 2 1との間の導電接続を達成する。
図 1 6に示す基板 1 1の仕掛品に関して、 その基板張出し部 1 1 aの表 面には、 図 1 7に示すように配線部分 1 3 1 bの全てを被覆するように絶 縁層 1 1 0が形成される。 この絶縁層 1 1 0は、 第 1基板 1 1の液晶領域 部分 Eにおいてオーバ一コート層 1 1 2を形成する際に同時に形成される 第 1絶縁層 1 1 2と、 液晶領域部分 Eにおいて配向膜 1 1 3を形成する際 に同時に形成される第 2絶縁層 1 1 1 3とによって形成される。 このよう に絶縁層 1 1 0によって基板張出し部 1 1 a上の配線部 1 3 1が外部へ露 出するのを防止することにより、 その配線部 1 3 1に電食が発生すること を防止する。
また、 他方の基板 1 2に関しては、 相手側の基板 1 1と重なる領域であ る液晶領域部分 Eに形成された電極 1 2 1を被覆するようにオーバ一コ一 ト層 1 2 2が形成される。
オーバ一コート層 1 2 2、 配向膜 1 2 3及び絶縁層 1 1 0は、 基板 1 1 の表面の広い面積にわたって形成されるが、 少なくとも基板導通部 Aの所 には形成されていない。 第 1基板 1 1と第 2基板 1 2とを接合するための シール部材 1 3は、 例えば図 1 8に示すように、 第 1基板 1 1においてォ 一バーコート層 1 1 2及び配向膜 1 1 3を取り囲むと共に、 それらと基板 張出し部 1 1 aの絶縁層 1 1 0とを区分けするように、 そして基板導通部 Aを通過するようにスクリーン印刷等によって形成される。 シール部材 1 3の内部には導通材 2 0 (図 1 5参照) が分散されているので、 そのシ一 ル部材 1 3を基板導通部 Aに通すことにより、 配線部分 1 3 1の液晶領域 部分 E側の先端端子部分に導通材 2 0を配置することができる。
シール部材 1 3によって基板 1 1と基板 1 2とを接合するとき、 上記導 通材 2 0は基板 1 2上の電極 1 2 1と基板 1 1の張出し部 1 1 aの配線部 分 1 3 1との間に介在してそれらを導電接続するが、 本実施形態では基板 導通部 Aに絶縁層 1 1 0を形成しないようにしたので、 導通材 2 0による 導電性能が絶縁層 1 1 0の存在によって低下するという問題が解消される 以上のように、 第 3実施例によれば、 第 1基板 1 1の液晶領域部分 Eに 形成する絶縁層、 すなわちオーバ一コート層 1 1 2及び配向膜 1 2 2を利 用して基板 1 1の張出し部 1 1 aも絶縁層 1 1 0を形成するので、 液晶パ ネルが形成された後に基板張出し部 1 1 aの全域をシリコーン等といった モールド材によって被覆する場合に比べて、 基板張出し部 1 l aに存在す る配線部分 1 3 1をより確実に外部から遮蔽でき、 よって、 配線部分 1 3 1の電食をより一層確実に防止できる。
しかも本実施形態では、 基板張出し部 1 l aの表面に絶縁層 1 1 0を形 成する場合でも、 基板導通部 Aにはその絶縁層 1 1 0を形成しないように したので、 導通材 2 0による対向電極間の導電性が低下する心配はない。 図 1 9は、 図 1 4に示した液晶装置 1を製造するための液晶装置の製造 方法の一実施形態を示している。 この製造方法において、 第 1基板 1 1は 工程 P 1〜工程 P 4を経て、 図 1 6 ( a ) に示すように形成される。 具体 的には、 ガラス、 プラスチック等から成る基板素材 1 1 aに第 1電極 1 1 1及び配線部分 1 3 1並びに入力端子 1 3 4を I T Oを材料として周知の パ夕一ニング法、 例.えばフォトリソグラフィ一法を用いて形成する (工程 P 1 )
次に、 図 1 7に示すように、 液晶領域部分 Eにおいて第 1電極 1 1 1の 上に例えばオフセッ ト印刷によってォ一バーコ一ト層 1 1 2を形成し、 同 時に張出し部 1 1 aにおいて入力端子 1 3 4の領域、 I C実装領域 J及び 基板導通部 Aを除いて絶縁層 1 1 0の第 1絶縁層 1 1 2を形成する (工程 P 2 ) 。 そしてさらに、 オーバ一コート層 1 1 2の上に例えばオフセッ ト 印刷によって配向膜 1 1 3を形成し、 同時に絶縁層の第 1絶縁層 1 1 2の 上に第 2絶縁層 1 1 3を形成する (工程 P 3 ) 。 第 2絶縁層 1 1 3も第 1 絶縁層 1 1 2と同様に、 入力端子 1 3 4の領域、 I C実装領域 J及び基板 導通部 Aを除いて形成される。
次に、 図 1 8に示すように、 液晶注入口 1 3 aを備えたシール部材 1 3 を基板素材 1 1 aの周辺部に例えばスクリーン印刷によって形成して、 液 晶領域部分 Eを区画形成する。 このとき、 シール部材 1 3の内部に分散さ れた導通材 2 0が基板導通部 A内の電極上に配置される。
他方、 第 2基板 1 2に関しては、 図 1 6 ( b ) に示すようにガラス、 プ ラスチック等から成る基板素材 1 2 aに I T 0を材料として第 2電極 1 2 1を周知のパ夕一ニング法、 例えばフォトリソグラフィ一法を用いて形成 し (図 1 9の工程 P 5 ) 、 次にその上に例えばオフセッ ト印刷によってォ —バーコ一ト層 1 2 2を形成し (工程 P 6 ) 、 次にその上に例えばオフセ ッ ト印刷によって配向膜 1 2 3を形成し、 これにより第 2基板 1 2が形成 される。
なお、 以上のようにして形成される第 1基板 1 1及び第 2基板 1 2は、 一般的には、 それぞれが大面積の基板母材 (いわゆる、 マザ一ガラス基板 ) 上に複数個分が同時に形成される。 そして、 それらの基板母材の状態に おいて第 1基板 1 1と第 2基板 1 2とがァラィメントすなわち位置合わせ された状態で互いに貼り合わされて、 シール部材 1 3 (図 1 4参照) によ つて互いに接合される (工程 P 8 ) o
