JP3249626B2 - ラビング処理方法 - Google Patents
ラビング処理方法Info
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- JP3249626B2 JP3249626B2 JP7240393A JP7240393A JP3249626B2 JP 3249626 B2 JP3249626 B2 JP 3249626B2 JP 7240393 A JP7240393 A JP 7240393A JP 7240393 A JP7240393 A JP 7240393A JP 3249626 B2 JP3249626 B2 JP 3249626B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置などの配
向膜を形成する際に好適に用いられるラビング処理方法
に関する。
向膜を形成する際に好適に用いられるラビング処理方法
に関する。
【0002】
【従来の技術】図4は、従来のラビング処理方法が実施
される基板1を示す断面図および斜視図である。たとえ
ば、ガラスで実現される基板1上には、透明電極2がそ
の全面に形成される。該電極2は、たとえばITO(In
dium Tin Oxide)で実現され、所望とする電極形状にパ
ターン形成することができる。透明電極2上には、Si
O2などの無機膜から成るトップコート膜3と、ポリイ
ミド樹脂などから成る配向膜4とがこの順に形成されて
いる。トップコート膜3は、基板1に形成される電極2
と対向基板に形成される電極とが、たとえば導電性を有
する異物によってリークすることを防止するためのもの
である。配向膜4は、基板間に配置される液晶分子を配
向させるものであり、その表面は後述するラビング処理
によって配向処理されている。
される基板1を示す断面図および斜視図である。たとえ
ば、ガラスで実現される基板1上には、透明電極2がそ
の全面に形成される。該電極2は、たとえばITO(In
dium Tin Oxide)で実現され、所望とする電極形状にパ
ターン形成することができる。透明電極2上には、Si
O2などの無機膜から成るトップコート膜3と、ポリイ
ミド樹脂などから成る配向膜4とがこの順に形成されて
いる。トップコート膜3は、基板1に形成される電極2
と対向基板に形成される電極とが、たとえば導電性を有
する異物によってリークすることを防止するためのもの
である。配向膜4は、基板間に配置される液晶分子を配
向させるものであり、その表面は後述するラビング処理
によって配向処理されている。
【0003】図5は、配向膜4のラビング処理を説明す
るための斜視図である。基板1は、支持板11に形成さ
れる、基板1の厚み分だけの深さを有する凹所11aに
嵌め込まれる。支持板11上には、たとえば基板1の角
部1bと図示しない角部とを結ぶ対角線に対して垂直と
なるようにローラ12を配置する。このローラ12を、
たとえば矢符A方向に1秒間に数千回転という速度で回
転させながら、支持板11を矢符B方向に、あるいはロ
ーラ12を矢符C方向に移動させることによって、配向
膜4の表面がラビング処理される。前記ローラ12の表
面は、たとえばガーゼ、フェルト、ラバーあるいは刷毛
で覆われている。このようなラビング処理によって配向
膜4を削り取ることなく、均一にラビングするために、
最適な圧力や回数などのラビング条件が設定されてい
る。
るための斜視図である。基板1は、支持板11に形成さ
れる、基板1の厚み分だけの深さを有する凹所11aに
嵌め込まれる。支持板11上には、たとえば基板1の角
部1bと図示しない角部とを結ぶ対角線に対して垂直と
なるようにローラ12を配置する。このローラ12を、
たとえば矢符A方向に1秒間に数千回転という速度で回
転させながら、支持板11を矢符B方向に、あるいはロ
ーラ12を矢符C方向に移動させることによって、配向
膜4の表面がラビング処理される。前記ローラ12の表
面は、たとえばガーゼ、フェルト、ラバーあるいは刷毛
で覆われている。このようなラビング処理によって配向
膜4を削り取ることなく、均一にラビングするために、
最適な圧力や回数などのラビング条件が設定されてい
る。
【0004】図6は、前記基板1を用いた従来の液晶表
示装置13の構成を示す断面図である。前述したように
