TWI828563B - 透明的近紅外線遮蔽之玻璃陶瓷 - Google Patents

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Abstract

光學透明玻璃陶瓷材料包含有玻璃相和結晶化鎢青銅相，結晶化鎢青銅相包含奈米粒子並具有化學式M xWO 3，其中M包括至少一H、Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr、Ba、Zn、Cu、Ag、Sn、Cd、In、Tl、Pb、Bi、Th、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及U，且其中0＜ x ＜ 1。本揭示亦提供鋁矽酸鹽玻璃及鋅鉍硼酸鹽玻璃，鋁矽酸鹽玻璃及鋅鉍硼酸鹽玻璃包含Sm 2O 3、Pr 2O 3及Er 2O 3中的至少一者。

Description

透明的近紅外線遮蔽之玻璃陶瓷
本申請案主張2016年6月21日申請之美國臨時申請案第62/352,602號以及2016年6月17日申請之美國臨時申請案第62/351,616號之優先權權益，本案依據該等臨時申請案之內容，並將該等內容全文以引用之方式併入本文中。
本揭示係關於玻璃陶瓷材料。更具體而言，本揭示係關於光學透明的玻璃陶瓷材料。甚至更具體而言，本揭示係關於具有結晶化鎢青銅相的光學透明的玻璃陶瓷材料。
近紅外線（NIR）遮蔽之玻璃係經開發以阻擋及/或消除700～2500 nm範圍的波長，可適用於醫療、國防、航太及消費者應用的光學濾光器、透鏡及窗用玻璃（glazing）。
低輻射塗層（low-E coating）已經被開發為可穿過玻璃的紫外線及紅外光的量最小化，而不影響經透射的可見光的量。低輻射塗層通常是濺射或熱解塗層。或者，可將低輻射的塑膠積層體（laminate）改裝至玻璃基板。
含有非化學計量的次氧化鎢（tungsten suboxide）或經摻雜的非化學計量的三氧化鎢（稱為鎢青銅）的奈米或微米尺寸粒子的薄膜、塗層及複合材料，已用於提供可見光光譜中的具有高透明度的近紅外線遮蔽（near infrared shielding）。然而，鎢青銅膜通常需要昂貴的真空沉積腔室，限制了機械強度，且容易受到氧氣、水分及UV光影響，這些都導致這些材料的NIR遮蔽性能降低及變色並且降低可見光範圍內的透明度。
本揭示提供光學透明的玻璃陶瓷材料，在一些具體例中，該等材料包含含有至少約80重量％二氧化矽的玻璃相以及具有化學式M xWO 3的結晶化鎢青銅相，其中M包括，但不限於，H、Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr、Ba、Zn、Cu、Ag、Sn、Cd、In、Tl、Pb、Bi、Th、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及U中的至少一者，且其中0 ＜ x ＜ 1。結晶化鎢青銅相包含奈米粒子。在一些具體例中，玻璃陶瓷具有低熱膨脹係數（CTE），且可強衰減或阻擋波長短於約360 nm的紫外線（UV）輻射以及波長範圍約700 nm至約3000 nm的近紅外線（NIR）輻射。本揭示亦提供鋁矽酸鹽玻璃及鋅鉍硼酸鹽玻璃，鋁矽酸鹽玻璃及鋅鉍硼酸鹽玻璃包含Sm 2O 3、Pr 2O 3及Er 2O 3中的至少一者。
因此，本揭示的一態樣提供一種玻璃陶瓷，該玻璃陶瓷包含矽酸鹽玻璃相以及約1莫耳％至約10莫耳％的包含奈米粒子的結晶化M xWO 3相，其中M係H、Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr、Ba、Zn、Cu、Ag、Sn、Cd、In、Tl、Pb、Bi、Th、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及U的至少一者，且其中0＜ x ＜ 1。
本揭示的第二態樣提供一種玻璃陶瓷，該玻璃陶瓷包含矽酸鹽玻璃相以及約1莫耳％至約10莫耳％的包含奈米粒子的結晶化M xWO 3相，其中M為至少一鹼金屬，且0 ＜ x ＜ 1。
在另一樣態中，本揭示亦提供一種鋁矽酸鹽玻璃，該鋁矽酸鹽玻璃包含SiO 2、Al 2O 3以及Sm 2O 3、Pr 2O 3及Er 2O 3中的至少一者，其中Sm 2O 3+ Pr 2O 3+ Er 2O 3≤ 12莫耳％。在一些具體例中，鋁矽酸鹽玻璃進一步包含至少一鹼土金屬氧化物以及B 2O 3。在一些具體例中，該等玻璃在約1400 nm與約1600 nm之間的波長具有小於約30%的透射。
在另一樣態中，一種鋅鉍硼酸鹽玻璃包含ZnO、Bi 2O 3、B 2O 3以及Sm 2O 3、Pr 2O 3及Er 2O 3中的至少一者，其中Sm 2O 3+ Pr 2O 3+ Er 2O 3≤ 12莫耳％。在一些具體例中，Zn-Bi硼酸鹽玻璃進一步包含Na 2O及TeO 2中的至少一者。在一些具體例中，該等玻璃在約1400 nm與約1600 nm之間的波長具有小於約30%的透射。
從以下的詳細說明、所附圖式以及所附申請專利範圍，這些與其他態樣、優點及顯著特徵將變得顯而易見。
在以下說明中，於圖式所示的若干視圖中以相同元件符號表示相同或相對應的組件。亦應理解，除非另外具體指明，否則諸如「頂部」、「底部」、「向外」、「向內」等用語僅為便於說明，而非視為限制性用語。另外，每當將一個群組描述為包含一組元素及該等元素之組合中的至少一者時，應理解，該群組可單獨地或彼此組合地包含任意數量的那些所述元素、可基本上由任意數量的那些所述元素組成或者可由任意數量的那些所述元素組成。同樣地，每當將一個群組描述為由一組元素或該等元素之組合中的至少一者組成時，應理解，該群組可單獨地或彼此組合地由任意數量的那些所述元素組成。除非另外具體指明，否則當陳述時，值的範圍包括範圍的上限與下限以及介於二者間的任何範圍。除非另外具體指明，否則本文中使用的不定冠詞「一（a）」、「一（an）」以及相對應的定冠詞「該（the）」意指「至少一」或「一或更多」。亦應理解說明書和圖式所揭示的各種特徵可以任意和全部組合來使用。
本文中使用的用語「玻璃物件」及「該等玻璃物件」係採用其最廣泛的意義而包括任何由玻璃及/或玻璃陶瓷的整體或部分所製成的物體，並且包括本文中描述的玻璃及玻璃陶瓷之積層體與習知玻璃。除非另外具體指明，否則所有組成物均以莫耳百分比（莫耳％）之表示。除非另外具體指明，否則熱膨脹係數（CTE）係以10 -7/℃為單位來表示，且表示在約20℃至約300℃的溫度範圍量測的值。
本文中使用的用語「奈米粒子」及「該等奈米粒子」係指尺寸在約1與約1,000奈米（nm）之間的粒子。本文中使用的用語「片（platelet）」及「該等片」係指平的或平面的晶體。本文中使用的用語「奈米柱」及「該等奈米柱」係指具有高達約1,000 nm的長度以及至少3的長寬比（長度/寬度），並且在一些具體例中，該長寬比在約3至約5的範圍內。
本文中使用的「透射（transmission）」及「透射率（transmittance）」係指考慮吸收、散射及反射的外部透射或透射率。本文中呈現的透射和透射率的值未減去菲涅耳反射。
應注意，本文中可利用用語「基本上」和「約」來表示可歸因於任何定量比較、數值、量測或其他表示的固有不確定度。本文中亦使用該等用語來表示一種定量表示程度，該定量表示與所述的參考值不同，但不會導致所討論標的的基本功能改變。因此，「不含MgO」的玻璃是玻璃中未主動添加或批量添加MgO的玻璃，但玻璃中可存在相當於污染物的非常少量（即，小於400 ppm（百萬分之一）或小於300 ppm）的MgO。
可利用本領域中已知的手段來量測壓縮應力以及層深度。此類手段包括，但不限於，利用市售儀器的表面應力量測（FSM），該市售儀器諸如由Orihara有限公司（日本東京）製造的FSM-6000。表面應力量測可依據與玻璃的雙折射有關的應力光學係數（SOC）的精確量測。而SOC可根據標題為「Standard Test Method for Measurement of Glass Stress-Optical Coefficient（玻璃應力－光學係數量測的標準測試方法）」的ASTM標準C770-98 (2013)中所述程序C的改良版（以下稱為「改良」）來量測，此文獻全文內容以引用方式併入本文中。程序C的改良包括使用具有5至10 mm的厚度以及12.7 mm的直徑的玻璃盤作為試樣。該盤是同向性及均質的，以及中心鑽孔，且兩面皆經拋光並且是平行的。改良亦包括計算施加到該盤的最大力Fmax。力應足以產生至少20 MPa的壓縮應力。使用以下公式來計算Fmax： Fmax = 7.854·D·h 其中：Fmax係最大力（單位為牛頓）；D係該盤的直徑（單位為毫米（mm））；以及h係光徑的厚度（單位亦為mm）。對於每個施力而言，使用以下公式來計算應力： σ (MPa) = 8F/(π·D·h) 其中：F係該力（單位為牛頓）；D係該盤的直徑（單位為毫米（mm））；以及h係光徑的厚度（單位亦為毫米）。
除非另外具體指明，否則「層深度」、「DOL」及「FSM_DOL」之用語係指經由利用市售儀器（例如，但不限於，FSM-6000應力計）的表面應力量測（FSM）所測定的壓縮層深度。壓縮深度DOC係指應力在玻璃內實際上為零的深度，並且可以由利用本領域中已知的折射近場（RNF）及偏光方法所獲得之應力分佈來測定。對於單一離子交換製程而言，此DOC通常小於由FSM儀器所量測的FSM_DOL。