次に、 大面積の基板母材を 1次ブレイクしてシール部材 1 3の一部に形 成されている液晶注入口 1 3 a (図 1 4参照) を外部へ露出させ (工程 9 ) 、 さらにその液晶注入口 1 3 aを通して液晶領域部分 Eの中に液晶を 注入し、 その注入の完了後に液晶注入口 1 3 aを樹脂によって封止する. ( 工程 P 1 0 ) 。 その後、 2次ブレイクを行うことにより、 図 1 4示す液晶 装置 1であって液晶駆動用 I C 1 3 3が実装されていないものが形成され る (工程 P 1 1 ) 。
次に、 I C実装領域 Jに A C F 1 3 2 (図 1参照) を貼着し、 さらにそ の上に液晶駆動用 I C 1 3 3をァライメントした状態で仮実装し、 ざらに 加圧及び加熱することにより熱圧着し、 これにより液晶駆動用 I C 1 3 3 を基板 1 1上の所定位置に実装する (工程 P 1 2 ) 。 さらに各基板 1 1及 び 1 2の外側表面に偏光板 2 3 a及び 2 3 bを貼着し (工程 P 1 3 ) 、 こ れにより図 1 4示す液晶装置 1が完成する。 入力端子 1 3 4には、 その後 の適宜のタイミングにおいて外部配線基板 1 3 6が接続される。
3 - 2 電子機器の例
図 1 3は、 本発明に係る電子機器の一実施例である携帯電話機を示して いる。 主要部分が第 2実施例の電子機器と同じなので図面は第 2実施例と 共通のものを用いる。 ここに示す携帯電話機 3 0は、 アンテナ 3 1、 スピ —力 3 2、 液晶装置 4 0、 キ一スィッチ 3 3、 マイクロホン 3 4等といつ た各種構成要素を、 筐体としての外装ケース 3 6に格納することによって 構成される。 また、 外装ケース 3 6の内部には、 上記の各構成要素の動作 を制御するための制御回路を搭載した制御回路基板 3 7が設けられる。 液 晶装置 4 0は図 1に示した液晶装置 1を用いて構成できる。 この携帯電話機 3 0では、 キ一スィツチ 3 3及びマイクロホン 3 4を通 して入力される信号や、 アンテナ 3 1によって受信した受信データ等が制 御回路基板 3 7上の制御回路へ入力される。 そしてその制御回路は、 入力 した各種データに基づいて液晶装置 4 0の表示面内に数字、 文字、 絵柄等 といった像を表示し、 さらにアンテナ 3 1から送信デ一夕を送信する。 3 - 3 応用例
以上、 好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、 本発明はその実 施形態に限定されるものでなく、 請求の範囲に記載した発明の範囲内で種 々に改変できる。
例えば、 図 1 4に示す液晶装置は C O G (Chip On Glass) 方式の液晶装 置、 すなわち基板上に液晶駆動用 I Cを直接に実装する構造の液晶装置で あるが、 本発明は液晶駆動用 I Cを基板上に直接に実装する方式ではない 液晶装置に対しても適用できる。 また、 図 1では単純マトリクス方式の液 晶装置を考えたが、 これに代えてァクティブマトリクス方式の液晶装置を 用いることもできる。
また、 図 1の実施形態では基板 1 1及び 1 2の一方だけに液晶駆動用 I Cを実装する構造、 すなわち配線部分 1 3 1が 1つの基板だけに形成され る構造の液晶装置に対して本発明を適用したが、 本発明はこれ以外の構造 の液晶装置、 例えば基板 1 1, 1 2の両方に液晶駆動用 I Cが実装される 構造の液晶装置にも適用できる。
また、 図 1 3の実施例では、 電子機器としての携帯電話機に本発明の液 晶装置を用い.る場合を例示したが、 本発明の液晶装置はそれ以外の任意の 電子機器、 例えば携帯情報端末機、 電子手帳、 ビデオカメラのファインダ 一等に適用することもできる。
(第 4の!^例)
4 - 1 液晶装置の例
図 2 0及び図 2 1は、 本発明の第 4実施例に係る第液晶装置を示してい る。 この液晶装置 1は、 シール部材 1 3によって周囲が互いに接着された —対の基板 1 1及び 1 2を有する。 シール部材 1 3は印刷等の方法によつ て形成されている。 これらの基板 1 1及び 1 2は、 例えば、 ガラス等とい つた硬質な透明材料や、 プラスチック等といつた可撓性を有する透明材料 等によって形成された基板素材 1 1 a及び 1 2 aに各種の要素を形成する ことによって作られる。
これらの基板 1 1及び 1 2の間に形成される間隙、 いわゆるセルギヤヅ ブは複数のスぺ一サ 1 5によってその寸法が均一な値、 例えば約 5 に 規制され、 そのセルギャップ内のシール部材 1 3によって囲まれた領域に 液晶 1 4が封入されて封止される。
第 1基板 1 1の液晶側表面には第 1電極 1 1 1が形成され、 その上にォ —バーコ一ト層 1 1 2が形成され、 さらにその上に配向膜 1 1 3が形成ざ れる。 また、 第 1基板 1 1に対向する第 2基板 1 2の液晶側表面には第 2 電極 1 2 1が形成され、 その上にオーバ一コート層 1 2 2が形成され、 さ らにその上に配向膜 1 2 3が形成される。 また、 各基板 1 1及び 1 2の外 側表面には、 それそれ、 偏光板 2 3 a及び 2 3 bが貼着される。
第 1電極 1 1 1及び第 2電極 1 2 1は例えば I T 0 ( Indium Tin Oxide ) によって 5 0 0〜 1 5 0 0オングストロ一ム程度の厚さに形成され、 ォ 一バー 'コート層 1 1 2及び 1 2 2は例えば酸化珪素や酸化チタン、 或いは これらの混合物等によって 6 0 0オングストローム程度の厚さに形成され 、 そして配向膜 1 1 3は例えばポリイミ ド系樹脂によって 3 0 0オングス トローム程度の厚さに形成される。
第 1電極 1 1 1は複数の直線パターンを互いに平行に配列することによ つて形成され、 一方、 第 2電極 1 2 1は上記第 1電極 1 1 1に直交するよ うに互いに平行に配列された複数の直線パターンによって形成される。 こ れらの電極 1 1 1と電極 1 2 1とがドットマトリクス状に交差する複数の 点が、 像を表示するための画素を形成する。