透明電極2、トップコート膜3および配向膜4が形成さ
れた基板1の表面1aと、同様にして透明電極6、トッ
プコート膜7および配向膜8が形成された基板5の表面
5aとが対向するように配置され、紫外線硬化型の接着
剤10によって貼合わされている。また、基板1,5間
には液晶層9が配置されている。
示装置13の構成を示す断面図である。前述したように
透明電極2、トップコート膜3および配向膜4が形成さ
れた基板1の表面1aと、同様にして透明電極6、トッ
プコート膜7および配向膜8が形成された基板5の表面
5aとが対向するように配置され、紫外線硬化型の接着
剤10によって貼合わされている。また、基板1,5間
には液晶層9が配置されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】トップコート膜3,7
は、前述したように基板1,5に形成される透明電極
2,6のリークを防止するためのものであり、その面積
はできる限り大きい方が望ましい。このため従来では、
駆動用IC(Integrated Circuit)などが接続される領
域を除く領域に、すなわち図4に示されるように、基板
1の端部からトップコート膜3の端部までの長さL1
が、0.4mm〜1.0mm程度となるように形成され
る。また、配向膜4は液晶層9に接する部分に形成され
ていればよく、このため従来では図4に示されるよう
に、基板1の端部から配向膜4の端部までの長さL2
が、2mm程度となるように形成される。したがって、
基板1とトップコート膜3との段差およびトップコート
膜3と配向膜4との段差の2段の段差が生じる。このよ
うな段差は、トップコート膜3と配向膜4との大きさが
一致するようにして形成しようとしても、精度上の問題
によって生じることとなる。
は、前述したように基板1,5に形成される透明電極
2,6のリークを防止するためのものであり、その面積
はできる限り大きい方が望ましい。このため従来では、
駆動用IC(Integrated Circuit)などが接続される領
域を除く領域に、すなわち図4に示されるように、基板
1の端部からトップコート膜3の端部までの長さL1
が、0.4mm〜1.0mm程度となるように形成され
る。また、配向膜4は液晶層9に接する部分に形成され
ていればよく、このため従来では図4に示されるよう
に、基板1の端部から配向膜4の端部までの長さL2
が、2mm程度となるように形成される。したがって、
基板1とトップコート膜3との段差およびトップコート
膜3と配向膜4との段差の2段の段差が生じる。このよ
うな段差は、トップコート膜3と配向膜4との大きさが
一致するようにして形成しようとしても、精度上の問題
によって生じることとなる。
【0006】ラビング処理時において、図5に示される
支持板11上に配置されたローラ12が基板1上のトッ
プコート膜3および配向膜4の段差部分3a,4aを通
過すると、ローラ12表面の細かい毛の整列方向が不揃
いとなる。すなわち、トップコート膜3の段差部分3a
である角部によって、細かい毛の整列方向が2方向に振
り分けられる。同様に配向膜4の段差部分4aによって
も整列方向が2方向に振り分けられる。このようなロー
ラ12でラビング処理を行うと、配向膜4表面に図5に
示されるようなL型の処理ムラ14が生じる。
支持板11上に配置されたローラ12が基板1上のトッ
プコート膜3および配向膜4の段差部分3a,4aを通
過すると、ローラ12表面の細かい毛の整列方向が不揃
いとなる。すなわち、トップコート膜3の段差部分3a
である角部によって、細かい毛の整列方向が2方向に振
り分けられる。同様に配向膜4の段差部分4aによって
も整列方向が2方向に振り分けられる。このようなロー
ラ12でラビング処理を行うと、配向膜4表面に図5に
示されるようなL型の処理ムラ14が生じる。
【0007】また、たとえばオフセット印刷によって形
成されるトップコート膜3や配向膜4の縁部の厚みは、
中心部と比較して厚く形成される傾向がある。このた
め、縁部のトップコート膜3や配向膜4がラビング時に
おいてローラ12によって削り取られてしまい、生じた
削り屑がローラ12に付着したままラビング処理される
と、配向膜4の表面に削り屑による処理ムラが生じる。
成されるトップコート膜3や配向膜4の縁部の厚みは、