對於強化玻璃物件而言，其中壓縮應力層延伸至該玻璃內更深的深度，該FSM技術可能會遇到對比問題，這影響觀測到的DOL值。在更深的壓縮層深度，TE與TM光譜之間的對比可能不足，以致更加難以計算TM與TE偏振束縛光學模式光譜之間的差值，以及準確測定DOL。再者，FSM軟體分析不能測定壓縮應力分佈（即，壓縮應力隨玻璃內深度函數的變化）。另外，FSM技術不能測定由於玻璃中某些元素的離子交換（例如，鈉與鋰的離子交換）所產生的層深度。
當DOL佔厚度t的一小部分r，且係數分佈具有相當近似於簡單線性截尾分佈的深度分佈時，經由FSM測定的DOL相當近似於壓縮深度（DOC）的壓縮層深度。當DOL佔厚度的相當大部分時，例如，當DOL ≥ 0.1·t時，則DOC大多明顯小於DOL。例如，在線性截尾分佈的理想情況下，保持DOC = DOL·(1 - r)的關係，其中r = DOL/t。
或者，可利用本領域中已知的散射線性偏光儀（SCALP）技術來測定壓縮應力、應力分佈以及層深度。SCALP技術能夠對層的表面應力及層深度進行非破壞性量測。
參閱所有圖式，尤其參閱第1圖，應理解這些圖的目的是描述特定的具體例，而非意旨在限制其揭示內容或所附的申請專利範圍。為了清楚和簡潔起見，圖式不一定按比例繪製，圖式的某些特徵及某些視圖可按比例放大圖示或者以示意圖圖示。
在一些具體例中，本文所述光學透明的玻璃陶瓷材料包含含有至少約90重量％的二氧化矽的玻璃相以及結晶化鎢青銅相。該等玻璃陶瓷包含矽酸鹽玻璃相以及約0.1莫耳％至約10莫耳％、約1莫耳％至約4莫耳％、或約0.5莫耳％至約5莫耳％的結晶化鎢青銅相，該結晶化鎢青銅相包含結晶化M xWO 3奈米粒子。在一具體例中，將結晶化M xWO 3奈米粒子封裝且分散於殘餘玻璃相中，並且在一些具體例中，將結晶化M xWO 3奈米粒子分散遍及殘餘玻璃相。在另一具體例中，M xWO 3結晶化奈米粒子位於玻璃陶瓷的表面處或附近。在一些具體例中，M xWO 3結晶化奈米粒子為片形（platelet-shape），且具有經由本領域中已知的該等手段（例如，SEM及/或TEM顯微鏡、x射線繞射、光散射、離心方法等）所測定的約10 nm至1000 nm或約10 nm至約5 µm範圍的平均直徑，及/或M xWO 3奈米柱具有高長寬比以及經由本領域中已知的該等手段所測定的約10 nm至1000 nm範圍的平均長度，以及經由本領域中已知的該等手段所測定的約2至約75 nm範圍的平均寬度。在一些具體例中，表現出高可見光透明度以及強UV及NIR吸收的鎢青銅玻璃陶瓷，含有高長寬比（長度/寬度）的M xWO 3柱，該等M xWO 3柱具有約10 nm至約200 nm範圍的一平均長度以及約2 nm至30 nm範圍的平均寬度。結晶化鎢青銅相具有化學式M xWO 3，其中M為H、Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr、Ba、Zn、Cu、Ag、Sn、Cd、In、Tl、Pb、Bi、Th、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及U中的至少一者，且其中0 ＜ x ＜ 1。這些玻璃陶瓷具有低的熱膨脹係數（CTE），強衰減或阻擋波長短於約250 nm的紫外線（UV）輻射以及波長範圍約700 nm至約2500 nm的近紅外線（NIR）輻射。
在一些具體例中，本文所述玻璃陶瓷在光譜的可見光區域（即，波長為約400 nm至約700 nm）中是光學透明的。也就是說，玻璃陶瓷在約400 nm至約700 nm範圍中的至少一50 nm寬的光波長帶上，在跨越1 mm路徑長度具有大於約1%的透射率（本文中的單位為「%/mm」）。在一些具體例中，玻璃陶瓷在光譜的可見光區域中的至少一50 nm寬的光波長帶上具有至少大於約10%/mm的透射率，在一些具體例中，具有大於約30%/mm的透射率，在其他具體例中，具有大於約50%/mm（例如，≥75%/mm、≥80%/mm、≥90%/mm）的透射率。另外，這些玻璃陶瓷在不使用塗層或膜的情況下，吸收光譜的紫外線（UV）區域（波長短於約370 nm）以及近紅外線（NIR）區域（大於約700 nm至約1700 nm）中的光，其為機械易碎且對UV光及水分敏感。在一些具體例中，玻璃陶瓷對於具有約370 nm或更短的波長（例如，在370 nm的波長）的光，具有小於10%/mm的透射率，或甚至小於5%/mm的透射率，且在其他具體例中，具有小於2%/mm的透射率，或甚至小於1%/mm的透射率。在一些具體例中，對於具有約370 nm或更短的波長的光，玻璃陶瓷在此波長下（例如，在370 nm的波長下），吸收或者具有至少90%/mm的吸光率，在其他具體例中，至少95%/mm的吸光率，以及在其他具體例中，至少98%/mm或甚至至少99%/mm的吸光率。在一些具體例中，玻璃陶瓷對於光譜的NIR區域（即，約700 nm至約2500 nm）中的光，在至少一50 nm寬的光波長帶上，具有小於10%/mm的透射率，以及在其他具體例中，具有小於5%/mm的透射率。在一些具體例中，玻璃陶瓷對於光譜的NIR區域（即，約700 nm至約2500 nm）中的光，在至少一50 nm寬的光波長帶的波長帶上，吸收至少90%/mm，以及在其他具體例中，吸收至少95%/mm。
在一些具體例中，本文所述玻璃陶瓷在不損害其光學或機械性質的情況下，能夠耐受至少約300℃的溫度，或者在一些具體例中，耐受至少約200℃的溫度。在一些具體例中，當在約200℃至約300℃範圍內的溫度下加熱玻璃陶瓷至少一個小時的時間時，玻璃陶瓷在約500 nm與約2500 nm之間的透射率變化小於10%/mm。在一些具體例中，這些玻璃陶瓷不與氧氣、氫氣及水分反應，且不透氧氣、氫氣及水分。經由將經選定的樣本（例如，表1中的樣本13、14、15及16）暴露至312 nm及365 nm的光下長達7天的時間，已證實玻璃陶瓷的不透性。經過這樣的暴露後，並未觀察到這些樣本的光學的吸光率變化，這表示氧氣、水分及/或氫氣並未與M xWO 3結晶相反應，且未改變M xWO 3結晶相。
在一些具體例中，在約0℃至約300℃的溫度範圍下，本文所述玻璃陶瓷具有約75 x 10 -7°C -1的熱膨脹係數（CTE）。在一些具體例中，在約0℃至約300℃的溫度範圍下，玻璃陶瓷（例如，表1中的樣本2、11、12、13及54）具有約33.5 x 10 -7°C -1至約66.3 x 10 -7°C -1的熱膨脹係數（CTE）。
在一些具體例中，本文所述玻璃陶瓷為可漂白的（bleachable），即，在高於玻璃/玻璃陶瓷各自的軟化點，短時間熱處理玻璃/玻璃陶瓷，可清除（erase）結晶化M xWO 3。此熱處理可利用本領域中已知的能量源（例如，但不限於，電阻爐、雷射、微波等能量源）來進行。例如，將材料保持在約685℃與約740℃之間的溫度大約5分鐘，可漂白組成物37（表1）。接著，透過暴露至UV脈衝雷射，可在該材料的表面上重新形成或再結晶M xWO 3青銅相；即，暴露至雷射的那些區域中將重新形成鎢青銅相。
本文所述玻璃陶瓷可用於建築、汽車、醫療、航太或其他應用中的低輻射窗用玻璃（low-emittance glazing），包括隔熱面罩（thermal face shield）、醫用眼鏡、光學濾光器等應用。在一些具體例中，玻璃陶瓷成為消費電子產品（例如，手機或智慧型手機、筆記型電腦、平板等）的一部分。此類消費電子產品通常包含具有前表面、後表面及側表面的殼體，並且包括至少部分位於殼體的內部之電子組件。電子組件包括至少一電源、控制器、記憶體以及顯示器。在一些具體例中，本文所述玻璃陶瓷包含保護元件（例如，但不限於，殼體及/或顯示器）的至少一部分。
在一些具體例中，玻璃相係硼矽酸鹽玻璃，且玻璃陶瓷包含SiO 2、Al 2O 3、B 2O 3、WO 3以及至少一鹼金屬氧化物R 2O，其中R 2O係Na 2O、K 2O、Cs 2O及/或Rb 2O中的至少一者，以及結晶化鎢青銅相係含有MWO 3、包含MWO 3或基本上由MWO 3所組成之鎢青銅固溶體，其中M係Na 2O、K 2O、Cs 2O及Rb 2O中的至少一者。在一些具體例中，該結晶化鹼金屬鎢青銅相係鹼金屬鎢青銅固溶體M1 xM2 yWO 3之混合物的結晶化鹼金屬鎢青銅相，其中M1 = Li、Na、K、Cs、Rb以及M2 = Li、Na、K、Cs、Rb，其中M1 ≠ M2且0 ＜ (x + y) ＜ 1。
在一些具體例中，玻璃陶瓷包含：約56莫耳％至約78莫耳％的SiO 2（56莫耳％ ≤ SiO 2≤ 78莫耳％）或約60莫耳％至約78莫耳％的SiO 2（60莫耳％ ≤ SiO 2≤ 78莫耳％）；約8莫耳％至約27莫耳％的B 2O 3（8莫耳％ ≤ B 2O 3≤ 27莫耳％）；約0.5莫耳％至約14莫耳％的Al 2O 3（0.5莫耳％ ≤ Al 2O 3≤ 14莫耳％）；大於0莫耳％至約10莫耳％的Na 2O、K 2O、Cs 2O及Rb 2O中的至少一者（0莫耳％ ＜ Na 2O + K 2O + Cs 2O + Rb 2O ≤ 9莫耳％）；約1莫耳％至約10莫耳％的WO 3（1莫耳％ ≤ WO 3≤ 10莫耳％）或者，在一些具體例中，約1莫耳％至約5莫耳％的WO 3（1莫耳％ ≤ WO 3≤ 5莫耳％）；以及0莫耳％至約0.5莫耳％的SnO 2（0莫耳％ ≤ SnO 2≤ 0.5莫耳％）。在一些具體例中，玻璃陶瓷可包含0莫耳％至約9莫耳％的Li 2O；在一些具體例中，0莫耳％至約9莫耳％的Na 2O（0莫耳％ ＜ Na 2O ≤ 9莫耳％）；在一些具體例中，0莫耳％至約9莫耳％的K 2O（0莫耳％ ＜ K 2O ≤ 9莫耳％）或0莫耳％至約3莫耳％的K 2O（0莫耳％ ＜ K 2O ≤ 3莫耳％）；在一些具體例中，0莫耳％至約10莫耳％的Cs 2O（0莫耳％ ＜ Cs 2O ≤ 10莫耳％）或大於0莫耳％至約7莫耳％的Cs 2O（0莫耳％ ＜ Cs 2O ≤ 7莫耳％）；及/或在一些具體例中，0莫耳％至約9莫耳％的Rb 2O（0莫耳％ ＜ Rb 2O ≤ 9莫耳％）。在一些具體例中，玻璃陶瓷包含約9.8莫耳％至約11.4莫耳％的B 2O 3（9.8莫耳％ ≤ B 2O 3≤ 11.4莫耳％）。