第 1基板 1 1は液晶 1 4が封入される液晶領域部分 Eとその液晶領域部 分 Eの外側へ張り出す張出し部 1 1 aを有する。 第 1基板 1 1上の第 1電 極 1 1 1はその基板張出し部 1 1 aへ直接に延び出て配線形成されている 。 また、 第 2基板 1 2上の第 2電極 1 2 1は、 シール部材 1 3の内部に分 散した導通材 2 0 (図 2 1 ) を介して第 1基板 1 1上の電極と導通が図ら れ基板張出し部 1 1 aへ延び出て配線形成されている。 本実施例では、 第 1基板 1 1の張出し部 1 1 aに上記の両基板から導通が図られて配線形成 された各電極を電極延在部分 1 3 1として示すことにする。 また、 第 1基 板 1 1の張出し部 1 1 aの辺端部には、 外部回路との間で接続をとるため の入力端子 1 3 4が形成される。 なお、 図 2 1は図 2 0の II一 II線に従つ た断面図であり、 図 2 1において入力端子 1 3 4の上に描かれた絶縁層 1 1 0は、 入力端子 1 3 4が形成される領域の奥側に形成される絶縁層を示 しており、 後述の.通り、 入力端子 1 3 4の上には絶縁層 1 1 0は形成され- ない。
なお、 図 2 0及びこれ以降に説明する図において、 各電極 1 1 1及び 1 2 1並びに配線 1 3 1は実際には極めて狭い間隔で多数本がそれぞれの基 板 1 1及び 1 2の表面全域に形成されるが、 図 2 0等では構造を分かり易 く示すために実際の間隔よりも広い間隔でそれらの電極を模式的に図示し 、 さらに一部分の電極の図示は省略してある。 また、 液晶領域部分 E内の 電極 1 1 1及び 1 2 1は、 直線状に形成されることに限られず、 適宜のパ ターン状に形成されることもある。 また、 入力端子 1 3 4は実際には狭い 一定間隔で基板 1 1の張出し部 1 1 aの辺端部に形成されるが、 図 2 0で は構造を分かり易く示すために実際の間隔よりも広い間隔でそれらを模式 的に示し、 さらに一部分の端子の図示は省略してある。
第 1基板 1 1の張出し部 1 1 aには、 点灯検査を行う際にプローブ等と いった通電器具を接触させる領域である点灯検査領域 Tと、 液晶駆動用 I C 1 3 3を接着すなわち実装するための領域である I C実装領域 Jと、 そ して外部配線基板 1 3 6を接続するための領域である入力端子領域 Nとい つた各領域が含まれる。 張出し部 1 1 a上の点灯検査領域 Tは、 第 1基板 1 1の張出しによって第 2基板 1 2との間に生じる段差に隣接した箇所、 すなわちシール部材と I C実装領域との間に設けられている。 そして、 基 板張出し部 1 1 aのうち、 それら点灯検査領域 T、 I C実装領域 J及び入 力端子領域 Nを除いた領域に絶縁層 1 1 0が形成されている。
この絶縁層 1 1 0は、 第 1基板 1 1の液晶領域部分 Eにおいてオーバ一 コート層 1 1 2を形成する際に同時に形成される第 1層 1 1 2と、 液晶領 域部分 Eにおいて配向膜 1 1 3を形成する際に同時に形成される第 2層 1 1 3とによって形成される。 この絶縁層 1 1 0により基板張出し部 1 1 a 上の配線部 1 3 1が外部に露出することを防止して、 その電極延在部 1 3 1に電食が発生することを防止する。
点灯検査領域 Tは、 該領域において外部に露出する電極延在部分 1 3' 1 に所定の駆動電流を通電することにより、 液晶領域部分 E内の画素を試験 的に点灯させて液晶装置の表示品質の良否を検査するための領域である。 このような点灯検査が終了して点灯状態が良品であると判断された場合、 液晶駆動用 I Cが基板張出し部 1 1 aにおいて熱圧着がなされる。
液晶駆動用 I C 1 3 3の熱圧着工程は、 導電接着剤としての A C F (Ani sotropic Conductive Fi lm:異方性導電接着剤) 1 3 2によって液晶駆動 用 I C 1 3 3を基板張出し部 1 1 aに接着すなわち実装することによって 行われる。 この A C F 1 3 2は、 周知の通り、 一対の端子間を電気的に一 括接続するために用いられる導電性のある高分子フィルムであって、 例え ば、 熱可塑性又は熱硬化性の樹脂フィルム 1 3 2 aの中に多数の導電粒子 1 3 2 bを分散させることによって形成される。 この A C F 1 3 2を基板 張出し部 1 1 aの I C装着領域 Jと液晶駆動用 I C 1 3 3との間に挟んで 熱圧着することにより、 液晶駆動用 I C 1 3 3のバンプ 1 3 3 aと配線部 1 3 1との間及びバンプ 1 3 1 aと入力端子 1 3 4との間において単一方 向の導電性を持つ接続を実現する。 熱圧着における加熱と加圧は、 図示し ない加圧 (圧着) ツールによって行われ、 液晶駆動用 I C 1 3 3の上方か ら加圧 (圧着) ツールが当接されて加熱と同時に加圧がされる。 また、 加 34
1 1の張出しによって第 2基板 1 2との間に生じる段差に隣接した箇所、 すなわちシール部材と I C実装領域との間に設けられている。 そして、 基 板張出し部 1 1 aのうち、 それら点灯検査領域 T、 I C実装領域 J及び入 力端子領域 Nを除いた領域に絶縁層 1 1 0が形成されている。
この絶縁層 1 1 0は、 第 1基板 1 1の液晶領域部分 Eにおいてオーバ一 コート層 1 1 2を形成する際に同時に形成される第 1層 1 1 2と、 液晶領 域部分 Eにおいて配向膜 1 1 3を形成する際に同時に形成される第 2層 1 1 3とによって形成される。 この絶縁層 1 1 0により基板張出し部 1 1 a 上の配線部 1 3 1が外部に露出することを防止して、 その電極延在部 1 3 1に電食が発生することを防止する。
点灯検査領域 Tは、 該領域において外部に露出する電極延在部分 1 3' 1 · に所定の駆動電流を通電することにより、 液晶領域部分 Ε内の画素を試験 的に点灯させて液晶装置の表示品質の良否を検査するための領域である。 このような点灯検査が終了して点灯状態が良品であると判断された場合、 液晶駆動用 I Cが基板張出し部 1 1 aにおいて熱圧着がなされる。