中心部と比較して厚く形成される傾向がある。このた
め、縁部のトップコート膜3や配向膜4がラビング時に
おいてローラ12によって削り取られてしまい、生じた
削り屑がローラ12に付着したままラビング処理される
と、配向膜4の表面に削り屑による処理ムラが生じる。
【0008】このような処理ムラは、図6に示される液
晶表示装置13の液晶分子の配向ムラの原因となり、表
示装置13に画像を表示した際にコントラストが不均一
になるなど表示の均一性に悪影響を与える。
晶表示装置13の液晶分子の配向ムラの原因となり、表
示装置13に画像を表示した際にコントラストが不均一
になるなど表示の均一性に悪影響を与える。
【0009】本発明の目的は、処理ムラの発生が低減さ
れるラビング処理方法を提供することである。
れるラビング処理方法を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に所定
形状に透明電極をパターニングした後、駆動回路の接続
領域を除く基板の領域に透明電極を覆ってトップコート
膜および配向膜をこの順番に積層して形成して、前記配
向膜の表面をラビング処理するラビング処理方法におい
て、前記配向膜は、トップコート膜の端部のうちの、最
初にラビングされる角部を形成する2辺の端部を覆っ
て、該トップコート膜の端部から該配向膜の端部までの
長さL3が0.4mm〜0.5mmとなるように該トッ
プコート膜よりも大きく形成されていることを特徴とす
るラビング処理方法である。
形状に透明電極をパターニングした後、駆動回路の接続
領域を除く基板の領域に透明電極を覆ってトップコート
膜および配向膜をこの順番に積層して形成して、前記配
向膜の表面をラビング処理するラビング処理方法におい
て、前記配向膜は、トップコート膜の端部のうちの、最
初にラビングされる角部を形成する2辺の端部を覆っ
て、該トップコート膜の端部から該配向膜の端部までの
長さL3が0.4mm〜0.5mmとなるように該トッ
プコート膜よりも大きく形成されていることを特徴とす
るラビング処理方法である。
【0011】
【作用】本発明に従えば、基板上に形成される配向膜が
トップコート膜の端部のうちの最初にラビングされる角
部を形成する2辺の端部を覆ってトップコート膜よりも
大きく形成され、配向膜の表面がラビング処理されてい
る。ラビング処理とは、布などを用いて膜表面を一方向
にこすることであり、このとき布表面の細かい毛の整列
方向が乱れているとラビング処理の方向が不均一とな
る。本発明によれば基板上の段差は1段となり、布表面
の細かい毛の整列方向が段差によって不揃いになること
が低減される。また、段差部分の角部を布が通過したと
きに、布表面の細かい毛の整列方向が段差部分の角部に
よって異なる方向に振り分けられることが低減する。し
たがって、ラビング処理時の処理ムラが低減する。
トップコート膜の端部のうちの最初にラビングされる角
部を形成する2辺の端部を覆ってトップコート膜よりも
大きく形成され、配向膜の表面がラビング処理されてい
る。ラビング処理とは、布などを用いて膜表面を一方向
にこすることであり、このとき布表面の細かい毛の整列
方向が乱れているとラビング処理の方向が不均一とな
る。本発明によれば基板上の段差は1段となり、布表面
の細かい毛の整列方向が段差によって不揃いになること
が低減される。また、段差部分の角部を布が通過したと
きに、布表面の細かい毛の整列方向が段差部分の角部に
よって異なる方向に振り分けられることが低減する。し
たがって、ラビング処理時の処理ムラが低減する。
【0012】また、トップコート膜の端部のうちの最初
にラビングされる角部を形成する2辺の端部に生じる膜
厚のばらつきが配向膜によって緩和されるので、ラビン
グ処理時に布によって削り取られて生じる膜の屑が減少
し、屑によって生じる処理ムラが低減する。
にラビングされる角部を形成する2辺の端部に生じる膜
厚のばらつきが配向膜によって緩和されるので、ラビン
グ処理時に布によって削り取られて生じる膜の屑が減少
し、屑によって生じる処理ムラが低減する。
【0013】このようなラビング処理方法は、液晶表示
装置の配向膜の形成時において用いられ、配向膜の処理
ムラが減少し、液晶分子の配向ムラが低減して表示の均
一性が向上する。
装置の配向膜の形成時において用いられ、配向膜の処理