在某些具體例中，本文所述玻璃陶瓷包含：約80莫耳％至約97莫耳％的SiO 2（80莫耳％ ≤ SiO 2≤ 97莫耳％）；0莫耳％至約5莫耳％的Al 2O 3（0莫耳％ ≤ Al 2O 3≤ 5莫耳％）；0莫耳％至約2莫耳％的R 2O（0莫耳％ ≤ R 2O ≤ 2莫耳％)，其中R 2O = Li 2O、Na 2O、K 2O及/或Cs 2O，或大於0莫耳％至約2莫耳％的Cs 2O（0莫耳％ ＜ Cs 2O ≤ 2莫耳％)，或大於0莫耳％至約0.5莫耳％的Cs 2O（0莫耳％ ＜ Cs 2O ≤ 0.5莫耳％)；以及約0.2莫耳％至約2莫耳％的WO 3（0.2莫耳％ ≤ WO 3≤ 2莫耳％)。在特定具體例中，玻璃陶瓷包含：約87莫耳％至約93莫耳％的SiO 2（87莫耳％ ≤ SiO 2≤ 93莫耳％）；0莫耳％至約0.5莫耳％的Al 2O 3（0莫耳％ ≤ Al 2O 3≤ 0.5莫耳％）；3莫耳％至約6莫耳％的B 2O 3（3莫耳％ ≤ B 2O 3≤ 6莫耳％）；0.75莫耳％的WO 3至約1.25莫耳％的WO 3（0.75莫耳％ ≤ WO 3≤ 1.25莫耳％)；以及0.2莫耳％至約2莫耳％的R 2O，其中R = Li、Na、K及/或Cs（0.2莫耳％ ≤ R 2O ≤ 2莫耳％)。
在一些具體例中，玻璃陶瓷可進一步包含高達約0.5莫耳％的MgO（0莫耳％ ≤ MgO ≤ 0.5莫耳％)；高達約2莫耳％的P 2O 5（0莫耳％ ≤ P 2O 5≤ 2莫耳％)；以及高達約1莫耳％的ZnO（0莫耳％ ≤ ZnO ≤ 1莫耳％)中的至少一者。在冷卻或熱處理時，經由MgO（例如，表1中的樣本55、56及57）、P 2O 5（例如，表1中的樣本58）以及ZnO向上（例如，表1中的樣本59）中的至少一者的添加，可以提高的M xWO 3的形成速率。
表1中列出在可見光範圍內是透明的和UV及NIR吸收的玻璃陶瓷的非限制性組成物。表2中列出不吸收UV或NIR輻射的組成物。 表1.在可見光範圍內光學透明並在UV及NIR光範圍內吸收的玻璃陶瓷之組成物。
莫耳％ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
SiO 2 76.9 75.9 72.9 69.9 65.9 77.6 76.9 61.7 61.7 65.9
B 2O 3 17 17 20 23 27 20 17 20 20 20
Al 2O 3 2 2 2 2 2 0.66 1.32 6.6 6.6 5
Li 2O 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Na 2O 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
K 2O 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Cs 2O 1 2 2 2 2 0.66 0.66 1.32 6.6 5
WO 3 3 3 3 3 3 1 1 1 5 4
SnO 2 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1
La 2O 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Eu 2O 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
MnO 2 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Fe 2O 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
CeO 2 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Sb 2O 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
MgO 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
莫耳％ 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
SiO 2 64.9 63.9 63.9 63.9 63.9 63.9 62.9 61.9 64.9 62.9
B 2O 3 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20
Al 2O 3 5 7 9 9 9 9 10 11 9 9
Li 2O 0 0 0 3 0 0 0 0 0 0
Na 2O 0 0 0 0 3 0 0 0 0 0
K 2O 0 0 0 0 0 3 0 0 0 0
Cs 2O 5 5 3 0 0 0 3 3 2 4
WO 3 5 4 4 4 4 4 4 4 4 4
SnO 2 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1
La 2O 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Eu 2O 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
MnO 2 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Fe 2O 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
CeO 2 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Sb 2O 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
MgO 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
莫耳％ 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
SiO 2 63.9 61.9 63.9 63.9 63.9 64 64.4 64.9 65.4 64.9
B 2O 3 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20
Al 2O 3 10 12 9 9 9 9 9 9 9 9
Li 2O 0 0 0 1.5 1.5 3 3 3 3 2
Na 2O 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
K 2O 0 0 0 1.5 0 0 0 0 0 0
Cs 2O 2 2 2.9 0 1.5 0 0 0 0 0
WO 3 4 4 4 4 4 4 3.5 3 2.5 4
SnO 2 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0 0.1 0.1 0.1 0.1
La 2O 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Eu 2O 3 0 0 0.1 0 0 0 0 0 0 0
MnO 2 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Fe 2O 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
CeO 2 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Sb 2O 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
MgO 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
莫耳％ 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40
SiO 2 65.9 66.9 65.9 66.4 60.9 65.9 69.9 66 65.9 65.8
B 2O 3 20 20 20 20 20 15 10 20 20 20
Al 2O 3 9 9 9 9 9 9 10 9 9 9
Li 2O 1 0 3 3 6 6 6 3 3 3