液晶駆動用 I C 1 3 3の熱圧着工程は、 導電接着剤としての A C F (Ani sotropi c Conductive F i lm:異方性導電接着剤) 1 3 2によって液晶駆動 用 I C 1 3 3を基板張出し部 1 1 aに接着すなわち実装することによって 行われる。 この A C F 1 3 2は、 周知の通り、 一対の端子間を電気的に一 括接続するために用いられる導電性のある高分子フィルムであって、 例え ば、 熱可塑性又は熱硬化性の樹脂フィルム 1 3 2 aの中に多数の導電粒子 1 3 2 bを分散させることによって形成される。 この A C F 1 3 2を基板 張出し部 1 1 aの I C装着領域 Jと液晶駆動用 I C 1 3 3との間に挟んで 熱圧着することにより、 液晶駆動用 I C 1 3 3のバンプ 1 3 3 aと配線部 1 3 1との間及びバンプ 1 3 1 aと入力端子 1 3 4との間において単一方 向の導電性を持つ接続を実現する。 熱圧着における加熱と加圧は、 図示し ない加圧 (圧着) ツールによって行われ、 液晶駆動用 I C 1 3 3の上方か ら加圧 (圧着) ツールが当接されて加熱と同時に加圧がされる。 また、 カロ く製造できるとともに、 基板張出し部 1 1 aに存在する配線部 1 3 1の電 食をより一層確実に防止できる。
しかも、 基板張出し部 1 1 aに絶縁層 1 1 0を形成する際には、 点灯検 査領域 Tを除く領域にその絶縁層 1 1 0を形成するので、 絶縁層 1 1 0の 形成後に行われる点灯検査は、 点灯検査領域 Tにおいて外部に露出する配 線部 1 3 1を利用して支障無く行うことができる。
図 2 2は、 図 2 0に示した液晶装置 1を製造するための液晶装置の製造 方法の一実施例を示している。 この製造方法において、 第 1基板 1 1はェ 程 P 1〜工程 P 4を経て、 例えば図 2 3に示すように形成される。 具体的 には、 ガラス、 プラスチック等から成る基板素材 1 1 aに第 1電極 1 1 1 及び配線部 1 3 1を I T〇を材料として周知のパターニング法、 例えばフ ォトリソグラフィ一法を用いて形成する (工程 P 1 ) 。
そして液晶領域部分 Eにおいて第 1電極 1 1 1の上に例えばオフセヅ ト 印刷によってオーバーコート層 1 1 2を形成し、 同時に張出し部 1 1 aに おいて点灯検査領域 T、 I C実装領域 J及び入力端子領域 Νを除いて絶縁 層 1 1 0の第 1層 1 1 2を形成する (工程 P 2 ) 。 次に、 ォ一バーコ一ト 層 1 1 2の上に例えばオフセッ ト印刷によって配向膜 1 1 3を形成し、 同 時に絶縁層の第 1層 1 1 2の上に第 2層 1 1 3を形成する (工程 P 3 ) 。 そして次に、 基板素材 1 1 aの周辺部に例えばスクリーン印刷によってシ —ル部材 1 3を形成して液晶領域部分 Eを区画形成する。 なお、 符号 1 3 aはシール部材 1 3の一部分に形成された液晶注入口を示している。
他方、 第 2基板 1 2に関しては、 ガラス、 プラスチック等から成る基板 素材 1 2 a (図 2 1参照) に I T Oを材料として第 2電極 1 2 1を周知の パ夕一ニング法、 例えばフォトリソグラフィ一法を用いて形成し (図 2 2 の工程 P 5 ) 、 次にその上に例えばオフセッ ト印刷によってォ一バーコ一 ト層 1 2 2を形成し (工程 P 6 ) 、 次にその上に例えばオフセッ ト印刷に よって配向膜 1 2 3を形成し、 これにより第 2基板 1 2が形成される。 なお、 以上のようにして形成される第 1基板.1 1及び第 2基板 1 2は、 一般的には、 それぞれが大面積の基板母材 (マザ一ガラス基板) 上に複数 個分が同時に形成される。 そして、 それらの基板母材の状態において第 1 基板 1 1 と第 2基板 1 2とがァライメントすなわち位置合わせされた状態 で互いに貼り合わされて、 シール部材 1 3 (図 2 0参照) によって互いに 接合される (工程 P 8 ) 。
次に、 大面積の基板母材を 1次ブレイクしてシール部材 1 3の一部に形 成されている液晶注入口 1 3 a (図 2 0参照) を外部へ露出させ (工程 P 9 ) 、 さらにその液晶注入口 1 3 aを通して液晶領域部分 Eの中に液晶を 注入し、 その注入の完了後に液晶注入口 1 3 aを樹脂によって封止する ( 工程 P 1 0 ) 。 その後、 2次ブレイクを行うことにより、 図 2 4に示すよ うに、 液晶装置 1個分の液晶パネルであって、 点灯検査領域 T、 I C実装 領域 J及び入力端子領域 Νの各領域が絶縁層で覆われることなく外部に開 放された状態のものが形成される (工程 P 1 1 ) 。
その後、 点灯検査領域 Tにおいて外部に露出する配線部 1 3 1に検査器 のプローブを接触させ、 さらにそのプローブを通して各電極に所定の駆動 電流を通電して液晶領域部分 E内の各画素を試験的に点灯させてそれらの 良否を検査する (工程 P 1 2 ) 。 検査結果が正常であれば、 次に、 I C実 装領域 Jに A C F 1 3 2 (図 2 0.参照) を貼着し、 さらにその上に液晶駆 動用 I C 1 3 3をァライメントした状態で仮実装し、 さらに加圧及び加熱 することにより熱圧着し、 これにより液晶駆動用 I C 1 3 3を基板 1 1上 の所定位置に実装する (工程 P 1 3 ) 。
その後、 検査終了後の点灯検査領域 Tに S i等といったモールド材 1 4 1を塗布によって付着させ (工程 P 1 4 ) 、 さらに各基板 1 1及び 1 2の 外側表面に偏光板 2 3 a及び 2 3 bを貼着し (工程 P 1 5 ) 、 これにより 図 2 0に示す液晶装置 1が完成する。 なお、 入力端子領域 Nは未だ外部に 開放されているが、 これ以降の適宜の時点で外部配線基板 1 6を入力端子 1 2に導電接続すれば、 この入力端子領域 Nも外部の雰囲気から遮蔽され る o 以上により、 基板 1 1の張出し部 1 1 aにおいて配線部. 1 3 1の全ての 領域が外部の雰囲気から遮蔽され、 これにより、 それら電極延在部分 1 3 1に電食が発生することを確実に防止できる。 特に本実施形態によれば、 絶縁層 1 1 0のようにフォ トリソグラフィ一法その他の成膜法によって形 成されたものに比べて防湿性能に若干の性能低下が見られるモールド処理 法が、 極めて限られた領域にだけ施されるだけなので、 電食の発生を防止 する機能を長期間にわたって極めて高く維持できる。