ムラが減少し、液晶分子の配向ムラが低減して表示の均
一性が向上する。
【0014】
【実施例】図1は、本発明の一実施例であるラビング処
理方法が実施される基板21を示す断面図および斜視図
である。たとえば、ガラスで実現される基板21上には
その全面に透明電極22が形成される。該電極22は、
たとえばITOで実現され、所望の電極形状にパターン
形成することができる。透明電極22上には、SiO2
などの無機膜から成るトップコート膜23が、たとえば
オフセット印刷によって形成される。該トップコート膜
23は、基板21上の電極22と、図3に示される基板
25の電極26とが導電性を有する異物によってリーク
することを防止するためのものであり、その面積はでき
る限り大きく形成することが望ましい。トップコート膜
23上には、さらにポリイミド樹脂などから成る配向膜
24が、たとえばオフセット印刷によって形成される。
該配向膜24は、下層に形成される前記トップコート膜
23領域よりも大きく形成される。図1と図4とを参照
して、配向膜24とトップコート膜23との大小関係に
ついて詳説する。従来と同様にトップコート膜23の端
部23aから基板21の端部までの長さをL1として形
成されるトップコート膜23に対して、配向膜24は従
来とは異なるようにして形成される。すなわち、従来で
は配向膜24は、該配向膜24の端部24a(図1中、
二点破線で示す)が、トップコート膜23の端部23a
に対して、基板内方側に配置されるようにして形成され
る。したがって、配向膜24の端部24aから基板21
の端部までの長さL2は前記長さL1よりも長くなり、
トップコート膜23の端部付近は配向膜24から露出す
る。本実施例では配向膜24は、該配向膜24の端部2
4bが、トップコート膜23の端部23aに対して、基
板外方側に配置されるようにして形成される。したがっ
て、前記長さL2は長さL1よりも短くなり、トップコ
ート膜23の端部付近は配向膜24によって覆われる。
また、配向膜24は透明電極22の駆動用ICなどが接
続される領域を除く領域に形成される。配向膜24の表
面は、液晶分子を配向させるために、後述するラビング
処理によって配向処理されている。
理方法が実施される基板21を示す断面図および斜視図
である。たとえば、ガラスで実現される基板21上には
その全面に透明電極22が形成される。該電極22は、
たとえばITOで実現され、所望の電極形状にパターン
形成することができる。透明電極22上には、SiO2
などの無機膜から成るトップコート膜23が、たとえば
オフセット印刷によって形成される。該トップコート膜
23は、基板21上の電極22と、図3に示される基板
25の電極26とが導電性を有する異物によってリーク
することを防止するためのものであり、その面積はでき
る限り大きく形成することが望ましい。トップコート膜
23上には、さらにポリイミド樹脂などから成る配向膜
24が、たとえばオフセット印刷によって形成される。
該配向膜24は、下層に形成される前記トップコート膜
23領域よりも大きく形成される。図1と図4とを参照
して、配向膜24とトップコート膜23との大小関係に
ついて詳説する。従来と同様にトップコート膜23の端
部23aから基板21の端部までの長さをL1として形
成されるトップコート膜23に対して、配向膜24は従
来とは異なるようにして形成される。すなわち、従来で
は配向膜24は、該配向膜24の端部24a(図1中、
二点破線で示す)が、トップコート膜23の端部23a
に対して、基板内方側に配置されるようにして形成され
る。したがって、配向膜24の端部24aから基板21
の端部までの長さL2は前記長さL1よりも長くなり、
トップコート膜23の端部付近は配向膜24から露出す
る。本実施例では配向膜24は、該配向膜24の端部2
4bが、トップコート膜23の端部23aに対して、基
板外方側に配置されるようにして形成される。したがっ
て、前記長さL2は長さL1よりも短くなり、トップコ
ート膜23の端部付近は配向膜24によって覆われる。
また、配向膜24は透明電極22の駆動用ICなどが接
続される領域を除く領域に形成される。配向膜24の表
面は、液晶分子を配向させるために、後述するラビング
処理によって配向処理されている。
【0015】図2は、配向膜24のラビング処理を説明