Na 2O 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
K 2O 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Cs 2O 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
WO 3 4 4 2 1.5 4 4 4 2 2 2
SnO 2 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0 0.1 0.2
La 2O 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Eu 2O 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
MnO 2 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Fe 2O 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
CeO 2 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Sb 2O 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
MgO 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
莫耳％ 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
SiO 2 65.6 65.8 65.9 70.1 70.1 69.85 70.35 70.1 69.9 68.1
B 2O 3 20 20 20 10.35 9.8 9.8 9.8 12.35 10.35 11.35
Al 2O 3 9 9 9 10 10 10 10 9 10 10
Li 2O 3 3 3 0 8.475 8.6 8.35 7.7 8.2 8.7
Na 2O 0 0 0 8.2 1.525 1.65 1.4 0.75 1.25 1.75
K 2O 0 0 0 1.25 0 0 0 0 0 0
Cs 2O 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
WO 3 2 2 2 4 4 4 4 4 4 4
SnO 2 0.4 0 0 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.3 0.1
La 2O 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Eu 2O 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
MnO 2 0 0.2 0 0 0 0 0 0 0 0
Fe 2O 3 0 0 0.1 0 0 0 0 0 0 0
CeO 2 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Sb 2O 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
MgO 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
莫耳％ 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61
SiO 2 69.85 69.85 69.85 69.85 70.25 69.85 69.35 68.85 69.1 69.75 68.75
B 2O 3 9.8 9.8 9.8 9.8 9.8 9.8 9.8 9.8 9.8 9.8 10.8
Al 2O 3 10 10 10 9.75 10 10 9.375 10 10 10 10
Li 2O 0 4 8 0 0 0 0 0 0 0 3
Na 2O 8.6 4.6 0.6 8.725 8.35 8.35 8.975 8.6 8.6 8.6 7.25
K 2O 1.65 1.65 1.65 1.775 1.4 1.4 1.4 1.65 1.65 1.65 0
Cs 2O 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
WO 3 4 4 4 3.5 4 4 4 4 4 4 4
SnO 2 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1
La 2O 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Eu 2O 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
MnO 2 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Fe 2O 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
CeO 2 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Sb 2O 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
MgO 0 0 0 0 0.1 0.5 1 0 0 0 0.1
P 2O 5 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
ZnO 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0
As 2O 5 0 0 0 0 0 0 0 0 0.75 0 0
表2.在UV及NIR光範圍內不吸收輻射的玻璃陶瓷之組成物。
莫耳％ 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71
SiO 2 77.9 77.94 72.3 65.7 64.7 63.7 65.7 65.7 64.2 62.7
B 2O 3 20.7 20 20 20 20 20 20 20 20 20
Al 2O 3 0 0.3 3.3 6.6 6.6 0.66 5.6 4.6 8.1 9.6
Li 2O 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Na 2O 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
K 2O 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Cs 2O 0.3 0.66 3.3 6.6 6.6 6.6 7.6 8.6 6.6 6.6
WO 3 1 1 1 1 2 3 1 1 1 1
SnO 2 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1
La 2O 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Eu 2O 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
MnO 2 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Fe 2O 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
CeO 2 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Sb 2O 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
MgO 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
莫耳％ 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81
SiO 2 62.2 60.7 62.7 60.1 63.9 63.9 63.9 66.9 67.9 65.9
B 2O 3 20 20 20 20 20 20 20 20 10 10
Al 2O 3 8.1 9.6 6.6 6.6 5 9 9 9 10 10
Li 2O 0 0 0 0 0 0 0 3 8 10
Na 2O 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
K 2O 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Cs 2O 6.6 6.6 6.6 6.6 7 0 0 0 0 0
WO 3 3 3 4 6.6 4 4 4 1 4 4
SnO 2 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1