4 - 2 電子機器の例
図 1 3は、 本発明に係る電子機器の一実施例である携帯電話機を示して いる。 主要部分が第 2実施例の電子機器と同じなので図面は第 2実施例と 共通のものを用いる。 ここに示す携帯電話機 3 0は、 アンテナ 3 1、 スピ —力 3 2、 液晶装置 4 0、 キ一スィ ッチ 3 3、 マイクロホン 3 4等といつ た各種構成要素を、 筐体としての外装ケース 3 6に格納することによって 構成される。 また、 外装ケース 3 6の内部には、 上記の各構成要素の動作 を制御するための制御回路を搭載した制御回路基板 3 7が設けられる。 液 晶装置 4 0は図 1に示した液晶装置 1を用いるこどができる。
この携帯電話機 3 0では、 キ一スィ ツチ 3 3及びマイクロホン 3 4を通 して入力される信号や、 アンテナ 3 1によって受信した受信データ等が制 御回路基板 3 7上の制御回路へ入力される。 そしてその制御回路は、 入力 した各種データに基づいて液晶装置 4 0の表示面内に数字、 文字、 絵柄等 といった像を表示し、 さらにアンテナ 3 1から送信データを送信する。 4 - 3 応用例
以上、 好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、 本発明はその実 施形態に限定されるものでなく、 請求の範囲に記載した発明の範囲内で種 々に改変できる。
例えば、 図 2 0及び図 2 1に示す実施形態では、 基板張出し部 1 1 aに おいて第 1絶縁層 1 1 2及び第 2絶縁層 1 1 3の 2層によって絶縁層 1 1 0を形成したが、 それらの絶縁層のいずれか一方だけによつて絶縁層 1 1 0を形成することもできる。
また、 第 4実施例では点灯検査領域 T、 I C実装領域 J及び入力端子領 域 Nの各領域を除いて絶縁層を形成することにしたが、 基板上に液晶駆動 用 I Cを直接に実装しない構造の液晶装置、 すなわち COG方式以外の液 晶装置に関しては、 基板上に I C実装領域が設定されないので、 その場合 には、 絶縁層を設けない部分に I C'実装領域が含まれることはない。
また、 図 20では基板 1 1及び 1 2の一方だけに液晶駆動用 I Cを実装 する構造、 すなわち配線部 1 3 1が 1つの基板だけに形成される構造の液 晶装置に本発明を適用したが、 本発明はこれ以外の構造の液晶装置、 例え ば基板 1 1 , 1 2の両方に液晶駆動用 I Cが実装される構造の液晶装置に も適用できる。 また、 図 2 0では単純マトリクス方式の液晶装置を考えた が、 これに代えてァクティブマトリクス方式の液晶装置を用いることもで ぎる。
また、 図 1 3では、 電子機器としての携帯電話機に本発明の液晶装置を 用いる場合を例示したが、 本発明の液晶装置はそれ以外の任意の電子機器 、 例えば携帯情報端末機、 電子手帳、 ビデオカメラのファインダ一等に適 用することもできる。
(第 5実施例)
図 25には、 本発明に係る第 5実施例の液晶装置の模式的な概略平面透視図 (a) 及び張出領域の近傍の概略拡大断面図 (b) を示す。
本実施例では、 まず、 透明基板 11の表面上に、 ITO (インジウムスズ酸化物) などを素材とし、 スパッタリング法などを用いて透明電極 111、配線 13 l a, 1
31 b及び端子パターン(入力端子) 134が同時に同材質で形成されるが、 このと き、 同時に同材質にて位置決めマーク 21, 22, 23がそれぞれ一対ずつ基板表面 に形成される。本実施形態では位置決めマーク 21, 22, 23はいずれも矩形状に 形成される。
次に、透明繊 11の表面上に形成された上記構造の上に、 S i02、 S i 3N4 T i 0 2などの絶縁素材を用いて凸版印刷法、 スパッタリング法、酸化法などによ つて液晶封入領域 Aにトップコ一ト膜、 あるはォ 一ト膜と呼ばれる保護膜 (絶縁膜) 1 1 2を形成する。 このとき、保護膜 1 5の張出領域 1 1 a側の外縁は位 置決めマーク 2 1における液晶封入領域 A寄りの外縁部に合せるように位置決めさ れて形成される。
また、 この保護膜 1 1 2の形成と同時に同材質で、張出領域 1 1 aの表面上には一 対の絶縁膜 1 1 2が形成される。絶縁膜 1 1 2は、 ドラ I C 1 3 3の実装領域の 両側においてそれぞれ、 位置決めマーク 2 2における液晶封入領域 Aから離れた側 の外縁部と、 位置決めマーク 2 3におけるドラ I C 1 3 3の実装領域から離れ た側の外縁部とに外縁を合わせるようにして形成される。
次に、上記保護膜 1 1 2及び絶縁膜 1 1 2の上にさらに、ポリイミド樹脂やポリア ルコール樹脂などを塗布し、焼成して液晶封入領域 Aに配向膜 1 1 3を形成する。こ こで、 図 2 6に示すように配向膜 1 1 3の張出領域 1 1 a側の外縁は保護膜 1 1 2 の外縁を張出領域 1 1 a側へ乗り越え、覆うように形成されている。このとき、配向 膜 1 1 3の位置決めは、 位置決めマーク 2 1の張出領域 1 1 a側の外縁部に外縁を 合わせるように形成される。
また、 上記配向膜 1 1 3と同時に同材質で張出領域 1 1 aに形成された上記絶縁 膜 1 1 2の上にも配向膜 1 1 3が形成される。この配向膜 1 3 3もまた、図 2 6に示 すように絶縁膜 1 1 2の外縁よりも周囲に広がるように形成されている。 すなわち、 配向膜 1 1 3は上記の位置決めマーク 2 2における液晶封入領域 A側の外縁部に外 縁を合わせるようにして形成され、 位置決めマーク 2 3におけるドライバ I C 1 3 3の実装領域側の外縁部に外縁を合わせるようにして形成される。 配向膜 1 1 3に はラビング処理が施され、 液晶に対する所定の配向性能が付与される。