するための斜視図である。基板21は、支持板31に形
成される、基板21の厚み分だけの深さを有する凹所3
1aに嵌め込まれる。支持板31上には、たとえば基板
21の角部21bと図示しない角部とを結ぶ対角線に対
して垂直となるようにローラ32を配置する。このロー
ラ32をたとえば矢符A方向に1秒間に数千回転という
速度で回転させながら、支持板31を矢符B方向に、あ
るいはローラ32を矢符C方向に移動させることによっ
て、配向膜24の表面がラビング処理される。前記ロー
ラ32の表面は、たとえばガーゼ、フェルト、ラバーあ
るいは刷毛で覆われている。このようなラビング処理に
よって配向膜24を削り取ることなく、均一にラビング
するために、最適な圧力や回数などのラビング条件が設
定されている。
するための斜視図である。基板21は、支持板31に形
成される、基板21の厚み分だけの深さを有する凹所3
1aに嵌め込まれる。支持板31上には、たとえば基板
21の角部21bと図示しない角部とを結ぶ対角線に対
して垂直となるようにローラ32を配置する。このロー
ラ32をたとえば矢符A方向に1秒間に数千回転という
速度で回転させながら、支持板31を矢符B方向に、あ
るいはローラ32を矢符C方向に移動させることによっ
て、配向膜24の表面がラビング処理される。前記ロー
ラ32の表面は、たとえばガーゼ、フェルト、ラバーあ
るいは刷毛で覆われている。このようなラビング処理に
よって配向膜24を削り取ることなく、均一にラビング
するために、最適な圧力や回数などのラビング条件が設
定されている。
【0016】図3は、前記基板21を用いた液晶表示装
置33の構成を示す断面図である。前述したように透明
電極22、トップコート膜23および配向膜24が形成
された基板21の表面21aと、同様にして透明電極2
6、トップコート膜27および配向膜28が形成された
基板25の表面25aとが対向するように配置され、紫
外線硬化型の接着剤30によって貼合わされている。こ
のとき接着剤30は配向膜24および配向膜28上に配
置されている。また、基板21,25間には、液晶層2
9が配置されている。
置33の構成を示す断面図である。前述したように透明
電極22、トップコート膜23および配向膜24が形成
された基板21の表面21aと、同様にして透明電極2
6、トップコート膜27および配向膜28が形成された
基板25の表面25aとが対向するように配置され、紫
外線硬化型の接着剤30によって貼合わされている。こ
のとき接着剤30は配向膜24および配向膜28上に配
置されている。また、基板21,25間には、液晶層2
9が配置されている。
【0017】本実施例のように配向膜24を形成する
と、トップコート膜23によって生じる段差がなくなっ
て段差は配向膜24による1段のみとなる。このため、
ラビング処理時においてローラ32表面の細かい毛の整
列方向が不揃いになる部分が、従来と比較すると約半分
に減少する。したがって、図2に示されるように配向膜
24表面に生じるL型の処理ムラ34が減少する。この
ため液晶表示装置33の液晶分子の配向ムラが減少し、
表示の均一性が向上する。
と、トップコート膜23によって生じる段差がなくなっ
て段差は配向膜24による1段のみとなる。このため、
ラビング処理時においてローラ32表面の細かい毛の整
列方向が不揃いになる部分が、従来と比較すると約半分
に減少する。したがって、図2に示されるように配向膜
24表面に生じるL型の処理ムラ34が減少する。この
ため液晶表示装置33の液晶分子の配向ムラが減少し、
表示の均一性が向上する。
【0018】また、トップコート膜23の縁部と中心部
との不均一な膜厚が緩和されて、全体的な膜厚均一性が
向上する。このため、ラビング処理時においてトップコ
ート膜23の縁部がローラ32によって削り取られるこ
とがなくなり、生じる削り屑が減少して配向膜24表面
に生じる処理ムラが減少する。したがって、液晶表示装
置33の液晶分子の配向ムラが減少し、表示の均一性が
向上する。
との不均一な膜厚が緩和されて、全体的な膜厚均一性が
向上する。このため、ラビング処理時においてトップコ
ート膜23の縁部がローラ32によって削り取られるこ
とがなくなり、生じる削り屑が減少して配向膜24表面
に生じる処理ムラが減少する。したがって、液晶表示装