La 2O 3 0 0 0 0 0 3 0 0 0 0
Eu 2O 3 0 0 0 0 0 0 3 0 0 0
MnO 2 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Fe 2O 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
CeO 2 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Sb 2O 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
MgO 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
莫耳％ 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91
SiO 2 63.9 65.8 65.9 65.75 67 67 70.1 69.35 70.1 70.1
B 2O 3 10 20 20 20 8.1 9.1 9.35 9.8 9.35 9.35
Al 2O 3 10 9 9 9 12.6 12.6 10 10 10 10
Li 2O 12 3 3 3 5.1 5.1 8.242 8.35 8.7 8.7
Na 2O 0 0 0 0 6.2 5.7 2.208 1.4 1.75 1.75
K 2O 0 0 0 0 0.8 0.3 0 0 0 0
Cs 2O 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
WO 3 4 2 2 2 4 4 4 4 2.5 2.5
SnO 2 0.1 0 0 0 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1
La 2O 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Eu 2O 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
MnO 2 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Fe 2O 3 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
CeO 2 0 0.2 0 0.2 0 0 0 0 0 0
Sb 2O 3 0 0 0.1 0.05 0 0 0 0 0 0
MgO 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0
在一些具體例中，-10莫耳％ ≤ R 2O(莫耳％) - Al 2O 3(莫耳％) ≤ 0.1莫耳％。關於組成以及熱處理如何影響玻璃陶瓷的光學性質，可以將過鋁質熔體（peraluminous melts）分為三種子類別。本文中使用的用語「過鋁質熔體」係指熔體中氧化鋁的莫耳比例或含量大於R 2O的莫耳比例或含量，其中R 2O係Li 2O、Na 2O、K 2O、及Cs 2O中的至少一者；即Al 2O 3(莫耳％) ＞ R 2O(莫耳％)。在第一種子類別中，當將過鋁質熔體從熔融狀態快速淬火並且退火後，過鋁質熔體在可見光波長範圍和NIR狀態（regime）下是透明的（例如，表1中的樣本12、15～17、20、23、25、33、35～42、44、46、47及48）。這些材料需在退火溫度或略高於退火溫度但低於軟化點下進行後續熱處理，以成長NIR吸收的奈米結晶化M xWO 3相。第1圖中繪示作為熱處理函數的光學性質的變化。第1圖係經噴濺淬火、經退火以及經熱處理的組成物13樣本之吸光率對波長圖。本文中使用的用語「噴濺淬火」係指傾倒少量或「一團」的熔融玻璃至室溫的鐵片上，且（亦在室溫）立即用鐵柱塞下壓該團物質，以便快速冷卻玻璃並將該團物質壓成薄（3～6 mm）的玻璃盤之製程。雖然組成物/樣本13的經噴濺淬火的樣本（第1圖中的A）以及經退火的樣本（B）在可見光或NIR狀態中沒有吸收的表現，但那些已經熱處理的樣本（C、D、E）呈現出隨著熱處理時間的增加而增加的NIR狀態中的吸光率，以及一些在600～700 nm範圍內的波長下的可見光衰減，導致材料具有藍色色調（hue）。
如果將第二種子類別的過鋁質熔體快速淬火，則第二種子類別的過鋁質熔體在可見光以及NIR狀態下保持透明，但在退火後則呈現NIR吸收（參閱表1中的樣本12、14、19、21、22、24及26～32）。第2圖示出經噴濺淬火（A）、經退火（B）以及經熱處理（C）的玻璃陶瓷組成物11樣本的光譜。如同前述且如第2圖所示的過鋁質熔體群組，經噴濺淬火或經退火的玻璃陶瓷之NIR吸光率可經由進一步熱處理而增強。
第三種子類別的過鋁質熔體即使在快速淬火時仍呈現NIR吸收（參閱表1中的樣本1及7）。這些材料可以經由在退火點下或高於退火點但低於軟化點下的後續熱處理，進一步增強材料的NIR吸收。
近電荷平衡熔體（即，R 2O(莫耳％) - Al 2O 3(莫耳％) = 0 ± 0.25莫耳％）在快速淬火時，在可見光中可為透明的，且在退火後可為NIR吸收（參閱表1中的樣本8～11及45），或者近電荷平衡熔體在快速淬火或退火之後可為NIR吸收（參閱表1中的樣本2～7）。如同本文前述的熔體，可以經由在退火點下或高於退火點但低於軟化點下的後續熱處理，進一步增強NIR吸收。
當兩個過鹼性（即，R 2O(莫耳％) ＞ Al 2O 3(莫耳％)）的UV及NIR吸收熔體（表1中的樣本46及50）經快速淬火時在可見光及NIR中為透明的，但在退火之後則為NIR吸收。如同本文前述的熔體，可經由在退火點或高於退火點但低於軟化點下的後續熱處理，進一步增強NIR吸收。
結晶化M xWO 3相的形成速率決定光學吸收率。結晶化M xWO 3相的形成速率亦可經由熱處理時間及溫度的調整；(R 2O(莫耳％) + Al 2O 3(莫耳％))/WO 3(莫耳％)的比值；R 2O(莫耳％)/WO 3(莫耳％)的比值；Al 2O 3(莫耳%)/WO 3(莫耳%)的比值；以及待批量的鹼金屬（或該等鹼金屬）的選擇中的至少一者來調節。在所有實例中，隨著更長的熱處理時間析出更多的結晶化M xWO 3相，導致材料具有強NIR吸收。然而，熱處理時間過長可能造成結晶化M xWO 3相粗大化（coarsen）。在一些情況中，粗大化可能伴隨著二級結晶相或三級結晶相的形成，例如硼矽酸鹽或硼酸鋁。這些二級相的形成可能使材料產生可見光波長的散射，因而呈現朦朧或乳白色。另外，在大部分的實例中，隨著將熱處理溫度升高且接近玻璃的軟化點，M xWO 3的形成速率提高。
在一些具體例中，1 ≤ (R 2O(莫耳％) + Al 2O 3(莫耳％))/WO 3(莫耳％) ≤ 6。隨著(R 2O(莫耳％) + Al 2O 3(莫耳％))/WO 3(莫耳％)的比值增加，M xWO 3的形成速率下降。當(R 2O(莫耳%) + Al 2O 3(莫耳%))/WO 3(莫耳%) ≥ 6時，NIR吸收的結晶化M xWO 3相停止從熔體析出。
在那些玻璃中，結晶化M xWO 3的NIR吸收相在玻璃中析出，R 2O(莫耳％)/WO 3(莫耳％)的比值大於或等於0且小於或等於約4（0 ≤ R 2O(莫耳％)/WO 3(莫耳％) ≤ 4），以及Al 2O 3(莫耳％)/WO 3(莫耳％)的比值在約0.66至約6的範圍內（0.66 ≤ Al 2O 3(莫耳％)/WO 3(莫耳％) ≤ 6）。當R 2O(莫耳％)/WO 3(莫耳％)大於4（R 2O(莫耳％)/WO 3(莫耳％) ＞ 4）時，該等玻璃可析出稠密不互溶的第二相並且分離，導致不均勻的熔體。當Al 2O 3(莫耳％)/WO 3(莫耳％)的比值超過6（Al 2O 3(莫耳％)/WO 3(莫耳％) ＞ 6）時，玻璃停止析出結晶化M xWO 3的NIR吸收相。當Al 2O 3(莫耳％)/WO 3(莫耳％)的比值等於6（Al 2O 3(莫耳％)/WO 3(莫耳％) = 6）時（例如，表1中的樣本34中），形成NIR吸收的奈米結晶化M xWO 3青銅，但非常緩慢地形成。較佳為R 2O(莫耳％)/WO 3(莫耳％)的比值在約0至約3.5的範圍內（0 ≤ R 2O/WO 3≤ 3.5）（例如，表1中的樣本26）。最佳為R 2O/WO 3在約1.25至約3.5的範圍內（1.25 ≤ R 2O(莫耳％)/WO 3(莫耳％) ≤ 3.5）（例如，表1中的樣本53），因為在這個組成範圍內的樣本，快速析出UV及NIR吸收的M xWO 3結晶相，呈現具有強NIR吸收的高可見光透明度，且是可漂白的（即，M xWO 3結晶相能被「消除」）。在某些具體例中，Al 2O 3(莫耳％)/WO 3(莫耳％)的比值在約0.66至約4.5的範圍內（0.66 ≤ Al 2O 3(莫耳％)/WO 3(莫耳％) ≤ 4.5）（例如，表1中的樣本40），且最佳為Al 2O 3(莫耳％)/WO 3(莫耳％)在約2至約3的範圍內（2 ≤ Al 2O 3(莫耳％)/WO 3(莫耳％) ≤ 3）（例如，表1中的樣本61）。高於這個範圍，則緩慢地形成NIR吸收的奈米結晶化M xWO 3青銅。