なお、上述のようにして透明基板 1 1の表面上に形成された透明電極 1 1 1、配線 1 3 1 a , 1 3 1 b, 端子パターン 1 3 4、 保護膜 1 1 2、 配向膜 1 1 3の平面形状 を図 2 7に示す。図 2 7に示すように、保護膜 1 1 2及び配向膜 1 1 3が形成された 液晶封入領域 Aを中心とする領域と、張出領域 1 1 a上の領域とは、相互に間隔を隔 てて形成されている。これは、後述するように上下導通材 2 0によって配線 1 3 1 b と透明 反 1 2に形成された透明電極 1 2 1とを導通させるための領域と、 電気的 検査を行う際のプローブ接触を行うための領域を確保する必要があるからである。 また、 張出領域 1 1 a上の絶縁膜 1 1 2及び配向膜 1 1 3は左右にそれそれ分割さ れた状態で形成されている。これは、図 2 5に示すようにドライバ I C 1 3 3を実装 するための領域及び配線部材 1 3 6を接続するための領域を確保する必要があるか らである。
次に、 透明基板 1 1上にシール部材 1 3及び上下導通材 2 0をデイスペンザなど を用いて図の平面形状になるように塗布する。このとき、シール部材 1 3は従来例と は異なり、導電粒子を含まない絶縁性の樹脂からなり、絶縁性のスぺーサを含有して いてもよい。 上下導通材 2 0は上記従来例と同様に導電性粒子を含有した異方導電 性を呈する材質からなる。そして、 図 2 5 ( b ) に示す透明電極 1 2 1及び配向膜 1 2 3を形成した透明基板 1 2を透明勘反 1 1に対して貼り合わせ、 所定の厚さにな るように加圧する。この基板の貼り合わせによって、本実施形態では上下導通材 2 0 を介して上記透明電極 1 2 1と配線 1 3 1 bとが導電接続される。
その後、液晶封入領域 A内には公知の手段によって液晶が注入され、封止材 1 9に よって封止される。さらにその後、 ドライノ I C 1 3 3の実装や配線部材 1 3 4の接 続が行われ、 最終的に樹脂モールド材 1 4 1が図 2 5 ( a) に示す斜線(一点鎖線で 示す)部分に塗布され、 封止される。 このとき、 絶縁膜 1 1 2及び配向膜 1 1 3の形 成部分は樹脂モールド材 1 4 1によって被覆する必要がないため、 そのまま樹脂モ —ルド材 1 4 1を塗布しないで平坦な状態に維持される。本実施例では、図 2 6に示 すように、樹脂モールド材 1 4 1の外縁が配向膜 1 1 3の上まで伸び、配向膜 1 1 3 と樹脂モールド材 1 4 1とが境界付近で相互に重なるように形成されている。
本実施例では、 ドライノ、 I C 1 3 3が配線 1 3 1 a , 1 3 1 bの端部上に貼着さ れた図示しない異方性導電フィルム(A C F )を介して実装されるようになっている 。 したがって、上記配向膜 1 1 3に覆われていない部分を異方性導電フィルムによつ て覆うように構成すれば、 この異方性導電フィルムによって覆われた部分には上記 樹脂モールド材 1 4 1を塗布する必要はない。この場合、上記の異方性導電フィルム のみで張出領域 1 1 aの表面のうち配向膜 1 1 3に覆われていない配線領域をすベ て覆うことができる場合も考えられるが、図示例の構成においては、配線 1 3 1 の 部近傍を異方性導電フィルムによって覆うことは通常できないので、 露出した 配線部分を異方性導電フィルムと樹脂モールド材 1 4 1とを併用することによって 保護するようにしている。
なお、本実施例における製造方法では、張出領域 1 1 aにおける絶縁膜 1 1 2及び 配向膜 1 1 3のシール部材 1 3側の外縁と透明基板 1 2の端部との間において配線 1 3 1 a , 1 3 1 bの一部を露出させ、上記の樹脂モールド材 1 4 1の塗布以前の適 宜の時点で、 この露出した部分に対して電気的検査を実施するようにしている。 本実施形態では、 張出領域 1 1 aの一部に絶縁膜 1 1 2及び配向膜 1 1 3によつ て被覆された平坦な表面部分が形成されているため、配線 1 3 1 a , 1 3 1 bなどの 耐蝕性を保持しつつ、 これらの平坦な表面部分を用いて液晶装置を支持することが 可能になるので、 Si反の破損を低減することが可能になる。
ところで、 保護膜 1 1 2及び絶縁膜 1 1 3は凸版印刷法によって形成されると図 2 8 ( a ) 及び (b ) に示すように外縁に肉厚部 1 1 2 aが形成される傾向がある。 このため、絶縁膜 1 1 2の外縁部が配向膜 1 1 3に覆われずに露出していると、ラビ ング処理を行った場合、例えば肉厚部 1 1 2 aに接触したラビング布(ローラに固定 された状態で使用される場合が多い。 ) の部分によってラビングされることにより、 或いは、肉厚部 1 1 2 aの影になる部分において配向膜 1 1 3が影響を受け、配向膜 1 1 3の配向不良によって画質の劣化が生ずる場合がある。本実施例では、絶縁膜 1 1 3の端縁部の少なくとも一部を配向膜 1 1 3が覆うように形成されているので、 上記肉厚部 1 1 2 aが配向膜によって覆われ、 上記のような配向不良の発生を回避 することができる。なお、絶縁膜 1 1 2が凸版印刷以外の方法で作成された場合にも 、 絶縁膜 1 1 2の端縁部が露出しているとラビング処理に影響が出やすくなるため、 本実施形態の上記構成は有効である。
本実施例では特に透明基板 1 1上における絶縁膜 1 1 2の全ての端縁(外縁、内縁 )が配向膜 1 1 3によって覆われているため、上述のような配向不良をより完全に防 止することができる。 (第 6魏例)
次に、図 2 9を参照して本発明に係る第 6実施例について詳細に説明する。この実 施例においては、上記第 5実施例とほぼ同様の構造を有するので、同一若しくは対応 する部分には同一符号を付し、 周一部分の説明は省略する。