置33の液晶分子の配向ムラが減少し、表示の均一性が
向上する。
【0019】なお、前記トップコート膜23の不均一な
膜厚を緩和して膜厚均一性を向上するためには、図1に
示されるトップコート膜23の端部から配向膜24の端
部までの長さL3を、0.4mm〜0.5mm程度とす
るのが好ましい。
膜厚を緩和して膜厚均一性を向上するためには、図1に
示されるトップコート膜23の端部から配向膜24の端
部までの長さL3を、0.4mm〜0.5mm程度とす
るのが好ましい。
【0020】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、配向膜が
トップコート膜の端部のうちの最初にラビングされる角
部を形成する2辺の端部を覆ってトップコート膜よりも
大きく形成されるので、基板上の段差が減少する。ま
た、トップコート膜の膜厚のばらつきが配向膜によって
緩和される。
トップコート膜の端部のうちの最初にラビングされる角
部を形成する2辺の端部を覆ってトップコート膜よりも
大きく形成されるので、基板上の段差が減少する。ま
た、トップコート膜の膜厚のばらつきが配向膜によって
緩和される。
【0021】したがって、ラビング処理時に布表面の細
かい毛の整列方向が段差によって不揃いになることが低
減され、処理ムラが低減する。また、布によって削り取
られて生じる膜の屑が減少し、該屑によって生じる処理
ムラが減少する。
かい毛の整列方向が段差によって不揃いになることが低
減され、処理ムラが低減する。また、布によって削り取
られて生じる膜の屑が減少し、該屑によって生じる処理
ムラが減少する。
【図1】本発明の一実施例であるラビング処理方法が実
施される基板21を示す断面図および斜視図である。
施される基板21を示す断面図および斜視図である。
【図2】配向膜24のラビング処理を説明するための斜
視図である。
視図である。
【図3】前記基板21を用いた液晶表示装置33の構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図4】従来のラビング処理方法が実施される基板1を
示す断面図および斜視図である。
示す断面図および斜視図である。
【図5】配向膜4のラビング処理を説明するための斜視
図である。
図である。
【図6】前記基板1を用いた液晶表示装置13の構成を
示す断面図である。
示す断面図である。
21 基板 22 透明電極 23 トップコート膜 24 配向膜
Claims (1)
- 【請求項1】 基板上に所定形状に透明電極をパターニ
ングした後、駆動回路の接続領域を除く基板の領域に透
明電極を覆ってトップコート膜および配向膜をこの順番
に積層して形成して、前記配向膜の表面をラビング処理
するラビング処理方法において、 前記配向膜は、トップコート膜の端部のうちの、最初に
ラビングされる角部を形成する2辺の端部を覆って、該
トップコート膜の端部から該配向膜の端部までの長さL
3が0.4mm〜0.5mmとなるように該トップコー
ト膜よりも大きく形成されていることを特徴とするラビ
ング処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7240393A JP3249626B2 (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | ラビング処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7240393A JP3249626B2 (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | ラビング処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06289378A JPH06289378A (ja) | 1994-10-18 |
JP3249626B2 true JP3249626B2 (ja) | 2002-01-21 |
Family
ID=13488286
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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