不同的鹼金屬氧化物造成結晶化M xWO 3相以不同的速率析出。對於具有相同批量組成物，但具有不同鹼金屬氧化物R 2O（其中，R = Li、Na、K或Cs）之熔體，當M（或R）為Cs時，M xWO 3的析出速率最慢，以及當M（或R）為Li時，M xWO 3的析出速率最快，即Cs ＜ K ＜ Na ＜ Li（例如，表1中的樣本14、15、16及13）。在玻璃陶瓷中形成結晶化M xWO 3相的溫度，亦根據存在的鹼金屬而改變。第3圖示出量測樣本14、15、16及13所得的差示掃描量熱法（DSC）冷卻曲線，表1列出樣本14、15、16及13的組成物。如第3圖以及下表A所示，含銫熔體在最高溫度下結晶，隨後是含鉀熔體、含鈉熔體以及含鋰熔體。 表A.結晶化M xWO 3相的結晶溫度。
樣本 鹼金屬 M 結晶溫度 (°C)
14 Li 593.8
15 Na 682.2
16 K 706.3
13 Cs 714.1
透過組成物、熱處理時間及溫度以及鹼金屬氧化物的選擇可調節玻璃陶瓷的可見光範圍和NIR吸收邊緣中的高峰或最大透射波長。第4圖中示出含有不同的鹼金屬鎢青銅和此外具有相同的組成物之玻璃陶瓷（表1中的樣本14、15、16及13）的光譜。鉀和銫的類似物（分別為樣本16及13）並且具有比鈉和鋰的類似物更短的高峰可見光透射率波長（440～450 nm），鈉和鋰的類似物（分別為樣本15及14）分別具有460 nm和510 nm的高峰可見光透射率波長（peak visible transmittance wavelength）。
在一些具體例（例如，表1中的實施例37、44、46及50）中，本文所述玻璃陶瓷具有較低濃度的硼，即約9.8莫耳％至約11.4莫耳％的B 2O 3（9.8莫耳％ ≤ B 2O 3≤ 11.4莫耳％）。如表B中所示的這些樣本中，在窄且低的溫度範圍析出NIR吸收的結晶化M xWO 3相。在不成長結晶化M xWO 3相的情況下，這些組成物可以被加熱到超過它們各自的軟化點，並且下陷、坍陷或形成。這允許經由先形成及/或成形玻璃物件，並隨後在低溫下熱處理該材料以析出NIR吸收的結晶化M xWO 3第二相，來控制和定制這些玻璃陶瓷的光學性能。另外，在高於該等玻璃各自的軟化點溫度下，短時間熱處理該等玻璃，可「消除」具有上述組成物之玻璃陶瓷中的結晶化M xWO 3第二相（且可漂白玻璃陶瓷）。例如，將材料保持在約685℃與約740℃之間的溫度大約5分鐘，能漂白組成物44。 表B.具有低B 2O 3含量的樣本中的結晶化M xWO 3相的結晶溫度範圍。
樣本 B 2O 3( 莫耳％ ) 結晶 溫度範圍 (°C)
37 10 575～625
44 10.4 500～550
46 9.8 500～575
50 11.4 500～650
在一些具體例中，這些玻璃以及玻璃陶瓷可以利用UV雷射圖案化。例如，經由暴露材料，將材料暴露至10瓦355 nm的脈衝雷射，M xWO 3相可在快速淬火的組成物（例如，表1中的樣本14）中析出。
表C列出量測經選定的表1中所列樣本組成物所得的物理性質，該物理性質包括應變點、退火點及軟化點、熱膨脹係數（CTE）、密度、折射係數、泊松比、剪切模數、楊氏模數、液相線（最大結晶）溫度以及應力光學係數（SOC）。另外，由經選定的表1中所列樣本，得到經噴濺淬火及經熱處理的玻璃陶瓷組成物的x射線粉末繞射（XRD）分佈。第5圖以及第6圖分別為經噴濺淬火及經熱處理的玻璃陶瓷組成物所得的代表性XRD分佈，兩者皆具有表1中的組成物14。這些XRD分佈顯示，淬火後的材料（第5圖）在熱處理之前為非晶形且未含有結晶化M xWO 3相，而經熱處理的玻璃材料含有結晶化M xWO 3第二相。 表C.量測具有選自表1組成物的玻璃陶瓷所得的物理性質。
性質 2 11 12 13 14 15 16
應變點 (°C) 495 450 461 505.8 512.1 497.4 497.3
退火點 (°C) 557 498 513 566.1 563.1 552.2 553.7
軟化點 PPV (°C) 963.1 850.9 837.9 952.4
CTE (x10 -7/°C) 33.5 53.2 48.6 37
密度 (g/cm 3) 2.335 2.612 2.569 2.516 2.427 2.402 2.392
折射係數 633 nm 1.4944 1.4997
折射係數 1549 nm 1.4798 1.4835
性質 33 34 35 36 45 46 50
應變點 (°C) 515.1 471.2 485.2 523.9 486.8 483 471.3
退火點 (°C) 568.9 514.3 530.8 573.1 540.8 536.7 521.2
軟化點 PPV (°C) 725.6 769.6 857.9 831.5 822.2 797.3
CTE (x10 -7/°C)
密度 (g/cm 3): 2.307 2.416 2.429 2.452
折射係數 633 nm
折射係數 1549 nm
泊松比 0.228 0.23 0.226 0.217
剪切模數 Mpsi 3.47 3.48 3.65 3.95
楊氏模數 Mpsi 8.53 8.56 8.96 9.61
應力光學係數 nm/nm/MPa 4.176 4.033 3.763
最大結晶溫度 (°C) ＞1320 1160 1175 1290 1210 1210 1155
主相 未知 未知 富鋁紅柱石 富鋁紅柱石 錫石 錫石 錫石
註解 熱端作業的失透 (Devitrified  to hot end) 錫石 高達 1155 ℃ 錫石 高達 1170℃
性質 51 52 53 54
應變點 (°C) 489.7 466.5
退火點 (°C) 544.4 522.3
軟化點 PPV (°C)
CTE (x10 -7/°C) 64.4 57.3
密度 (g/cm 3):
折射係數 633 nm
折射係數 1549 nm
泊松比 0.219 0.219 0.219 0.214
剪切模數 Mpsi 0.217 3.79 3.88 3.55
楊氏模數 Mpsi 8.60 9.25 9.47 8.62
應力光學係數 nm/nm/MPa 3.838 3.628 3.65 3.81
最大結晶溫度 (°C)
主相
註解
在那些具體例中，玻璃陶瓷包含氧化鋁（Al 2O 3）以及至少一鹼金屬，該玻璃陶瓷是可離子交換的。離子交換通常係用於化學強化玻璃。在一具體實施例中，這種陽離子源（例如，熔融鹽或「離子交換」浴）中的鹼金屬陽離子與玻璃內較小的鹼金屬陽離子交換，以實現壓縮應力（CS）下的層，其中CS為最大值，該層從玻璃的表面延伸至玻璃相內的層深度（DOL）或壓縮深度DOC。例如，來自陽離子源的鉀離子通常與玻璃相內的鈉離子交換。
在一些具體例中，玻璃陶瓷經離子交換並且具有從至少一表面延伸至玻璃陶瓷內至少約10 µm的深度（如DOC及/或DOL所示）的壓縮層。該壓縮層在該表面具有至少約100 MPa且小於約1500 MPa的壓縮應力CS。
在非限制性的實施例中，組成物51及54經離子交換。首先，將樣本在550℃下熱處理15小時，接著將樣本以1℃/分鐘冷卻至475℃，並且在關閉電源時進一步將樣本以爐的冷卻速率（爐速）冷卻至室溫。接著，制陶樣本（cerammed sample）在390℃下的KNO 3熔融浴中離子交換3小時，導致玻璃－陶瓷組成物51及54的表面壓縮應力分別為360 MPa及380 MPa，以及層深度分別為31微米及34微米。
在一個具體例中，本文所述玻璃陶瓷可利用熔融淬火製程來製備。合適比例的組分可以經由擾動混合（turbulent mixing）或球磨來混合並且混合在一起。接著，在約1550℃至約1650℃的溫度範圍下熔化批量材料，且將該批量材料保持在該溫度下約6小時至約12小時的時間，在這段時間之後，可將其鑄造或成形，然後退火。根據材料的組成物，在退火點下或略高於退火點但低於軟化點下進行額外的熱處理，以成長結晶化M xWO 3第二相並且提供UV及NIR吸收的性質。經由表1中的樣本12～16、37、46、50～53及61之組成物，得到了優化的UV及NIR吸收的性質。表D中列出示例性組合物的用於成長結晶化M xWO 3第二相的熱處理時間範圍以及熱處理溫度範圍。 表D.經由熔融－淬火製程用於產生UV及NIR吸收的M xWO 3玻璃陶瓷的熱處理溫度範圍以及熱處理時間範圍。
組成物 ( 表 1) 熱處理溫度範圍 (°C) 熱處理時間範圍 ( 小時 )
12 520～550 20～30
13 650～725 0.5～1.5
14 575～700 0.08～0.5
15 625～725 0.4～2
16 650～725 0.5～2
37 600～625 16～30
46 525～600 0.75～10
50 525～650 0.75～10
51 525～600 0.75～10
52 525～575 1～10
53 525～575 0.5～5
61 525～650 0.2～2
在其他具體例中，經由滲透奈米－多孔玻璃（例如，但不限於，由康寧股份有限公司製造的高矽玻璃VYCOR®）以形成玻璃陶瓷。這樣的奈米－多孔玻璃可以是20～30％的多孔，多孔具有4.5～16.5 nm的平均孔徑，具有窄的孔徑分佈（玻璃中約96％的孔的孔徑與平均孔徑相差+0.6 nm）。經由調整相分離玻璃所需的熱處理時間表且經由修改蝕刻條件，可將該平均孔徑增加到約16.5 nm。第7圖示出滲透玻璃和形成玻璃陶瓷的方法之流程圖。