この実施形態においては、透明基板 1 1において、液晶封入領域 Aを中心として形 成される配向膜 1 1 3と、 張出領域 1 1 aに形成される絶縁膜 1 1 2及び配向膜 1 1 3とが連続して一体に形成されている。この実施形態においても、 ドライバ I C 1 3 3の実装領域と配線部材 1 3 4の接続領域については先の実施形態と同様に配線 1 3 1 a , 1 3 1 b及び端子パターン 1 3 4が露出するように構成されている。 また、本実施例では、上下導通材 2 0を介して配線 1 3 1 bを透明勘反 1 2に形成 された透明電極 1 2 1に導通させるための絶縁膜 1 1 2の開口部 1 1 2 a及び配向 膜 1 1 3の開口部 1 1 3 aが形成されている。 開口部 1 1 2 aは開口部 1 1 3 aを 完全に包含するように一回り大きく形成されている。したがって、絶縁膜 1 1 2の開 口縁部は配向膜 1 1 3に完全に覆われるように構成されている。
本実施例においても、 位置決めマーク 2 3を用いてドライバ I C 1 3 3の実装領 域と配線部材 1 3 4の接続領域を回避するように構成された絶縁膜 1 1 2及び配向 膜 1 1 3の位置合わせを行うようにしてもよい。また、図示の位置決めマーク 2 4の 両側縁に、 絶縁膜 1 1 2及び配向膜 1 1 3における配線 1 3 1 a上の外縁部若しく は開口部 1 1 2 a及び開口部 1 1 3 aの開口縁部を合せるようにして位置合わせを 行っても良い。
なお、本実施例において、 ドライバ I C 1 3 3を実装し、配線部材 1 3 4を接続し た後に、 ドライノ、 I C 1 3 3の実装領域と配線部材 1 3 6の接続領域に樹脂モール ド材 1 4 1を塗布して張出領域 1 1 aを完全に封止してもよレ、。また、配線ピッチが 細かく、電触等に弱い配線 1 3 1 a , 1 3 1 bの露出部分のみを樹脂モールド材 1 4 1にて封止してもよい。
(第 7実施例)
次に、図 3 0を参照して本発明に係る第 3実施例について詳細に説明する。この実 施形態においても、 上記各実施形態と同一若しくは対応する部分には同一符号を付 し、 同一部分の説明は省略する。
この実施形態では、 図 3 1に示す従来例と同様にシール部材 1 3として樹脂中に 導電粒子(例えば金属粒子、 或いは、樹脂粒子の表面に導電膜を形成した (N i— A uメツキなどを施した) ものなど)を分散させ、 シール部材 1 3を介して透明 ¾反 1 1と透明基板 1 2を貼り合わせ、加圧することによって 反厚さ方向(基板間ギヤッ プ方向)にのみ導電'注を持つ、 すなわち異方導電性を呈するものとしている。そして 、透明基板 1 1上に形成された配線 1 3 1 bと、透明基板 1 2上に形成された透明電 極 1 2 1とが上下導通部 1 3 bを介して導通するように構成されている。
本実施例でも、第 6実施形態と同様に、絶縁膜 1 1 2、配向膜 1 1 3が形成されて レ、る。 また、 上下導通を確保するための開口部 1 1 2 aが絶縁膜 1 1 2に形成され、 また、 この開口部 1 1 2 aを完全に包含し、一回り大きく形成された開口部 1 1 3 a が配向膜 1 1 3に形成されている。 したがって、絶縁膜 1 1 2の開口縁部は配向膜 1 1 3によって完全に覆われているため、 配向膜 1 1 3のラビング時において絶縁膜 1 1 2の開口縁部によってラビングムラが発生することを防止することができる。 なお、本麵形態においても、 ドライノ U C 1 1 3を実装し、配線部材 1 3 6を接 続した後にドライバ I C 1 3 3の実装領域及び配線部材 1 3 6の接続領域を樹脂モ —ルド材 1 4 1によって封止してもよい。また、配線ピッチが細かく、電触等に弱い 配線 1 3 1 a, 1 3 1 bの露出部分のみを樹脂モールド材 1 4 1にて封止してもよ い。
尚、 本発明の液晶装置及びその製造方法は、 上述の図示例にのみ限定されるもの ではなく、 本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿 s冊 C、める。

Claims

請求の範囲
1 . シール部を介して対向配置された一対の基板と、
前記一対の基板のうち一方の前記基板の前記シール部の前記内側領域に形成され た電極と、
前記電極上に配置された絶縁膜と、 を具備し、
前記一方の基板の前記シール部材の外側領域には他方の前記基板の端部よりも張 り出した張出領域が設けられ、 該張出領域には前記電極に接続された配線が形成さ れ、
前記配線の少なくとも一部は、 前記絶縁膜と同材質の絶縁膜により被覆されてな ることを とする液晶装置。
2 . 請求項 1に記載の液晶装置において、
前記配線は、 集積回路或いは配線部材に電気的に接続される導電接続部を有してな り、 前記導電接続部は前記絶縁膜により被覆されないことを特徴とする液晶装置。
3 . 請求項 3に記載の液晶装置において、
前記導電接続部と、 前記集積回路若しくは前記配線部材とは異方性導電膜を介し て接続されてなり、
前記異方性導電膜は、 その縁部が前記絶縁膜に重なっていることを特徴とする液晶
4 .シール部を介して対向配置された一対の基板を有し、前記一対の基板のうち一方 の前記基板には他方の前記基板の端部よりも張り出した張出領域が設けられてなる 液晶装置を製造する方法において、
前記一対の基板のうち一方の前記基板に電極を形成し、 前記張出領域に前記電極 に接続された配線を形成する工程と、
前記電極、 及び前記前記配線の少なくとも一部を覆う絶縁膜を形成する工程と、 を具備することを特徴とする液晶装置の製造方法。
5 . 請求項 4に記載の液晶装置の製造方法において、
前記配線は、集積回路或いは配線部材に電気的に接続される導電接続部を有してお り、 前記絶縁膜は前記前記導電接続部には形成されないことを特徴とする液晶装置 の製造方法。 。
6 . 請求項 5に記載の液晶装置の製造方法において、
前記導電接続部と、 前記集積回路若しくは前記配線部材とは異方性導電膜を介し て接続されてなり、
前記異方性導電膜は、その縁部が前記絶縁膜に重なっていることを特徴とする液晶 装置の製造方法。
7 . 請求項 6に記載の液晶装置の製造方法において、
前記一方の ¾反には位置決めマークが形成され、
前記絶縁膜は、 その縁部が前記位置決めマークの一縁部に沿って形成され、 前記前記異方性導電膜はその縁部が前記位置決めマークの他の縁部に沿って形成 されることを特徴とする特徴とする液晶装置の製造方法。