在方法100的步驟110中，製備或提供含有鎢的第一溶液、含有金屬陽離子M的第二溶液以及硼酸的第三溶液，以將這些組分輸送至奈米－多孔玻璃基板。在一具體例中，經由將偏鎢酸銨（AMT）溶解於去離子水中來製備鎢溶液，以產生期望的鎢離子濃度。在一些具體例中，可使用有機前驅物（例如，羰基鎢、六氯化鎢等），以將鎢輸送至奈米－多孔玻璃基板的孔中。也可使用許多包括硝酸鹽、硫酸鹽、碳酸鹽、氯化物等的水溶性前驅物，以提供M xWO 3青銅中的金屬M的陽離子。
在一非限制性的實施例中，製備或提供0.068 M的AMT之第一水溶液以及0.272 M的硝酸銫之第二水溶液，使得銫陽離子濃度為1/3的鎢陽離子濃度。
第三種溶液是過飽和硼酸溶液，在一些具體例中，可以經由將硼酸水合物添加到去離子水中，並且在攪拌下將混合物加熱至沸騰，來製備該過飽和硼酸溶液。
在一些具體例中（未示於第7圖），可以在形成玻璃陶瓷之前，清潔奈米－多孔玻璃。首先可以將玻璃樣本（例如，1 mm的片）在環境空氣中緩慢地加熱至約550℃的溫度，以除去水分以及有機污染物，並隨後保存在約150℃以備使用。
首先，經由將玻璃浸在室溫（約25℃）的含有鎢的第一溶液中，用鎢溶液滲透奈米－多孔玻璃（步驟120）。在一非限制性的實施例中，將奈米－多孔玻璃浸在第一溶液中約1小時。接著，可以將玻璃樣本從第一溶液取出，將玻璃樣本浸泡在去離子水中約1分鐘，並且將玻璃樣本在環境空氣中乾燥約24至約72小時。
在方法100的下一步驟中，在流動的氧氣中加熱經滲透的奈米－多孔玻璃樣品，以分解偏鎢酸銨並形成WO 3（步驟130）。先將玻璃以約1℃/分鐘的速率加熱至約225℃，接著將玻璃以2.5℃/分鐘的速率從約225℃加熱至約450℃，隨後保持在450℃4小時，然後將玻璃以約5℃/分鐘至約7℃/分鐘範圍內的速率從約450℃冷卻至室溫。在一些具體例中，步驟130可包括，在上述熱處理之前，在約80℃預熱玻璃長達約24小時。
在步驟130之後，將玻璃浸在室溫（約25℃）的第二溶液中（步驟140），以利用M陽離子溶液滲透該玻璃。在一些具體例中，步驟140之前，可在浸入步驟前在約80℃預熱玻璃長達約24小時。在一非限制性的實施例中，將奈米－多孔玻璃浸在第二溶液中約1小時。接著，可以將玻璃樣本從第二溶液取出，將玻璃樣本浸泡在去離子水中約1分鐘，並且將玻璃樣本在環境空氣中乾燥約24至約72小時。
在步驟140之後，加熱奈米－多孔玻璃樣本，以形成結晶化鎢青銅M xWO 3相（步驟150）。加熱步驟150包括，先在氮氣氣氛中將玻璃以約1℃/分鐘的速率（升溫速率（ramp rate））從約5℃加熱至約200℃，接著在3％氫氣和97％氮氣的氣氛下將玻璃以約3℃/分鐘的速率從約200℃加熱至約575℃，隨後保持在575℃1小時，然後經由打開發生加熱步驟的爐，將玻璃快速冷卻至約300℃。在一些具體例中，隨後將樣本留在環境空氣中靜置一段未指定的時間。
在步驟150之後，將玻璃樣本浸在第三溶液中，其中第三溶液為過飽和硼酸溶液（步驟160）。在步驟160期間，將第三溶液保持沸騰並且溫和攪拌。在一些具體例中，將玻璃樣本浸在沸騰的溶液中約30分鐘。從第三溶液取出樣本後，在一些具體例中，用去離子水清洗樣本，並且將樣本留在環境空氣中靜置約24小時。然後，在氮氣氣氛下加熱玻璃，以形成並固化（consolidate）玻璃陶瓷（步驟170）。在步驟170中，先將玻璃以約1℃/分鐘的升溫速率從室溫加熱至約225℃，接著將玻璃以約5℃/分鐘的速率從約225℃加熱至約800℃。將玻璃保持在800℃約1小時，然後將玻璃以約10℃/分鐘的速率從約800℃冷卻至室溫。
在另一樣態中，提供經摻雜稀土金屬氧化物（REO）以及在光譜的NIR區域中具有高吸光率的玻璃。在一些具體例中，這些玻璃有助於玻璃在IR中的高折射率。稀土金屬氧化物摻雜物（包括Sm 2O 3、Pr 2O 3及Er 2O 3）包含高達約12莫耳％的玻璃。
在一些具體例中，經REO摻雜的玻璃是包含Al 2O 3及SiO 2以及Sm 2O 3、Pr 2O 3及Er 2O 3中的至少一者的鋁矽酸鹽玻璃，其中Sm 2O 3+ Pr 2O 3+ Er 2O 3≤ 12莫耳%。在一些具體例中，該等玻璃進一步包含至少一鹼土金屬氧化物以及B 2O 3。在一些具體例中，該等玻璃在約1400 nm與約1600 nm之間的波長具有小於約30％的透射。表E中列出鋁矽酸鹽玻璃組成物的非限制性實施例。表E中亦列出量測這些玻璃所得的折射係數（RI）。不含鹼土金屬改質劑的玻璃A、B及C，即使在1650℃也太黏稠而不能傾倒。含有大量（＞ 21莫耳％）的鹼土金屬改質劑以及B 2O 3的玻璃E及F，在1650℃能容易地傾倒。第8圖以及第9圖中分別繪製玻璃E對光譜的可見光及NIR區域兩者的色散（dispersion）以及透射百分率。玻璃E在紅外線（IR）區域中呈現高折射係數，且在1550 nm呈現高吸光率。第10圖中繪製這些含有3～5莫耳％的Pr 2O 3之組成物的UV-VIS-IR光譜，並且示出這些玻璃在1550 nm具有高吸光率。 表E.經稀土金屬摻雜的鋁矽酸鹽玻璃的組成物。
(莫耳％) A B C D E F
MgO 0 0 0 9.2 9.2 9.2
CaO 0 0 0 9.2 9.2 9.2
BaO 0 6 6 3.4 3.4 3.4
Al 2O 3 18 18 18 10.7 10.7 10.7
B 2O 3 0 0 0 4.6 4.6 4.6
SiO 2 70 70 70 62.9 62.9 62.9
Pr 2O 3 12 6 0 0 5 0
Sm 2O 3 0 0 6 0 0 5
在1550 nm的RI 1.604 1.565 1.562 1.528 1.58 1.576
在一些具體例中，經REO摻雜的玻璃係包含ZnO、Bi 2O 3、B 2O 3以及Sm 2O 3、Pr 2O 3及Er 2O 3中的至少一者的鋅鉍硼酸鹽玻璃，其中Sm 2O 3+ Pr 2O 3+ Er 2O 3≤ 12莫耳%。在一些具體例中，經REO摻雜的Zn-Bi硼酸鹽玻璃進一步包含Na 2O及TeO 2中的至少一者。在一些具體例中，該等玻璃在約1400 nm與約1600 nm之間的波長具有小於約30%的透射。表F中列出Zn-Bi硼酸鹽玻璃的組成物的非限制性實施例。表F中亦列出量測這些玻璃所得的折射係數（RI）。 表F.經稀土金屬摻雜的Zn-Bi硼酸鹽玻璃的組成物。
(莫耳％) G H I J K L
ZnO 26.2 26.2 28.5 22.3 22.3 27
Bi 2O 3 4.9 4.9 19 15 15 5
B 2O 3 43.6 43.6 47.5 42.7 42.7 45
TeO 2 5.8 5.8 0 0 0 6
Na2O 14.1 14.1 0 10 10 14.5
BaO 2.4 2.4 0 10 10 2.5
Pr 2O 3 3 0 5 3 5 5
Sm 2O 3 0 3 0 0 0 0
在1550 nm的RI 1.683 1.680 1.857 未測出 未測出 未測出
雖然為說明的目的提出了典型的具體例，但是前面的描述不應被認為是對本揭示範圍或所附申請專利範圍的限制。因此，對於本領域技術人員而言，在不脫離本揭示或所附申請專利範圍之精神及範疇的情況下，可存在各種修改、適應及替代。
100:方法 110:步驟 120:步驟 130:步驟 140:步驟 150:步驟 160:步驟 170:步驟 180:步驟
第1圖是經噴濺淬火（splat-quench）、經退火及經熱處理的玻璃陶瓷樣本之吸光率對波長圖；
第2圖是經噴濺淬火（A）、退火（B）及經熱處理（C）的玻璃陶瓷組成物之光譜圖；
第3圖是量測玻璃陶瓷樣本所得的差示掃描量熱法（differential scanning calorimetry）冷卻曲線圖；
第4圖是含有不同鹼金屬鎢青銅的玻璃陶瓷之光譜圖；
第5圖是經噴濺淬火的玻璃陶瓷之x射線粉末繞射分佈；
第6圖是經熱處理的玻璃陶瓷之x射線粉末繞射分佈；
第7圖是滲透玻璃以形成玻璃陶瓷之方法流程圖；
第8圖是表E中所列之玻璃E的色散曲線圖；
第9圖是表E中所列之玻璃E的透射圖；以及
第10圖是表F中所列之玻璃J、K及L的透射圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:方法
110:步驟
120:步驟
130:步驟
140:步驟
150:步驟
160:步驟
170:步驟
180:步驟

Claims (34)

  1. 一種製造一玻璃陶瓷物件的方法，包含：熱處理一玻璃以成長MxWO3晶體，其中0<x<1且M包含H、Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr、Ba、Zn、Cu、Ag、Sn、Cd、In、Tl、Pb、Bi、Th、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及/或U，其中至少在該熱處理之前，該玻璃以組分氧化物表示而包含SiO2、B2O3、Al2O3、WO3以及R2O，其中R2O為該玻璃中的鹼金屬氧化物Na2O、K2O、Cs2O及/或Rb2O的一總和，以及其中至少在該熱處理之前，該玻璃的以莫耳%計之該Al2O3及R2O使得-10
    Figure 112110830-A0305-02-0038-1
    (R2O-Al2O3)
    Figure 112110830-A0305-02-0038-2
    0.1。
  2. 如請求項1所述之方法，其中至少在該熱處理之前，該玻璃以莫耳%計而包含：0
    Figure 112110830-A0305-02-0038-3
    (R2O/WO3)
    Figure 112110830-A0305-02-0038-4
    4。
  3. 如請求項1所述之方法，其中至少在該熱處理之前，該玻璃以莫耳%計而包含：1
    Figure 112110830-A0305-02-0038-5
    [(R2O+Al2O3)/WO3]
    Figure 112110830-A0305-02-0038-6
    6。
  4. 如請求項1所述之方法，其中至少在該熱處理之前，該玻璃以莫耳%計而包含：0<(Na2O+K2O+Cs2O+Rb2O)
    Figure 112110830-A0305-02-0038-7
    9。
  5. 如請求項1所述之方法，其中該熱處理的期間為至少0.2小時。
  6. 如請求項1所述之方法，其中該熱處理的溫度為至少520℃。
  7. 如請求項1所述之方法，其中該玻璃陶瓷在400nm至700nm之一範圍中，對於至少一50nm寬的光波長帶，跨越1mm之一路徑，透射大於1%。
  8. 如請求項1所述之方法，其中該玻璃陶瓷在370nm或更短的波長，跨越1mm之一路徑，透射小於5%的光。
  9. 如請求項1所述之方法，其中該玻璃陶瓷在700nm至2500nm之一範圍中，對於至少一50nm寬的光波長帶，跨越1mm之一路徑，透射小於10%。
  10. 如請求項1所述之方法，進一步包含漂白或消除該物件的至少一部分中的該MxWO3晶體的至少一些。
  11. 如請求項10所述之方法，其中該漂白包含進一步加熱該部分。
  12. 如請求項11所述之方法，其中該進一步加熱包含將一雷射用於該進一步加熱。
  13. 如請求項11所述之方法，其中該進一步加熱包含將該部分加熱至685℃與740℃之間5分鐘。
  14. 一種製造一玻璃陶瓷物件的方法，包含：由該玻璃陶瓷物件的至少一部分漂白MxWO3晶體，其中0<x<1且M包含H、Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr、Ba、Zn、Cu、Ag、Sn、Cd、In、Tl、Pb、 Bi、Th、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及/或U，其中該物件的該玻璃陶瓷由一玻璃製成，該玻璃以組分氧化物表示而包含SiO2、B2O3、Al2O3、WO3以及R2O，其中R2O為該玻璃中的鹼金屬氧化物Na2O、K2O、Cs2O及/或Rb2O的一總和，以及其中該玻璃的以莫耳%計之該Al2O3及R2O使得-10
    Figure 112110830-A0305-02-0040-8
    (R2O-Al2O3)
    Figure 112110830-A0305-02-0040-9
    0.1。
  15. 如請求項14所述之方法，其中該漂白包含加熱該物件。
  16. 如請求項15所述之方法，其中該加熱包含使用一雷射。
  17. 如請求項15所述之方法，其中該加熱包含在685℃與740℃之間加熱該物件5分鐘。
  18. 如請求項14所述之方法，進一步包含由該玻璃製作該物件之該玻璃陶瓷。
  19. 一種製造一玻璃陶瓷物件的方法，包含：熱處理一玻璃以成長MxWO3晶體，其中0<x<1且M包含H、Li、Na、K、Rb、Cs、Ca、Sr、Ba、Zn、Cu、Ag、Sn、Cd、In、Tl、Pb、Bi、Th、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及/或U，其中至少在該熱處理之前，該玻璃以組分氧化物表示而包含SiO2、B2O3、Al2O3、WO3以及R2O，其中 R2O為該玻璃中的鹼金屬氧化物Na2O、K2O、Cs2O及/或Rb2O的一總和，以及其中在該熱處理之後，該玻璃陶瓷在400nm至700nm之一範圍中，對於至少一50nm寬的光波長帶，跨越1mm之一路徑，透射大於1%。
  20. 如請求項19所述之方法，其中該熱處理的期間為至少0.2小時，且其中該熱處理的溫度為至少500℃。
  21. 一種玻璃，包含：56莫耳%
    Figure 112110830-A0305-02-0041-10
    SiO2
    Figure 112110830-A0305-02-0041-11
    78莫耳%；8莫耳%
    Figure 112110830-A0305-02-0041-12
    B2O3
    Figure 112110830-A0305-02-0041-13
    27莫耳%；0.5莫耳%
    Figure 112110830-A0305-02-0041-14
    Al2O3
    Figure 112110830-A0305-02-0041-15
    14莫耳%；1莫耳%
    Figure 112110830-A0305-02-0041-16
    WO3
    Figure 112110830-A0305-02-0041-17
    10莫耳%；以及以莫耳%計之R2O，使得-10莫耳%
    Figure 112110830-A0305-02-0041-18
    (R2O-Al2O3)
    Figure 112110830-A0305-02-0041-19
    0.1莫耳%，其中R2O為Na2O、K2O、Cs2O及/或Rb2O中的至少一者。
  22. 如請求項21所述之玻璃，其中，以莫耳%計，0
    Figure 112110830-A0305-02-0041-20
    (R2O/WO3)
    Figure 112110830-A0305-02-0041-21
    4。
  23. 如請求項21所述之玻璃，其中，以莫耳%計，1
    Figure 112110830-A0305-02-0041-22
    [(R2O+Al2O3)/WO3]
    Figure 112110830-A0305-02-0041-23
    6。
  24. 如請求項21所述之玻璃，其中，以莫耳%計，0<(Na2O+K2O+Cs2O+Rb2O)
    Figure 112110830-A0305-02-0041-24
    9。
  25. 如請求項21所述之玻璃，更明確地包含60莫耳%
    Figure 112110830-A0305-02-0041-25
    SiO2
    Figure 112110830-A0305-02-0041-26
    78莫耳%。
  26. 如請求項21所述之玻璃，更明確地包含1莫耳%
    Figure 112110830-A0305-02-0042-27
    WO3
    Figure 112110830-A0305-02-0042-28
    5莫耳%。
  27. 如請求項21所述之玻璃，進一步包含0莫耳%
    Figure 112110830-A0305-02-0042-29
    SnO2
    Figure 112110830-A0305-02-0042-30
    0.5莫耳%。
  28. 如請求項21所述之玻璃，進一步包含0莫耳%<Li2O
    Figure 112110830-A0305-02-0042-31
    9莫耳%。
  29. 如請求項21所述之玻璃，進一步包含0莫耳%<Na2O
    Figure 112110830-A0305-02-0042-32
    9莫耳%。
  30. 如請求項21所述之玻璃，進一步包含0莫耳%<K2O
    Figure 112110830-A0305-02-0042-33
    9莫耳%。
  31. 如請求項21所述之玻璃，進一步包含0莫耳%<Cs2O
    Figure 112110830-A0305-02-0042-34
    10莫耳%。
  32. 如請求項21所述之玻璃，進一步包含0莫耳%<Rb2O
    Figure 112110830-A0305-02-0042-35
    9莫耳%。
  33. 如請求項21所述之玻璃，更明確地包含9.8莫耳%
    Figure 112110830-A0305-02-0042-36
    B2O3
    Figure 112110830-A0305-02-0042-37
    11.4莫耳%。
  34. 如請求項21所述之玻璃，進一步包含以下至少一者：0莫耳%
    Figure 112110830-A0305-02-0042-38
    MgO
    Figure 112110830-A0305-02-0042-39
    0.5莫耳%；0莫耳%
    Figure 112110830-A0305-02-0042-41
    P2O5
    Figure 112110830-A0305-02-0042-40
    2莫耳%；及/或0莫耳%
    Figure 112110830-A0305-02-0042-42
    ZnO
    Figure 112110830-A0305-02-0042-43
    1莫耳%。
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