8 . シール部を介して対向配置された一対の ¾反と、
前記一対の基板のうち一方の前記基板の前記シール部の前記内側領域に形成され た電極と、
前記電極上に配置されたォ一バーコ一ト層と、
前記絶縁膜上に配置された配向膜と、 を具備し、
前記一方の基板の前記シール部材の外側領域には他方の前記基板の端部よりも 張り出した張出領域が設けられ、 該張出領域には前記電極に接続された配線が形成 され、 前記オーバ一コート層及び前記配向膜が前記配線上に配置されてなり、 前記張出領域においては、 前記オーバ一コート層の全てが前記配向膜によって覆 われていることを特徴とする液晶装置。
9 . シール部を介して対向配置された一対の基板を有し、 前記一対の基板のうち一 方の前記 反には他方の前記 反の端部よりも張り出した張出領域が設けられてな る液晶装置を製造する方法において、
前記一対の基板のうち一方の前記基板に電極を形成し、 前記張出領域に前記電極 に接続された配線を形成する工程と、
前記電極、 及び前記前記配線上にオーバ一コ一ト層を形成する工程と、
前記オーバ一コ一ト層上に配向膜を形成する工程と、
前記配向膜をラビング処理する工程と、 を具備してなり、
前記張出領域においては、 前記オーバ一コート層の全てが前記配向膜によって覆. われることを特徴とする液晶装置の製造方法。
1 0 . シール部を介して対向配置された一対の ¾反と、
前記一対の基板の前記シール部の前記内側領域に形成された電極と、
前記一対の基板のうち一方の前記基板の電極上に配置された絶縁層と、 を具備し 前記一方の基板の前記シール部材の外側領域には他方の前記基板の端部よりも張 り出した張出領域が設けられ、
該張出領域には前記他方の 反に設けられた前記電極と導通部材を介して電気的 に接続された配線が形成され、前記配線の少なくとも一部は、前記絶縁層により被覆 されてなり、
前記導通部材の対応個所以外に前記絶縁層が設けられることを特徴とする液晶装
1 1 . 請求項 1 0に記載の液晶装置において、
前記絶縁層は、 少なくとも前記電極を覆うオーバーコート層及び前記電 極の上方に形成される配向膜のいずれか一方を含むことを特徴とする液晶
1 2 . シール部を介して対向配置された一対の基板と、
前記一対の基板のうち一方の前記基板の前記シール部の前記内側領域に形成され た電極と、
前記電極上に配置された絶縁膜と、 を具備し、
前記一方の »反の前記シール部材の外側領域には他方の前記 反の端部よりも張 り出した張出領域が設けられ、 該張出領域には前記電極に接続された配線及び前記 液晶装置を駆動する I Cを含む外部回路が実装される実装領域を有してなり、 前記 配線の少なくとも一部は、前記絶縁膜と同材質の絶縁膜により被覆され、前記実装領 域と前記シール部材との間に形成された前記配線上にはモールド部材が配置されて なることを »とする液晶装置。
1 3 . シール部を介して対向配置された一対の基板を有し、 前記一対の基 板のうち一方の前記基板には他方の前記基板の端部よりも張り出した張出 領域が設けられてなる液晶装置を製造する方法において、
前記一対の基板のうち一方の前記基板に電極を形成し、 前記張出領域に前記電極 に接続された配線を形成する工程と、
前記電極、 及び前記前記配線の少なくとも一部を覆う絶縁膜を形成する工程と、 前記一方の S反と他方の前記繊とを貼り合わせる工程と、
前記配線を用いて前記液晶装置の点灯検査をする工程と、
前記点灯検査に用いた領域の前記配線をモールドする工程と、 を具備することを 特徴とする液晶装置の製造方法。
1 4 . シール部材を介して対向配置された一対の 反と、
前記一対の基板のうち一方の前記基板の内面側に設けられた配向膜と、 を具備 し、
前記一方の前記基板の前記シール部材外側領域には他方の前記基板の端部より も張り出した張出領域が設けられ、 該張出領域には前記前記シール部材内側領域か ら引き出された配線が形成され、
前記張出領域に形成された前記配線の少なくとも一部は、 絶縁膜により被覆 されており、
前記絶縁膜は、 少なくともその端縁部が前記配向膜によって覆われてなること を特徴とする液晶装置。
1 5 . 請求項 1 4に記載の液晶装置において、
前記一方の基板の前記シール部材内側領域には前記液晶に電界を与える電極が形 成され、 前記配向膜は該電極上に設けられてなり、
前記電極と前記配向膜との間に保護膜を有し、 該保護膜は前記絶縁膜と同材質で あることを特徴とする液晶装置。
1 6 . 請求項 1 4に記載の液晶装置において、
前記配向膜は前記絶縁膜の全体を覆うように形成されていることを特徴とする液 X
曰 B
1 7 . 請求項 1 4に記載の液晶装置において、
前記張出領域には位置決め用マークが形成され、 前記絶縁膜は該位置決め用マーク の一の外縁部に沿って形成され、 前記配向膜は前記位置決め用マークの他の外縁部 に沿って形成されてなることを iff®とする液晶装置。
1 8 . 請求項 1 7に記載の液晶装置において、
前記一の外縁部と前記他の外縁部とが相互に対向してなることを特徴とする液晶 装置。
1 9 . 請求項 1 7に記載の液晶装置において、
前記位置決めマークは前記配線と同材質で形成されていることを特徴とする液晶装
2 0 . シール部を介して対向配置された一対の基板を有し、 前記一対の基板のうち 一方の前記基板には他方の前記基板の端部よりも張り出した張出領域が設けられて なる液晶装置を製造する方法において、
前記一対の基板のうち一方の前記基板に電極を形成し、 前記張出領域に前記電極 に接続された配線を形成する工程と、
前記電極、 及び前記前記配線の少なくとも一部を覆う絶縁膜を形成する工程と、 前記絶縁膜上に配向膜を形成する工程と、 を具備し、
前記張出領域においては、 前記絶縁膜は、 その端縁部が前記配向膜によって覆わ れることを特徴とする液晶装置の製造方法。 -
2 1 . 請求項 2 0の液晶装置の製造方法において、
位置決め用マークを前記一方の ¾|反上に形成する工程を更に有し、
該位置決めマークの一の外縁部に沿って前記絶縁膜を形成し、 他の外縁部に沿って 前記配向膜を形成することを特徴とする液晶装置の製造方法。
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